KR101246775B1 - 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치 - Google Patents

반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101246775B1
KR101246775B1 KR1020100129426A KR20100129426A KR101246775B1 KR 101246775 B1 KR101246775 B1 KR 101246775B1 KR 1020100129426 A KR1020100129426 A KR 1020100129426A KR 20100129426 A KR20100129426 A KR 20100129426A KR 101246775 B1 KR101246775 B1 KR 101246775B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pick
shaft portion
conveyance mechanism
chamber
processing
Prior art date
Application number
KR1020100129426A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110068939A (ko
Inventor
히로미츠 사카우에
마사히토 오자와
요지 이이즈카
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20110068939A publication Critical patent/KR20110068939A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101246775B1 publication Critical patent/KR101246775B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095Manipulators transporting wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00Programme-controlled manipulators
    • B25J9/02Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type
    • B25J9/04Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type by rotating at least one arm, excluding the head movement itself, e.g. cylindrical coordinate type or polar coordinate type
    • B25J9/041Cylindrical coordinate type
    • B25J9/042Cylindrical coordinate type comprising an articulated arm
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00Programme-controlled manipulators
    • B25J9/10Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements
    • B25J9/106Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements with articulated links
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 처리 장치에 있어서의 처리 시간을 단축해도 생산성이 한계점에 달하는 사정을 억제하는 것이 가능하고 또한 구조도 간이한 반송 장치를 제공한다. 수직방향으로 설치되고 회전 가능한 제 1 샤프트부(35a)와, 제 1 샤프트부(35a)에 부착되고 선단에 피처리체(W)를 유지하는 제 1 픽(40a)을 구비한 수평방향으로 신축 가능한 제 1 아암(39a)을 구비한 제 1 반송 기구(33a)와, 수직방향으로 설치되고 회전 가능한 제 2 샤프트부(35b)와, 제 2 샤프트부(35b)에 부착되고 선단에 피처리체(W)를 유지하는 제 2 픽(40b)을 구비한 수평방향으로 신축 가능한 제 2 아암(39b)을 구비한 제 2 반송 기구(33b)를 구비하고, 제 1 반송 기구(33a) 및 제 2 반송 기구(33b)를, 제 1 샤프트부(35a)의 회전 중심(42a)과 제 2 샤프트부(35b)의 회전 중심(42b)이 일치되도록 하고, 수직방향으로 서로 이간되어 배치된다.

Description

반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치{TRANSFER DEVICE AND TARGET OBJECT PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}
본 발명은 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치에 관한 것이다.
전자기기의 제조에는 피처리체가 이용되고, 피처리체에 대해 성막이나 에칭 등의 처리가 실시된다. 예를 들면, 반도체 집적 회로 장치의 제조에는 피처리체로서 반도체 웨이퍼가 이용되고, 반도체 웨이퍼에 대해 성막이나 에칭 등의 처리가 실시된다. 이들 처리는 서로 독립된 처리 장치에서 실행되는 것이 일반적이다. 예를 들면, 성막 처리는 성막 처리실을 구비한 성막 처리 장치에서 실행되고, 에칭 처리는 에칭 처리실을 구비한 에칭 처리 장치에서 실행된다.
최근에는, 처리의 일관화를 도모하기 위해, 및 처리 장치의 증가에 수반하는 풋프린트(foot print)의 증대를 억제하기 위해, 반송실의 주위에 복수의 처리실을 배치한 멀티 챔버(클러스터 툴(cluster tool)형의 피처리체 처리 장치가 다용되어 오고 있다. 멀티 챔버형의 피처리체 처리 장치의 전형적인 예는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있다.
또한, 반송실과 복수의 처리실 사이에서의 피처리체의 반송에는 상기 특허문헌 1 또는 특허문헌 2에 기재되는 바와 같이, 다관절 로봇을 이용한 반송 장치가 사용되고 있다.
일본 특허 공개 공보 제 2005-64509 호 일본 특허 공개 공보 제 2004-282002 호
성막이나 에칭 등의 각종 처리에 있어서는 생산성을 증가시키기 위해, 각기 처리 시간의 단축화가 진행되고 있다.
그러나, 각종 처리에 있어서의 처리 시간의 단축화가 진행되면, 멀티 챔버형의 피처리체 처리 장치에서의 처리에 요하는 시간을 율속(律速)시키는 요인이 처리 율속에서 반송 율속으로 변화해 버린다. 이 때문에, 처리 시간을 아무리 단축해도, 생산성은 한계점에 달한다고 하는 사정이 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안해서 이루어진 것으로, 처리 장치에 있어서의 처리 시간을 단축해도 생산성이 한계점에 달하는 사정을 억제하는 것이 가능하고, 또한, 구조도 간이한 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 형태에 따른 반송 장치는 수직방향으로 설치되고 회전 가능한 제 1 샤프트부와, 상기 제 1 샤프트부에 부착되고 선단에 피처리체를 유지하는 제 1 픽을 구비한 수평방향으로 신축 가능한 제 1 아암을 구비한 제 1 반송 기구와, 수직방향으로 설치되고 회전 가능한 제 2 샤프트부와, 상기 제 2 샤프트부에 부착되고 선단에 피처리체를 유지하는 제 2 픽을 구비한 수평방향으로 신축 가능한 제 2 아암을 구비한 제 2 반송 기구를 구비하고, 상기 제 1 반송 기구 및 상기 제 2 반송 기구가 상기 제 1 샤프트부의 회전 중심과 상기 제 2 샤프트부의 회전 중심이 일치되도록 해서, 상기 수직방향으로 서로 이간되어 배치되어 있다.
본 발명의 제 2 형태에 따른 피처리체 처리 장치는 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치로서, 상기 피처리체를 반송하는 반송 장치로서 상기 제 1 형태에 따른 반송 장치가 이용되고 있다.
본 발명에 의하면, 처리 장치에 있어서의 처리 시간을 단축해도 생산성이 한계점에 달하는 사정을 억제하는 것이 가능하고, 또한 구조도 간이한 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 평면도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 3a 및 도 3b는 아암(arm) 축퇴 상태 및 아암 신장 상태를 나타내는 평면도,
도 4a 및 도 4b는 아암 축퇴 상태 및 아암 신장 상태를 나타내는 평면도,
도 5a 내지 도 5f는 픽과 픽 사이를 이루는 각도 및 픽의 방향의 조절예를 나타내는 평면도,
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치에 의해 실행 가능한 피처리체의 반송 방법의 일 예를 나타내는 평면도,
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치에 의해 실행 가능한 피처리체의 반송 방법의 일 예의 타이밍도,
도 8은 반송 장치의 상부측 반송 기구를 천판부에 부착한 경우에 생기는 사정을 설명하는 단면도,
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 반송 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 10은 활주 기구의 일 예의 일부를 단면으로 나타낸 측면도,
도 11은 지주를 위치 결정 부재로서 이용하는 경우의 일 예의 일부를 단면으로 나타낸 측면도,
도 12의 (a) 내지 (c)는 지주를 거리 조절 부재로서 이용하는 경우의 일 예의 일부를 단면으로 나타낸 측면도,
도 13은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 반송 장치의 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 14는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 반송 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 15a는 통상 상태에 있어서의 측면도이며, 도 15b는 통상 상태에 있어서의 평면도,
도 16a는 정전 상태에 있어서의 측면도, 도 16b는 정전 상태에 있어서의 평면도.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조해서 설명한다. 또한, 전체 도면에 걸쳐 공통의 부분에는 공통된 참조 부호를 붙인다.
(제 1 실시형태)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 본 예에서는 피처리체 처리 장치의 일 예로서, 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 취급하는 멀티 챔버(클러스터 툴)형의 반도체 제조 장치를 예시한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 제조 장치(1a)는 반도체 제조 장치(1a)의 외부와의 사이에서 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)(W)를 반입 반출하는 반입출부(로더 모듈(loader module))(2)와, 웨이퍼(W)에 처리를 실시하는 처리부(3)와, 반입출부(2)와 처리부(3) 사이에서 반입 반출하는 로드록(load-lock)부(4)와, 반도체 제조 장치(1a)를 제어하는 제어부(5)를 구비하고 있다.
반입출부(2)는 반입출실(21)을 구비하고 있다. 반입출실(21)은 내부를 대기압, 또는 대략 대기압, 예를 들면, 외부의 대기압에 대해 약간 양압(陽壓)으로 조정 가능하다. 반입출실(21)의 평면형상은, 본 예에서는 긴 변과 이 긴 변에 직교하는 짧은 변을 가진 직사각형이다. 직사각형의 긴 변의 한 변은 상기 처리부(3)에 상기 로드록부(4)를 거쳐서 마주 대한다. 긴 변의 다른 한 변에는 웨이퍼(W)가 수용된 또는 비어 있는 캐리어(C)가 부착되는 로드 포트(load port)(22)가 구비되어 있다. 본 예에서는 3개의 로드 포트(22a 내지 22c)가 구비되어 있다. 로드 포트(22)의 수는 3개에 한정되는 것은 아니며, 임의로 정할 수 있다. 로드 포트(22a 내지 22c)에는 각각 도시하지 않은 셔터(shutter)가 마련되어 있다. 캐리어(C)가 로드 포트(22a 내지 22c) 중의 어느 하나에 부착되면, 셔터가 열린다. 이것에 의해, 외기의 침입을 방지하면서, 캐리어(C)의 내부와 반입출실(21)의 내부가 연통된다. 직사각형의 짧은 변의 위치에는 캐리어(C)로부터 꺼내어진 웨이퍼(W)의 방향을 맞추는 오리엔터(orienter)(23)가 구비되어 있다.
처리부(3)는 반송실(31)과, 웨이퍼(W)에 처리를 실시하는 복수의 처리실(32)을 구비하고 있다. 본 예에서는 하나의 반송실(31)과, 하나의 반송실(31)의 주위에 마련된 4개의 처리실(32a 내지 32d)을 구비하고 있다. 처리실(32a 내지 32d)은 각각, 내부를 소정의 진공도로 감압 가능한 진공 용기로서 구성되고, 내부에서는 성막 또는 에칭과 같은 처리가 실행된다. 처리실(32a 내지 32d)은 각각 게이트 밸브(G1 내지 G4)를 거쳐서 반송실(31)에 접속된다.
로드록부(4)는 복수의 로드록실(41)을 구비하고 있다. 본 예에서는 하나의 반송실(31)의 주위에 마련된 2개의 로드록실(41a 및 41b)을 구비하고 있다. 로드록실(41a 및 41b)은 각각, 내부를 소정의 진공도로 감압 가능한 진공 용기로서 구성되고, 상기 소정의 진공도와, 대기압 또는 대략 대기압의 사이에서 압력 변환 가능하게 구성되어 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 주위의 환경이 반송실(31)의 내부의 환경으로 변환된다. 로드록실(41a 및 41b)은 각각 게이트 밸브(G5 및 G6)를 거쳐서 반송실(31)에 접속되는 동시에, 게이트 밸브(G7 및 G8)를 거쳐서 반입출실(21)에 접속된다.
또한, 본 예에서는 복수의 로드록실(41a 및 41b)의 각각이 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능하게 구성되어 있다. 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능하게 구성하기 위해서는 복수의 로드록실(41)(41a 및 41b)의 각각의 구조를, 웨이퍼(W)를 상하로 복수개 수용하는 구조로 하면 좋다. 본 예에서는 웨이퍼(W)를 상하 2단에 수용하는 구조로 한다.
반입출실(21)의 내부에는 반입출 장치(24)가 배치되어 있다. 반입출 장치(24)는 캐리어(C)와 반입출실(21)의 상호간에서의 웨이퍼(W)의 반입 반출, 반입출실(21)과 오리엔터(23)의 상호간에서의 웨이퍼(W)의 반입 반출, 및 반입출실(21)과 로드록실(41a, 41b)의 상호간에서의 웨이퍼(W)의 반입 반출을 실행한다. 반입출 장치(24)는 복수의 다관절 아암(25)을 갖고, 반입출실(21)의 긴 변 방향을 따라 연장하는 레일(26)상을 주행 가능하게 구성된다. 본 예에서는 2개의 다관절 아암(25a 및 25b)을 갖는다. 다관절 아암(25a 및 25b)의 선단에는 각각 픽(27a 및 27b)이 부착되어 있다. 웨이퍼(W)를 처리부(3)에 반입할 때, 웨이퍼(W)는 픽(27a 또는 27b)에 실려 캐리어(C)로부터 반출되고, 오리엔터(23)에 반입된다. 다음에, 웨이퍼(W)가 오리엔터(23)에서 방향이 조절된 후, 웨이퍼(W)는 픽(27a 또는 27b)에 실려 오리엔터(23)로부터 반출되고, 로드록실(41a 또는 41b)에 반입된다. 반대로, 웨이퍼(W)를 처리부(3)로부터 반출할 때, 웨이퍼(W)는 픽(27a 또는 27b)에 실려 로드록실(41a 또는 41b)로부터 반출되고, 캐리어(C)에 반입된다.
반송실(31)의 내부에는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치(33)가 배치되어 있다. 반송 장치(33)는 복수의 로드록실(41a 및 41b)과 반송실(31)의 상호간에서의 웨이퍼(W)의 반입 반출, 반송실(31)과 복수의 처리실(32a 내지 32d)의 상호간에서의 반입 반출을 실행한다. 반송 장치(33)는 본 예에서는 반송실(31)의 대략 중앙에 배치된다.
제어부(5)는 프로세스 컨트롤러(process controller)(51), 유저 인터페이스(user interface)(52), 및 기억부(53)를 포함해서 구성된다. 프로세스 컨트롤러(51)는 마이크로 프로세서(microprocessor)(컴퓨터)로 이루어진다. 유저 인터페이스(52)는 작업자가 반도체 제조 장치(1a)를 관리하기 위해 명령 등의 입력 조작 등을 실행하는 키보드(keyboard)나, 반도체 제조 장치(1a)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이(display)등을 포함한다. 기억부(53)는 반도체 제조 장치(1a)에 있어서 실시되는 처리를, 프로세스 컨트롤러(51)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램, 각종 데이터, 및 처리 조건에 따라 반도체 제조 장치(1a)에 처리를 실행시키기 위한 레시피(recipe)가 저장된다. 레시피는 기억부(53)내의 기억 매체에 기억된다. 기억 매체는 컴퓨터 판독 가능한 것으로, 예를 들면, 하드 디스크라도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대 가능한 것이라도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면, 전용 회선을 거쳐서 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 좋다. 임의의 레시피는 유저 인터페이스(52)로부터의 지시 등으로 기억부(53)로부터 호출되고, 프로세스 컨트롤러(51)에 있어서 실행됨으로써, 프로세스 컨트롤러(51)의 제어하에 반도체 제조 장치(1a)에 있어서 웨이퍼(W)에 대한 처리가 실시된다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 반송 장치(33)의 일 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 또, 도 2는 도 1중의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 단면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이 제 1 실시형태에 따른 반송 장치(33)는 상하 2단에 배치된 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b)를 구비하고 있다.
하부측 반송 기구(33a)는 반송실(31)의 바닥판부(31a)의 대략 중앙에 배치되어 있다. 본 예에서는 바닥판부(31a)의 외측에 하부측 반송 기구(33a)를 구동하는 구동부(34a)가 설치되어 있다. 구동부(34a)로부터는 회전 구동되는 샤프트부(35a)가 바닥판부(31a)를 거쳐서 반송실(31)의 내부를 향해 수직 방향으로 연장하고 있다. 샤프트부(35a)와 바닥판부(31a) 사이에는 시일부(36a)가 마련되어 있다. 시일부(36a)는 반송실(31)의 내부와 대기압인 외부를 기밀 밀봉한다. 반송실(31)의, 예를 들면, 바닥판(31a)에는 배기구(37)가 마련되어 있다. 배기구(37)는 배기 장치(38)에 접속되어 있다. 배기 장치(38)는 반송실(31)의 내부의 압력을 처리실(32a 내지 32d)의 내부의 압력과 동등한 압력까지 감압시킨다.
샤프트부(35a)에는 수평방향으로 신축 가능한 아암(arm)(39a)이 부착되어 있다. 아암(39a)의 선단에는 웨이퍼(W)를 유지하는 픽(40a)이 부착되어 있다. 아암(39a) 및 픽(40a)은 샤프트부(35a)가 회전하는 것에 의해 선회(旋回)된다.
또한, 본 예의 아암(39a)은 샤프트부(35a)측부터 차례로 제 1 아암(39a-1)과 제 2 아암(39a-2)의 2개의 아암을 갖고 구성되어 있다. 픽(40a)은 본 예에서는 제 2 아암(39a-2)의 선단에 부착되어 있다. 부착 수순은 바닥판부(31a)측부터 차례로, 제 1 아암(39a-1), 제 2 아암(39a-2), 픽(40a)으로 되어 있다. 제 1 아암(39a-1) 및 제 2 아암(39a-2)을 접어 포갠 상태가 아암 축퇴 상태이다. 아암 축퇴 상태를 도 3a에 나타낸다. 샤프트부(35a)의 회전 동작은, 예를 들면, 이 아암 축퇴 상태에서 실행된다. 또한, 제 1 아암(39a-1) 및 제 2 아암(39a-2)을 편 상태가 아암 신장 상태이다. 아암 신장 상태를 도 3b에 나타낸다. 처리실(32a 내지 32d)의 내부에 있어서의 웨이퍼(W)의 수수 동작 및 로드록실(41a, 41b)의 내부에 있어서의 웨이퍼(W)의 수수 동작은, 예를 들면, 이 아암 신장 상태에서 실행된다.
이와 같이, 하부측 반송 기구(33a)는 샤프트부(35a)의 회전 동작에 관한 동작축을 θ1축으로 하고, 아암(39a)의 신축 동작에 관한 동작축을 θ2축으로 한 2축 구동형의 반송 장치로 되어 있다.
상부측 반송 기구(33b)는 반송실(31)의 천판부(31b)의 대략 중앙에 배치되어 있다. 상부측 반송 기구(33b)의 구성은 하부측 반송 기구(33a)의 구성과 대략 마찬가지이다. 이 때문에, 동일한 구성요소에 대해서는 참조 부호에 동일한 번호를 붙이는 동시에 해당 번호의 말미에 붙여진 알파벳을 "a"에서 "b"로 바꿈으로써, 그 설명은 생략하기로 한다. 단, 상부측 반송 기구(33b)는 제 1 아암(39b-1), 제 2 아암(39b-2), 픽(40b)의 부착 순서가 하부측 반송 기구(33a)와 반대로 되어 있다. 상부측 반송 기구(33b)는 바닥판(31a)측부터 차례로 픽(40b), 제 2 아암(39b-2), 제 1 아암(39b-1)으로 되어 있다. 상부측 반송 기구(33b)의 아암 축퇴 상태를 도 4a에 나타내고, 아암 신장 상태를 도 4b에 나타낸다.
상부측 반송 기구(33b)는 본 예에 있어서는 수직방향으로 설치되는 샤프트부(35b)의 회전 중심(42b)이 하부측 반송 기구(33a)의 수직방향으로 설치되는 샤프트부(35a)의 회전 중심(42a)과 일치되도록 하고, 상기 수직방향으로 서로 이간되어 배치된다.
또한, 상부측 반송 기구(33b)의 픽(40b)의 수직방향에 있어서의 위치는 이 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)의 높이방향에 있어서의 위치와, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)의 높이방향에 있어서의 위치가 동일하게 되도록 설정된다. 이것에 의해, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)는 반송실(31)내에 있어서, 서로 동일 수평 평면(43)내를 이동하게 된다.
제 1 실시형태에 관한 반송 장치(33)는 하부측 반송 기구(33a)의 아암(39a), 픽(40a), 및 상부측 반송 기구(33b)의 아암(39b), 픽(40b)은 각각, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1축(이하, θ1a축으로 함) 및 상부측 반송 기구(33b)의 θ1축(이하, θ1b축으로 함)을 회전시켜 360° 이상의 선회가 가능하다.
이 때문에, 다음과 같이, 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 및 픽(40a 및 40b)의 방향을 임의로 조절 가능하다.
도 5a 내지 도 5f는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 및 픽(40a) 및 픽(40b)의 방향의 조절의 일 예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5a는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 ω가 60°로 되어 있는 예이다. 본 설명에서는 도 5a에 나타내는 상태를 초기 상태로 하고, 이 초기 상태로부터, 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도를 조절하는 예를 설명해 간다.
도 5b는 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜, 도 5a에 나타내는 상태로부터 픽(40a)을 시계방향으로 60°만큼 선회시킨 예이다. 이 경우에는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 ω는 120°로 된다.
도 5c는 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜, 도 5a에 나타내는 상태로부터 픽(40a)을 시계방향으로 240°만큼 선회시킨 예이다. 이 경우에는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 ω는 300°로 된다.
도 5d는 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜, 도 5a에 나타내는 상태로부터 픽(40b)을 반시계방향으로 60°만큼 선회시킨 예이다. 이 경우에는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 ω는 120°로 된다.
도 5e는 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜, 도 5a에 나타내는 상태로부터 픽(40b)을 반시계방향으로 240°만큼 선회시킨 예이다. 이 경우에는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 ω는 300°로 된다.
도 5f는 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축 및 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 동시에 회전시켜, 도 5a에 나타내는 상태로부터 픽(40a, 40b)의 쌍방을 동시에 시계방향으로 180°만큼 선회시킨 예이다. 이 경우에는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 ω는 60°를 유지한 채, 픽(40a)과 픽(40b)의 방향이 도 5a에 나타낸 상태로부터 180°만큼 회전한 상태로 된다.
이와 같이, 제 1 실시형태에 관한 반송 장치(33)는 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 및 픽(40a 및 40b)의 방향을 임의로 조절 가능하게 된다고 하는 이점을 얻을 수 있다.
또한, 종래의 구성의 경우, 반송 장치의, 예를 들어, 아암의 신축 동작 및 각 픽의 높이 조절을 위해 각각의 반송 기구의 구동축이 3축 또는 4축 필요하게 되는데 비해, 제 1 실시형태에 관한 반송 장치(33)에 의하면, 도 5a 내지 도 5f에 나타낸 바와 같이, 반송 장치(33)를 하부측 반송 기구(33a) 및 상부측 반송 기구(33b)의 2개로 상하로 분리한 것에 의해, 하부측 반송 기구(33a) 및 상부측 반송 기구(33b) 각각에 있어서, 구동축을 2축 마련하는 것에 의해서도, 예를 들어, 아암의 신축 동작을 포함시킨 동작을 가능하게 한다고 하는 이점도 얻을 수 있다. 반송 장치의 구동축이 2축으로 좋다고 하는 것은, 예를 들면, 구동축이 3축 또는 4축인 반송 장치에 비해, 구조나 기구를 간이화할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.
이와 같이, 반송 장치의 구조나 기구가 간이화됨으로써, 반송 장치의 가격을 낮게 억제할 수 있고, 유지보수가 용이하게 되며, 구조나 기구가 복잡한 경우에 비해 고장 등의 문제를 줄일 수 있다는 이점을 얻을 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 관한 반송 장치(33)에 의하면, 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도 및 픽(40a 및 40b)의 방향을 임의로 조절할 수 있으므로, 다음과 같은 반송 방법도 실행하는 것이 가능하다.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 반송 장치가 실행 가능한 피처리체의 반송 방법의 일 예를 나타내는 평면도, 도 7은 그 타이밍도이다.
본 일 예는 처리실(32a 및 32c)에서 처리를 실시한 후, 계속해서 처리실(32b 및 32d)에서, 처리실(32a 및 32c)에서의 처리와는 다른 처리를 실시하는 예이다.
우선, 도 6a 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 처리전의 웨이퍼(W1)를 로드록실(41a)에, 마찬가지로 처리전의 웨이퍼(W2)를 로드록실(41b)에 반입한다. 이 때, 하부측 반송 기구(33a)의 픽(40a)은 처리실(32b)에 통하는 게이트 밸브(G2)의 앞에, 또 상부측 반송 기구(33b)의 픽(40b)은 처리실(32d)에 통하는 게이트 밸브(G4)의 앞에 위치하도록, 픽간 각도를 약 120°로 넓혀 둔다.
또, 처리실(32a 및 32c)에서는 웨이퍼(Wa 및 Wb)에 대한 처리가 종료하고, 또한 처리실(32b 및 32d)에서는 웨이퍼(Wx 및 Wy)에 대한 처리가 종료하고 있다.
다음에, 도 6b 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 하부측 반송 기구(33a)를 이용해서 처리실(32b)로부터 반송실(31)에 처리후 웨이퍼(Wx)를, 또한 상부측 반송 기구(33b)를 이용해서 처리실(32d)로부터 반송실(31)에 처리후 웨이퍼(Wy)를 동시에 반출한다.
다음에, 도 6c 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜 픽(40a)을 시계방향으로 180°만큼 회전시킨다. 이와 동시에, 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜 픽(40b)을 시계방향으로 120°만큼 회전시킨다. 이 동작에 의해, 픽(40a)은 로드록실(41b)에 통하는 게이트 밸브(G6)의 앞에, 픽(40b)은 로드록실(41a)에 통하는 게이트 밸브(G5)의 앞에 위치시킨다. 또한, 픽간 각도는 약 120°에서 약 60°로 줄어든다. 다음에, 상부측 반송 기구(33b)를 이용해서 반송실(31)로부터 로드록실(41a)에 처리후 웨이퍼(Wy)를, 또한 하부측 반송 기구(33a)를 이용해서 반송실(31)로부터 로드록실(41b)에 처리후 웨이퍼(Wx)를 동시에 반입한다. 처리후 웨이퍼(Wy 및 Wx)는 로드록실(41a 및 41b)내에 있어서, 도시하는 바와 같이 처리전 웨이퍼(W1 및 W2)의 위쪽에 또는 처리전 웨이퍼(W1 및 W2)의 아래쪽에 놓여진다.
다음에, 도 6d 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜 픽(40b)을 시계방향으로 180°만큼 회전시킨다. 이와 동시에, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜 픽(40a)을 시계방향으로 120°만큼 회전시킨다. 이 동작에 의해, 픽(40b)은 처리실(32c)로 통하는 게이트 밸브(G3)의 앞에, 또한 픽(40a)은 처리실(32a)로 통하는 게이트 밸브(G1)의 앞에 위치시킨다. 또한, 픽간 각도는 약 60°에서 약 120°로 넓어진다. 다음에, 하부측 반송 기구(33a)를 이용해서 처리실(32a)로부터 반송실(31)에 처리후 웨이퍼(Wa)를, 또한 상부측 반송 기구(33b)를 이용해서 처리실(32c)로부터 반송실(31)에 처리후 웨이퍼(Wb)를 동시에 반출한다.
다음에, 도 6e 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜 픽(40b)을 시계방향으로 60°만큼 회전시킨다. 이와 동시에, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜 픽(40a)을 시계방향으로 60°만큼 회전시킨다. 이 동작에 의해, 픽(40b)은 처리실(32d)로 통하는 게이트 밸브(G4)의 앞에, 픽(40a)은 처리실(32b)로 통하는 게이트 밸브(G2)의 앞에 위치시킨다. 또한, 픽간 각도는 약 120°로 유지된다. 다음에, 하부측 반송 기구(33a)를 이용해서 반송실(31)로부터 처리실(32b)에 처리후 웨이퍼(Wa)를, 또한 상부측 반송 기구(33b)를 이용해서 반송실(31)로부터 처리실(32d)로 처리후 웨이퍼(Wb)를 동시에 반입한다.
다음에, 도 6f 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜 픽(40a)을 시계방향으로 180°만큼 회전시킨다. 이와 동시에, 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜 픽(40b)을 시계방향으로 120°만큼 회전시킨다. 이 동작에 의해, 픽(40a)은 로드록실(41b)로 통하는 게이트 밸브(G6)의 앞에, 픽(40b)은 로드록실(41a)로 통하는 게이트 밸브(G5)의 앞에 위치시킨다. 또한, 픽간 각도는 약 120°에서 약 60°로 줄어든다. 계속해서, 상부측 반송 기구(33b)를 이용해서 로드록실(41a)로부터 처리실(31)에 처리전 웨이퍼(W1)를, 또한 하부측 반송 기구(33a)를 이용해서 로드록실(41b)로부터 처리실(31)에 처리전 웨이퍼(W2)를 동시에 반입한다.
다음에, 도 6g 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜 픽(40b)을 시계방향으로 180°만큼 회전시킨다. 이와 동시에, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜 픽(40a)을 시계방향으로 120°만큼 회전시킨다. 이 동작에 의해, 픽(40b)은 처리실(32c)로 통하는 게이트 밸브(G3)의 앞에, 픽(40a)은 처리실(32a)로 통하는 게이트 밸브(G1)의 앞에 위치시킨다. 또한, 픽간 각도는 약 60°에서 약 120°로 넓어진다. 계속해서, 하부측 반송 기구(33a)를 이용해서, 반송실(31)로부터 처리실(32a)에 처리전 웨이퍼(W2)를, 또한 상부측 반송 기구(33b)를 이용해서 반송실(31)로부터 처리실(32c)에 처리전 웨이퍼(W1)를 동시에 반입한다.
다음에, 도 6h 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 로드록실(41a 및 41b)로부터 처리후 웨이퍼(Wx 및 Wy)를 반출한다. 다음에, 처리전 웨이퍼(WA)를 로드록실(41a)에, 마찬가지로 처리전의 웨이퍼(WB)를 로드록실(41b)에 반입한다. 그 동안에, 상부측 반송 기구(33b)의 θ1b축을 회전시켜 픽(40b)을 시계방향으로 60°만큼 회전시킨다. 이와 동시에, 하부측 반송 기구(33a)의 θ1a축을 회전시켜 픽(40a)을 시계방향으로 60°만큼 회전시킨다. 이 동작에 의해, 픽(40b)은 처리실(32d)로 통하는 게이트 밸브(G4)의 앞에, 픽(40a)은 처리실(32b)로 통하는 게이트 밸브(G2)의 앞에 위치시킨다. 즉, 도 6h에 나타내는 공정은 도 6a에 나타낸 수순으로 되돌리는 수순이다.
이후, 특히, 도시하지 않지만, 도 6a 내지 도 6h에 나타낸 수순과 마찬가지의 수순으로, 처리후 웨이퍼(Wa 및 Wb)를 처리실(32b 및 32d)로부터 반송실(31)에 동시에 반출하고, 또한 반송실(31)로부터 로드록실(41b 및 41a)에 동시에 반입한다.
다음에, 처리후의 웨이퍼(W2 및 W1)를 처리실(32a 및 32c)로부터 반송실(31)에 동시에 반출하고, 또한 반송실(31)로부터 처리실(32b 및 32d)에 동시에 반입한다.
다음에, 처리전의 웨이퍼(WA 및 WB)를 로드록실(41a 및 41b)로부터 반송실(31)로 동시에 반입하고, 또한 반송실(31)로부터 처리실(32c 및 32a)에 동시에 반입한다.
이와 같이, 도 6a 내지 도 6h에 나타내는 수순을 반복함으로써, 처리후 웨이퍼를 복수개씩 다음의 처리로 이송시키고, 모든 처리가 끝난 웨이퍼를 처리전 웨이퍼로 복수개씩 순차 교환해 간다.
이와 같은 피처리체의 반송 방법에 의하면, 처리후 웨이퍼 및 처리전 웨이퍼를 복수개 동시, 본 예에서는 2개씩 동시에 반입 반출하도록 한 것에 의해, 1개씩 반입 반출하는 반송 방법에 비해, 보다 짧은 시간에 반입 반출을 실행할 수 있고, 처리 장치에 있어서의 처리 시간을 단축해도 생산성이 한계점에 달하는 사정을 억제하는 것이 가능하다.
제 1 실시형태에 관한 반송 장치(33)는 상기와 같은 반송 방법을 실행하는 것도 가능하다.
이와 같이 제 1 실시형태에 관한 반송 장치(33)에 의하면, 처리 장치에 있어서의 처리 시간을 단축해도 생산성이 한계점에 달하는 사정을 억제하는 것이 가능하고, 또한 구조도 간이한 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 얻을 수 있다.
(제 2 실시형태)
도 8은 반송 장치의 상부측 반송기구(33b)를 천판부(31b)에 부착한 경우에 생기는 사정을 설명하는 단면도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 상부측 반송 기구(33b)를 천판부(31b)에 부착하면, 상부측 반송 기구(33b)의 자중(自重)에 의해, 천판부(31b)가 휘는 경우가 발생할 수 있다.
또한, 반송실(31)의 내부의 압력이 외부의 압력, 예를 들면, 대기압보다도 낮은 압력이 된 경우에도, 천판부(31b)가 대기압에 눌려 휘는 경우가 발생할 수 있다.
천판부(31b)가 휘면, 도 8 중의 참조 부호 '100'으로 나타내는 바와 같이, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)의 위치와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)의 위치가 수직방향에 있어서 어긋나, 반송 정밀도의 저하를 초래할 가능성이 있다.
이러한 천판부(31b)의 휨을 억제하는 하나의 방법은 천판부(31b)의 강성을 높여서, 천판부(31b)를 휘기 어렵게 하는 것이다. 천판부(31b)를 휘기 어렵게 함으로써, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)의 위치와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
단, 천판부(31b)의 강성을 높이면, 천판부(31b)가 무거워지기 쉽다. 이 때문에, 유지보수시 천판부(31)를 분리할 때, 분리하기 어려워진다고 하는 사정이 염려된다. 또한, 천판부(31b)의 제작에 소요되는 비용도 증가하기 쉽다.
제 2 실시형태에서는 천판부(31b)의 분리가 용이하고 또한 천판부(31b)의 제작에 소요되는 비용을 억제하면서, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 억제하는 것이 가능한 반송 장치, 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 제공한다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 반송 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시형태에 따른 반송 장치가 제 1 실시형태에 따른 반송 장치와 다른 점은 하부측 반송 기구(33a)의 샤프트부(35a)와 상부측 반송 기구(33b)의 샤프트부(35b) 사이에 지주(column)(44)가 배치되어 있는 것이다. 이외의 구성은 제 1 실시형태에 따른 반송 장치와 대략 마찬가지의 구성이다.
샤프트부(35a)와 샤프트부(35b) 사이에 지주(44)를 배치함으로써, 상부측 반송 기구(33b)는 지주(44)에 의해 지지된다. 이 때문에, 상부측 반송 기구(33b)의 자중이나, 외부의 기압, 예를 들면, 대기압에 눌리는 등으로 해서 천판부(31b)가 휘려고 해도, 상부측 반송 기구(33b)와 하부측 반송 기구(33a) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리는 지주(44)에 의해 일정하게 유지할 수 있다.
이와 같이, 제 2 실시형태에 관한 반송 장치에 의하면, 상부측 반송 기구(33b)와 하부측 반송 기구(33a) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리를 지주(44)에 의해 일정하게 유지할 수 있으므로, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)의 높이 위치와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)의 높이 위치가 서로 어긋나는 사정을 억제할 수 있다.
또한, 상부측 반송 기구(33b)와 하부측 반송 기구(33a) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리가 지주(44)에 의해서 일정하게 유지되므로, 천판부(31b)에는 매우 강한 강성을 갖게 할 필요도 없고, 예를 들면, 천판부(31b)의 경량화도 가능하다.
이와 같이, 제 2 실시형태에 의하면, 천판부(31b)의 분리가 용이하고, 또한, 천판부(31b)의 제작에 소요되는 비용을 억제하면서, 웨이퍼(W)끼리의 높이 위치의 어긋남을 억제하는 것이 가능한 반송 장치, 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 얻을 수 있다.
또한, 지주(44)를, 예를 들면, 하부측 반송 기구(33a)의 샤프트부(35a)에 고정시키면, 지주(44)는 샤프트부(35a)의 회전에 맞추어 회전한다. 이 때, 상부측 반송 기구(33b)의 샤프트부(35b)는, 예를 들면, 정지하고 있거나 혹은 샤프트부(35a)의 회전방향과는 반대의 방향으로 회전한다. 이 때문에, 지주(44)는, 예를 들면, 상부측 반송 기구(33b)의 샤프트부(35b)에 고정시키지 않고, 지주(44)를 샤프트부(35b)에 접촉시켜 두는 것도 좋다. 이 때, 지주(44)와 샤프트부(35b)의 접촉면은 지주(44)와 샤프트부(35b)가 서로 스쳐 움직이는 슬라이딩(sliding)면으로 된다. 또한, 슬라이딩면은 단지 지주(44)와 샤프트부(35b)를 접촉시켜 두는 것만으로 좋지만, 지주(44)와 샤프트부(35b)의 마찰을 경감하고자 하는 경우에는 지주(44)와 샤프트부(35b)의 접촉면에, 지주(44)와 샤프트부(35b)를 서로 활주시키는 활주 기구(sliding mechanism)(45)를 마련하도록 해도 좋다. 또한, 지주(44)는 상부측 반송 기구(33b)에 고정해도 좋다. 이 경우, 활주기구(45)는 지주(44)와 샤프트부(35a)의 접촉면에 마련된다.
도 10은 활주 기구의 일 예의 일부를 단면으로 나타낸 측면도이다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 활주 기구(45)의 일 예는 지주(44)의 선단에 베어링(101)을 부착한 것이다. 베어링(101)이 굴러가는 것에 의해, 지주(44)와 샤프트부(35b)는 서로 마찰이 경감된 상태에서 활주시킬 수 있다. 본 예에서는 베어링(101)을 지주(44)의 선단에 부착했지만, 샤프트(35b)에 부착되어도 좋다. 요컨대, 활주 기구(45)는 지주(44)와 샤프트부(35b)의 접촉면에 있으면 좋다.
또한, 지주(44)는 하부측 반송 기구(33a)의 샤프트부(35a)의 회전 중심과 상부측 반송 기구(33b)의 샤프트부(35b)의 회전 중심을 서로 일치시키는 위치 결정 부재로서 이용하는 것도 가능하다.
도 11은 지주가 위치 결정 부재로서 이용되는 경우의 일 예의 일부를 단면으로 나타낸 측면도이다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 지주(44)를 위치 결정 부재로서 이용하는 경우에는, 예를 들면, 상부측 반송 기구(33b)의 샤프트부(35b)의 중심축에, 지주(44)가 끼워 맞춰지는 위치 결정 구멍(102)을 마련하고, 이 위치 결정 구멍(102)에, 지주(44)의 선단 부분의 전체, 혹은 도 11에 나타내는 바와 같이 지주(44)의 선단 부분에 돌출부(103)를 마련하고, 이 돌출부를 끼워 맞추면 좋다. 이 때, 위치 결정 구멍(102)의 측면이 지주(44) 혹은 돌출부(103)가 스쳐 움직이는 슬라이딩면으로 된다. 이 때문에, 예를 들면, 위치 결정 구멍(102)의 측면에 활주 기구(104)를 마련하도록 해도 좋다. 본 예에서는 활주 기구(104)의 일 예로서 베어링을 예시하고 있다. 또한, 활주 기구(104)는 위치 결정 구멍(102)의 측면, 즉 샤프트부(35b)에 마련될 필요는 없고, 지주(44)의 선단 부분 측면 혹은 돌출부(103)의 측면에 마련해도 좋다. 마찬가지로, 상부측 반송 기구(33b)에 지주(44)를 고정시키는 경우, 위치 결정 구멍(102)은, 예를 들면, 하부측 반송 기구(33a)의 샤프트부(35a)의 중심축에 마련된다.
또한, 지주(44)는 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리를 조절하는 거리 조절 부재로서 이용하는 것도 가능하다.
도 12의 (a) 내지 (c)는 지주를 거리 조절 부재로서 이용하는 경우의 일 예의 일부를 단면으로 나타낸 측면도이다.
도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 지주(44)를 거리 조절 부재로서 이용하는 경우에는 지주(44)에, 이 지주(44)의 길이를 조절하는 조절부(105)를 마련하면 좋다. 본 일 예에서는 나사 기구를 이용한 조절부(105)가 나타나 있다. 본 일 예에서는, 예를 들면, 지주(44)를 하부측 지주(44a)와 상부측 지주(44b)로 분할한다. 또한, 하부측 지주(44a)의 선단 부분에는 측면이 나사산이 내어진 오목부(105a)를 형성하고, 상부측 지주(44b)의 선단 부분에는 측면이 나사산이 내어진 볼록부(105b)를 형성한다. 그리고, 오목부(105a)에 볼록부(105b)를 끼워 넣는다.
본 일 예에 있어서는, 예를 들면, 상부측 지주(44b)를 시계방향으로 돌리면, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이 볼록부(105b)는 더욱 깊게 오목부(105)에 끼워 넣어지고, 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리 d를 단축할 수 있다.
반대로, 상부측 지주(44b)를 반시계방향으로 돌리면, 도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이, 볼록부(105b)는 상승해서 더욱 얕게 오목부(105)에 끼워 넣어지게 되고, 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리 d를 넓힐 수 있다.
이와 같이, 지주(44)에, 이 지주(44)의 길이를 조절하는 조절부(105)를 마련함으로써, 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리 d를 조절할 수 있다.
또한, 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리 d의 조절은 하부측 반송 기구(33a)를 바닥판부(31a)에, 상부측 반송 기구(33b)를 천판부(31b)에 각각 부착한 후, 즉 반송 장치(33)를 반송실(31)에 설치한 후에 실행되는 것이 좋다. 이는 부착 오차를 해소하기 위함이다.
반송 장치(33)를 반송실(31)에 설치한 후, 하부측 반송 기구(33a)와 상부측 반송 기구(33b) 사이의 수직 방향에 있어서의 거리 d의 조절을 용이하게 실행할 수 있도록 하기 위해서는, 예를 들면, 도 13에 나타내는 바와 같이 반송실(31)의 천판부(31b)에 개폐 자유로운 창(106)을 마련해도 좋다.
(제 3 실시형태)
상기 제 1, 제 2 실시형태에 관해서는 반송 장치(33)는 하부측 반송 기구(33a)의 픽(40a), 및 상부측 반송 기구(33b)의 픽(40b)이 각각 360° 이상 선회하는 것이 가능하다. 이 때문에, 픽(40a 또는 40b)의 선회 중에, 정전 등으로 전력의 공급이 정지했을 때에는 픽(40a 또는 40b)이 관성(inertia)에 의해 계속 선회해 버릴 가능성이 있다.
또한, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)가 서로 동일 수평 평면(43)내를 이동하는 경우에는 픽(40a 또는 40b)이 관성에 의해 선회를 계속하면, 웨이퍼(W)끼리가 충돌하여, 웨이퍼(W)를 파손시킬 수 있다.
제 3 실시형태에서는 웨이퍼(W)끼리의 충돌을 더욱 억제하는 것이 가능한 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 제공한다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 반송 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시형태에 따른 반송 장치가 제 1 실시형태에 따른 반송 장치와 다른 점은 픽(40a) 및 픽(40b)에, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)의 충돌을 방지하는 충돌 방지 부재(107)가 마련되어 있는 점이다. 그 이외는 제 1 실시형태에 관한 반송 장치와 대략 마찬가지의 구성이다.
도 15a에 통상 상태에 있어서의 측면도를, 도 15b에 통상 상태에 있어서의 평면도를 나타낸다.
도 16a에 정전 상태에 있어서의 측면도를, 도 16b에 정전 상태에 있어서의 평면도를 나타낸다.
도 15a 및 도 15b에 나타내는 바와 같이, 통상 상태에 있어서는 예를 들면, 제어 프로그램을 이용해서 픽간 각도 ω을 제한함으로써, 픽(40a)에 유지되는 웨이퍼(W)와 픽(40b)에 유지되는 웨이퍼(W)의 충돌이 방지된다.
그러나, 정전 상태에 있어서는 도 16a 및 도 16b에 나타내는 바와 같이, 픽(40a) 또는 픽(40b)이 관성에 의해 선회할 수 있으므로, 픽간 각도 ω가 제한된 픽간 각도 미만으로 좁아지는 경우가 있을 수 있다. 그래서, 픽(40a)의 양 측면 각각에 수평방향으로 돌출된 충돌 방지 부재(107)를, 또한 픽(40b)의 양 측면 각각에도 수평방향으로 돌출된 충돌 방지 부재(107)를 마련하고, 웨이퍼(W)끼리가 충돌하기 전에, 충돌 방지 부재(107)끼리를 먼저 충돌시킨다. 충돌 방지 부재(107)끼리가 충돌함으로써, 픽(40a)과 픽(40b)이 이루는 각도는 그 이상 좁아지는 일은 없다. 따라서, 웨이퍼(W)끼리의 충돌을 방지할 수 있고, 웨이퍼(W)의 뜻하지 않은 파손을 억제할 수 있다.
또한, 본 예에서는 충돌 방지 부재(107)를 픽(40a 및 40b) 각각의 양 측면에 마련하고 있다. 충돌 방지 부재(107)를 픽(40a 및 40b) 각각의 양 측면에 마련함으로써, 시계방향으로 회전하는 관성에 의한 선회 및 반시계방향으로 회전하는 관성에 의한 선회의 쌍방에서, 웨이퍼(W)끼리의 충돌을 방지할 수 있다.
이와 같이 제 3 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)끼리의 충돌을 더욱 억제하는 것이 가능한 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치를 얻을 수 있다.
또, 제 3 실시형태는 제 2 실시형태와 조합해서 실시하는 것도 가능하다.
이상, 본 발명을 실시형태에 따라 설명했지만, 본 발명은 그 취지를 이탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형할 수 있다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 2개의 아암을 갖고 구성되는 아암(39a, 39b)을 나타냈지만, 3개 이상의 아암을 갖고 구성하는 것도 가능하다. 또한, 상기 실시형태에서는 지주(44)가 하부측 반송 기구(33a) 또는 상부측 반송 기구(33b)에 고정되는 것을 나타냈지만, 지주를 고정시키지 않고 샤프트부(35a 및 35b)의 양쪽에 접촉시키는 구성도 가능하다. 이 경우는, 활주 기구(45)는 지주(44)와 샤프트부(35a 및 35b) 사이의 양측의 접촉면에 마련할 수 있다. 또한, 위치 결정 구멍(102)도 하부측 반송 기구(33a) 및 상부측 반송 기구(33b)의 샤프트부(35a 및 35b) 양쪽의 중심축에 마련할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태가 설명되었지만, 본 발명은 이들 특정의 실시형태에 한정되지 않고, 후속하는 청구범위의 범주로부터 벗어나지 않고 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있으며, 그것도 본 발명의 범주내에 속한다 할 것이다.
33: 반송 장치 33a: 하부측 반송 기구
33b: 상부측 반송 기구 35a, 35b: 샤프트부
39a, 39b: 아암 40a, 40b: 픽
42a, 42b: 회전 중심 43: 수평 평면

Claims (11)

  1. 수직방향으로 설치되고 회전 가능한 제 1 샤프트부와, 이 제 1 샤프트부에 부착되고 선단에 피처리체를 유지하는 제 1 픽을 구비한 수평방향으로 신축 가능한 제 1 아암을 구비한 제 1 반송 기구와,
    수직 방향으로 설치되고 회전 가능한 제 2 샤프트부와, 이 제 2 샤프트부에 부착되고 선단에 피처리체를 유지하는 제 2 픽을 구비한 수평방향으로 신축 가능한 제 2 아암을 구비한 제 2 반송 기구를 구비하고,
    상기 제 1 반송 기구 및 상기 제 2 반송 기구가 상기 제 1 샤프트부의 회전 중심과 상기 제 2 샤프트부의 회전 중심이 일치되도록 해서, 상기 수직방향으로 서로 이간되어 배치되어 있으며,
    상기 제 1 픽의 위치 및 상기 제 2 픽의 위치가 상기 제 1 픽에 유지되는 상기 피처리체와 상기 제 2 픽에 유지되는 상기 피처리체가 서로 동일 수평 평면내를 이동하도록 설정되어 있으며,
    상기 제 1 반송 기구에 의한 상기 피처리체의 이동은 상기 제 1 아암의 회전, 신축 동작만으로 행해지고, 또한 상기 제 2 반송 기구에 의한 상기 피처리체의 이동은 상기 제 2 아암의 회전, 신축 동작만으로 행해지는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 장치를 수용하는 반송실을 구비하고,
    상기 제 1 반송 기구가 상기 반송실의 천판부에 마련되고, 상기 제 2 반송 기구가 상기 반송실의 바닥부에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 반송 기구가 상기 반송실의 천판부의 중앙에 배치되고, 상기 제 2 반송 기구가 상기 반송실의 바닥부의 중앙에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 샤프트부와 상기 제 2 샤프트부 사이에 배치된 지주를 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 지주와 상기 제 1 샤프트부 또는 상기 제 2 샤프트부의 접촉면에 활주 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 샤프트부의 중심축 또는 상기 제 2 샤프트부의 중심축에 상기 지주가 끼워 맞춰지는 위치 결정 구멍이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 지주에, 이 지주의 길이를 조절하는 조절부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 반송실의 천판부에 개폐 자유로운 창이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 픽 및 상기 제 2 픽에, 상기 제 1 픽에 유지되는 상기 피처리체와 상기 제 2 픽에 유지되는 상기 피처리체의 충돌을 방지하는 충돌 방지 부재가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 반송 장치.
  11. 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치로서,
    상기 피처리체를 반송하는 반송 장치에, 제 1 항에 기재된 반송 장치가 이용되고 있는 것을 특징으로 하는
    피처리체 처리 장치.
KR1020100129426A 2009-12-16 2010-12-16 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치 KR101246775B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009284823A JP2011129610A (ja) 2009-12-16 2009-12-16 搬送装置及びこの搬送装置を備えた被処理体処理装置
JPJP-P-2009-284823 2009-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110068939A KR20110068939A (ko) 2011-06-22
KR101246775B1 true KR101246775B1 (ko) 2013-03-26

Family

ID=44143098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100129426A KR101246775B1 (ko) 2009-12-16 2010-12-16 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110142579A1 (ko)
JP (1) JP2011129610A (ko)
KR (1) KR101246775B1 (ko)
TW (1) TW201140734A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5675416B2 (ja) * 2011-02-17 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置
DE102013218584B4 (de) * 2013-09-17 2020-12-03 Singulus Technologies Ag Kühlmagazin zum Kühlen von Substraten, Vorrichtung mit einem Kühlmagazin und Verfahren zum Behandeln von Substraten mit einer solchen Vorrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1179386A (ja) 1997-09-17 1999-03-23 F O I:Kk 真空チャンバ
JP2003060004A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Yaskawa Electric Corp ロボットハンド
KR100851819B1 (ko) 2007-04-25 2008-08-13 주식회사 아토 반도체 웨이퍼 이송 로봇
JP2008300552A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Ulvac Japan Ltd 搬送室、真空処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3181455B2 (ja) * 1993-11-20 2001-07-03 東京エレクトロン株式会社 搬送アーム装置及びこれを用いた処理室集合装置
JPH11117067A (ja) * 1997-10-09 1999-04-27 Nissin Electric Co Ltd 被処理物品ハンドリング装置
JP4456725B2 (ja) * 2000-05-24 2010-04-28 株式会社ダイヘン 搬送装置
JP2004282002A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US20050036855A1 (en) * 2003-08-13 2005-02-17 Texas Instruments Incorporated Robot blade for handling of semiconductor waffers
US20070209593A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Ravinder Aggarwal Semiconductor wafer cooling device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1179386A (ja) 1997-09-17 1999-03-23 F O I:Kk 真空チャンバ
JP2003060004A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Yaskawa Electric Corp ロボットハンド
KR100851819B1 (ko) 2007-04-25 2008-08-13 주식회사 아토 반도체 웨이퍼 이송 로봇
JP2008300552A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Ulvac Japan Ltd 搬送室、真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110142579A1 (en) 2011-06-16
TW201140734A (en) 2011-11-16
JP2011129610A (ja) 2011-06-30
KR20110068939A (ko) 2011-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102379269B1 (ko) 통합된 얼라이너를 갖는 로봇
US10427303B2 (en) Substrate deposition systems, robot transfer apparatus, and methods for electronic device manufacturing
US20120213615A1 (en) Target object transfer method and target object processing apparatus
JP5853991B2 (ja) 基板搬送ロボット、基板搬送システムおよび基板搬送方法
US9905446B2 (en) Substrate transferring apparatus
JP6063716B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2008016815A (ja) 基板搬送装置及びこの基板搬送装置を用いた基板処理設備
KR101208644B1 (ko) 위치 이탈 방지 장치, 이를 구비한 기판 보지구, 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법
US20110135427A1 (en) Method for transferring target object and apparatus for processing target object
JP6637362B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置及び基板処理方法
KR101246775B1 (ko) 반송 장치 및 이 반송 장치를 구비한 피처리체 처리 장치
JP6235294B2 (ja) 基板搬送室及び容器接続機構
JP6110612B2 (ja) 基板搬送装置
JP5037551B2 (ja) 基板交換機構及び基板交換方法
KR102577020B1 (ko) 산업용 로봇 및 제조 시스템
KR20120023055A (ko) 반송 모듈
JP6269067B2 (ja) ロードポート装置
KR102095984B1 (ko) 기판 정렬 장치 및 기판 처리 방법
JP6296164B2 (ja) ロボットシステムおよび搬送方法
US20140052286A1 (en) Object transfer method and object processing apparatus
JP4963075B2 (ja) 処理装置、処理方法、および記憶媒体
WO2012049998A1 (ja) 処理システム
US20220165599A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2010238878A (ja) 搬送室
JP2011108923A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee