KR101287525B1 - 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 1 mm를 초과하는 입자 크기를 갖는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 자가-지지형 실리콘 밴드를 제조하기 위한 그러한 방법의 용도, 및 그에 따라 얻은 밴드에 관한 것이다.

Description

자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 방법 {METHOD FOR PREPARING A SELF-SUPPORTING CRYSTALLIZED SILICON THIN FILM}
본 발명은 "조대립(coarse-grain)" 결정 구조를 갖는 자가-지지형 실리콘 리본을 얻기 위한 재결정화 공정에 관한 것으로, 이러한 리본은 광전지의 제조에 특히 유리하다.
광전지는 본질적으로 단결정 또는 다결정 실리콘으로부터 제조된다.
일반적으로, 이러한 실리콘은 액체 실리콘조에서 출발하는 실리콘 실린더를 고체화함으로써 얻어진다. 그런 후, 실린더는 전지 제조에 사용되는 웨이퍼로 절단된다.
이러한 실린더를 웨이퍼로 절단하는 동안 발생되는 물질의 손실을 피하기 위하여, 실리콘 웨이퍼 또는 리본을 직접 제조하기 위한 기술들이 개발되어 왔다.
첫번째 타입의 기술은 EFG(Edge-defined Film-fed Growth) 공정(1), RAD(Ribbon Against Drop) 공정(2), 및 RGS(Ribbon Growth on Substrate) 공정(3)을 예로 들 수 있는 "액체-상" 기술로, 액체 실리콘조를 사용한다.
EFG 공정에서, 액체 실리콘은 모세관 파이프에서 상승하여 시드와 접촉하고, 시드는 그 후 수직으로 이동된다. 이러한 기술은 이후 웨이퍼로 절단되는 125 mm 너비(300 ㎛ 두께)의 대형 8각 튜브의 제조를 가능하게 한다.
RAD 공정에서, 플렉시블 흑연 시트는 액체 실리콘조를 수직 관통하고 양면에실리콘으로 코팅되어 나온다. 리본의 두께는 인상 속도에 따라 다르다.
RGS 공정에서, 이동하는 저온 기판은 액체조와 접촉하여 하나의 표면에 실리콘 박막을 형성하며 나온다. 고체화는 기판(리본의 평면과 평행한 고액 전면)으로부터 출발하고 광전 적용에 적합하지 않은 미세립 구조를 발생시킨다.
일반적으로 이러한 공정들은 100 ㎛ 내지 500 ㎛의 실리콘 두께를 얻는 것을 가능하게 한다.
이러한 액체-상 기술과 함께, CVD(4) 및 PVD(5) 기술을 예로 들 수 있는 증기-상 증착을 기반으로 하는 기술이 있다. 이에 따라 증착된 박막은 일반적으로 액체-상 공정을 통해 얻은 것보다 더 두껍다(최대 20 ㎛). 이러한 증기-상 기술은 고속 증착 속도로 작업하여 만족스러운 생산성을 확보할 수 있다. 그러나, 이에 따라 얻은 결정 구조는 작은 결정 크기 때문에 높은 에너지 변환율을 허용하지 않는다.
또한, 유기 용매에 실리콘 분말을 함유한 혼합물을 액체상으로 증착하고, 용매를 증발한 다음, 수소첨가된 아르곤 플라즈마 토치를 이용하여 분말을 소결하는 것이 고려될 수 있다. 이러한 경우, 매우 높은 수준의 생산성이 달성될 수 있으며, 이러한 기술은 최근 광전 적용을 위한 실리콘 제조에 이용되고 있지만, 미가공 소결 박막은 높은 변환 수득율을 허용하지 않는다.
따라서, 예를 들면, CVD, PVD, 또는 플라즈마 공정과 같은 일정 수의 기술들이 모두 만족스러운 것은 아니며, 특히 형성된 실리콘 결정의 작은 크기에 대해서 만족스럽지 않다. 게다가, 이러한 공정들은 본질적으로 기판 위에 지지된 실리콘 박막의 제안에 관한 것이므로 자가-지지형 실리콘 박막, 즉 기판 물질에 부착되지 않는 박막의 개발에 관한 것이 아니다.
CVD, PVD, 플라즈마, 또는 RGS 기술에 의해 증착된 박막에 대해 관찰된 입자 크기의 불충분성과 관련하여, 지지된 실리콘 박막을 고온에서 어닐링함으로써 재결정화하는 것은 이미 제안되었다. 박막을 어닐링하기 위한 특히 유리한 공정은 고온 영역에 있는 2개의 고체상들 사이의 국소적인 액체 브릿지를 해당 물질 내에 형성하고 이에 따라 얻은 물질을 이후 저온 영역으로 이동시키는 영역 융합(zone fusion) 공정이다. 특히, 실리콘으로 된 대형 단결정의 성장에 대한 기술은 1950년대 이후로 알려져 있다. 최근에는 광전 적용을 위한 실리콘 박막의 결정화(4)가 적용되고 있다. 이 공정의 경우, 박막 전지를 제조하기 위한 에피택시 기판으로 사용될 박막을 진공 증착 기술을 기반으로 하는 공정으로 수 마이크로미터 두께로 재결정화하기 위해 영역-융합 어닐링이 사용된다. 그러나, 상기 문헌에서, 결정 크기를 증가시키기 위한 이러한 유리한 기술은 기판 위에 지지된 실리콘 박막의 형성에 대해서만 고려된다. 따라서, 본 발명에 따라 고려된 다른 양태인, 형성된 실리콘 박막을 기판으로부터 분리하는 문제는 논의되지 않는다.
명백한 이유로, 실리콘 박막이 기판으로부터 쉽게 또는 그렇지 않게 분리되는 성능은 이에 관해서 기판에 의해 나타나는 젖음성과 특히 관련이 있다.
액체상을 수반하고 비-젖음 기판을 사용하는 어닐링 공정에서, 비젖음을 피하기 위한 하나의 해결책은 실리카 박막을 재결정화되어야 하는 실리콘에 증착하는 것이다(6). 유감스럽게도, 이것은 몇 개의 부가 공정 단계를 수반한다. 이러한 부가 단계를 제거하기 위해서 본래 젖음성 물질, 또는 액체 실리콘과 접촉시 젖음 기판을 형성할 수 있는 물질을 사용하는 것이 일반적으로 바람직하다. 예를 들면, 탄소는 액체 실리콘과 접촉시, 액체 실리콘에 의해 양호한 젖음성을 부여받는 실리콘 카바이드(SiC)를 형성하는 것으로 알려져 있다.
안타깝게도, 실리콘 박막을 제조하기 위한 액체-상 공정에서 액체 실리콘 박막을 고체화하고 이에 따라 형성된 고체 실리콘 박막을 분리하는 공정은 기판에 대해 선택된 온도와 밀접하게 관련이 있다. 따라서, 분리성에 대한 임계 파라미터인 Si/기판 계면에 형성된 SiC 박막의 두께는 기판의 온도에 의해 결정된다. 낮은 기판 온도는 한편으로는 불순물의 확산을 제한하고, 다른 한편으로는 SiC 박막의 형성을 제한하므로, 분리를 촉진시킨다. 유감스럽게, 이렇게 낮은 온도는 광전 적용에 부적절한 미세립 실리콘 고체화 마이크로구조도 함께 유도한다. 또한, 높은 기판 온도에서는 장점과 단점이 바뀌어 나타날 수 있다.
따라서, 현재 이용가능한 기술은 첫째, 자가-지지형, 즉 지지 기판이 없는 실리콘 박막, 그리고 둘째, 조대립 결정 구조, 즉 입자 크기가 적어도 1 mm보다 큰 구조가 부여된 실리콘 박막에 신속하고 간단하게 접근할 수 없다.
정확하게, 본 발명은 상기 요건을 만족하는 공정을 제안하는 것에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 실리콘 박막, 특히 자가-지지형 실리콘 리본 또는 웨이퍼에 접근하기에 유용한 단순하고 저비용의 공정을 제안하는 것에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 조대립 결정 구조를 갖는 자가-지지형 실리콘 박막에 직접 접근하기 위한 공정을 제안하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 또한 조대립 실리콘 재결정화, 및 그에 따라 형성된 실리콘 박막을 본래의 기판으로부터 분리하는 것을 동시에 달성하는, 자가-지지형 실리콘 박막(들)을 제조하기 위한 공정을 제안하는 것이다.
더욱 정확하게, 본 발명은 자가-지지형 결정화 실리콘 박막을 제조하기 위한 공정에 관한 것으로,
(1) 적어도 3개의 다른 적층 박막들, 즉 기판 박막, 표면 실리콘 박막, 및 기판 박막과 표면 박막 사이에 개재된 탄소계 희생 박막으로부터 형성된 물질의 웨이퍼를 구비하는 단계;
(2) 웨이퍼의 표면 박막의 적어도 하나의 영역의 표면에 있는 실리콘을 용융하여 희생 박막을 형성하는 탄소와 용융 실리콘을 반응시킴으로써, 용융 실리콘의 박막에 인접한 SiC 박막을 형성하기 위하여, 상기 영역을 가열하는 단계;
(3) (2)단계의 용융 실리콘 영역을 냉각하여 고체화하는 단계; 및
(4) 기판 박막으로부터 SiC 박막의 자발적인 분리에 의해 얻고자 하는 실리콘 박막을 회수하는 단계를 적어도 포함한다.
유리하게, (3)고체화 단계는 1 mm의 크기를 초과하는 실리콘 결정의 형성에 알맞은 조건에서 실행된다.
유리하게, (2), (3), 및 (4)단계들은 연속으로 실행될 수 있다.
하나의 변형 실시예에 따르면, 공정은 또한 (5)얻고자 하는 실리콘 박막과 접촉하는 SiC 박막을 제거하는 단계를 포함한다.
다른 변형 실시예에 따르면, 희생 박막과 접촉하는 기판의 표면은 돋을새김(relief)을 가질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 공정은 형성된 실리콘 박막에 이러한 돋을새김의 복제를 허용하여 표면처리된(textured) 실리콘 박막을 제조할 수 있다.
또 다른 변형 실시예에 따르면, (3)단계에서 실행되는 고체화 또는 결정화는 시딩(seeding)함으로써, 즉 용융 영역을 적어도 하나의 외부 실리콘 결정과 접촉함으로써 개시될 수 있다.
재결정화되어야 하는 실리콘 박막과 기판의 계면에 있는 탄소계 물질의 박막의 존재와 본 발명에 따른 요구 조건에서 용융 실리콘의 냉각으로 인해, 그로부터 얻은 실리콘 박막은 광전 적용에 유리한 결정 구조와 기판과의 양호한 분리성을 부여받는다.
유리하게, 본 발명과 관련하여, 2개의 기대되는 특성, 즉 조대립 결정 구조를 갖는 실리콘 박막의 제조, 및 본래의 기판으로부터 실리콘 박막의 용이한 분리성이 서로를 희생하여 얻어지지 않는다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명은 결정 구조가 1 mm를 초과하는 입자 크기를 갖는 자가-지지형 실리콘 리본을 제조하기 위한 전술한 공정의 사용에 관한 것이다.
마지막으로, 본 발명의 주제는 또한 이러한 공정에 따라 얻은, 특히 결정 구조가 1 mm를 초과하는 입자 크기를 갖는 자가-지지형 실리콘 리본에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위하여, "자가-지지형"이라는 용어는 본 발명의 공정에 따라 형성된 조대립 실리콘 박막이 고체 기판에 접착되어 단단히 부착되지 않는 것을 의미한다.
물질의 웨이퍼
a) 탄소계 박막
실리콘을 오염시키기 않기 위하여, 선택되는 탄소는 가능하면 순수하며, 그에 따라, 유리하게 99%, 또는 심지어 99.9%를 초과하는 순도를 갖는다.
이러한 탄소 박막의 두께는 10 nm 내지 2 ㎛, 바람직하게는 20 nm 내지 200 nm일 수 있다.
이러한 박막은 실리콘에 대해 기밀성이 있어야 하며, 이에 따라 액체 실리콘의 침투를 방지하기 위하여 개기공율이 없어야 한다.
이러한 탄소 박막은 당업자에게 자명한 표준 기술에 따라 제조될 수 있다. 예를 들면, 이러한 탄소 박막은 가스 또는 액체 전구체의 열분해에 의해 기판의 하나의 면의 표면에 형성되거나 용매의 증기와 함께 액체 통로를 통해 증착될 수 있다.
전술된 바와 같이, 기판 박막과 재결정화되어야 하는 실리콘 박막의 계면에 있는 탄소 박막은 액체 실리콘과의 접촉에 의해, 여러 가지 면에서 본 발명이 개발하고자 하는 SiC 박막으로 완전히 변형된다.
이러한 SiC 박막은 우선 기판 박막에 존재할 수 있는 금속 원소들의 확산을 막음으로써, 액체 실리콘의 박막을 화학적으로 보호한다.
또한, Si/SiC 계면의 에너지가 강하기 때문에, SiC의 액체 Si과의 양호한 젖음성 및 그에 따른 액체 실리콘 박막의 모폴로지 안정성이 확보된다. 이렇게 SiC 박막의 실리콘과의 양호한 젖음성은 기판 표면처리의 복제에 알맞으며, 그러한 경우 표면처리는 빛을 전지에 가두는데 유리하므로 화학적인 침식으로 고체화된 리본에 돋을새김을 생성하는 추가 단계의 사용을 피할 수 있다.
마지막으로, 실리콘 카바이드 박막/기판 계면은 기계적으로 약하기 때문에, 냉각이 이루어지는 동안 생성되는 열기계적인 제약(constraints)이 실리콘 및/또는 기판의 크래킹 또는 변형없이 접착 파단에 의해 자발적인 분리를 일으킨다.
b) 기판 박막
기판을 형성하는 물질은 다양한 특성의 것일 수 있다.
본 발명에 사용하기에 특히 적합한 기판 물질은 세라믹 타입, 예를 들면, 알루미나 또는 실리콘 질화물이며, 특히 알루미나처럼 열전도성이 좋지 않은 물질이다.
이러한 기판 물질은 유리하게 웨이퍼 또는 리본 형태, 특히 너비 5 cm 내지 20 cm, 두께 500 ㎛ 내지 10 mm, 바람직하게는 1 mm 내지 5 mm의 리본 형태이다.
c) 실리콘 박막
일반적으로, 실리콘 박막은 엄밀하게 본 발명에 따른 공정을 통해 증가되는 "미세립" 결정 구조를 갖는다.
이러한 미세립 결정은 일반적으로 100 ㎛ 미만, 특히 10 ㎛ 미만의 크기를 갖는다.
이러한 실리콘 박막은 어떤 표준 공정을 통해서도 형성될 수 있다. 특히, CVD, PVD, 또는 분말 증착, 또는 대안적으로 RGS 기술에 의해 탄소 박막의 표면에 형성될 수 있다.
그 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 특히 100 ㎛ 내지 200 ㎛일 수 있다.
본 발명의 다른 특성 및 장점들은 첨부된 도면을 참조하여 비제한적인 예시로 주어진 아래의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 처리되어야 하는 물질의 웨이퍼의 개략적인 단면도이다.
도 2는 (2)단계 동안 얻은 웨이퍼의 개략적인 단면도이다.
도 3은 기판 박막으로부터 Si/SiC 박막을 분리하는 단계를 도시한다.
도 4는 본 발명의 공정에 따라 얻은 실리콘/SiC 박막의 개략적인 단면도이다.
도 5는 SiC 박막을 제거한 후 얻은 실리콘 박막을 도시한다.
도 6은 가열 챔버 안에서 본 발명에 따라 처리하는 동안 웨이퍼의 길이방향 이동, 및 기판 박막으로부터 SiC 박막의 자발적인 분리에 의해 가열 챔버의 끝단에서 Si/SiC 박막이 회수되는 것을 도시한다.
명확성을 이유로, 도면에서 눈에 보이는 구조들의 다양한 물질의 박막들은 일정 비율로 도시되지 않았으며 어떤 부분들의 크기는 과장되었음을 주의해야 한다.
(2)단계에 따라, 특히 전술한 바와 같이 재결정화되어야 하는 물질의 웨이퍼의 표면 박막의 적어도 하나의 영역은 국소적으로 실리콘의 용융점, 즉 1410℃ 이상의 온도로 승온된다.
게다가, 이러한 온도는 유리하게 1700℃ 미만, 특히 1550℃ 미만, 또는 심지어 1500℃ 미만이다.
선택된 온도에 따라, 용융된 영역의 크기는 5 mm 내지 5 cm, 특히 5 mm 내지 2 cm일 수 있다.
전술한 바와 같이, 이 (2)단계는 우선, 국소적인 가열에 노출된 영역의 실리콘을 용융시키고, 둘째, 이러한 영역과 접촉하는 탄소를 실리콘 카바이드(SiC)로 변형시킬 수 있다.
이에 따라 처리된 영역은 1 mm를 초과하는 입자 크기로 재결정화하는데 알맞은 조건에 노출된다.
특히, 이러한 조건은 용융 영역을 용융점 이하로 냉각하는 것을 요구한다.
용융 영역의 이러한 냉각은 시간당 10℃ 내지 1000℃, 유리하게는 50℃ 내지 300℃의 냉각 속도로 진행될 수 있다.
유리하게, 용융 실리콘의 재결정화에 알맞은 이러한 냉각은 Si/SiC/기판 물질에 의해 형성된 용융 영역의 두께에서 열교환이 상당히 감소되는 조건에서 실행된다.
이것은 박막의 두께의 어느 한 측면의 온도를 제어함으로써(예를 들면, 박막의 각각의 표면에 열을 가함으로써) 얻어진다.
이 때문에, 웨이퍼의 어느 한 측면에 가열 수단이 유리하게 위치된다.
즉, 유익하게 온도 구배는 본질적으로 두께 방향보다는 가로방향으로 실리콘 박막에 제공된다.
이를 위하여, 기판은 냉각하는 동안, 즉 (3)냉각 단계 동안, 또는 (2)단계에서, 결정화 온도와는 다른 0℃ 내지 20℃의 온도에 유리하게 노출된다.
전술한 바와 같이 (2), (3), 및 (4)단계들은 연속으로 실행될 수 있다.
따라서, (2) 및 (3)단계들은 본 발명에 따라 처리되어야 하는 웨이퍼가 도입되는 가열 챔버에서 실행될 수 있다.
이 챔버는 우선, (2)단계에 필요한 국소적인 가열을 제공하고, 둘째, 기판을 가열하는데 필요한 열에너지, 바람직하게는 본질적으로 기판의 가로방향으로 작용하여 본 발명에 따라 기대되는 실리콘 재결정화 크기를 얻는데 가장 유리한 것으로 증명된 온도 구배를 제공할 수 있다.
이러한 열전도 모드를 지원하기 위하여, 열전도성이 좋지 않은 기판, 예를 들면, 알루미나가 바람직하게 사용될 수 있다.
또한, (2)단계의 어떤 용융 영역이라도 이후 냉각에 의한 재결정화에 알맞은 챔버의 영역으로 이동되도록, 물질의 웨이퍼 및 이러한 챔버는 유리하게 서로에 대해 이동하도록 구성된다.
특히, 챔버를 통해 이동되는 것은 웨이퍼이다.
처리되어야 하는 물질의 웨이퍼의 하나의 영역에만 적용하기 위하여, (2)단계의 실행을 위해 요구되는 국소적인 가열 장치는 유리하게 챔버 안에 결합된다.
이러한 국소적인 열처리는 국소적인 가열에 적합한 종래의 어떤 수단을 통해서도 실행될 수 있다. 유도 가열 방법이 본 발명에 사용하기에 가장 적합하다. 그러나, 저항, 적외선, 레이저, 거울 오븐(mirror oven) 타입의 열처리 등, 또는 이들의 조합도 고려될 수 있다.
냉각은 냉각 초기에 특히, 용융 영역을 미정질(microcrystalline) 웨이퍼와 접촉시킴으로써 이러한 용융 영역을 실리콘 시드 결정과 접촉시키는 것이 유리할 수 있다. 이러한 재결정화 기술은 명백하게 당업자에게 자명하다.
냉각하는 동안, Si/SiC 2개의 박막 웨이퍼는 기판 박막으로부터 자발적으로, 즉 분리하기 위한 기계적인 구속을 적용할 필요없이 분리된다.
따라서, 공정의 (4)단계 후, 고체 기판이 없는 재결정화 실리콘 박막이 얻어진다. 그러나, 하나의 표면은 일반적으로 서브마이크론 두께의 실리콘 카바이드 박막으로 코팅된다.
이러한 실리콘 카바이드 박막은 이후 유용한 기술에 의해, 일반적으로 화학적 처리에 의해 제거될 수 있다.
이하, 본 발명은 물론 비제한적인 예시로 주어진 예를 통해 설명될 것이다.
실시예
우선, 약 100 nm의 파이로카본(pyrocarbon) 박막이 적층된 알루미나 웨이퍼(길이 50 cm, 너비 10 cm, 두께 5 mm)를 소결 분말의 박막으로 코팅한다. 조립체를 고온 챔버를 통과하는 컨베이어 벨트에 놓는다. 기판을 바닥에서 유도가열하고, 꼭대기에는 추가 가열을 제공하기 위하여 IR 가열램프 장치를 사용한다. 시료는 최대 1500℃의 온도에 도달하여(고온 측정법에 의해 측정), 센티미터 크기의 액체 실리콘 영역을 형성한다. 초당 약 50 ㎛의 속도로 컨베이어 벨트를 작동하여 인출을 개시한다. 냉각하는 동안, 세라믹 기판으로부터 리본이 분리된다. 상온으로 돌아온 다음, 실리콘에 접착된 서브마이크론 크기의 SiC 박막을 화학적으로 제거한다(질산-불산 혼합물).
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Claims (19)

  1. 자가-지지형 결정화 실리콘 박막을 제조하기 위한 공정에 있어서,
    (1) 적어도 3개의 다른 적층 박막들, 즉 기판 박막, 표면 실리콘 박막, 및 상기 기판 박막과 상기 표면 박막 사이에 개재된 탄소계 희생 박막으로부터 형성된 물질의 웨이퍼를 구비하는 단계;
    (2) 상기 웨이퍼의 적어도 하나의 영역의 표면에 있는 실리콘을 용융하여 상기 희생 박막을 형성하는 탄소와 용융 실리콘을 반응시킴으로써 상기 용융 실리콘의 박막에 인접한 SiC 박막을 형성하기 위하여, 상기 영역을 가열하는 단계;
    (3) 상기 (2)단계의 상기 용융 실리콘 영역이 재결정화 되도록 상기 용융 실리콘 영역을 냉각하여 고체화하는 단계; 및
    (4) 상기 기판 박막으로부터 상기 SiC 박막의 자발적인 분리에 의해, 일 면에 SiC 박막이 형성된 얻고자 하는 실리콘 박막을 회수하는 단계를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 형성된 실리콘 박막은 1 mm를 초과하는 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  3. 제1항에 있어서,
    (5) 상기 SiC 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (2), (3), 및 (4)단계들은 연속으로 실행되는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (3)단계에서 실행되는 결정화는 상기 용융 영역을 적어도 하나의 실리콘 결정과 접촉시킴으로써 개시되는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 희생 박막과 접촉하는 상기 기판의 표면은 돋을새김(relief)을 갖는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 탄소 박막의 두께는 2 ㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 박막은 세라믹 타입의 물질로부터 형성된 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 세라믹 타입의 물질은 알루미나인 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 (2)단계에서 가열된 상기 영역은 1410℃ 내지 1700℃의 온도인 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 (2)단계에서 가열된 상기 영역은 1550℃ 미만의 온도인 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 (2)단계에서 가열된 상기 영역은 1500℃ 미만의 온도인 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  13. 제1항에 있어서,
    가열 수단은 상기 웨이퍼의 두께의 어느 한 측면에 위치되는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 냉각을 위하여 결정화 온도와는 다른 0℃ 내지 20℃의 온도에 노출되는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 (2) 및 (3)단계들은 국소 가열 장치를 구비한 가열 챔버에서 실행되는 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 (2)단계의 상기 용융 영역을 냉각에 알맞은 상기 챔버의 영역을 향해 이동시키기 위하여, 상기 물질의 웨이퍼와 상기 챔버는 서로에 대해 이동하도록 구성된 것을 특징으로 하는 자가-지지형 결정화 실리콘 박막의 제조 공정.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 공정을 이용하여 결정 구조가 1 mm를 초과하는 입자 크기를 갖는 자가-지지형 실리콘 리본을 제조하기 위한 공정.
  18. 자가-지지형 실리콘 리본에 있어서,
    제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따라 얻은, 결정 구조가 1 mm를 초과하는 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 자가-지지형 실리콘 리본.
  19. 삭제
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