KR101231084B1 - 가속도 센서의 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

가속도 센서의 구조 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

가속도 센서, 특히 미세가공 프로세스에 의해 제조되는 가속도 센서에 있어서, 감도를 용이하게 조절함과 동시에, 형성된 가속도 센서의 형성 불량에 관해서, 양부판정을 용이하게 행하는 것을 가능하게 하는 가속도 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명은, 베이스부와, 베이스부에 접속되는 빔 부와, 빔 부에 접속되는 방추부를 갖는 가속도 센서에 있어서, 빔 부의 바로 아래에 빔 부를 지지하는 돌기부를 갖는 것을 특징으로 하는 가속도 센서를 제공한다. 또한, 돌기부는 빔 부를 지지하는 제 1돌기 부분과 제 1돌기 부분에 인접하는 제 2돌기 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 가속도 센서를 제공한다.
베이스부, 빔부, 방추부, 돌기부, 가속도 센서, 양부판정

Description

가속도 센서의 구조 및 그 제조 방법{STRUCTURE OF ACCELERATION SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 사시도,
도 2는 도 1에서의 A-A'단면도,
도 3은 도 1에서의 B-B'단면도,
도 4는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 상면도,
도 5는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 돌기부의 위치를 설명하는 도면,
도 6은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 1층의 상면도,
도 7은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 2층의 상면도,
도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 3층의 상면도,
도 9는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 10은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 11은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하 는 도면,
도 12는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 13은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 사시도,
도 14는 도 13에서의 A-A'단면도,
도 15는 도 13에서의 B-B'단면도.
도 16은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 상면도,
도 17은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 돌기부의 위치를 설명하는 도면,
도 18은 본 발명의 돌기부의 적응예,
도 19는 본 발명의 돌기부의 적응예,
도 20은 본 발명의 돌기부의 적응예,
도 21은 종래의 가속도 센서의 사시도,
도 22는 도 21에서의 A-A'단면도,
도 23은 도 21에서의 B-B'단면도,
도 24는 종래의 가속도 센서의 상면도,
도 25는 종래의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 26은 종래의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 27은 종래의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면,
도 28은 종래의 가속도 센서의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
101, 201 : 제 1층 102, 202 : 제 2층
103, 203 : 제 3층 110, 210 : 베이스부
111, 211 : 제 1베이스부 112, 212 : 제 2베이스부
113, 213 : 제 3베이스부 120, 220 : 빔(beam) 부
130, 230 : 방추접속 부분 131, 231 : 제 1방추접속 부분
132, 232 : 제 2방추접속 부분 133, 233 : 제 3방추접속 부분
140, 240 : 보조 방추부분 141, 241 : 제 1보조 방추부분
142, 242 : 제 2보조 방추부분 143, 243 : 제 3보조 방추부분
150, 250 : 방추부 151, 251 : 제 1방추부
152, 252 : 제 2방추부 153, 253 : 제 3방추부
160, 260 : 돌기부 161, 261 : 제 1돌기부
162, 262 : 제 2돌기부 170, 270 : 관통공
171, 271 : 제 1관통공 172, 272 : 제 2관통공
173, 273 : 제 3관통공 280 : 스토퍼부
310 : 제 1면 320 : 제 2면
330 : 제 3면
본 발명은, 가속도 센서에 관한 것으로, 특히 미세가공 프로세스에 의해 제조되는 가속도 센서에 있어서 감도를 용이하게 조절하는 것이 가능하고, 형성된 가속도 센서의 형성 불량에 관해서, 양부판정을 용이하게 행하는 것을 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.
일반적으로, 종래의 3차원 가속도 센서는, 가속도 센서를 외부의 기판 등에 고정하는 베이스부와, 방추부와, 방추부와 베이스부를 가요적으로 접속하여 가속도를 검지하는 검지부가 설치되는 빔 부로 구성된다. 또한 종래의 3차원 가속도 센서는, 크게 나누면 베이스부, 방추부, 빔 부 등이 형성된 복수의 층을 맞서도록 형성되는 적층구조체와, SOI(Silicon on Insulator)등의 미리 적층되어 있는 적층기판에 미세가공 프로세스에 의해 방추부 등을 가공함으로써 형성되는 적층구조체가 있다.
본 발명은, 적층기판에 미세가공 프로세스를 행함으로써 형성되는 3축 가속도 센서에 관한 것이다.
종래의 가속도 센서의 구조 및 제조 방법에 대해서, 도 21∼도 28을 사용하여 설명한다.
도 21은 종래의 가속도 센서의 사시도이며, 도 22는 도 21의 상면도이다. 도 23은 도 21에 있어서의 A-A'에서의 단면도이다. 도 24는 도 21에 있어서의 B-B'에서의 단면도이다. 도 25는, 도 21의 가속도 센서의 상면도이다.
도 21에 나타나 있는 바와 같이 종래의 가속도 센서는 3층으로 이루어지는 적층기판에 미세가공 프로세스를 행함으로써 형성된다. 여기에서는, 설명의 편의상, 상 층으로부터 각각 제 1층, 제 2층, 제 3층으로서 설명한다. 또한 이하의 설명에 있어서 「상」은 제 3층측에서 제 1층측, 「하」는 제 1층측에서 제 3층측을 향하는 방향을 표현하는 것으로 한다.
또한, 설명의 편의상, 빔 부의 길이와 빔 부의 폭을 정의한다. 빔 부의 길이는, 베이스부와 빔 부가 접속하는 부분으로부터 방추부와 빔 부가 접속하는 부분까지의 거리를 가리킨다. 또한 빔 폭의 폭이라 함은, 빔 부에 있어서 베이스부에서 방추부를 향하는 방향에 대하여 수직 방향의 거리를 가리킨다. 이하의 설명에 있어서도 빔 부의 길이 및 빔 부의 폭의 표현을 이용한 경우에는 이들의 정의를 바탕으로 설명되는 것으로 한다.
도 21에 나타나 있는 바와 같이 이 가속도 센서의 구조는, 테두리모양의 베이스부와, 베이스부 각 변의 중앙부에 접속되는 빔 부와, 빔 부에 접속되는 방추접속 부분 및 빔 부 주변에 설치되어 방추접속 부분으로부터 베이스부 방향으로 돌출하고 있는 보조 방추부분에 의해 구성되는 방추부를 갖고 있다. 빔 부는, 베이스부와 방추부와의 접속하는 거리가 가능한 한 커지는 것이 감도향상의 면으로부터 바람직하다. 그 때문에 방추부에 있어서, 빔 부와 방추부를 접속하는 방추접속 부분은 베이스부로부터 가능한 한 거리가 떨어진 위치에 설치된다. 또한 방추부는 가능한 한 큰 체적이 되는 것이 감도향상의 면에서 바람직하다. 그 때문에 방추부에 있어서, 빔 부의 주변에 배치되는 보조 방추부분은 방추접속 부분으로부터 베이스부 방향으로 가능한 한 돌출하도록 설치된다.
베이스부는, 방추를 둘러싸도록 형성되어 있다. 도 22에 기재되어 있는 파선은, 제 2층과 제 3층에 있어서의 베이스부와의 경계선 및 방추부와의 경계선을 나내고 있다. 가속도 센서의 최상층보다 아래의 층에 있어서는, 보조 방추부분과 베이스부와 이격되는 폭과, 접속부와 베이스부를 이격하는 폭의 2종류의 모를 갖는 관통공에 의해 형성된다고도 바꿔 말할 수 있다.
이 가속도 센서의 제조 방법은, 3층으로 이루어지는 적층기판을 준비한다(도 25). 다음에 최상면의 빔 부가 되는 부분에 피에조 저항소자를 형성하고, 그 후 제 1층을 도 26(c)에 도시하는 형상으로 패터닝한다. 이 때 A-A′단면 및 B-B'단면은 각각 도 26(a) 및 도 26(b)가 된다. 다음에 제 3층측에서 제 3층을 도 27(c)에 도시하는 형상으로 패터닝한다. 이때 A-A′단면 및 B-B′단면은 각각 도 27(a) 및 도 27(b)가 된다. 최후에 제 2층을 도 28(c)에 도시하는 형상으로 패터닝한다. 이 때 A-A′단면 및 B-B'단면은 각각 도 28(a) 및 도 28(b)가 된다. 이들 공정을 거쳐 종래의 가속도 센서가 완성된다.
이러한 공정을 이용하여 적층기판에 미세가공 프로세스에 의해 형성되는 가속도 센서로서, 예를들면 특허문헌 1이 있다.
특허문헌 1에서는, 종래의 가속도 센서에 대하여 내충격성을 향상시키기 위해서 스토퍼를 설치하고, 또한 스토퍼를 보강하기 위한 보강부재를 스토퍼 위에 배치한 구조 및 그 제조 방법을 개시하고 있다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 특개2004-198243
종래의 가속도 센서에 있어서, 가속도 센서의 감도를 조절할 경우, 베이스부와 방추부의 위치를 변경하여 빔 부의 길이를 변경해야 하고, 상면측에서의 관통공 형성 및 하면측에서의 관통공 형성 위치를 각각 변경하여 빔 부의 길이를 조절함으로써 감도의 조절을 행하고 있었다. 이 때문에, 상면측의 레이아웃과 하면측의 레이아웃을 각각 변경할 필요가 있어, 감도를 조절하는 것이 곤란했다.
또한, 종래의 가속도 센서에 있어서, 상면측에서 형성된 관통공과 하면측에서 형성된 관통공과의 위치 맞춤을 확인하는 것이 곤란했다. 그 때문에 종래의 가속도 센서의 위치 맞춤을 확인하는 경우에 있어서는, 복수형성된 가속도 센서의 몇 개를 파괴해서 단면구조를 SEM등으로 관찰하거나 혹은 TEM등을 이용하여 관찰해야 했었다. 따라서, 형성된 가속도 센서 자체를 파괴하지 않고 위치 맞춤 확인하는 것이 곤란했다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 행해진 것이다. 상기 과제를 해결하는데 있어서 본 발명의 가속도 센서 및 그 제조 방법은, 하기와 같은 특징을 갖고 있다.
본 발명의 가속도 센서는, 베이스부와, 상기 베이스부에 접속되는 빔 부와, 빔 부에 접속되는 방추부를 갖는 반도체 가속도 센서에 있어서, 빔 부의 바로 아래에 빔 부를 지지하는 돌기부를 갖는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 또, 설명상 수직방향(및 평행한 면)이라는 표현을 사용하지만, 이것은 복수의 층을 서로 붙일 때의 접합면에 대하여 수직의 방향 (및 평행한 면)을 뜻하고 있다. 또한 본 발명의 가속도 센서 및 그 제조 방법에 관해서, 실리콘 기판 등의 종래 공지한 재료나 에칭 등의 종래공지 수단을 사용하는 경우가 있지만, 이 경우에는, 이들 재료 및 수단의 상세한 설명을 생략하는 경우가 있다.
[실시예 1]
[구조]
이하, 도 1∼도 8을 이용하여, 본 발명의 실시예 1에 관한 가속도 센서에 대하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 사시도이다. 도 2는, 도 1에 도시하는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 A-A′에 있어서의 단면도이다. 도 3은, 도 1에 도시하는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 B-B′에 있어서의 단면도이다. 도 4는, 도 1에 도시하는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 상면도이다. 도 5(a)는, 도 1에 도시하는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 C에 있어서의 부분 확대도이다. 도 6은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 1층(최상층)(101)의 평면도이다. 도 7은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 1층(101)의 바로 아래에 형성되는 제 2층(102)의 평면도이다. 도 8은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가 속도 센서의 제 3층(최하층)(103)의 평면도이다.
본 발명의 실시예 1에 관한 가속도 센서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 제 1층(101), 제 2층(102) 및 제 3층(103)이 이 순서로 적층되고, 또한, 각각의 각 상면이 동일 방향이 되도록 적층된, 3층으로 이루어지는 적층기판에 의해 구성된다. 또한 본 발명의 실시예 1에 관한 가속도 센서는, 베이스부(110)와, 빔 부(120)와, 방추접속 부분(130)과 보조 방추부분(140)을 구비한 방추부(150)와, 돌기부(160)를 갖고 있다.
베이스부(110)는, 사각형 모양인 윗면 및 밑면을 갖는 적층기판이다. 베이스부(110)는, 윗면과 밑면에 걸쳐서 관통공이 형성된다. 바꾸어 말하면, 베이스부(110)는 관통공을 구성하는 내벽이 형성된다. 베이스부(110)의 최상층은 후술하는 빔 부(120)의 제 1단부와 접속하고 있고, 최상층의 바로 아래의 층에서 최하층까지의 층은 후술하는 돌기부(160)가 형성된다.
빔 부(120)는, 베이스부(110)의 내벽에 접속되는 제 1단부와, 후술하는 방추부(150)의 방추접속 부분(130)에 접속되는 제 2단부를 갖는다. 또한, 빔 부(120)는 가요성을 갖고, 빔 부(120)위에는 가속도에 의해 빔 부(120)가 뒤틀렸을 때 빔 부(120)의 뒤틀림을 검지하는 피에조 저항소자가 형성된다(도시하지 않음).
방추부(150)는, 방추접속 부분(130)과 보조 방추부분(140)에 의하여 형성된다. 방추접속 부분(130)은, 빔 부(120)의 제 2단부가 접속되는 부분을 포함하고, 방추부(150)의 중앙부에 위치한다. 보조 방추부분(140)은, 방추접속 부분(130)의 주변에 형성된다. 또한 보조 방추부분(140)은, 빔 부(120)의 주변에 빔 부(120)와 는 이격되어서 배치되고, 방추접속 부분(130)으로부터 베이스부(110)를 향해 돌출하고 있다. 즉, 방추접속 부분(130)은, 빔 부(120)의 제 1단부와 제 2단부의 거리를 크게 하기 위해서, 방추접속 부분(130)과 베이스부(110)와의 거리를 가능한 한 크게 취하도록 형성된다. 또한 보조 방추부분(140)은, 방추부(150)의 질량을 크게 하기 위해서, 베이스부(110)와 빔 부(120)와 방추접속 부분(130)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 방추접속 부분(130)에 인접하고, 베이스부(110) 및 빔 부(120)에 이격되어, 베이스부(110)방향으로 가능한 한 돌출시키도록 형성된다. 여기에서, 방추부(150)를 구성하는 방추접속 부분(130)과 보조 방추부분(140)을 따로 따로 설명했지만, 본 발명의 실시예 1에 있어서는, 방추접속 부분(130)과 보조 방추부분(140)이 일체로 형성됨으로써 방추부(150)가 형성된다. 또한 다른 적용예로서, 방추접속 부분(130)을 형성한 후에 보조 방추부분(140)을 방추접속 부분(130)에 접속함으로써 방추부(150)를 형성한 것이어도 좋다.
돌기부(160)는, 베이스부(110)의 내벽에 형성되고, 빔 부(120)의 바로 아래에 빔 부(120)을 지지하도록 형성된다. 여기에서, 돌기부(160)의 길이 및 돌기부(160)의 폭은, 상기한 빔 부(120)의 길이 및 폭으로 동일한 방향의 돌기부(160)의 거리를 가리킨다. 돌기부(160)가 형성됨으로써, 돌기부(160)가 접하는 부분만큼 빔 부(120)가 가요되는 부분의 길이를 짧게 할 수 있다. 이 때문에, 돌기부(160)에 있어서 빔 부(120)와 접하는 길이를 조절함으로써 용이하게 가속도 센서의 감도를 조절할 수 있다. 또한, 베이스부(110)에 있어서, 돌기부(160)를 형성함으로써 베이스부(110)의 네 구석이외에 응력을 집중시키는 부분이 형성되므로, 가속도 센 서에 있어서의 고정부의 강도를 높일 수 있다.
도 2는, 도 1에 도시하는 본 발명의 가속도 센서의 A-A′에 있어서의 단면도이며, A-A′단면에 있어서는 베이스부(110)와, 빔 부(120)와, 보조 방추부분(140)이 표시되고 있다.
도 3은, 도 1에 도시하는 본 발명의 가속도 센서의 B-B′에 있어서의 단면도이며, B-B′단면에 있어서는 베이스부(110)와, 빔 부(120)와, 방추접속 부분(130)과, 돌기부(160)가 도시되고 있다. 도 3에 있어서, 돌기부(160)가 형성됨으로써, 빔 부(120)가 가요되는 부분의 길이가 짧아지고 있다. 이것으로, 가속도 센서의 감도를 용이하게 조절할 수 있다.
도 4는, 도 1에 도시하는 본 발명의 가속도 센서의 상면도이며, 도 4에 나타내는 것과 같이 돌기부(160)의 폭은, 빔 부(120)의 폭보다도 넓게 형성된다. 빔 부의 감도를 조절하고, 가속도 센서의 강도를 높이는 효과는, 빔 부(120)의 폭보다도 돌기부(160)의 폭이 짧은 경우라도 동일한 효과를 갖는다.
도 5(a)는, 도 1에 도시하는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 C에 있어서의 부분 확대도이다. 또한 도 5(b) 및 도 5(c)는, 본 발명의 돌기부(160)의 적응예를 도시한 도면이다. 도 5(a)를 이용하여 본 발명의 실시예 1에 있어서의 돌기부(160)의 위치를 설명한다. 도 5(a)에 있어서, 돌기부(160)는, 빔 부(120)의 바로 아래에 형성되어 빔 부(120)를 지지하는 제 1돌기 부분(160a)과 제 1돌기 부분에 인접하여 위쪽으로 빔 부(120)가 형성되지 않은 제 2돌기 부분(160b)에 의하여 형성된다.
도 5(a)에 나타나 있는 바와 같이 적층기판에 의해 형성되는 베이스부(110)의 최상층인 제 1층(101)에 빔 부(120)가 접속된다. 돌기부(160)는, 제 1층(101)의 바로 아래에 형성되는 제 2층(102)에서 최하층인 제 3층(103)에 걸쳐, 빔 부(120)의 바로 아래에 설치된다.
도 5(a)에 있어서는 제 2돌기 부분(160b)은 제 1돌기 부분(160a)의 양측에 각각 연장되어 형성되고 있지만, 제 2돌기 부분(160b)은 제 1돌기 부분(160a)의 한쪽에만 형성되어도 된다. 제 1돌기 부분(160a)의 길이를 조절함으로써 가속도 센서의 감도를 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 제 2돌기 부분(160b)에 의해 감도를 용이하게 조절하는 효과에 더해, 형성된 가속도 센서에 있어서, 가속도 센서의 양부판정을 용이하게 행할 수 있다. 예를 들면 형성된 제 2돌기 부분(160b)의 폭과 미리 설계된 제 2돌기 부분(160b)의 폭을 비교함으로써 양부판정을 행할 수 있다.
또한, 양부판정을 용이하게 행하기 위한 돌기부(160)의 배치로서, 도 5(b), 도 5(c)와 같은 배치를 예시한다. 도 5(b)에 있어서는 방추부(150)를 생략하고 있다. 도 5(b)는, 베이스부(110)에 접속되고, 제 1돌기 부분(160a)과 제 1돌기 부분(160a)의 한 쪽에만 인접하는 제 2돌기 부분(160b)을 갖는 돌기부(160)가 배치된다. 이 경우라도 형성된 제 2돌기 부분(160b)의 폭과 미리 설계된 제 2돌기 부분(160b)의 폭을 비교함으로써 위치 맞춤의 어긋남을 확인하여 양부판정을 행할 수 있다. 또한 형성된 제 2돌기부(160b)의 길이와 미리 설계된 제 2돌기부(160b)의 길이를 비교함으로써 위치 맞춤의 어긋남을 확인하여 양부판정을 행할 수 있다. 또한, 복수의 돌기부(160)에 있어서의 각각 대향하는 제 2돌기부(160b)의 폭을 비 교함으로써 위치 맞춤의 어긋남을 확인하여 양부판정을 할 수 있다. 이 경우에는 미리 설계된 제 2돌기부(160b)의 폭과 비교하지 않고 위치 맞춤의 어긋남을 확인할 수 있다.
도 5(c)에 있어서는 베이스부(110)를 생략하고 있다. 도 5(c)는, 방추부(150)에 접속되고, 제 1돌기 부분(160a)과 제 1돌기 부분(160a)에 인접하는 제 2돌기 부분(160b)을 갖는 돌기부(160)가 배치된다. 이 경우에도 베이스부(110)에 접속된 돌기부(160)를 갖는 경우와 동일한 효과를 갖는다. 또한, 방추부(150)에 접속하여 제 1돌기 부분(160a)의 한쪽에만 인접하는 제 2돌기부(106b)를 갖는 돌기부(160)를 갖는 경우에 있어서도, 베이스부(110)에 접속하여 제 1돌기 부분(160a)의 한쪽에만 인접하는 제 2돌기 부분(106b)을 갖는 돌기부(160)를 갖는 경우와 동일한 효과를 갖는다. 또한 베이스부 및 방추부에 형성되는 돌기부(160)는 제 1돌기 부분(160a)과 제 1돌기 부분(160a)의 양단에 인접하는 제 2돌기 부분(160b)을 갖는 돌기부(160)와 제 1돌기 부분(160a)과 제 1돌기 부분(160a)의 한 쪽에 인접하는 제 2돌기 부분(160b)을 갖는 돌기 부분(160)을 각각 구비한 복수의 돌기부(160)로 해도 좋다.
도 6에서 도 8을 이용하여, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서가 형성되는 적층기판의 각 층에 대하여 설명한다.
도 6은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 1층(최상층)(101)의 평면도이다. 제 1층(101)은, 제 1베이스부(111)와, 빔 부(120)와, 제 1방추접속 부분(131) 및 제 1방추접속 부분(131)에 접속하는 제 1보조 방추부분(141)으로 이루어지는 제 1방추부(151)로 구성된다. 제 1베이스부(111), 빔 부(121), 제 1방추접속 부분(131), 제 1보조 방추부분(141)은, 제 1층(101)에 제 1관통공(171)을 설치함으로써 형성된다. 이 때문에, 제 1층(101)에 형성되는 각 구성요소에 관한 명확한 경계는 외견으로부터는 판단되지 않고, 각 구성요소는, 그것들이 갖는 작용 및 효과에 의해 설명의 편의상 정해지는 데 지나지 않는다. 제 1층(101)은, 예를 들면 4∼8㎛의 두께로, 재료로서는 실리콘이 이용된다. 다른 재료로서는, 화합물 반도체 재료 등을 이용해도 좋으며, 빔 부(120)위에 저항소자를 형성하는 것을 가능하게 하는 재료이면 된다.
도 7은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 1층(101)의 바로 아래에 형성되는 제 2층(102)의 평면도이다. 제 2층(102)은, 제 1베이스부(111)에 대응하는 제 2베이스부(112)와, 빔 부(120)의 바로 아래에 제 2베이스부(112)에 접속되는 제 1돌기부(161)와, 제 1방추접속 부분(131) 및 제 1보조 방추부분(141)에 대응하는 제 2방추접속 부분(132) 및 제 2보조 방추부분(142)에 의해 구성되는 제 2방추부(152)로 구성된다. 제 2베이스부(112), 제 1돌기부(161), 제 2방추접속 부분(132) 및 제 2보조 방추부분(142)은, 제 2층(102)에 제 2관통공(172)을 설치함으로써 형성된다. 제 2층(102)은, 예를 들면 2∼3㎛의 두께로, 재료로서는 실리콘 산화막이 이용된다.
도 8은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제 3층(최하층)(103)의 평면도다. 제 3층(103)은, 제 2베이스부(112)에 대응하는 제 3베이스부(113)와, 제 1돌기부(161)에 대응하는 제 2돌기부(162)와, 제 2방추접속 부분(132) 및 제 2보조 방추부분(142)에 대응하는 제 3방추접속 부분(133) 및 제 3보조 방추부분(143)에 의해 구성되는 제 3방추부(153)로 구성된다. 제 3베이스부(113), 제 2돌기부(162), 제 3방추접속 부분(133) 및 제 3보조 방추부분(143)은, 제 3층(103)에 제 3관통공(173)을 설치함으로써 형성된다. 제 3층(103)은, 예를 들면 250∼400㎛의 두께이며, 재료로서는 실리콘이 이용된다.
본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서는 도 6∼도 8에 도시하는 제 1층(101), 제 2층(102) 및 제 3층(103)의 각층을 적층한 구조가 되고 있다. 베이스부(110)는, 제 1층(101)에 형성되는 제 1베이스부(111)와 제 2층(102)에 형성되는 제 2베이스부(112)아 제 3층(103)에 형성되는 제 3베이스부(113)로 구성되고, 돌기부(160)는, 제 2층(102)에 형성되는 제 1돌기부(161)와 제 3층(103)에 형성되는 제 2돌기부(162)로 구성되며, 방추접속 부분(130)은, 제 1층(101)에 형성되는 제 1방추접속 부분(131)와 제 2층(102)에 형성되는 제 2방추접속 부분(132)과 제 3층(103)에 형성되는 제 3방추접속 부분(133)으로 구성되고, 보조 방추부분(140)은, 제 1층(101)에 형성되는 제 1보조방추 부분(141)과 제 2층(102)에 형성되는 제 2보조 방추부분(142)과 제 3층(103)에 형성되는 제 3보조 방추부분(143)으로 구성된다.
본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서에 의하면, 빔 부(120)의 바로 아래에 베이스부(110)에 접속하는 돌기부(160)를 갖기 때문에, 가속도 센서의 감도를 저가로 또한 용이하게 조절할 수 있는 효과를 갖는다. 또한, 돌기부(160)는, 빔 부(120)의 바로 아래에 형성되는 제 1돌기부(160a)와 제 1돌기부(160a)에 인접 하는 제 2돌기부(160b)를 갖는 것에 의해 종래 방법에 비해 용이하게 위치 맞춤의 어긋남을 확인하고, 형성된 가속도 센서의 양부판정을 행할 수 있다. 또한, 베이스부에 형성된 돌기부(160)를 갖는 것에 의해, 가속도 센서의 강도를 높일 수 있다.
[제조 방법]
이하, 도 1, 도 9 내지 도 12를 이용하여 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시예에서는, 도 9에 도시하는 바와 같이 제 1층(101), 제 2층(102), 제 3층(103)을 적층한 SOI기판을 이용한다. 제 1층(101), 제 2층(102), 제 3층(103)은 각각 상면 및 하면을 갖고, 각각의 상면이 동일 방향으로 적층된다. 도 10(a), 도 11(a) 및 도 12(a)는 도 1의 A-A'단면에 있어서의 형성 공정을 나타내고, 도 10(b), 도 11(b) 및 도 12(b)는 도 1의 B-B'단면에 있어서의 형성 공정을 나타내며, 도 10(c), 도 11(c) 및 도 12(c)는 각각 제 1층(101), 제 2층(102) 및 제 3층(103)의 상면도를 나타낸다.
도 10(a) 및 도 10(b)에 나타나 있는 바와 같이 제 1층(101)에 있어서 반도체 회로형성 프로세스를 이용하여 빔 부 위에 배치되도록 피에조 저항소자를 형성하고(도시하지 않음), 제 1층(101)의 상면도가 도 10(c)이 되도록 제 1관통공(171)을 형성한다. 여기에서, 제 1관통공(171)은, 제 1베이스부(111), 빔 부(120), 제 1접속부(131), 제 1보조 방추부분(141)이 설치되도록 형성된다. 제 1층(101)은, 제 1영역(101a)과, 제 1영역(101a)에 인접하는 4개소의 제 2영역(101b)과, 제 1영 역(101a) 및 제 2영역(101b)을 이격하여 둘러싸는 제 3영역(101c)과, 제 1영역(101a)과 제 3영역(101c)을 접속하여 4개소의 제 2영역(101b)의 각각의 사이에 하나씩 설치되는 4개소의 제 4영역(101d)과, 제 1영역(101a)과 제 2영역(101b)과 제 3영역(101c)과 제 4영역(101d)으로 둘러싸이는 4개소의 제 5영역(101e)으로 나뉜다. 제 1층(101)은, 제 1영역(101a)에는 제 1방추접속 부분(131)이 설치되고, 4개소의 제 2영역(101b)에는 각각 4개의 제 1보조 방추부분(141)이 설치되며, 제 3영역(101c)에는 제 1베이스부(111)가 설치되고, 4개소의 제 4영역(101d)에는 각각 4개의 빔 부(120)가 설치되도록, 4개소의 제 5영역(101e)에 각각 4개의 제 1관통공(171)이 형성된다.
다음에 도 11(a) 및 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, 제 3층(103)에 있어서 반도체 회로형성 프로세스를 이용하여 제 3층(103)의 하면측에서, 제 3층(103)의 상면도가 도 11(c)이 되도록 제 3관통공(173)을 형성한다. 여기에서 제 3관통공(173)은 제 3베이스부(113), 제 3방추접속 부분(133), 제 3보조 방추부분(143) 및 제 2돌기부(162)가 형성되도록 형성된다. 제 3층(103)은, 제 1층(101)의 제 1방추접속 부분(131)에 대응하는 제 6영역(103a)과, 제 1층(101)의 제 1보조 방추부분(141)에 대응하여 제 6영역(101a)에 인접하는 4개소의 제 7영역(101b)과, 제 1층(101)의 제 1베이스부(111)에 대응하여 제 6영역(101a) 및 제 7영역(101b)을 이격하여 둘러싸는 제 8영역(101c)과, 제 1층(101)의 빔 부(120)의 적어도 일부에 대응하여 제 8영역(101c)에 인접하는 4개소의 제 9영역(101d)과, 제 6영역(101a)과 제 7영역(101b)과 제 8영역(101c)과 제 9영역(101d)으로 둘러싸이는 제 10영역(101e) 으로 나뉘어진다. 제 3층(103)은, 제 6영역(101a)에는 제 3방추접속 부분(133)이 설치되고, 4개소의 제 7영역(101b)에는 각각 4개의 제 3보조 방추부분(143)이 설치되며, 제 8영역(101c)에는 제 3베이스부(113)가 설치되고, 4개소의 제 9영역(101d)에는 각각 4개의 제 2돌기부(162)가 설치되도록, 제 10영역(101e)에 각각 4개의 제 3관통공(173)이 형성된다.
다음에 도 12(a) 및 도 12(b)에 나타나 있는 바와 같이, 제 2층(102)에 있어서 반도체 회로형성 프로세스를 이용하여, 제 2층(102)의 상면도가 도 12(c)가 되도록 제 2관통공(172)을 형성한다. 제 2층(102)은, 제 1층(101)의 제 1방추접속 부분(131) 및 제 3방추접속 부분(133)에 대응하는 제 11영역(101a)과, 제 1층의 제 1보조 방추부분(141) 및 제 3층의 제 3보조 방추부분(143)에 대응하여 제 11영역(101a)에 인접하는 4개소의 제 12영역(101b)과, 제 1층의 제 1베이스부(111) 및 제 3층의 제 3베이스부(113)에 대응하여 제 11영역(101a) 및 제12의 영역(101b)을 이격하여 둘러싸는 제 13영역(101c)과, 제 3층의 제 2돌기부(162)에 대응하는 제 14영역(101d)과, 제 11영역(101a)과 제 12영역(101b)과 제 13영역(101c)과 제 14영역(101d)으로 둘러싸이는 제 15영역(101e)으로 나뉘어 진다. 제 2층(102)은, 제 11영역(101a)에는 제 2방추접속 부분(132)이 설치되고, 4개소의 제 12영역(101b)에는 각각 4개의 제 2보조 방추부분(142)이 설치되며, 제 13영역(101c)에는 제 2베이스부(112)가 설치되고, 4개소의 제 14영역(101d)에는 각각 4개의 제 1돌기부(161)가 설치되도록, 4개소의 제 10영역(101e)에 각각 4개의 제 2관통공(172)이 형성된다.
종래의 가속도 센서의 경우, 제 3층에 있어서, 제 3방추접속 부분과 제 3베 이스부을 이격하기 위한 제 3관통공의 폭은, 제 3보조 방추부분과 제 3베이스부를 이격하기 위한 제 3관통공의 폭보다도 크다. 이 때문에, 에칭에 의해 관통공을 형성할 경우에 이 관통공의 폭의 차이에 의해 국소적으로 에칭 부족이 발생하여 제 3관통공을 형성할 수 없거나 또는 역으로 국소적으로 에칭 과잉이 발생하여 제 3관통공의 폭을 제어할 수 없다는 문제가 있었다.
그러나, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 가속도 센서에 있어서는, 제 2돌기부가 형성되므로 제 3관통공의 폭의 차이가 저감되는 효과를 갖는다. 따라서, 돌기부를 갖는 것에 의한 가속도 센서의 감도를 용이하게 조절할 수 있는 효과 및 위치 맞춤의 어긋남을 용이하게 확인할 수 있는 효과에 더해, 관통공을 형성할 경우에 있어서의 에칭 부족 또는 에칭 과잉이 쉽게 발생하지 않기 때문에 국소적으로 관통공의 폭을 제어할 수 있는 관통공을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.
[실시예 2]
이하, 도 13∼도 17을 이용하여 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서에 관하여 설명한다.
도 13은, 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 사시도이다. 도 14는, 도 13에 도시하는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 A-A′에 있어서의 단면도이다. 도 15는, 도 13에 도시하는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 B-B'에 있어서의 단면도이다. 도 16은, 도 13에 도시하는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 상면도이다. 도 17(a)은, 도 13에 도시하는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서의 C에 있어서의 부분 확대도이다.
본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서는, 스토퍼부를 갖는 가속도 센서에 본 발명의 실시예 1에 있어서의 발명을 적응시킨 예이다.
본 발명의 실시예 2에 관한 가속도 센서는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 제 1층(201), 제 2층(202) 및 제 3층(203)이 이 순서로 적층되고, 또한, 각각의 각 상면이 동일 방향이 되도록 적층된, 3층으로 이루어지는 적층기판에 의해 구성된다. 또한 본 발명의 실시예 2에 관한 가속도 센서는, 베이스부(210)와, 빔 부(220)와, 방추접속 부분(230)과 보조 방추부분(240)을 구비한 방추부(250)와, 돌기부(260)와, 스토퍼부(280)를 갖고 있다. 여기에서 구조에 있어서 실시예 1과 동일한 구조인 부분에 관해서는, 여기에서는 상세한 구조의 설명을 생략한다.
스토퍼부(280)는, 베이스부(210)의 상부에 형성되고, 방추부(250)의 위쪽에 방추부(250)와는 이격되어서 배치된다. 스토퍼부(280)를 방추부(250)의 위쪽에 설치함으로써, 방추부(250)가 수직방향으로 크게 변위하고자 해도 스토퍼부(280)에 의해 변위량을 제한할 수 있기 때문에, 종래의 가속도 센서보다도 수직방향의 내충격성을 향상시키는 효과를 갖는다. 또한 빔 부(220)의 위쪽에 스토퍼부(280)를 설치하지 않도록 빔 부(220)를 설치함으로써, 방추부(250)가 가속도를 받아 변위하고, 그에 따라 빔 부가 변위할 때 빔 부(220)가 스토퍼부(280)에 충돌하여 빔 부(220)가 파손되는 것을 막는 효과를 갖는다.
스토퍼부(280)를 갖는 가속도 센서의 경우, 최상층인 제 1층(201)에 스토퍼부(280)가 형성된다. 따라서, 스토퍼부(280)가 형성된 면적만큼 제 1층(201)의 면적이 커진다. 따라서, 상면측에서 관통공의 위치 맞춤을 확인할 경우, 하면측에서 형성된 관통공은 스토퍼부(280)가 형성된 제 1층(201)에 의해 가려지게 된다. 스토퍼부(280)가 형성되는 가속도 센서의 경우, 스토퍼부가 형성되지 않는 가속도 센서와 비교하여, 보다 현저하게 가려지므로 위치 맞춤을 확인하는 것이 더욱더 곤란하게 된다.
본 발명의 실시예 2에 있어서의 가속도 센서에 의하면, 돌기부(260)를 갖기 때문에, 스토퍼를 갖는 가속도 센서에 있어서도 용이하게 가속도 센서의 감도를 조절할 수 있는 효과를 갖고, 관통공의 위치 맞춤의 확인을 용이하게 하므로 가속도 센서의 양부판정을 용이하게 행할 수 있는 효과를 갖고, 베이스부(210)에 접속하는 돌기부(260)를 갖는 경우에 있어서는, 더욱 가속도 센서의 강도를 향상시킬 수 있다.
또한 돌기부(260)의 위치에 있어서는, 도 17(b) 및 도 17(c)에 예시하는 위치에 배치함으로써 실시예 1에 있어서의 돌기부(160)의 위치(도 5(b) 및 도 5(c)에 예시된다)와 동일한 양부판단을 행할 수 있다.
또한, 도 18∼도 20에는, 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 있어서의 돌기부의 형상에 대해서 예시한다. 이들에 예시되는 형상은, 실시예 1 및 실시예 2에 있어서 설명한 효과를 가짐과 동시에 이하에 설명하는 효과를 함께 갖는다.
도 18에 있어서는, 돌기부는 베이스부에 접속하는 면에 대하여 돌출하는 제 1면(310), 제 2면(320) 및 제 3면(330)의 3개의 면에 의해 구성된다. 제 1면(310) 및 제 3면(330)은, 제 2면(320)이 돌기부와 베이스부를 접속하는 면보다도 작아지도록 형성된다. 또한 제 1면(310) 및 제 3면(330)은 각각 베이스부와 접속되는 내 벽과의 각도가 둔각이 되도록 형성되고 있고, 상면에서 보았을 경우에는 사다리꼴 형상이 되는 것 같이 형성되어 있다. 이러한 돌기부를 갖는 가속도 센서에 있어서는, 돌기부가 둔각부를 갖는 것에 의해, 실시예 1 및 실시예 2에 기재한 돌기부(160) 및 돌기부(260)보다도 가속도 센서에 걸리는 응력을 분산시킬 수 있기 때문에 더욱 가속도 센서의 강도가 향상되는 효과를 갖는다.
도 19은, 도 18에 있어서의 제 1면(310) 및 제 3면(330)에 대응하는 위치에 배치되는 면이, 베이스부와 접속되는 면을 향해 움푹 들어가도록 만곡된 형상이 되도록 형성된다. 이러한 돌기부를 갖는 가속도 센서에 있어서는, 도 18에 기재한 돌기부의 형상보다도 만곡부를 갖기 때문에, 보다 가속도 센서에 걸리는 응력을 분산시킬 수 있어, 더욱 가속도 센서의 강도가 향상되는 효과를 갖는다. 또한 제 1면(310) 및 제 3면(330)이 베이스부와 접속되는 면 방향으로 움푹 들어가도록 만곡된 형상을 갖는 것으로, 가속도에 의해 방추부가 변위하는 경우에 있어서도, 방추부의 수평방향의 변위량을 실시예 1 및 실시예 2에 기재한 돌기부(160) 및 돌기부(260)보다도 많게 할 수 있는 효과를 갖는다. 또한 돌기부에 방추부가 충돌한 경우에 있어서도, 만곡된 형상이 충돌시의 응력을 분산시키기 때문에 방추부 또는 돌기부가 쉽게 파손되지 않는 형상이 되므로, 장기 신뢰성이 향상되는 효과를 갖는다.
도 20은, 도 18에 있어서의 제 1면(310) 및 제 3면(330)에 대응하는 위치에 배치되는 면이, 베이스부와 접속되는 면과는 역방향을 향해 돌출하도록 만곡된 형상이 되도록 형성된다. 이러한 돌기부를 갖는 가속도 센서에 있어서는, 도 19에 기재한 돌기부의 형상과 마찬가지로 가속도 센서에 걸리는 응력을 분산시킬 수 있기 때문에, 가속도 센서의 강도가 향상되는 효과를 가지며, 방추부와 돌기부가 충돌한 경우에도 만곡된 형상이 충돌시의 응력을 분산시키므로 방추부 및 돌기부가 쉽게 파손되지 않는 장기 신뢰성이 향상되는 효과를 갖는다. 또한, 돌출시킨 형상이므로 가속도 센서의 평면방향의 변위량을 조절하는 스토퍼로서도 작용하여 평면방향에 과대한 가속도가 발생한 경우에 있어서도 빔 부의 한계 뒤틀림 양을 넘지 않는 범위에서 방추부의 수평방향의 변위량을 조절할 수 있기 때문에 빔 부의 파손을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
도 18∼도 20에 기재한 돌기부의 형상은 요구되는 조건 등에 의해, 최적인 것을 골라 이용할 수 있다.
본 발명의 가속도 센서에 의하면, 빔 부를 지지하는 돌기부가 형성된다. 돌기부가 형성됨으로써 돌기부가 접하는 영역만큼 빔 부가 가요되는 부분의 길이를 짧게 할 수 있기 때문에 감도를 조절할 수 있다. 또한 이 경우에 있어서는, 빔 부의 길이를 변경하는 필요가 없기 때문에 상면측의 레이아웃을 변경할 필요가 없어, 용이하게 감도를 조절할 수 있다.
또한 종래 및 본 발명의 가속도 센서는, 상면측 및 하면측에서 각층에 관통공을 형성함으로써 형성되고 있다. 가속도 센서에 있어서 상면측에서 형성된 관통공과 하면측에서 형성된 관통공의 위치 맞춤을 확인할 필요가 있다. 종래의 가속 도 센서에 있어서의 관통공의 위치 맞춤을 확인하는 경우에 있어서, 상면측에서 확인할 경우, 하면측에서 형성되는 관통공은 상면측에 형성되는 층에 가려지므로 위치 맞춤을 확인하는 것이 곤란했다. 또한 하면측에서 확인할 경우, 하면측에서 형성되는 관통공은 상면측에서 형성되는 관통공보다도 깊이가 깊게 형성된다. 이 때문에, 상면측에서 형성되는 관통공과 하면측에서 형성되는 관통공이 합쳐지는 위치로부터 멀어, 확인하는 것이 극히 곤란하다.
본 발명의 가속도 센서에 의하면, 빔 부를 지지하는 돌기부가 형성되도록 하면측에서 관통공을 설치하기 때문에, 상면측에서 관찰할 경우에, 하면측의 관통공의 위치 맞춤을 돌기부를 확인함으로써 용이하게 행할 수 있다.

Claims (30)

  1. 베이스부와, 상기 베이스부에 접속되는 빔 부와, 상기 빔 부에 접속되는 방추부와, 상기 빔 부의 바로 아래에 형성되어 상기 빔 부를 지지하는 돌기부를 갖는 반도체 가속도 센서로서,
    상기 베이스부는, 상기 빔 부에 접속된 제 1 층과 상기 제 1 층 바로 아래에 형성된 제 2 층을 포함하는 적층 기판을 구비하고,
    상기 돌기부는 상기 제 2 층과 같은 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 베이스부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 방추부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  4. 제 1단부 및 제 2단부를 갖고, 가요성을 갖는 빔 부와,
    상기 빔 부의 상기 제 1단부와 접속하는 베이스부와,
    상기 빔 부를 지지하는 돌기부와,
    상기 빔 부의 상기 제 2단부와 접속하는 접속 부분과, 상기 빔 부 주변에 설치되어 상기 접속 부분보다도 상기 베이스부 방향으로 돌출하고 있는 보조 방추부분을 구비한 방추부를 구비하고,
    상기 베이스부는, 상기 빔 부에 접속된 제 1 층과 상기 제 1 층 바로 아래에 형성된 제 2 층을 포함하는 적층 기판을 구비하고,
    상기 돌기부는 상기 제 2 층과 같은 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 빔 부를 지지하는 제 1돌기 부분과 상기 제 1돌기 부분에 인접하는 제 2돌기 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 돌기부의 폭은, 상기 빔 부의 폭보다도 넓게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  7. 제 4항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 베이스부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  8. 제 4항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 방추부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스부에 접속되어 상기 방추부 위쪽으로 연장하는 스토퍼부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  12. 제 1베이스부와 제 1접속 부분 및 상기 제 1접속 부분에 접속하는 제 1보조 방추부분에 의해 구성되는 제 1방추부와 상기 제 1베이스부 및 상기 제 1방추접속 부분을 접속하는 빔 부를 구성하는 제 1관통공을 구비한 제 1층과,
    상기 제 1층의 바로 아래에 설치되고, 상기 제 1베이스부의 바로 아래에 설치되는 제 2베이스부와 상기 제 1접속 부분의 바로 아래에 설치되는 제 2접속 부분 및 상기 제 1보조 방추부분의 바로 아래에 설치되는 제 2보조 방추부분에 의해 구성되는 제 2방추부와 상기 빔 부의 바로 아래에 설치되는 돌기부를 구성하는 제 2관통공을 구비한 제 2층을 갖는 반도체 가속도 센서로서,
    상기 돌기부는, 상기 빔 부를 지지하는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1보조 방추부 및 상기 제 2보조 방추부는 상기 빔 부 주변에 설치되고, 상기 제 1접속 부분 및 상기 제 2접속 부분보다도 상기 제 1베이스부 방향 및 상기 제 2베이스부 방향으로 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  14. 제 12항 또는 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 빔 부를 지지하는 제 1돌기 부분과 상기 제 1돌기 부분에 인접하는 제 2돌기 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  15. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 돌기부의 폭은, 상기 빔 부의 폭보다도 넓게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  16. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 제 2베이스부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  17. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 제 2방추부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  18. 제 1베이스부와 제 1접속 부분에 의해 구성되는 제 1방추부와 상기 제 1베이스부 및 상기 제 1방추접속 부분을 접속하는 빔 부와 스토퍼부를 구성하는 제 1관통공을 구비한 제 1층과,
    상기 제 1층의 바로 아래에 설치되고, 상기 제 1베이스부의 바로 아래에 설치되는 제 2베이스부와 상기 제 1접속 부분의 바로 아래에 설치되는 제 2접속 부분에 의해 구성되는 제 2방추부와 상기 빔 부의 바로 아래에 설치되는 돌기부를 구성하는 제 2관통공을 구비한 제 2층과,
    상기 제 2층의 바로 아래에 설치되고, 상기 제 2베이스부의 바로 아래에 설치되는 제 3베이스부와 상기 제 2접속 부분의 바로 아래에 설치되는 제 3접속 부분 및 상기 제 3접속 부분에 접속되는 보조 방추부분에 의해 구성되는 제 3방추부를 구성하는 제 3관통공을 구비한 제 3층으로 이루어지는 반도체 가속도 센서로서,
    상기 돌기부는, 상기 빔 부를 지지하는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 보조 방추부분은 상기 빔 부 주변에 설치되고, 상기 제 3접속부분 보다도 상기 제 3베이스부 방향으로 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  20. 제 18항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 빔 부를 지지하는 제 1돌기 부분과 상기 제 1돌기 부분에 인접하는 제 2돌기 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  21. 제 18항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 돌기부의 폭은, 상기 빔 부의 폭보다도 넓게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  22. 제 18항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 제 2베이스부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  23. 제 18항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 돌기부는, 상기 제 2방추부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  24. 제 18항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 제 3층의 상기 제 3관통공은, 상기 돌기부의 바로 아래에 위치하는 제 2돌기부를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  25. 제 1항, 제 2항, 제 3항, 제 5항, 제 6항, 제 12항, 제 13항, 제 18항 또는 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌기부는, 제 1면, 상기 제 1면에 인접하는 제 2면, 상기 제 2면에 인접하는 제 3면 및 상기 돌기부가 접속되는 면으로 상기 제 1면과 상기 제 3면에 접속되는 접속면을 갖고,
    상기 제 1면 및 상기 제 3면은, 상기 제 2면으로부터 상기 접속면을 향해 상기 제 2면과 평행한 절단면이 퍼지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 돌기부의 상기 제 1면 및 상기 제 3면은, 상기 접속면을 향해 움푹 들어가도록 만곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  27. 제 25항에 있어서,
    상기 돌기부의 상기 제 1면 및 상기 제 3면은, 상기 접속면을 향하는 방향과는 역방향을 향해 돌출하도록 만곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서.
  28. 삭제
  29. 제 1항, 제 2항, 제 3항, 제 5항, 제 6항, 제 12항, 제 13항, 제 18항 또는 제 19항 중 어느 한 항에 기재한 반도체 가속도 센서에서, 상기 돌기부의 위치에 따라 상기 반도체 가속도 센서의 양부판정을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서의 검사 방법.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 양부판정은, 상기 돌기부의 위치와 상기 빔 부의 위치를 비교함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도 센서의 검사 방법.
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