KR101278519B1 - 펠리클 프레임의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 펠리클 프레임의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 표면에 흑색 산화 피막이 형성된 펠리클 프레임의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계와, 플라스마 전해 산화법에 의해, 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 전이금속 산화물이 포함된 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법는 가공 과정에서 활성화되어 있는 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 고르게 형성함으로써, 이후 플라스마 전해 산화법에 의한 산화 알루미늄 피막을 균일하게 형성할 수 있다는 장점이 있다.

Description

펠리클 프레임의 제조방법{Method of fabricating pellicle frame}
본 발명은 펠리클 프레임의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 표면에 흑색 산화 피막이 형성된 펠리클 프레임의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 UV광선을 조사해서 패턴닝하는 포토리소그래피라는 방법이 사용된다.
포토리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해진다. 그러나 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클에 부착된다. 리소그래피시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 위치하므로, 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는다.
펠리클은 펠리클 막과 펠리클 막을 지지하는 펠리클 프레임을 포함한다.
펠리클 막의 재료로는 높은 노광광 투과율을 가지며, 노광광을 흡수하기 어려운 재료가 바람직하다. 구체적으로는, 노광에 이용하는 광(g선, i선, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 등)을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 초산셀룰로오스와 같은 셀룰로오스 수지 또는 불소 수지가 사용된다.
최근에는 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 점차 높아지고 있으며, 그 해상도를 실현하기 위해서 파장이 짧은 빛이 광원으로서 사용하고 있다. 이렇게 단파장의 빛은 에너지가 크기 때문에 종래의 셀룰로오스계의 막 재료로는 충분한 내광성을 확보하는 것은 어렵다. 따라서 최근에는 주로 불소계 수지 용액을 이용하여 펠리클 막을 제조한다.
펠리클 막은 수지 용액을 일정한 온도의 기판 위에 코팅하고, 용매의 비점 부근의 온도에서 건조하여 형성한다. 기판은 매끈한 표면을 가진 것으로서, 실리콘 웨이퍼, 석영 유리, 일반 유리 등을 사용한다.
코팅하는 방법으로는 공지된 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 롤 코팅, 캐스팅, 스핀 코팅, 물 캐스팅, 딥 코팅 또는 랑그무어 블로지트(Langmuir Blodgett)와 같은 코팅 방법에 의해 기판 위에 펠리클 막을 형성할 수 있다. 막의 두께는 기판에 도포하는 용액의 농도와 스핀 코터(spin coater)의 회전수 등의 조건 변경하여 조절할 수 있다.
코팅 후 용매의 비점 부근의 온도에서 건조하여 펠리클 막을 형성한다. 다음, 건조된 펠리클 막을 기판으로부터 박리한다. 펠리클 막에 셀로판 테이프나 접착제를 도포한 틀 모양 치구(治具)를 대고 접착한 후 셀로판테이프나 틀모양 치구를 손이나 기계적 수단에 의해 한끝으로부터 들어올리는 방법으로 펠리클 막을 기판에서 떼어낼 수가 있다.
완성된 펠리클 막은 변형이나 왜곡 및 손상을 방지하기 위해서, 펠리클 프레임에 고정되어 있는 상태로 사용된다. 분리된 펠리클 막을 잡아당겨서 팽팽하게 한 후 아크릴수지, 에폭시 수지나 불소 수지 등의 접착제를 도포한 펠리클 프레임에 부착하고, 프레임 외측의 불필요한 막을 절단·제거함으로써 펠리클을 완성한다.
펠리클 프레임의 하부에는 노광원판이 장착되기 때문에, 폴리브텐 수지, 폴리초산비닐수지, 아크릴수지 또는 실리콘수지 등으로 이루어지는 점착층, 및 점착층의 보호를 목적으로 한 점착제 보호용 이형 라이너를 설치한다.
펠리클 프레임은 주로 A7075, A6061, A5052 등의 알루미늄 합금으로 이루어진다. 펠리클 프레임은 리소그래피 과정에서 알루미늄에 의한 오염을 방지하기 위해서 산화 피막을 형성한다. 펠리클 프레임의 산화 피막은 흑색으로 형성한다. 노광광이 펠리클 프레임에 입사되어 반사되면 전사한 패턴이 손상되기 때문에 펠리클 프레임에 입사된 노광광의 반사를 최소화하여야 하기 때문이다. 또한, 펠리클 프레임의 표면이 흑색이어야, 표면에 부착된 불순물이나 먼지 등의 확인이 용이하기 때문이다.
종래에는 주로 양극 산화법(아노다이징)으로 산화 피막을 형성하였다. NaOH 등의 알칼리 처리 욕에서 수십 초 처리한 후, 황산 수용액 중에서 양극 산화를 행하고, 다음으로 흑색 염색, 봉공 처리함으로써 표면에 흑색의 산화 피막을 형성하였다.
그러나 이러한 양극 산화법 및 흑색 염색, 봉공 처리 과정에서 사용되는 물질들은 펠리클 프레임의 표면의 기공 내에 존재하였다가, 리소그래피 과정에서 발생하는 열에 의해서 무기계 가스 형태로 방출된다. 이러한 가스는 리소그래피 과정에서 부수적으로 발생하는 탄화수소, 암모늄 가스 등과 광화학 반응을 일으켜 헤이즈(Haze)라고 부르는 흐림현상이나 미세입자에 의한 오염을 일으킨다.
최근, LSI의 디자인 룰은 서브 쿼터 미크론(sub quarter micron)으로 미세화가 진행되고 있고, 그것에 따라 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있다. 즉, 지금까지 주류였던 수은 램프에 의한 g선(436㎚), i선(365㎚)으로부터 KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚), F2 레이저(157㎚) 등으로 이행되고 있다.
이러한 노광 광원의 단파장화는 노광 광원의 에너지 증가를 의미하며, 에너지 증가는 리소그래피 과정에서 발생하는 무기계 가스의 양이 증가함을 의미한다. 이는 리소그래피 공정에서 헤이즈나 미세입자에 의한 오염의 증가로 이어진다. 따라서 펠리클 프레임에서의 무기계 가스의 발생을 줄이기 위한 노력이 더욱 절실하게 요구되고 있다.
이와 같은 요구에 대응하기 위한 방법의 하나로서, 공개특허 10-2010-0049445호에는 플라스마 전해 산화법에 의해 산화 피막을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
플라스마 전해 산화법은 알칼리 전해질 용액 내에 장입한 금속(양극)과 스테인리스 전극(음극) 사이에 수백 볼트의 고전압을 인가하여 금속의 표면에서 플라스마 반응을 일으켜 금속의 표면에 산화 피막을 형성하는 표면처리 기술이다. 플라스마 전해 산화법은 기존 아노다이징과 달리 무연, 무취, 무독으로 공정 중 유독 물질을 발생시키지 않아 자연 친화적인 기술로 평가받고 있다.
플라스마 전해 산화법은 1000℃이상의 고온 플라스마에 의하여 산화 피막이 형성되기 때문에 헤이즈 발생을 억제할 수 있다.
그러나 플라스마 전해 산화법에 의한 산화 피막은 기본적으로 흰색이므로, 별도의 흑색 착색 공정이 필요하다. 이러한 흑색 착색 공정에서 사용되는 물질들은 헤이즈나 오염의 원인이 될 수 있다.
공개특허 10-2010-0049445호에서는 이러한 문제를 해결하기 위해서, 플라스마 전해 산화법에 사용되는 알칼리 전해질 용액에 흑색을 나타낼 수 있는 전이금속의 금속염 첨가함으로써, 별도의 착색 공정 없이, 흑색 산화 피막을 형성하는 방법을 제시하였다.
그러나 종래의 플라스마 전해 산화법을 이용한 산화 피막의 형성 방법은 다름과 같은 문제가 있었다.
플라스마 전해 산화법에 의한 산화 피막이 균일하게 형성되지 않는다는 문제가 있었다. 산화 피막을 형성하기 전의 알루미늄 프레임은 알루미늄 판재의 가공, 사상, 연마, 탈지, 수세 등의 공정을 거치게 된다. 이러한 공정을 거친 알루미늄 프레임의 표면은 매우 활성화되어 있어, 국부적인 부식에 취약하다. 국부적인 부식이 발생하면, 플라스마 전해 산화법에 의한 산화 피막이 균일하게 형성되지 않을 수 있다.
또한, 전이금속의 금속염은 대부분 황산염, 질산염, 인산염, 초산염 등으로서, 전해질 용액에 용해되어 금속 양이온과 황산 이온, 질산 이온 등의 음이온으로 분해된다. 금속 양이온은 약알칼리 전해질 용액의 OH-이온과 반응하여 금속수산화물을 형성하면서 침전될 수 있어, 금속이온이 부족해질 수 있다.
공개특허 10-2010-0049445 공개특허 10-2011-0029005
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 균일한 산화 피막을 형성할 수 있는 펠리클 프레임의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 무기계 가스의 방출량이 현저하게 줄어든 펠리클 프레임의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계와, 플라스마 전해 산화법에 의해, 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 전이금속 산화물이 포함된 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법는 가공 과정에서 활성화되어 있는 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 고르게 형성함으로써, 이후, 플라스마 전해 산화법에 의한 산화 피막 형성과정에서 산화 알루미늄 피막을 균일하게 형성할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법에 있어서, 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계는, 70℃ 내지 100℃의 초순수와 알루미늄 합금 프레임을 반응시켜, 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계일 수 있다.
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법에 있어서, 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계는, 전이 금속 산화물 염이 포함된 알칼리성 전해질 용액을 이용한 플라스마 전해 산화법에 의해 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계인 것이 바람직하다.
전이 금속 산화물 염은 알칼리성 전해질 용액과 반응하여 침전물을 형성하지 않기 때문에 원하는 전해질 용액을 용이하게 제조할 수 있다.
금속염을 사용하는 종래의 방법은 금속염이 해리되면서 생긴 금속 양이온과 수산화 이온이 결합하여 금속 수산화물을 형성하면서 침전물을 형성할 수 있기 때문에 원하는 전해질 용액을 제조하기가 쉽지 않았다.
상기 전이 금속 산화물 염은 스칸디뮴(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr),망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 루테튬(Lu), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 란타늄(La), 네오디뮴(Nd), 가돌리늄(Gd) 원소의 금속 산화물 염 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계에서 사용되는 상대 전극은 니켈 전극인 것이 바람직하다.
니켈 전극은 쉽게 부식되지 않으며, 부식되어도 부식에 의해 생성된 물질이 니켈 전극의 표면에 부착되어 쉽게 떨어지지 않는 특징이 있어서, 전해질 용액의 오염을 최소화할 수 있기 때문이다.
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 무기계 가스의 방출량이 현저하게 줄어든 펠리클 프레임을 제조할 수 있다. 따라서 헤이즈와 미세 입자에 의한 오염을 최소화할 수 있는 펠리클 프레임을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 활성화되어 있는 알루미늄 합금 프레임의 표면에 일차적으로 수산화 알루미늄 피막을 형성하여 국부적인 부식을 방지함으로써, 표면을 안정화시킬 수 있다. 이를 통해서 균일한 산화 알루미늄 피막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 금속염 대신 알칼리 전해질 용액과 반응하지 않는 금속 산화물 염을 사용하므로, 원하는 전해액을 용이하게 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 상대 전극으로 니켈 전극을 사용하므로, 상대 전극의 오염으로 인한 알칼리 전해액의 오염을 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법의 일실시예에 대해서 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법의 일실시예는 알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계와, 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계와, 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계를 포함한다.
우선, 알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계에 대해서 간략하게 설명한다.
알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계는 알루미늄 합금 판재를 프레임 형태로 가공하는 단계, 가공된 표면을 매끄럽게 하기 위한 샌딩(sanding) 및 연마 단계, 알루미늄 합금 프레임의 표면의 기름을 제거하는 탈지 단계, 수세 단계, 탈지 과정에서 발생한 스멋(smut)을 질산을 이용해서 제거하는 디스멋(desmut) 단계 등을 거치게 된다. 알루미늄 합금 프레임을 제조하는 단계는 종래의 방법과 차이가 없으므로 자세한 설명을 생략한다.
제조된 알루미늄 합금 프레임은 표면이 매우 활성화되어 있어, 국부적인 부식에 취약하다. 국부적인 부식은 이후의 플라스마 전해 산화법에 의해 산화 피막을 형성하는 과정에서 균일한 산화 피막의 형성에 악영향을 미친다.
다음, 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계에 대해서 설명한다.
수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계는 알루미늄 합금 프레임을 고온의 초순수(Deionized water)에 담그는 단계이다. 초순수에 담긴 알루미늄 합금 프레임의 표면은 물과 반응하여 수산화 알루미늄 피막을 형성한다. 수산화 알루미늄 피막은 알루미늄 합금 프레임의 표면을 안정화시켜, 활성화된 알루미늄 표면의 국부적인 부식을 막는 역할을 한다.
초순수의 온도는 70 내지 100℃이며, 처리시간은 1분 이상이 바람직하다. 수산화 알루미늄 피막은 수Å 내지 수십Å 두께로 형성된다.
다음, 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계에 대해서 설명한다. 산화 알루미늄 피막은 플라스마 전해 산화법에 의해 형성한다.
플라스마 전해 산화법은 약 알칼리성 전해질 용액에 산화 피막이 형성될 금속을 투입하고, 금속과 반대 전극 사이에 수백 볼트의 고전압을 인가하여 금속의 표면에서 플라스마 반응을 일으켜 금속의 표면에 산화 피막을 형성하는 표면처리 기술이다.
플라스마 전해 산화법은 아노다이징과 유사하나, 고전압을 사용하여 방전을 일으킨다는 점에서 차이가 있다. 방전에 의한 플라스마는 산화 피막의 구조를 비정질 알루미나에서 결정질 알루미나로 변경시킨다. 결정질 알루미나는 비정질 알루미나에 비해서 강도가 훨씬 크다.
플라스마 전해 산화법에 사용되는 전해액은 약 알칼리성 전해질 용액으로서, 초순수에 NaOH, KOH, Na2SiO3, NaAl2, NaF-Na2CO3 중의 어느 하나를 용질로써 첨가하여 용해함으로써 제조할 수 있다. 용질로는 NaOH, KOH를 사용하는 것이 바람직하다. 전해질 용액은 PH 8 내지 10의 약 알칼리성인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은 황산, 질산, 유기산 등의 산성 전해질을 사용하지 않기 때문에 SOx 또는 NOx 이온에 기인하는 헤이즈 현상을 최소화할 수 있다.
전해질 용액에는, 산화 피막의 색상을 흑색 계열로 바꾸기 위하여, 크롬(Cr), 코발트(Co), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 바나듐(V), 스칸디뮴(Sc), 타이타늄(Ti), 철(Fe), 구리(Cu), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 루테튬(Lu), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 란타늄(La), 네오디뮴(Nd), 가돌리늄(Gd) 등의 전이 금속 원소의 금속 산화물 염 중에서 하나 또는 둘 이상을 첨가한다.
예를 들어, Na2MoO4, K2Cr2O7, K2CrO4, KMnO4, Na2WO4 등의 금속 산화물 염을 사용할 수 있다.
이러한 금속 산화물 염은 전해질 용액 내에서 용해되어 금속 산화물 음이온과 양이온으로 해리된다. 예를 들면, 금속 산화물 염 Na2MoO4는 2Na+이온과 MoO4 - 2이온으로 해리된다. 다른 예들은 아래와 같다.
K2Cr2O7 -> 2K+ + Cr2O7 -2
K2CrO4 -> 2K+ + CrO4 -2
KMnO4 -> K+ + MnO4 -
Na2WO4 -> 2Na+ + WO4 -
금속 산화물 음이온은 전해질 용액의 Na+이온이나 K+이온과 반응하여 침전물을 형성하지 않고, 이온 상태를 유지한다는 점에서 금속염에 비해서 유리하다.
금속염을 사용하는 경우에는 금속 양이온과 OH-이온이 결합하여, 금속 수산화물을 형성하면서 침전될 수 있어, 원하는 전해질 용액을 얻기 어렵다.
전해질 용액 내의 금속 산화물 음이온은 알루미늄 합금 프레임의 산화 피막 내에 포함되어 산화 피막을 흑색으로 변경시키는 역할을 한다. 전이 금속이 포함되면, 알루미나의 밴드갭에 새로운 에너지 준위를 형성시켜 흑색 계열의 색상을 가지게 된다.
전이 금속 산화물 염을 이용해서 흑색의 산화 피막을 형성할 수 있으므로, 산화 피막을 형성한 후 안료를 이용한 별도의 착색 공정을 생략할 수 있다.
착색 공정에서 사용되는 안료는 리소그래피 공정에서 사용되는 UV광원에 의하여, 펠리클 프레임에서 분리되어 오염물질로서 작용할 수 있다. 전이 금속 산화물 염을 이용하여 흑색의 산화 피막을 형성하는 방법은 이러한 오염을 원천적으로 방지할 수 있다는 장점이 있다.
산화 피막을 형성하기 위해서 알루미늄 합금 프레임과 반대 전극 사이에 가해지는 전압은 200 내지 500V인 교류인 것이 바람직하다. 200V이하에서는 산화 피막의 절연파괴가 일어나지 않기 때문에 방전에 의한 플라스마가 형성되지 않는다. 500V이상에서는 산화 피막의 형성 속도가 빨라서, 공정 제어가 어렵다는 문제가 있다.
상대 전극으로는 일반적으로 스테인리스 강을 사용하나, 니켈 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 전압이 교류 형태로 인가되므로 상대 전극의 부식을 고려하여야 하기 때문이다. 부식에 비교적 강한 스테인리스 강을 사용하더라도, 상대 전극에 +극성의 전기가 지속적으로 인가되기 때문에 상대 전극의 부식으로 인한 오염을 피할 수 없다. 니켈 금속을 상대 전극으로 사용하면, 부식 현상이 현저히 줄어들뿐만 아니라, 부식에 의한 생성물이 니켈 금속 전극 표면에 부착되어 떨어지지 않는 장점이 있다.
산화 피막이 형성되면, 펠리클 프레임의 표면에 잔류하는 전해질 용액을 제거하기 초순수를 이용해서 세척을 한다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (5)

  1. 펠리클 프레임을 제조하는 방법에 있어서,
    알루미늄 합금 프레임 표면 위에 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계와,
    플라스마 전해 산화법에 의해, 상기 알루미늄 합금 프레임 표면 위에 전이금속 산화물이 포함된 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계는,
    70℃ 내지 100℃의 초순수와 상기 알루미늄 합금 프레임을 반응시켜, 상기 알루미늄 합금 프레임의 표면 위에 상기 수산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계는,
    전이 금속 산화물 염이 포함된 알칼리성 전해질 용액을 이용한 플라스마 전해 산화법에 의해 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전이 금속 산화물 염은 크롬(Cr), 코발트(Co), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 바나듐(V), 스칸디뮴(Sc), 타이타늄(Ti), 철(Fe), 구리(Cu), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 루테튬(Lu), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 란타늄(La), 네오디뮴(Nd), 가돌리늄(Gd) 원소의 금속 산화물 염 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화 알루미늄 피막을 형성하는 단계에서 사용되는 상대 전극은 니켈 전극인 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임의 제조방법.
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