KR101267641B1 - 액 처리 장치, 액 처리 방법, 및 액 처리 프로그램을저장한 기억 매체 - Google Patents

액 처리 장치, 액 처리 방법, 및 액 처리 프로그램을저장한 기억 매체 Download PDF

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히로노부 햐쿠타케
유지 가미카와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 린스 처리에 필요한 시간을 짧게 하여, 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 제조의 작업 처리량을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 린스 처리시에 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 피처리체[웨이퍼(2)]의 상단 위치(LV2)까지의 거리(t1)가, 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체[웨이퍼(2)]의 상단 위치(LV4)까지의 거리(L2)보다도 짧아지도록 피처리체를 갖는다. 혹은 린스 처리시에, 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 피처리체[웨이퍼(2)]의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가, 린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 피처리체[웨이퍼(2)]의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)보다도 짧아지도록 피처리체를 갖는다.

Description

액 처리 장치, 액 처리 방법, 및 액 처리 프로그램을 저장한 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIA HAVING LIQUID PROCESSING PROGRAM STORED}
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 피처리체를 처리조 내부에서 약액 또는 린스액에 침지하여 약액 처리나 린스 처리를 행하는 액 처리 장치, 액 처리 방법, 컴퓨터 프로그램 및 기억 매체에 관한 것이다.
종래로부터 반도체 부품이나 플랫 디스플레이 등의 제조 과정에 있어서는 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등에 대하여 세정 처리를 실시하는 세정 공정이 실행되고 있다. 이 세정 공정에서는 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 피처리체를 처리조 내부에서 약액에 침지하고, 그 후, 피처리체를 처리조 내부에서 린스액에 침지하여 피처리체의 표면을 세정하고 있다.
그리고, 세정 공정에서 이용되는 액 처리 장치는 처리조와, 처리조 내부에 승강 가능하게 배치되어 피처리체를 지지하기 위한 지지구를 갖고 있다. 처리조 내부에서 지지구에 의해 지지된 피처리체는 약액 또는 린스액에 침지되어, 피처리체에 대하여 약액 처리와 린스 처리가 실시된다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
이 종래의 액 처리 장치에서는 처리조 내에 약액을 충전해 두고, 지지구를 처리조 내부에 강하시킴으로써, 피처리체를 약액에 침지하여 약액 처리를 행한다. 그 후, 지지구의 높이를 변경하지 않고, 처리조 내부의 약액을 린스액으로 치환하여 린스 처리를 행하여, 린스액의 비저항이 소정의 값보다도 높아진 것을 검출한 시점에서 린스 처리를 종료한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 2000-3895호 공보
그런데, 상기 종래의 액 처리 장치에서는 린스 처리시에 린스액의 액면에 있어서 대기 중의 질소 가스나 탄산 가스 등이 용해하여, 용해한 질소 가스나 탄산 가스 등의 영향으로 린스액의 비저항이 소정의 값까지 상승하는 데 장시간이 필요하게 되어, 세정 처리에 필요한 시간이 길어져 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 제조의 작업 처리량이 저감될 우려가 있었다.
그래서, 본 발명자들이 예의 연구를 중첩한 결과, 린스액의 액면과 피처리체의 상단 사이에 저류되어 있는 린스액의 양에 따라 질소 가스나 탄산 가스 등의 용해량이 상이하며, 린스액의 액면과 피처리체의 상단 사이의 거리를 짧게 함으로써, 린스액의 비저항이 소정의 값까지 상승하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있는 것을 확인하여, 본 발명을 달성하기에 이르렀다.
본 발명은 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와, 처 리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액에 의해 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 약액 처리시의 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하고, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치이다.
본 발명은 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아 지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치이다.
본 발명은 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여 약액에 의한 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 액 처리 장치를 이용한 약 처리 방법에 있어서, 처리조 내의 피처리체에 대하여 약액에 의한 약액 처리를 실시하는 공정과, 약액 처리를 행한 후, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 방법이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 약액 처리시의 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하 여 승강시키고, 승강하는 피처리체 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법이다.
본 발명은, 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서, 처리조 내부에 린스액을 공급하어 피처리체를 린스액에 침지하는 공정과, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하여 린스 처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 방법이다.
본 발명은, 컴퓨터에 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램에 있어서, 액 처리 방법은 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액에 의한 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서, 처리조 내의 피처리체에 대하여 약액에 의해 약액 처리를 실시하는 공정과, 약액 처리를 행한 후, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 약액 처리시의 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램이다.
본 발명은, 컴퓨터에 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램에 있어서, 액 처리 방법은 처리조와 , 치리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위 치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서, 처리조 내부에 린스액을 공급하여 피처리체를 린스액에 침지하는 공정과, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하여 린스 처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램이다.
본 발명은 컴퓨터에 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 액 처리 방법은 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여 약액에 의한 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서, 처리조 내의 피처리체에 대하여 약액에 의해 약액 처리를 실시하는 공정과, 약액 처리를 행한 후, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상면 위치까지의 거리가 약액 처리시의 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
본 발명은, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
본 발명은, 컴퓨터에 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 액 처리 방법은 처리조와, 처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와, 처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서, 처리조 내부에 린스액을 공급하여 피처리체를 린스액에 침지하는 공정과, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하여 린스 처리를 행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
그리고, 본 발명에서는 이하에 기재하는 효과를 발휘한다.
즉, 본 발명에서는 린스 처리시에 린스액의 액면과 피처리체의 상단 사이의 거리를 짧게 함으로써, 린스액의 액면과 피처리체의 상단 사이에 저류되어 있는 린스액의 양을 저감할 수 있다. 이것에 따라서, 대기로부터 린스액으로의 질소 가스나 탄산 가스 등의 용해량을 저감할 수 있기 때문에, 린스액의 비저항이 소정의 값까지 상승하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있다. 이 때문에 세정 처리에 필요한 시간이 줄어들어 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 제조의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.
이하에 본 발명에 따른 피처리 장치 및 피처리 방법 및 액 처리 프로그램의 구체적인 구성에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는 웨이퍼를 피처리체로 하여 세정 처리 및 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치에 본 발명을 적용한 경우에 대해서 설명하지만, 본 발명은 기판 처리 장치에 한정되지 않고, 린스 처리를 행하는 각종의 액 처리 장치에 적용할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 복수장의 웨이퍼(2)(기판)를 수용한 캐리어(3)의 반입 및 반출을 행하는 캐리어 반입출부(4)와, 복수의 캐리어(3)에 수용된 웨이퍼(2)를 조합시킴으로써, 일괄 처리하는 배치(5)를 편성하는 배치 편성부(6)와, 각 배치(5)마다 웨이퍼(2)의 세정 처리 및 건조 처리를 행하는 기판 처리부(7)를 구비하고 있다.
캐리어 반입출부(4)는 캐리어(3)를 적재하는 캐리어 스테이지(8)와, 밀폐형 개폐 도어(9)와, 이 개폐 도어(9)의 내측에 설치된 캐리어 반송 기구(10)와, 캐리어 적재대(12)와, 캐리어 스톡(11)을 가지며, 이 캐리어 반송 기구(10)에 의해 캐리어 스테이지(8)에 적재된 캐리어(3)를 필요에 따라 캐리어 스톡(11)에 일시적으로 보관하고, 캐리어 적재대(12)에 반입한다.
또한, 캐리어 반입출부(4)에 있어서, 기판 처리부(7)에서 처리가 완료된 웨이퍼(2)가 수용되어 캐리어 적재대(12)에 적재된 캐리어(3)는 상기 반입시와는 반대로, 필요에 따라 캐리어 반송 기구(10)에 의해 캐리어 스톡(11)에 일시적으로 보관된 후, 캐리어 스테이지(8)에 반출하도록 하고 있다.
배치 편성부(6)는 캐리어 반입출부(4) 사이에 설치된 밀폐형 개폐 도어(13)와, 이 개폐 도어(13)의 내측에 설치되어 캐리어(3)에 수용된 복수장의 웨이퍼(2)를 동시에 반송하기 위한 기판 반송 기구(14)와, 이 기판 반송 기구(14)에 의해 반송된 웨이퍼(2)의 배열 간격을 절반으로 변경하여 배치(5)를 형성하기 위한 배치 형성 기구(15)와, 기판 반송 기구(14)에 의해 반송된 웨이퍼(2)의 배열 순서를 변경하는 배열 순서 변경 기구(16)와, 배치 형성 기구(15)에 의해 형성된 배치(5)를 배치 편성부(6)와 기판 처리부(7) 사이에서 주고받고, 기판 처리부(7)의 내부에서의 반송을 행하는 배치 반송 기구(17)를 갖고 있다. 또한, 배치 편성부(6)는 내부에 캐리어(3)에 수용된 웨이퍼(2)의 수용 상태를 검출하는 웨이퍼 수용 상태 검출 센서(18)와, 캐리어(3)에 수용된 복수장의 웨이퍼(2) 노치의 위치 조정을 행하는 노치 얼라이너(19)를 갖고 있다.
이 배치 편성부(6)에서는 캐리어 반입출부(4)로부터 반입되는 복수장(예컨대, 2개)의 캐리어(3)에 각각 수용된 복수장(예컨대, 25장)의 웨이퍼(2)를 조합하여 기판 처리부(7)에서 일괄 처리하는 복수장(예컨대, 50장)의 웨이퍼(2)로 구성된 배치(5)를 형성한다.
기판 처리부(7)는 웨이퍼(2)의 세정 및 건조를 행하는 세정 건조 기구(20)와, 웨이퍼(2)의 세정을 행하는 세정 기구(21)를 구비하고 있다. 세정 건조 기구(20)는 배치(5)를 승강 기구(22)에서 승강시킴으로써 세정과 건조를 행하는 액 처리 장치(23)와, 배치 반송 기구(17)의 세정을 행하는 세정 장치(24)를 구비하고 있다. 또한, 세정 기구(21)는 배치(5)를 약액 처리하는 제1∼제3 약액조(25, 26, 27)와, 배치(5)를 순수 처리하는 제1∼제3 순수조(28, 29, 30)와, 이들 제1∼제3 약액조(25, 26, 27)와 제1∼제3 순수조(28, 29, 30) 사이에서 배치(5)의 반송을 행하는 제1∼제3 반송 장치(31, 32, 33)를 구비하고 있다.
또한, 기판 처리부(7)는 세정 건조 기구(20)와 세정 기구(21)를 따라 설치된 배치 반송 기구(17)를 구비하고, 이 배치 반송 기구(17)의 시단(始端) 부분은 배치 편성부(6)에 접속되어 있다.
그리고, 기판 처리부(7)에 있어서, 배치 편성부(6)에서 편성된 배치(5)는 배치 반송 기구(17)에 의해 세정 건조 기구(20)의 승강 기구(22)나 세정 기구(21)의 제1∼제3 반송 장치(31, 32, 33)에 반송되고, 각 세정 건조 기구(20)나 세정 기구(21)에 있어서 웨이퍼(2)의 처리가 배치(5)마다 행해진다. 그 후, 처리 후의 배 치(5)는 세정 건조 기구(20)의 승강 기구(22)나 세정 기구(21)의 제1∼제3 반송 장치(31, 32, 33)로부터 배치 반송 기구(17)에 이송되고, 이 배치 반송 기구(17)에 의해 처리 후의 배치(5)는 배치 편성부(6)에 재차 반송된다.
이와 같이, 기판 처리 장치(1)에 있어서, 캐리어 반입출부(4)에 의해 웨이퍼(2)를 캐리어(3)마다 배치 편성부(6)에 반입하고, 기판 처리부(7)에서 일괄 처리하는 배치(5)를 배치 편성부(6)에서 편성하여 기판 처리부(7)에 전달한다. 기판 처리부(7)에서는 배치(5)마다 일괄하여 처리가 실시되고, 그 후, 처리 후의 배치(5)는 배치 편성부(6)에 전달되며, 배치 편성부(6)에서 배치(5)를 구성하는 웨이퍼(2)가 캐리어(3)에 수용된다. 캐리어(3)는 캐리어 반입출부(4)에 반송되고, 캐리어 반입출부(4)에 의해 처리 후의 웨이퍼(2)를 수용한 캐리어(3)가 반출된다.
다음에, 본 발명의 주요부가 되는 액 처리 장치(23)의 구체적인 구조에 대해서 이하에 설명한다.
액 처리 장치(23)는 도 2∼도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(2)를 배치(5)마다 세정하기 위한 세정 유닛(34)과, 웨이퍼(2)를 배치(5)마다 건조시키기 위한 건조 유닛(35)을 구비하고, 세정 유닛(34)과 건조 유닛(35)은 상하로 일체적으로 연달아 설치되어 있다. 이들 세정 유닛(34) 및 건조 유닛(35)의 내부에 양 유닛(34, 35) 사이에서 웨이퍼(2)를 배치(5)마다 승강 반송하기 위한 지지구(36)가 승강 가능하게 배치되어 있다.
우선, 지지구(36)의 구체적인 구조에 대해서 설명하면, 지지구(36)는 상하 방향으로 신장시킨 아암(37)과, 아암(37)의 전측 하단부에 전후 방향으로 설치되어 좌우에 간격을 두고 평행하게 부착된 4개의 지지체(38, 39, 40, 41)를 가지며, 좌우 2개의 지지체(38, 39, 40, 41)의 선단부 사이에 연결체(42, 43)가 부착되어 있다.
또한, 지지구(36)의 각 지지체(38, 39, 40, 41)의 상단부에 웨이퍼(2)를 1장씩 수직형으로 지지하기 위한 지지 홈(44, 45, 46, 47)이 전후로 일정 간격을 두어 형성되고, 각 지지 홈(44, 45, 46, 47)에 의해 웨이퍼(2)를 지지함으로써, 복수장의 웨이퍼(2)를 평행하게 전후로 일정 간격을 두고 지지할 수 있다. 이 지지구(36)의 아암(37)은 승강 기구(22)에 연결되고, 지지구(36)는 승강 기구(22)에 의해 세정 유닛(34)과 건조 유닛(35) 사이에서 웨이퍼(2)를 배치(5)마다 승강한다. 또한, 승강 기구(22)에는 제어부(48)가 접속되어 있으며, 이 제어부(48)에 의해 승강 기구(22)가 구동 제어되어 있다.
다음에, 세정 유닛(34)의 구체적인 구조에 대해서 설명하면, 세정 유닛(34)은 상단부를 개구한 바닥이 있는 직사각형 상자 형상의 세정 처리조(49)와, 세정 처리조(49)의 좌우 측벽(50, 51)에 설치되고, 세정액을 분사 공급하기 위한 세정액 공급 노즐(52, 53)을 구비하고 있다. 세정 처리조(49)의 바닥벽(54)에 배수관(55)이 연통 연결되고, 이 배수관(55)의 중도부에 개폐 밸브(56)가 개설되어 있다. 나아가서는 세정 처리조(49)의 상단 외측부에 환형의 오버플로우조(57)가 부착되고, 이 오버플로우조(57)의 바닥벽(58)에 배수관(59)이 연통 연결되며, 이 배수관(59)의 중도부에 개폐 밸브(60)가 부착되어 있다.
여기서, 세정액 공급 노즐(52, 53)에는 순수를 공급하기 위한 순수 공급 원(61)과 약액을 공급하기 위한 약액 공급원(62)이 삼방 콕크(63)를 통해 접속되어 있으며, 이 삼방 콕크(63)를 전환함으로써, 세정액 공급 노즐(52, 53)로부터 세정 처리조(49)의 내부에 순수 또는 약액을 공급할 수 있도록 하고 있다. 또한, 개폐 밸브(56, 60)나 삼방 콕크(63)에는 제어부(48)가 접속되어 있으며, 이 제어부(48)에 의해 개폐 밸브(56, 60)나 삼방 콕크(63)가 구동 제어되고 있다.
또한, 세정 유닛(34)의 세정 처리조(49)에 흡인관(85)이 연통 연결되고, 이 흡인관(85)에 약액 또는 린스액의 비저항을 검출하기 위한 센서(86)가 접속되어 있다. 또한, 센서(86)는 제어부(48)에 접속하고 있다.
다음에, 건조 유닛(35)의 구체적인 구조에 대해서 설명하면, 건조 유닛(35)은 하단부를 개구한 대략 상자 형상의 건조 처리조(64)와, 건조 처리조(64)의 하측에 설치된 셔터 기구(65)를 구비하고 있다. 이 셔터 기구(65)는 내부에 셔터 수용부(67)가 형성된 케이싱(66)을 포함하고, 이 셔터 수용부(67)에 셔터(68)를 개폐 가능하게 수용하고 있다.
여기서, 셔터 기구(65)의 셔터(68)에 개폐 기구(69)가 연동 연결되고, 이 개폐 기구(69)를 제어부(48)에 접속하여, 이 제어부(48)에 의해 개폐 기구(69)를 구동 제어하고 있다.
또한, 건조 유닛(35)의 건조 처리조(64)의 상부는 반원호 단면 형상으로 형성되고, 상단부에 지지구(36)의 아암(37)을 삽입 관통시키기 위한 관통 구멍(70)이 형성되며, 이 관통 구멍(70)에 패킹(71)이 부착되어 있다. 이것에 의해, 건조 처리조(64)는 아암(37)을 삽입 관통시킨 상태에서도 기밀 상태를 유지할 수 있도록 하 고 있다.
여기서, 건조 처리조(64)에는 승강 기구(72)가 연동 연결되고, 이 승강 기구(72)는 제어부(48)에 접속되며, 이 제어부(48)에 의해 승강 기구(72)를 구동 제어하고 있다. 그리고, 승강 기구(72)에 의해 건조 처리조(64)를 하강시킨 경우에는 건조 처리조(64)의 하단부에 형성한 플랜지(73)가 셔터 기구(65)의 셔터(68)에 밀착된다.
또한, 건조 유닛(35)의 건조 처리조(64)의 내측 상부에, 건조 증기(IPA 가스: 이소프로필알콜 가스 등)를 분사 공급하기 위한 좌우 한 쌍의 건조 증기 공급 노즐(74, 75)이 부착되어 있다.
이 건조 증기 공급 노즐(74, 75)에는 내측 상부를 향해서 건조 증기를 토출하기 위한 가스 토출구(76, 77)가 전후로 간격을 두고 형성되어 있다.
여기서, 이 건조 증기 공급 노즐(74, 75)에는 건조 증기를 캐리어 가스와 함께 공급하기 위한 건조 증기 공급원(78)이 개폐 밸브(79)를 통해 접속되어 있으며, 이 개폐 밸브(79)를 개방 상태로 함으로써, 건조 증기 공급 노즐(74, 75)로부터 건조 처리조(64)의 내부에 건조 증기를 공급할 수 있다. 또한, 개폐 밸브(79)에는 제어부(48)가 접속되어 있으며, 이 제어부(48)에 의해 개폐 밸브(79)가 구동 제어되어 있다.
액 처리 장치(23)는 이상에 설명한 바와 같이 구성되어 있으며, 제어부(48)에 의해 구동 제어된다. 이 제어부(48)는 액 처리 장치(23)뿐만 아니라 기판 처리 장치(1)의 각 부를 구동 제어할 수 있고, 컴퓨터의 CPU로 이루어지는 컨트롤러(80) 와, 이 컨트롤러(80)에 접속된 기억 매체(81)를 포함하고 있다. 이 기억 매체(81)에는 각종 설정 데이터나 액 처리 프로그램(컴퓨터 프로그램)(82)이 저장되어 있다. 또한, 기억 매체(81)는 ROM이나 RAM 등의 메모리라도 좋고, 또한, 하드디스크나 CD-ROM 등의 디스크형 기억 매체라도 좋다.
제어부(48)는 기억 매체(81)에 저장된 액 처리 프로그램(82)의 세정 서브루틴(83)과 건조 서브루틴(84)에 따라서 액 처리 장치(23)를 구동 제어함으로써, 웨이퍼(2)의 세정 처리와 건조 처리를 계속하여 행한다.
우선, 세정 서브루틴(83)에서는 도 5에 도시하는 바와 같이, 우선, 액 처리 장치(23)의 초기 설정을 행한다(초기 설정 단계 S1).
구체적으로는 제어부(48)가 도 6에 도시하는 바와 같이, 세정 처리조(49)의 개폐 밸브(56)와 오버플로우조(57)의 개폐 밸브(60)를 폐색시킨 상태로 하고, 개폐 기구(69)를 이용하여 셔터(68)를 개방시킨 상태로 한다. 다음에 승강 기구(22)를 이용하여 셔터 기구(65)의 상측에 간격을 두어 지지구(36)를 배치하고, 승강 기구(72)를 이용하여 지지구(36)의 상측에 간격을 두어 건조 처리조(64)를 배치한다. 그 후, 제어부(48)가 삼방 콕크(63)를 구동 제어하여 순수 공급원(61)으로부터 세정 처리조(49)의 세정액 공급 노즐(52, 53)을 통해 세정 처리조(49)의 내부에 순수를 공급한다. 이 때, 제어부(48)는 오버플로우조(57)의 개폐 밸브(60)를 개방 상태로 하여, 세정 처리조(49)로부터 오버플로우한 순수를 배출할 수 있도록 한다.
다음에, 세정 서브루틴(83)에서는 지지구(36)는 복수장(예컨대, 50장)의 웨이퍼(2)로 이루어지는 배치(5)를 수취한다(웨이퍼 수취 단계 S2). 이 배치(5)는 상 기 배치 편성부(6)에서 편성된 것이다.
구체적으로는, 제어부(48)가 도 7에 도시하는 바와 같이, 배치 반송 기구(17)를 구동 제어하여 배치 반송 기구(17)에서 반송된 배치(5)를 구성하는 각 웨이퍼(2)를 지지구(36)의 지지체(38∼41)에 설치된 지지 홈(44∼47)에 적재한다.
다음에, 세정 서브루틴(83)에서는 지지구(36)에 적재된 웨이퍼(2)를 세정 처리조(49)의 내부에 저류된 순수에 침지하여 세정 처리의 준비를 행한다(세정 준비 단계 S3).
구체적으로는, 제어부(48)가 도 8에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(22)를 이용하여 지지구(36)를 세정 처리조(49)의 내부까지 강하시킴으로써, 지지구(36)에 적재된 웨이퍼(2)를 세정 처리조(49)의 내부에 저류된 순수에 침지한다.
다음에, 세정 서브루틴(83)에서는 세정 처리조(49)의 내부에서 웨이퍼(2)의 약액 처리가 행해진다(약액 처리 단계 S4).
구체적으로는 제어부(48)가 세정 처리조(49)의 개폐 밸브(56)를 폐색시킨 상태로 하고, 오버플로우조(57)의 개폐 밸브(60)를 개방시킨 상태로, 삼방 콕크(63)를 구동 제어하여 약액 공급원(62)으로부터 세정 처리조(49)의 세정액 공급 노즐(52, 53)을 통해 세정 처리조(49)의 내부에 약액(세정액)을 공급한다. 이것에 의해, 순수가 세정 처리조(49)로부터 오버플로우조(57)에 서서히 오버플로우되고, 최종적으로는 세정 처리조(49)의 내부에 약액이 저류된 상태가 된다. 그 후, 세정 처리조(49)의 내부에 저류된 약액에 침지된 웨이퍼(2)에 대하여 약액에 의해 세정 처리(약액 처리)가 실시된다.
또한, 이 약액 처리(약액 처리 단계 S4)에 있어서는 지지구(36)를 반복하여 승강시킴으로써, 약액의 내부에서 웨이퍼(2)를 승강시키는 지지구 승강 단계를 실행하여(도 10 참조), 웨이퍼(2)와 약액과의 접촉을 늘려 단시간에 양호하게 약액 처리가 행해지도록 하여도 좋다.
다음에, 세정 서브루틴(83)에서는 세정 처리조(49)의 내부에서 지지구(36)가 상승한다(지지구 상승 단계 S5).
구체적으로는 제어부(48)가 도 9에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(22)를 이용하여 지지구(36)를 세정 처리조(49)의 내부에서 상승시킨다. 이 때에, 제어부(48)는 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체의 상단 위치(LV4)까지의 거리(L2)보다도 짧아지도록 지지구(36)를 상승시킨다.
다음에, 세정 서브루틴(83)에서는 세정 처리조(49)의 내부에서 웨이퍼(2)의 린스 처리가 행해진다(린스 처리 단계 S6).
구체적으로는 제어부(48)가 세정 처리조(49)의 개폐 밸브(56)를 폐색시킨 상태로 하고, 오버플로우조(57)의 개폐 밸브(60)를 개방시킨 상태로, 삼방 콕크(63)를 구동 제어하여 순수 공급원(61)으로부터 세정 처리조(49)의 세정액 공급 노즐(52, 53)을 통해 세정 처리조(49)의 내부에 순수(세정액)를 공급한다. 이것에 의해, 약액이 세정 처리조(49)로부터 오버플로우조(57)에 서서히 오버플로우되고, 최종적으로는 세정 처리조(49)의 내부에 순수가 저류된 상태가 된다. 그 사이, 세정 처리조(49)의 내부에 저류된 순수에 침지된 웨이퍼(2)를 순수에 의해 세정 처리(린 스 처리)한다. 이 린스 처리는 센서(86)에서 검출된 비저항이 미리 설정한 값(예컨대, 14 MΩ㎝)까지 상승한 시점에서 종료한다.
여기서, 본 발명에서는 린스 처리를 행할 때에 지지구(36)를 상승시킴으로써, 웨이퍼(2)를 상승시켜 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체의 상단 위치(LV4)까지의 거리(L2)보다도 짧아지도록 하고 있다. 이 때문에, 린스액의 비저항이 소정의 값까지 상승하는 데 필요한 시간(린스 처리의 시간)을 단축할 수 있다.
이것은 지지구(36)를 상승시켜 웨이퍼(2)를 상승시킴으로써, 린스액의 액면과 피처리체의 상단 사이에 저류되어 있는 린스액의 양을 저감할 수 있고, 이것에 따라 대기로부터 린스액으로의 질소 가스나 탄산 가스 등의 용해량을 저감할 수 있기 때문이다.
즉, 웨이퍼(2)의 위치를 상이하게 하여 린스액의 비저항이 14 MΩcm로 회복될 때까지의 시간을 측정한 바, 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 짧아지면, 그것에 따라 린스액의 회복까지의 시간이 줄어드는 것을 알았다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
린스액 회복 시간 측정 결과
Figure 112007074626286-pat00001
표 1에서는 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체의 상단 위치(LV4)까지의 거리(L2)를 67 ㎜로 하고, 린스 처리시 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)를 67 ㎜, 32 mm, 12 mm[린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 웨이퍼(2)의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)를 50 ㎜, 80 ㎜, 100 mm]로 하여, 지지구(36)에 웨이퍼(2)를 적재한 경우와 적재하지 않은 경우에 린스액의 비저항이 14 MΩcm로 회복될 때까지의 시간을 측정한 결과를 나타내고 있다.
표 1로부터 지지구(36)에 웨이퍼(2)를 적재한 상태에서는 린스 처리시의 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지 거리(L1)가 67 mm, 32 mm, 12 mm[린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 웨이퍼(2)의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)가 50 mm, 80 ㎜, 100 ㎜]가 되도록 지지구(36)와 함께 웨이퍼(2)를 상승시키면, 그것에 따라 린스액의 비저항이 14 MΩcm로 회복될 때까지의 시간이 줄어든다. 한편, 지지구(36)에 웨이퍼(2)를 적재하지 않은 상태에서는 린스 처리시의 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 32 mm, 12 mm[린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 웨이퍼(2)의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)가 80 ㎜, 100 ㎜]가 되도록 지지구(36)만을 상승시켜도, 린스액의 비저항이 14 MΩcm로 회복될 때까지의 시간에 거의 변화가 없다.
이 표 1에서 나타낸 결과로부터, 린스액의 액면과 웨이퍼(2)의 상단 사이에 저류되어 있는 린스액의 양에 따라 질소 가스나 탄산 가스 등의 용해량이 상이하여, 린스액의 액면 위치(LV1)와 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2) 사이의 거리(L1)를 짧 게 함으로써, 혹은 린스액의 액면 위치(LV1)와 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2) 사이의 거리(L1)를 린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 웨이퍼(2)의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)보다도 짧게 함으로써, 린스액의 비저항이 소정의 값까지 상승하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있는 것이 확인되었다.
그래서, 본 발명에서는 린스 처리를 행할 때에, 지지구(36)를 상승시킴으로써, 웨이퍼(2)를 상승시켜 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체의 상단 위치(LV4)까지의 거리(L2)보다도 짧아지도록 하고 있다.
특히, 본 발명에서는 린스 처리를 행할 때에, 지지구(36)를 상승시킴으로써, 웨이퍼(2)를 상승시켜 린스액의 액면 위치(LV1)와 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2) 사이의 거리(L1)가 린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 웨이퍼(2)의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)보다도 짧아지도록 하고 있다.
또한, 본 발명에서는 약액 처리시에 지지구(36)를 반복 승강시키는 지지구 승강 단계를 실행한 경우에는 도 10에 도시하는 바와 같이, 승강하는 웨이퍼(2) 상단의 평균 위치(LV7)를 약액 처리시의 웨이퍼(2) 상단 위치(LV4)로 하여 지지구 상승 단계 S5에서 지지구(36)를 상승시키도록 하여도 좋다.
또한, 본 발명에서는 약액 처리시에 지지구(36)를 반복 승강시키는 지지구 승강 단계를 실행한 경우에는 도 10에 도시하는 바와 같이, 승강하는 웨이퍼(2) 상단의 최고 위치(V8)를 약액 처리시의 웨이퍼(2) 상단 위치(LV4)로 하여 지지구 상승 단계 S5에서 지지구(36)를 상승시키도록 하여도 좋다.
이와 같이, 본 발명에서는 지지구(36)를 상승시킴으로써 웨이퍼(2)를 상승시켜 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체의 상단 위치(LV4)까지의 거리(L2)보다도 짧아지도록 하거나, 혹은 린스액의 액면 위치(LV1)와 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2) 사이의 거리(L1)를 린스액의 바닥면 위치(LV5)로부터 웨이퍼(2)의 하단 위치(LV6)까지의 거리(L3)보다도 짧아지도록 하고 있다. 이 때문에, 린스액의 액면과 웨이퍼(2)의 상단 사이에 저류되어 있는 린스액의 양을 저감할 수 있고, 이것에 따라 대기로부터 린스 액으로의 질소 가스나 탄산 가스 등의 용해량을 저감할 수 있다. 이것에 의해, 린스액의 비저항이 소정의 값까지 상승하는 데 필요한 시간(린스 처리에 필요한 시간)을 단축할 수 있고, 세정 처리에 필요한 시간이 줄어들어 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 제조의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는 약액 처리와 린스 처리 사이에 지지구(36)를 상승시키지 않고, 린스 처리시의 린스액의 액면 위치(LV1)를 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)보다도 낮게 하여, 결과적으로 린스액의 액면 위치(LV1)로부터 웨이퍼(2)의 상단 위치(LV2)까지의 거리(L1)가 약액 처리시의 약액의 액면 위치(LV3)로부터 피처리체의 상단 위치(LV4)까지의 거리(LV2)보다도 짧아지도록 하여도 좋다.
마지막으로, 세정 서브루틴(83)에서는 지지구(36)에 적재된 웨이퍼(2)를 세정 처리조(49)의 내부로부터 건조 처리조(64)의 내부로 반송한다(웨이퍼 반송 단계 S7).
구체적으로는, 제어부(48)가 도 11에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(72)를 이용하여 건조 처리조(64)를 셔터 기구(65)의 바로 위쪽으로 강하시킨다. 다음에, 승강 기구(22)를 이용하여 지지구(36)를 세정 처리조(49)의 내부로부터 건조 처리조(64)의 내부까지 상승시킴으로써, 지지구(36)에 적재된 웨이퍼(2)를 건조 처리조(64)의 내부에 반송한다.
다음에, 건조 서브루틴(84)에서는 도 12에 도시하는 바와 같이, 우선, 셔터기구(65)의 셔터(68)에 의해 건조 처리조(64)의 하단 개구부를 폐색한다(셔터 폐색 단계 S8).
구체적으로는, 제어부(48)가 도 13에 도시하는 바와 같이, 개폐 기구(69)를 이용하여 셔터 기구(65)의 셔터(68)를 폐색하고, 이 셔터(68)를 건조 처리조(64)의 하단 개구부에 밀착시킨다.
다음에, 건조 서브루틴(84)에서는 건조 처리조(64)의 내부에 건조 증기를 공급한다(건조 증기 공급 단계 S9).
구체적으로는, 제어부(48)가 개폐 밸브(79)를 개방시킨 상태로 한다. 이것에 의해, 건조 증기 공급원(78)으로부터 건조 처리조(64)의 내부에 건조 증기 공급 노즐(74, 75)의 가스 토출구(76, 77)를 통해 소정 온도의 건조 증기가 공급된다.
마지막으로, 건조 서브루틴(84)은 세정 처리 및 건조 처리를 실시한 웨이퍼(2)를 배치 반송 기구(17)에 전달한다(웨이퍼 전달 단계 S10).
구체적으로는, 제어부(48)가 도 14에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(72)에 의해 건조 처리조(64)를 상승시키고, 배치 반송 기구(17)에 의해 지지구(36)로부터 웨이퍼(2)를 수취한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 평면도.
도 2는 액 처리 장치를 도시한 블록도.
도 3은 동 정면 단면도.
도 4는 동 측면 단면도.
도 5는 세정 서브루틴의 흐름도.
도 6은 액 처리 장치의 동작 설명도(초기 설정시).
도 7은 액 처리 장치의 동작 설명도(웨이퍼 수취시).
도 8은 액 처리 장치의 동작 설명도(약액 처리시).
도 9는 액 처리 장치의 동작 설명도(린스 처리시).
도 10은 액 처리 장치의 동작 설명도(웨이퍼 승강시).
도 11은 액 처리 장치의 동작 설명도(웨이퍼 반송시).
도 12는 건조 서브루틴의 흐름도.
도 13은 액 처리 장치의 동작 설명도(건조 처리시).
도 14는 액 처리 장치의 동작 설명도(웨이퍼 전달시).

Claims (15)

  1. 처리조와,
    처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와,
    처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와,
    처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
    지지구를 승강시키는 승강 기구와,
    승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액에 의한 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하고, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하고,
    제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 약액 처리시 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  5. 처리조와,
    처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와,
    처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
    지지구를 승강시키는 승강 기구와,
    승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  6. 처리조와,
    처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와,
    처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와,
    처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
    지지구를 승강시키는 승강 기구와,
    승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액에 의한 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서,
    처리조 내의 피처리체에 대하여 약액에 의해 약액 처리를 실시하는 단계와,
    약액 처리를 행한 후, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 단계
    를 구비하고,
    제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 약액 처리시의 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  9. 제6항에 있어서, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  10. 처리조와,
    처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와,
    처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
    지지구를 승강시키는 승강 기구와,
    승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서,
    처리조 내부에 린스액을 공급하여 피처리체를 린스액에 침지하는 단계와,
    제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하여 린스 처리를 행하는 단계
    을 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  11. 컴퓨터에, 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
    액 처리 방법은
    처리조와,
    처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와,
    처리조 내부에 약액을 공급하는 약액 공급부와,
    처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
    지지구를 승강시키는 승강 기구와,
    승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액에 의한 약액 처리를 행한 후에 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서,
    처리조 내의 피처리체에 대하여 약액에 의해 약액 처리를 실시하는 단계와,
    약액 처리를 행한 후, 제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 지지구를 이동 또는 유지하여, 피처리체를 약액 처리시보다도 액면에 대하여 상승시킨 위치에서 린스액에 의한 린스 처리를 행하는 단계
    를 구비하고,
    제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스 처리시에 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 약액 처리시의 약액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 상승시키는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체 상단의 평균 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  14. 제11항에 있어서, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 약액 처리시에 지지구를 반복하여 승강시키고, 승강하는 피처리체의 상단의 최고 위치를 상기 약액 처리시의 피처리체의 상단 위치로 하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  15. 컴퓨터에 액 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
    액 처리 방법은
    처리조와,
    처리조 내부에 설치되어 피처리체를 지지하기 위해 승강 가능하게 배치된 지지구와,
    처리조 내부에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
    지지구를 승강시키는 승강 기구와,
    승강 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고, 제어부는 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하는 액 처리 장치를 이용한 액 처리 방법에 있어서,
    처리조 내부에 린스액을 공급하여 피처리체를 린스액에 침지하는 단계와,
    제어부에 의해 승강 기구를 제어하여, 린스액의 액면 위치로부터 피처리체의 상단 위치까지의 거리가 린스액의 바닥면 위치로부터 피처리체의 하단 위치까지의 거리보다도 짧아지도록 지지구를 이동 또는 유지하여 린스 처리를 행하는 단계
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
JPH10150013A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6068002A (en) 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
US6158449A (en) * 1997-07-17 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying method and apparatus
JP3557580B2 (ja) 1998-04-16 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP2001015468A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Seiko Epson Corp 被処理基板の処理方法及び薬液処理装置
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3592702B1 (ja) 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR100830485B1 (ko) * 2004-04-02 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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