KR101249405B1 - 노볼락 수지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

개시된 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내지며, 약 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는다.
<화학식 1>
Figure 112011043279797-pat00011

상기 화학식 1에서, n은 양의 정수이며, R1은 단결합, 또는 적어도 하나 이상의 방향족 고리 그룹일 수 있다. 상기 방향족 고리 그룹의 수소 원자는, 히드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로 치환될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1에서, R2는 수소원자, 히드록실기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.

Description

노볼락 수지 및 그 제조방법{NOVOLAC RESIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 노볼락 수지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지의 합성에 이용될 수 있는 노볼락 수지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
에폭시 수지는 경화제와 반응하여 경화될 수 있으며, 기계적 성질, 내수성, 내약품성, 전기적 성질, 접착성 등이 우수하여, 접착제, 도료, 적층판, 각종 성형재료, 결합제 등으로 광범위하게 사용된다.
예를 들어, 일반적인 반도체 패키지의 제조 공정에 따르면, 먼저, 웨이퍼 레벨로 제조된 다수개의 반도체 칩이 쏘잉(Sawing) 공정을 통해 개별 반도체 칩들로 분리된 후, 상기 각 반도체 칩들이 인쇄회로기판 상에 부착된다. 그런 다음, 상기 각 반도체 칩의 본딩패드와 인쇄회로기판의 본드핑거 간이 금속와이어에 의해 전기적으로 본딩된다. 이어서, 상기 반도체 칩을 외부의 충격으로부터 보호하기 위해 몰딩 공정으로 상기 반도체 칩과 와이어 본딩된 상기 와이어를 포함하는 인쇄회로기판의 상면이 밀봉되고, 그런 다음, 상기 인쇄회로기판의 하면에 외부 접속 단자가 부착되어 반도체 패키지가 완성되며, 상기 몰딩 공정에 사용되는 몰딩재로는 에폭시 수지 조성물이 널리 사용된다.
상기 에폭시 수지의 난연화하는 방법으로는 테트라브로모비스페놀 A의 에폭시화물이 알려져 있으나, 브롬을 함유하는 화합물의 경우, 난연성은 우수하나 폐기 및 소각시에 환경오염을 유발하는 물질을 발생시키게 되므로 규제를 받고 있다.
따라서, 에폭시 수지의 난할로겐 난연화 기술이 많이 연구되어 왔으며 난할로겐 난연제로서 인화합물을 고려할 수 있으나 흡습성, 가수분해성 등의 단점으로 사용에 제약이 있다.
따라서, 우수한 난연성을 갖는 신규 에폭시 수지가 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 기존 에폭시 수지의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에폭시 수지 합성의 출발 물질로서, 난연성을 갖는 노볼락 수지를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 노볼락 수지의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내지며, 약 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는다.
<화학식 1>
Figure 112011043279797-pat00001
상기 화학식 1에서, n은 양의 정수이며, R1은 단결합, 또는 적어도 하나 이상의 방향족 고리 그룹일 수 있다. 상기 방향족 고리 그룹의 수소 원자는, 히드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로 치환될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1에서, R2는 수소원자, 히드록실기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
일 실시예에 따르면, 상기 노볼락 수지의 수평균 분자량은 400 내지 1,800이다.
일 실시예에 따르면, 상기 노볼락 수지의 연화점은 90℃ 내지 160℃이며, 히드록실기 당량은 190 내지 260g/eq이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지의 제조방법에 따르면,4 -페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물을 교반한다. 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 혼합물을 가열하여 중합 반응시킨다. 상기 중합 반응에 의해 얻어진 생성물을 탈수하여, 상기 화학식 1로 나타내지며, 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지를 수득한다.
일 실시예에 따르면, 상기 페놀계 화합물은 페놀, 비스페놀-A, 비스페놀-F, m-크레졸, p-크레졸, 자일레놀, 레조시놀, 바이페놀, 파라터셔리부틸페놀(PTBP), 파라옥틸페놀(POP) 및 파라노닐페놀(PNP)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 중합반응은 술폰산계 촉매의 존재 하에 이루어진다. 상기 술폰산계 촉매는 페놀술폰산, 파라톨루엔술폰산, 키시렌술폰산 및 메탄술폰산로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 중합반응은 케톤류 용제의 존재 하에 이루어지며, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 교반 역시 케톤류 용제의 존재 하에 이루어질 수 있다. 상기 케톤류 용제의 함량은 상기 4-페닐벤즈알데하이드 및 페놀계 화합물을 포함한 혼합물의 총 중량의 5 내지 50 중량%일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 중합 반응에 의해 얻어진 생성물을 이온교환수로 세정된다.
본 발명에 따른 노볼락 수지는 바이페닐 구조의 도입에 따라 난연성이 개선되어, 결과적으로 우수한 난연성을 갖는 에폭시 수지의 제조에 사용될 수 있다.
실시예 1에 의해 얻어진 노볼락 수지에 대한 NMR 데이터를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지 및 노볼락 수지의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
노볼락 수지
본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지는 아래의 화학식 1로 나타내지며, 약 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는다.
<화학식 1>
Figure 112011043279797-pat00002
상기 화학식 1에서, n은 양의 정수이며, R1은 단결합, 또는 적어도 하나 이상의 방향족 고리 그룹일 수 있다. 상기 방향족 고리 그룹의 수소 원자는, 히드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로 치환될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서, R2는 수소원자, 히드록실기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. 예를 들어, 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소프로필기, 펜틸기, 이소부틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 노볼락 수지는 아래의 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 또는 화학식 5로 나타내질 수 있다.
<화학식 2>
Figure 112011043279797-pat00003
<화학식 3>
Figure 112011043279797-pat00004
<화학식 4>
Figure 112011043279797-pat00005
<화학식 5>
Figure 112011043279797-pat00006
바람직하게, 상기 노볼락 수지의 수평균 분자량은 약 400 내지 1,800일 수 있다. 또한, 상기 노볼락 수지의 분자량은 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 것일 수 있다.
상기 노볼락 수지의 연화점은 약 90℃ 내지 160℃일 수 있으며, (페놀성) 히드록실기 당량은 약 190 내지 260g/eq, 바람직하게는 약 200 내지 230g/eq일 수 있다.
상기 노볼락 수지는 바이페닐 유도체인 4-페닐벤즈알데하이드(4-phenylbenzaldehyde, 4-PBA)와 페놀계 화합물을 결합시켜 얻어질 수 있다.
예를 들어, 상기 폐놀계 화합물은 페놀, 비스페놀-A, 비스페놀-F, m-크레졸, p-크레졸, 자일레놀, 레조시놀, 바이페놀, 파라터셔리부틸페놀(PTBP), 파라옥틸페놀(POP), 또는 파라노닐페놀(PNP)이 사용될 수 있다. 이들은 각각 단독으로, 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 노볼락 수지는, 예를 들어, 에피클로로히드린과 반응하여 에폭시화 함으로써 반도체 팩키징 등을 위한 에폭시수지로 사용될 수 있으며, 바이페닐구조의 도입에 의한 자기소화성 특성을 갖게 된다. 또한 상기 노볼락 수지를 케톤류 등의 용제에 용해하여 액상화함으로써 인쇄회로기판용 에폭시수지의 경화제로서도 이용할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
노볼락 수지의 제조방법
본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지의 제조방법에 따르면, 먼저, 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물을 교반한다. 상기 페놀계 화합물은 페놀, 비스페놀-A, 비스페놀-F, m-크레졸, p-크레졸, 자일레놀, 레조시놀, 바이페놀, 파라터셔리부틸페놀(PTBP), 파라옥틸페놀(POP), 또는 파라노닐페놀(PNP)이 사용될 수 있다. 이들은 각각 단독으로, 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 혼합물을 가열하여 반응시킨다.
다음으로, 얻어진 반응 생성물을 탈수하고, 미반응 물질을 제거하여, 아래의 화학식 1로 나타내지며, 약 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지를 얻는다.
<화학식 1>
Figure 112011043279797-pat00007
상기 화학식 1에서, n은 양의 정수이며, R1은 단결합, 또는 적어도 하나 이상의 방향족 고리 그룹일 수 있다. 상기 방향족 고리 그룹의 수소 원자는, 히드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로 치환될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서, R2는 수소원자, 히드록실기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. 예를 들어, 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소프로필기, 펜틸기, 이소부틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등을 포함할 수 있다.
상기 노볼락 수지의 연화점은 약 90℃ 내지 160℃일 수 있으며, (페놀성) 히드록실기 당량은 약 190 내지 260g/eq, 바람직하게는 약 200 내지 230g/eq일 수 있다.
예를 들어, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 교반은 약 50℃ 내지 70℃에서 이루어질 수 있다. 이는 상온에서 고체상을 갖는 페놀계 화합물의 교반을 용이하게 할 수 있다.
바람직하게, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 반응에는 반응을 용이하게 하기 위한 촉매가 이용된다. 상기 촉매로는 무기산 촉매 또는 유기산 촉매가 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 무기산 촉매로는 염산, 황산, 인산 등이 사용될 수 있으며, 상기 유기산 촉매로는 개미산, 술폰산, 살리실산, 호박산, 벤조익산 등이 사용될 수 있다. 이 중에서 반응 안정성을 고려할 때, 술폰산계 촉매가 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 술폰산계 촉매는 페놀술폰산, 파라톨루엔술폰산, 키시렌술폰산, 메탄술폰산 등을 예롤 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다.
상기 촉매의 바람직한 사용량은 종류에 따라 차이가 있다. 무기산 촉매의 경우 페놀계 화합물의 100 중량부에 대하여 약 0.001중량부 내지 1중량부, 바람직하게는 약 0.01중량부 내지 0.1중량부이며 유기산 촉매의 경우는 약 0.01중량부 내지 3중량부, 바람직하게는 약 0.05중량부 내지 1중량부이다.
상기 촉매는 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물과 함께 교반되거나, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물이 교반된 후, 반응 단계에서 투입될 수도 있다.
상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 교반 및/또는 반응은 용제의 존재 하에서 이루어질 수 있다. 상기 용제는 상온에서 고체상을 갖는 페놀계 화합물의 교반과 반응을 용이하게 할 수 있다.
상기 용제는 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 반응에 악영향을 미치지 않는 것으로 선택될 필요가 있으며, 예를 들어, 비점이 알코올류보다 높은 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤과 같은 케톤류 등이 사용될 수 있다. 상기 용제의 함량은 상기 4-페닐벤즈알데하이드 및 페놀계 화합물을 포함한 혼합물의 총 중량의 5 내지 50 중량%일 수 있다.
상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 반응은 축합 반응이므로, 반응의 결과로 물이 발생된다. 바람직한 반응 온도는 약 100℃ 내지 150℃이고, 반응 시간은 약 1 내지 10시간이다.
반응이 종료된 후에는, 진공흡입, 가열 등을 통하여 반응에 의해 생성된 물,촉매, 용제, 미반응된 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물 등을 제거한다. 또한, 불순물 제거를 위해 이온교환수를 투입하여 수세공정을 진행할 수 있다.
상기 이온교환수의 투입량은 전체 반응 생성물 중량의 약 10중량% 내지 100중량%일 수 있으며, 바람직하게는 약 30중량% 내지 60중량%가 좋다. 이온교환수 투입에 의한 수세공정은 1회 또는 수회까지 할 수도 있다.
또한, 상기 반응 생성물에 대하여 상압 또는 약 100 내지 400mmHg의 감압하에서 탈수를 진행할 수 있다. 상기 탈수는 약 150℃ 내지 230℃의 범위에서 이루어질 수 있으며, 추가적으로, 스팀 블로우(steam blow) 증류 공정을 진행할 수도 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물 외에 유사한 축합 반응이 가능한 다른 물질이 추가될 수 있다. 예를 들어, 포름알데히드, 글리옥살, 살리실알데히드등과 같은 알데히드류와 p-자일렌 글리콜 디메틸에테르와 같은 물질이 추가될 수 있다. 이 경우, 상기 노볼락 수지는 상기 화학식 1의 반복 단위와 추가 물질의 반응에 의해 형성되는 다른 반복 단위의 공중합체 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 바이페닐구조를 도입함으로써 난연성을 향상시킨 노볼락 수지를 효과적으로 얻을 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 노볼락 수지 및 그 제조방법에 대하여, 구체적인 실시예 및 제조예를 참조하여 설명하기로 한다.
실시예 1
온도계, 냉각관, 교반기를 장착한 플라스크에 질소 가스 퍼지를 실시하면서 하기 화학식 4-페닐벤즈알데하이드(DALIAN RICHFORTUNE CHEMICALS Co., 중국) 27.1g 및 페놀 70g을 넣고 탈수 회로에서 60℃까지 승온하여 용해시켰다. 이어 페놀술폰산(YORKSHIRE INDONESIA) 0.05g 첨가하고 교반하면서 130℃까지 승온하여 3시간 동안 반응시켰다. 이 과정에서 발생하는 축합수는 탈수회로로 분리, 제거하였다. 반응 종료 후, 110℃까지 냉각하고 이온교환수 70g을 첨가하여 30분간 교반 후, 수지층과 상층수를 분리하였다. 분리 완료후 상층수를 진공 흡입방식으로 제거한 후, 탈수회로에서 상압으로 가열하여 190℃까지 탈수를 진행하였다. 이후 진공도 0.0906MPa 이상에서 1시간 동안 진공 탈수를 진행하여 미반응 페놀을 제거한 후 동일한 온도와 진공도 조건에서 스팀을 1시간동안 투입하여 잔류 미반응 페놀을 추가로 제거하여 65g의 노볼락 수지를 얻었다. 수득된 노볼락 수지의 연화점은 113℃, 150℃에서의 용융점도는 1550mPa.s, 페놀성 히드록실기 당량은 204g/eq였다. GPC에 의한 분자량을 측정한 결과는 중량평균 분자량이 750이었으며 가스크로마토그래피(이하 GC)에 의한 미반응 페놀 함량은 0.07%이었다.
도 1은 실시예 1에 의해 얻어진 노볼락 수지에 대한 NMR 데이터를 나타내는 그래프이다. 도 1을 참조하면, 실시예 1에 의해 얻어진 노볼락 수지는 아래의 화학식 2로 나타낼 수 있음을 확인할 수 있다.
<화학식 2>
Figure 112011043279797-pat00008
실시예 2
온도계, 냉각관, 교반기를 장착한 플라스크에 질소 가스 퍼지를 실시하면서 하기 화학식 4-페닐벤즈알데하이드 23.6g, m-크레졸 70g 및 메틸이소부틸케톤 7g을 넣고 탈수 회로에서 60℃까지 승온하여 용해시켰다. 이어 페놀술폰산 0.07g 첨가하고 교반하면서 130℃까지 승온하여 3시간 동안 반응시켰다. 이 과정에서 발생하는 축합수 및 메틸이소부틸케톤은 탈수회로로 분리, 제거하였다. 반응 종료 후, 110℃까지 냉각하고 이온교환수 70g을 첨가하여 30분간 교반 후, 수지층과 상층수를 분리하였다. 분리 완료후 상층수를 진공 흡입방식으로 제거한 후, 탈수회로에서 상압으로 가열하여 190℃까지 탈수를 진행하였다. 이후 진공도 0.0906MPa 이상에서 1시간 동안 진공 탈수를 진행하여 미반응 m-크레졸을 제거한 후 동일한 온도와 진공도 조건에서 스팀을 1시간동안 투입하여 잔류 미반응 m-크레졸을 추가로 제거하여 59g의 노볼락 수지를 얻었다. 수득된 노볼락 수지의 연화점은 108℃, 150℃에서의 용융점도는 1340mPa.s, 페놀성 히드록실기 당량은 219g/eq였다. GPC에 의한 분자량을 측정한 결과는 중량평균 분자량이 695이었으며 GC에 의한 미반응 페놀 함량은 0.1%이었다.
실시예 3
온도계, 냉각관, 교반기를 장착한 플라스크에 질소 가스 퍼지를 실시하면서 하기 화학식 4-페닐벤즈알데하이드 27g, 페놀 70g 및 42% 포르말린 10.8g을 넣고 탈수 회로에서 60℃까지 승온하여 용해시켰다. 이어 페놀술폰산 0.05g 첨가하고 교반하면서 130℃까지 승온하여 3시간 동안 반응시켰다. 이 과정에서 발생하는 축합수는 탈수회로로 분리, 제거하였다. 반응 종료 후, 110℃까지 냉각하고 이온교환수 70g을 첨가하여 30분간 교반 후, 수지층과 상층수를 분리하였다. 분리 완료후 상층수를 진공 흡입방식으로 제거한 후, 탈수회로에서 상압으로 가열하여 190℃까지 탈수를 진행하였다. 이후 진공도 0.0906MPa 이상에서 1시간 동안 진공 탈수를 진행하여 미반응 페놀을 제거한 후 동일한 온도와 진공도 조건에서 스팀을 1시간동안 투입하여 잔류 미반응 페놀을 추가로 제거하여 63.5g의 노볼락 수지를 얻었다. 수득된 노볼락 수지의 연화점은 129℃, 150℃에서의 용융점도는 920mPa.s, 페놀성 히드록실기 당량은 165g/eq였다. GPC에 의한 분자량을 측정한 결과는 중량평균 분자량이 1406이었으며 GC에 의한 미반응 페놀 함량은 0.05%이었다.
본 발명에 따른 노볼락 수지는 난연성 에폭시 수지의 제조에 사용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (13)

  1. 아래의 화학식 1로 나타내지며, 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지.
    <화학식 1>
    Figure 112011043279797-pat00009

    (n은 양의 정수이며, R1은 단결합, 또는 적어도 하나 이상의 방향족 고리 그룹이며, 상기 방향족 고리 그룹의 수소 원자는, 히드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로 치환될 수 있으며, R2는 수소원자, 히드록실기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.)
  2. 제1항에 있어서, 수평균 분자량은 400 내지 1,800인 것을 특징으로 하는 노볼락 수지.
  3. 제1항에 있어서, 연화점은 90℃ 내지 160℃이며, 히드록실기 당량은 190 내지 260g/eq인 것을 특징으로 하는 노볼락 수지.
  4. 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물을 교반하는 단계;
    상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 혼합물을 가열하여 중합 반응시키는 단계; 및
    상기 중합 반응에 의해 얻어진 생성물을 탈수하여, 아래의 화학식 1로 나타내지며, 500 내지 4,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지를 수득하는 단계를 포함하는 노볼락 수지의 제조방법.
    <화학식 1>
    Figure 112011043279797-pat00010

    (n은 양의 정수이며, R1은 단결합, 또는 적어도 하나 이상의 방향족 고리 그룹이며, 상기 방향족 고리 그룹의 수소 원자는, 히드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로 치환될 수 있으며, R2는 수소원자, 히드록실기, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.)
  5. 제4항에 있어서, 상기 페놀계 화합물은 페놀, 비스페놀-A, 비스페놀-F, m-크레졸, p-크레졸, 자일레놀, 레조시놀, 바이페놀, 파라터셔리부틸페놀(PTBP), 파라옥틸페놀(POP) 및 파라노닐페놀(PNP)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 중합반응은 술폰산계 촉매의 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 술폰산계 촉매는 페놀술폰산, 파라톨루엔술폰산, 키시렌술폰산 및 메탄술폰산로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 중합반응은 케톤류 용제의 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 4-페닐벤즈알데하이드와 페놀계 화합물의 교반은 케톤류 용제의 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 케톤류 용제의 함량은 상기 4-페닐벤즈알데하이드 및 페놀계 화합물을 포함한 혼합물의 총 중량의 5 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  11. 제4항에 있어서, 상기 중합 반응에 의해 얻어진 생성물을 이온교환수로 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  12. 제4항에 있어서, 상기 노볼락 수지의 수평균 분자량은 400 내지 1,800인 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
  13. 제4항에 있어서, 상기 노볼락 수지의 연화점은 90℃ 내지 160℃이며, 히드록실기 당량은 190 내지 260g/eq인 것을 특징으로 하는 노볼락 수지의 제조방법.
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