KR101266079B1 - 적층형 ｉｃ들을 위한 정전기적 방전（ｅｓｄ）실딩 - Google Patents

적층형 ｉｃ들을 위한 정전기적 방전（ｅｓｄ）실딩 Download PDF

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Abstract

미조립된(unassembled) 적층형 IC 소자(60)는 미조립된 층(41)을 포함한다. 상기 미조립된 적층형 IC 소자는 또한 상기 미조립된 층 상에 제 1 미패턴화된(unpatterned) 레이어를 포함한다. 제 1 미패턴화된 레이어는 ESD 이벤트들로부터 미조립된 층을 보호한다.

Description

적층형 ＩＣ들을 위한 정전기적 방전（ＥＳＤ）실딩{ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) SHIELDING FOR STACKED ICS}
본 개시내용은 일반적으로 적층형 집적 회로(IC)들에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시내용은 정전기적 방전으로부터 적층형 IC들을 실딩(shielding)하는 것에 관한 것이다.
정전기적 방전(ESD) 이벤트들은 일상 생활의 통상적인 부분이고 보다 큰 방전들 중 몇몇은 인간의 감각들에 의해 감지가능하다. 보다 작은 방전들은 방전이 발생하는 표면적에 대한 방전 세기의 비율이 매우 작기 때문에 인간의 감각들에 의해 감지되지 않은 채 지나간다.
IC들은 지난 수십 년에 걸쳐 믿을 수 없을 정도로 빠르게 축소되었다. 예를 들어, IC들 내의 트랜지스터들은 45 nm 까지 축소되었고 계속 축소될 가능성이 높다. 트랜지스터들의 크기가 축소됨에 따라, 트랜지스터들 주변의 지지 컴포넌트들 또한 일반적으로 축소된다. IC들의 축소는 표면적을 감소시킨다. 따라서, 표면적에 대한 주어진 방전 세기의 비율은 보다 작은 컴포넌트 크기들과 함께 증가하고 이러한 컴포넌트들은 보다 큰 범위의 ESD 이벤트들에 민감하게 된다.
제 1 전하량의 물체가 제 2의 보다 낮은 전하량의 물체 근처로 다가오거나 또는 이와 접촉할 때 ESD 이벤트가 발생한다. 차이는 단일한 이벤트로 방전된다. 2개의 물체들이 대략 동일한 전하량에 있도록 제 1 물체로부터 제 2 물체로 전하의 신속한 이동이 발생한다. 보다 낮은 전하량을 가진 물체가 IC인 경우, 이러한 방전은 IC를 통해 최소 저항의 경로를 찾으려고 시도한다. 전형적으로, 이러한 경로는 상호접속들을 통해 흐른다. 방전과 연관된 에너지를 견딜 수 없는 이러한 경로 중 임의의 부분은 손상을 입는다. 이러한 손상은 때때로 게이트 산화물에서 발생하고, 이는 일반적으로 IC들 내에서 방전에 가장 민감한 링크이다. 게이트 산화물이 손상되는 경우, 이것은 전형적으로 절연체로부터 도전체로 변화하고, 따라서 IC는 더 이상 요구되는 대로 기능하지 않을 것이다. ESD 이벤트에 대한 손상의 대안적 메커니즘들은 쓰루 실리콘 비아(through silicon via)에서 게이트 산화물이 파열되어 소자 내에 단락 회로를 생성하는 것 또는 상호접속에서 금속이 용해되어 소자 내에 개방 회로를 생성하는 것을 포함한다.
집적 회로들의 제조가 수행되는 제조 사이트(fabrication site)들은 제조 동안 ESD가 집적 회로들을 통하는 것을 방지하기 위한 프로시저들을 완성하고 구현한다. 예를 들어, 많은 전하들이 제조 동안 축적되지 않도록 하기 위한 설계 규칙들이 사용된다. 전통적으로, ESD 보호 구조물들 또한 기판 내에 만들어지고 보호를 위해 소자들에 연결된다. 이러한 구조물들은 그렇지 않으면 활성 회로를 위해 사용될 수 있는 기판 상의 상당한 양의 면적(각 ESD 버퍼에 대해 수십 내지 수백 제곱 마이크론)을 소모한다. 그러나, IC 제조 공정 동안 ESD 이벤트는 여전히 발생할 수 있다. IC에서 이러한 손상 사이트들을 감지하는 것은 어렵고, 이러한 손상이 제조 동안에 발생했다는 첫 번째 징후는 전형적으로 최종 생성물이 요구되는 대로 기능하지 않을 때 발생한다. 결과적으로 상당한 양의 시간 및 자원들이 올바르게 기능하지 않는 소자를 제조하는데 소비될 수 있다.
보다 향상된 IC 능력들에 있어서 하나의 최근 진보는 3-D 구조 또는 적층형 IC를 형성하기 위해 집적 회로들을 적층화하는 것이다. 이는 다수의 컴포넌트들이 별개의 층들에서 단일한 칩으로 제조될 수 있게 한다. 예를 들어, 메모리 캐시는 마이크로프로세서의 최상부에 제조될 수 있다. 결과적인 적층형 IC는 상당히 더 높은 밀도의 소자들을 가지고 상당히 더 복잡한 제조 방법들을 가진다. 적층형 IC들에서 층-대-층(tier-to-tier) 연결 밀도들은 100,100/㎠를 초과할 것임이 예상된다.
적층형 IC들에 대해, 제조자들은 하나의 제조 사이트에서 IC 제조 공정들의 제 1 세트를 수행하고 제 2 층을 위한 제조 공정들의 제 2 세트를 수행하는 제 2 제조 사이트로 이러한 IC 층을 수송할 수 있다. 그 후 제 3 사이트는 적층형 IC로 층들을 조립(assemble)할 수 있다. 집적 회로들의 층들이 제조 사이트들의 제어된 환경을 벗어나는 경우, 이들은 전체 적층형 IC가 쓸모없게 되도록 할 수 있는 잠재적인 ESD 이벤트들에 노출된다. 개별 층들이 적층화(즉, 적층형 IC를 생성하기 위해 함께 본딩)되기 전에, 이러한 층들은 ESD 이벤트들에 특히 취약하다.
결과적으로, 제조 공정 동안 제어된 환경들 밖으로 수송될 때 ESD 이벤트들로부터 적층형 집적 회로들의 개별 층들을 보호할 필요성이 존재한다.
본 개시내용의 일 양상에 따라, 미조립된(unassembled) 적층형 IC 소자는 미조립된 층을 포함한다. 상기 미조립된 적층형 IC 소자는 또한 미조립된 층 상의 제 1 미패턴화된(unpatterned) 레이어를 포함한다. 상기 제 1 미패턴화된 레이어는 ESD 이벤트들로부터 미조립된 층을 보호한다.
본 개시내용의 다른 양상에 따라, 적층형 IC 소자를 제조하기 위한 방법은 상기 적층형 IC 소자의 층을 제조하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 조립 플랜트로 수송하기 전에 상기 층 상에 미패턴화된 레이어를 증착하는 단계를 포함한다. 상기 미패턴화된 레이어는 ESD 이벤트들로부터 상기 층을 보호한다.
본 개시내용의 또 다른 양상에 따라, 적층형 IC 소자를 제조하기 위한 방법은 적층형 IC 소자의 층이 상기 적층형 IC 소자로 집적될 수 있도록 ESD 이벤트들로부터 상기 적층형 IC 소자의 층을 보호하는 미패턴화된 레이어를 변경(alter)하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 층을 상기 적층형 IC 소자로 집적시키는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 추가적인 양상에 따라, 미조립된 적층형 IC 소자는 상기 적층형 IC 소자를 조립하기 전에 ESD 이벤트들로부터 상기 미조립된 적층형 IC 소자를 실딩(shielding)하기 위한 수단을 포함한다.
상기 내용은 뒤따르는 발명의 상세한 설명이 보다 잘 이해될 수 있도록 본 발명의 특징들 및 기술적 이점들을 다소 광범위하게 개괄한 것이다. 본 발명의 청구항들의 주제를 이루는 본 발명의 추가적인 특징들 및 이점들이 이제부터 기술될 것이다. 개시되는 개념 및 특정 실시예가 본 발명의 동일 목적들을 수행하기 위한 다른 구조들을 수정 또는 설계하기 위한 기초로서 손쉽게 이용될 수 있음을 당업자는 인식할 것이다. 또한 이러한 균등한 구조들이 첨부된 청구항들에 제시되는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않음을 당업자는 인식할 것이다. 구성 및 동작 방법에 관하여, 추가적인 목적들 및 이점들과 함께 본 발명의 특징이라고 간주되는 신규한 특징들은 첨부되는 도면들과 관련하여 고려될 때 다음의 설명으로부터 보다 잘 이해될 것이다. 그러나 각각의 도면들은 단지 예시 및 설명의 목적을 위해 제공되고 본 발명의 한계들을 규정하는 것으로서 의도된 것이 아님을 명백하게 이해해야 한다.
본 개시내용에 대한 보다 완전한 이해를 위해서, 이제 첨부된 도면들과 관련하여 취해지는 다음의 설명에 대한 참조가 이루어진다.
도 1은 본 개시내용의 실시예가 유리하게 이용될 수 있는 예시적인 무선 통신 시스템을 도시하는 블록 다이어그램이다.
도 2는 회로 다이 및 회로를 통한 ESD 경로를 도시하는 블록 다이어그램이다.
도 3은 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 기존 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다.
도 4는 절연 보호 레이어를 이용하여 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 예시적인 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다.
도 5는 에칭 처리 이후 절연 보호 레이어를 이용하여 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 예시적인 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다.
도 6은 도전성 보호 레이어를 이용하여 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 예시적인 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다.
도 1은 본 개시내용의 실시예가 유리하게 이용될 수 있는 예시적인 무선 통신 시스템(100)을 도시하는 블록 다이어그램이다. 예시의 목적으로, 도 1은 3개의 원격 유닛들(120, 130 및 150) 및 2개의 기지국들(140)을 도시한다. 전형적인 무선 통신 시스템들은 수많은 보다 많은 원격 유닛들 및 기지국들을 가질 수 있음이 인식될 것이다. 원격 유닛들(120, 130 및 150)은 본원에서 개시되는 회로를 포함하는 IC 소자들(125A, 125B 및 125C)을 포함한다. IC를 포함하는 임의의 소자는 또한 기지국들, 스위칭 디바이스들, 및 네트워크 장비를 포함하여 본원에서 개시되는 회로를 포함할 수 있음이 인식될 것이다. 도 1은 기지국(140)으로부터 원격 유닛들(120, 130 및 150)로의 순방향 링크 신호들(180) 및 원격 유닛들(120, 130 및 150)로부터 기지국들(140)로의 역방향 링크 신호들(190)을 도시한다.
도 1에서, 원격 유닛(120)은 이동 전화기로 도시되고, 원격 유닛(130)은 휴대용 컴퓨터로 도시되며, 원격 유닛(150)은 무선 로컬 루프 시스템에서 고정된 위치 원격 유닛으로 도시된다. 예를 들어, 원격 유닛들은 셀 폰들, 핸드-헬드 개인용 통신 시스템(PCS) 유닛들, 개인 휴대 정보 단말기들과 같은 휴대용 데이터 유닛들, 또는 검침(meter reading) 장비와 같은 고정된 위치 데이터 유닛들일 수 있다. 도 1은 본 개시내용의 교시들에 따라 원격 유닛들을 도시하지만, 본 개시내용은 이러한 예시적인 도시된 유닛들로 제한되지 않는다. 본 개시내용은 이하 기술되는 것처럼 ESD 보호 방식들을 포함하는 임의의 디바이스에서 적합하게 이용될 수 있다.
이제 도 2를 참조하면, IC들에서의 하나의 ESD 문제가 기술될 것이다. 도 2는 회로 다이 및 회로를 통한 ESD 경로를 도시하는 블록 다이어그램이다. 소자(20)는 활성 측면(210)을 갖는 기판(21)을 포함한다. 활성 측면(210) 상에는 전계 효과 트랜지스터(FET)들을 위해 PNP 접합을 생성하는데 사용되는 도핑된 영역(212)이 존재한다. 활성 측면(210)의 최상부에는 특정 집적 회로의 제조를 위한 설계에 의해 특정된 다수의 레이어들이 제조된다. 예를 들어, 컨택 레이어(220)는 중간 레이어(224)에 결합될 수 있는 상호접속(222)에 결합될 수 있다. 중간 레이어(224)는 층-대-층 연결(228)에 결합될 수 있는 상호접속(226)에 결합될 수 있다. 부가적으로, 쓰루 실리콘 비아(TSV; 214)가 도시되고, 이는 컨택 레이어(220)에 결합될 수 있다.
웨이퍼의 핸들링 및 처리 동안, 소자(20) 보다 상대적으로 높은 전하량의 ESD 소스(23)가 기판(21) 근처로 다가오거나 기판(21)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, ESD 소스(23)는 층-대-층 연결(228)과 같은 노출된 연결과 접촉하게 될 수 있다. 노출된 연결 근처에서 또는 이와 접촉 시에, ESD 소스(23)는 평형상태에 도달하기 위해 소자(20)로 방전할 것이다. 전류 흐름(24)은 완전한 회로를 이루도록 형성될 것이다. 전류 흐름(24)은 소자(20)를 통해 최소 저항의 경로를 따를 것이다. 이러한 경우, 이러한 경로는 층-대-층 연결(228), 상호접속(226), 중간 레이어(224), 상호접속(222), 및 컨택 레이어(220)를 통과할 수 있다. 전류 흐름(24)은 그 후 기판(21)을 통해 쓰루 실리콘 비아(214)로 흐르고 컨택 레이어(220)를 통해, 상호접속(222), 중간 레이어(224), 상호접속(226), 및 층-대-층 연결(228)로 흘러 ESD 소스(23)와 닫힌 경로를 생성한다. 전류 흐름(24)의 경로에 있는 임의의 것은 잠재적으로 위에서 기술된 메커니즘들을 통해 소자(20)의 고장을 초래할 수 있는 손상을 입을 수 있다.
이제 도 3을 참조하면, ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 기존 수단이 검토될 것이다. 예를 들어, 소자(30)는 소자(20)와 유사한 회로 구성을 가진다. 정전기적 방전으로부터의 손상을 방지하는 것은 연결(312)에 의해 활성 회로에 연결된 ESD 소자(310)에 의해 성취된다. 상기 ESD 소자는 예를 들어 순방향 바이어스 보호를 위한 다이오드 및 역 바이어스 보호를 위한 추가적인 다이오드일 수 있다. 소자(30)를 통해 전류를 보내는 정전기적 방전 이벤트가 발생되는 경우, ESD 소자는 전류를 민감성 컴포넌트들로부터 ESD 소자(310) 쪽으로 전환시키는 최소 저항의 경로를 생성할 것이다. 소자(30)에서, ESD 이벤트들로부터의 손상이 감소되지만, 이는 그렇지 않으면 활성 회로를 위해 사용될 수 있는 면적을 소모하는 대가로 그러하다. 부가적으로, ESD 소자(310)는 소자 동작 동안 누설 전류들을 통해 전력을 소모한다. 배터리 전력으로 동작하는 통신 디바이스들에서, 이러한 전력 소모는 디바이스 동작을 단축시킬 수 있다. 부가적으로, ESD 소자(310)는 소자(30)의 컴포넌트들에 대한 기생적인 부하이다.
본 개시내용의 양상에 따르면, 소자 및 그것의 컴포넌트들은 소자 상에 박막 코팅을 증착함으로써 제어된 환경들 밖에 있는 동안 제조 공정 동안의 ESD 손상으로부터 보호된다. 이러한 코팅은 절연체(예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 폴리머), 반도체(예를 들어 실리콘), 또는 금속(예를 들어 구리)일 수 있다. 금속 또는 반도체 코팅은 ESD 이벤트로부터 유발되는 전류 흐름에 대해 상대적으로 낮은 저항 경로를 제공하고, 이에 의해 전류가 보호 레이어 하부의 민감성 컴포넌트들을 손상시키는 것을 방지한다. 대안적으로, 절연체 코팅은 ESD 이벤트로부터의 전류 흐름이 보호 레이어 하부의 컴포넌트들을 통과하는 것을 방지한다. 이러한 코팅의 몇몇 실시예들은 상세히 추가적으로 기술될 것이다.
일 실시예에 따르면, 절연 보호 레이어는 ESD 이벤트들로부터 소자를 보호하는데 사용된다. 절연 보호 레이어 용도로 사용될 수 있는 몇몇 물질들은 실리콘 산화물들, 실리콘 질화물들, 폴리머들, 포토레지스트, 또는 스핀 온 글래스(SOG)들을 포함한다. 보호 레이어의 두께는 회로 설계 및 제조 공정에 기초하여 변할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 이러한 레이어는 두께가 100Å-50000Å이다. 추가적인 ESD 방지가 요구되는 경우 두께는 증가될 수 있다. 보다 두꺼운 절연 레이어들은 파손(breakdown)을 경험하고 ESD 소스로부터 소자로의 전류 흐름을 허용하기 전에 보다 큰 전위차들을 견딜 수 있다. ESD 방지가 충분하고 보다 신속한 제조 공정들이 요구되는 경우, 레이어는 더 얇을 수 있다. 보다 얇은 절연 레이어들은 장래 처리에 있어서 더 쉽고 더 신속하게 제거 또는 패턴화될 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 레이어는 수송을 기계적으로 견디기에 충분히 두껍다.
이제 도 4를 참조하면, 절연체 보호 레이어의 보호 능력들이 기술될 것이다. 도 4는 절연 보호 레이어를 이용하여 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 예시적인 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다. 예를 들어, 소자(40)는 소자(20)와 유사한 구성을 가진다. 층-대-층 연결(428)의 제조가 완료된 후, 산화물 레이어(430)가 소자(40) 상에 증착된다. 산화물 레이어(430)는 패턴화되지 않고(unpatterned) 물질의 연속적 레이어로 잔존한다.
절연 보호 레이어가 증착되고 소자가 제 2의 제어된 환경(예를 들어 테스트 및 조립 플랜트)으로 수송된 이후, 적층형 IC의 조립 이전에 절연 보호 레이어가 제거될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 이러한 레이어는 습식 또는 건식 에칭과 같은 이용가능한 방법들을 이용하여 스트립될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 보호 레이어는 절연 보호 레이어 아래에서 층-대-층 연결들로의 접촉이 이루어질 수 있도록 패턴화될 수 있다. 절연 보호 레이어 내의 개구부들은 아래의 층-대-층 연결들을 드러내도록 에칭된다. 그 다음 금속 접촉들이 에칭된 개구부들에 증착될 수 있다. 이러한 에칭된 개구부들은 이제 보다 상세하게 기술될 것이다.
도 5는 에칭 처리 이후 절연 보호 레이어를 이용하여 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 예시적인 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다. 예를 들어, 소자(50)는 소자(40)와 유사한 구성을 가진다. 개구부(510)는 산화물 레이어(430) 내로 에칭된다. 층-대-층 연결(428)로의 접촉이 개구부(510)를 통해 만들어질 수 있어 추가적인 층들이 층(50) 상에 적층될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 금속 보호 레이어 또는 반도체 보호 레이어가 제어된 환경들 외부에서 ESD 이벤트들로부터 소자들을 보호할 수 있다. 이러한 배열에서, 연결들의 최종 레이어는 패턴화되지 않은 채 남겨지고, 결과적으로 미패턴화된(unpatterned) 금속 레이어가 소자 표면 상에 잔존하게 된다. 이러한 레이어는, ESD 이벤트로부터 발생하는 임의의 전류가 IC를 통해서 대신에 보호 레이어를 통해서 흐르도록 패턴화되지 않은 채 남겨진다. 최종 연결들은 제 2 제조 사이트로의 수송 이후 보호 금속 레이어로부터 패턴화된다. 금속은 예를 들어 소자 설계에 따라 구리 또는 알루미늄일 수 있다. 일 실시예에서, 폴리-실리콘과 같은 반도체 물질들이 사용된다. 보호 레이어의 두께는 수송을 기계적으로 견디고 ESD 소스들로부터 예상되는 전류 밀도들을 전기적으로 견디기에 충분히 두꺼워야 한다.
이제 도 6을 참조하면, 도전성 보호 레이어의 보호 능력이 기술된다. 도 6은 도전성 보호 레이어를 이용하여 ESD 이벤트들로부터의 손상을 방지하기 위한 예시적인 배열을 도시하는 블록 다이어그램이다. 예를 들어, 소자(60)는 소자(20)와 유사한 구성을 가진다. 이러한 예에서, 층-대-층 연결(428)은 제조되지 않는다. 대신에 보호 금속 레이어(610)가 소자(60)의 표면 상에 잔존한다. 소자(60)가 ESD 소스(62)와 접촉하게 되는 경우, 전류 흐름(63)은 전류가 ESD 소스(62)로부터 소자(60)로 흐를 수 있도록 형성된다. 보호 금속 레이어(610)는 최소 저항의 경로이고 전류 흐름(63)은 전적으로 보호 금속 레이어(610)를 통과한다. 따라서, 보호 금속 레이어(610) 하부의 컴포넌트들에 대한 손상이 감소된다.
금속 보호 레이어의 경우, 어떠한 추가적인 비용들 또는 프로시저들도 제조 공정에 부가되지 않는다. 상호접속들을 형성하도록 전형적으로 패턴화된 금속 레이어는 연속적인 금속 레이어가 다이 표면 상에 잔존하도록 패턴화되지 않은 채 남겨진다. 이러한 금속 레이어는, 다른 제조 설비에 다이가 도달할 때까지(이 시점에 레이어가 상호접속들로 패턴화됨) 보호 레이어의 역할을 한다. 절연체 보호 레이어의 경우, 추가적인 프로시저들 및 레이어들이 구현된다; 그러나, 이러한 레이어들의 추가적인 비용은 ESD 소자들을 실리콘으로 제조하지 않는 것으로부터 획득되는 절감 및 차지하는 실리콘 면적에 있어서의 절감에 의해 벌충(offset)된다.
특정 회로가 제시되었지만, 당업자는 본 개시내용을 실시하기 위해 개시된 회로 모두가 요구되는 것은 아님을 인식할 것이다. 또한 본 개시내용에 대한 집중을 유지하기 위해 몇몇 공지된 회로들은 기술되지 않았다.
본 발명 및 이의 장점들이 상세히 기술되었지만, 첨부된 청구범위에 의해 규정되는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본원에서 다양한 변화들, 대체들 및 변경들이 이루어질 수 있음이 이해되어야 한다. 또한 본원의 범위는 본 명세서에 기술된 공정, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법들 및 단계들의 특정 실시예들로 제한되도록 의도되지는 않는다. 당업자가 본 발명의 개시내용으로부터 쉽게 인식할 것처럼, 본원에서 기술된 대응하는 실시예들과 실질적으로 동일한 기능을 수행하거나 실질적으로 동일한 결과를 성취하는, 현재 존재하거나 이후에 발전될, 공정들, 기계들, 제조, 물질의 조성들, 수단, 방법들, 또는, 단계들이 본 발명에 따라 이용될 수 있다. 따라서 첨부된 청구범위는 그 범위 내에 이러한 공정들, 기계들, 제조, 물질의 조성들, 수단, 방법들 또는 단계들을 포함시키도록 의도된다.

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  11. 적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법으로서,
    상기 적층형 IC 소자의 층을 제조하는 단계 ― 상기 층은 다수의 층-대-층 연결들 및 쓰루 비아를 포함하고, 상기 층은 상기 층-대-층 연결들을 사용하여 상기 적층형 IC 소자 내의 또다른 층과 통신하도록 구성됨 ―; 및
    상기 층-대-층 연결들 상에 임시적인 미패턴화된 정전기적 방전(ESD) 보호 레이어를 증착하는 단계 ―상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어는 상기 층-대-층 연결들을 노출시키고, 상기 층을 적층형 IC로 집적하는 것을 허용하기 위해 제거가능하고, 상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어는 절연성 레이어임―
    를 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어를 증착하는 단계는 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물, 또는 폴리머 중 하나를 증착하는 단계를 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법.
  14. 삭제
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  16. 적층형 집적 회로(IC) 소자를 제조하기 위한 방법으로서,
    상기 적층형 IC 소자의 층의 층-대-층 연결들을 노출시키도록 상기 적층형 IC 소자의 층 상에 배치된 임시적인 미패턴화된 정전기적 방전 (ESD) 보호 레이어를 제거함으로써 상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어를 변경(alter)하는 단계 ― 상기 층은 쓰루 비아를 포함하며, 상기 층은 노출된 상기 층-대-층 연결들을 사용하여 상기 적층형 IC 소자 내의 또다른 층과 통신하도록 구성되며, 상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어는 절연성 레이어임 ―; 및
    상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어를 변경한 후에 상기 층을 상기 적층형 IC 소자로 집적시키는 단계
    를 포함하는, 적층형 집적 회로(IC) 소자를 제조하기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어는 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물 또는 폴리머 중 하나를 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 제조하기 위한 방법.
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  26. 적층형 집적 회로(IC) 소자를 제조하기 위한 방법으로서,
    상기 적층형 IC 소자의 층을 제조하는 단계 ― 상기 층은 다수의 층-대-층 연결들 및 쓰루 비아를 포함하고, 상기 층은 상기 층-대-층 연결들을 사용하여 상기 적층형 IC 소자 내의 또다른 층과 통신하도록 구성됨 ―;
    상기 층-대-층 연결들 상에 임시적인 미패턴화된 정전기적 방전(ESD) 보호 레이어를 증착하는 단계 ― 상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어는 절연성 레이어임 ―;
    상기 층-대-층 연결들을 노출시키기 위해 상기 임시적인 미패턴화된 정전기적 방전(ESD) 보호 레이어를 제거함으로써 상기 층-대-층 연결들을 노출시키는 단계; 및
    상기 층-대-층 연결들을 노출시킨 후에 상기 층을 상기 적층형 IC 소자로 집적시키는 단계
    를 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어를 증착하는 단계는 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물 및 폴리머 중 하나를 증착하는 단계를 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 임시적인 미패턴화된 정전기적 방전(ESD) 보호 레이어를 제거하는 것은 상기 적층형 IC 소자의 층-대-층 연결들을 노출시키기 위해 상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어의 적어도 일부를 식각하는 것을 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 임시적인 미패턴화된 정전기적 방전(ESD) 보호 레이어를 제거하는 것은 상기 적층형 IC 소자의 층-대-층 연결들을 노출시키기 위해 상기 임시적인 미패턴화된 ESD 보호 레이어를 스트립(strip)하는 것을 포함하는,
    적층형 집적 회로(IC) 소자를 보호하기 위한 방법.
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Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8873585B2 (en) 2006-12-19 2014-10-28 Corning Optical Communications Wireless Ltd Distributed antenna system for MIMO technologies
WO2008103374A2 (en) 2007-02-19 2008-08-28 Mobile Access Networks Ltd. Method and system for improving uplink performance
US20100054746A1 (en) 2007-07-24 2010-03-04 Eric Raymond Logan Multi-port accumulator for radio-over-fiber (RoF) wireless picocellular systems
US8175459B2 (en) 2007-10-12 2012-05-08 Corning Cable Systems Llc Hybrid wireless/wired RoF transponder and hybrid RoF communication system using same
EP2203799A4 (en) 2007-10-22 2017-05-17 Mobileaccess Networks Ltd. Communication system using low bandwidth wires
US8175649B2 (en) 2008-06-20 2012-05-08 Corning Mobileaccess Ltd Method and system for real time control of an active antenna over a distributed antenna system
US8644844B2 (en) * 2007-12-20 2014-02-04 Corning Mobileaccess Ltd. Extending outdoor location based services and applications into enclosed areas
AU2010210771B2 (en) 2009-02-03 2015-09-17 Corning Cable Systems Llc Optical fiber-based distributed antenna systems, components, and related methods for calibration thereof
US9673904B2 (en) 2009-02-03 2017-06-06 Corning Optical Communications LLC Optical fiber-based distributed antenna systems, components, and related methods for calibration thereof
AU2010210766A1 (en) 2009-02-03 2011-09-15 Corning Cable Systems Llc Optical fiber-based distributed antenna systems, components, and related methods for monitoring and configuring thereof
JP5649588B2 (ja) 2009-02-08 2015-01-07 コーニング モバイルアクセス エルティディ． イーサネット信号を搬送するケーブルを用いる通信システム
US9590733B2 (en) 2009-07-24 2017-03-07 Corning Optical Communications LLC Location tracking using fiber optic array cables and related systems and methods
US8548330B2 (en) 2009-07-31 2013-10-01 Corning Cable Systems Llc Sectorization in distributed antenna systems, and related components and methods
US8280259B2 (en) 2009-11-13 2012-10-02 Corning Cable Systems Llc Radio-over-fiber (RoF) system for protocol-independent wired and/or wireless communication
US8275265B2 (en) 2010-02-15 2012-09-25 Corning Cable Systems Llc Dynamic cell bonding (DCB) for radio-over-fiber (RoF)-based networks and communication systems and related methods
CN102845001B (zh) 2010-03-31 2016-07-06 康宁光缆系统有限责任公司 基于光纤的分布式通信组件及系统中的定位服务以及相关方法
US20110268446A1 (en) 2010-05-02 2011-11-03 Cune William P Providing digital data services in optical fiber-based distributed radio frequency (rf) communications systems, and related components and methods
US9525488B2 (en) 2010-05-02 2016-12-20 Corning Optical Communications LLC Digital data services and/or power distribution in optical fiber-based distributed communications systems providing digital data and radio frequency (RF) communications services, and related components and methods
US8570914B2 (en) 2010-08-09 2013-10-29 Corning Cable Systems Llc Apparatuses, systems, and methods for determining location of a mobile device(s) in a distributed antenna system(s)
CN103119865A (zh) 2010-08-16 2013-05-22 康宁光缆系统有限责任公司 支持远程天线单元之间的数字数据信号传播的远程天线集群和相关系统、组件和方法
US9252874B2 (en) 2010-10-13 2016-02-02 Ccs Technology, Inc Power management for remote antenna units in distributed antenna systems
US9160449B2 (en) 2010-10-13 2015-10-13 Ccs Technology, Inc. Local power management for remote antenna units in distributed antenna systems
CN103314556B (zh) 2010-11-24 2017-09-08 康宁光缆系统有限责任公司 用于分布式天线系统的能够带电连接和/或断开连接的配电模块及相关电力单元、组件与方法
US11296504B2 (en) 2010-11-24 2022-04-05 Corning Optical Communications LLC Power distribution module(s) capable of hot connection and/or disconnection for wireless communication systems, and related power units, components, and methods
TWI416706B (zh) * 2010-12-20 2013-11-21 Univ Nat Chiao Tung 三維積體電路的靜電放電防護結構
EP2678972B1 (en) 2011-02-21 2018-09-05 Corning Optical Communications LLC Providing digital data services as electrical signals and radio-frequency (rf) communications over optical fiber in distributed communications systems, and related components and methods
US8633562B2 (en) * 2011-04-01 2014-01-21 Qualcomm Incorporated Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (ESD) protection
EP2702780A4 (en) 2011-04-29 2014-11-12 Corning Cable Sys Llc SYSTEMS, METHODS AND DEVICES FOR INCREASING HIGH-FREQUENCY (HF) PERFORMANCE IN DISTRIBUTED ANTENNA SYSTEMS
WO2012148938A1 (en) 2011-04-29 2012-11-01 Corning Cable Systems Llc Determining propagation delay of communications in distributed antenna systems, and related components, systems and methods
EP2829152A2 (en) 2012-03-23 2015-01-28 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Radio-frequency integrated circuit (rfic) chip(s) for providing distributed antenna system functionalities, and related components, systems, and methods
WO2013148986A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Corning Cable Systems Llc Reducing location-dependent interference in distributed antenna systems operating in multiple-input, multiple-output (mimo) configuration, and related components, systems, and methods
US9781553B2 (en) 2012-04-24 2017-10-03 Corning Optical Communications LLC Location based services in a distributed communication system, and related components and methods
WO2013162988A1 (en) 2012-04-25 2013-10-31 Corning Cable Systems Llc Distributed antenna system architectures
WO2013181247A1 (en) 2012-05-29 2013-12-05 Corning Cable Systems Llc Ultrasound-based localization of client devices with inertial navigation supplement in distributed communication systems and related devices and methods
US9154222B2 (en) 2012-07-31 2015-10-06 Corning Optical Communications LLC Cooling system control in distributed antenna systems
EP2883416A1 (en) 2012-08-07 2015-06-17 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Distribution of time-division multiplexed (tdm) management services in a distributed antenna system, and related components, systems, and methods
US9455784B2 (en) 2012-10-31 2016-09-27 Corning Optical Communications Wireless Ltd Deployable wireless infrastructures and methods of deploying wireless infrastructures
US10257056B2 (en) 2012-11-28 2019-04-09 Corning Optical Communications LLC Power management for distributed communication systems, and related components, systems, and methods
CN105308876B (zh) 2012-11-29 2018-06-22 康宁光电通信有限责任公司 分布式天线系统中的远程单元天线结合
US9647758B2 (en) 2012-11-30 2017-05-09 Corning Optical Communications Wireless Ltd Cabling connectivity monitoring and verification
US9158864B2 (en) 2012-12-21 2015-10-13 Corning Optical Communications Wireless Ltd Systems, methods, and devices for documenting a location of installed equipment
US9497706B2 (en) 2013-02-20 2016-11-15 Corning Optical Communications Wireless Ltd Power management in distributed antenna systems (DASs), and related components, systems, and methods
EP3008828B1 (en) 2013-06-12 2017-08-09 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Time-division duplexing (tdd) in distributed communications systems, including distributed antenna systems (dass)
CN105452951B (zh) 2013-06-12 2018-10-19 康宁光电通信无线公司 电压控制式光学定向耦合器
US9247543B2 (en) 2013-07-23 2016-01-26 Corning Optical Communications Wireless Ltd Monitoring non-supported wireless spectrum within coverage areas of distributed antenna systems (DASs)
US9661781B2 (en) 2013-07-31 2017-05-23 Corning Optical Communications Wireless Ltd Remote units for distributed communication systems and related installation methods and apparatuses
EP3039814B1 (en) 2013-08-28 2018-02-21 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Power management for distributed communication systems, and related components, systems, and methods
US9385810B2 (en) 2013-09-30 2016-07-05 Corning Optical Communications Wireless Ltd Connection mapping in distributed communication systems
EP3064032A1 (en) 2013-10-28 2016-09-07 Corning Optical Communications Wireless Ltd Unified optical fiber-based distributed antenna systems (dass) for supporting small cell communications deployment from multiple small cell service providers, and related devices and methods
WO2015079435A1 (en) 2013-11-26 2015-06-04 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Selective activation of communications services on power-up of a remote unit(s) in a distributed antenna system (das) based on power consumption
US9178635B2 (en) 2014-01-03 2015-11-03 Corning Optical Communications Wireless Ltd Separation of communication signal sub-bands in distributed antenna systems (DASs) to reduce interference
US9775123B2 (en) 2014-03-28 2017-09-26 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Individualized gain control of uplink paths in remote units in a distributed antenna system (DAS) based on individual remote unit contribution to combined uplink power
US9357551B2 (en) 2014-05-30 2016-05-31 Corning Optical Communications Wireless Ltd Systems and methods for simultaneous sampling of serial digital data streams from multiple analog-to-digital converters (ADCS), including in distributed antenna systems
US9509133B2 (en) 2014-06-27 2016-11-29 Corning Optical Communications Wireless Ltd Protection of distributed antenna systems
US9525472B2 (en) 2014-07-30 2016-12-20 Corning Incorporated Reducing location-dependent destructive interference in distributed antenna systems (DASS) operating in multiple-input, multiple-output (MIMO) configuration, and related components, systems, and methods
US9730228B2 (en) 2014-08-29 2017-08-08 Corning Optical Communications Wireless Ltd Individualized gain control of remote uplink band paths in a remote unit in a distributed antenna system (DAS), based on combined uplink power level in the remote unit
US9653861B2 (en) 2014-09-17 2017-05-16 Corning Optical Communications Wireless Ltd Interconnection of hardware components
US9602210B2 (en) 2014-09-24 2017-03-21 Corning Optical Communications Wireless Ltd Flexible head-end chassis supporting automatic identification and interconnection of radio interface modules and optical interface modules in an optical fiber-based distributed antenna system (DAS)
US9184960B1 (en) 2014-09-25 2015-11-10 Corning Optical Communications Wireless Ltd Frequency shifting a communications signal(s) in a multi-frequency distributed antenna system (DAS) to avoid or reduce frequency interference
US9420542B2 (en) 2014-09-25 2016-08-16 Corning Optical Communications Wireless Ltd System-wide uplink band gain control in a distributed antenna system (DAS), based on per band gain control of remote uplink paths in remote units
US10659163B2 (en) 2014-09-25 2020-05-19 Corning Optical Communications LLC Supporting analog remote antenna units (RAUs) in digital distributed antenna systems (DASs) using analog RAU digital adaptors
WO2016071902A1 (en) 2014-11-03 2016-05-12 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Multi-band monopole planar antennas configured to facilitate improved radio frequency (rf) isolation in multiple-input multiple-output (mimo) antenna arrangement
WO2016075696A1 (en) 2014-11-13 2016-05-19 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Analog distributed antenna systems (dass) supporting distribution of digital communications signals interfaced from a digital signal source and analog radio frequency (rf) communications signals
US9729267B2 (en) 2014-12-11 2017-08-08 Corning Optical Communications Wireless Ltd Multiplexing two separate optical links with the same wavelength using asymmetric combining and splitting
WO2016098111A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Digital- analog interface modules (da!ms) for flexibly.distributing digital and/or analog communications signals in wide-area analog distributed antenna systems (dass)
WO2016098109A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Digital interface modules (dims) for flexibly distributing digital and/or analog communications signals in wide-area analog distributed antenna systems (dass)
US20160249365A1 (en) 2015-02-19 2016-08-25 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Offsetting unwanted downlink interference signals in an uplink path in a distributed antenna system (das)
US9785175B2 (en) 2015-03-27 2017-10-10 Corning Optical Communications Wireless, Ltd. Combining power from electrically isolated power paths for powering remote units in a distributed antenna system(s) (DASs)
US9681313B2 (en) 2015-04-15 2017-06-13 Corning Optical Communications Wireless Ltd Optimizing remote antenna unit performance using an alternative data channel
US9948349B2 (en) 2015-07-17 2018-04-17 Corning Optical Communications Wireless Ltd IOT automation and data collection system
KR102405657B1 (ko) * 2015-09-22 2022-07-01 지멕주식회사 Esd 방지 코팅 구조 및 esd 방지 코팅 구조의 제조 방법
US10560214B2 (en) 2015-09-28 2020-02-11 Corning Optical Communications LLC Downlink and uplink communication path switching in a time-division duplex (TDD) distributed antenna system (DAS)
US9648580B1 (en) 2016-03-23 2017-05-09 Corning Optical Communications Wireless Ltd Identifying remote units in a wireless distribution system (WDS) based on assigned unique temporal delay patterns
US10236924B2 (en) 2016-03-31 2019-03-19 Corning Optical Communications Wireless Ltd Reducing out-of-channel noise in a wireless distribution system (WDS)
EP4075608A1 (en) 2021-04-12 2022-10-19 Sofamel, SLU Earthing assembly of an electrical conductor of an overhead electrical line

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4883543A (en) * 1980-06-05 1989-11-28 Texas Instruments Incroporated Shielding for implant in manufacture of dynamic memory
JPS6276564A (ja) * 1986-08-25 1987-04-08 Hitachi Ltd 半導体装置
US5138438A (en) * 1987-06-24 1992-08-11 Akita Electronics Co. Ltd. Lead connections means for stacked tab packaged IC chips
US5448095A (en) * 1993-12-20 1995-09-05 Eastman Kodak Company Semiconductors with protective layers
US5869869A (en) * 1996-01-31 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Microelectronic device with thin film electrostatic discharge protection structure
JPH09326465A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6064094A (en) * 1998-03-10 2000-05-16 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection system for integrated circuits using the bonding pads and passivation layer
US6130459A (en) * 1998-03-10 2000-10-10 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection device for integrated circuits
US6534422B1 (en) * 1999-06-10 2003-03-18 National Semiconductor Corporation Integrated ESD protection method and system
JP4251421B2 (ja) * 2000-01-13 2009-04-08 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6762076B2 (en) * 2002-02-20 2004-07-13 Intel Corporation Process of vertically stacking multiple wafers supporting different active integrated circuit (IC) devices
JP4489345B2 (ja) * 2002-12-13 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
CN100495701C (zh) * 2005-11-11 2009-06-03 财团法人工业技术研究院 具有梁柱结构的三维晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法
US20070161150A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Intel Corporation Forming ultra dense 3-D interconnect structures
US20080122078A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Jun He Systems and methods to passivate on-die redistribution interconnects
JP2008205375A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

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