KR101260810B1 - 공선형 홀로그래픽 저장매체 - Google Patents

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KR101260810B1 KR1020100127918A KR20100127918A KR101260810B1 KR 101260810 B1 KR101260810 B1 KR 101260810B1 KR 1020100127918 A KR1020100127918 A KR 1020100127918A KR 20100127918 A KR20100127918 A KR 20100127918A KR 101260810 B1 KR101260810 B1 KR 101260810B1
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Abstract

명세서 및 도면에서, 공선형 홀로그래픽 저장매체는 기록층을 갖는 것으로 설명되고 도시되는데, 기록층의 횡 선열팽창 계수는 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하다.

Description

공선형 홀로그래픽 저장매체{Collinear Holographic Storage Medium }
본 발명은 홀로그래픽 데이터 저장에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 공선형 홀로그래피에 관한 것이다.
홀로그래픽 데이터 스토리지는 고용량 데이터 저장(high-capacity data storage) 분야에서 잠재적인 대체 기술이다. 홀로그래픽 데이터 저장 연구 붐이 과거에 몇 차례 있었다. 그러나, 홀로그래픽 데이터 저장은 여전히 잠재적인 대체 기술일 뿐, 상업적인 데이터 저장 솔루션(commercial data storage solution)은 아니다.
공선형 홀로그래피는 홀로그래픽 데이터 저장의 가능한 일 솔루션이다. 공선형 홀로그래피에서, 신호빔(signal beam) 및 기준빔(reference beam)은 공선적이고, 동일한 렌즈에 의하여 디스크 상에 포커싱된다. 전통적으로, 신호빔은 기준빔에 의하여 둘러싸인 중심에 위치된다. 공선형 홀로그래피는 단순한 구조, 역호환(backwards-compatibility)의 가능성, 신호빔과 기준빔 간의 더 짧은 광학 경로 차이, 레이저빔의 가간섭 거리(coherence length)에 대한 더 낮은 요구조건, 더 양호한 시프트 실렉티버티(shift selectivity), 더 큰 파장 공차(wavelength tolerance), 더 큰 매체 틸트 공차(medium tilt tolerance), 고용량 데이터 저장 및 높은 속도를 갖는다. 따라서, 공선형 홀로그래피는 주류적인 홀로그래픽 데이터 저장 방법이 되었다.
본 발명은 신규하고 진보한 공선형 홀로그래픽 저장매체를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 공선형 홀로그래픽 저장매체는 기록층을 포함한다. 상기 기록층의 횡 선열팽창 계수는 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 공선형 홀로그래픽 저장매체는 반사층 및 기록층을 포함한다. 기록층은 반사층의 위에 배치된다. 기록층의 횡 선열팽창 계수는
Figure 112010082464751-pat00001
을 실질적을 만족하고,
Figure 112010082464751-pat00002
은 상기 기록층의 횡 선열팽창 계수이고,
Figure 112010082464751-pat00003
은 상기 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
Figure 112010082464751-pat00004
는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
Figure 112010082464751-pat00005
는 상기 기록층의 물질의 포아송비이다.
상기한 구성에 따르면, 본 발명은 신규하고 진보한 공선형 홀로그래픽 저장매체를 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 데이터를 쓰기할 때, 공선형 홀로그래픽 저장매체의 단면도이다.
도 2는, 데이터를 쓰기할 때, 도 1의 투과 격자의 개략도이다.
도 3은, 데이터를 읽기할 때, 도 1의 투과 격자의 개략도이다.
도 4는, 데이터를 쓰기할 때, 도 1의 반사 격자의 개략도이다.
도 5는, 데이터를 읽기할 때, 도 1의 반사 격자의 개략도이다.
다음의 상세한 설명에서, 설명의 목적으로, 많은 특정 상세가, 개시된 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위하여, 설명된다. 그러나, 하나 이상의 실시예들이, 이러한 특정 상세 없이도, 실행될 수 있음은 명백할 것이다. 잘 알려진 구조 및 장치는, 도면을 단순화하기 위하여, 개략적으로 도시된다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른, 데이터를 쓰기할 때, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)는 반사층(110)과 기록층(120)을 포함한다. 기록층(120)은 반사층(110)의 위에 위치된다.
데이터를 쓰기할 때, 신호빔(200) 및 기준빔(300)을 제공하기 위하여, 공간광변조기(SLM)가 사용될 수 있다. 적어도 하나의 렌즈(400)가 신호빔(200) 및 기준빔(300)을 반사층(110) 상에 포커싱하여, 기록층(120) 내에 간섭 패턴을 생성한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 반사층(110)으로 인하여, 기록층(120) 내에는 투과 격자들(500)과 반사 격자들(600)이 존재한다. 투과 격자들(500)은 입사 신호빔(210) 및 입사 기준빔(310)에 의하여 생성된 격자들과 반사 신호빔(220) 및 반사 기준빔(320)에 의하여 생성된 격자들을 포함한다. 반사 격자들(600)은 입사 신호빔(210) 및 반사 기준빔(320)에 의하여 생성된 격자들과 반사 신호빔(220) 및 입사 기준빔(310)에 의하여 생성된 격자들을 포함한다. 투과 격자들(500) 및 반사 격자들(600)은 서로 다른 물리적 성질들을 갖는다.
도 2는 데이터를 쓰기할 때, 도 1의 투과 격자들(500)의 개략도이다. 데이터를 쓰기할 때, 공간광변조기(SLM)는 실상을 통과하는 신호빔(200) 및 기준빔(300)에 의하여 형성되는 실상을 렌즈(400)의 프론트 포컬 플레인(front focal plane)에 제공하고, 렌즈(400)의 초점 길이는 f이다. 신호빔(200)과 기준빔(300)은 공선적이다. 렌즈(400)는 신호빔(200) 및 기준빔(300)을 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 상에 포커싱하여, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에 간섭 패턴을 생성한다.
도 3은 데이터를 읽기할 때, 투과 격자들(500)의 개략도이다. 데이터를 읽기할 때, 공간광변조기(SLM)는 실상을 통과하는 읽기빔(350)에 의하여 형성되는 실상을 렌즈(400)의 프론트 포컬 플레인(front focal plane)에 제공하고, 읽기빔(350)의 광학장(optical field)은 실질적으로 기준빔(300)의 광학장과 동일하다. 렌즈(400)는 읽기빔(350)을 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 상에 포커싱한다. 그리고 나서, 읽기빔(350)은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내의 간섭 패턴에서 회절된다. 렌즈(400)는 회절빔(250)을 그 프론트 포컬 플레인 상에 투영하여, 그 프론트 포컬 플레인에 상을 형성한다. 회절빔(250)의 광학장은 신호빔(200)의 광학장과 실질적으로 동일하다. 이미지 센서가 회절빔(250)을 검출하기 위하여 사용되어, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에 기록된 데이터, 즉 간섭 패턴을 읽을 수 있다.
도 4는 데이터를 쓰기할 때, 도 1의 반사 격자들(600)의 개략도이다. 신호빔(200) 및 기준빔(300)은 공선적이지만, 상호 반대되는 입사 방향을 갖는다. 신호빔(200) 및 기준빔(300)은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)에 광을 비추고, 따라서 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에 간섭 패턴을 생성한다.
도 5는, 데이터를 읽기할 때, 도 1의 반사 격자들(600)의 개략도이다. 데이터를 읽기할 때, 공간광변조기(SLM)는 실상을 통과하는 읽기빔(350)에 의하여 형성되는 실상을 렌즈(400)의 프론트 포컬 플레인(front focal plane)에 제공하고, 읽기빔(350)의 광학장은 기준빔(300)의 광학장과 실질적으로 동일하다. 렌즈(400)는 읽기빔(350)을 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 상에 포커싱한다. 그리고 나서, 읽기빔(350)은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내의 간섭 패턴에서 회절된다. 렌즈(400)는, 역으로 그 프론트 포컬 플레인 상에 회절빔(250)을 투영하여, 그 프론트 포컬 플레인에 상을 형성한다. 회절빔(250)의 광학장은 신호빔(200)의 광학장과 실질적으로 동일하다. 이미지 센서가 회절빔(250)을 검출하기 위하여 사용되어, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에 기록된 데이터, 즉 간섭 패턴을 읽을 수 있다.
공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 열변형(thermal deformation)은 투과 격자들(500), 반사 격자들(600) 및 공선형 홀로그래픽 저장매체의 굴절률을 변화시킬 수 있다. 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 열변형 결과, 회절빔(250)은 약화되고 좋지 못한 점확산함수(point spread function, PSF)를 갖게 된다.
많은 연구 그룹들은 이러한 문제점이 가변 파장 레이저(tunable laser) 및/또는 낮은 열팽창을 갖는 새로운 포토폴리머에 의하여 해결될 수 있다고 믿는다. 그러나, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 열변형은 여전히 공선형 홀로그래피에 있어 문제가 되고 있다. 그러므로, 전통적인 공선형 홀로그래피 시스템의 작동 온도 범위는 제한된다.
본 출원인은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)에 의하여 만들어지는 회절빔(250)의 근축 근사 솔루션(paraxial approximation solution)을 규명한다. 회절빔(250)의 근축 근사 솔루션에 따라, 출원인은 열변형 문제의 원인을 규명한다. 열변형 문제는 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수(lateral linear thermal expansion coefficient)에 기인한다. 이하의 설명은 열변형 문제의 솔루션을 제공할 것이다.
굴절률의 변화에 기인한 디포커스 수차(defocus aberration)가 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 이동에 의하여 보상된다고 가정하면, 즉, 데이터를 쓰기 및/또는 읽기할 때, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)가 굴절률의 변화에 따라 이동하여, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 반사층(110)이 렌즈(400)의 백 포컬 플레인(back focal plane)에 위치된다고 가정하면, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)에 의하여 만들어진 회절빔(250)의 근축 근사 솔루션은 다음과 같이 열거된다:
Figure 112010082464751-pat00006
여기서,
(1) 온도 변화 후 기록층(120)의 굴절률은 온도 변화 전의 굴절률의 Mn 배이고, 온도 변화 후 렌즈(400)의 초점 길이는 온도 변화 전의 초점 길이의 f/Mf 배이며, Mf=1/Mn 이다. (근축 근사);
(2) Mλλ는 기록층(120) 내의 빛의 파장이고, Mpλ는 읽기빔(350)의 파장이며, Mλ=Mp/Mn이다;
(3) 1/Mx, 1/My 및 1/Mz는 각각 x, y, z 축 상의 격자들(투과 격자들(500) 및 반사 격자들(600)을 포함)의 열변형률이고, G0(u,v,Δz)는 온도 변화 전의 격자들이며, G0(Mxu,Myv,MzΔz)는 온도 변화 후의 격자들이다;
(4) λ는 빛의 파장이다;
(5) k는 빛의 파수(wave number)이다;
(6) f는 렌즈(400)의 초점 길이이다;
(7) △Z는 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 중심과 렌즈(400)의 백 포컬 플레인 사이의 거리이다;
(8) u 및 v는 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 횡 좌표들(lateral coordinates)이다;
(9) Us, Ur 및 Up 는 각각, 렌즈(400)의 프론트 포컬 플레인에서의 신호빔(200), 기준빔(300) 및 읽기빔(350)의 광학장이다; 그리고,
(10) L은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 두께의 두 배이다.
회절빔(250)의 근축 근사 솔루션은 복잡해 보이나 그러나, 명확한 물리적 의미를 나타낸다. 이러한 물리적 의미는 다음과 같이 나타난다:
(1)
Figure 112010082464751-pat00007
은 온도 변화 후의 회절빔(250)의 광학장이다.ξ 축 상에서의 온도 변화 후의 회절빔(250)의 광학장은 온도 변화 전의 그 것의
Figure 112010082464751-pat00008
배이다.
Figure 112010082464751-pat00009
축 상에서의 온도 변화 후의 회절빔(250)의 광학장은 온도 변화 전의
Figure 112010082464751-pat00010
배이다.
(2) 회절빔(250)의 근축 근사 솔루션은 두 세트의 괄호를 갖는다. 첫 번째 세트의 괄호 내의 항들은 투과 격자들(500)에 의하여 만들어진 회절빔(250)의 광학장을 나타낸다. 두 번째 세트의 괄호 내의 항들은 반사 격자들(600)에 의하여 만들어진 회절빔(250)의 광학장을 나타낸다.
(3) 투과 격자(500)에 의하여 만들어진 회절빔(250)의 광학장은 sin c 함수를 갖는다. sin c 함수의 인자가 0이면, sin c 함수는 온도 변화 때문에 회절빔에 나쁜 영향을 미치지는 않을 것이다. 출원인이 발견한 바에 따르면,
(가우스 상점(Gaussian image point)
Figure 112010082464751-pat00011
에서)
Figure 112010082464751-pat00012
이면, sin c 함수의 인자는 0일 것이다.
또한,
Figure 112010082464751-pat00013
Figure 112010082464751-pat00014
여기서,
Figure 112010082464751-pat00015
는 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수이고,
Figure 112010082464751-pat00016
은 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수(lateral linear thermal expansion coefficient)이고,
Figure 112010082464751-pat00017
은 기록층(120)의 굴절률의 온도 계수이고,
Figure 112010082464751-pat00018
는 기록층(120)의 변형률(strain)의 z 축 성분이고, T는 온도 차이이고,
Figure 112010082464751-pat00019
는 기록층(120)의 물질의 포아송비(Poisson’s Ratio)이다.
기록층(120)이 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에 샌드위치될 때, 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수가 측정된다. 이때, 기록층(120)은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 다른 층들에 의하여 구속된다. 그러므로, 전단력이 기판(130)에 의하여 기록층(120)에 인가되기 때문에, 기록층(120)의 선열팽창 계수는 기판(130)의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하다.
기록층(120)이 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에 샌드위치되어 있지 않을 때, 기록층(120)의 물질의 선열팽창계수가 측정된다. 이때, 기록층(120)은, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 다른 층들에 의하여 구속됨이 없이, 자유롭게 열팽창된다. 따라서, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 다른 층들에 의하여 전단력이 기록층(120)에 인가되지 않기 때문에, 기록층(120)의 선열팽창 계수는 등방성이다.
또한,
Figure 112010082464751-pat00020
그리고,
Figure 112010082464751-pat00021
.
즉, 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수가 실질적으로
Figure 112010082464751-pat00022
을 만족하면,
회절빔(250)의 열변형 효과는 제거될 수 있다.
도 1로 돌아간다. 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)는 반사층(110), 기록층(120), 한 쌍의 기판(130) 및 이색성 필름(dichroic film)(140)을 포함한다. 반사층(110) 및 기록층(120)은 기판들(130) 사이에 위치된다. 이색성 필름(140)은 기록층(120)과 반사층(110) 사이에 위치된다.
기록층(120)의 횡 선열팽창 계수가 실질적으로
Figure 112010082464751-pat00023
을 만족하도록 만들기 위하여, 제조자는 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 각 층, 예컨대, 반사층(110), 기판(130) 및 이색성 필름(140)의 횡 선열팽창 계수가,
Figure 112010082464751-pat00024
을 만족하도록 제어할 수 있다. 여기서,
Figure 112010082464751-pat00025
은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 각 층의 횡 선열팽창 계수이다.
따라서, 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수는, 기록층(120)에 인가된 전단력에 의하여, 실질적으로
Figure 112010082464751-pat00026
을 만족할 것이다.
어떠한 경우, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 소정 층들은 필름들, 예컨대 반사층(110) 및 이색성 필름(140) 또는 에어갭(air gaps)이다. 이러한 층들의 횡 선열팽창 계수는 제어하기는 매우 어렵다. 그러므로, 제조자들은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내의 제일 딱딱한 층의 횡 선열팽창 계수가 실질적으로
Figure 112010082464751-pat00027
을 만족하도록 제어할 수 있다. 여기서,
Figure 112010082464751-pat00028
은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내의 제일 딱딱한 층의 횡 선열팽창 계수이다. 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에서 가장 딱딱한 층은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에서 가장 큰 영률(Young’s modulus)을 갖는 층, 즉, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에서 동일한 응력에 대하여 최저 변형률을 갖는 층을 의미한다.
본 실시예에서, 기판(130)이 공선형 홀로그래픽 저장매체(100) 내에서 가장 딱딱한 층이다. 그러므로, 제조자는 기판(130)의 횡 선열팽창 계수가 실질적으로 다음을 만족하도록 제어할 수 있다
Figure 112010082464751-pat00029
여기서,
Figure 112010082464751-pat00030
은 기판의 횡 열팽창 계수이다.
출원인이 발견한 바에 따르면, 실질적으로
Figure 112010082464751-pat00031
을 만족하는 기록층(120)의 횡 열팽창 계수는 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하다. 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) (
Figure 112010082464751-pat00032
=0.33,
Figure 112010082464751-pat00033
=2.5×10-4/℃,
Figure 112010082464751-pat00034
=-3×10-4/℃)를 포함하는 포토폴리머를 예로 들면,
Figure 112010082464751-pat00035
은 2.67×10-4/℃이고, 이는 실질적으로
Figure 112010082464751-pat00036
(
Figure 112010082464751-pat00037
=2.5×10-4/℃)와 동일하다.
그러므로, 실제, 제조자는 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수가 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하도록 제어할 수 있다.
유사하게, 제조자는, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 각 층, 예컨대, 반사층(110), 기판(130) 및 이색성 필름(140)의 횡 선열팽창 계수가 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하도록, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 각 층의 횡 선열팽창 계수를 제어할 수 있다.
경우에 따라, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 소정 층은 필름, 예컨대, 반사층(110) 및 이색성 필름(140) 또는 에어갭이다. 이러한 층들의 횡 선열팽창 계수는 제어되기 매우 어렵다. 그러므로, 제조자는 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 가장 딱딱한 층의 횡 선열팽창 계수가 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일하도록 제어할 수 있다.
여기서 사용되는 용어, “실질적으로”는 관련된 기본 기능에 변화를 초래하지 않고 허용되게 변화되는 어떠한 양적 표현을 수정하는데 적용될 수 있다. 예컨대, 열변형 제거능(thermal deformation elimination capability)이 물질적으로(materially) 변화되지 않는다면, 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일한 것으로 기재된 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수는 본 발명의 범위 내에서 허용되게 변화될 수 있다.
특히, 기판(130)의 물질과 기록층(120)의 물질은 실질적으로 동일할 수 있다. 예컨대, 기판(130)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)로 이루어질 수 있고, 기록층(120)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 포함하는 포토폴리머로 이루어질 수 있다. 이러한 방식으로, 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수는 기록층(120)의 물질의 선열팽창 계수와 실질적으로 동일할 수 있다.
대안으로서, 회절빔(250)에 대한 열변형 효과를 제거하기 위하여, 제조자는, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)로부터 기판(130)을 제거하고, 반사층(110), 기록층(120), 이색성 필름(140) 및 이들 사이의 접착층(glue layers)만을 남길 수 있다. 즉, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)는 기록층(120)보다 더 딱딱한 어떠한 층도 갖지 않는다. 접착층은 부드러운 물질(soft material) 또는 기록층(120)의 횡 선열팽창 계수와 실질적으로 동일한 횡 선열팽창 계수를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 반사 격자(600)에 의하여 만들어진 회절빔(250)을 제거하기 위하여, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)는 기록층(120)과 반사층(110)의 사이에 위치된 1/4 파장판(150)을 포함할 수 있다. 사용시, 입사빔과 반사빔이 직교되게 편광되고 상호 간섭되지 않도록, 1/4 파장판(150)은 입사빔, 예컨대, 입사 신호빔(210) 및 입사 기준빔(310)과, 반사빔, 예컨대 반사 신호빔(220) 및 반사 기준빔(320) 사이에 1/4 파장 위상 변이를 생성한다. 그러므로, 반사 격자(600)에 의하여 만들어진 회절빔(250)은 제거된다.
전술한 1/4 파장판(150)은 미국 출원 공개 제2004/0165518 A1에 개시된 1/4 파장판에 따라, 만들어지고 사용될 수 있다. 이 출원은 인용되어 여기에 통합된다.
구체적으로는, 아조벤젠 층(azobenzene layer)이 이색성 필름(140)에 도포된다. 이때, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)는 회전된다. 아조벤젠 층의 두께는 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 회전 속도에 의하여 제어된다. 또한, 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)가 회전할 때, 진동면(vibration plane)이 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 레디얼 방향(radial direction)에 정렬되는 선편광 빛이 아조벤젠 층에 입사한다. 아조벤젠 층이 광학 이방성(anisotropy)을 갖도록, 선편광된 빛은 아조벤젠 층 내에 빠른 축과 느린 축을 생성한다. 그 결과, 아조벤젠 층의 빠른 축 또는 느린 축은 공선형 홀로그래픽 저장매체(100)의 레디얼 방향과 평행하다.
(첨부 청구범위, 요약서 및 도면을 포함하여) 본 명세서에 개시된 모든 특징들은, 명시적으로 다르게 언급하지 않는 한, 동일하거나 균등하거나 또는 유사한 목적에 기여하는 대안적인 특징들로 대체될 수 있다. 따라서, 명시적으로 다르게 언급하지 않는 한, 개시된 각 특징은 균등하거나 유사한 특징들의 포괄적 시리즈들 중 일 예에 불과하다.
특정 기능을 수행하는 “수단” 또는 특정 기능을 수행하는 “단계”를 명시적으로 언급하지 않는 청구범위의 어떠한 구성요소도, 35 U. S. C. § 112, 여섯 번째 문단에 규정된 “수단” 또는 “단계”로 해석되어서는 안 된다. 특히, 청구범위에서 “단계”의 사용은 35 U. S. C. § 112, 여섯 번째 문단의 규정을 적용하기 위함이 아니다.
100: 공선형 홀로그래픽 저장매체,110: 반사층,
120: 기록층,130: 기판,
140: 이색성 필름,150: 1/4 파장판

Claims (15)

  1. 기록층을 포함하되, 상기 기록층의 횡 선열팽창 계수가 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 동일하고,
    상기 기록층의 횡 선열팽창 계수가
    Figure 112012105667956-pat00038
    을 만족하고,
    Figure 112012105667956-pat00073
    은 기록층의 횡 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00074
    은 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00041
    는 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00042
    는 기록층의 물질의 포아송비(Poisson’s Ratio)인 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    기판을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 기판 위에 배치되고, 상기 기판의 횡 선열팽창 계수는 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 동일한 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  4. 제1항에 있어서,
    복수의 층들을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 층들 사이에 샌드위치되고, 상기 층들 중 가장 큰 영률을 갖는 층의 횡 선열팽창 계수가 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 동일한 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  5. 제1항에 있어서,
    기판을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 기판 위에 배치되고, 상기 기판의 횡 선열팽창 계수는
    Figure 112012105667956-pat00043
    을 만족하고,
    Figure 112012105667956-pat00044
    는 상기 기판의 횡 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00045
    은 상기 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00046
    는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00047
    는 상기 기록층의 물질의 포아송비인 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  6. 제1항에 있어서,
    복수의 층들을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 층들 사이에 샌드위치되고, 상기 층들 중 가장 큰 영률을 갖는 층의 횡 선열팽창 계수가
    Figure 112012105667956-pat00048
    을 만족하고,
    Figure 112012105667956-pat00049
    는 상기 층들 중 가장 큰 영률을 갖는 층의 횡 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00050
    은 상기 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00051
    는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00052
    는 상기 기록층의 물질의 포아송비인 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  7. 반사층; 및
    상기 반사층 위에 배치되는 기록층을 포함하고, 상기 기록층의 횡 선열팽창 계수가
    Figure 112012105667956-pat00053
    를 만족하고,
    Figure 112012105667956-pat00075
    은 상기 기록층의 횡 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00055
    은 상기 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00056
    는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00057
    는 상기 기록층의 물질의 포아송비인 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기록층의 횡 선열팽창 계수는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 동일한 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  9. 제7항에 있어서,
    기판을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 기판 위에 배치되고, 상기 기판의 횡 선열팽창 계수는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 동일한 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 기록층과 상기 반사층 사이에 위치되는 이색성 필름과;
    기판을 추가적으로 포함하고, 상기 반사층은 상기 기판의 위에 배치되고, 상기 기판, 이색성 필름, 및 반사층 중 가장 큰 영률을 갖는 것의 횡 선열팽창 계수는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수와 동일한 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  11. 제7항에 있어서,
    기판을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 기판의 위에 배치되고, 상기 기판의 횡 선열팽창 계수는
    Figure 112012105667956-pat00058
    을 만족하고,
    Figure 112012105667956-pat00059
    는 상기 기판의 횡 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00060
    은 상기 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00061
    는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00062
    는 상기 기록층의 물질의 포아송비인 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  12. 제7항에 있어서,
    복수의 층들을 추가적으로 포함하고, 상기 기록층은 상기 층들 사이에 샌드위치되고, 상기 층들 중 가장 큰 영률을 갖는 층의 횡 선열팽창 계수는
    Figure 112012105667956-pat00063
    을 만족하고,
    Figure 112012105667956-pat00064
    는 상기 층들 중 가장 큰 영률을 갖는 층의 횡 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00065
    은 상기 기록층의 굴절률의 온도 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00066
    는 상기 기록층의 물질의 선열팽창 계수이고,
    Figure 112012105667956-pat00067
    는 상기 기록층의 물질의 포아송비인 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 공선형 홀로그래픽 저장매체는 상기 기록층보다 더 큰 영률을 갖는 어떠한 층도 갖지 않는 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  14. 제7항에 있어서,
    복수의 기판들을 추가적으로 포함하고, 상기 반사층 및 상기 기록층이 상기 기판들 사이에 위치되고, 상기 기판들의 물질들 및 상기 기록층의 물질은 동일한 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 기록층과 상기 반사층 사이에 위치되는 1/4 파장판을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 공선형 홀로그래픽 저장매체.
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