KR101259779B1 - 원격 영역 내의 압력 조절 - Google Patents

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Abstract

압력 제어 시스템은 각각의 인클로져로 들어가는 유체의 유동 및 각각의 인클로져 외부로 나오는 유체의 유동을 제어함으로써, 도관을 통해 인클로져에 각각 연결되는 하나 이상의 원격 영역 내의 압력을 원격으로 제어한다. 유체의 압력은 각각의 인클로져 내에서 측정된다. 인클로져 내의 측정 압력의 함수와 도관 및 영역의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여, 각각의 영역 내의 추정 압력이 계산된다. 각각의 영역에 대하여, 각각의 인클로져의 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브는 압력 세트포인트의 함수 및 추정 압력의 함수를 이용하여, 각각의 인클로져로 들어가는 유체의 유입 유동 속도 및 인클로져 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 제어하도록 동작함으로써, 압력 세트포인트에 따라 영역 내의 압력을 조절한다.
Figure R1020087019811
원격 영역, 압력 조절, 인클로져, 비례 밸브, 유체 유동

Description

원격 영역 내의 압력 조절{PRESSURE REGULATION IN REMOTE ZONES}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 "System and Method for Controlling Pressure in Remote Zones."라는 명칭으로 2004년 3월 9일자로 출원된(변리사 명부 번호 MKS-136), 계류중인 미국특허출원 제10/796,723호의 일부계속출원(continuation-in-part)이며, 상기 미국특허출원에 대해 우선권을 청구한다. 계류중인 특허출원 제10/796,723호는 본 출원의 양수인에게 양도된다.
일부 출원에서는, 원격으로 위치되는 영역 내의 압력을 조절하는 것이 필요할 수 있다. 예를 들어, 일부 기계 및 장비는 장비가 동작하는 동안 가압되거나 진공화되는 챔버를 포함한다. 이러한 기계의 예는 이에 한정되지는 않지만, 화학적 기계 연마(chemical mechanical polishing : CMP) 기계를 포함할 수 있다.
측정 챔버 내의 압력 센서는 센서에 대해 원격으로 위치하는 영역이 아닌, 그 측정 챔버 내의 압력만을 측정할 수 있다. 그 결과, 측정 챔버 내에 위치하는 압력 센서에 의한 압력 측정값만을 이용하는 압력 제어 시스템은 측정 챔버 내의 압력이 원격 영역 내의 압력과 동일하다고 가정하여야 할 수도 있다. 그러나, 측정 챔버 내의 압력은 영역 압력과 종종 동일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 측정 챔버 내에서 국부 압력 천이(localized pressure transient)가 발생할 시에, 측정 챔버 내의 압력은 영역 압력과 동일하지 않을 수 있다. 이것은 압력 제어 시스템 성능이 상당히 저하하는 결과가 될 수 있다.
따라서, 원격으로 위치하는 영역 내의 압력이 정확히 제어되도록 허용하는 시스템 및 방법에 대한 필요성이 존재한다.
영역 내의 압력을 원격으로 제어하는 시스템은 압력 센서(pressure sensor), 밸브 시스템(valve system), 영역 압력 추정기(zone pressure estimator) 및 제어기(controller)를 포함한다. 압력 센서는, 도관(conduit)을 통해 영역에 연결 가능하고 영역으로부터 원격으로 위치하는 인클로져(enclosure)(예를 들어, 측정 챔버) 내의 압력을 측정하도록 구성된다. 밸브 시스템은 인클로져로 들어오는 유체의 유동, 및 인클로져로부터 도관을 통해 영역으로 나가는 유체의 유동을 조절하도록 구성된다. 밸브 시스템은 인클로져로 들어가는 유체의 유입 유동 속도(input flow rate)를 조절하도록 구성되는 입구 비례 밸브(inlet proportional valve), 및 인클로져 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도(output flow rate)를 조절하도록 구성되는 출구 비례 밸브(outlet proportional valve)를 적어도 포함한다. 영역 압력 추정기는 압력 센서에 의해 측정된 압력의 함수 및 도관의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여 영역 내의 추정 압력을 계산하도록 구성된다. 제어기는 영역 압력 추정기로부터의 추정 압력의 함수 및 영역에 대한 압력 세트포인트(pressure set point)의 함수를 이용하여 유입 유동 속도 및 유출 유동 속도를 제어하기 위해, 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브를 동작시킴으로써 영역 내의 압력을 조절하도록 구성된다.
각각의 인클로져(i)로 들어오는 유체의 유동, 각각의 인클로져(i)로부터 각각의 도관(i)을 통해 각각의 영역(i)(i = 1, ..., N)으로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써, 도관(i)을 통해 i개의 인클로져에 각각 연결 가능한 i개의 각각의 영역 내의 압력을 원격으로 제어하는 시스템을 설명한다. 이 시스템은 압력 측정 시스템, 밸브 시스템, 영역 압력 추정기 및 제어기를 포함한다. 압력 측정 시스템은 i개의 각각의 인클로져 내의 유체 압력을 측정하도록 구성된다. 밸브 시스템은 각각의 인클로져(i)에 대하여, 인클로져(i)로 들어가는 유체의 유입 유동 속도를 조절하도록 구성되는 적어도 하나의 입구 비례 밸브와, 인클로져(i) 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 조절하도록 구성되는 적어도 하나의 출구 비례 밸브를 포함한다.
영역 압력 추정기는 압력 측정 시스템에 커플링(coupling)된다. 영역 압력 추정기는 각각의 영역(i)에 대하여, 압력 센서 시스템으로부터 인클로져(i) 내의 측정 압력을 수신하고, 인클로져 내의 측정 압력의 함수와, 도관(i) 및 영역(i)의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여 영역(i) 내의 추정 압력을 계산하도록 구성된다. 제어기는 영역(i)에 대한 압력 세트포인트의 함수 및 영역 압력 추정기로부터의 영역(i) 내의 추정 압력의 함수를 이용하여 인클로져(i)로 들어가는 유체의 유입 유동 속도 및 인클로져 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 제어하기 위해, 각각의 인클로져의 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브를 동작시킴으로써 각각의 영역(i) 내의 압력을 제어하도록 구성된다.
각각의 인클로져로 들어오는 유체의 유동, 각각의 인클로져로부터 각각의 도관(i)을 통해 각각의 영역(i)(i = 1, ..., N)으로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써, i개의 도관을 통해 i개의 인클로져에 각각 연결 가능한 i개의 각각의 영역 내의 압력을 원격으로 제어하는 방법을 설명한다. 이 방법은 i개의 각각의 인클로져 내의 유체의 압력을 측정하는 단계를 포함한다. 이 방법은 인클로져(i) 내의 측정 압력의 함수와, 도관(i) 및 영역(i)의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여 각각의 영역(i) 내의 추정 압력을 계산하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 영역(i)에 대한 압력 세트포인트의 함수 및 영역(i) 내의 추정 압력의 함수를 이용하여 인클로져(i)로 들어가는 유체의 유입 유동 속도 및 인클로져(i) 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 제어함으로써 압력 세트포인트에 따라 영역(i) 내의 압력을 조절하기 위하여, 각각의 영역(i)에 대하여, 각각의 인클로져(i)의 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브를 동작시키는 단계를 더 포함한다.
도 1은 본 발명의 설명 중 하나의 실시예에 따라 하나 이상의 원격 영역 내의 압력을 조절하는 압력 제어 시스템을 예시하는 전체 기능 블럭도이다.
도 2는 i개의 도관(i)(i = 1, ..., N)을 통해 i개의 인클로져에 각각 연결 가능한 복수의 i개의 영역과, 본 발명에서 설명하는 압력 제어 시스템의 하나의 실시예에 이용되는 압력 측정 및 유체 제어 시스템을 보다 상세하게 예시하는 도면이다.
본 발명에서, 용어 영역(term zone)은 밀폐 체적(enclosed volume)을 의미할 것이다. 그 압력이 제어되는 각각의 원격 영역의 압력을 정확히 추정하는 관측기 기반 솔루션(observer-based solution)을 이용하여 원격 영역 내의 압력을 제어하는 시스템 및 방법을 설명한다. 압력 제어 시스템의 원격 영역의 추정 압력을 이용함으로써, 폐루프 제어 성능이 상당히 향상될 수 있다. 예를 들어, 측정 챔버에서는 발생하지만 원격 영역 자체에서는 발생하지 않는 국부 압력 천이가 극복될 수 있다.
도 1은 본 발명의 설명 중 하나의 실시예에 따라 하나 이상의 원격 영역(Zi)(i = 1, ..., N) 내의 압력을 조절하는 압력 제어 시스템(100)을 예시하는 기능 블럭도이다. 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 모든 영역(Zi)은 가압된 단일 유체원(40)에 의해 공급되고, 단일 진공 배기관(vacuume exhaust)(30)으로 배기한다. 개략적으로, 압력 제어 시스템(100)은 압력 측정 및 유체 제어 시스템(110)(도 2에 보다 상세하게 도시되어 있음), 영역 압력 추정기(120) 및 제어기(130)를 포함할 수 있다.
도관(Fi)(도 2에 도시되어 있음)을 통해 영역(Zi)에 연결되는 인클로져(bi)(도 2에 도시되어 있음) 내의 측정 압력에 기초하여 원격 영역(Zi) 내의 압력을 추정하기 위해 영역 압력 추정기(120)를 이용하고, 영역 압력 추정기(120)로부터의 추정 압력에 기초하여 인클로져로 들어오는 유체의 유동 및 상기 인클로져 외부로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써, 압력 제어 시스템(100)은 각각의 원격 영역(Zi) 내의 압력을 원격으로 제어할 수 있다. 일반적으로, 인클로져는 압력 측정 챔버일 수 있지만, 그 내부의 유체를 밀폐할 수 있는 밀폐 체적의 임의의 다른 타입이 이용될 수 있다.
압력 측정 및 유체 제어 시스템(110)은 압력 측정 시스템 및 유체 제어 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 110 내의 압력 측정 시스템은, 인클로져에 각각 연결되고 그 인클로져 내의 압력을 측정하도록 구성되는 복수의 압력 센서를 포함할 수 있다. 110 내의 유체 제어 시스템은 각각의 인클로져로 들어오는 유체의 유동 속도 및 각각의 인클로져 외부로 나가는 유체의 유동 속도를 제어하는 밸브 시스템을 포함할 수 있다.
영역 압력 추정기(10)는 압력 측정 시스템으로부터 압력 측정값을 수신할 수 있고, (예를 들어, 고객(customer), 오퍼레이터(operator) 또는 다른 사람들로부터) 시스템(100)의 물리적 파라미터를 수신할 수도 있으며, 이것은 예를 들어 도관 및 영역의 잘 알려진 특성을 포함할 수 있다. 영역 압력 추정기(120)는 아래에 상 세하게 설명하는 계산 방법을 이용하여 각각의 영역에 대한 압력 추정값을 계산 및 제공하기 위해 압력 측정값 및 물리적 파라미터를 이용하도록 구성될 수도 있다.
제어기(130)는 각각의 원격 영역(Zi)에 대한 압력 세트포인트를 수신할 수도 있고, (영역 압력 추정기(120)로부터의) 영역 압력 추정값 및 압력 세트포인트를 이용하여 유체 제어 시스템을 제어할 수 있다. 특히, 각각의 인클로져로 들어오는 유체의 유동 속도 및 각각의 인클로져 외부로 나가는 유체의 유동 속도는 압력 세트포인트에 따라 각각의 영역 내의 압력이 조절되도록 하기 위하여, 제어기(130)가 밸브 시스템을 조절할 수 있다.
예시되는 실시예에서, 밸브 시스템은 각각의 인클로져에 대하여, 인클로져로 들어가는 유체의 유입 유동 속도를 조절하도록 구성되는 적어도 하나의 입구 비례 밸브 및 인클로져 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 조절하도록 구성되는 출구 비례 밸브를 포함할 수 있다. 제어기(130)는 영역 압력 추정기로부터의 추정 압력의 함수 및 압력 세트포인트의 함수를 이용하여 유입 유동 속도 및 유출 유동 속도를 제어하기 위해, 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브를 동작시킴으로써 각각의 영역 내의 압력을 조절하도록 구성될 수 있다.
도 1에 개략적으로 도시되어 있는 바와 같이, 제어기(130)는 유입 유동 명령 신호 및 유출 유동 명령 신호에 따라 유입 유동 속도 및 유출 유동 속도를 각각 제어하기 위해, (도 2에서 보다 상세하게 설명하는) 블럭(110) 내의 밸브 시스템으로 유입 유동 명령 신호 및 유출 유동 명령 신호를 송신할 수 있다. 하나의 바람직한 실시예에서, 제어기는 각각의 인클로져로의 유입 유동 속도 및 각각의 인클로져로부터의 유출 유동 속도의 비례 적분(Proportional-Integral : PI) 제어(아래에서 보다 상세하게 설명함)를 수행하도록 구성될 수 있지만, 다른 제어 방법이 이용될 수도 있다. 제어 시스템 및 방법을 비례 적분(a_proportional-plus-integral : PI) 타입의 제어 시스템 및 방법으로서 설명하지만, 많은 다른 타입의 제어 시스템 및 방법이 이용될 수 있고, 이것은 다음에 한정되지 않지만, 비례, 적분, 비례 미분(proportional-plus-derivative : PD) 및 비례 미적분(proportional-plus-integral-plus-derivative : PID) 타입의 피드백 제어 시스템 및 방법을 포함한다.
도 2는 i개의 도관(Fi)(i = 1, ..., N)을 통해 i개의 인클로져(bi)에 각각 연결 가능한 복수의 i개의 영역을 보다 상세하게 예시하고, 각각의 영역(i) 내의 압력은 각각의 인클로져(i)로 들어오는 유체의 유동, 각각의 인클로져(i)로부터 각각의 도관(i)을 통해 각각의 영역(i)으로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써 조절된다. 또한, 도 2는 본 발명에서 설명하는 압력 제어 시스템의 하나의 실시예에 이용되는 압력 측정 및 유체 제어 시스템을 예시한다.
도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 도 1의 블럭(10) 내에 도시되어 있는 원격 영역(Zi)은 복수의 i개의 도관(Fi)(i = 1, ..., N)을 통해 복수의 i개의 인클로져(bi)에 각각 연결 가능할 수 있다. 압력 측정 및 유체 제어 시스템(110)은 복수의 i개의 인클로져 또는 측정 챔버 "bi"를 포함하고, i = 1 내지 N이며, i는 원격 영 역(Zi)의 수에 대응한다. 각각의 측정 챔버(bi)는 bi로 들어가는 유체의 유입 유동 속도를 조절하도록 구성되는 입구 밸브(112), 및 bi 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 조절하도록 구성되는 출구 밸브(116)를 포함한다. 각각의 측정 챔버(bi)는, 가압된 유체원(40)으로부터 입구 매니폴드(inlet manifold) "L"을 통해 인클로져(bi)에 대한 입구 밸브(112)로 지나가고 인클로져(bi)에 대한 출구 밸브(116)로부터 유동 수축기 매니폴드(flow constrictor manifold)(도 2에 "man"으로 도시되어 있음)를 통해 진공 배기관(30)으로 지나가는 유체 유동 관로(fluid flow line)를 따라 위치한다. 압력 센서(114)(일반적으로, 변환기(transducer))는 bi 내의 압력을 측정하도록 각각의 측정 챔버(bj)에 효율적으로 연결된다.
전술한 바와 같이, 모든 영역(Zi)은 가압된 단일 유체원(40)에 의해 공급되고, 단일 진공 배기관(30)으로 배기한다. 하나의 실시예에서, 유동 수축기 매니폴드는 벤츄리 매니폴드(venturi manifold)일 수 있지만, 다른 타입의 유동 수축기(flow constrictor)가 이용될 수도 있다. 원격 영역(Zi)(도 2의 블럭(10) 내에 도시되어 있음)은 견고한 벽(rigid wall) 또는 유연한 벽(flexible wall)을 가질 수 있고, 커플링(coupling)되거나 커플링되지 않을 수 있다. 유연한 벽을 가지는 원격 영역은 팽창 및 수축될 수 있는 체적을 가질 수 있다. 유연한 벽을 가지는 영역의 체적은 서로 상호작용 예를 들어, 서로 밀어낼 수 있다.
여러 영역(Zi) 사이의 커플링은 다수의 방식으로 발생할 수 있다. 유연한 (그에 따라 팽창 및 수축할 수 있는) 벽을 가지는 영역에서의 체적 연결(volumetric coupling)은 체적 팽창/수축 및 체적 대 체적의 상호작용으로 인해 발생할 수 있다. 예를 들어, 팽창하여 다른 영역을 밀어냄에 따라 제2 영역 내의 압력을 증가시키는 하나의 영역에 의해 상호작용이 발생할 수 있다.
진공 압력 레벨이 변화할 경우, 배기관에서의 출구 커플링이 발생할 수 있고, 이것은 출구 유동의 변화를 일으키며, 극단적인 경우에 유동이 초크(choked) 및 언초크(unchoked) 사이에서 전이하는 결과가 된다. 이것은 벤츄리 관로(venturi line)로 배기되는 고속 유동을 가지는 벤츄리 펌프의 경우에 특히 심각할 수 있다. 이러한 경우, 영역 벽은 견고해지거나 유연해질 수 있다.
관로 압력의 하강 즉, 천이 거동(transient behavior)을 일으키는 매니폴드로의 유동의 충분한 돌입(in-rush)이 존재하도록 하나의 영역 내의 세트포인트가 충분히 높게 설정되는 경우, 입구 커플링이 발생할 수 있다. 이 관로 압력 하강은 압력원에 의해 공급되는 다른 모든 영역에 영향을 미칠 수 있다. 다시, 영역 벽은 견고해지거나 유연해질 수 있다.
단지 하나의 영역 및 견고한 벽을 가지는 시스템은 "커플링되지 않은 단일 영역 시스템"으로서 구성될 수 있다. 독립적인 입구에 의해 공급되고 독립적인 배기관으로 배기하는 이러한 견고한 영역의 다양한 예는 "커플링되지 않은 다수 영역 시스템"의 예일 수 있다. 팽창 또는 수축할 수 있는 유연한 벽을 가지는 단일 영역 은 "커플링된 단일 영역 시스템"이 되도록 구성될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 예시적인 실시예는 "커플링된 다수 영역 시스템"일 수 있고, 여기서 커플링의 레벨은 입구, 출구 및 체적 커플링에 기초하여 정량화될 수 있다.
영역 압력 추정기(120)는 압력 센서(114)의 압력 측정값, 각각의 인클로져(예를 들어, 측정 챔버) 및 각각의 영역의 물리적 파라미터, 및 영역(Zi)의 압력을 정확하게 추정하는 모델 기반 알고리즘(아래에서 설명함)을 이용함으로써 각각의 영역(zi) 내의 압력을 추정할 수 있다. 직접적인 결과로서, 영역(Zi) 내의 압력을 제어하는 폐루프 내의 영역 압력 추정기(120)를 사용하는 압력 제어 시스템은 영역(Zi) 내에서 자체적으로 발생하지 않을 수 있는 측정 챔버에서의 국부 압력 천이를 해소할 수 있다. 이러한 방식으로, 압력 제어 시스템의 폐루프 제어 성능은 충분히 향상될 수 있다.
영역 압력 추정기(120)는 진보된 제어 시스템으로 용이하게 통합할 수 있고, 입구 압력/유동, 출구 압력/유동, 및 영역 체적 상호작용의 정적 및/또는 동적 커플링을 나타내는 다수의 영역(Zi)을 보상할 수 있다. 영역 압력 추정기(120)는 원격 영역(Zi)의 크기 또는 체적에 제한을 가하지 않는다. 영역 압력 추정기(120)는 상이한 범위의 압력 세트포인트에 대해 유효하고, 진보된 제어 시스템으로 통합되는 경우에 일관된 천이 및 정상상태 거동을 보장할 것이다.
제어 알고리즘
제어기(130)는, i개의 영역 각각에 대한 압력 세트포인트를 수신하고, 영역 압력 추정기(120)로부터 i개의 영역 각각에 대한 영역 압력 추정값을 수신하며, 입구 및 출구 비례 밸브를 동작시켜 영역(i)에 연결된 측정 챔버로 들어오는 유체의 유동 및 상기 측정 챔버 외부로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써 각각의 영역 내의 압력을 압력 세트포인트에 따라 조절하도록 구성된다.
전술한 바와 같이, 제어기(130)는 유입 유동 명령 신호 및 유출 유동 명령 신호에 따라 인클로져(i)로 들어오는 유입 유동 속도 및 인클로져(bi) 외부로 나가는 유출 유동 속도를 각각 제어하기 위해, 인클로져(bi)의 입구 비례 밸브로 유입 유동 명령 신호를 송신하고, 인클로져(bi)의 출구 비례 밸브로 유출 유동 명령 신호를 송신할 수 있다.
전술한 바와 같이, 하나 이상의 인클로져(bi)에 대하여, 제어기는 유입 유동 속도 및 유출 유동 속도의 PI 제어를 수행하지만, 다른 타입의 비례 밸브 제어 시스템이 이용될 수도 있다. PI 제어가 구현될 경우, 제어기로부터 인클로져(i)의 입구 비례 밸브로의 유입 유동 명령 신호는 다음의 식에 의해 주어질 수 있고,
Figure 112008057753379-pct00001
제어기로부터 인클로져(bi)의 출구 비례 밸브로의 유출 유동 명령 신호는 다음의 식에 의해 주어질 수 있다.
Figure 112008057753379-pct00002
상기 등식에서, Qin ,i는 인클로져(i)로 들어가는 유입 유동 속도를 나타내고, Qout ,i는 인클로져(bi)로부터 나가는 유출 유동 속도를 나타내며,
Figure 112008057753379-pct00003
은 유입 유동 속도에 대한 비례 이득을 나타내고,
Figure 112008057753379-pct00004
은 유입 유동 속도에 대한 적분 이득을 나타내며,
Figure 112008057753379-pct00005
은 유출 유동 속도에 대한 비례 이득을 나타내고,
Figure 112008057753379-pct00006
은 유출 유동 속도에 대한 적분 이득을 나타내며, Pz ,i는 영역(Zi) 내의 추정 압력을 나타내고, Pt는 하나의 압력 세트포인트로부터 다른 압력 세트포인트로의 희망하는 압력 궤도(pressure trajectory)이며, Pt-Pz ,i는 추종 오차(tracking error)를 나타낸다. 압력 궤도(Pt)는 다음으로 한정되지는 않지만, 다항식(polynomial), 1차 또는 보다 높은 차수의 미분 방정식을 포함하는 다수의 기술을 이용하여 구성될 수 있다.
PI 타입 제어 시스템 및 방법은 본 발명의 특정 실시예에서 예시 및 설명되어 있으므로, 당업자는 다수의 변화 및 변경 - 예를 들어, 모델 기반일 수 있는 피드포워드 항(feedforward term)을 포함 - 이 발생할 것이라는 점을 이해할 것이다. 따라서, 첨부된 청구 범위는 본 발명의 정확한 사상 및 범위 내에 포함되는 모든 변화 및 변경을 포함하도록 한다.
각각의 영역 내의 압력을 추정하는 영역 압력 추정기(120)를 동작시키기 위해 이용되는 모델 기반 계산 방법의 하나의 예는 아래에서 설명한다. 이 모델 기반 계산 방법은 아래에서 설명하는 원격 영역(zi)의 역학 및 체적 커플링뿐만 아니라, 측정 챔버의 역학(dymanics)에 기초할 수 있다.
측정 챔버 역학
각각의 측정(bi) 내의 효과적인 압력은 다음과 같이 정의된다.
Figure 112008057753379-pct00007
(1)
여기서, Pb ,i는 i번째 영역에 대한 측정 챔버 내의 압력 변환기(114)에 의해 측정되는 압력이고, PSTP는 표준 온도 및 압력(STP) 조건에서의 압력이며, Qin ,i는 유입 유동을 나타내고, Qo ,i 및 Qz ,i는 유출 유동을 나타낸다. 특히, Qo ,i는 i번째 측정 챔버(bi)로부터 벤츄리 매니폴드로의 유동이고, Qz ,i는 i번째 영역으로의 유동이다. (1)에서, Vb ,i는 i번째 영역에 대한 측정 챔버(bi)의 체적을 나타낸다.
유동 수축기 또는 벤츄리 매니폴드 "man"으로의 유출 유동은 다음과 같이 표현될 수 있다
Figure 112008057753379-pct00008
(2)
dorifice ,i는 벤츄리 매니폴드에 제공하는 측정 챔버 내의 고정된 오리피스(orifice)의 직경을 나타내고, Pman은 진공 배기관(30)에 연결되는 벤츄리 매니폴드 내의 압력을 나타낸다. 오리피스를 통한 유동은 고정된 오리피스를 통한 압력 차에 따라 초크 또는 언초크될 수 있다.
영역 역학 및 체적 커플링
각각의 영역(Zi)으로의 유동은 (Navier-Stokes 방정식으로부터 유래된) 다음의 역학 방정식에 의해 설명될 수 있고,
Figure 112008057753379-pct00009
(3)
여기서, Qz ,i 및 Pz ,i는 i번째 영역으로의 입구 유동 및 i번째 영역 내의 압력을 각각 나타내고, Ctube ,i 및 τtube ,i는 영역(Zi)으로 측정 챔버(bi)를 연결하는 도관(Fi)에 관련되는 상수(constant)이다. 특히, Ctube ,i는 SI 단위[(m3/s) / (s-Pa)]에 의해 도관(Fi)의 전도성을 나타내고, τtube ,i는 SI 단위에 의해 도관에서의 유동 평형 시간 상수(flow equilibration time constant)를 나타낸다.
각각의 영역(Zi) 내의 압력 역학은 다음과 같이 설명될 수 있고,
Figure 112008057753379-pct00010
(4)
여기서, 각각의 영역(Zi)의 체적은 Vz ,i로 나타내고, 다수의 영역(Zi) 사이의 커플링으로 인한 동적 체적 상호작용은 다음과 같이 수학적으로 설명될 수 있으며,
Figure 112008057753379-pct00011
(5)
여기서, Vz0 ,i는 표준 온도 및 압력(STP) 조건 하에서의 각 영역의 최초 체적이고, τv는 체적 팽창/수축 시간 상수이며,
Figure 112008057753379-pct00012
는 팽창/수축 계수를 나타내고,
Figure 112008057753379-pct00013
는 영역(i) 및 영역(j) 사이의 커플링 계수를 나타낸다. 질량/관성 효과(mass/inertial effect)를 무시하는 것으로 가정될 수 있다.
영역 압력 추정기
전술한 바와 같이, 제어기(130)에 대한 제어 목적은 원격 영역(Zi) 내의 압력을 조절하는 것이다. 그러나, bi에 대한 압력 변환기(114)는 영역(Zi) 내에서와는 반대로, 측정 챔버(bi) 내에 실장된다. 도 2에 나타나 있는 바와 같이, 측정 챔버(bi)는 도관(Fi)에 의해 원격 영역(Zi)으로부터 분리된다.
압력 제어 알고리즘에 대한 관측기 기반 모델은 다수의 방식으로 전개될 수 있다. 예를 들어, 유동 센서(예를 들어, 풍속계(anemometer), 열 기반 센서, 압력 기반 센서 등)는 상기 방정식 내의 유동(Qz ,i)을 결정하기 위해 이용될 수 있다. 다른 방법은 다음과 같이 이산 형태로 영역 유동 방정식을 다시 표현함으로써 중간 유동 관측기를 전개하는 것일 수 있다.
Figure 112008057753379-pct00014
(6)
여기서,
Figure 112008057753379-pct00015
는 i번째 영역으로의 유동 추정값의 n번째 샘플을 나타내고, Pb는 유동 관로 압력 변환기(114)에 의해 측정되는 압력이다.
그 후, (5)의 표현식에 대한 이산 솔루션은 다음과 같이 획득될 수 있고,
Figure 112008057753379-pct00016
(7)
여기서,
Figure 112008057753379-pct00017
는 i번째 영역에 대한 체적 추정값의 n번째 샘플을 나타낸다. 상기 방정식에 기초하여, 압력 추정기(120)의 알고리즘은 다음과 같이 구성되고,
Figure 112008057753379-pct00018
(8)
여기서,
Figure 112008057753379-pct00019
는 i번째 영역의 압력 추정값의 n번째 샘플을 나타내고,
Figure 112008057753379-pct00020
는 (6)에서 정의되는 유동 추정값으로부터 획득되거나, 이용가능할 경우 직접적인 유동 측정값(Qz)에 의해 대체될 수 있으며,
Figure 112008057753379-pct00021
는 (7)로부터 획득된다.
즉, 압력이 제어되는 원격 영역의 압력을 정확히 추정함으로써, 원격 영역 내의 압력을 제어하는 시스템 및 방법을 설명하였다. 전술한 압력 제어 시스템 및 방법은 CMP 기계를 포함하는 다수의 어플리케이션에서 이용될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
원격 영역 내의 압력을 제어하는 시스템 및 방법의 특정 실시예가 설명되었지만, 이러한 실시예에 내재하는 개념이 다른 실시예에서도 이용될 수 있다는 점을 이해해야 한다. 이러한 어플리케이션의 보호는 단지 다음의 청구 범위로 제한된다.
이러한 청구 범위에서, 단수의 구성요소에 대한 언급은 특별히 지정되지 않은 경우, "하나 및 단지 하나"가 아닌, "하나 이상"을 의미하도록 한다. 당업자에게 이미 알려진 또는 이후에 알려질 본 발명을 통해 설명되는 다양한 실시예의 구성요소에 대한 모든 구조적 및 기능적 등가물은 청구 범위에 포함되는 것으로 한다. 또한, 이러한 발명이 청구 범위에 명백하게 기술되는지 여부에 관계없이, 본 발명에 개시된 어느 것도 공공에 헌정되지 않는 것으로 한다. 청구항의 구성요소는 "~하기 위한 수단(means for)"이라는 구절, 방법 발명인 경우에는 "~하기 위한 단계(step for)"라는 구절을 이용하여 기재되지 않는 한, 35 U.S.C. 112조의 6번째 단락의 조항에 의해 해석되어서는 안된다.

Claims (24)

  1. 영역(a zone) 내의 압력을 원격으로 제어하는 시스템에 있어서,
    도관을 통해 상기 영역에 연결 가능하고 상기 영역으로부터 원격으로 위치하는 인클로져 내의 압력을 측정하도록 구성되는 압력 센서;
    상기 인클로져로 들어오는 유체의 유동, 및 상기 인클로져로부터 도관을 통해 상기 영역으로 나가는 유체의 유동을 조절하도록 구성되는 밸브 시스템 - 상기 밸브 시스템은 상기 인클로져로 들어가는 유체의 유입 유동 속도를 조절하도록 구성되는 입구 비례 밸브, 및 상기 인클로져 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 조절하도록 구성되는 출구 비례 밸브를 적어도 포함함 - ;
    상기 압력 센서에 의해 측정된 압력의 함수 및 상기 도관의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여 상기 영역 내의 추정 압력을 계산하도록 구성되는 영역 압력 추정기; 및
    상기 영역 압력 추정기로부터 추정 압력의 함수 및 상기 영역에 대한 압력 세트포인트의 함수를 이용하여 유입 유동 속도 및 유출 유동 속도를 제어하기 위해, 상기 입구 비례 밸브 및 상기 출구 비례 밸브를 동작시킴으로써 상기 영역 내의 압력을 조절하도록 구성되는 제어기를 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는, 유입 유동 명령 신호 및 유출 유동 명령 신호에 따라 상기 유입 유동 속도 및 상기 유출 유동 속도를 제어하기 위해, 상기 입구 비례 밸브로 상기 유입 유동 명령 신호 및 상기 출구 비례 밸브로 상기 유출 유동 명령 신호를 송신하도록 더 구성되는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 유입 유동 속도 및 상기 유출 유동 속도의 비례 적분(Proportional-Integral : PI) 제어를 수행하도록 더 구성되고,
    상기 유입 유동 명령 신호는
    Figure 112008057753379-pct00022
    에 의해 주어지고,
    상기 유출 유동 명령 신호는
    Figure 112008057753379-pct00023
    에 의해 주어지며,
    여기서, Qin는 상기 유입 유동 속도를 나타내고,
    Qout는 상기 유출 유동 속도를 나타내며,
    Figure 112008057753379-pct00024
    은 상기 유입 유동 속도에 대한 비례 이득을 나타내고,
    Figure 112008057753379-pct00025
    은 상기 유입 유동 속도에 대한 적분 이득을 나타내며,
    Figure 112008057753379-pct00026
    은 상기 유출 유동 속도에 대한 비례 이득을 나타내고,
    Figure 112008057753379-pct00027
    은 상기 유출 유동 속도에 대한 적분 이득을 나타내며,
    Pz는 상기 영역 내의 추정 압력을 나타내고,
    Pt는 상기 압력 세트포인트에 대한 압력 궤도이며,
    Pt-Pz는 추종 오차를 나타내는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 입구 비례 밸브에 연결되는 가압된 유체원 및 상기 출구 비례 밸브에 연결되는 진공 배기관을 더 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 출구 비례 밸브 및 상기 진공 배기관 사이의 유동 수축기를 더 포함하 는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 영역은 유연한 벽을 가지고,
    상기 영역 압력 추정기는 상기 인클로져 내의 추정 압력을 계산하도록, 상기 도관의 잘 알려진 특성의 함수 및 상기 압력 센서에 의해 측정된 압력의 함수를 이용하여 상기 영역의 추정된 체적을 계산하도록 더 구성되는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  7. 각각의 인클로져(i)로 들어오는 유체 유동, 각각의 인클로져로부터 각각의 도관(i)을 통해 각각의 영역(i)으로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써, 도관(i)을 통해 i개의 인클로져에 각각 연결 가능한 i개의 각각의 영역 내의 압력을 원격으로 제어하는 시스템 - 여기서, 상기 i = 1, ..., N - 에 있어서,
    i개의 각각의 인클로져 내의 유체 압력을 측정하도록 구성되는 압력 측정 시스템;
    각각의 인클로져(i)에 대하여, 상기 인클로져(i)로 들어가는 유체의 유입 유동 속도를 조절하도록 구성되는 적어도 하나의 입구 비례 밸브 및 상기 인클로 져(i) 외부로 나가는 유체의 유출 유동 속도를 조절하도록 구성되는 적어도 하나의 출구 비례 밸브를 포함하는 밸브 시스템;
    상기 압력 측정 시스템에 커플링(coupling)되고, 각각의 영역(i)에 대하여, 상기 압력 측정 시스템으로부터 상기 인클로져(i) 내의 측정 압력을 수신하고 상기 인클로져(i) 내의 측정 압력의 함수와, 상기 도관(i) 및 상기 영역(i)의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여 상기 영역(i) 내의 추정 압력을 계산하도록 구성되는 영역 압력 추정기; 및
    상기 영역(i)에 대한 압력 세트포인트의 함수 및 상기 영역 압력 추정기로부터의 상기 영역(i) 내의 추정 압력의 함수를 이용하여 상기 인클로져(i)로 들어가는 유체의 유입 유동 속도 및 상기 인클로져(i)로부터 나가는 유체의 출구 유동 속도를 제어하기 위해, 각각의 인클로져(i)의 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브를 동작시킴으로써 각각의 영역(i) 내의 압력을 제어하도록 구성되는 제어기를 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 압력 측정 시스템은 복수의 압력 센서를 포함하고,
    상기 압력 센서의 각각은 상기 i개의 인클로져 내의 압력을 측정하도록 각각 연결되는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    각각의 영역(i)에 대하여, 상기 제어기는 유입 유동 명령 신호 및 유출 유동 명령 신호에 따라 인클로져(i)로 들어가는 유입 유동 속도 및 인클로져(i) 외부로 나가는 유출 유동 속도를 각각 제어하기 위해, 인클로져(i)의 입구 비례 밸브로 상기 유입 유동 명령 및 인클로져(i)의 출구 비례 밸브로 상기 유출 유동 명령 신호를 송신하도록 더 구성되는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 인클로져(i) 중 적어도 하나에 대하여, 상기 제어기는
    상기 적어도 하나의 인클로져의 상기 유입 유동 속도 및 상기 유출 유동 속도의 PI 제어를 수행하도록 더 구성되고,
    상기 제어기로부터 상기 인클로져(i)의 입구 비례 밸브로의 상기 유입 유동 명령 신호는
    Figure 112008057753379-pct00028
    을 포함하고,
    상기 제어신호로부터 상기 인클로져(i)의 출구 비례 밸브로의 상기 유출 유동 명령 신호는
    Figure 112008057753379-pct00029
    에 의해 주어지며,
    여기서,
    Qin ,i는 인클로져(i)로 들어가는 유입 유동 속도를 나타내고,
    Qout ,i는 인클로져(bi) 외부로 나가는 유출 유동 속도를 나타내며,
    Figure 112008057753379-pct00030
    은 유입 유동 속도에 대한 비례 이득을 나타내고,
    Figure 112008057753379-pct00031
    은 유입 유동 속도에 대한 적분 이득을 나타내며,
    Figure 112008057753379-pct00032
    은 유출 유동 속도에 대한 비례 이득을 나타내고,
    Figure 112008057753379-pct00033
    은 유출 유동 속도에 대한 적분 이득을 나타내며,
    Pz ,i는 영역(Zi) 내의 추정 압력을 나타내고,
    Pt는 하나의 압력 세트포인트로부터 다른 압력 세트포인트로의 희망하는 압력 궤도이며,
    Pt-Pz ,i는 추종 오차를 나타내는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 i개의 인클로져의 입구 비례 밸브에 연결되는 가압된 유체원 및
    i개의 인클로져의 상기 출구 비례 밸브에 연결되는 진공 배기관을 더 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    각각의 출구 비례 밸브 및 상기 진공 배기관 사이의 유동 수축기를 더 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 가압된 유체원 및 상기 입구 비례 밸브 사이의 압력 매니폴드를 더 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 유동 수축기는 벤츄리를 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 i개의 영역 중 적어도 일부는 견고한 벽을 가지는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 i개의 영역 중 적어도 일부는 유연한 벽을 가지고,
    상기 유연한 벽은 상기 유연한 벽을 가지는 상기 영역이 팽창 및 수축하도록 허용하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 영역 압력 추정기는 유연한 벽을 가지는 상기 영역에 연결되는 상기 인클로져 내의 추정 압력을 계산하도록, 상기 유연한 벽을 가지는 각각의 영역의 추 정된 체적을 계산하도록 더 구성되는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  18. 제 7 항에 있어서,
    상기 i개의 영역 중 적어도 일부는 커플링되는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  19. 제 7 항에 있어서,
    상기 i개의 영역 중 적어도 일부는 커플링되지 않는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  20. 제 8 항에 있어서,
    상기 i개의 영역 중 적어도 일부는 유연한 벽을 가지고 - 상기 유연한 벽은 상기 유연한 벽을 가지는 상기 영역이 팽창 및 수축하도록 허용함 - ,
    상기 i개의 영역 중 적어도 일부는 커플링되고,
    상기 i개의 도관의 잘 알려진 특성은 상기 영역(i)에 관로(i)를 연결하는 각 각의 도관(i)에 관련된 상수(Ctube ,i 및 τtube ,i)를 포함하고 - Ctube ,i는 상기 도관의 전도성을 나타내고, τtube ,i는 상기 도관에서의 유동 평형 시간 상수(flow equilibration time constant)를 나타냄 -,
    상기 i개의 영역의 잘 알려진 특성은 표준 온도 및 압력(Standard Temperature and Pressure : STP) 조건 하에서의 각각의 영역(i)의 최초 체적(Vz0 ,i), 체적 팽창/수축 시간 상수(τv), 상기 영역(i)의 팽창/수축 계수(
    Figure 112008057753379-pct00034
    ), 상기 영역(i) 및 영역(j)(j = 1, ..., N) 사이의 커플링 계수(
    Figure 112008057753379-pct00035
    )를 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  21. 제 20 항에 있어서,
    각각의 영역(i)에 대하여, 상기 영역 압력 추정기는 상기 영역(i)의 추정 압력의 n번째 샘플(
    Figure 112008057753379-pct00036
    ), 상기 영역(i)의 추정된 체적의 n번째 샘플(
    Figure 112008057753379-pct00037
    ), 및 상기 인클로져(i)로 들어가는 추정된 유입 유동 속도의 n번째 샘플(
    Figure 112008057753379-pct00038
    )을 계산하도록 프로그램되고,
    여기서,
    Figure 112008057753379-pct00039
    ,
    Figure 112008057753379-pct00040
    ,
    Figure 112008057753379-pct00041
    ,
    여기서, Pbi는 인클로져(i)에 연결되는 상기 압력 센서에 의해 측정된 압력을 나타내고,
    상기 Qzi는 인클로져(i)로 들어가는 상기 유체의 유입 유동 속도(Qin ,i) 및 인클로져(i) 외부로 나가는 상기 유체의 유출 유동 속도(Qout ,i) 사이의 차에 의해 주어지는 상기 영역(i)으로 들어가는 상기 유체의 유입 유동 속도를 나타내는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 시스템.
  22. 제 21 항에 기재된 시스템을 포함하고,
    i개의 인클로져에 각각 연결되는 i개의 영역을 더 포함하는
    것을 특징으로 하는 기계.
  23. 제 22 항에 있어서,
    i개의 영역을 포함하는 CMP 캐리어 헤드(CMO carrier head)를 더 포함하는
    것을 특징으로 하는 기계.
  24. 각각의 인클로져(i)로 들어가는 유체의 유동, 각각의 인클로져(i)로부터 각각의 도관(i)을 통해 각각의 영역(i)으로 나가는 유체의 유동을 제어함으로써, 도관(i)을 통해 i개의 인클로져로 각각 연결 가능한 i개의 각각의 영역 내의 압력을 원격으로 제어하는 방법 - 여기서, 상기 i = 1, ..., N - 에 있어서,
    i개의 각각의 인클로져 내의 유체의 압력을 측정하는 과정;
    상기 인클로져(i) 내의 측정 압력의 함수와 상기 도관(i) 및 영역(i)의 잘 알려진 특성의 함수를 이용하여 각각의 영역(i) 내의 추정 압력을 계산하는 과정; 및
    각각의 영역(i)에 대하여, 상기 영역(i)에 대한 압력 세트포인트의 함수 및 상기 영역(i) 내의 추정 압력의 함수를 이용하여 상기 인클로져(i)로 들어가는 상 기 유체의 유입 유동 속도 및 상기 인클로져(i) 외부로 나가는 상기 유체의 유출 유동 속도를 제어하기 위해, 각각의 인클로져(i)의 입구 비례 밸브 및 출구 비례 밸브를 동작시킴에 따라, 상기 압력 세트포인트에 따라 상기 영역(i) 내의 압력을 조절하는 과정을 포함하는
    것을 특징으로 하는 압력을 원격으로 제어하는 방법.
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Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5082989B2 (ja) * 2008-03-31 2012-11-28 日立金属株式会社 流量制御装置、その検定方法及び流量制御方法
US8302420B2 (en) * 2009-04-27 2012-11-06 Hermes Microvision, Inc. Method for venting gas into closed space and gas supply assembly thereof
US8783027B2 (en) * 2009-09-18 2014-07-22 Siemens Energy, Inc. Pressure regulation circuit for turbine generators
GB2474892B (en) * 2009-10-30 2011-09-21 Siemens Vai Metals Tech Ltd Flow control valve
US9127361B2 (en) 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
US8347920B2 (en) * 2010-01-29 2013-01-08 Flexibility Engineering, Llc Pressurized fluid positioner control system
JP5496771B2 (ja) * 2010-05-13 2014-05-21 株式会社Ｋｅｌｋ 温度制御装置を用いた温度制御方法
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US20140311581A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Pressure controller configuration for semiconductor processing applications
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10794613B2 (en) 2017-03-13 2020-10-06 Kevin Michael Murphy, Llc Overflow protection and monitoring apparatus and methods of installing same
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
JP7068062B2 (ja) * 2018-06-18 2022-05-16 株式会社堀場製作所 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
DE102019106682B4 (de) * 2019-03-15 2022-07-07 Bürkert Werke GmbH & Co. KG Druckregler
US11320843B2 (en) * 2019-10-17 2022-05-03 Dongguan Hesheng Machinery & Electric Co., Ltd. Air compression system with pressure detection
CN111623158B (zh) * 2020-06-07 2021-12-21 上海阀特流体控制阀门有限公司 一种阀门控制系统
TWI785608B (zh) * 2021-05-12 2022-12-01 復盛股份有限公司 流體機械及其控制方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456038A (en) * 1981-03-25 1984-06-26 Hennessy Industries, Inc. Apparatus for pressurizing tires to a desired level
JPS61170633A (ja) 1985-01-24 1986-08-01 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd キヤビテ−シヨン水槽用圧力制御装置
US4961441A (en) * 1989-11-13 1990-10-09 Salter Stuart C Method and system for controlling a pressure regulator
US5325884A (en) * 1991-07-10 1994-07-05 Conservair Technologies Compressed air control system
DE69231100T2 (de) * 1991-08-21 2001-02-15 Smith & Nephew Inc Flüssigkeitsbehandlungssystem
US5443087A (en) * 1993-12-13 1995-08-22 Melea Limited Method and system for controlling a pressurized fluid and valve assembly for use therein
US5551770A (en) * 1994-10-27 1996-09-03 Ford Motor Company Method for estimating pressure in a pressure actuated controller
US5762539A (en) 1996-02-27 1998-06-09 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
DE19651761A1 (de) 1996-12-12 1998-06-18 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
US5957751A (en) 1997-05-23 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system
US5964653A (en) * 1997-07-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US5916016A (en) * 1997-10-23 1999-06-29 Vlsi Technology, Inc. Methods and apparatus for polishing wafers
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
JP4033632B2 (ja) 1999-02-02 2008-01-16 株式会社荏原製作所 基板把持装置及び研磨装置
US6368189B1 (en) 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
DE19956553B4 (de) 1999-11-24 2010-11-25 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Abschätzen des Druckes in einem Radbremszylinder und Steuereinheit zur Durchführung des Verfahrens
CA2298324A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-09 Michael T. Sulatisky High volume electronic gas regulator
US6506105B1 (en) * 2000-05-12 2003-01-14 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for pneumatic diaphragm CMP head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control
US6439956B1 (en) * 2000-11-13 2002-08-27 Interact Accessories, Inc. RC car device
ATE468874T1 (de) * 2000-12-29 2010-06-15 Resmed Ltd Charakterisierung von maskensystemen
US6568416B2 (en) * 2001-02-28 2003-05-27 Brian L. Andersen Fluid flow control system, fluid delivery and control system for a fluid delivery line, and method for controlling pressure oscillations within fluid of a fluid delivery line
US6837774B2 (en) * 2001-03-28 2005-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Linear chemical mechanical polishing apparatus equipped with programmable pneumatic support platen and method of using
US6766260B2 (en) 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
US6722946B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-20 Nutool, Inc. Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
TWI294792B (en) * 2002-07-19 2008-03-21 Mykrolis Corp Liquid flow controller and precision dispense apparatus and system
AU2003254011A1 (en) 2002-07-19 2004-02-09 Mykrolis Corporation Fluid flow measuring and proportional fluid flow control device
JP2004090744A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Hitachi Unisia Automotive Ltd ブレーキ圧力推定装置
US7740024B2 (en) * 2004-02-12 2010-06-22 Entegris, Inc. System and method for flow monitoring and control
US6986359B2 (en) * 2004-03-09 2006-01-17 Mks Instruments, Inc. System and method for controlling pressure in remote zones

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