KR101210946B1 - 용액공정에 적합한 유기 반도체 조성물과 이를 이용하여 제조된 유기 박막 트랜지스터 - Google Patents

용액공정에 적합한 유기 반도체 조성물과 이를 이용하여 제조된 유기 박막 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광경화된 유기 박막을 게이트 절연막으로 사용하고 유기 반도체 재료와 바인더가 혼합된 조성물을 채널 재료로 이용하여 제조된 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 용액 가공이 가능한 저분자 유기 반도체 재료를 이용하여 유기 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 특히 본 발명의 조성물은 바인더의 함량을 조절하여 용액 점도 조절이 용이하므로 스핀코팅, 잉크젯, 스크린 및 롤투롤 공정으로 제조하는 유기 박막 트랜지스터에 대응이 가능하다.

Description

용액공정에 적합한 유기 반도체 조성물과 이를 이용하여 제조된 유기 박막 트랜지스터 {Organic semiconductor composition suitable for soluble process and organic thin film transistor prepared using the same}
본 발명은 용액 공정으로 제조되는 유기 박막 트랜지스터 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 용액 공정으로 제조되는 유기 박막 트랜지스터의 제조에 사용될 수 있는 유기 반도체 조성물과 이에 대응되어 게이트 절연 막으로 사용될 수 있는 광경화용 조성물을 이용하여 제조한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터는 기존의 높은 공정 비용과 에너지 소비를 요구하는 진공 공정을 인쇄 공정으로 대체할 수 있어 박막 트랜지스터의 제조 단가를 획기적으로 절감할 수 있는 장점을 가져서 최근 많이 연구되고 있다. 이러한 인쇄 공정에서 핵심적인 기술이 유기 반도체를 기판에 인쇄하는 기술이며 특히 유기 단분자 반도체 물질의 경우 일반적으로 용액공정이 가능하지만, 용매가 휘발되면서 반도체 재료의 결정화가 빠르게 일어나 균일한 박막 제조가 힘들며 이러한 이유로 한두개의 트랜지스터가 아니라 여러 개의 박막 트랜지스터 어레이를 제조해서 사용하는 소자에서는 트랜지스터 간의 특성의 신뢰도 확보가 매우 어렵기 때문에 양산에 적용하는데 문제가 있다. 박막의 미세 구조를 제어하기가 용이하지 않고 기판 표면의 특성에 많은 영향을 받는 문제점이 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 기판 표면을 자기조립 등의 방법으로 개질할 수 있으나[참고문헌 : Syn. Met ., 2005, 148, 75], 기판의 종류에 따라 항상 적용될 수 없다는 단점이 있다.
또한 기존에 알려진 용액 공정용 유기 반도체 조성물은 Cytop (Asahi Glass Co.)이라 부르는 불소기를 포함하는 고분자 박막을 게이트 절연막으로 사용할 시에만 유용한 전하 이동도를 보이기 때문에 다양한 문제점을 가지고 있다. 예를 들면 불소 고분자 박막 상에 코팅이 안되므로 유기 반도체를 하부에 코팅하고 상부에 게이트 절연막을 도포하고 게이트 전극을 제조하는 이른바 top gate 구조만이 가능하다고 알려져 있다. 또한 회로에 다양한 트랜지스터의 제조 및 설치 시에 절연막의 패터닝이 필요한 데, Cytop을 절연막으로 사용할 시에는 이에 대응하기가 매우 어렵다.
또한 국제공개특허 WO 03/030278 (Philips)와 국제공개특허 WO 02/45184 (Avecia)에 공지된 유기 반도체 조성물의 경우, 유기 반도체에 혼합되어지는 바인더의 양이 증가할수록 전하이동도가 급격히 감소하는 문제점이 있다.
본 발명에서는 티올계 화합물, 올레핀계 화합물, 광개시제 및 용매로 이루어진 광경화용 조성물을 이용하여 제조된 박막이 본 발명의 유기 반도체 조성물에 적절한 게이트 절연막으로 사용되어 질 수 있으며 이를 사용할 시에는 바인더의 양을 증가시켜도 전하이동도가 감소하지 않는다는 것을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
이는 매우 중요한 특징으로 첫째 게이트 절연막을 광경화법으로 제조하므로 저온 공정에 적합하며 또한 패터닝이 가능하므로 다양한 회로에 대응이 가능하다는 장점을 가진다. 둘째, 광경화된 박막 상에 유기 반도체 조성물을 용이하게 코팅 또는 인쇄할 수 있으므로 대면적 대응이 가능하며 bottom gate 구조에도 대응이 가능하다. 셋째, 일반적으로 유기 반도체 재료는 합성하기가 힘들므로 고가인데 이의 사용을 최소화할 수 있어 최종 제품의 가격 경쟁력을 확보할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 목적은 스핀 코팅 및 인쇄 공정 시 유기 반도체 재료 및 유기 용매와의 상용성이 우수할 뿐 아니라 공정에 적합한 점도로 조절할 수 있으며 박막 내에서 유기 반도체 소재의 결정 형성을 방해하지 않아 원래의 전하 이동도의 감소를 최소로 할 수 있는 유기 반도체 조성물과 광경화로 제조되는 유기 절연 박막을 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다.
<유기 박막 트랜지스터의 제조를 위한 유기 절연막의 제조>
본 발명의 유기 절연 박막 제조를 위한 광중합 조성물은 화학식 1의 다가의 티올계 화합물, 화학식 2의 다가의 아릴기를 가지는 화합물, 광개시제 및 유기 용매를 포함하여 구성된다.
[화학식 1]
Figure 112010061264644-pat00001
상기 식에서 n은 3 또는 4이고, R1은 다음과 같은 구조의 경우 본 발명의 목적을 달성하는데 적합하다. *는 결합위치를 나타내는 라디칼기임을 표시한다.
Figure 112010061264644-pat00002
Figure 112010061264644-pat00003
Figure 112010061264644-pat00004
[화학식 2]
Figure 112010061264644-pat00005
상기 식에서 m은 2 혹은 3이고, X는 화학결합, 메틸렌, -O- 또는 -S-이고, R2는 하기의 작용기에서 선택된다. *는 결합위치를 나타내는 라디칼기임을 표시한다.
Figure 112010061264644-pat00006
Figure 112010061264644-pat00007
Figure 112010061264644-pat00008
Figure 112010061264644-pat00009
Figure 112010061264644-pat00010
Figure 112010061264644-pat00011
Figure 112010061264644-pat00012
본 발명의 광중합성 조성물의 알릴계 화합물과 티올계 화합물의 조성비는 유기절연막의 절연특성에 따라 필요에 의하여 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 바람직하게는 알릴계 화합물의 알릴기 몰수에 대하여 0.1 ~ 3몰의 티올기를 더욱 바람직하게는 알릴계 화합물의 알릴기 몰수에 대하여 1 당량의 티올기를 지니도록 티올계 화합물을 사용하는 것이 본 발명의 달성에 좋다. 본 발명의 광중합 조성물의 또 다른 성분인 광개시제의 예로는, 벤조페논, 2-에틸안트라퀴논, 페난트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2,3-디클로로나프토퀴논, 벤질 디메틸 케탈, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤조인 페닐 에테르, 메틸 벤조인, 1-히드록시사이클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, α,α-디에틸옥시아세토페논, α,α-디메틸옥시-α-히드록시아세토페논, 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-프로판-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노-프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온, 폴리{1-[4-(1-메틸비닐)페닐]-2-히드록시-2-메틸-프로판-1-온}, [4-(4-메틸페닐티오)-페닐]페닐메타논, 디-캠퍼퀴논, 퀴녹살린 유도체, 비씨날 폴리케탈도닐 유도체, 및 BF4, PF6, SbF6 및 SO3CF3 음이온을 함유하는 요오드 염 및 술포늄 염을 들 수 있으며 알릴계 화합물과 티올계 화합물의 합 중량의 0.01 내지 10% 사용할 수 있으며 바람직하게는 0.05 내지 2%의 양으로 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 알릴계 화합물과 티올계 화합물 및 광개시제를 포함하는 조성물은 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 클로로포름, 염화메틸렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 테트라클로로벤젠, 트리클로로에탄, 톨루엔, 자일렌, 씨클로헥사논, 테트라히드로퓨란, N-메틸피롤리돈, 메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아미드, 1,4-디옥산, 에틸알코올, 메틸알코올, 벤젠, 에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 아세토니트릴 등의 용매에 1 내지 99 중량%의 양으로 혼합하여 코팅 등의 방법으로 지지체에 도포하고 자외선 조사하여 절연 특성이 우수한 반도체 절연 박막을 제조 할 수 있다.
<유기 박막 트랜지스터의 제조를 위한 유기 반도체 박막의 제조>
유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체 박막의 제조를 위하여 본 발명에서는, 하기 화학식 3의 고분자 바인더를 포함하는 조성물을 제조하여 사용한다:
[화학식 3]
Figure 112010061264644-pat00013
상기 식에서,
R3 및 R4는 동일할 수 있으며 또한 각각 독립적으로 다를 수 있고; Ar1-A-Ar2를 나타내며; 여기서 Ar1과 Ar2는 동일할 수 있으며 또한 각각 독립적으로 다를 수 있고; 이때 임의적으로 치환된 방향족으로서 치환 또는 비치환된 단환방향족 또는 복환방향족이거나 공유 결합으로 연결된 치환 또는 비치환된 방향환들을 나타내며; A는 화학결합, CO, SO2, O, S, 치환 또는 비치환된 C1-C3 알킬기, 또는 R3(C)R4를 나타내며; 여기서 R3와 R4는 동일할 수 있으며 또한 각각 독립적으로 다를 수 있고; 화학결합, H, 할로겐, 바람직하게는 F, Cl, Br, 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기, 치환 또는 비치환된 지환족 C3-C7 탄화수소이다 (이때, k와 l은 1 내지 100,000의 정수이다).
본 발명에 따른 유기 반도체 조성물을 위한 상기 화학식 3의 화합물은 공지된 방법에 의해 합성하거나 상업적으로 구입할 수 있다.
본 발명에 따르면, 바인더용 고분자로서의 본 발명의 화학식 3의 화합물, 가용성 반도체 화합물 및 유기 용매를 필수 성분으로 포함하는 인쇄용 반도체 조성물이 제공된다.
본 발명에 따른 유기 반도체 조성물은 화학식 3의 화합물을 0.1 내지 99.9 중량%의 양으로 포함하며, 본 발명의 화학식 3의 화합물과 병행하여 통상적인 아센계 화합물 또는 아센계 전구체 화합물을 가용성 반도체 화합물로 선택하여 사용할 수 있다. 가용성 아센계 화합물의 예로는 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센, 2,3,9,10-테트라메틸-6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센, 5,11-비스(트리이소프로필실릴에티닐)안트라[2,3-b:6,7-b']디티오펜, 5,11-비스(트리이소프로필실릴에티닐)안트라[2,3-b:7,6-b']디티오펜, 6,14-비스(트리(t-부틸)실릴에티닐)펜타[2,3-b:9,10-b']디티오펜, 6,14-비스(트리(t-부틸)실릴에티닐)펜타[2,3-b:10,9-b']디티오펜, 6,13-비스(트리메틸실릴에티닐)펜타센, 5,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)테트라[2,3-b:8,9-b']디티오펜, 5,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)테트라[2,3-b:9,8-b']디티오펜, 6,13-비스(트리에틸실릴에티닐)펜타센, 6,13-비스(4'-펜틸페닐)에티닐 펜타센, 나프토[2,1,8-그라]나프타센-7,12-트리이소프로필실릴에티닐, 5,14-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센, 1,8-디플루오로-6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센, 1,11-디플루오로-6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센, 2,3,9,10-테트라플루오로-6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센을 들 수 있다. 가용성 아센계 전구체 화합물의 예로는 N-설피닐카바메이트-펜타센, N-설피닐카바메이트-안트라디티오펜, 6,13-디하이드로-6,13-에타노펜타센-15,16-디온, 6,13-디하이드로-6,13-메타노펜타센-15-디온을 들 수 있으며, 0.1 내지 99.9 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 인쇄용 조성물의 제조를 위해 0.1 내지 99.9 중량%의 양으로 용매를 혼합하여 사용할 수 있는데 사용할 수 있는 용매로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 모노메틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸카비톨, 클로로포름, 염화메틸렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 테트라클로로벤젠, 트리클로로에탄, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 씨클로헥사논, 테트라히드로퓨란, N-메틸피롤리돈, 메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아미드, 1,4-디옥산, 에틸알코올, 메틸알코올, 벤젠, 에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 아세토니트릴 등이 있다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 인쇄용 조성물을 지지체 (예: 실리콘 웨이퍼, 유리기판 , 플라스틱 기판 등)에 인쇄 기법을 이용하여 인쇄하거나 코팅한 후, 상온 내지 100 ℃의 온도에서 가공하여 반도체 고분자 박막 또는 반도체 고분자 성형체를 제조할 수 있다. 이때, 인쇄기법은 잉크젯 프린팅, 롤 프린팅, 그라비아 프린팅, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅 등의 방법이 이용 가능하며 코팅은 롤 (roll) 코팅, 스핀 (spin) 코팅, 바 (bar) 코팅, 스프레이 (spray) 코팅, 딥 (dip) 코팅 등의 방법을 사용할 수 있다.
일반적으로 인쇄에 적합한 잉크의 점도는 잉크젯 프린팅의 경우 3.75 ± 0.25 cP, 스크린 프린팅의 경우 1,500 - 2,000 cP, 그라비아 프린팅의 경우에는 15 ~ 25 s Zahn Cup No. 2 [참고문헌 : The Printing Ink Manual, Fifth edition, 1993]로 알려져 있으며 인쇄 공정을 통해 본 발명의 유기 반도체 박막을 제조하기 위하여 바인더 고분자의 분자량이나 유기 반도체 조성물의 바인더 고분자 함량을 조절하여 각각의 인쇄 공정에 적합한 점도를 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 광경화된 유기 박막을 게이트 절연막으로 사용하고 유기 반도체 재료와 바인더가 혼합된 조성물을 채널 재료로 이용하여 용액 공정을 통해 성능이 우수한 유기 박막 트랜지스터의 제조가 가능하다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 소자의 인쇄 공정용 바인더 고분자 조성물은 가용성 유기 반도체 재료 및 인쇄 공정에 필수적인 요소인 유기 용매와의 상용성이 우수할 뿐 아니라 인쇄 공정에 적합한 용액 점도를 가지며 유기 반도체 소재의 결정 배향을 증가시켜 전하이동도가 우수한 유기 박막 트랜지스터용 고분자 박막 및 성형체를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 신규 고분자 반도체 인쇄용 조성물을 통해 성능이 우수하고 신뢰도가 우수한 박막 트랜지스터 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 20에서 형성된, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 전류 전달 특성 그래프를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 하나의 구현 예에 따른 하 게이트 (bottom gate) 상 접촉 (top contact) 유기 박막 트랜지스터의 구조를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의거하여 좀 더 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
제조예 1: 절연 박막용 광중합 조성물 및 이를 이용한 절연 박막의 제조
2,4,6-트리알릴옥시-1,3,5-트리아진과 펜타에리트리올 테트라키스를 1.47 : 1의 중량비로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 혼합한 후, 광개시제 Irgacure 369 (시바가이기사)를 위의 혼합 용액에 0.5 중량%로 첨가하여 광중합 조성물을 제조하였다. 상기 조성물을 스핀코팅하여 얻은 박막을 50 mW 세기의 자외선으로 30초간 경화하여 절연 박막을 제조하였다.
< 실시예 1 내지 13: 본 발명의 고분자 화합물을 이용한 인쇄용 반도체 조성물의 제조>
1) 화합물 3a로 표기되어지는 고분자 화합물, 2) 가용성 유기반도체 및 3) 유기 용매를 하기 표 2에 나타낸 바와 같은 종류 및 양으로 혼합하고 상온에서 5 분 내지 24 시간 동안 교반시켜, 인쇄용 조성물을 제조하였다. 제조된 조성물 각각의 용매와의 상용성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112010061264644-pat00014
상기 표 1에서 알 수 있듯이 바인더용 고분자로서 본 발명의 고분자 화합물은 일반적으로 인쇄 공정에 많이 사용되어지는 유기 용매인 톨루엔이나 클로로벤젠 등에 우수한 용해성을 보이며 유기 반도체 물질과의 조성물 형성 또한 우수하다.
< 실시예 14 내지 21 및 비교예 1 내지 2: 인쇄용 반도체 조성물을 이용한 박막 트랜지스터 소자의 제작 및 특성 평가>
바인더용 고분자를 이용한 박막 트랜지스터 소자의 제작을 위해 통상적으로 사용되는 실리콘 기판위에 크롬 (5 nm) 및 금 (65 nm) 을 증착하여 게이트막을 형성한 후 20 분간 자외선/오존 처리하였다. 절연 박막의 형성을 위해 상기 제조예 1의 광중합 조성물을 게이트 막 위에 스핀 코팅한 후 50 mW 세기의 자외선으로 30 초간 경화한 후 실시예 1 내지 3의 반도체 인쇄용 조성물을 250 Hz의 헤드 주파수로 잉크젯-프린팅하고 80 ℃에서 1 시간 동안 후가열하여 절연막 위에 반도체막이 위치하는 하부 게이트 구조로 소자를 제작하였다. 최종적으로 반도체 막 위에 마스크를 통하여 금 전극을 증착하여 소스 및 드레인을 형성하여 박막 트랜지스터 소자를 완성하였다. 소자의 특성 평가를 위해 전류전달특성 곡선의 포화영역에서의 전하이동도 및 점별비를 구하여 표 2에 나타내었다.
비교예 1에서는 바인더용 고분자를 사용하지 않고 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센을 1 중량%로 사용하여 잉크젯-프린팅하였을 때, 프린터의 노즐에서 막힘 현상이 나타나 반도체 박막 형성이 원활하지 않고 소자의 특성이 나타나지 않음을 보인다. 이를 통해 본 발명에서 제조된 고분자 조성물이 유기 반도체 화합물의 인쇄 공정시 인쇄에 적절한 용액 점도를 부여함을 확인할 수 있다.
비교예 2에서는 바인더용 고분자로 기존에 알려진 폴리알파메틸스티렌을 0.5 중량%로 사용하고 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센을 0.5 중량%로 혼합하여 상기 실시예 14 내지 21과 같은 조건에서 유기 박막 트랜지스터를 제작하였을 때의 소자 특성을 나타내었다. 비교예 2에서의 결과와 같이 기존의 대표적 바인더용 고분자인 폴리알파메틸스티렌을 사용하였을 때, 본 발명에서의 반도체 박막과 절연막을 이용한 유기 박막 트랜지스터 소자에 비해 트랜지스터 특성이 매우 떨어짐을 확인할 수 있다.
Figure 112010061264644-pat00015
상기 표 2로부터 본 발명에서 제조된 바인더용 고분자를 이용한 반도체 인쇄용 조성물을 통해 잉크젯-프린팅으로 반도체 박막을 제작하고 광중합 조성물을 이용하여 유기 절연 박막을 제작하여 제조된 박막 트랜지스터 소자는 우수한 전하이동 특성 및 점멸비를 나타냄을 확인할 수 있다. 이는 본 발명에서 사용된 고분자의 구조가 기본적으로 비정성 카보네이트 유도체를 포함하여 고분자의 비정성을 증가시키기 때문에 미세 상분리를 통해 유기반도체 분자의 배향을 증가시켜 결과적으로 유기 반도체 분자들의 결정성을 향상시키기 때문이다. 또한 바인더용 고분자를 사용하지 않고 유기 반도체만을 잉크젯-프린팅하였을 때 유기 박막의 형성이 불가능하였으며 기존의 대표적 바인더용 고분자인 폴리알파메틸스티렌을 사용한 박막트랜지스터 소자에 비하여 본 발명의 바인더용 고분자 조성물을 이용하여 제작한 소자의 트랜지스터 특성이 우수함을 알 수 있다. 이를 통해 본 발명에서 제조된 바인더용 고분자 조성물을 박막 트랜지스터의 인쇄 공정에 이용시 유기반도체 물질의 특성 저하없이 안정된 박막 트랜지스터의 제조가 가능하다.
1: 기판 2: 게이트 전극
3: 광중합성 유기 절연막 4: 본 발명에 따른 유기 반도체 막
5: 소스 전극 6: 드레인 전극

Claims (6)

  1. 티올과 올레핀을 포함하는 조성물로부터 광경화 반응을 이용하여 제조된 유기 박막을 게이트 절연막으로 사용하고 1종 이상의 유기 반도체 화합물, 바인더 및 용매를 포함하는 유기 반도체 조성물을 채널 재료로 사용하며;
    상기 티올과 올레핀을 포함하는 조성물은 하기 화학식 1의 티올계 화합물과 하기 화학식 2의 올레핀계 화합물, 광개시제 및 용매를 포함하여 구성된 조성물인 것인 유기 박막트랜지스터.
    [화학식 1]
    Figure 112012049887328-pat00016

    [화학식 2]
    Figure 112012049887328-pat00017

    상기 식에서,
    R1은
    Figure 112012049887328-pat00018
    ,
    Figure 112012049887328-pat00019
    또는
    Figure 112012049887328-pat00020
    을 나타내고, 여기서 *는 결합 위치를 나타내며;
    R2는
    Figure 112012049887328-pat00021
    ,
    Figure 112012049887328-pat00022
    ,
    Figure 112012049887328-pat00023
    ,
    Figure 112012049887328-pat00024
    ,
    Figure 112012049887328-pat00025
    ,
    Figure 112012049887328-pat00026
    또는
    Figure 112012049887328-pat00027
    을 나타내고, 여기서 *는 결합 위치를 나타내며;
    X는 화학결합, 메틸렌, -O- 또는 -S-이고;
    n은 3 또는 4이며;
    m은 2 내지 4의 정수이다.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 유기 반도체 조성물에 사용되는 바인더는 하기 화학식 3으로 표시되는 고분자 화합물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터:
    [화학식 3]
    Figure 112010061264644-pat00028

    상기 식에서,
    R3 및 R4는 동일할 수 있으며 또한 각각 독립적으로 다를 수 있고, Ar1-A-Ar2를 나타내며, 여기서 Ar1과 Ar2는 동일할 수 있으며 또한 각각 독립적으로 다를 수 있고, 이때 임의적으로 치환된 방향족으로서 치환 또는 비치환된 단환방향족 또는 복환방향족이거나 공유 결합으로 연결된 치환 또는 비치환된 방향환들을 나타내며, A는 화학결합, CO, SO2, O, S, 치환 또는 비치환된 C1-C3 알킬기, 또는 R3(C)R4를 나타내며, 여기서 R3와 R4는 동일할 수 있으며 또한 각각 독립적으로 다를 수 있고, 화학결합, 수고, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C7 지환족 탄화수소이며;
    이때, k와 l은 1 내지 100,000의 정수이다.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 유기 반도체 조성물에서 유기 반도체 화합물과 바인더의 중량비가 1:1 내지 1:10 의 범위인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 유기 반도체 조성물에서 사용되는 용매가 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 모노메틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸카비톨, 클로로포름, 염화메틸렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 테트라클로로벤젠, 트리클로로에탄, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 씨클로헥사논, 테트라히드로퓨란, N-메틸피롤리돈, 메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아미드, 1,4-디옥산, 에틸알코올, 메틸알코올, 벤젠, 에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 아세토니트릴로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 유기 박막 트랜지스터를 제조할 시에 게이트 전극 위에 게이트 절연막용 조성물을 스핀코팅하고 마스크를 이용하여 광경화하여 패터닝한 후에 경화되지 않은 부분을 용매로 녹여내서 제거한 후에 유기 반도체 조성물을 잉크젯, 스크린 또는 롤투롤(roll-to-roll) 방식으로 인쇄하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
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