JP2013065345A - 遠隔区画における圧力規制 - Google Patents

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Abstract

【課題】離れて位置する区画内部における圧力を精度高く制御することができるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】圧力制御システムは、各エンクロージャに対して流入および流出する流体の流量を制御することによって、１つ以上の区画の内部圧力を遠隔的に制御する。各区画は、導管を介して１つのエンクロージャにそれぞれ接続されている。流体の圧力を、各エンクロージャ内において測定する。各区画内における推定圧力を、エンクロージャ内の測定圧力と、導管および区画の既知の特性との関数として計算する。区画毎に、各エンクロージャの入口比例弁および出口比例弁を動作させて、それぞれのエンクロージャに流入する流体の入力流速と、エンクロージャから流出する流体の出力流速とを、圧力設定点と推定圧力との関数として制御することにより、圧力設定点に応じて区画内部の圧力を規制する。
【選択図】図１

Description

（関連出願に対する相互引用）
本願は、２００４年３月９日に出願され、"System and Method for Controlling Pressure in Remote Zones"（遠隔区画における圧力制御のためのシステム及び方法）と題する同時係属中の米国特許出願第１０／７９６，７２３号（代理人整理番号ＭＫＳ−１３６）の一部係属出願であり、その優先権を主張する。この同時係属中の特許出願第１０／７９６，７２３号は、本願の譲受人に譲渡されている。
用途の中には、離れて位置する区画内部において圧力を規制することが必要となる場合もある。例えば、一部の機械および機器は、当該機器の動作中加圧または減圧するチェンバを含む場合がある。このような機械の例には、限定する訳ではないが、化学機械研磨（ＣＭＰ）機械を含むことができる。
測定チェンバ内部にある圧力センサは、当該測定チャンバ内部の圧力を計ることができるに過ぎず、センサに対して離れて位置する区画の内部圧力を計るのではない。その結果、測定チェンバ内部に位置する圧力センサによる圧力測定値のみを用いる圧力制御システムは、測定チェンバ内の圧力が遠隔区画における圧力と等しいと仮定しなければならない場合がある。しかしながら、測定チェンバ内の圧力はその区画の圧力とは等しくないことが多い。例えば、測定チェンバ内で局在化した圧力減衰が発生すると、測定チェンバ内の圧力は区画の圧力とは等しくなくなる可能性がある。その結果、圧力制御システムの性能に著しい低下が生ずる可能性がある。
したがって、離れて位置する区画内部における圧力を精度高く制御することができるシステムおよび方法が求められている。
区画内部における圧力を遠隔的に制御するシステは、圧力センサと、弁システムと、区画圧力推定部と、制御部とを含む。圧力センサは、導管を介して区画に接続可能であり、当該区画から離れて位置するエンクロージャ（例えば、測定チェンバ）内部の圧力を測定するように構成されている。弁システムは、エンクロージャに流入および流出し、導管を介して区画に達する流体の流量を制御するように構成されている。弁システムは、エンクロージャに流入する流体の入力流速を規制するように構成されている少なくとも１つの入口比例弁と、エンクロージャから流出する流体の出力流速を規制するように構成されている出口比例弁とを含む、弁システムと、区画圧力推定部は、区画内における推定圧力を、圧力センサが測定する圧力の関数として、更に導管の既知の特性の関数として計算するように構成されている。制御部は、入力流量および出力流量を、区画圧力推定部からの推定圧力と区画に対する圧力設定点との関数として制御するように、入口比例弁および出口比例弁を動作させることによって、区画内部の圧力を規制するように構成されている。
各エンクロージャｉに対して流入および流出し、各導管ｉを介して各区画ｉに達する流体の流量を制御することによって、ｉ個のエンクロージャに導管ｉを介してそれぞれ接続可能なｉ個の区画の各々の内部における圧力を遠隔的に制御するシステムで（ｉ＝１，．．．，Ｎ）について記載する。このシステムは、圧力測定システムと、弁システムと、区画圧力推定部と、制御部とを含む。圧力測定システムは、ｉ個のエンクロージャの各々において、流体の圧力を測定するように構成されている。弁システムは、エンクロージャｉ毎に、エンクロージャｉに流入する流体の入力流速を規制するように構成されている少なくとも１つの入口比例弁と、エンクロージャｉから流出する流体の出力流速を規制するように構成されている出口比例弁とを含む。
区画圧力推定部は、圧力測定システムに結合されている。区画圧力推定部は、各区画ｉ毎に、圧力測定システムからのエンクロージャｉにおける測定圧力を受け取り、区画内における推定圧力を、エンクロージャｉにおける測定圧力の関数として、更に導管ｉおよび区画ｉの既知の特性の関数として、計算するように構成されている。制御部は、エンクロージャｉに流入する流体の入力流速、およびエンクロージャｉから流出する流体の出口流速を、区画ｉに対する圧力設定点と区画圧力推定部からの区画ｉ内部における推定圧力との関数として制御するように、入口比例弁および出口比例弁を動作させることによって、各区画ｉ内部の圧力を制御するように構成されている。
各エンクロージャｉに対して流入および流出し、各導管ｉを介して各区画ｉに達する流体の流量を制御することによって、ｉ個のエンクロージャに導管ｉを介してそれぞれ接続可能なｉ個の区画の各々の内部における圧力を遠隔的に制御する方法（ｉ＝１，．．．，Ｎ）について記載する。この方法は、ｉ個のエンクロージャの各々において、流体の圧力を測定するステップを含む。更に、この方法は、区画内における推定圧力を、エンクロージャｉにおける測定圧力の関数として、更に導管ｉおよび区画ｉの既知の特性の関数として、計算するステップを含む。更に、この方法は、区画ｉ毎に、エンクロージャｉに流入する流体の入力流速、およびエンクロージャｉから流出する流体の出口流速を、区画ｉに対する圧力設定点と区画ｉ内部における推定圧力との関数として制御するように、入口比例弁および出口比例弁を動作させることによって、各区画ｉ内部の圧力を制御するステップを含む。
図１は、本開示における説明の一実施形態による、１つ以上の遠隔区画における圧力を規制する圧力制御システムを示す全体的機能ブロック図である。 図２は、ｉ個のエンクロージャにｉ本の導管ｉ（ｉ＝１，．．．，Ｎ）を介してそれぞれ接続可能な複数ｉの区画、ならびに本開示において記載する圧力制御システムの一実施形態において用いられる圧力測定および流体制御システムを詳細に示す。
（詳細な説明）
本開示において、区画という用語は、密閉立体空間(enclosed volume)を意味することとする。圧力を制御すべき各遠隔区画の圧力を精度高く推定する、オブザーバに基づく解決策(observer-based solution)を用いて、遠隔区画における圧力を制御するシステムおよび方法について説明する。圧力制御システムにおいて遠隔区画の推定圧力を用いることによって、閉ループ制御の性能を著しく向上させることができる。例えば、測定チェンバ内では発生するが遠隔区画自体では発生しない局在的圧力低下を克服することができる。
図１は、本開示における説明の一実施形態による、１つ以上の遠隔区画Ｚｉ（ｉ＝１，．．．，Ｎ）における圧力を規制する圧力制御システムを示す機能ブロック図である。図１に見られるように、全ての区画Ｚｉは、１つの加圧流体源４０に繋がれて加圧され、１つの真空排気機構３０に達する。全体像では、圧力制御システム１００は、圧力測定および流体制御システム１１０（図２に更に詳しく示す）、区画圧力推定部１２０、および制御部１３０を含むことができる。
圧力制御システム１００は、区画圧力推定部１２０を用いて、各遠隔区画における圧力を離れて制御することができる。導管Ｆｉ（図２に示す）を介して区画Ｚｉに接続されているエンクロージャｂｉ内部の測定圧力に基づいて、遠隔区画Ｚｉ内部における圧力を推定し、区画圧力推定部１２０からの推定圧力に基づいてエンクロージャに対する流入および流出を制御する。通例、エンクロージャは、圧力測定チェンバとすればよいが、流体を内部に密閉することができる密閉立体空間であれば、他のいずれの種類でも用いることができる。
圧力測定および流体制御システム１１０は、圧力測定システムと、流体制御システムとを含むことができる。１１０における圧力測定システムは、例えば、複数の圧力センサを含むことができ、その各々はエンクロージャに接続され、エンクロージャ内部の圧力を測定するように構成されている。１１０における流体制御システムは、各エンクロージャに対して流入および流出する流体の流速を制御する弁システムを含むことができる。
区画圧力推定部１２０は、圧力測定システムから圧力測定値を受け取ることができ、更にシステム１００の物理パラメータを（例えば、顧客、操作者、またはその他の要員）から受けることができる。物理パラメータは、例えば、導管および区画の既知のパラメータを含むことができる。区画圧力推定部１２０は、更に、圧力測定値および物理パラメータを用いて、以下で更に詳しく説明する計算方法を用いて、区画毎に圧力推定値を計算し供給するように構成することができる。
また、制御部１３０は、遠隔区画Ｚｉの各々について圧力設定点を受け取ることができ、区画圧力推定値（区画圧力推定部１２０から）および圧力設定点を用いて、流体制御システムを制御することができる。即ち、制御部１３０は、各区画内部における圧力が圧力設定点に応じて規制されるように、各エンクロージャに対して流入および流出する流体の流速を弁システムによって制御することができる。
図示した実施形態では、弁システムは、エンクロージャ毎に、エンクロージャに入る流体の入力流速を規制するように構成されている入口比例弁と、エンクロージャから出てくる流体の出力流速を規制するように構成されている出口比例弁とを含むことができる。制御部１３０は、区画出力推定部からの推定圧力および圧力設定点の関数として入力流速および出力流速を制御するように、入口比例弁および出口比例弁を動作させることによって、各区画内部の圧力を規制するように構成することができる。
図１に模式的に示すように、制御部１３０は、入力流量(input flow)指令信号および出力流量(output flow)指令信号をブロック１１０内部の弁システムに送り（図２において更に詳しく説明する）、入力流速(input flow rate)および出力流速(output flow rate)を、それぞれ、入力流量指令信号および出力流量指令信号に応じて制御することができる。一実施形態例では、制御部は、各エンクロージャに対する入力流速および出力流速のＰＩ（比例−積分）制御（以下で更に詳しく説明する）を実行するように構成することができるが、他の制御方法を用いてもよい。本制御システムおよび方法は、比例および積分（ＰＩ）型制御システムならびに方法として説明するが、他の多くの形式の制御システムおよび方法も用いることができ、限定ではなく、比例、積分、比例および微分（ＰＤ）、ならびに比例および積分および部分（ＰＩＤ）型のフィードバック制御システムおよび方法を含む。
図２は、それぞれｉ本の導管Ｆｉ（ｉ＝１，．．．，Ｎ）を介してｉ個のエンクロージャｂｉに接続可能な複数ｉの区画を示し、各区画ｉにおける圧力は、各エンクロージャｉに対して流入および流出し、各導管ｉを介して各区画ｉに流入する流体の流量を制御することによって規制する。また、図２は、本開示において説明する圧力制御システムの一実施形態において用いられる圧力測定および流体制御システムも示す。
図２に示すように、図１のブロック１０内部に示す遠隔区画Ｚｉは、各々、複数の導管Ｆｉ（ｉ＝１，．．．，Ｎ）を介して、複数のエンクロージャｂｉにそれぞれ接続可能とするとよい。圧力測定および流体制御システム１１０は、複数ｉのエンクロージャ即ち測定チェンバ「ｂｉ」を含み、ここでｉ＝１〜Ｎは、遠隔区画Ｚｉの数に対応する。各測定チェンバｂｉは、ｂｉに流入する流体の入力流速を規制するように構成されている入口弁１１２と、ｂｉから流出する流体の出力流量を規制するように構成されている出口弁１１６とを含む。各測定チェンバｂｉは、加圧流体源４０から入口マニフォルド「Ｌ」を介してエンクロージャｂｉの入口弁１１２に進入し、エンクロージャｂｉの出口弁１１６から流量制約マニフォルド（図２において「man」で示す）を介して真空排気装置３０に至る流体流ラインに沿って配置されている。圧力センサ１１４（通例、変換器）は、ｂｉ内部の圧力を測定するために、各測定チェンバｂｊに動作的に接続されている。
先に説明したように、全ての区画Ｚｉは、１つの加圧流体源４０に繋がれて加圧され、１つの真空排気機構３０に達する。一実施形態では、流量制約マニフォルドは、ベンチュリ・マニフォルドとするとよいが、他の形式の流量絞りを用いてもよい。遠隔区画Ｚｉ（図２のブロック１０内部に示す）は、剛直な壁または可撓性のある壁を有することができ、結合しても、結合しなくてもよい。可撓性のある壁を有する遠隔区画は、拡大および縮小可能な体積を有することができる。可撓性のある壁を有する区画の体積は、互いに相互作用する、例えば、互いに対して押し合う可能性もある。
種々の区画Ｚｉ間の結合は、多数の方法で行うことができる。可撓性のある壁を有する（したがって、拡大および縮小が可能な）区画における体積結合(volumetric coupling)は、体積の拡大／縮小および体積間相互作用によって発生する場合がある。相互作用は、例えば、一方の区画が拡大して他方の区画に押し入ることにより後者の区画内部における圧力が上昇することによって発生する可能性がある。
排気装置における出口結合は、真空圧力レベルが変動する場合に発生し、出口流量を変化させ、極端な場合には、絞った状態と絞っていない状態との間で流体が推移する結果となる可能性がある。これは、特に、大流量がベンチュリ管内に流入するベンチュリ・ポンプの場合に、危機的となる虞れがある。この場合、区画の壁は剛直でも可撓性でもよい。
入口結合は、１つの区画における設定点が十分に高く、そのマニフォルドに大量の突入流量が生じ、ライン圧力の低下、即ち、減衰挙動(transient behavior)が生ずるようなときに発生する可能性がある。このライン圧力低下は、加圧流体源に繋がれている全ての他の区画に影響を及ぼす虞れがある。この場合も、区画の壁は剛直でも可撓性でもよい。
区画が１つしかなく、壁が剛直なシステムは、「非結合、単一区画システム」と見なすことができる。このような剛直区画が多数あり、独立した入口で繋がれ、独立した排気装置に到達する場合は、「非結合、多区画システム」の一例と考えられる。拡大および縮小が可能な可撓性壁を有する１つの区画は、「結合、単一区画システム」と見なすことができる。図１および図２に示す例示的実施形態は、「結合、多区画システム」であり、入口、出口、および体積結合に基づいて、結合のレベルを定量化することができる。
区画圧力推定部１２０は、圧力センサ１１４の圧力測定値、各エンクロージャ（例えば、測定チェンバ）および各区画の物理パラメータ、ならびにモデルに基づくアルゴリズム（以下で説明する）を用いて区画Ｚｉの圧力を精度高く推定することにより、区画Ｚｉの各々における圧力を推定することができる。直接的な結果として、区画Ｚｉ内における圧力を制御する閉ループにおいて区画圧力推定部１２０を用いる圧力制御システムは、区画Ｚｉ自体では発生し得ない、測定チェンバ内における局在化した圧力減衰を克服することができる。このように、圧力制御システムの閉ループ制御性能は、著しく改善することができる。
区画圧力推定部１２０は、高度制御システムに容易に一体化することができ、入口圧力／流、出口圧力／流、および区画体積相互作用の静的および／または動的結合を呈する多数の区画Ｚｉを補償することができる。区画圧力推定部１２０は、遠隔区画Ｚｉの大きさや容積には制約を設けない。区画圧力推定部１２０は、異なる範囲の圧力設定点に有効であり、高度制御システムに組み込むと、一貫した減衰および定常状態挙動を確保する。
（制御アルゴリズム）
制御部１３０は、ｉ個の区画の各々について圧力設定点を受け取り、区画圧力推定部１２０からｉ個の区画の各々について区画圧力推定値を受け取り、区画ｉに接続されている測定チェンバに流入および流出する流体の流量を制御することにより、入口および出口の比例弁を動作させることによって、圧力設定点に応じて各区画における圧力を規制するように構成されている。
先に説明したように、制御部１３０は、入力流量指令信号をエンクロージャｂｉの入口比例弁に、そして出力流量指令信号をエンクロージャｂｉの出口比例弁に送り、エンクロージャｉに流入する入力流速、およびエンクロージャｂｉから流出する出力流速を、入力流量指令信号および出力流量指令信号に応じて、それぞれ制御することができる。
先に説明したように、エンクロージャｂｉの１つ以上について、制御部は、入力流速および出力流速のＰＩ制御を実行することができるが、他の形式の比例弁制御を用いることもできる。ＰＩ制御を実施する場合、制御部からエンクロージャｉの入口比例弁への入力流量指令信号は、次の式で示される。
Figure 2013065345
そして、制御部からエンクロージャｂｉの出口比例弁への出力流量指令信号は、次の式で示される。
Figure 2013065345
上の式で、Qin,iは、エンクロージャｉに流入する入力流速を示し、Qout,iは、エンクロージャｂｉから流出する出力流速を示し、κPinは入力流速に対する比例利得を示し、κlinは入力流速に対する積分利得を示し、κPoutは出力流速に対する比例利得を示し、κIoutは出力流速に対する積分利得を示し、Pz,iは区画Ｚｉ内部における推定圧力を示し、Ｐｔは一方の圧力設定点から他方の圧力設定点までの所望の圧力軌跡を示し、Pt-Pz,iは追跡誤差を示す。圧力軌跡Ｐｔは、多項式、および一次以上の微分方程式の解を含むがこれらには限定されない多数の技法を用いて構築することができる。
本開示の特定的な実施形態では、ＰＩ型制御システムおよび方法について図示し説明するが、多数の変更や修正、例えば、モデルに基づくことができるフィードフォワード項を含めることも、当業者には想起されることが認められよう。したがって、添付した特許請求の範囲は、本開示の真の主旨および範囲に該当するこれらの変更や修正全てを包含することを意図するものとする。
各区画における圧力を推定するために区画圧力推定部１２０を動作させる際に用いられるモデルに基づく計算方法の一例について、以下に説明する。このモデルに基づく計算方法は、測定チェンバの動力学、ならびに遠隔区画Ｚｉの動的および体積結合に基づくことができ、以下に説明する。
（測定チェンバの動力学）
各測定ｂｉの有効圧力を次のように定義する。
Figure 2013065345
ここで、Pb,iは、ｉ番目の区画について測定チェンバにおいて圧力変換器１１４が測定した圧力であり、PSTPは、標準的な温度および圧力（ＳＴＰ）条件における圧力であり、Qin,jは、入力流量を示し、Qo,iおよびQz,iは、出力流量を示す。具体的には、Qo,iはｉ番目の測定チェンバｂｉからベンチュリ・マニフォルドまでの流量であり、Qz,iはｉ番目の区画への流量である。（１）において、Vb,jはｊ番目の区画に対する測定チェンバｂｊの体積を示す。
流量絞り即ちベンチュリ・マニフォルド「man」の出力流量は、次のように表すことができる。
Figure 2013065345
ここで、dorifice,iは、ベンチュリ・マニフォルドに繋がる測定チェンバにおける固定オリフィスの直径を示し、Pmanは、真空排気装置３０に接続されているベンチュリ・マニフォルドにおける圧力を示す。オリフィスを通過する流量は、固定オリフィス間の圧力差に応じて、絞られる場合または絞られない場合がある。
（区画の動力学および体積結合）
各区画Ｚｉへの流量は、以下の動的方程式（ナビエ−ストークの方程式から導出した）によって記述することができる。
Figure 2013065345
ここで、Qz,iおよびPz,iは、ｉ番目の区画への入口流量およびその内部圧力をそれぞれ示し、Ctube,iおよびτtube,iは、測定チェンバｂｉを区画Ｚｉに接続する導管Ｆｉと関連のある定数である。即ち、Ctube,iは、導管ＦｉのコンダクタンスをＳＩ単位[(m3/s)/(s-Pa)]で表し、τtube,iは、これもＳＩ単位で、導管全域の流量平衡時定数を表す。
各区画Ｚｉ内部における圧力ダイナミクスは、以下のように記述することができる。
Figure 2013065345
ここで、各区画Ｚｉの体積をVz,iで示し、多数の区画Ｚｉ間における結合による動的体積相互作用は、数学的に次のように記述することができる。
Figure 2013065345
ここで、Vz0,iは、標準的な温度および圧力（ＳＴＰ）条件下における各区画の初期体積であり、Tvは、体積拡大／縮小時定数であり、γiiは、拡大／縮小係数を表し、γijは区画ｉと区画ｊとの間における結合係数を表す。質量／慣性効果は無視できると仮定すればよい。
（区画圧力推定部）
先に説明したように、制御部１３０の制御目的は、遠隔区画Ｚｉ内部の圧力を規制することである。しかしながら、ｂｉの圧力変換器１１４は、区画Ｚｉ内ではなく、測定チェンバｂｉ内に収容されている。図２において見られるように、測定チェンバｂｉは、導管Ｆｉによって遠隔区画Ｆｉから分離されている。
圧力制御アルゴリズムのオブザーバに基づくモデルは、多数の方法で開発することができる。例えば、流量センサ（例えば、風速計、熱系センサ、圧力系センサ等）を用いて、上の式において流量Qz,iを判定することができる。別の手法では、区画流量方程式を離散形態に書き直すことによって、即時流量オブザーバを開発することが考えられる。
Figure 2013065345
ここで、
Figure 2013065345
は、ｉ番目の区画への流量推定値のｎ番目のサンプルを示し、Ｐｂは流体ライン圧力変換器１１４が測定した圧力である。
次に、（５）における式に対する離散解は、以下のようにして得ることができる。
Figure 2013065345
ここで、
Figure 2013065345
は、ｉ番目の区画に対する体積推定値のｎ番目のサンプルを示す。上の式に基づいて、圧力推定部１２０のアルゴリズムを次のように構築する。
Figure 2013065345
ここで、
Figure 2013065345
は、ｉ番目の区画の圧力推定値のｎ番目のサンプルを示し、
Figure 2013065345
は、（６）において定義した流量推定値から得られ、または利用可能なときに、直接流量測定値Ｑｚと置換することができ、
Figure 2013065345
は、（７）から得られる。
要約すると、圧力を制御しようとする遠隔区画の圧力を精度高く推定することにより、遠隔区画における圧力を制御するシステムおよび方法について説明した。これまでに説明した圧力制御システムおよび方法は、ＣＭＰ機械を含むがこれに限定されない多数の用途において用いることができる。
以上、遠隔区画における圧力を制御するシステムおよび方法のある種の実施形態について説明したが、これらの実施形態において暗示する概念は、他の実施形態でも同様に用いられることは言うまでもない。本願の保護は、以下に続く特許請求の範囲のみによって限定されるものとする。
これらの特許請求の範囲において、単数である要素に言及する場合、具体的にそのように述べていない限り、「１つだけ」を意味するのではなく「１つ以上」を意味することを意図している。本開示全体を通じて記載されている種々の実施形態の要素と構造的および機能的に等価であり、当業者には周知であるまたは今後周知になる要素は、ここで引用したことにより、明示的に本願にも含まれるものとし、特許請求の範囲に包含されることを意図する。更に、ここに開示したいずれもが、かかる開示が明示的に特許請求の範囲に明記されているか否かには係わらず、公衆(the public)に献呈されることは意図していない。いずれの特許請求の範囲の要素も、当該要素が「するための手段」という句を用いて明示的に明記されていなければ、または方法の請求項の場合、当該要素が「するためのステップ」という句を用いて明記されていなければ、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２、第６節の既定にしたがって解釈しないこととする。

Claims (24)

  1. 区画内部における圧力を遠隔的に制御するシステムであって、
    導管を介して区画に接続可能であり、当該区画から離れて位置するエンクロージャ内部の圧力を測定するように構成されている圧力センサと、
    前記エンクロージャに流入および流出し、前記導管を介して前記区画に達する流体の流量を制御するように構成されている弁システムであって、前記エンクロージャに流入する流体の入力流速を規制するように構成されている少なくとも１つの入口比例弁と、前記エンクロージャから流出する流体の出力流速を規制するように構成されている出口比例弁とを含む、弁システムと、
    前記区画内における推定圧力を、前記圧力センサが測定する圧力の関数として、更に前記導管の既知の特性の関数として計算するように構成されている区画圧力推定部と、
    前記入力流量および前記出力流量を、前記区画圧力推定部からの推定圧力と前記区画に対する圧力設定点との関数として制御するように、前記入口比例弁および前記出口比例弁を動作させることによって、前記区画内部の圧力を規制するように構成されている制御部と、
    を備えている、システム。
  2. 請求項１記載のシステムにおいて、
    前記制御部は、更に、前記入力流量指令信号と前記出力流量指令信号とに応じて、前記入力流速および前記出力流速をそれぞれ制御するように、前記入口比例弁に入力流量指令信号を送り、前記出力比例弁に出力流用指令信号を送るように構成されている、システム。
  3. 請求項１記載のシステムにおいて、
    前記制御部は、更に、前記入力流速および前記出力力流速のＰＩ（比例−積分）制御を実行するように構成されており、
    前記入力流量指令信号は、
    Figure 2013065345
     によって示され、
    前記出力流用指令信号は、
    Figure 2013065345
     によって示され、
    Qinは、入力流速を示し、
    Qoutは、出力流速を示し、
    κPinは、入力流速に対する比例利得を示し、
    κIinは、入力流速に対する積分利得を示し、
    κPoutは、出力流速に対する比例利得を示し、
    κIoutは、出力流速に対する積分利得を示し、
    Ｐｚは、前記区画内における推定圧力を示し、
    Ｐｔは、前記圧力設定点の圧力軌跡を示し、
    Pt-Pzは、追跡誤差である、システム。
  4. 請求項１記載のシステムであって、更に、前記入口比例弁に接続されている加圧流体源と、前記出口比例弁に接続されている真空排気装置とを備えている、システム。
  5. 請求項４記載のシステムであって、更に、前記出口比例弁と前記真空排気装置との間に、流量絞りを備えている、システム。
  6. 請求項１記載のシステムにおいて、前記区画は可撓性の壁を有し、前記区画圧力推定部は、更に、前記エンクロージャ内部における推定圧力を計算するように、前記区画の推定体積を、前記導管の既知の特性と前記圧力センサが測定する圧力との関数として計算するように構成されている、システム。
  7. 各エンクロージャｉに対して流入および流出し、各導管ｉを介して各区画ｉに達する流体の流量を制御することによって、ｉ個のエンクロージャに導管ｉを介してそれぞれ接続可能なｉ個の区画の各々の内部における圧力を遠隔的に制御するシステムであって、ｉ＝１，．．．，Ｎであり、
    前記ｉ個のエンクロージャの各々において、前記流体の圧力を測定するように構成されている圧力測定システムと、
    エンクロージャｉ毎に、該エンクロージャｉに流入する流体の入力流速を規制するように構成されている少なくとも１つの入口比例弁と、前記エンクロージャｉから流出する流体の出力流速を規制するように構成されている出口比例弁とを含む、弁システムと、
    前記圧力測定システムに結合され、区画ｉ毎に、前記圧力測定システムからの前記エンクロージャｉにおける測定圧力を受け取り、前記区画内における推定圧力を、前記エンクロージャｉにおける測定圧力の関数として、更に前記導管ｉおよび前記区画ｉの既知の特性の関数として、計算するように構成されている区画圧力推定部と、
    前記エンクロージャｉに流入する流体の入力流速、および前記エンクロージャｉから流出する流体の出口流速を、前記区画ｉに対する圧力設定点と前記区画圧力推定部からの前記区画ｉ内部における推定圧力との関数として制御するように、前記入口比例弁および前記出口比例弁を動作させることによって、前記各区画ｉ内部の圧力を制御するように構成されている制御部と、
    を備えている、システム。
  8. 請求項７記載のシステムにおいて、
    前記圧力測定システムは、複数の圧力センサを備えており、該圧力センサの各々は、前記ｉ個のエンクロージャ内部の圧力を測定するようにそれぞれ接続されている、システム。
  9. 請求項７記載のシステムにおいて、
    区画ｉ毎に、前記制御部は、更に、前記入力流量指令信号と前記出力流量指令信号とに応じて、前記エンクロージャｉに流入する前記入力流速および前記件クロージャｉから流出する前記出力流速をそれぞれ制御するように、エンクロージャｉの前記入口比例弁に入力流量指令信号を送り、エンクロージャｉの前記出力比例弁に出力流用指令信号を送るように構成されている、システム。
  10. 請求項７記載のシステムにおいて、
    前記エンクロージャｉの少なくとも１つについて、前記制御部は、更に、前記少なくとも１つのエンクロージャの前記入力流速および前記出力力流速のＰＩ（比例−積分）制御を実行するように構成されており、
    前記制御部からエンクロージャｉの前記入口比例弁への前記入力流量指令信号は、
    Figure 2013065345
     によって示され、
    前記制御部からエンクロージャｉの前記出口比例弁への前記出力流用指令信号は、
    Figure 2013065345
     によって示され、
    Qin,iは、エンクロージャｉへの入力流速を示し、
    Qout,iは、エンクロージャからの出力流速を示し、
    κPinは、入力流速に対する比例利得を示し、
    κIinは、入力流速に対する積分利得を示し、
    κPoutは、出力流速に対する比例利得を示し、
    κIoutは、出力流速に対する積分利得を示し、
    Ｐｚは、前記区画内における推定圧力を示し、
    Ｐｔは、前記圧力設定点の圧力軌跡を示し、
    Pt-Pzは、追跡誤差である、システム。
  11. 請求項７記載のシステムであって、更に、前記ｉ個のエンクロージャの前記入口比例弁に接続されている加圧流体源と、前記ｉ個のエンクロージャの前記出口比例弁に接続されている真空排気装置とを備えている、システム。
  12. 請求項１１記載のシステムであって、更に、各出口比例弁と前記真空排気装置との間に、流量絞りを備えている、システム。
  13. 請求項１１記載のシステムであって、更に、前記加圧流体源と前記入口比例弁との間に圧力マニフォルドを備えている、システム。
  14. 請求項１２記載のシステムにおいて、前記流量絞りは、ベンチュリを備えている、システム。
  15. 請求項７記載のシステムにおいて、前記ｉ個の区画の少なくとも一部は、剛直な壁を有する、システム。
  16. 請求項７記載のシステムにおいて、前記ｉ個の区画の少なくとも一部は、可撓性のある壁を有し、該可撓性のある壁を有する区画が拡大および縮小可能となっている、システム。
  17. 請求項１６記載のシステムにおいて、前記区画圧力推定部は、更に、可撓性のある壁を有する前記区画に接続されているエンクロージャ内部における推定圧力を計算するように、前記可撓性のある壁を有する区画の各々の推定体積を計算するように構成されている、システム。
  18. 請求項７記載のシステムにおいて、前記ｉ個の区画の少なくとも一部は結合されている、システム。
  19. 請求項７記載のシステムにおいて、前記ｉ個の区画の少なくとも一部は結合されていない、システム。
  20. 請求項８記載のシステムにおいて、
    前記ｉ個の区画の少なくとも一部は、可撓性のある壁を有し、該可撓性のある壁を有する区画が拡大および縮小可能となっており、
    前記ｉ個の区画の少なくとも一部は結合されており、
    前記ｉ本の導管の既知の特性は、ラインｉを区画ｉに接続する各導管ｉと関連のある定数Ctube,iおよびτtube,iと、前記導管のコンダクタンスを表すCtube,iと、前記導管全域における流量平衡時定数を表すτtube,iとを含み、
    前記ｉ個の区画の既知の特性は、ＳＴＰ（標準的温度および圧力）条件下における各区画ｉの初期体積（Vz0,i）と、体積拡大／収縮時定数（Tv）と、区画ｉの拡大／縮小係数（γii）と、区画ｉと区画ｊとの間の結合係数（γij）とを含み、ｊ＝１，．．．，Ｎである、システム。
  21. 請求項２０記載のシステムにおいて、区画ｉ毎に、前記区画圧力推定部は、前記区画ｉの推定圧力のｎ番目のサンプル、
    Figure 2013065345
     と、前記区画ｉの推定体積のｎ番目のサンプル
    Figure 2013065345
     と前記エンクロージャｉに流入する推定入力流速のｎ番目のサンプル
    Figure 2013065345
     とを計算するようにプログラムされており、
    ここで、
    Figure 2013065345
    Figure 2013065345
    Figure 2013065345
     であり、
    Pbiは、エンクロージャｉに接続されている前記圧力センサが測定する圧力を示し、
    Qziは、前記エンクロージャｉに流入する流体の入力流速Qin,iと前記エンクロージャｉから流出する出力流速Qout,iとの間の差によって与えられる、前記区画ｉに流入する流体の入力流速を示す、システム。
  22. 請求項２１のシステムを含む機械であって、更に、前記ｉ個のエンクロージャにそれぞれ接続されている、前記ｉ個の区画を含む、機械。
  23. 請求項２２記載の機械であって、更に、前記ｉ個の区画を内包するＣＭＰキャリア・ヘッドを備えている、機械。
  24. 各エンクロージャｉに対して流入および流出し、各導管ｉを介して各区画ｉに達する流体の流量を制御することによって、ｉ個のエンクロージャに導管ｉを介してそれぞれ接続可能なｉ個の区画の各々の内部における圧力を遠隔的に制御する方法であって、ｉ＝１，．．．，Ｎであり、
    前記ｉ個のエンクロージャの各々において、前記流体の圧力を測定するステップと、
    前記区画内における推定圧力を、前記エンクロージャｉにおける測定圧力の関数として、更に前記導管ｉおよび前記区画ｉの既知の特性の関数として、計算するステップと、
    区画ｉ毎に、前記エンクロージャｉに流入する流体の入力流速、および前記エンクロージャｉから流出する流体の出口流速を、前記区画ｉに対する圧力設定点と前記区画ｉ内部における推定圧力との関数として制御するように、入口比例弁および出口比例弁を動作させることによって、前記各区画ｉ内部の圧力を制御するステップと、
    を備えている、方法。
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Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5082989B2 (ja) * 2008-03-31 2012-11-28 日立金属株式会社 流量制御装置、その検定方法及び流量制御方法
US8302420B2 (en) * 2009-04-27 2012-11-06 Hermes Microvision, Inc. Method for venting gas into closed space and gas supply assembly thereof
US8783027B2 (en) * 2009-09-18 2014-07-22 Siemens Energy, Inc. Pressure regulation circuit for turbine generators
GB2474892B (en) * 2009-10-30 2011-09-21 Siemens Vai Metals Tech Ltd Flow control valve
US9127361B2 (en) * 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
US8347920B2 (en) * 2010-01-29 2013-01-08 Flexibility Engineering, Llc Pressurized fluid positioner control system
JP5496771B2 (ja) * 2010-05-13 2014-05-21 株式会社Ｋｅｌｋ 温度制御装置を用いた温度制御方法
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US20140311581A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Pressure controller configuration for semiconductor processing applications
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10794613B2 (en) 2017-03-13 2020-10-06 Kevin Michael Murphy, Llc Overflow protection and monitoring apparatus and methods of installing same
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
JP7068062B2 (ja) * 2018-06-18 2022-05-16 株式会社堀場製作所 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
DE102019106682B4 (de) * 2019-03-15 2022-07-07 Bürkert Werke GmbH & Co. KG Druckregler
US11320843B2 (en) * 2019-10-17 2022-05-03 Dongguan Hesheng Machinery & Electric Co., Ltd. Air compression system with pressure detection
CN111623158B (zh) * 2020-06-07 2021-12-21 上海阀特流体控制阀门有限公司 一种阀门控制系统
TWI785608B (zh) * 2021-05-12 2022-12-01 復盛股份有限公司 流體機械及其控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61170633A (ja) * 1985-01-24 1986-08-01 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd キヤビテ−シヨン水槽用圧力制御装置
WO2005093304A1 (en) * 2004-03-09 2005-10-06 Mks Instruments, Inc. System and method for controlling pressure in remote zones

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456038A (en) * 1981-03-25 1984-06-26 Hennessy Industries, Inc. Apparatus for pressurizing tires to a desired level
US4961441A (en) * 1989-11-13 1990-10-09 Salter Stuart C Method and system for controlling a pressure regulator
US5325884A (en) * 1991-07-10 1994-07-05 Conservair Technologies Compressed air control system
DE69228410T2 (de) * 1991-08-21 1999-07-08 Smith & Nephew Inc Flüssigkeitenbehandlungssystem
US5443087A (en) * 1993-12-13 1995-08-22 Melea Limited Method and system for controlling a pressurized fluid and valve assembly for use therein
US5551770A (en) 1994-10-27 1996-09-03 Ford Motor Company Method for estimating pressure in a pressure actuated controller
US5762539A (en) 1996-02-27 1998-06-09 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
DE19651761A1 (de) 1996-12-12 1998-06-18 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
US5957751A (en) 1997-05-23 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system
US5964653A (en) 1997-07-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US5916016A (en) 1997-10-23 1999-06-29 Vlsi Technology, Inc. Methods and apparatus for polishing wafers
US6080050A (en) 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
KR20010024969A (ko) 1999-02-02 2001-03-26 마에다 시게루 기판파지장치 및 연마장치
US6368189B1 (en) 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
DE19956553B4 (de) 1999-11-24 2010-11-25 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Abschätzen des Druckes in einem Radbremszylinder und Steuereinheit zur Durchführung des Verfahrens
CA2298324A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-09 Michael T. Sulatisky High volume electronic gas regulator
US6506105B1 (en) 2000-05-12 2003-01-14 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for pneumatic diaphragm CMP head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control
US6439956B1 (en) * 2000-11-13 2002-08-27 Interact Accessories, Inc. RC car device
ATE468874T1 (de) 2000-12-29 2010-06-15 Resmed Ltd Charakterisierung von maskensystemen
US6568416B2 (en) * 2001-02-28 2003-05-27 Brian L. Andersen Fluid flow control system, fluid delivery and control system for a fluid delivery line, and method for controlling pressure oscillations within fluid of a fluid delivery line
US6837774B2 (en) * 2001-03-28 2005-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Linear chemical mechanical polishing apparatus equipped with programmable pneumatic support platen and method of using
US6766260B2 (en) 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
US6722946B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-20 Nutool, Inc. Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
AU2003254011A1 (en) 2002-07-19 2004-02-09 Mykrolis Corporation Fluid flow measuring and proportional fluid flow control device
US7543596B2 (en) * 2002-07-19 2009-06-09 Entegris, Inc. Liquid flow controller and precision dispense apparatus and system
JP2004090744A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Hitachi Unisia Automotive Ltd ブレーキ圧力推定装置
US7740024B2 (en) * 2004-02-12 2010-06-22 Entegris, Inc. System and method for flow monitoring and control

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61170633A (ja) * 1985-01-24 1986-08-01 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd キヤビテ−シヨン水槽用圧力制御装置
WO2005093304A1 (en) * 2004-03-09 2005-10-06 Mks Instruments, Inc. System and method for controlling pressure in remote zones

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