KR101230761B1 - 회로기판용 시트 및 디스플레이용 회로기판 시트 - Google Patents

회로기판용 시트 및 디스플레이용 회로기판 시트 Download PDF

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KR101230761B1
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Abstract

본 발명은, 디스플레이용, 특히 평면 디스플레이용의 각 화소를 제어하기 위해서 회로 칩이 박힌 회로기판 시트를, 품질 좋게, 높은 생산성 하에서 효율적으로 제작하기 위한 디스플레이용의 회로기판용 시트, 및 그것을 이용해서 얻어진, 회로 칩이 박혀서 이루어지는 디스플레이용 회로기판 시트를 제공하는 것을 과제로 한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 디스플레이용의 회로기판용 시트로서, 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미(未)경화층의 회로 칩 박아넣기 온도에 있어서의 저장탄성률이 1O3Pa 이상 107Pa 미만이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 107Pa 이상인 회로기판용 시트, 및 상기 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사하여 경화시켜서 이루어지는 디스플레이용 회로기판 시트인 것을 특징으로 한 것이다.

Description

회로기판용 시트 및 디스플레이용 회로기판 시트{SHEET FOR CIRCUIT SUBSTRTES AND SHEET OF A CIRCUIT SUBSTRATE FOR DISPLAYS}
도 1은 본 발명의 회로기판용 시트를 이용해서, 회로 칩을 박아넣는 방법의 일례를 예시한 공정설명도;
도 2는 칩의 박아넣기 상태를 나타낸 설명도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 지지체 2: 회로기판용 시트
3: 회로 칩 4: 유리판
5: 디스플레이용 회로기판 시트 h: 돌출된 양
본 발명은, 디스플레이용의 회로기판용 시트 및 디스플레이용 회로기판 시트에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 디스플레이용, 특히 평면 디스플레이용의 각 화소를 제어하기 위해서 회로 칩이 박힌 회로기판 시트를, 품질 좋게, 높은 생산성 하에서 효율적으로 제작하기 위한 디스플레이용의 회로기판용 시트, 및 그것을 이용해서 얻어진, 회로 칩이 박혀서 이루어지는 디스플레이용 회로기판 시트에 관한 것이다.
종래, 액정 디스플레이로 대표되는 평면 디스플레이에 있어서는, 예를 들면 유리기판 위에 CVD법(화학적 기상증착법) 등에 의해 절연막, 반도체막 등을 순차적으로 적층하고, 반도체 집적회로를 제작하는 것과 동일한 공정을 거쳐서, 화면을 구성하는 각 화소 근방에 박막 트랜지스터(TFT) 등의 미소전자 디바이스를 형성하고, 이에 의해 각 화소의 온(on), 오프(off), 농담(濃淡)의 제어가 실행되고 있다. 즉, 디스플레이에 사용되는 기판 위에서, TFT 등의 미소전자 디바이스를 그 공간에서 제작하고 있는 것이다. 그러나, 이와 같은 기술에 있어서는, 공정이 다단계로 번잡해서 고비용이 되는 것을 면할 수 없고, 또, 디스플레이 면적이 확대되면, 유리기판 위에 막을 형성하기 위한 CVD장치 등도 대형화되어서, 비용이 비약적으로 상승되는 등의 문제가 있다.
그래서, 비용삭감을 목적으로서, 미소한 결정 실리콘 집적회로 칩을 인쇄잉크와 같이 인쇄원판에 부착시키고, 그것을 인쇄기술 등의 수단에 의해, 디스플레이 기판 위의 소정개소로 옮겨, 고정시키는 기술이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이 경우, 디스플레이 기판 위에, 사전에 고분자 필름을 형성해 두고, 이것에 미소한 결정 실리콘 집적회로 칩을 인쇄기술 등의 수단에 의해 옮기고, 열성형이나 가열 프레스 등의 방법에 의해, 상기 칩을 고분자 필름에 박아넣는 것이 실행된다. 그러나, 이와 같은 방법으로는, 고분자 필름의 변형이나 발포 등의 문제가 발생하기 쉬울 뿐만 아니라, 가열에 시간이 소요되기 때문에 효율적이지 않다.
[특허문헌 1]
일본국 특개2003-248436호 공보
본 발명은, 이와 같은 사정 하에서, 디스플레이용, 특히 평면 디스플레이용의 각 화소를 제어하기 위해서 회로 칩이 박힌 디스플레이용 회로기판 시트를, 품질 좋게, 높은 생산성 하에서 효율적으로 제작하기 위한 디스플레이용의 회로기판용 시트, 및 그것을 이용해서 얻어진, 회로 칩이 박혀서 이루어지는 디스플레이용 회로기판 시트를 제공하는 것을 목적으로 해서 이루어진 것이다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 회로 칩을 박아넣기 위해서, 미경화층 및 그 경화층의 저장탄성률이, 각각 특정의 범위에 있는 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 회로기판용 시트를 이용함으로써, 회로 칩이 박힌 디스플레이용 회로기판 시트를, 품질 좋게, 높은 생산성 하에서 효율적으로 제작할 수 있는 것을 발견하고, 이 식견에 의거해서 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은,
(1) 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 디스플레이용의 회로기판용 시트로서, 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층의 회로 칩 박아넣기 온도에 있어서의 저장탄성률이 1O3Pa 이상 1O7Pa 미만이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O7Pa이상인 것을 특징으로 하는 회로기판용 시트(이하, 회로기판용 시트 I라고 함),
(2) 회로 칩 박아넣기 온도가 150℃이하인 상기 (1)항에 기재된 회로기판용 시트,
(3) 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 디스플레이용의 회로기판용 시트로서, 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O3~1O6Pa이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O7Pa 이상인 것을 특징으로 하는 회로기판용 시트(이하, 회로기판용 시트 Ⅱ라고 함),
(4) 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층 및 그것을 경화시킨 경우의 경화층이, 모두 파장 400~800㎚의 투과율 80% 이상인 상기 (1)~(3)항 중 어느 한 항에 기재된 회로기판용 시트,
(5) 에너지선 경화형 고분자 재료가, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르공중합체를 포함하는 것인 상기 (1)~(4)항 중 어느 한 항에 기재된 회로기판용 시트,
(6) 에너지선 경화성기가, 라디칼 중합성 불포화기이며, 또한 (메타)아크릴산 에스테르공중합체의 중량평균분자량이 100,000 이상인 상기 (5)항에 기재된 회로기판용 시트,
(7) 에너지선 경화형 고분자 재료가, 광중합개시제를 함유하는 것인 상기 (1)~(6)항 중 어느 한 항에 기재된 회로기판용 시트, 및
(8) 상기 (1)~(7)항 중 어느 한 항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판 시트,
를 제공하는 것이다.
<발명의 실시의 형태>
본 발명의 회로기판용 시트는, 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가지는 디스플레이용 시트이며, 이하에 나타낸 회로기판용 시트 I 및 회로기판용 시트 Ⅱ의 2개의 형태가 있다.
제 1의 형태의 회로기판용 시트 I는, 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층의 회로 칩 박아넣기 온도에 있어서의 저장탄성률이 1O3Pa 이상 1O7Pa 미만이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O7Pa 이상인 것을 특징으로 하는 회로기판용 시트이다.
이 회로기판용 시트 I에 있어서는, 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료는, 상기 미경화층의 회로 칩 박아넣기 온도에 있어서의 저장탄성률이 1O3Pa 이상 1O7Pa 미만의 범위에 있는 것을 필요로 한다. 이 저장탄성률이 상기의 범위에 있으면, 미경화층은 형상유지성 및 지지체와의 밀착성이 양호할 뿐만 아니라, 회로 칩의 박아넣기성이 양호하다. 바람직한 저장탄성률은 1O4~5×1O5Pa의 범위이다. 또, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O7Pa 이상인 것을 필요로 한다. 이 저장탄성률이 1O7Pa 이상이면, 박힌 회로 칩의 유지성이 양호하다. 상기 저장탄성률의 상한에 특별한 제한은 없지만, 통상 1O12Pa정도이다. 바람직한 저장탄성률은 1O8~1O11Pa의 범위이다.
회로 칩을 박아넣을 때의 온도가 지나치게 높으면, 가스의 발생에 의해 광의 산란 등 광학적인 문제가 발생하거나, 회로기판의 평탄성이 손상될 우려가 있다. 이와 같은 점에서, 회로 칩의 박아넣기 온도는 0~150℃가 바람직하고, 5~100℃가 보다 바람직하다.
제 2의 형태의 회로기판용 시트 Ⅱ는, 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O3~1O6Pa이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O7Pa 이상인 것을 특징으로 하는 회로기판용 시트이다.
회로기판용 시트 Ⅱ에 있어서는, 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료는, 상기 미경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O3~1O6Pa의 범위에 있는 것을 필요로 한다. 이 저장탄성률이 상기의 범위에 있으면, 미경화층은 형상유지성 및 지지체와의 밀착성이 양호할 뿐만 아니라, 회로 칩의 박아넣기성이 양호하다. 바람직한 저장탄성률은 1O4~5×1O5Pa의 범위이다. 또, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O7Pa 이상인 것을 필요로 한다. 이 저장탄성률이 1O7Pa 이상이면, 박힌 회로 칩의 유지성이 양호하다. 상기 저장탄성률의 상한에 특별한 제한은 없지만, 통상 1O12Pa정도이다. 바람직한 저장탄성률은 1O8~1O11Pa의 범위이다.
또한, 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층 및 그것을 경화시킨 경우의 경화층의 저장탄성률은, 후술하는 방법에 따라서 측정된 값이다.
본 발명에서는, 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층 및 그것을 경화시킨 경우의 경화층은, 25℃에서, 모두 파장 400~800㎚의 투과율이 80% 이상인 것이, 가시광선 투과성의 면에서 바람직하다.
또한, 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층 및 그것을 경화시킨 경우의 경화층의 파장 400~800㎚의 투과율은, 후술하는 방법에 따라서 측정된 값이다.
또, 본 발명에서, 에너지선 경화형 고분자 재료란, 전자기파 또는 하전입자선 중에서 에너지양자를 가지는 것, 즉 자외선 또는 전자선 등을 조사함으로써, 가교하는 고분자 재료를 가리킨다.
본 발명에서 이용하는 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로서는, 예를 들면 (1) 점착성 아크릴계 중합체와 에너지선 경화형 중합성 올리고머 및/또는 중합성 모노머와 소망에 따라서 광중합개시제를 함유하는 고분자 재료, (2) 곁사슬에 중합성 불포화기를 가지는 에너지선 경화형 작용기가 도입되어서 이루어지는 점착성 아크릴계 중합체와 소망에 따라서 광중합개시제를 함유하는 고분자 재료 등을 들 수 있다.
상기 (1)의 고분자 재료에 있어서, 점착성 아크릴계 중합체로서는, 에스테르부분의 알킬기의 탄소수가 1~20의 (메타)아크릴산 에스테르와, 소망에 따라 이용되는 활성수소를 가지는 작용기를 가지는 단량체 및 다른 단량체와의 공중합체, 즉 (메타)아크릴산 에스테르공중합체를 바람직하게 들 수 있다. 본 발명에서, 「(메타)아크릴산…」이란 「아크릴산…」 및 「메타아크릴산…」 양쪽 모두를 의미한다.
여기서, 에스테르부분의 알킬기의 탄소수가 1~20의 (메타)아크릴산 에스테르의 예로서는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 이소옥틸, (메타)아크릴산 데실, (메타)아크릴산 도데실, (메타)아크릴산 밀리스틸, (메타)아크릴산 팔미틸, (메타)아크릴산 스테아릴 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
한편, 소망에 따라 이용되는 활성수소를 가지는 작용기를 가지는 단량체의 예로서는, (메타)아크릴산 2―히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시부틸, (메타)아크릴산 3-히드록시부틸, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬에스테르; (메타)아크릴산 모노메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 모노에틸아미노에틸, (메타)아크릴산 모노메틸아미노프로필, (메타)아크릴산 모노에틸아미노프로필 등의 (메타)아크릴산 모노알킬아미노알킬; 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복시산 등을 들 수 있다. 이들의 단량체는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
(메타)아크릴산 에스테르공중합체 중, (메타)아크릴산 에스테르는 5~100중량%, 바람직하게는 50~95중량% 함유되고, 활성수소를 가지는 작용기를 가지는 단량체는 0~95중량%, 바람직하게는 5~50중량% 함유된다.
또, 소망에 따라 이용되는 다른 단량체의 예로서는 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르류; 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀류; 염화비닐, 비닐리덴클로리드 등의 할로겐화 올레핀류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체: 부타디엔, 이소프렌, 클로로플렌 등의 디엔계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴계 단량체; 아크릴아미드, N-메틸아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드 등의 아크릴아미드류 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다. (메타)아크릴산 에스테르공중합체 중, 이들의 단량체는, 0~30중량% 함유할 수 있다.
상기 고분자 재료에 있어서, 점착성 아크릴계 중합체로서 이용되는 (메타)아크릴산 에스테르계 공중합체는, 그 공중합형태에 대해서는 특별한 제한은 없고, 랜덤, 블록, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다. 또, 분자량은, 중량평균분자량으로 30만 이상이 바람직하다.
또한, 상기 중량평균분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정된 폴리스티렌 환산의 값이다.
본 발명에 있어서는, 이 (메타)아크릴산 에스테르계 공중합체는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
또, 에너지선 경화형 중합성 올리고머로서는, 예를 들면 폴리에스테르아크릴레이트계, 에폭시아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리에테르아크릴레이트계, 폴리부타디엔아크릴레이트계, 실리콘아크릴레이트계 등을 들 수 있다. 여기서, 폴리에스테르아크릴레이트계 올리고머로서는, 예를 들면 다가 카르복시산과 다가 알콜의 축합에 의해서 얻어지는 양말단부에 수산기를 가지는 폴리에스테르올리고머의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함으로써, 혹은, 다가 카르복시산에 알킬렌옥시드를 부가해서 얻어지는 올리고머의 말단부의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 에폭시아크릴레이트계 올리고머는, 예를 들면, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시수지나 노볼락형 에폭시수지의 옥시란 고리에, (메타)아크릴산을 반응하여 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 또, 이 에폭시아크릴레이트계 올리고머를 부분적으로 2염기성 카르복시산 무수물로 변성한 카르복실 변성형의 에폭시아크릴레이트 올리고머도 이용할 수 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 예를 들면, 폴리에테르폴리올이나 폴리에스테르폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해서 얻어지는 폴리우레탄 올리고머를, (메타)아크릴산으로 에스테르화함으로써 얻을 수 있고, 폴리올아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에테르폴리올의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함으로써 얻을 수 있다.
상기 중합성 올리고머의 중량평균분자량은, GPC법에 의해 측정된 표준 폴리메틸메타크릴레이트 환산의 값이고, 바람직하게는 500~100,000, 보다 바람직하게는 1,000~70,000, 한층 더 바람직하게는 3,000~40,000의 범위에서 선정된다.
이 중합성 올리고머는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
한편, 에너지선 경화형 중합성 모노머로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 라우릴, (메타)아크릴산 스테아릴, (메타)아크릴산 이소보닐 등의 단관능성 아크릴산 에스테르류, 디(메타)아크릴산 1,4-부탄디올에스테르, 디(메타)아크릴산 1,6-헥산디올에스테르, 디(메타)아크릴산네오펜틸글리콜에스테르, 디(메타)아크릴산 폴리에틸렌글리콜에스테르, 디(메타)아크릴산 네오펜틸글리콜아디페이트에스테르, 디(메타)아크릴산 히드록시피바린산 네오펜틸글리콜에스테르, 디(메타)아크릴산 디시클로펜타닐, 디(메타)아크릴산 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐, 디(메타)아크릴산 에틸렌옥시드 변성 인산 에스테르, 디(메타)아크릴산 아릴화 시클로헥실, 디(메타)아크릴산 이소시아누레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메타)아크릴레이트, 트리(메타)아크릴산 트리메틸올프로판에스테르, 트리(메타)아크릴산 디펜타에리스리톨에스테르, 트리(메타)아크릴산 프로피온산 변성 디펜타에리스리톨에스테르, 트리(메타)아크릴산 펜타에리스리톨에스테르, 트리(메타)아크릴산 프로필렌옥시드 변성 트리메틸올프로판에스테르, 이소시아눌산 트리스(아크릴록시에틸), 펜타(메타)아크릴산 프로피온산 변성 디펜타에리스리톨에스테르, 헥사(메타)아크릴산 디펜타에리스리톨에스테르, 헥사(메타) 아크릴산 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨에스테르 등을 들 수 있다. 이들의 중합성 모노머는 1종 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
이들의 중합성 올리고머나 중합성 모노머의 사용량은, 에너지선의 인가에 의해, 경화 후의 고분자 재료가 상술한 성상(性狀)을 가지도록 선정되지만, 통상 (메타)아크릴산 에스테르공중합체의 고형분 100중량부에 대해서, 3~300중량부 배합할 수 있다.
또, 에너지선으로서, 통상 자외선 또는 전자선이 조사되지만, 자외선을 조사할 때에는, 광중합개시제를 이용할 수 있다. 이 광중합개시제로서는, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세트페논, 디메틸아미노아세트페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세트페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세트페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-터샤리-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, 아세트페논디메틸케탈, p-디메틸아민벤조산 에스테르, 올리고(2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로판온) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
배합량은, 상술한 에너지선 경화형 고분자 재료의 고형분 100중량부에 대해 서, 통상 0.1~10중량부이다.
다음에, 상기 (2)의 고분자 재료에 있어서, 곁사슬에 라디칼 중합성 불포화기를 가지는 에너지선 경화형 작용기가 도입되어서 이루어지는 점착성 아크릴계 중합체로서는, 예를 들면 상술한 (1)의 고분자 재료에 있어서 설명한 점착성 아크릴계 중합체의 폴리머 사슬에 -COOH, -NCO, 에폭시기, -OH, -NH2 등의 활성점을 도입하고, 이 활성점과 라디칼 중합성 불포화기를 가지는 화합물을 반응시켜서, 상기 점착성 아크릴계 중합체의 곁사슬에 라디칼 중합성 불포화기를 가지는 에너지선 경화형 작용기를 도입해서 이루어지는 것을 들 수 있다.
점착성 아크릴계 중합체에 상기 활성점을 도입하기 위해서는, 상기 점착성 아크릴계 중합체를 제조할 때에, -COOH, -NCO, 에폭시기, -OH, -NH2 등의 작용기와, 라디칼 중합성 불포화기를 가지는 단량체 또는 올리고머를 반응계에 공존시키면 된다.
구체적으로는, 상술한 (1)의 고분자 재료에 있어서 설명한 점착성 아크릴계 중합체를 제조할 때에, -COOH기를 도입하는 경우에는 (메타)아크릴산 등을, -NCO기를 도입하는 경우에는, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 등을, 에폭시기를 도입하는 경우에는, (메타)아크릴산 글리시딜 등을, -OH기를 도입하는 경우에는, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, 모노(메타)아크릴산 1,6-헥산디올에스테르 등을, -NH2기를 도입하는 경우에는, N-메틸(메타)아크릴아미드 등을 이용하면 된다.
이들의 활성점과 반응시키는 라디칼 중합성 불포화기를 가지는 화합물로서 는, 예를 들면 2-(메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴산 글리시딜, 모노(메타)아크릴산 펜타에리스리톨에스테르, 모노(메타)아크릴산 디펜타에리스리톨에스테르, 모노(메타)아크릴산 트리메틸올프로판에스테르 등 중에서, 활성점의 종류에 따라서, 적절히 선택해서 이용할 수 있다.
이와 같이 해서, 점착성 아크릴계 중합체의 곁사슬에, 상기 활성점을 개재해서 라디칼 중합성 불포화기를 가지는 에너지선 경화형 작용기가 도입되어서 이루어지는 점착성 아크릴계 중합체, 즉 (메타)아크릴산 에스테르공중합체를 얻을 수 있다.
이 에너지선 경화형 작용기가 도입된 (메타)아크릴산 에스테르공중합체는, 중량평균분자량이 100,000 이상의 것이 바람직하고, 특히 300,000 이상의 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량평균분자량은, GPC법에 의해 측정된 폴리스티렌 환산의 값이다.
또, 소망에 따라 이용되는 광중합개시제로서는, 상술한 (1)의 고분자 재료의 설명에 있어서 예시된 광중합개시제를 이용할 수 있다.
상기의 (1) 및 (2)의 에너지선 경화형 고분자 재료에 있어서는, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위에서, 소망에 따라서, 가교제, 점착부여제, 산화방지제, 자외선흡수제, 광안정제, 연화제, 충전제 등을 첨가할 수 있다.
상기 가교제로서는, 예를 들면 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시수지, 멜라민수지, 요소수지, 디알데히드류, 메틸올폴리머, 아지리딘계 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속 알콕시드, 금속염 등을 들 수 있지만, 폴리이소시아네이트 화합 물이 바람직하게 이용된다. 이 가교제는, 상술한 (메타)아크릴산 에스테르공중합체의 고형분 100중량부에 대해서, 0~30중량부 배합할 수 있다.
여기서, 폴리이소시아네이트 화합물의 예로서는, 트리렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 등, 및 그들의 비울렛트체, 이소시아누레이트체, 나아가서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자기름 등의 저분자활성 수소함유 화합물과의 반응물인 아닥트체 등을 들 수 있다. 이들의 가교제는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 이용해도 된다.
또한, 상기의 (1) 및 (2)의 에너지선 경화형 고분자 재료는, 탄성률을 제어하기 위해서, (1)의 에너지선 경화형 고분자 재료에 대하여 (2)의 곁사슬에 라디칼 중합성 불포화기의 에너지선 경화성기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르공중합체를 부가할 수 있다. 마찬가지로 (2)의 에너지선 경화형 고분자 재료에 대하여 (1)의 점착성 아크릴계 중합체, 또는 에너지선 경화형 중합성 올리고머나 에너지선 경화형 중합성 모노머를 부가할 수 있다.
본 발명의 회로기판용 시트에 있어서는, 회로 칩을 박아넣는 쪽과는 반대쪽으로 지지체가 배치되어 있어도 된다.
상기 지지체에 대해서는 특별한 제한은 없고, 통상 디스플레이용 지지체로서 사용되고 있는 투명지지체 중에서, 임의의 것을 적절히 선택해서 이용할 수 있다. 이와 같은 지지체로서는 유리판, 혹은 판형상 또는 필름형상의 플라스틱 지지체 등을 들 수 있다. 유리판으로서는, 예를 들면 소다라임유리, 바륨ㆍ스트론튬함유 유리, 알루미노규산 유리, 납 유리, 봉규산 유리, 바륨봉규산 유리, 석영 등으로 이루어지는 지지체를 이용할 수 있다. 한편 판형상 또는 필름형상의 플라스틱 지지체로서는, 예를 들면 폴리카보네이트수지, 아크릴수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트수지, 폴리에테르술파이드수지, 폴리술폰수지, 폴리시클로올레핀수지 등으로 이루어지는 지지체를 이용할 수 있다. 이들의 지지체의 두께는, 용도에 따라서 적절히 선정되지만, 통상 20㎛~5㎜정도, 바람직하게는 50㎛~2㎜이다.
본 발명의 회로기판용 시트를 제조하는 방법에 특별한 제한은 없고, 예를 들면 상기 지지체 위에, 상기의 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 적당한 농도의 도공액을, 공지된 방법, 예를 들면 나이프 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등에 의해, 건조 도포막의 두께가 소정의 두께가 되도록 직접 도포, 건조해서 미경화층을 형성시키는 방법을 이용할 수 있다.
또, 박리시트의 박리제층 위에, 상기의 도공액을 상기의 방법으로 도포, 건조해서 미경화층을 형성하고, 이것을 지지체에 전사하는 방법, 혹은, 상기 도공액과 박리시트를 이용하여, 양면에 박리시트가 배치된 미경화시트를 제작할 수 있다. 이 경우, 양면에 배치되는 박리시트의 박리력을 다르게 함으로써, 박리하는 순서를 설정할 수 있다. 또한 복수의 미경화층을 적층해서 소망하는 두께로 해도 된다.
본 발명의 회로기판용 시트에 있어서는, 미경화층 위에, 소망에 따라서 박리시트를 펴붙이게 해 두고, 사용 시에 상기 박리시트를 벗겨도 된다. 또한, 양면에 박리시트가 배치된 회로기판용 시트에 있어서는, 잔존하는 박리시트를 지지체로서 이용할 수 있다.
상기 미경화층의 두께는, 그 사용의 조건에도 의하지만, 통상 50~1000㎛정도, 바람직하게는 80~500㎛이다.
또, 상기 박리시트로서는, 특별한 제한은 없지만, 폴리에틸렌필름이나 폴리프로필렌필름 등의 폴리올레핀필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르필름에 실리콘수지 등의 박리제를 도포해서 박리제층을 형성한 것 등을 들 수 있다. 이 박리시트의 두께는, 통상 20~150㎛정도이다.
본 발명의 디스플레이용 회로기판 시트는, 상기와 같이 해서 얻어진 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킴으로써, 제작할 수 있다.
구체적인 방법에 대해서 설명하면, 유리판 위 등에 뒤덮여 파묻힌 회로 칩을 놓고, 그 위에 회로기판용 시트를 미경화층이 상기 회로 칩에 접촉되도록 얹어 놓고, 0.05~2.0MPa 정도의 하중 하에 상기 칩을, 바람직하게는 0~150℃, 보다 바람직하게는 5~10O℃의 온도에서 박아넣고, 에너지선을 조사해서 상기 미경화층을 경화시킨 후, 상기 유리판으로부터 박리함으로써, 본 발명의 디스플레이용 회로기판 시트를 얻을 수 있다. 또한, 가열해서 회로 칩을 박아넣은 경우에는, 에너지선의 조사는, 미경화층이 가열된 상태에서 실행해도 되고, 실온에 냉각되고 나서 실행해도 된다.
에너지선으로서는, 통상 자외선 또는 전자선이 이용된다. 자외선은, 고압 수은 램프, 퓨전 H램프, 크세논 램프 등에 의해 얻을 수 있고, 한편, 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 얻을 수 있다. 이 에너지선 중에서는, 특히 자외선이 매우 적합하다. 이 에너지선의 조사량으로서는, 경화된 경화층의 저장탄성률이 상술한 범위가 되도록, 적절히 선택되지만, 예를 들면 자외선의 경우에는, 광량으로 1OO~5OOmJ/㎠가 바람직하고, 전자선의 경우에는, 1O~1OOOkrad 정도가 바람직하다.
도 1은, 본 발명의 회로기판용 시트를 이용해서, 회로 칩을 박아넣는 방법의 일례를 예시한 공정설명도이다.
우선, 지지체(1) 위에, 미경화 상태의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 본 발명의 회로기판용 시트(2)를 준비하는 동시에, 유리판(4) 위에 회로 칩(3)을 놓는다[(a)]. 다음에, 회로기판용 시트(2)를, 회로 칩(3)에 접촉하도록 얹어 놓고, 하중 하에 상기 칩을 박아넣고, 에너지선을 조사해서 경화시킨다[(b)]. 이 조작에 의해, 미경화 상태의 회로기판용 시트(2)는 경화층이 되며, 그 속에 회로 칩(3)이 박혀서, 고정되는 동시에, 본 발명의 디스플레이용 회로기판 시트(5)가, 유리판(4)으로부터 용이하게 박리된다[(C)].
이와 같은 본 발명의 기술은, 고분자 필름을 가열해서 회로 칩을 박아넣는 것이 아니라, 에너지선 경화형 고분자 재료를 이용해서, 회로 칩을 박아넣고, 그 이후 경화함으로써, 회로 칩을 고정화하기 때문에, 고분자 필름을 이용하는 경우의 문제도 거의 발생하지 않고, 조작시간도 단축할 수 있어서, 효율적이다. 또, 박아넣기성도 우수하다.
[실시예]
다음에, 본 발명을 실시예에 의해, 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들의 예에 의해서 하등 한정되는 것은 아니다.
각 예에서 얻어진 에너지선 경화형 고분자 재료의 모든 특성은, 이하에 표기한 방법에 의해 구하였다.
(1) 미경화층의 저장탄성률
박리시트의 박리면에, 실시예에서 제작된 도공액을 도포하고, 90℃에서 1분간 건조시켜, 두께 50㎛의 미경화층을 형성하고, 이것을 적층시켜서, 두께 3㎜, 직경 7.9㎜의 샘플을 제작하였다. 이 미경화층의 저장탄성률을, 점탄성(粘彈性)측정장치[Rheometrics사 제품, 장치명 「DYNAMIC ANALYZER RDAⅡ」]를 이용해서, 1Hz로 5℃, 25℃, 90℃ 또는 140℃에 있어서의 값을 측정한다.
(2) 경화층의 저장탄성률
박리시트의 박리면에, 실시예에서 제작된 도공액을 도포하고, 90℃에서 1분간 건조시켜, 두께 47㎛의 미경화층을 형성하고, 이것을 적층시켜서, 두께 188㎛의 미경화층으로 하고, 이 미경화층에 조도 31OmW/㎠, 광량 3OOmJ/㎠의 조건으로 메탈핼라이드램프를 광원으로 하는 자외선을 조사해서 경화시킨 후, 세로 30㎜, 가로 2㎜의 샘플로 커트하고, 경화시킨 후의 저장탄성률을 점탄성측정장치[오리엔텍사 제품, 장치명 「레오바이브론(RHEOVIBRON) DDV-Ⅱ-EP」]를 이용해서, 3.5Hz로 25℃에 있어서의 값을 측정한다.
(3) 미경화층의 투과율
양면에 박리필름이 형성된 두께 188㎛의 미경화층을 가지는 시트의 한 쪽 측면의 박리필름을 박리하고, 노출된 미경화층을 소다라임유리[닛폰 시트 가라스(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.)(주) 제품, 소다라임유리 두께 1.1㎜]에 맞붙이고, 나머지의 박리필름을 벗긴 상태(측정샘플)에서, 온도 25℃의 미경화 시트의 투과율을 분광광도계[(주)시마즈 제작소 제품, UV-VIS-NIR 스캐닝 분광계 UV-3101P]를 이용하여, 측정파장 400~800㎚로 측정하고, 측정된 투과율의 최소치를 투과율로 한다.
(4) 경화층의 투과율
상기 (3)의 미경화층 측정샘플에 조도 31OmW/㎠, 광량 30OmJ/㎠의 조건으로 메탈핼라이드램프를 광원으로 하는 자외선을 조사해서 경화시킨 후, 온도 25℃의 경화 시트의 투과율을 분광광도계[(주)시마즈 제작소 제품, UV-VIS-NIR 스캐닝 분광계 UV-3101P]를 이용하여, 측정 파장 400~800㎚로 측정하고, 측정된 투과율의 최소치를 투과율로 한다.
(5) 박아넣기성
소다라임유리판 위에, 실리콘 칩(세로 500㎛×가로 500㎛×두께 50㎛)을 놓고, 실시예 1~5에서 얻어진 회로기판용 시트를, 그 경박리형 박리시트를 벗겨서 0.2MPa의 압력으로 맞붙인다. 그때, 유리판을 놓는 받침대는 온도를 제어할 수 있는 플레이트에 놓여져서, 5℃, 25℃, 90℃ 또는 140℃로 유지되고 있다. 그 후, 압력은 5분간 유지된 후, 상온 상압으로 되돌리고, 조도 31OmW/㎠, 광량 30OmJ/㎠의 조건으로, 메탈핼라이드램프를 광원으로 하는 자외광을 조사해서 경화시키고, 디스플레이용 회로기판 시트를 얻을 수 있다. 그 후, 얻어진 유리판으로부터 디스플레이용 회로기판 시트를 박리하여, 도 2와 같이 실리콘 칩의 박아넣기 상태를 공초점 현미경(Confocal Microscope)[레이저테크사 제품, 상품명 「HD100D」]에 의해 관찰하고, 하기의 판정기준에 따라서, 돌출된 양(h)을 측정하여 박아넣기성을 평가한다.
○: 경화수지 시트면으로부터의 칩의 돌출된 양이 1O㎛미만
×: 경화수지 시트면으로부터의 칩의 돌출된 양이 1O㎛이상
또한, 도 2는, 칩의 박아넣기 상태를 나타낸 설명도이며, 도면에서 (h)는 돌출된 양을 나타낸다.
실시예 1
아크릴산 부틸 80중량부와 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용매(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액(고형분 농도 35중량%)에, 공중합체 중의 아크릴산 100당량에 대하여 30당량이 되도록 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 첨가하고, 질소 분위기 하, 40℃에서 48시간 반응시켜서, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 중량평균분자량이 85만의 에너지선 경화형 공중합체를 얻었다. 얻어진 에너지선 경화형 공중합체 용액의 고형분 100중량부에 대해서, 광중합개시제인 올리고{2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로판온}[lamberti spa사 제품, 「ESACURE KIP 150」] 4.0중량부와, 에너지선 경화형의 다관능모노머 및 올리고머로 이루어지는 조성물[다이니치세이카 코교 회사 제품, 세이카 빔 「14-29B(NPI)」] 100중량부와, 폴리이소시아네이트 화합물로 이루어지는 가교제[토요잉크 제조사 제품, 「올리바인(Oribain) BHS-8515」] 1.2중량부를 용해시켜서, 고형분 농도를 40중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조제하였다.
조제된 도공액을 나이프 코터에 의해서 중박리형 박리시트[린텍사 제품, 상품명 「SP-PET3811」]의 박리처리면에 도포하고, 90℃에서 1분간 가열 건조시켜서, 두께 47㎛의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 형성하였다. 마찬가지로 해서 폴리에틸렌테레프탈레이트필름의 한 쪽 면에 실리콘계 박리제층이 형성된 경박리형 박리시트[린텍사 제품, 상품명 「SP-PET3801」]의 박리처리면에, 두께 47㎛의 미경화층을 가지는 시트를 3매 제작하였다. 이들 시트의 미경화층을, 상기 중박리형 박리시트 위의 미경화층 위에 적층하고, 경박리형 박리시트를 박리하는 공정을 반복하여, 최종적으로, 한 쪽 면에 중박리형 박리시트, 반대면에 경박리형 박리시트를 구비한 두께 188㎛의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가지는 회로기판용 시트를 얻었다.
이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
실시예 2
아크릴산 부틸 80중량부와 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용매(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액 A(고형분 농도 35중량%)와, 아크릴산 부틸 80중량부와 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용매(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액 B(고형분 농도 35중량%)를 제작하였다. 아크릴산 에스테르공중합체 용액 B의 공중합체 내의 아크릴산 100당량에 대하여 30당량이 되도록 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 첨가하고, 질소 분위기 하, 40℃에서 48시간 반응시켜서, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 중량평균분자량이 85만의 에너지선 경화형 공중합체를 제작하였다. 아크릴산 에스테르공중합체 용액 A와, 상기 에너지선 경화형 공중합체를 중량비(고형분) 10:90으로 혼합하였다. 얻어진 혼합용액의 고형분 100중량부에 대해서 광중합개시제인 1-히드록시시클로헥실페닐케톤[시바ㆍ스페셜티ㆍ케미칼스사 제품, 「이르가큐어(IRGACURE) 184」] 3.0중량부를 용해시켜서, 고형분 농도를 33중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조제하였다.
상기 도공액을 이용해서, 실시예 1과 동일하게 해서 회로기판용 시트를 제작하였다.
이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
실시예 3
아크릴산 부틸 80중량부와 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용매(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액(고형분 농도 35중량%)에, 공중합체 중의 아크릴산 100당량에 대하여 30당량이 되도록 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 첨가하고, 질소 분위기 하, 40℃에서 48시간 반응시켜서, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 중량평균분자량이 85만의 에너지선 경화형 공중합체를 얻었다. 얻어진 에너지선 경화형 공중합체 용액의 고형분 100중량부에 대해서, 광중합개시제인 1-히드록시시클로헥실페닐케톤[시바ㆍ스페셜티ㆍ케미칼스사 제품, 「이르가큐어 184」] 3.8중량부를 용해시켜서, 고형분 농도를 33중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조제하였다.
상기 도공액을 이용해서, 실시예 1과 동일하게 해서 회로기판용 시트를 제작하였다.
이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
실시예 4
아크릴산 2-에틸헥실 80중량부와 아크릴산 2-히드록시에틸 20중량부를 아세트산 에틸 용매 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액(고형분 농도 40중량%)에, 공중합체 중의 아크릴산 2-히드록시에틸 100당량에 대하여 78.5당량이 되도록 2―메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 첨가하여, 촉매로서 디부틸주석디라우레이트 0.025중량부를 부가하고, 질소 분위기 하, 40℃에서 48시간 반응시켜서, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 중량평균분자량이 80만의 에너지선 경화형 공중합체를 얻었다.
얻어진 에너지선 경화형 공중합체 용액의 고형분 100중량부에 대해서, 광중합개시제인 1-히드록시시클로헥실페닐케톤[시바ㆍ스페셜티ㆍ케미칼스사 제품, 「이르가큐어 184」] 3.8중량부를 용해시켜서, 고형분 농도를 33중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조제하였다.
상기 도공액을 이용해서, 실시예 1과 동일하게 해서 회로기판용 시트를 제작하였다.
이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
실시예 5
아크릴산 부틸 80중량부와 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용액(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액(고형분 농도 35중량%)의 고형분 100중량부에 대하여, 에너지선 경화형의 다관능모노머 및 올리고머로 이루어지는 조성물[다이니치세이카 코교 회사 제품, 세이카 빔 「14-29B(NPI)」] 50중량부와 광중합개시제로서 [lamberti spa사 제품, 「ESACURE KIP 150」] 5중량부와 폴리이소시아네이트 화합물로 이루어지는 가교제[토요잉크 제조사 제품, 「올리바인 BHS-8515」] 1.2중량부를 용해시켜서, 고형분 농도를 40중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조정하였다. 조정된 도공액을 이용해서, 실시예 1과 동일하게 해서 회로기판용 시트를 제작하였다. 이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
실시예 6
아크릴산 부틸 80중량부와 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용매(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 중량평균분자량 85만의 아크릴산 에스테르공중합체 용액(고형분 농도 35중량%)의 고형분 100중량부에 대하여, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트[쿄에이샤 화학제품, 「라이트 아크릴레이트 DCP-A」] 120중량부와 광중합개시제인 1-히드록시시클로헥실페닐케톤[시바ㆍ스페셜티ㆍ케미칼스사 제품, 「이르가큐어 184」] 6.6중량부와 폴리이소시아네이트 화합물로 이루어지는 가교제[토요잉크 제조사 제품, 「BHS-8515」] 1.5중량부를 용해시켜서, 마지막에 메틸에틸케톤을 첨가해서 고형분 농도를 45중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조제하였다. 상기 도공액을 이용해서, 실시예 1과 동일하게 해서 회로기판용 시트를 제작하였다. 이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
실시예 7
아크릴산 부틸 60중량부와 메타크릴산 메틸 20중량부, 아크릴산 20중량부를 아세트산 에틸/메틸에틸케톤 혼합용매(중량비 50:50) 속에서 반응시켜서 얻은 아크릴산 에스테르공중합체 용액(고형분 농도 35중량%)에, 공중합체 중의 아크릴산 100당량에 대하여, 30당량이 되도록 2-메타크릴로일옥시이소시아네이트를 첨가하고, 질소 분위기 하, 40℃에서 48시간 반응시켜서, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 중량평균분자량이 75만의 에너지선 경화형 공중합체를 얻었다. 얻어진 에너지선 경화형 공중합체 용액의 고형분 100중량부에 대해서, 광중합개시제인 1-히드록시시클로헥실페닐케톤[시바ㆍ스페셜티ㆍ케미칼스사 제품, 「이르가큐어 184」] 3.8중량부를 용해시켜서, 마지막에 메틸에틸케톤을 첨가해서 고형분 농도를 33중량%로 조정하고, 에너지선 경화형 고분자 재료를 함유하는 도공액을 조제하였다. 상기 도공액을 이용해서, 실시예와 동일하게 해서 회로기판용 시트를 제작하였다. 이 회로기판용 시트의 모든 특성을 표 1에 표기한다.
Figure 112010053197673-pat00004
본 발명의 디스플레이용의 회로기판용 시트는, 기판 위에 회로 칩을 박아넣기 위해서 형성된 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가지는 것으로서, 디스플레이용, 특히 평면 디스플레이용의 각 화소를 제어하기 위해서 회로 칩이 박힌 회로기판 시트를, 품질 좋게, 높은 생산성 하에서 효율적으로 제작할 수 있다.
본 발명에 의하면, 디스플레이용, 특히 평면 디스플레이용의 각 화소를 제어하기 위해서 회로 칩이 박힌 회로기판 시트를, 품질 좋게, 높은 생산성 하에서 효율적으로 제작하기 위한 디스플레이용의 회로기판용 시트, 및 그것을 이용해서 얻어진, 회로 칩이 박혀서 이루어지는 디스플레이용 회로기판 시트를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가진 디스플레이용의 회로기판용 시트로서, 상기 미(未)경화층의 회로 칩 박아넣기 온도 0~150℃에 있어서의 저장탄성률이 1O3Pa 이상 107Pa 미만이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 107~1012Pa인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  2. 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가진 디스플레이용의 회로기판용 시트로서, 상기 미경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 1O3∼106Pa이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 107~1012Pa인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층 및 그것을 경화시킨 경우의 경화층이, 모두 파장 400~800㎚의 투과율 80% 이상인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    에너지선 경화형 고분자 재료가, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  5. 제3항에 있어서,
    에너지선 경화형 고분자 재료가, 곁사슬에 에너지선 경화성기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  6. 제4항에 있어서,
    에너지선 경화성기가, 라디칼 중합성 불포화기이며, 또한 (메타)아크릴산 에스테르공중합체의 중량평균분자량이 100,000 이상인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  7. 제5항에 있어서,
    에너지선 경화성기가, 라디칼 중합성 불포화기이며, 또한 (메타)아크릴산 에스테르공중합체의 중량평균분자량이 100,000 이상인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    에너지선 경화형 고분자 재료가, 광중합개시제를 함유하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  9. 제1항 또는 제2항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  10. 제3항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  11. 제4항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  12. 제5항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  13. 제6항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  14. 제7항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  15. 제8항에 기재된 회로기판용 시트에 있어서의 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  16. 에너지선 경화형 고분자재료로 이루어지는 미경화층에 회로 칩을 0~150℃의 회로 칩 박아넣기 온도에서 박아넣고, 상기 미경화층에 에너지선을 조사해서 경화시킨 회로 칩이 박아 넣어진 경화수지층으로 이루어지는 디스플레이용 회로기판용시트의 제조방법으로서, 상기 회로 칩 박아넣기 온도에 있어서의 저장탄성률이 1O3Pa 이상 107Pa 미만인 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가지는 디스플레이용 회로기판용 시트에 회로 칩을 박아넣고, 상기 미경화층을 에너지선의 조사에 의해 경화시켜서, 25℃에 있어서의 저장탄성률이 107~1012Pa인 경화층으로 하고, 회로 칩을 상기 경화층에 의해 고정화하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 회로기판용 시트의 제조방법.
  17. 제16항에 기재된 제조방법에 의해 제조되는 디스플레이용 회로기판용 시트.
  18. 제16항에 기재된 제조방법에 사용하는 회로 칩을 박아넣기 위한 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층을 가지는 디스플레이용 회로기판용 시트로서, 상기 미경화층에, 회로 칩을 박아넣고, 이것에 에너지선을 조사해서 경화시킬 때, 상기 에너지선 경화형 고분자 재료로 이루어지는 미경화층의 상기 회로 칩 박아넣기 온도에 있어서의 저장탄성률이 103Pa 이상 107Pa 미만이며, 상기 미경화층을 경화시킨 경우의 경화층의 25℃에 있어서의 저장탄성률이 107~1012Pa인 디스플레이용 회로기판용 시트.
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