KR101265009B1

KR101265009B1 - 전지 잔량 산출 회로

Info

Publication number: KR101265009B1
Application number: KR1020110089461A
Authority: KR
Inventors: 스스무 야마다; 히데오 곤도; 세이지 다까이
Original assignee: 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨
Priority date: 2010-09-06
Filing date: 2011-09-05
Publication date: 2013-05-24
Also published as: US9261567B2; TW201217817A; EP2426503A2; US20120056596A1; US8664919B2; US20140176146A1; CN102385040A; JP5608485B2; JP2012057985A; CN102385040B; KR20120025985A

Abstract

전지의 출력 전압에 기초하여 고정밀도로 전지 잔량을 산출한다.
전지 잔량 산출 회로는, 전지의 출력 전압을 검출하는 검출부와, 전지가 복수의 전류값 각각으로 충전 또는 방전된 경우에 있어서의 전지의 용량에 대한 전지의 잔량의 비율과, 출력 전압의 관계를 나타내는 제1 데이터를, 복수의 전류값 각각에 대응시켜 기억하는 제1 데이터 기억부와, 전지의 잔량에 따른 제2 데이터를 기억하는 제2 데이터 기억부와, 제1 데이터와, 제2 데이터와, 출력 전압에 기초하여 전지의 충방전 전류를 산출하는 제1 산출부와, 산출된 충방전 전류에 기초하여, 제2 데이터를 갱신하는 갱신부를 구비하는 것으로 한다.

Description

전지 잔량 산출 회로 {CIRCUIT FOR CALCULATING REMAINING ELECTRIC CHARGE OF BATTERY}

본 발명은, 전지 잔량 산출 회로에 관한 것이다.

휴대 전화, 디지털 카메라 등의 휴대용 전자 기기에서는, 전원으로서 사용되는 전지의 잔량을 산출하여, 전지 잔량을 표시하는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 전지 잔량을 산출하는 방법으로서는, 예를 들어 전지의 출력 전압을 검출하여 전지 잔량을 산출하는 방법과, 전지의 충방전 전류를 검출하여 전지 잔량을 산출하는 방법이 있다(예를 들어, 특허문헌 1 및 2 참조).

일본 특허 공개 제2005-345172호 공보 일본 특허 공개 제2007-240523호 공보

전지의 출력 전압에 기초하여 전지 잔량을 산출하는 방법에서는, 예를 들어 전지의 출력 전압을 검출하는 마이크로컴퓨터 등이, 전지의 출력 전압으로부터 일의적으로 전지 잔량을 산출한다. 그러나, 전지의 출력 전압은, 전지에 접속되는 부하의 부하 전류나, 전지의 내부 저항의 변화 등에 따라서 변화한다. 이로 인해, 전지의 출력 전압으로부터만 전지 잔량을 산출하는 방법으로는, 고정밀도로 전지 잔량을 산출하는 것이 어렵다. 한편, 전지의 충방전 전류에 기초하여 전지 잔량을 검출하는 방법에서는, 예를 들어 전지의 충방전 전류를 검출하는 마이크로컴퓨터 등이, 충방전 전류를 적산함으로써 전지 잔량을 산출하기 때문에, 전지 잔량을 고정밀도로 산출할 수 있다. 그러나, 충방전 전류를 검출하기 위해서는, 충방전 전류를 검출하기 위한 저항 등을 전지에 직렬로 접속할 필요가 있기 때문에, 전원으로서의 효율이 악화된다. 또한, 전지 팩 내에 충방전 전류를 검출하는 AD(Analog to Digital) 컨버터, 마이크로컴퓨터 등을 설치할 필요가 있기 때문에, 전지 팩이 고가로 된다는 문제가 있다.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 전지의 출력 전압에 기초하여 고정밀도로 전지 잔량을 산출하는 것이 가능한 전지 잔량 산출 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 한 측면에 관한 전지 잔량 산출 회로는, 전지의 출력 전압을 검출하는 검출부와, 상기 전지가 복수의 전류값 각각으로 충전 또는 방전된 경우에 있어서의 상기 전지의 용량에 대한 상기 전지의 잔량의 비율과, 상기 출력 전압의 관계를 나타내는 제1 데이터를, 상기 복수의 전류값 각각에 대응시켜 기억하는 제1 데이터 기억부와, 상기 전지의 잔량에 따른 제2 데이터를 기억하는 제2 데이터 기억부와, 상기 제1 데이터와, 상기 제2 데이터와, 상기 출력 전압에 기초하여 상기 전지의 충방전 전류를 산출하는 제1 산출부와, 산출된 상기 충방전 전류에 기초하여, 상기 제2 데이터를 갱신하는 갱신부를 구비하는 것으로 한다.

전지의 출력 전압에 기초하여 고정밀도로 전지 잔량을 산출하는 것이 가능한 전지 잔량 산출 회로를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태인 전지 잔량 표시 회로(10)의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 전지 잔량 산출 회로(20)의 구성을 도시하는 도면.
도 3은 메모리(42)의 구성을 도시하는 도면.
도 4는 데이터 테이블(61)에 기억되는 충방전 데이터(100a)를 설명하기 위한 도면.
도 5는 데이터 테이블(61)에 기억되는 충방전 데이터(100a)를 설명하기 위한 도면.
도 6은 데이터 테이블(61)에 기억되는 충방전 데이터(100)를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 CPU(45)가 프로그램을 실행함으로써 실현되는 기능 블록의 구성을 도시하는 도면이다.

본 명세서 및 첨부 도면의 기재에 의해, 적어도 이하의 사항이 명확해진다.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태인 전지 잔량 표시 회로(10)의 구성을 도시하는 도면이다. 전지 잔량 표시 회로(10)는, 예를 들어 휴대 전화(도시하지 않음)에 설치되고, 휴대 전화의 전지 팩(11)에 있어서의 전지(30)의 잔량을, 휴대 전화의 표시부(12)에 표시하기 위한 회로이다. 또한, 전지 잔량 표시 회로(10)는, 전지 잔량 산출 회로(20), 전원 회로(21), 마이크로컴퓨터(22) 및 구동 회로(23)를 포함하여 구성된다.

전지 팩(11)은, 휴대 전화를 동작시키기 위한 전원으로서 사용되는 전지 팩이며, 예를 들어 충전 가능한 리튬 이온 전지 등의 전지(30)와, 전지(30)의 온도에 따른 전압(Vt)을 생성하는 서미스터(31)를 포함하여 구성된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 전지(30)의 마이너스측 전극과 플러스측 전극 사이에 발생하는 전압을, 전지(30)의 출력 전압(Vb)으로 한다.

표시부(12)는, 문자나 영상 등을 표시하기 위해 휴대 전화에 설치된 예를 들어 액정 패널 등의 표시 화면이다.

조작부(13)는, 휴대 전화를 조작하기 위한, 예를 들어 다이얼 키, 전원 키 등(도시하지 않음)의 각종 키패드이며, 키패드의 조작에 따른 제어 데이터(CONT)를 출력한다. 예를 들어, 이용자가, 휴대 전화를 기동시키기 위해 조작부(13)에 있어서의 전원 키를 조작하면, 휴대 전화를 기동시키기 위한 제어 데이터(CONT)가 조작부(13)로부터 출력된다.

시스템 LSI(Large Scale Integration)(14)는, 예를 들어 휴대 전화에 있어서 통신 등의 각종 기능을 실현하는 회로이다.

전지(15)는, 예를 들어 버튼 전지 등의 일차 전지이며, 휴대 전화의 전원이 오프되었을 때에 휴대 전화의 시각 등을 갱신시키기 위한 리얼 타임 클록 회로(도시하지 않음) 등을 동작시키기 위하여 사용된다.

전원 회로(16)는, 후술하는 전지 잔량 산출 회로(20)로부터의 인에이블 신호(EN)가 입력되면, 전지(30)의 출력 전압(Vb)에 기초하여, 예를 들어 시스템 LSI(14) 등을 동작할 수 있는 전원을 생성하는 회로이다.

전지 잔량 산출 회로(20)는, 휴대 전화를 기동시키기 위한 제어 데이터(CONT)가 입력되면, 전지(30)의 출력 전압(Vb)을 저항(17, 18)으로 분압한 전압(Vm)과, 서미스터(31)로부터의 전압(Vt)에 기초하여 전지(30)의 잔량을 산출하는 마이크로컴퓨터이다. 또한, 상세한 것은 후술하겠지만, 본 실시 형태의 전지 잔량 산출 회로(20)는, 전지(30)의 잔량의 산출을 개시하면, 전원 회로(16)를 기동시키기 위한 인에이블 신호(EN)를 생성함과 함께, 산출한 잔량이나, 전지(30)의 온도를 나타내는 전압(Vt) 등에 따른 데이터(DO)를 마이크로컴퓨터(22)에 송신한다.

전원 회로(21)는, 전지(15)로부터 전지 잔량 산출 회로(20)가 동작하기 위한 전원을 생성하는 회로이다.

마이크로컴퓨터(22)는, 조작부(13)의 조작 결과에 따른 제어 데이터(CONT)에 기초하여, 휴대 전화를 통괄 제어하는 회로이다. 또한, 마이크로컴퓨터(22)는, 전지 잔량 산출 회로(20)로부터 출력되는 데이터(DO)를, 표시부(12)를 구동하는 구동 회로(23)에 전송한다.

구동 회로(23)는, 마이크로컴퓨터(22)로부터의 데이터(DO)에 기초하여, 예를 들어 전지(30)의 잔량이나, 온도 등이 표시부(12)에 표시되도록 표시부(12)를 구동하는 회로이다.

도 2는, 전지 잔량 산출 회로(20)의 상세를 도시하는 도면이다. 전지 잔량 산출 회로(20)는, 셀렉터(40), AD 컨버터(41)(검출부), 메모리(42), CPU(Central Processing Unit)(43) 및 IF(Interface) 회로(44)를 포함하여 구성된다.

셀렉터(40)는, 후술하는 CPU(43)로부터의 지시에 기초하여, 입력되는 전압(Vm) 또는 전압(Vt)을 선택하여 AD 컨버터(41)에 출력하는 회로이다.

AD 컨버터(41)는, 셀렉터(40)로부터 출력되는 아날로그의 전압(Vm), 전압(Vt)을 디지털 값의 전압 데이터(DAT)로 변환하는 회로이다. 본 실시 형태에 있어서의 AD 컨버터(41)는, 예를 들어 차례대로 비교 방식의 AD 컨버터로 실현된다.

메모리(42)는, CPU(43)가 실행하는 프로그램이나, 각종 데이터를 기억하는 회로이다.

CPU(43)는, 전지 잔량 산출 회로(20) 전체를 통괄 제어하는 것이며, 메모리(42)에 저장되어 있는 프로그램을 실행함으로써 각종 기능을 실현한다.

IF 회로(44)는, 조작부(13), 전원 회로(16) 및 마이크로컴퓨터(22)와, CPU(43) 사이에서 각종 데이터의 주고받기를 행하는 회로이다.

도 3에 도시한 바와 같이, 메모리(42)는, ROM(Read only Memory)(60) 및 RAM(Random Access Memory)(61)을 포함하여 구성된다.

ROM(50)의 기억 영역에는, CPU(43)를 동작시키기 위한 프로그램을 기억하는 프로그램 기억부(60), CPU(43)가 전지(30)의 잔량을 산출할 때에 필요해지는 데이터를 기억하는 데이터 테이블(61) 및 전압(Vt)과 온도의 관계를 나타내는 데이터를 기억하는 온도 데이터 기억부(62)가 설치되어 있다.

RAM(51)의 기억 영역에는, 전지(30)의 용량에 대한 전지(30)의 잔량의 비율(이하, 잔량률이라고 한다)을 나타내는 잔량 데이터(제2 데이터)를 기억하는 잔량 데이터 기억부(70)(제2 데이터 기억부)가 설치되어 있다.

데이터 테이블(61)(제1 데이터 기억부)에는, 예를 들어 도 4에 도시하는 바와 같은, 다른 전류값의 전류로 전지(30)가 충전 또는 방전되었을 때의, 잔량률과 전지(30)의 출력 전압(Vb)의 관계를 나타내는 데이터가 저장되어 있다. 다른 전류값마다의 수치 데이터(이하, 충방전 데이터라고 칭한다)이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는 전술한 충방전 데이터가, 도 6에 도시한 바와 같이 다른 온도마다 존재한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 도 5에 도시된 충방전 데이터를, 충방전 데이터(100a)로 한다. 또한, 충방전 데이터(100a)는, T=20℃에 있어서의 데이터인 것으로 한다. 또한, 충방전 데이터(100b 내지 100e)(도시하지 않음)는, T=60℃, 40℃, 0℃, -20℃ 각각에서의 데이터인 것으로 한다. 또한, 도 4 및 도 5에 있어서, 예를 들어 500이라는 기재는, 500mA의 충전 전류에 상당하고, 예를 들어 -500이라는 기재는 500mA의 방전 전류에 상당한다.

도 5에 있어서, 예를 들어 상단의 2행째 각각에 대응하는 기억 영역에는, 전지(30)가 2000mA의 전류로 충전되었을 때의, 잔량률이 0% 내지 9% 각각에 있어서의 전지(30)의 출력 전압(Vb)의 값이 저장되어 있다. 또한, 도 5에 있어서의 하단의 2행째 각각에 대응하는 기억 영역에는, 전지(30)가 2000mA의 전류로 충전되었을 때의, 잔량률이 10% 내지 100% 각각에 있어서의 출력 전압(Vb)의 값이 저장되어 있다. 마찬가지로, 상단 및 하단의 3 내지 4행째 각각에 대응하는 기억 영역에는, 전지(30)가 1000mA, 500mA의 전류로 충전되었을 때의 잔량률에 대한 출력 전압(Vb)의 값이 저장되어 있다. 그리고, 상단 및 하단의 6 내지 8행째 각각에 대응하는 기억 영역에는, 전지(30)가 500mA, 1500mA, 3000mA의 전류로 방전되었을 때의 잔량률에 대한 출력 전압(Vb)의 값이 저장되어 있다. 또한, 상단 및 하단의 5행째에 대응하는 기억 영역에는, 무부하의 경우, 즉 전지(30)의 부하의 전류가 0mA일 때의 잔량률에 대한 출력 전압(Vb)의 값이 저장되어 있다.

본 실시 형태에 있어서는, 전술한 바와 같은 충방전 데이터(100a 내지 100e)로 이루어지는 충방전 데이터(100)(제1 데이터)가 데이터 테이블(61)에 저장되어 있는 것으로 했지만, 충방전 데이터(100)는 미리 작성되어 있을 필요가 있다. 이와 같이 도 5는, 도 4에 도시된 특성에 대응한 데이터 테이블이다. 여기서, 도 4의 특성 커브는, 전지 잔량률에 의해 전지의 내부 저항이 상이한 것에 의해, 전지의 잔량률마다 충방전 시의 전류에 의해, 출력 전압이 다른 특성을 나타낸 것이다.

도 7은, CPU(43)에 의해 실현되는 기능 블록의 일부를 도시하는 도면이다. 도 7에 도시한 바와 같이, CPU(43)는, 프로그램 기억부(60)에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 데이터 변환부(80), 초기값 산출부(81), 전류 산출부(82) 및 갱신부(83)를 실현한다. 또한, 데이터 변환부(80) 및 전류 산출부(82)가, 본 발명의 제1 산출부에 상당하고, 데이터 변환부(80) 및 초기값 산출부(81)가 본 발명의 제2 산출부에 상당한다.

데이터 변환부(80)는, 후술하는 초기값 산출부(81) 또는 전류 산출부(82)로부터의 지시에 기초하여, AD 컨버터(41)로부터 출력되는 전압 데이터(DAT)를 취득하여, 전지(30)의 출력 전압(Vb)와 전지(30)의 온도를 산출한다. 구체적으로는, 데이터 변환부(80)는, 초기값 산출부(81) 또는 전류 산출부(82)로부터의 지시에 기초하여, 셀렉터(40)를 제어하여 전압(Vm)과 전압(Vt)을 순차 AD 컨버터(41)에 출력시킨다. 그리고, 데이터 변환부(80)는, AD 컨버터(41)로 변환된 전압 데이터(DAT)를 취득하고, 저항(17, 18)의 분압비와, 온도 데이터 기억부(62)에 기억된 온도 데이터에 기초하여, 전지(30)의 출력 전압(Vb)과 온도(T)를 산출한다.

초기값 산출부(81)는, 예를 들어 휴대 전화를 기동시키기 위한 제어 데이터(CONT)가 IF 회로(44)를 통하여 입력되면, 휴대 전화가 기동되었을 때의 전지(30)의 잔량률을 잔량 데이터로서 산출한다. 구체적으로는, 초기값 산출부(81)는, 데이터 변환부(80)에 출력 전압(Vb) 및 온도(T)를 산출시킨 후, 데이터 테이블(61)의 충방전 데이터(100)에 있어서의 무부하의 데이터를 참조하여 잔량 데이터를 산출한다. 또한, 초기값 산출부(81)는, 산출된 잔량 데이터를 잔량 데이터 기억부(70)에 저장함과 함께, 전원 회로(16)를 기동하기 위해 인에이블 신호(EN)를 생성한다.

전류 산출부(82)는, 소정 주기로 전지(30)의 충방전 전류를 산출한다. 전류 산출부(82)는, 예를 들어 초기값 산출부(81)가 잔량 데이터를 잔량 데이터 기억부(70)에 저장하면, 소정의 주기로 데이터 변환부(80)에 출력 전압(Vb) 및 온도(T)를 산출시킴과 함께, 출력 전압(Vb)와 온도(T)를 취득한다. 그리고, 취득한 출력 전압(Vb) 및 온도(T)와, 잔량 데이터 기억부(70)의 잔량 데이터와, 데이터 테이블(61)의 충방전 데이터(100)에 기초하여, 전지(30)의 충방전 전류(I1)를 산출한다.

갱신부(83)는, 잔량 데이터 기억부(70)의 잔량 데이터에 기초하여, 전지(30)의 잔량을 산출함과 함께, 전류 산출부(82)로 산출된 충방전 전류(I1)를 전지(30)의 잔량에 적산한다. 그리고, 갱신부(83)는, 전지(30)의 잔량에 충방전 전류(I1)가 적산되면, 전지(30)의 잔량과 전지(30)의 용량에 기초하여, 잔량률을 나타내는 잔량 데이터를 산출하여, 잔량 데이터 기억부(70)에 저장한다. 즉, 본 실시 형태의 갱신부(83)는, 전지(30)의 잔량에 대하여 충방전 전류(I1)를 적산하고, 적산 결과에 따라서 잔량 데이터를 갱신한다. 또한, 본 실시 형태의 갱신부(83)는, 잔량 데이터를 갱신하면, 잔량 데이터 및 온도(T)를 데이터(DO)로서 마이크로컴퓨터(22)에 송신한다.

<<전지 잔량 표시 회로(10)의 동작>>

여기서, 전지 잔량 표시 회로(10)의 동작을, 설명한다. 우선, 이용자가 휴대 전화의 조작부(18)의 전원 키(도시하지 않음)를 조작하여, 휴대 전화를 기동하면, 조작부(18)로부터는, 휴대 전화를 기동시키기 위한 제어 데이터(CONT)가 출력된다.

휴대 전화를 기동시키기 위한 제어 데이터(CONT)가 IF 회로(44)를 통하여, CPU(43)의 초기값 산출부(81)에 입력되면, 초기값 산출부(81)는, 전지(30)의 잔량을 산출하기 위해, 데이터 변환부(80)에 전압(Vm)과, 전압(Vt)을 취득시킨다. 이로 인해, 데이터 변환부(80)는, 전지(30)의 출력 전압(Vb)과 온도(T)를 산출하는 것이 된다. 또한, 초기값 산출부(81)는, 산출된 출력 전압(Vb)과 온도(T)를 취득한다. 그리고, 초기값 산출부(81)는, 취득된 출력 전압(Vb), 온도(T), 및 충방전 데이터(100)에 있어서의 무부하 시의 데이터로부터 잔량 데이터를 산출한다. 그리고, 초기값 산출부(81)는, 산출한 잔량률을 잔량 데이터로서 잔량 데이터 기억부(70)에 저장함과 함께, 인에이블 신호(EN)를 생성하여 전원 회로(16)를 기동한다. 전원 회로(16)가 기동되면, 전원 회로(16)는, 전지(30)의 출력 전압(Vb)에 기초하여 전원을 생성하기 때문에, 시스템 LSI(14), 마이크로컴퓨터(22) 및 구동 회로(23)가 기동된다. 그리고, CPU(43)에 있어서의 전류 산출부(82)는, 잔량 데이터 기억부(70)에 잔량 데이터가 저장되면, 일정 시간마다 충방전 전류(I1)를 산출한다. 전류 산출부(82)는, 소정 시간 경과 후(여기서 소정 시간이란, 예를 들어 만충전된 전지가, 2000mA의 방전 전류로 4시간 방전했다고 하면, 0.01%의 방전 시간에 상당하는 시간은, 4시간=4×3600(초)×0.0001=1.44(초)이며, 이 시간을 모니터 시간으로서 사용하는 것으로 한다), 데이터 변환부(80)를 제어하여 데이터 변환부(80)에 전압(Vm)과 전압(Vt)을 취득시킨다. 이 결과, 데이터 변환부(80)는, 전압(Vm), 전압(Vt)에 기초하여, 전지(30)의 출력 전압(Vb), 온도(T)를 산출한다. 그리고, 전류 산출부(82)는, 산출된 출력 전압(Vb)과, 온도(T)와, 잔량 데이터 기억부(70)에 저장된 잔량 데이터와, 충방전 데이터(100)를 사용하여, 충방전 전류(I1)를 산출한다. 다음에, 본 실시 형태의 전류 산출부(82)는, 출력 전압(Vb), 온도(T), 잔량 데이터와, 충방전 데이터(100)를 사용하여, 충방전 전류(I1)를 산출한다. 그리고, 충방전 전류(I1)가 산출되면, 갱신부(83)는, 충방전 전류(I1)를 전지(30)의 잔량에 적산한다. 또한, 갱신부(83)는, 전지(30)의 잔량과 전지(30)의 용량으로부터 잔량률을 계산하여, 잔량 데이터로서 잔량 데이터 기억부(70)의 잔량 데이터를 갱신한다. 그리고, 갱신부(83)는, 전술한 바와 같이, 잔량 데이터 및 온도(T)를 데이터(DO)로서 마이크로컴퓨터(22)에 송신한다. 또한, 마이크로컴퓨터(22)는, 데이터(DO)를 구동 회로(23)에 전송하기 때문에, 구동 회로(23)는 데이터(DO)에 기초하여 표시부(12)를 구동한다. 이 결과, 휴대 전화의 표시부(12)에 있어서는, 전지(30)의 잔량률 및 온도가 표시되는 것이 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 전류 산출부(82)가 소정 시간마다 충방전 전류(I1)의 산출을 행하는 것으로 하고 있기 때문에, 상기 스텝은 잔량률 0%까지 처리가 반복되는 것이 된다. 따라서, 표시부(12)의 표시도 소정 시간마다 수시로 갱신되는 것이 된다.

이상 설명한 구성으로 이루어지는 본 실시 형태의 전지 잔량 산출 회로(20)의 CPU(43)에 있어서의 데이터 테이블(61)에는, 다른 전류값의 전류로 전지(30)가 충전 또는 방전되었을 때의, 잔량률과 전지(30)의 출력 전압(Vb)의 관계를 나타내는 충방전 데이터(100a)가 저장되어 있다. 또한, 잔량 데이터 기억부(70)에는, 전지(30)의 잔량에 따른 잔량 데이터가 기억되어 있다. 그리고, 전류 산출부(82)는, 예를 들어 충방전 데이터(100a)와, 전지(30)의 출력 전압(Vb)과, 잔량 데이터를 사용함으로써, 충방전 전류(I1)를 산출하는 것이 가능하다. 이로 인해, 실제로, 전지(30)의 충방전 전류를 검출하지 않고, 충방전 전류를 산출할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 갱신부(83)가, 산출된 충방전 전류(I1)를, 전지(30)의 잔량에 적산함으로써, 잔량률을 갱신하고 있다. 이로 인해, 본 실시계 형태에서는, 전지(30)의 잔량률이 수시로 갱신되는 것이 되고, 이용자는 적절히 잔량률을 확인하는 것이 가능하게 된다.

본 실시 형태의 전지 잔량 산출 회로(20)는, 휴대 전화를 기동시키기 위한 제어 데이터(CONT)가 입력되면, 초기값 산출부(81)가, 충방전 데이터(100)의 무부하의 데이터에 기초하여 잔량 데이터를 산출한다. 이때에, 전원 회로(16)의 동작은 정지하고 있기 때문에, 전지(30)는 무부하 상태이다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 미리 정해진 조건에 있어서 전지(30)의 잔량 데이터를 산출하고 있다. 이로 인해, 본 실시 형태에 있어서는, 고정밀도로 전지(30)의 잔량 데이터의 초기값을 산출하는 것이 가능하다.

또한, 본 실시 형태의 전류 산출부(82)는, 출력 전압(Vb)과 온도(T)에 기초하여 충방전 전류(I1)를 산출한다. 이로 인해, 전지(30)의 온도가 변화한 경우에도 전류 산출부(82)는 고정밀도로 전지(30)의 잔량을 산출하는 것이 가능하게 된다.

또한, 본 실시 형태의 초기값 산출부(81)는, 출력 전압(Vb)과 온도(T)에 기초하여 휴대 전화가 기동되었을 때의 잔량 데이터를 산출한다. 이로 인해, 온도 변화가 있는 경우에도 초기값 산출부(81)는 고정밀도로 잔량 데이터의 초기값을 산출 가능하다.

또한, 상기 실시예는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이고, 본 발명을 한정하여 해석하기 위한 것이 아니다. 본 발명은, 그 취지를 일탈하지 않고, 변경, 개량될 수 있음과 함께, 본 발명에는 그 등가물도 포함된다.

본 실시 형태에서는, CPU(43)가 초기값 산출부(81)를 설치하는 것으로 했지만, 거기에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 휴대 전화가 기동되었을 때에 동작하는 다른 마이크로컴퓨터 등(도시하지 않음)이 본 실시 형태와 마찬가지로 전지(30)의 잔량에 따른 잔량 데이터를 산출하여, 잔량 데이터 기억부(70)에 저장하는 구성으로 해도 좋다.

10: 전지 잔량 표시 회로
11: 전지 팩
12: 표시부
13: 조작부
14: 시스템 LSI
15, 30: 전지
16: 전원 회로
17, 18: 저항
20: 전지 잔량 산출 회로
21: 전원 회로
22: 마이크로컴퓨터
23: 구동 회로
31: 서미스터
40: 셀렉터
41: AD 컨버터
42: 메모리
43: CPU
44: IF 회로
50: ROM
51: RAM
60: 프로그램 기억부
61: 데이터 테이블
62: 온도 데이터 기억부
70: 잔량 데이터 기억부
80: 데이터 변환부
81: 초기값 산출부
82: 전류 산출부
83: 갱신부

Claims

전지 잔량 산출 회로에 있어서,
전지의 출력 전압을 검출하는 검출부와,
상기 전지가 복수의 전류값 각각으로 충전 또는 방전된 경우에 있어서의 상기 전지의 용량에 대한 상기 전지의 잔량의 비율과, 상기 출력 전압의 관계를 나타내는 제1 데이터를, 상기 복수의 전류값 각각에 대응시켜 기억하는 제1 데이터 기억부와,
상기 전지의 잔량에 따른 제2 데이터를 기억하는 제2 데이터 기억부와,
상기 제1 데이터와, 상기 제2 데이터와, 상기 출력 전압에 기초하여 상기 전지의 충방전 전류를 산출하는 제1 산출부와,
산출된 상기 충방전 전류에 기초하여, 상기 제2 데이터를 갱신하는 갱신부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전지 잔량 산출 회로.
제1항에 있어서, 상기 전지의 잔량의 산출을 개시하기 위한 지시 신호가 입력되면, 상기 복수의 전류값 중 어느 한 전류값에 대응하는 제1 데이터와 상기 출력 전압에 기초하여, 상기 제2 데이터 기억부에 기억되는 상기 제2 데이터를 산출하는 제2 산출부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전지 잔량 산출 회로.
제2항에 있어서, 상기 검출부는,
상기 전지의 온도에 따른 제1 전압을 검출하고,
상기 제1 데이터 기억부는,
상기 전지의 복수의 온도 각각에 대하여, 상기 전지가 복수의 전류값 각각으로 충전 또는 방전된 경우에 있어서의 상기 전지의 용량에 대한 상기 전지의 잔량의 비율과, 상기 출력 전압의 관계를 나타내는 데이터를 상기 제1 데이터로서, 상기 복수의 온도마다 상기 복수의 전류값 각각에 대응시켜 기억하고,
상기 제1 산출부는,
상기 제1 데이터와, 상기 제2 데이터와, 상기 출력 전압과, 상기 제1 전압에 기초하여 상기 전지의 충방전 전류를 산출하는 것을 특징으로 하는 전지 잔량 산출 회로.
제3항에 있어서, 상기 제2 산출부는,
상기 지시 신호가 입력되면, 상기 복수의 온도 각각에 있어서의 상기 복수의 전류값 중 어느 한 전류값에 대응하는 제1 데이터와, 상기 출력 전압과, 상기 제1 전압에 기초하여, 상기 제2 데이터 기억부에 기억하는 상기 제2 데이터를 산출하는 것을 특징으로 하는 전지 잔량 산출 회로.