KR101281982B1 - Cmp용 다층 연마 패드 재료 - Google Patents
Cmp용 다층 연마 패드 재료 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101281982B1 KR101281982B1 KR1020077027305A KR20077027305A KR101281982B1 KR 101281982 B1 KR101281982 B1 KR 101281982B1 KR 1020077027305 A KR1020077027305 A KR 1020077027305A KR 20077027305 A KR20077027305 A KR 20077027305A KR 101281982 B1 KR101281982 B1 KR 101281982B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- polishing
- polishing pad
- bottom layer
- abrasive
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 321
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 72
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 18
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 claims description 17
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 13
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 210000003429 pore cell Anatomy 0.000 claims description 12
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 11
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 5
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 3
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 claims 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 claims 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 263
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 100
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 22
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 20
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 5
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229920002397 thermoplastic olefin Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182559 Natural dye Natural products 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000978 natural dye Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001005 nitro dye Substances 0.000 description 1
- 239000001006 nitroso dye Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000001044 red dye Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000988 sulfur dye Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
- B24D3/32—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D13/00—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
- B24D13/14—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by the front face
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
본 발명은 저부층 (14)이 실질적으로 연마층 (12)과 동일 공간에 걸쳐있고, 연마층 (12)이 접착제를 사용하지 않고 저부층 (14)에 연결되고, 연마층 (12)이 저부층의 평균 표면 조도 (Ra)보다 큰 평균 표면 조도를 가지는, 연마층 (12) 및 저부층 (14)을 포함하는 화학 기계적 연마용 다층 연마 패드에 관한 것이다.
화학 기계적 연마, 다층 연마 패드, 다층 연마 패드 재료
Description
본 발명은 화학 기계적 연마에 사용되는 다층 연마 패드 재료에 관한 것이다.
화학 기계적 연마(chemical-mechanical polishing; "CMP") 공정은 반도체 웨이퍼, 전계 방출 디스플레이, 및 많은 다른 마이크로전자 기판 상에 편평한 표면을 형성하는 마이크로전자 소자 제조에 사용된다. 예를 들면, 일반적으로 반도체 소자의 제조는 다양한 공정층(process layer)의 형성, 이러한 층의 일부의 선택적인 제거 또는 패턴화, 및 반도체 웨이퍼를 형성하기 위한 반도체 기판의 표면 위에 추가적인 공정층의 침착을 포함한다. 공정층은 예로써, 절연층, 게이트 산화물층, 도전층, 및 금속 또는 유리층 등을 포함할 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼 공정의 특정한 단계에서 공정층의 최상부 표면이 후속 층의 침착을 위해 평면인, 즉 편평한 것이 바람직하다. CMP는 공정층을 평면화시키는 데 사용되며, 여기서, 침착된 물질, 예를 들면 도전성 또는 절연 물질을 후속 공정 단계를 위해 연마한다.
전형적 CMP 공정에서, CMP 공구(tool)의 캐리어 상에 웨이퍼를 뒤집어 장착한다. 일정한 힘으로 캐리어 및 웨이퍼를 연마 패드를 향해 하향으로 민다. 캐리 어 및 웨이퍼는 CMP 공구의 연마 테이블 상의 회전 연마 패드 위에서 회전한다. 일반적으로, 연마 조성물(또한, 연마 슬러리로도 불림)은 연마 공정 동안 회전 웨이퍼와 회전 연마 패드 사이에 도입된다. 전형적으로, 연마 조성물은 최상부 웨이퍼 층(들)의 일부와 상호작용하거나 이들을 용해시키는 화학 물질, 및 상기 층(들)의 일부를 물리적으로 제거하는 연삭 물질을 함유한다. 웨이퍼 및 연마 패드는 동일한 방향 또는 반대 방향으로 회전할 수 있고, 어느 쪽이든 수행되는 특정 연마 공정에 바람직하다. 또한, 캐리어는 연마 테이블 상의 연마 패드를 가로질러 진동할 수 있다. CMP 연마 패드는 종종 2 개 이상의 층, 예를 들면 연마층 및 저부(예를 들면, 하위패드(subpad))층을 포함하며, 이들은 접착제, 예를 들면 고온 용융 접착제 또는 감압 접착제를 사용함으로써 함께 연결된다. 이러한 다층 연마 패드는 예를 들면, 미국 특허 5,257,478에 개시되어 있다.
작업편(workpiece)의 표면 연마시, 종종 연마 공정을 현장에서(in situ) 모니터링하는 것이 유리하다. 연마 공정을 현장에서 모니터링하는 한 방법은 연마 공정 동안 광선이 통과하여 작업편 표면을 검사할 수 있게 하는 입구를 제공하는 "창(window)"을 갖는 연마 패드를 사용하는 것을 포함한다. 창을 갖는 이러한 연마 패드는 당업계에 공지되어 있고, 작업편, 예를 들면 반도체 소자를 연마하는 데 사용되었다. 예를 들면, 미국 특허 5,893,796은 연마 패드의 일부를 제거하여 천공을 제공하고, 천공에 투명한 폴리우레탄 또는 수정 플러그를 배치하여 투명한 창을 제공하는 것을 개시하고 있다. 유사하게, 미국 특허 5,605,760은 막대 또는 플러그로서 주조되는 균일한 속이 찬 중합체 물질로 형성된 투명한 창을 갖는 연마 패 드를 제공한다. 투명한 플러그 또는 창은 전형적으로 연마 패드를 형성하는 동안(예를 들면, 패드를 성형하는 동안) 연마 패드에 일체로 결합되거나 또는 접착제의 사용을 통해 연마 패드의 천공에 부착된다.
연마 패드 층을 함께 연결하거나 연마 패드 내에 창을 부착하기 위해서 접착제에 의존하는 선행 기술의 연마 패드는 많은 단점을 갖는다. 예를 들면, 접착제는 종종 이와 관련된 심한 연무를 갖고, 전형적으로 24 시간 이상의 경화를 필요로 한다. 또한, 접착제는 연마 조성물의 성분들로부터 화학적 공격을 받기 쉽기 때문에, 패드 층을 연결하거나 또는 창을 패드에 부착시키는 데 사용되는 접착제의 종류는 사용될 연마 시스템의 종류를 기준으로 선택해야 한다. 또한, 패드 층 또는 창의 연마 패드에 대한 결합은 때때로 불완전하거나 시간이 경과됨에 따라 저하된다. 이는 패드 층의 층간 박리 및 휨(buckling) 및(또는) 패드와 창 사이에 연마 조성물의 누출을 일으킬 수 있다. 일부 경우, 시간이 경과함에 따라 연마 패드로부터 창이 제거될 수 있다. 일체로 성형된 연마 패드 창을 형성하는 방법은 이러한 문제점들 중 적어도 일부를 피하는 데 성공적일 수 있으나, 종종 비용이 많이 들고, 사용될 수 있는 패드 재료의 유형 및 제조될 수 있는 패드 구조의 유형이 제한적이다.
따라서, 접착제의 사용에 의존하지 않으면서 효과적이고 저렴한 방법을 사용하여 제조될 수 있는 반투명 영역(예를 들면, 창)을 포함하는 효과적인 다층 연마 패드 및 연마 패드가 필요하다. 본 발명은 이러한 연마 패드, 뿐만 아니라 그들의 사용 방법을 제공한다. 본 발명의 이러한 이점 및 다른 이점들, 뿐만 아니라 추가 적인 발명의 특징은 본 명세서에 제공된 발명의 설명으로부터 명확히 이해될 것이다.
<발명의 개요>
본 발명은 화학 기계적 연마용 다층 연마 패드를 제공한다. 연마 패드는 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고 접착제를 사용하지 않고 함께 연결된 다공성 연마층 및 다공성 저부층을 포함한다. 연마층은 저부층의 평균 표면 조도 (Ra)보다 큰 평균 표면 조도를 가진다. 또한, 본 발명은 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고 접착제를 사용하지 않고 함께 연결되는 2 개 이상의 층을 포함하는 다층 광 투과 영역을 포함하는 연마 패드를 제공한다.
또한, 본 발명은 작업편을 연마하는 화학 기계적 연마 장치 및 방법을 제공한다. CMP 장치는 (a) 회전하는 플래튼(platen), (b) 본 발명의 연마 패드, 및 (c) 회전 연마 패드와 접촉함으로써 연마될 작업편을 고정하는 캐리어를 포함한다. 연마 방법은 (i) 본 발명의 연마 패드를 제공하는 단계, (ii) 작업편을 상기 연마 패드와 접촉시키는 단계, 및 (iii) 작업편에 대해 연마 패드를 운동시켜 작업편을 연삭함으로써 작업편을 연마하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명은 본 발명의 연마 패드의 제조 방법을 추가로 제공한다. 제1 방법은 (i) 초임계 기체의 존재 하에서 지정된 시간 동안 중합체 시트를 승압 하에 두는 단계, (ii) 상기 중합체 시트에서 초임계 기체를 부분적으로 탈착(desorb)하는 단계, 및 (iii) 상기 부분적으로 탈착된 중합체 시트를 중합체 시트의 유리 전이 온도를 초과하는 온도 하에 둠으로써 발포하는 단계를 포함한다. 제2 방법은 (i) 초임계 기체의 존재 하에서 지정된 시간 동안 제1 면 및 제2 면을 갖는 중합체 시트를 승압 하에 두는 단계, (ii) 중합체 시트의 제1 면을 중합체 시트의 유리 전이 온도를 초과하는 제1 온도 하에 두는 단계, (iii) 중합체 시트의 제2 면을 제1 온도 미만의 제2 온도 하에 두는 단계, 및 (iv) 중합체 시트를 발포하는 단계를 포함한다.
도 1은 접착제 층에 의해 연결된 연마층 및 저부층을 포함하는 선행 기술의 다층 연마 패드의 단면도를 도시한다.
도 2는 접착제를 사용하지 않고 함께 연결된 연마층 및 저부층을 포함하는 본 발명의 다층 연마 패드의 단면도를 도시한다.
도 3은 저부층이 광 투과성이고, 연마층의 일부가 광학적 검출 포트를 나타내도록 제거된 것인 연마층 및 저부층을 포함하는 본 발명의 다층 연마 패드의 단면도를 도시한다.
도 4는 접착제를 사용하지 않고 함께 연결된 연마층, 중간층 및 저부층을 포함하는 본 발명의 다층 연마 패드의 단면도를 도시한다.
도 5는 중간층이 광 투과성이고, 연마층 및 저부층의 일부가 광학적 검출 포트를 나타내도록 제거된 것인 연마층, 중간층 및 저부층을 포함하는 본 발명의 다층 연마 패드의 단면도를 도시한다.
도 6은 창 부위의 층이 접착제를 사용하지 않고 함께 연결되고, 창 부위가 연마 패드에 용접된 것인 다층 광 투과성 창 부위를 포함하는 연마 패드의 단면도 를 도시한다.
도 7은 속이 찬 폴리우레탄 시트의 CO2 포화 시간(분)에 대한 CO2 농도(mg/g)의 플롯이다.
도 8은 속이 찬 폴리우레탄 시트의 CO2 탈착 시간(분)에 대한 CO2 농도(mg/g)의 플롯이다.
도 9는 20 분 동안 CO2 탈착 후 93 ℃에서 발포함으로써 제조된 다층 연마 패드(샘플 A)의 SEM 화상이다.
도 10은 120 분 동안 CO2 탈착 후 93 ℃에서 발포함으로써 제조된 다층 연마 패드(샘플 B)의 SEM 화상이다.
도 11은 접착제를 사용하지 않고 함께 연결된 저다공도 층 및 고다공도 층을 나타내는, 공압출에 의해 제조된 다층 연마 패드의 SEM 화상이다.
본 발명은 접착제를 사용하지 않고 함께 연결된 2 개 이상의 층을 포함하는 다층 연마 패드 재료를 포함하는 연마 패드에 관한 것이다. 임의적으로, 연마 패드 재료는 접착제 없이 함께 연결된 3 개 이상(예를 들면, 4 개 이상, 6 개 이상, 또는 심지어 8 개 이상)의 층을 포함한다. 제1 실시태양에서, 다층 연마 패드 재료가 다층 연마 패드로 사용된다. 제2 실시태양에서, 다층 연마 패드 재료는 연마 패드 내의 광 투과 영역으로 사용된다.
연마 패드 재료의 층은 층간 접착제를 함유하지 않는다. 본 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서, 용어 "접착제"는 당업계에 공지된 통상의 접착제 물질, 예를 들면 고온 용융 접착제, 감압 접착제, 아교 등을 지칭한다. 오히려, 연마 패드의 층은 각 층간 중합체 수지의 물리적 중첩, 산재(interspersement), 및(또는) 얽힘(intertwinement)에 의해 함께 기계적으로 상호결합, 상호연결 또는 연결된다. 바람직하게는, 층들은 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있다. 본 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서, 연마 패드의 인접한 층간 공간과 관련하여 용어 "접착제를 포함하지 않음"이란 층간에 접착제를 사용하지 않고 층들이 기계적으로 상호결합, 상호연결 또는 연결되는 것을 의미한다.
이러한 다층 연마 패드 재료의 이점은 각 층이 상이한 물리적 또는 화학적 성질을 가질 수 있다는 점이다. 예를 들면, 일부 적용 분야에서는, 각 층이 동일한 중합체 조성을 가지지만 상이한 물리적 성질, 예를 들면 경도, 밀도, 다공도, 압축성, 강성, 인장 탄성율, 벌크 탄성율, 유변학적 성질, 크리프(creep), 유리 전이 온도, 용융 온도, 점도 또는 투명성을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 다른 적용 분야에서는, 연마 패드 층이 유사한 물리적 성질을 가지지만 상이한 화학적 성질(예를 들면, 상이한 화학적 조성)을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 물론, 연마 패드 층은 상이한 화학적 성질, 뿐만 아니라 상이한 물리적 성질을 가질 수 있다. 바람직하게는, 연마 패드 재료의 층은 하나 이상의 상이한 화학적 또는 물리적 성질을 가진다.
바람직하게는, 각 연마 패드 재료의 층은 중합체 수지를 포함한다. 중합체 수지는 임의의 적합한 중합체 수지일 수 있다. 전형적으로, 중합체 수지는 열가소성 엘라스토머, 열경화성 중합체, 폴리우레탄(예를 들면, 열가소성 폴리우레탄), 폴리올레핀(예를 들면, 열가소성 폴리올레핀), 폴리카르보네이트, 폴리비닐알코올, 나일론, 엘라스토머성 고무, 엘라스토머성 폴리에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아라미드, 폴리아릴렌, 폴리아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 그들의 공중합체 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 중합체 수지는 열가소성 폴리우레탄이다.
층은 동일한 중합체 수지 또는 상이한 중합체 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 한 층은 열가소성 폴리우레탄을 포함하고, 제2 층은 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 나일론, 폴리올레핀, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴레이트 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체 수지를 포함할 수 있다. 한 바람직한 연마 패드 재료는 가교된 폴리아크릴아미드 또는 폴리비닐 알코올(예를 들면, 가교된 또는 비-가교된)로부터 선택된 중합체 수지를 포함하는 층과 함께 열가소성 폴리우레탄 층을 포함한다. 또 다른 바람직한 연마 패드 재료는 가교된 아크릴아미드 또는 아크릴산으로부터 선택된 중합체 수지를 포함하는 층과 함께 폴리카르보네이트 층을 포함한다.
연마 패드 재료의 층은 친수성, 소수성 또는 그의 조합일 수 있다. 연마 패드 층의 친수성/소수성은 대개 층을 제조하는 데 사용된 중합체 수지의 유형에 의해 결정된다. 1 미터 당 34 밀리뉴톤(mN/m) 이상의 임계 표면 장력을 갖는 중합체 수지를 일반적으로 친수성으로 간주하며, 33 nM/m 이하의 임계 표면 장력을 갖는 중합체 수지를 일반적으로 소수성으로 간주한다. 일부 통상의 중합체 수지의 임계 표면 장력은 다음과 같다(값을 괄호 안에 표시함): 폴리테트라플루오로에틸렌(19), 폴리디메틸실록산(24), 실리콘 고무(24), 폴리부타디엔(31), 폴리에틸렌(31), 폴리스티렌(33), 폴리프로필렌(34), 폴리에스테르(39-42), 폴리아크릴아미드(35-40), 폴리비닐 알코올(37), 폴리메틸 메타크릴레이트(39), 폴리비닐 클로라이드(39), 폴리술폰(41), 나일론 6(42), 폴리우레탄(45), 및 폴리카르보네이트(45). 전형적으로, 하나 이상의 연마 패드 재료의 층은 친수성이다. 바람직하게는 2 개 이상의 층이 친수성이다.
연마 패드 재료의 층은 임의의 적합한 경도(예를 들면, 30-50 쇼어(Shore) A 또는 25-80 쇼어 D)를 가질 수 있다. 유사하게, 층은 임의의 적합한 밀도 및(또는) 다공도를 가질 수 있다. 예를 들면, 층들은 비다공성(예를 들면, 속이 찬), 거의 속이 찬(예를 들면, 10 % 미만의 공극(void) 부피를 가짐), 또는 다공성일 수 있고, 0.3 g/㎤ 이상(예를 들면, 0.5 g/㎤ 이상 또는 0.7 g/㎤ 이상) 또는 심지어 0.9 g/㎤ 이상의 밀도(예를 들면, 1.1 g/㎤, 또는 재료의 이론 밀도의 99 % 이하)를 가질 수 있다. 일부 적용 분야에서는, 연마 패드 재료의 한 층(예를 들면, 연마층)은 단단하고, 치밀하고(치밀하거나) 저 다공도를 갖는 한편, 다른 층(들)은 연성이고, 고 다공성이고(이거나) 저밀도를 갖는 것이 바람직할 수 있다.
연마 패드 재료의 층은 적합한 투명성(즉, 광선에 대한 투과성)을 가질 수 있다. 예를 들면, 한 층은 실질적으로 투명하고, 다른 층(들)은 실질적으로 불투명할 수 있다. 별법으로, 연마 패드 재료의 층 모두가 광 투과성일 수 있다. 3 개 이상의 층이 존재하는 경우, 중간층은 실질적으로 투명하고, 외부 층은 실질적으로 불투명할 수 있다. 연마 패드가 광학적 종점 검출 시스템과 함께 사용된 경우 광학적으로 투명한 것이 바람직하다. 연마 패드 층의 투명도는 적어도 부분적으로 (a) 선택된 중합체 수지의 유형, (b) 기공의 농도 및 크기, 및 (c) 임의의 포획(embedded) 입자의 농도 및 크기에 따라 좌우된다. 바람직하게는, 200 nm 내지 10,000 nm(예를 들면, 200 nm 내지 1000 nm)의 광선 중 하나 이상의 파장에서 광학적 투과율(즉, 패드 재료를 투과하는 광선의 총량)은 10 % 이상(예를 들면, 20 % 또는 30 %)이다.
다층 연마 패드 재료가 광 투과성인 경우, 임의적으로 연마 패드 재료가 특정 파장(들)의 광선을 선택적으로 투과시킬 수 있게 하는 염료를 추가로 포함한다. 염료는 광선 중 원치않는 파장(예를 들면, 바탕 광선(background light))을 여과하여 검출 신호 대 노이즈 비를 개선한다. 투명한 창은 임의의 적합한 염료 또는 염료의 조합을 포함할 수 있다. 적합한 염료는 폴리메틴 염료, 디- 및 트리-아릴메틴 염료, 디아릴메틴 염료의 아자 유사체, 아자(18) 아눌렌(annulene) 염료, 천연 염료, 니트로 염료, 니트로소 염료, 아조 염료, 안트라퀴논 염료, 황 염료 등을 포함한다. 바람직하게는, 염료의 투과 스펙트럼은 현장에서 종점 검출에 사용되는 광선의 파장과 매칭되거나 중첩된다. 예를 들면, 종점 검출(EPD) 시스템을 위한 광원이 633 nm의 파장을 갖는 가시 광선을 발생하는 HeNe 레이저인 경우, 633 nm의 파장을 갖는 광선을 투과할 수 있는 적색 염료가 바람직하다.
연마 패드 재료의 층은 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 바람직하게는, 각 층은 다층 연마 패드 재료의 총 두께의 10 % 이상(예를 들면, 20 % 이상 또는 30 % 이상)인 두께를 갖는다. 각 층의 두께는 부분적으로 연마 패드 재료 층의 총 수에 따라 좌우된다. 또한, 연마 패드 재료 층 각각은 동일하거나 상이한 두께를 가질 수 있다. 바람직하게, 본 발명의 다층 연마 패드의 연마층 두께는 50 mil 내지 160 mil의 범위이다.
다층 연마 패드 재료는 다층 연마 패드로 사용될 수 있다다. 전형적 선행 기술의 다층 연마 패드(10)를 도 1에 도시하며, 여기서 연마층(12)은 그 사이의 접착제(16)에 의해 저부층(14)에 접착된다. 대조적으로, 본 발명의 다층 연마 패드는 예를 들면, 도 2-6에 도시된 바와 같이 접착제 없이 함께 연결되는 제1 층(예를 들면, 연마층) 및 제2 층(예를 들면, 저부층)을 포함한다. 특히, 도 2는 연마층(12) 및 저부층(14)을 포함하는 연마 패드(10)를 도시한다. 연마층 및 저부층은 동일한 중합체 수지(예를 들면, 폴리우레탄) 또는 상이한 중합체 수지(예를 들면, 폴리우레탄 및 폴리카르보네이트)를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 연마층은 저부층보다 높은 압축 탄성률을 갖는다. 예를 들면, 연마층은 속이 차거나 매우 낮은 다공도를 갖는 한편, 저부층은 매우 다공성(예를 들면, 발포된 중합체)일 수 있다.
본 발명의 다층 연마 패드가 현장 종점 검출 시스템과 함께 사용된 경우, 다층 연마 패드 중 하나 이상의 층이 200 nm 내지 10,000 nm(예를 들면, 200 nm 내지 1,000 nm, 또는 200 nm 내지 800 nm)의 하나 이상의 파장에서 10 % 이상(예를 들면, 20 % 이상 또는 30 % 이상)의 광선(예를 들면, 레이저 광선)에 대한 투과율을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 일부 경우, 연마층 및 저부층 양쪽 모두는 전체 연마 패드가 광선에 대해 적어도 부분적으로 투명하도록 광 투과성일 수 있다. 다른 경우에서, 연마층 및 저부층 중 오직 하나만이 실질적으로 불투명하고, 다른 층은 광 투과성일 수 있다. 예를 들면, 연마층은 실질적으로 불투명하고, 저부층은 광 투과성일 수 있다. 이러한 연마 패드를 현장 종점 검출 시스템과 사용하기 위해, 도 3에 도시한 바와 같이 연마층의 일부를 제거하여 연마층(12)에 실질적으로 광 투과성 저부층(14)의 영역(22)을 드러내는 천공(20)을 생성한다. 연마층 중의 천공에 의해 드러나는 저부층(14)의 광 투과 영역(22)은 "창"이 연마 공정 동안 연마 조성물에 의해 긁히는 것을 방지하기 위해 연마 표면(13)으로부터 우묵하게 들어간다. 광 투과성 연마층 및 실질적으로 불투명한 저부층의 경우, 저부층의 일부를 제거하여 저부층에 실질적으로 광 투과성 연마층의 영역을 드러내는 천공을 형성한다.
또한, 본 발명의 다층 연마 패드는 상기한 바와 같이, 연마층과 저부층 사이에 배치된 하나 이상의 중간층을 추가로 포함하는 연마 패드일 수 있다. 연마층(12), 저부층(14) 및 중간층(18)을 포함하는 연마 패드(10)를 도 4에 도시한다. 상기한 바와 같이, 연마 패드의 층은 임의의 적합한 화학적 및 물리적 성질(층간 동일하거나 상이할 수 있음)을 가질 수 있다. 일부 적용 분야의 경우, 각 층이 하나 이상의 상이한 화학적 성질 또는 물리적 성질을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 연마 패드는 미세다공성 폴리우레탄을 포함하는 연마층, 속이 찬 폴리우레탄을 포함하는 중간층, 및 연질 다공성 폴리우레탄을 포함하는 저부층을 포함할 수 있다. 별법으로, 연마층은 친수성 중합체를 포함하고, 중간층 및 저부층은 각각 소수성 중합체 및 친수성 중합체를 포함할 수 있다.
다른 적용 분야에서, 연마층 및 저부층이 동일한 화학적 및 물리적 성질을 갖고, 중간층이 하나 이상의 상이한 성질을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 중간층은 저 압축성을 갖고, 연마층 및 저부층은 고 압축성을 가질 수 있다. 별법으로, 중간층은 실질적으로 투명하고, 연마층 및 저부층은 실질적으로 불투명할 수 있다. 연마층(12)의 일부 및 저부층(14)의 일부를 제거하여 연마층(12) 중의 천공(20) 및 저부층 중의 천공(24)을 형성함으로써 이러한 연마 패드(10)를 현장 종점 검출 시스템으로 사용할 수 있다. 천공(20) 및 천공(24)이 정렬된 경우(즉, 서로의 상부에 배치됨), 실질적으로 광 투과성 중간층(18)의 영역(26)은 도 5에 도시한 바와 같이 드러난다. 이러한 연마 패드에서, 연마층 및 저부층의 천공에 의해 드러나는 중간층(18)의 광 투과 영역(26)은 "창"이 연마 공정 동안 연마 조성물에 의해 긁히는 것을 방지하기 위해 연마 표면(13)으로부터 우묵하게 들어간다.
본 발명의 다층 연마 패드는 임의의 적합한 치수를 가질 수 있다. 전형적으로, 다층 연마 패드는 30 mil 이상의 두께를 가지게 된다. 바람직하게는, 다층 연마 패드는 원형(회전 연마 공구에 사용됨)이나 루프형 선형 벨트(선형 연마 공구에 사용됨) 형상이다. 임의적으로, 다층 연마 패드의 연마층은 연마 패드의 표면을 가로질러 연마 조성물의 흐름을 촉진하는 홈, 구멍, 채널, 또는 다른 패턴들을 추가로 포함한다. 홈, 채널 등은 동심원, 나선, XY 망상선 패턴, 또는 임의의 다른 적합한 패턴의 형상일 수 있다.
임의적으로, 본 발명의 다층 연마 패드는 연마 패드(예를 들면, 연마층, 중간층, 및 저부층 중 하나 이상에서) 중의 절취된 천공 중에 삽입되는 하나 이상의 광 투과성 창을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 존재하는 경우, 창은 접착제를 사용하는 것 이외의 수단에 의해 연마 패드에 보유된다. 예를 들면, 창은 용접 기술, 예를 들면 초음파 용접에 의해 연마 패드에 부착될 수 있다.
임의적으로, 본 발명의 다층 연마 패드는 임의의 적합한 포획 입자, 예를 들면 연삭제 입자, 수용성 입자, 물 흡수성 입자(예를 들면, 물 팽창성 입자) 등을 추가로 포함한다. 연삭제 입자는 금속 산화물 입자, 중합체 입자, 다이아몬드 입자, 탄화규소 입자 등을 비롯한 무기 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 수용성 입자는 임의의 적합한 화학 기계적 연마제, 예를 들면 산화제, 착화제, 산, 염기, 분산제, 계면활성제 등일 수 있다. 물 흡수성 입자는 적합한 물 흡수성 중합체 입자일 수 있다.
본 발명의 다층 연마 패드에서, 연마층은 저부층의 평균 표면 조도 (Ra)보다 큰 평균 표면 조도를 가진다. 바람직하게, 연마층의 Ra는 25 ㎛ 초과이다. 저부층의 Ra는 바람직하게 20 ㎛ 미만이다. 바람직한 실시태양에서, 연마층의 Ra는 25 ㎛ 초과이고 저부층의 Ra는 20 ㎛ 미만이며, 더욱 바람직하게는, 연마층의 Ra는 30 ㎛ 초과이고 저부층의 Ra는 10 ㎛ 미만이다.
바람직하게, 주사 전자 현미경으로 측정했을 때 연마층은 104 셀/㎤ 초과의 기공 셀 밀도를 가지고, 저부층은 104 셀/㎤ 미만의 기공 셀 밀도를 가진다. 연마층 및 저부층은 바람직하게는 각각 15 내지 50 ㎛ 범위 내의 평균 셀 직경을 가지는 복수 개의 기공 셀을 포함한다. 연마층의 밀도는 바람직하게는 0.5 내지 1.05 g/㎤ 범위이고, 저부층의 밀도는 1 내지 1.2 g/㎤ 범위이다. 바람직하게, 전체 다층 연마 패드의 평균 밀도는 0.5 내지 1.2 g/㎤이다. 도 11은 층들이 접착제를 사용하지 않고 결합되어 있는 본 발명의 다층 연마 패드 (예를 들어, 이층)의 SEM 단면 화상을 나타낸다. 화상 상단의 층은 화상 하단의 층에 비하여 비교적 높은 평균 다공 밀도를 가진다.
본 발명의 다층 연마 패드의 바람직한 실시태양은 다공성 연마층 및 다공성 저부층을 포함한다. 저부층은 실질적으로 연마층과 동일 공간에 걸쳐 있고, 연마층 및 저부층은 각각 15 내지 50 ㎛ 범위 내의 평균 기공 직경을 가지는 복수 개의 기공 셀을 포함한다. 주사 전자 현미경으로 측정했을 때, 연마층은 104 셀/㎤ 초과의 기공 셀 밀도를 가지고, 저부층은 104 셀/㎤ 미만의 기공 셀 밀도를 가진다.
제2 실시태양에서, 다층 연마 패드 재료는 광선의 통과에 적어도 부분적으로 투명하고, 다른 불투명한 연마 패드에서 임의적인 광 투과 영역(예를 들면, 연마 패드 "창")로 사용된다. 이러한 연마 패드를 도 6에 도시하며, 여기서 광 투과 영역(32)은 제1 투과층(34) 및 제2 투과층(36)을 포함하고, 연마 패드(30)에 부착된다. 광 투과성 연마 패드 재료는 종점 검출 시스템과 함께 사용되는 경우, 연마 패드 재료가 200 nm 내지 10,000 nm(예를 들면, 200 nm 내지 1,000 nm, 또는 200 nm 내지 800 nm)의 하나 이상의 파장에서 10 % 이상(예를 들면, 20 % 이상, 또는 30 % 이상)의 광선(예를 들면, 레이저 광선)에 대한 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 광 투과성 연마 패드 재료는 200 nm 내지 35,000 nm(예를 들면, 200 nm 내지 10,000 nm, 또는 200 nm 내지 1,000 nm, 또는 심지어 200 nm 내지 800 nm) 범위의 하나 이상의 파장에서 40 % 이상(예를 들면, 50 % 이상, 또는 심지어 60 % 이상)의 광 투과율을 갖는다.
각 광 투과성 연마 패드 재료의 층이 어느 정도 광선 투과율을 가져야 하지만, 각 층에 의해 투과되는 광선의 양은 상이할 수 있다. 예를 들면, 연마 패드 재료의 제1 투과층(예를 들면, 연마층)은 미세다공성이거나 또는 포획 입자를 함유할 수 있기 때문에 광선의 통과에 대해 투과성이 적을 수 있고, 제2 투과층(예를 들면, 저부층)은 광선의 통과에 대해 투과성이 높은 비다공성의 속이 찬 시트일 수 있다. 별법으로, 제1 및 제2 투과층 양쪽 모두는 실질적으로 투과성이지만 상이한 중합체 조성을 가질 수 있다. 따라서, 다층 연마 패드 재료를 통해 투과되는 광선의 파장을 다층 연마 패드 재료의 각 층의 화학적 및 물리적 성질을 적합하게 선택함으로써 "조율할"수 있다. 광선 투과율은 사용되는 중합체 수지의 유형에 부분적으로 의존한다. 예를 들면, 제1 투과층(예를 들면, 연마층) 및 제2 투과층(예를 들면, 저부층)을 포함하는 연마 패드 재료에서, 제1 층은 특정한 범위의 광선의 파장에 대한 투과율을 갖는 제1 중합체 수지를 포함하고, 제2 층은 상이하지만 중첩되는 범위의 광선의 파장에 대한 투과율을 갖는 제2 중합체 수지를 포함할 수 있다. 따라서, 연마 패드 재료의 전체 투과율을 좁은 파장 범위로 조율할 수 있다.
제2 실시태양의 광 투과성 연마 패드 재료의 층은 임의의 적합한 치수(즉, 길이, 폭 및 두께) 및 임의의 적합한 형상(예를 들면, 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형, 삼각형 등일 수 있음)을 가질 수 있다. 전형적으로, 층들은 서로 완전히 동일 공간에 걸쳐 있도록 실질적으로 동일한 길이 및 폭(예를 들면, 직경)을 갖는다. 연마 패드의 연마 표면과 동일 평면(즉, 공면)이 되거나 연마 패드의 연마 표면으로부터 우묵하게 들어가도록 광 투과성 연마 패드 재료를 연마 패드 내에 위치시킬 수 있다. 광 투과성 연마 패드 재료가 연마 패드의 연마 표면과 동일 평면에 있는 경우, 제1 투과층은 연마 패드의 연마 표면의 일부를 구성하게 된다.
제2 실시태양의 광 투과성 다층 연마 패드 재료는 임의의 적합한 두께를 가질 수 있고, 이 두께는 적어도 부분적으로 연마 패드 재료가 위치하는 연마 패드의 두께 및 연마 패드 재료의 상부 표면과 연마 패드의 연마 표면 사이에 요망되는 우묵한 정도에 따라 변한다. 전형적으로, 광 투과성 다층 연마 패드 재료는 1000 ㎛ 이상(예를 들면, 2000 ㎛ 이상, 또는 심지어 3000 ㎛ 이상)의 두께를 갖는 연마 패드(예를 들면, 적층된 연마 패드) 내에 위치하는 경우 10 ㎛ 이상(예를 들면, 50 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이상, 200 ㎛ 이상, 또는 심지어 500 ㎛ 이상)의 총 두께(즉, 제1 투과층의 상부 표면으로부터 제2 투과층의 저부 표면까지)를 갖는다. 바람직하게는, 광 투과성 다층 연마 패드 재료는 1250 ㎛ 이상(예를 들면, 1600 ㎛ 이상)의 두께를 갖는 연마 패드의 경우 350 ㎛ 이상(예를 들면, 500 ㎛ 이상)의 두께를 갖는다. 광 투과성 다층 연마 패드 재료의 층 두께는 동일하거나 상이할 수 있다. 전형적으로, 광 투과성 다층 연마 패드 재료의 제1 층은 광 투과성 다층 연마 패드 재료의 총 두께의 10 % 이상(예를 들면, 20 % 이상, 또는 30 % 이상)인 두께를 갖는다. 유사하게, 광 투과성 다층 연마 패드 재료의 제2 층은 전형적으로 광 투과성 다층 연마 패드 재료의 총 두께의 10 % 이상(예를 들면, 20 % 이상, 또는 30 % 이상)인 두께를 갖는다.
제2 실시태양의 광 투과성 다층 연마 패드 재료가 위치되는 연마 패드는 임의의 적합한 중합체 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 연마 패드는 전형적으로 열가소성 엘라스토머, 열가소성 폴리우레탄, 열가소성 폴리올레핀, 폴리카르보네이트, 폴리비닐알코올, 나일론, 엘라스토머성 고무, 엘라스토머성 폴리에틸렌, 그들의 공중합체 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체 수지를 포함한다. 연마 패드는 소결, 사출 성형, 취입 성형, 압출 등을 비롯한 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 연마 패드는 속이 차고 비다공성일 수 있거나, 미세다공성 폐쇄 셀을 함유할 수 있거나, 개방 셀을 함유할 수 있거나 그 위에 중합체가 성형된 섬유질 웹을 함유할 수 있다. 연마 패드는 전형적으로 불투명하거나 단지 부분적으로만 반투명하다.
제2 실시태양의 광 투과성 다층 연마 패드 재료를 포함하는 연마 패드는 임의적으로, 연마 패드의 표면을 가로질러 연마 조성물의 측방향 수송을 촉진하는 홈, 채널, 및(또는) 구멍을 추가로 포함하는 연마 표면을 갖는다. 이러한 홈, 채널 또는 구멍은 임의의 적합한 패턴일 수 있고, 임의의 적합한 깊이 및 폭을 가질 수 있다. 미국 특허 5,489,233에 기재된 바와 같이, 연마 패드는 2 개 이상의 상이한 홈 패턴, 예를 들면 대형 홈 및 소형 홈의 조합을 가질 수 있다. 홈은 경사진 홈, 중심이 같은 홈, 나선형 또는 원형 홈, XY 망상선 패턴의 형태일 수 있고, 연결성이 연속적 또는 비연속적일 수 있다. 바람직하게는, 연마 패드는 표준 패드 컨디셔닝 방법에 의해 제조된 적어도 소형의 홈을 포함한다.
제2 실시태양의 광 투과성 다층 연마 패드 재료를 포함하는 연마 패드는 광 투과성 다층 연마 패드 재료 이외에 하나 이상의 다른 특성 또는 성분을 포함할 수 있다. 예를 들면, 임의적으로 연마 패드는 상이한 밀도, 경도, 다공도 및 화학적 조성으로 된 영역을 포함할 수 있다. 임의적으로, 연마 패드는 연삭제 입자(예를 들면, 금속 산화물 입자), 중합체 입자, 수용성 입자, 물 흡수성 입자, 중공 입자 등을 비롯한 고체 입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 연마 패드는 특히 화학 기계적 연마(CMP) 장치와 함께 사용하기 적합하다. 전형적으로, 상기 장치는 사용시 운동하여 궤도 운동, 선 운동 또는 원운동으로부터 발생하는 속도를 갖는 플래튼, 플래튼과 접촉하여 운동시 플래튼과 함께 운동하는 본 발명의 연마 패드, 및 연마 패드의 표면에 대해 접촉하여 운동함으로써 연마될 작업편을 고정하는 캐리어를 갖는다. 적어도 일부의 작업편을 연삭하여 작업편을 연마하기 위해, 작업편이 연마 패드와 접촉하고 이어서 연마 패드가 작업편에 대해, 전형적으로 그 사이에 연마 조성물과 함께 운동함으로써 작업편 연마가 수행된다. 전형적으로, 연마 조성물은 액체 담체(예를 들면, 수성 담체), pH 조절제, 및 임의적으로 연삭제를 포함한다. 연마되는 작업편의 유형에 따라, 연마 조성물은 임의적으로 산화제, 유기산, 착화제, pH 완충제, 계면활성제, 부식 억제제, 소포제 등을 추가로 포함할 수 있다. CMP 장치는 임의의 적합한 CMP 장치일 수 있으며, 이들 중 많은 것들이 당업계에 공지되어 있다. 또한, 본 발명의 연마 패드는 선형 연마 공구와 함께 사용될 수 있다.
바람직하게는, CMP 장치는 현장 연마 종점 검출 시스템을 추가로 포함하며, 이들 중 많은 것들이 당업계에 공지되어 있다. 작업편의 표면으로부터 반사되는 광선 또는 다른 방사선을 분석함으로써 연마 공정을 검사하고 모니터링하는 기술은 당업계에 공지되어 있다. 이러한 방법은 예를 들면, 미국 특허 5,196,353, 미국 특허 5,433,651, 미국 특허 5,609,511, 미국 특허 5,643,046, 미국 특허 5,658,183, 미국 특허 5,730,642, 미국 특허 5,838,447, 미국 특허 5,872,633, 미국 특허 5,893,796, 미국 특허 5,949,927 및 미국 특허 5,964,643에 기재되어 있다. 바람직하게는, 연마되는 작업편에 대한 연마 공정의 진행을 검사하거나 모니터링하는 것은 연마 종점의 결정, 즉 특정 작업편에 대한 연마 공정이 언제 종결되는지에 대한 결정을 가능케 한다.
본 발명의 다층 연마 패드 재료를 포함하는 연마 패드는 많은 유형의 작업편(예를 들면, 기판 또는 웨이퍼) 및 작업편 물질을 연마하는 데 사용하기 적합하다. 예를 들면, 연마 패드는 메모리 저장 장치, 반도체 기판 및 유리 기판을 비롯한 작업편을 연마하는 데 사용될 수 있다. 연마 패드를 사용하여 연마하기 적합한 작업편은 메모리 또는 강체 디스크, 자기 헤드, MEMS 디바이스, 반도체 웨이퍼, 전계 방출 디스플레이, 및 다른 마이크로전자 기판, 특히 절연 층(예를 들면, 이산화규소, 질화규소, 또는 저 유전성 물질) 및(또는) 금속 함유 층(예를 들면, 구리, 탄탈륨, 텅스텐, 알루미늄, 니켈, 티타늄, 백금, 루테늄, 로듐, 이리듐 또는 다른 귀금속)을 포함하는 마이크로전자 기판을 포함한다.
본 발명의 다층 연마 패드 재료는 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 한 적합한 방법은 층 중 하나 이상을 적어도 부분적으로 용융시키면서 층의 동일한 공간에 걸쳐 있는 면들을 접촉시킴으로써 연마 패드 재료의 층을 함께 연결시키는 것을 포함한다. 예를 들면, 연마 패드 층 간의 상호연결은 융합(예를 들면, 초음파 용접), 열 결합, 방사선-활성화 연결, 적층, 또는 공압출에 의해 형성될 수 있다. 바람직한 방법은 공압출이다. 압출은 전형적으로, 승온 및(또는) 승압 하에서, 형상화된 다이를 통해 중합체 펠릿을 가압함으로써 중합체 시트 또는 필름을 형성하는 것을 포함한다. 공압출시, 2 개 이상의 압출기 다이를 사용함으로써 2 개 이상의 중합체 수지 층을 동일한 공간에 걸쳐 있는 다층 중합체 시트로 형성할 수 있다. 공압출에 의해 형성된 다층 중합체 시트는 원하는 적용 분야에 따라 임의의 적합한 층 수를 가질 수 있다.
또 다른 적합한 방법은 단층 중합체 시트(예를 들면, 단층 연마 패드)의 한 면 또는 양면을 단층 중합체 시트의 한 면 또는 양면의 물리적 성질을 변화시키는 처리를 하는 것을 포함한다. 예를 들면, 중합체 시트의 한 면에 다공성을 도입하여 접착제를 사용하지 않고 속이 찬 층에 부착된 다공성 층을 갖는 2층 중합체 시트(예를 들면, 2층 연마 패드)를 형성하도록, 속이 찬 중합체 시트를 선택적으로 발포시킬 수 있다. 또한, 속이 찬 중간층 및 다공성 상부층 및 저부층을 갖는 3층 중합체 시트(예를 들면, 3층 연마 패드)를 제조하기 위해 속이 찬 중합체 시트의 양면을 선택적으로 발포시킬 수 있다.
다층 연마 패드 재료를 제조하는 한 적합한 방법은 (i) 초임계 기체 하에서 지정된 시간 동안 중합체 시트를 승압 하에 두는 단계 및 (ii) 시트를 중합체 시트의 유리 전이 온도(Tg)를 초과하는 온도 하에 둠으로써 중합체 시트를 발포하는 단계를 포함한다. 중합체 시트는 속이 찬 중합체 시트 또는 다공성 중합체 시트일 수 있다. 단계 (i)에서의 압력은 임의의 적합한 압력일 수 있고, 중합체 시트의 유형 및 초임계 기체의 유형에 따라 좌우된다. 예를 들면, 중합체 시트가 열가소성 폴리우레탄을 포함하는 경우, 압력은 1.5 MPa 내지 10 MPa(예를 들면, 2 MPa 내지 8 MPa)이어야 한다. 초임계 기체는 중합체 중에서 충분한 용해도를 갖는 임의의 적합한 기체(예를 들면, N2 또는 CO2)일 수 있고, 바람직하게는 CO2이다. 바람직하게는, 초임계 기체는 0.1 mg/g 이상(예를 들면, 1 mg/g, 또는 10 mg/g)의 용해도를 갖는다. 지정된 시간은 중합체 시트로의 기체 흡수율 및 원하는 흡수도에 의해 결정된다. 전형적으로, 시간은 1 시간 이상(예를 들면, 2 시간 이상, 또는 심지어 5 시간 이상)이다. 발포 온도는 임의의 적합한 온도일 수 있다. 발포 온도는 적어도 부분적으로 중합체 시트의 Tg에 따라 좌우된다. 발포 온도는 중합체 시트의 Tm을 초과하는 발포 온도도 사용할 수 있지만 전형적으로 중합체 시트의 Tg 내지 융점(Tm)이다.
한 바람직한 실시태양에서, 중합체 시트가 초임계 기체를 균일하게 흡수하는 것을 방지한다. 예를 들면, 중합체 시트의 오직 외부만이 초임계 기체를 흡수하도록 흡수 시간을 제한함으로써 초임계 기체는 중합체 시트로 부분적으로만 흡수될 수 있다. 이러한 방법은 초임계 기체가 중합체 시트로 확산되는 것을 지연시키기 위해 초임계 기체의 흡수 전에 중합체 시트를 냉각시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 별법으로, 초임계 기체 흡수는, 중합체 시트의 한 측면을 따라, 초임계 기체가 중합체 시트로 흡수되는 것을 방지하거나 제한할 수 있는 초임계 기체 장벽 물질, 예를 들면 후막, 포일(foil), 두꺼운 기판, 또는 다른 적합한 물질을 적용함으로써 제한되거나 방지될 수 있다. 일부 실시태양에서, 장벽 물질은 중합체 시트이다. 더 많은 초임계 기체를 흡수한 중합체 시트의 부분은 초임계 기체를 적게 또는 전혀 흡수하지 않은 나머지 부분보다 높은 다공도를 갖는다.
본 발명의 다층 연마 패드 재료를 제조하는 더욱 바람직한 방법은 (i) 초임계 기체의 존재 하에서 지정된 시간 동안 중합체 시트를 승압 하에 두는 단계, (ii) 상기 중합체 시트에서 초임계 기체를 부분적으로 탈착하는 단계, 및 (iii) 상기 부분적으로 탈착된 중합체 시트를 중합체 시트의 Tg를 초과하는 온도 하에 둠으로써 발포하는 단계를 포함한다. 단계 (i) 및 단계 (ii)는 상이한 조건 하에서 수행될 수 있다. 초임계 기체를 탈착한 중합체 시트의 부분은 초임계 기체를 보유한 잔여부에 비해 낮은 다공도를 갖는다. 일부 실시태양에서, 바람직하게는 중합체 시트는 단계 (i) 동안 초임계 기체로 포화된다. 전형적으로, 중합체 시트는 전형적으로 60 시간 이하(예를 들면, 40 시간 이하, 또는 30 시간 이하) 내에 완전히 포화된다. 탈착 단계는 임의의 적합한 온도 및 임의의 적합한 압력에서 수행될 수 있다. 전형적으로, 탈착 단계는 실온 및 대기압에서 수행된다. 중합체 시트로부터 기체 탈착율은 온도를 높이거나(탈착율 증가를 위해) 온도를 낮춤으로써(탈착율 감소를 위해) 조절될 수 있다. 탈착 단계에 필요한 시간은 중합체의 유형, 뿐만 아니라 탈착 조건(예를 들면, 온도 및 압력)에 따라 좌우되며, 전형적으로 5 분 이상(예를 들면, 10 분 이상)이다.
또 다른 바람직한 방법에서, 중합체 시트의 상이한 면에 적용되는 온도를 조절함으로써 중합체 시트를 선택적으로 발포시킨다. 중합체 시트에서의 발포도는 부분적으로 온도에 관련되기 때문에, 속이 찬 중합체 시트의 한 면에 상이한 온도를 적용시키면 중합체 시트 내에 2 개의 상이한 발포도(예를 들면, 상이한 다공도 및(또는) 상이한 기공 크기)를 생성시킬 수 있다. 따라서, 상기 방법은 (i) 초임계 기체의 존재 하에서 지정된 시간 동안 제1 면 및 제2 면을 갖는 중합체 시트를 승압 하에 두는 단계, (ii) 중합체 시트의 제1 면을 중합체 시트의 Tg를 초과하는 제1 온도 하에 두는 단계, (ii) 중합체 시트의 제2 면을 제1 온도 미만의 제2 온도 하에 두는 단계, 및 (iii) 중합체 시트를 발포하는 단계를 포함한다. 제2 온도가 중합체 시트의 Tg 미만이어서 실질적으로 중합체 시트의 그 면의 발포를 방지하거나, 또는 제2 온도가 중합체 시트의 Tg를 초과하지만 중합체 시트의 제1 면의 온도보다 낮아서 제2 면은 제1 면보다 적게 발포될 수 있다. 임의적으로, 이 방법은 상기한 바와 같이 탈착 단계를 추가로 포함한다. 이 방법의 한 실시태양에서, 속이 찬 중합체 시트의 제1 면은 신속한 열 어닐링(annealing)을 받게 되어 발포되는 한편, 중합체 시트의 제2 면은 실질적으로 실온으로 유지되어, 발포되지 않고 비다공성으로 유지된다.
관련 기술에서, 상이한 물리적 성질(예를 들면, 상이한 Tg)을 갖는 상이한 중합체 수지를 함유하는 층을 포함하는 다층 중합체 시트가 동일한 발포 공정을 받게 할 수 있다. 특히, 상기 방법은 (i) 초임계 기체의 존재 하에서 지정된 시간 동안 다층 중합체 시트를 승압 하에 두는 단계, (ii) 다층 중합체 시트를 중합체 시트의 하나 이상의 층의 Tg를 초과하는 온도 하에 두는 단계, 및 (iii) 중합체 시트를 발포하는 단계를 포함한다. 연마 패드의 층이 상이한 열적 성질을 갖는 경우, 각 층에서의 발포도는 상이하게 된다. 따라서, 각 연마 패드의 층은 동일한 발포 조건을 사용하여 발포되지만 상이한 다공도를 가질 수 있다. 발포 방법 및 조건은 앞서 논의된 것들 중 임의의 것일 수 있다. 유사하게, 연마 패드의 한 면 또는 양면의 다공성을 제거하거나 감소시키기 위해 단층 다공성 연마 패드를 처리하여 속이 찬 층 및 다공성 층을 포함하는 연마 패드를 제조할 수 있다.
일반적으로, 종래의 방법은 속이 찬 중합체 시트를 다공성 중합체 시트로 선택적으로 전환시키는 것을 포함한다. 본 발명의 다층 연마 패드 재료를 제조하는 한 대안적인 접근법은 다공성 중합체 시트를 비다공성 중합체 시트로 선택적으로 전환시키는 것을 포함한다. 구체적으로, 이 방법은 중합체가 유동하기 시작하고 빈 공간들을 충전하도록 단층 다공성 중합체 시트의 한 면 또는 양면을 중합체의 Tg를 초과하는 온도 하에 두는 것을 포함한다. 따라서, 중합체 시트의 한 면 또는 양면 상의 기공의 수를 감소시켜 낮은 다공도를 갖거나 또는 심지어 다공도를 갖지 않는 중합체 층을 형성할 수 있다. 예를 들면, 다공성 중합체 시트는 중합체 시트의 한 면에서 선택적으로 어닐링될 수 있거나, 중합체 시트의 한 면 또는 양면을 가열하는 소결 벨트를 통과할 수 있거나, 또는 중합체 시트의 하나 이상의 층을 선택적으로 냉각시키는 몰드 중에서 가열될 수 있다. 이러한 기술을 사용하여, 접착제 층을 사용할 필요 없이 다양한 다층 연마 패드를 제조할 수 있다. 특히, 속이 찬 층 및 다공성 층을 포함하는 2층 연마 패드, 뿐만 아니라 속이 찬 중간층 및 다공성 상부층 및 하부층, 또는 거꾸로 다공성 중간층과 속이 찬 상부층 및 하부층을 갖는 3층 연마 패드를 제조할 수 있다.
본 발명의 다층 연마 패드 재료를 제조하는 경우 층간 구조적 경계를 최소화하는 것이 바람직하다. 공압출된 다층 연마 패드에서는, 제1 층과 층간 중합체 중첩의 영역에 의해 정해진 제2 층 사이에 구조적 경계가 존재한다. 그러나, 상이한 물리적 성질을 갖도록 한 면 또는 양면이 선택적으로 개질된 단층 중합체 시트를 사용하는 다른 기술, 예를 들면 앞서 논의한 발포 기술은 이러한 정해진 구조적 경계를 제공하지 않는다. 구조적 경계가 없는 경우 층간 박리 저항성이 개선되고 우수한 연마 견실성(consistency)이 얻어진다.
하기 실시예는 본 발명을 추가로 설명하며, 물론 어떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
실시예
1
본 실시예는 접착제를 사용하지 않고 비다공성 층에 결합된 다공성 층을 포함하는 본 발명의 다층 연마 패드를 제조하는 방법을 예시한다.
1500 ㎛의 평균 두께를 갖는 속이 찬 열가소성 폴리우레탄 시트(샘플 A 및 B)를 실온에서 및 5 MPa의 압력에서 CO2(대략 50 mg/g 열가소성 폴리우레탄 샘플)로 포화시켰다. CO2 흡수 플롯을 시간의 함수로 도 7에 도시한다. 그 다음, CO2-포화된 샘플 A 및 B를 실온 및 대기압에서 각각 20 분 및 120 분 동안 유지시켰으며, 그 동안 중합체 시트로부터의 CO2의 부분적 탈착이 일어났다. CO2 손실 플롯을 시간의 함수로 도 8에 도시한다. 샘플로부터의 CO2 손실량은 열가소성 폴리우레탄 샘플에 대해 각각 4.5 mg/g(9 %) 및 13.5 mg/g(27 %)이었다. 부분적인 탈착 후, 샘플 A 및 B를 93 ℃에서 발포시켰다. 발포된 샘플 A 및 B의 SEM 화상을 도 9 및 도 10에 도시한다. 샘플 A는 1500 ㎛의 총 평균 두께를 갖고, 50 ㎛의 속이 찬 연마 패드 층 및 1450 ㎛의 다공성 연마 패드 층을 포함하였다. 샘플 B는 1500 ㎛의 총 평균 두께를 갖고, 200 ㎛의 속이 찬 연마 패드 층 및 130 ㎛의 다공성 연마 패드 층을 포함하였다.
본 실시예는 접착제 층의 사용을 필요로 하지 않으면서 본 발명의 다층 연마 패드를 제조하는 방법을 나타낸다.
실시예
2
본 실시예는 접착제를 사용하지 않고 다공성 저부층에 결합된 다공성 연마층 을 포함하고, 연마층이 저부층보다 큰 평균 표면 조도를 가지는 본 발명의 다층 연마 패드의 제조 방법을 예시한다.
2종의 연마 패드 재료를 하기 방법에 따라 제조하였다. 일련의 열가소성 폴리우레탄 (TPU) 발포 시트 (2A, 2B, 2C 및 2D)를 압출법으로 제조하였다. 중량 평균 분자량 50,000 g/mol 내지 150,000 g/mol, PDI 2.2 내지 4, RPI 2 내지 10 범위의 TPU를 사용하여 각 TPU 시트를 제조하였다. 각 경우에, TPU를 32/1 L/D 단일 스크류를 가지는 스크류 직경 6.35 cm (2.5 인치)의 압출기에 넣고, 승온 및 승압에서 중합체 용융물을 형성하였다. 승온 및 승압 하에 중합체 용융물에 이산화탄소 가스를 주입하여 중합체 용융물과 혼합된 초임계 유체 CO2의 형성을 일으킴으로써 단일상 용액을 형성하였다. CO2/중합체 용액을 94 cm (37 인치) 폭의 다이를 통해 압출하여 다공성 발포 시트를 형성하였다. CO2 농도는 시트 2A, 2B, 2C 및 2D에 대하여 각각 1.7%, 1.7%, 1.8% 및 1.8%였다.
압출기의 각 대역에 대한 온도, 게이트, 다이 및 용융물 온도, 다이 압력, 스크류 속도, CO2 농도 및 시트 치수를 표 1에 요약하였다.
표 1에 나타낸 일련의 압출 파라미터 각각을 이용하여 셀 크기의 균일성이 양호한 (± 25 ㎛) 다공성 TPU 발포 시트를 제조하였다. 시트 2A의 일부를, 시트 2B가 실질적으로 다이로부터 압출된 직후, 아직 부분적으로 용융된 상태에서 시트 2B의 일부와 함께 한 쌍의 닙 롤러 (0.1397 mm)에 통과시켰다. 두 시트에 대한 닙 롤러의 압력이 두 층의 융합을 일으켜 본 발명의 다층 연마 패드가 형성되었으며, 이를 패드 2A/B로 명명하였다. 유사하게, 시트 2C의 일부를, 시트 2D가 실질적으로 다이로부터 압출된 직후, 아직 부분적으로 용융된 상태에서 시트 2D의 일부와 함께 한 쌍의 닙 롤러 (0.1523 mm)에 통과시켰다. 두 시트에 대한 닙 롤러의 압력이 두 층의 융합을 일으켜 본 발명의 다층 연마 패드가 형성되었으며, 이를 패드 2C/D로 명명하였다.
생성된 시트로부터 패드 샘플을 절단하였고, 본 실시예의 다층 연마 패드 (즉, 패드 2A/B 및 패드 2C/D)는 하기 표 2 및 3에 나타낸 특성을 가졌다. 몇몇 샘플들의 특성은 "그대로" 측정하였고 (버핑(buffing) 전으로 표지), 다른 샘플들의 특성은 버핑 후에 측정하였다 (버핑 후로 표지). 압출된 다층 시트의 양면 모두에 버핑을 실시하여, 연마층 표면으로부터 재료 5 내지 7 mil을, 저부층 표면으로부터 2 내지 3 mil을 제거하였다 (예를 들어, 존재하는 경우, 바람직하지 않은 물질이나 임의의 스킨층을 제거하기 위해). 표 2 및 3에서, "A측"이란 시트 2A로부터 형성된 패드 2A/B의 저부층을 의미하고, "B측"이란 시트 2B로부터 형성된 패드 2A/B의 연마층을 의미하고, "C측"이란 시트 2C로부터 형성된 패드 2C/D의 저부층을 의미하고, "D측"이란 시트 2D로부터 형성된 패드 2C/D의 연마층을 의미한다.
표 2에서, "% Comp"는 퍼센트 압축성 (Ames)이다.
표 3에서, 보존 계수 (Storage modulus), 손실 계수 (Loss modulus) 및 탄젠트 델타 (Tan Delta) 값은 제1 및 제2 가열 양자에 대하여 다음과 같이 나타냈다:제1 가열시 값 / 제2 가열시 값.
Claims (20)
- 다공성 연마층 및 다공성 저부층을 포함하며, 저부층이 연마층과 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고, 연마층 및 저부층 사이의 공간에 접착제를 포함하지 않도록 연마층이 저부층과 함께 연결되고, 연마층이 저부층보다 큰 평균 표면 조도 (Ra)를 가지며, 주사 전자 현미경으로 측정했을 때 연마층이 104 셀/㎤ 초과의 기공 셀 밀도를 가지고, 저부층이 104 셀/㎤ 미만의 기공 셀 밀도를 가지는 것인, 화학 기계적 연마용 다층 연마 패드.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 연마층 및 저부층이 각각 15 내지 50 ㎛ 범위의 평균 셀 직경을 가지는 복수 개의 기공 셀을 포함하는 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 연마층의 Ra가 25 ㎛ 초과인 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 저부층의 Ra가 20 ㎛ 미만인 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 연마층의 Ra가 25 ㎛ 초과이고 저부층의 Ra가 20 ㎛ 미만인 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 연마층이 제1 중합체 수지를 포함하고, 저부층이 제2 중합체 수지를 포함하는 연마 패드.
- 제7항에 있어서, 연마층이 열가소성 폴리우레탄을 포함하고, 저부층이 폴리카르보네이트, 나일론, 폴리올레핀, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴레이트, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아라미드, 폴리아릴렌, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 상기 중합체 수지들의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체 수지를 포함하는 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 저부층 및 연마층이 각각 열가소성 엘라스토머, 열경화성 중합체, 폴리우레탄, 폴리올레핀, 폴리카르보네이트, 폴리비닐알코올, 나일론, 엘라스토머성 고무, 엘라스토머성 폴리에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아라미드, 폴리아릴렌, 폴리아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 상기 수지들의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체 수지를 포함하는 연마 패드.
- 제9항에 있어서, 상기 중합체 수지가 열가소성 폴리우레탄인 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 연마층과 저부층 사이에 배치된 하나 이상의 중간층을 추가로 포함하며, 중간층(들)이 연마층 및 저부층과 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고, 연마층, 중간층(들) 및 저부층의 각 인접면이 기계적으로 상호결합된 연마 패드.
- 제1항에 있어서, 연마층과 저부층 사이에 배치된 하나 이상의 중간층을 추가로 포함하며, 중간층(들)이 연마층 및 저부층과 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고, 연마층, 중간층(들) 및 저부층의 각 인접면이 서로 융합된 연마 패드.
- 다공성 연마층 및 다공성 저부층을 포함하며, 저부층이 연마층과 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고, 연마층 및 저부층 사이의 공간에 접착제를 포함하지 않도록 연마층이 저부층과 함께 연결되고, 연마층 및 저부층이 각각 15 내지 50 ㎛ 범위의 평균 기공 직경을 가지는 복수 개의 기공 셀을 포함하고, 주사 전자 현미경으로 측정했을 때 연마층이 104 셀/㎤ 초과의 기공 셀 밀도를 가지고, 저부층이 104 셀/㎤ 미만의 기공 셀 밀도를 가지는 화학 기계적 연마용 다층 연마 패드.
- 제13항에 있어서, 연마층 및 저부층이 각각 동일한 중합체 수지를 포함하는 연마 패드.
- 제14항에 있어서, 중합체 수지가 열가소성 폴리우레탄인 연마 패드.
- 제13항에 있어서, 연마층과 저부층 사이에 배치된 하나 이상의 중간층을 추가로 포함하며, 중간층(들)이 연마층 및 저부층과 실질적으로 동일 공간에 걸쳐 있고, 연마층, 중간층(들) 및 저부층이 서로 융합된 연마 패드.
- (a) 회전하는 플래튼(platen),(b) 상기 회전 플래튼에 부착된 제1항 기재의 연마 패드, 및(c) 회전 연마 패드와 접촉함으로써 연마될 작업편(workpiece)을 고정하는 캐리어를 포함하는 화학 기계적 연마 장치.
- 제1항 기재의 연마 패드의 연마면을 작업편과 접촉시키는 단계, 및작업편에 대해 연마 패드를 운동시켜 작업편을 마모시킴(abrade)으로써 작업편을 연마하는 단계를 포함하는 작업편 연마 방법.
- 저부층보다 큰 평균 표면 조도 (Ra)를 가지는 다공성 연마층 및 다공성 저부층 중 적어도 하나를 부분적으로 용융시킴으로써 연마층을 저부층에 고정시키면서, 연마층의 표면을 저부층의 표면에 대하여 가압하는 것을 포함하는 제1항의 연마 패 드의 제조 방법.
- 제19항에 있어서, 연마층 및 저부층 중 적어도 하나가 압출된 중합체 발포체인 연마 패드의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/113,498 US7435161B2 (en) | 2003-06-17 | 2005-04-25 | Multi-layer polishing pad material for CMP |
US11/113,498 | 2005-04-25 | ||
PCT/US2006/014674 WO2006115924A1 (en) | 2005-04-25 | 2006-04-19 | Multi-layer polishing pad material for cmp |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080005573A KR20080005573A (ko) | 2008-01-14 |
KR101281982B1 true KR101281982B1 (ko) | 2013-07-03 |
Family
ID=36928793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077027305A KR101281982B1 (ko) | 2005-04-25 | 2006-04-19 | Cmp용 다층 연마 패드 재료 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7435161B2 (ko) |
EP (1) | EP1879720B1 (ko) |
JP (1) | JP5221340B2 (ko) |
KR (1) | KR101281982B1 (ko) |
CN (1) | CN101184582B (ko) |
IL (1) | IL186687A (ko) |
MY (1) | MY143522A (ko) |
TW (1) | TWI311512B (ko) |
WO (1) | WO2006115924A1 (ko) |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7179159B2 (en) * | 2005-05-02 | 2007-02-20 | Applied Materials, Inc. | Materials for chemical mechanical polishing |
US8652116B2 (en) * | 2005-09-30 | 2014-02-18 | The Procter & Gamble Company | Preferential bend structure and articles containing said structure |
KR100741984B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-07-23 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 장치의 연마 패드 및 그의 제조방법 |
TWI293910B (en) * | 2006-06-20 | 2008-03-01 | Cando Corp | Fixing board and polishing device using the same |
US20080268227A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Chung-Chih Feng | Complex polishing pad and method for making the same |
US20110045753A1 (en) * | 2008-05-16 | 2011-02-24 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad |
US8083570B2 (en) * | 2008-10-17 | 2011-12-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having sealed window |
JP5233621B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2013-07-10 | 旭硝子株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法。 |
US8303375B2 (en) * | 2009-01-12 | 2012-11-06 | Novaplanar Technology, Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization and/or other polishing methods |
US20100178853A1 (en) * | 2009-01-12 | 2010-07-15 | Novaplanar Technology, Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization and/or other polishing methods |
US8192249B2 (en) * | 2009-03-12 | 2012-06-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Systems and methods for polishing a magnetic disk |
TWM367052U (en) | 2009-04-24 | 2009-10-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Polishing pad and polishing device |
WO2010138724A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Rogers Corporation | Polishing pad, polyurethane layer therefor, and method of polishing a silicon wafer |
JP5541680B2 (ja) * | 2010-01-08 | 2014-07-09 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
TWI510328B (zh) * | 2010-05-03 | 2015-12-01 | Iv Technologies Co Ltd | 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法 |
CN102248494A (zh) * | 2010-05-19 | 2011-11-23 | 智胜科技股份有限公司 | 基底层、研磨垫及研磨方法 |
JP5918254B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2016-05-18 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 透過性領域を含む研磨パッド |
US8920219B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-12-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with alignment aperture |
KR102100654B1 (ko) | 2012-04-02 | 2020-04-14 | 토마스 웨스트 인코포레이티드 | 폴리머 연마패드의 원심주조를 위한 방법 및 시스템 및 상기 방법으로 만들어진 연마패드 |
US10022842B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-07-17 | Thomas West, Inc. | Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material |
US10722997B2 (en) * | 2012-04-02 | 2020-07-28 | Thomas West, Inc. | Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads |
JP5389973B2 (ja) * | 2012-04-11 | 2014-01-15 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド及びその製造方法 |
JP5789634B2 (ja) * | 2012-05-14 | 2015-10-07 | 株式会社荏原製作所 | ワークピースを研磨するための研磨パッド並びに化学機械研磨装置、および該化学機械研磨装置を用いてワークピースを研磨する方法 |
US9597769B2 (en) * | 2012-06-04 | 2017-03-21 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer |
JP2014113644A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
US20140370788A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Low surface roughness polishing pad |
TWI556910B (zh) * | 2013-10-01 | 2016-11-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | 複合硏磨墊及其製造方法 |
US9982166B2 (en) * | 2013-12-20 | 2018-05-29 | Cabot Corporation | Metal oxide-polymer composite particles for chemical mechanical planarization |
TWI597125B (zh) * | 2014-09-25 | 2017-09-01 | 三芳化學工業股份有限公司 | 拋光墊及其製造方法 |
US9873180B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
SG11201703114QA (en) | 2014-10-17 | 2017-06-29 | Applied Materials Inc | Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
TWI689406B (zh) * | 2014-10-17 | 2020-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 研磨墊及製造其之方法 |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
GB2537161B (en) * | 2015-04-10 | 2019-06-19 | Reckitt Benckiser Brands Ltd | Novel material |
JP6761566B2 (ja) * | 2015-10-02 | 2020-09-30 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP6691658B2 (ja) * | 2015-10-02 | 2020-05-13 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
CN108290267B (zh) | 2015-10-30 | 2021-04-20 | 应用材料公司 | 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法 |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US10456886B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Porous chemical mechanical polishing pads |
JP6288184B2 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-03-07 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
DE102016222063A1 (de) | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
KR101945869B1 (ko) * | 2017-08-07 | 2019-02-11 | 에스케이씨 주식회사 | 우수한 기밀성을 갖는 연마패드 |
JP7299970B2 (ja) | 2018-09-04 | 2023-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良型研磨パッドのための配合物 |
WO2020109947A1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 3M Innovative Properties Company | Polishing pads and systems and methods of making and using the same |
JP7198662B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-01-04 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨パッド |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
CN116847948A (zh) * | 2020-12-22 | 2023-10-03 | Cmc材料有限责任公司 | 具有带有聚合物型外壳的成孔剂的化学-机械抛光副垫 |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
WO2005000527A2 (en) * | 2003-06-17 | 2005-01-06 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for cmp |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US259484A (en) * | 1882-06-13 | ohavobe | ||
US3504457A (en) * | 1966-07-05 | 1970-04-07 | Geoscience Instr Corp | Polishing apparatus |
US3581439A (en) * | 1968-04-04 | 1971-06-01 | Geoscience Instr Corp | Buff apparatus and method of manufacturing buffs |
US5257478A (en) * | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5605760A (en) * | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
US5692950A (en) * | 1996-08-08 | 1997-12-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive construction for semiconductor wafer modification |
US6475253B2 (en) * | 1996-09-11 | 2002-11-05 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article and method of making |
US6328642B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-12-11 | Lam Research Corporation | Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing |
US6287185B1 (en) * | 1997-04-04 | 2001-09-11 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
US6062968A (en) * | 1997-04-18 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
US6089963A (en) * | 1999-03-18 | 2000-07-18 | Inland Diamond Products Company | Attachment system for lens surfacing pad |
US6171181B1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-01-09 | Rodel Holdings, Inc. | Molded polishing pad having integral window |
US6524164B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
EP1224060B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-06-23 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pad |
US6439986B1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-08-27 | Hunatech Co., Ltd. | Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same |
WO2001045900A1 (en) | 1999-12-23 | 2001-06-28 | Rodel Holdings, Inc. | Self-leveling pads and methods relating thereto |
US6860802B1 (en) * | 2000-05-27 | 2005-03-01 | Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6749485B1 (en) * | 2000-05-27 | 2004-06-15 | Rodel Holdings, Inc. | Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6679769B2 (en) * | 2000-09-19 | 2004-01-20 | Rodel Holdings, Inc | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto |
US6632129B2 (en) * | 2001-02-15 | 2003-10-14 | 3M Innovative Properties Company | Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer |
US6544107B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-04-08 | Agere Systems Inc. | Composite polishing pads for chemical-mechanical polishing |
JP2003133270A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Jsr Corp | 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド |
JP3455208B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2003-10-14 | 東洋紡績株式会社 | 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック |
JP2003220550A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-08-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用パッドおよびその製造方法 |
US6524176B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-02-25 | Macronix International Co. Ltd. | Polishing pad |
US7025668B2 (en) * | 2002-06-18 | 2006-04-11 | Raytech Innovative Solutions, Llc | Gradient polishing pad made from paper-making fibers for use in chemical/mechanical planarization of wafers |
KR100465649B1 (ko) * | 2002-09-17 | 2005-01-13 | 한국포리올 주식회사 | 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법 |
CN1684799A (zh) * | 2002-09-25 | 2005-10-19 | Ppg工业俄亥俄公司 | 平面化用的抛光垫片 |
JP2005001083A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用積層体および研磨方法 |
JP2005066749A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用積層体および研磨方法 |
JP2004358596A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用積層体の製造方法 |
JP2005001059A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用積層体 |
US6899602B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-05-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Nc | Porous polyurethane polishing pads |
-
2005
- 2005-04-25 US US11/113,498 patent/US7435161B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-04-19 JP JP2008508918A patent/JP5221340B2/ja active Active
- 2006-04-19 CN CN2006800185656A patent/CN101184582B/zh active Active
- 2006-04-19 WO PCT/US2006/014674 patent/WO2006115924A1/en active Application Filing
- 2006-04-19 KR KR1020077027305A patent/KR101281982B1/ko active IP Right Grant
- 2006-04-19 EP EP06750664.2A patent/EP1879720B1/en active Active
- 2006-04-21 TW TW095114367A patent/TWI311512B/zh active
- 2006-04-24 MY MYPI20061875A patent/MY143522A/en unknown
-
2007
- 2007-10-16 IL IL186687A patent/IL186687A/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
WO2005000527A2 (en) * | 2003-06-17 | 2005-01-06 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for cmp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008539093A (ja) | 2008-11-13 |
TWI311512B (en) | 2009-07-01 |
MY143522A (en) | 2011-05-31 |
CN101184582A (zh) | 2008-05-21 |
TW200709894A (en) | 2007-03-16 |
US20050197050A1 (en) | 2005-09-08 |
EP1879720A1 (en) | 2008-01-23 |
KR20080005573A (ko) | 2008-01-14 |
JP5221340B2 (ja) | 2013-06-26 |
IL186687A (en) | 2012-04-30 |
WO2006115924A1 (en) | 2006-11-02 |
EP1879720B1 (en) | 2016-10-05 |
IL186687A0 (en) | 2008-02-09 |
US7435161B2 (en) | 2008-10-14 |
CN101184582B (zh) | 2010-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101281982B1 (ko) | Cmp용 다층 연마 패드 재료 | |
KR101109367B1 (ko) | Cmp용 다층 연마 패드 재료 | |
KR100936594B1 (ko) | 오목한 창을 구비한 폴리싱 패드 | |
KR101109324B1 (ko) | 미세다공성 영역을 갖는 연마 패드 | |
KR100986935B1 (ko) | 낮은 표면 에너지 cmp 패드 | |
KR101195276B1 (ko) | 소수성 영역 및 종말점 검출구를 포함하는 연마 패드 | |
KR20100043024A (ko) | 밀봉된 창을 갖는 화학 기계 연마 패드 | |
US20050153634A1 (en) | Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad | |
KR102440303B1 (ko) | Cmp용 다층 연마 패드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160527 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170529 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180530 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190527 Year of fee payment: 7 |