KR101201981B1 - 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법 - Google Patents
열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101201981B1 KR101201981B1 KR1020100048707A KR20100048707A KR101201981B1 KR 101201981 B1 KR101201981 B1 KR 101201981B1 KR 1020100048707 A KR1020100048707 A KR 1020100048707A KR 20100048707 A KR20100048707 A KR 20100048707A KR 101201981 B1 KR101201981 B1 KR 101201981B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive layer
- resin
- substrate
- mixture
- flip chip
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법은, 열에 의해 형태가 가역적으로 변하는 성질을 가지는 액체 상태의 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계, 상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계, 상기 접착층을 고상화시키는 단계 및 열과 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 플립 칩 접합에 사용되는 기판에 접착층을 인쇄하기 위한 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 열가역적 수지를 사용하여 상기 기판 상에 접착층을 미리 인쇄하는 방법에 관한 것이다.
인쇄회로기판(Printed Circuit Board: PCB, 이하 기판이라 칭한다)은, 현재 전자기기에 널리 사용되고 있으며, 회로칩을 기판에 접합하는 다양한 방법이 실행되고 있다.
회로칩을 기판에 접합시키기 위한 하나의 방법으로는, 상기 회로칩을 리드프레임(lead frame)상에 다이본딩(die bonding)하고, IC칩의 전극과 리드프레임을 와이어본딩(wire bonding)하여 수지 성형으로 패키지를 형성한 후 크림(cream) 땜납을 기판에 인쇄하고, 리플로우(reflow)하는 공정을 실시하는 SMT(Surface Mount Technology)가 사용되었다.
그러나, 이는 공정이 길고, 생산에 장시간을 필요로 하여, 기판을 소형화하는 것이 곤란하다는 문제점이 있었다.
이에, 공정의 단축과 소형 경량화를 위하여, 범프가 형성된 칩을 직접 기판에 탑재하는 방법을 사용하게 되었다.
이는 범프가 형성된 칩을 기판에 탑재하여 열융착 시키는 과정에서 상기 기판 상에 접착수지를 이용해 상기 칩에 열 및 압력을 가하며 상기 기판에 접합하는 방법이며, 이와 같은 접합 기술을 플립 칩(Flip Chip) 접합이라 부른다.
하지만, 종래의 플립 칩 접합방법은 다수의 공정으로 이루어져 있어, 공정이 복잡해지고 원가가 상승하는 등의 문제가 있었다. 특히, 기판 및 칩의 접합을 위해 접착수지를 기판 또는 칩에 도포하거나 부착시키는 방법이 사용되었으며, 이를 위한 별도의 공정이 요구되었다.
이에 따라, 상기 접착수지를 기판 상에 직접 인쇄하는 방법이 개발되어 사용되었다. 이는 미리 접착층이 형성된 기판을 생산할 수 있어, 접합과정에서 접착수지를 도포하거나 부착시키는 별도의 공정을 생략할 수 있어 생산성을 증가시키고, 제조 원가를 감소시킬 수 있게 되었다.
한편, 에폭시 등 일반적으로 기판에 인쇄되는 고상의 접착수지는 고온의 온도에서 용융되며, 이와 같은 고온의 작업 환경을 조성하는 것은 용이하지 않기 때문에, 접착수지를 기판 상에 인쇄하는 과정에서는, 솔벤트(Solvent)가 필수적으로 사용되었다. 솔벤트는 고상의 접착수지를 용해하여 액상화시키기 위한 것으로, 증발에 의해 제거되는 용매를 말하며, 대표적인 솔벤트로는 톨루엔, 메틸에틸케톤 등이 사용된다.
하지만, 솔벤트는 증발 과정에서 인체에 유해한 성분이 발생된다. 구체적으로, 솔벤트는 물에 뜨며 인화성을 가지는 동시에 자극적인 증기를 생성하므로, 작업자의 눈, 피부에 자극을 유발하거나, 흡입 시 현기증, 메스꺼움, 구토 등의 증상을 야기시키기도 하였다. 특히, 솔벤트 증기가 고농도일 경우에는, 의식을 잃거나 실신하기도 하는 등의 문제가 있었다.
또한, 솔벤트로 용해시킨 접착수지를 기판 상에 인쇄하고, 솔벤트를 증발시키는 과정에 있어, 솔벤트 입자가 증발된 위치가 빈 공간으로 남게 되는 문제가 있었다. 즉, 기판에 접착층을 인쇄 후 솔벤트를 증발시키면, 접착층에는 다수의 공극이 형성되어, 최종 제품의 품질을 떨어뜨리는 결과를 야기하였다.
이에 따라, 안전을 도모하고, 작업 품질을 개선하기 위해서 솔벤트 사용을 자제해야 할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열에 의해 형태가 변형되는 열가역적 접착수지를 사용하는 플립 칩 접합방법을 제공함에 있다.
그리고, 상기 열가역적 접착수지는 저융점을 가지는 플립 칩 접합방법을 제공함에 있다.
또한, 상기 열가역적 접착수지는 결정화되는 성질을 가지는 플립 칩 접합방법을 제공함에 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과정을 해결하기 위한 본 발명의 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법은, 열에 의해 형태가 가역적으로 변하는 성질을 가지는 액체 상태의 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계, 상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계, 상기 접착층을 고상화시키는 단계 및 열과 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계를 포함한다.
또한, 상기 수지는 시간이 지남에 따라 결정화되는 성질을 가지는 수지인 것으로 할 수 있다.
그리고, 상기 수지는 상온에서 결정화되는 성질을 가지는 수지인 것으로 할 수 있다.
또한, 상기 수지는 상온에서는 고형화되는 동시에, 100℃이하의 융점을 가지는 수지인 것으로 하며, 상기 액상의 혼합물을 얻는 단계 이전에는, 상기 수지를 승온시켜 액상화하는 단계가 더 포함될 수 있다.
그리고, 액상의 혼합물을 얻는 단계 및 상기 접착층을 형성하는 단계 사이에는, 상기 혼합물의 고상화가 진행된 경우, 상기 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계가 더 포함될 수 있다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기판에 접착층을 인쇄하는 과정에서 솔벤트가 사용되지 않음으로 인해, 작업자의 안전을 도모할 수 있으며, 솔벤트가 증발되는 과정이 없어 접착층에 공극이 발생되는 않는다는 장점이 있다.
둘째, 접착층에 사용되는 접착수지는 저융점을 가지거나 결정화되는 경향을 가지는 특성이 있으므로, 별도의 장치가 요구되지 않으며, 작업환경을 용이하게 조성할 수 있다는 장점이 있다.
셋째, 기판 상에 접착층이 미리 인쇄되므로, 접합 과정이 효과적으로 단축될 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법의 일련의 과정을 나타낸 흐름도; 및
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법의 일련의 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법의 일련의 과정을 나타낸 흐름도이다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에서는, 이방성 전도 접착제(ACA: Anisotropic Conductive Adhesive) 또는 비전도성 접착제(NCA: Non-Conductive Adhesive)를 직접 기판 상에 인쇄하고, 기판을 칩과 접합하는 과정을 거쳐 플립 칩 패키지를 얻을 수 있는 방법이 개시된다. 이와 같이 기판 상에 접착수지가 미리 인쇄되어 제공되는 경우에는, 기판 및 칩 사이에 접착제를 도포하여 적층하는 별도의 과정을 더 거칠 필요가 없기 때문에, 접합공정이 간편해져 생산성이 증가될 수 있다는 장점이 있다.
여기서, 기판 상에 접착수지를 인쇄하는 과정에서, 상기 접착수지는 일반적으로 액체 상태로 인쇄된다. 이는, 상기 접착수지가 고상화될 경우, 기판 상에 원하는 형태로 인쇄되기 어렵기 때문이다.
이때, 일반적으로 상기 접착수지는, 에폭시 수지를 사용하는 경우가 많으며, 특히 상온에서 고형화되는 성질을 가지는 에폭시 수지를 액상으로 변형시켜 인쇄시키는 방법이 사용되고 있다. 이와 같이 상온에서 고형화되는 에폭시 수지를 사용하는 이유는, 상온에서 액체 상태로 존재하는 에폭시 수지는 기판 및 칩을 접합할 경우 고형화되지 않아 접합 용도로 사용할 수 없기 때문이다.
이와 더불어, 일반적으로 상온에서 고형화되는 성질을 가지는 에폭시 수지는 수백℃에 달하는 고온의 용융점을 가지기 때문에, 고온을 발생시키기 위한 별도의 가열장치가 필요하다는 문제가 있다. 따라서, 작업성이 매우 떨어지기 때문에, 상온에서 고형화되는 에폭시 수지를 용해시키기 위해 솔벤트(Solvent)가 사용된다.
하지만, 솔벤트는 상기 배경기술 부분에서 기술한 바와 같이 인체에 유해하며, 증발 시 기공이 형성되는 등의 문제가 있었다.
따라서, 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 열에 의해 상태가 가역적으로 변화되는 열가역적 성질을 가지는 수지가 사용된다. 상기 열가역적인 성질이라 함은, 수지의 상태가 승온, 냉각 등의 요소에 의해 액상으로 가변되거나, 고상으로 가변되며, 더불어 각 상태로의 재가변이 자유로운 것을 말한다. 즉, 수지 자체가 승온에 의해 연화될 수 있는 성질을 갖는 것이다.
이에 따른 본 발명의 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법에 따른 일련의 과정은, 열에 의해 형태가 가역적으로 변하는 성질을 가지는 액체 상태의 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10), 상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계(S20), 상기 접착층을 고상화시키는 단계(S30) 및 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계(S40)를 포함한다.
그리고, 이와 같은 각 단계에서 사용되는 수지의 구체적인 실시예로서, 상온에서 액체 상태로 존재하며, 시간이 지남에 따라 상온에서 결정화되는 성질을 가지는 수지가 사용되거나, 상온에서 고형화되는 동시에, 100℃ 이하의 저융점을 가지는 수지가 사용될 수 있다.
이하에서는, 상기한 실시예들을 상기 각 단계를 통해 자세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법의 일련의 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예인 상온에서 액체 상태로 존재하며, 시간이 지남에 따라 상온에서 결정화되는 성질을 가지는 수지를 사용하는 플립 칩 접합방법의 흐름도가 도시된다.
먼저, 열에 의해 형태가 가역적으로 변하는 성질을 가지는 액체 상태의 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10)가 수행된다.
본 실시예에서, 상기 수지는 상온에서 액체 상태로 존재하는 에폭시 수지가 사용되며, 상기 에폭시 수지를 접착제로서 사용 가능하도록 경화제 및 촉매제 등을 더 혼합하여 액상의 혼합물을 얻게 된다. 본 실시예의 에폭시 수지에 대한 자세한 사항은 후술한다.
본 단계는 상온에서 진행되므로, 상기 혼합물 역시 상온에서 액체 상태이며, 따라서, 기판에 인쇄 가능한 접착성 혼합물을 얻을 수 있다.
다음으로, 상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계(S20)가 수행된다.
본 단계에서, 이후 플립 칩 접합을 수행하기 위한 접착층이 기판 상에 형성된다. 일반적인 플립 칩 접합 시 기판 상에 접착층이 페이스트 형태로 도포되는 것과 달리, 본 발명에서는 기판 상에 접착층이 필름 형태로 인쇄된다.
그리고, 이와 같은 인쇄 과정에서는 스크린 프린팅, 스텐실 프린팅, 그라비아, 플렉소 등 다양한 형태의 인쇄 방법이 사용될 수 있다. 각 인쇄 방법은 이미 주지, 관용된 기술이므로, 이에 관한 자세한 설명은 생략하도록 한다. 이와 같이, 본 과정을 거쳐 기판 상에 원하는 형태의 접착층을 형성할 수 있다.
한편, 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10) 및 상기 접착층을 형성하는 단계(S20) 사이에는, 상기 혼합물의 고상화가 진행된 경우, 상기 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계(S15)가 더 포함될 수 있다.
일반적으로, 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10) 및 상기 접착층을 형성하는 단계(S20) 사이에는 상기 혼합물의 이송 등 다양한 원인에 의해 시간 차가 발생할 여지가 있다.
즉, 본 실시예에서는 액상의 혼합물이 결정화되어 고상화될 가능성이 있으며, 이에 따라 상기 접착층을 형성하는 단계(S20)를 수행하기 전, 결정화가 진행된 상기 혼합물을 가열시켜 재액상화시킬 수 있는 것이다.
다음으로, 상기 접착층을 고상화시키는 단계(S30)가 수행된다.
이전의 단계에서, 상기 접착층은 상온에서 액체 상태로 존재하므로, 이를 경화시켜 고상화시킬 필요가 있으며, 이를 위해 본 실시예에서는 시간이 지남에 따라 결정화되는 성질을 가지는 에폭시 수지가 사용된다.
상기 결정화라 함은, 액체를 구성하는 많은 종류의 원소가 선택적으로 집합하여 결정 상태를 형성하는 것을 말한다. 즉, 본 실시예에 사용되는 에폭시 수지는 상온에서 액체 상태이나, 시간이 지남에 따라 결정을 형성하게 되고, 최종적으로 결정화가 진행된 경우 상기 접착층은 고상화될 수 있는 것이다.
이와 같이, 열가역적 에폭시 수지가 결정화되는 성질로 인해, 접착층 형성을 위한 일련의 작업은 상온에서 용이하게 작업이 가능하며, 따라서 수지 용해를 위한 솔벤트 등의 유해성이 있는 타 물질을 사용할 필요가 없게 된다. 그리고, 이하에서는 이러한 성질을 가지는 에폭시 수지의 예를 설명하도록 한다.
일반적으로 액상의 비스페놀 A형 및 F형 에폭시는 결정화 경향이 있으며, 특히 헥시온사(社)의 고유 상표명 'EPON 862'와 같은 비스페놀 F의 경우가 고유 상표명 'EPON 828'과 같은 비스페놀 A형 보다 결정화 경향이 크다.
또한, 국도화학의 고유 상표명 'KDS-8128'의 경우도 이러한 결정화 경향을 가지며, 고순도 특성으로 인해 상온에서 액상이지만 시간이 지남에 따라 결정화되는 성질이 매우 크다. 이는 일반적으로 널리 사용되는 비스페놀-A형 에폭시 레진인 동일 회사의 고유 상표명 'YD-128'과 같으나 전자 용도로 사용하기 위해 Cl 이온 등 불순물 농도를 낮춘 제품이다.
다음으로, 열과 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계(S40)가 수행된다.
본 단계에서, 상기 단계를 거쳐 접착층이 형성된 기판과 칩을 상호 접착시키게 되며, 일반적으로 열 및 압력을 가하여 상기 칩에 형성된 범프를 상기 기판의 패드 상에 접합시키는 과정이 진행된다.
구체적으로, 칩을 정렬 위치시키고, 열과 압력을 가하여 상기 접착층을 재용융 및 경화시킴으로써 상기 기판 상에 칩이 접합된 플립 칩 모듈을 형성할 수 있게 된다.
이때, 본 발명에서는 기존의 단계에서 접착층이 기판 상에 미리 형성되므로, 본 단계에서는 별도로 접착제를 도포하는 공정을 생략 가능한 것이다. 따라서, 생산성을 향상시킬 수 있으며, 제조 원가를 절감할 수 있는 장점이 있다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법의 일련의 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제2실시예인 상온에서 고형화되는 동시에, 100℃ 이하의 융점을 가지는 수지를 사용하는 플립 칩 접합방법의 흐름도가 도시된다.
제2실시예에서는 제1실시예의 경우와 달리, 상기 수지를 승온시켜 액상화하는 단계(S5)가 가장 먼저 수행될 수 있다.
상기한 제1실시예의 경우, 사용되는 수지가 상온에서 액체 상태를 가지므로, 별도의 액상화 과정 없이도 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10)를 수행할 수 있다. 반면, 제2실시예의 경우에는, 수지가 상온에서 고형화되는 성질을 가지므로, 수지를 승온시켜 액상화하는 단계(S5)가 앞서 수행될 수 있는 것이다.
그리고, 본 실시예에서, 상기 수지는 100℃ 이하의 융점을 가진다. 상기한 바와 같이, 일반적으로 상온에서 고형화되는 성질을 가지는 에폭시 수지는 수백℃에 달하는 고온의 용융점을 가지기 때문에, 고온을 발생시키기 위한 별도의 가열장치가 필요하다는 문제가 있다. 또한, 이로 인해 에폭시 수지를 용해시키기 위한 솔벤트가 사용된다.
하지만, 본 실시예에서 사용되는 수지는 100℃ 이하의 저융점을 가지므로, 이를 위한 작업 환경을 용이하게 조성할 수 있다는 장점이 있다. 즉, 100℃의 작업 환경은 별도의 가열장치 등 고가 및 대형의 장비 없이 저비용으로도 수지를 가열시킬 수 있다. 그리고, 이하에서는 이러한 성질을 가지는 수지의 예를 설명하도록 한다.
헥시온사(社)의 고유 상표명 'EPON Resin 1163'의 경우 Low Melting Semi-Solid 에폭시 레진으로, 용융점이 60℃에 불과하다. 또한, 고유 상표명 'EPON Resin 1183'의 경우도 용융점이 97℃로, 100℃ 이하에서 연화되는 성질을 가진다.
다음으로, 열에 의해 형태가 가역적으로 변하는 성질을 가지는 액체 상태의 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10)가 수행된다.
본 실시예에서, 상기 수지를 승온시켜 액상화하는 단계(S5)에 의해 액체 상태로 용융된 수지가 사용되며, 상기 수지를 접착제로서 사용 가능하도록 경화제 및 촉매제를 더 혼합하여 액상의 혼합물을 얻게 된다. 즉, 본 과정은 제1실시예의 경우와 동일한 바, 이하 설명은 생략한다.
다음으로, 상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계(S20)가 수행된다.
또한, 액상의 혼합물을 얻는 단계(S10) 및 상기 접착층을 형성하는 단계(S20) 사이에는, 상기 혼합물의 고상화가 진행된 경우, 상기 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계(S15)가 더 포함될 수 있다.
즉, 접착층을 형성하는 단계(S20) 및 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계(S15) 역시 제1실시예의 경우와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.
이후, 상기 접착층을 고상화시키는 단계(S30)가 수행된다.
제1실시예의 경우, 접착층이 시간이 지남에 따라 결정화되는 반면, 본 실시예에서는 접착층을 냉각시켜 고상화시키는 방법이 사용된다.
즉, 본 실시예에서, 접착층은 상온에서 고형화되기 때문에, 이를 액상화시키기 위해 승온시키는 방법이 사용되었다. 따라서, 이를 고형화시키기 위해서는 접착층을 냉각시키는 방법이 사용되는 것이다. 이에 따라 접착층이 형성된 기판을 얻을 수 있다.
다음으로, 열과 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계(S40)가 수행된다.
본 단계 역시 제1실시예의 경우와 동일한 방법이 사용되는 바, 이하 설명은 생략하도록 한다.
이상으로, 본 발명의 각 실시예에 대하여 설명하였다. 그리고, 이를 통해 본 발명의 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법은 수지 용해를 위한 솔벤트를 사용하지 않기 때문에 유해 성분이 발생하지 않으며, 솔벤트 증발 시 공극이 발생되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있는 것을 알 수 있다.
또한, 이에 따라 전체 플립 칩 접합공정이 단순화되어 생산성이 증가하며, 제조 원가가 절감될 수 있다.
더불어, 기판 상에 수지를 인쇄하기 위해 고온의 작업 환경을 조성할 필요가 없기 때문에, 상기한 효과와 더불어 작업의 탄력성을 더욱 높일 수 있다는 장점이 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
S5: 수지를 승온시켜 액상화하는 단계
S10: 액상의 혼합물을 얻는 단계
S15: 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계
S20: 접착층을 형성하는 단계
S30: 접착층을 고상화시키는 단계
S40: 기판 상에 칩을 접합시키는 단계
S10: 액상의 혼합물을 얻는 단계
S15: 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계
S20: 접착층을 형성하는 단계
S30: 접착층을 고상화시키는 단계
S40: 기판 상에 칩을 접합시키는 단계
Claims (5)
- 열에 의해 상태가 가역적으로 변하며, 비스페놀 A 또는 비스페놀 F를 포함하는 액체 상태의 에폭시 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계;
상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계;
상기 접착층을 별도로 가열하거나 냉각하지 않고 시간의 경과에 의한 상기 에폭시 수지의 결정화를 통해 고상화시키는 단계; 및
열과 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계;
를 포함하는 플립 칩 접합방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 액상의 혼합물을 얻는 단계 및 상기 접착층을 형성하는 단계 사이에는,
상기 혼합물의 고상화가 진행된 경우, 상기 혼합물을 가열하여 액상화시키는 단계가 더 포함되는 플립 칩 접합방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100048707A KR101201981B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-05-25 | 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100048707A KR101201981B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-05-25 | 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110129201A KR20110129201A (ko) | 2011-12-01 |
KR101201981B1 true KR101201981B1 (ko) | 2012-11-15 |
Family
ID=45498466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100048707A KR101201981B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-05-25 | 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101201981B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001303016A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及びそれを用いた接着フィルム、接着方法 |
JP2004266175A (ja) | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Life:Kk | 複数電極接着用の電子部品とその実装方法 |
JP2007158367A (ja) | 1996-08-06 | 2007-06-21 | Hitachi Chem Co Ltd | マルチチップ実装法、接着剤付チップ連及び接着剤付チップの製造方法 |
JP2010031275A (ja) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物、接着層付き半導体素子、その製造方法および半導体装置 |
-
2010
- 2010-05-25 KR KR1020100048707A patent/KR101201981B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007158367A (ja) | 1996-08-06 | 2007-06-21 | Hitachi Chem Co Ltd | マルチチップ実装法、接着剤付チップ連及び接着剤付チップの製造方法 |
JP2001303016A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及びそれを用いた接着フィルム、接着方法 |
JP2004266175A (ja) | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Life:Kk | 複数電極接着用の電子部品とその実装方法 |
JP2010031275A (ja) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物、接着層付き半導体素子、その製造方法および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110129201A (ko) | 2011-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8994134B2 (en) | Electronic device and method of manufacturing the same | |
KR910000998B1 (ko) | 전자부품의 실장방법 | |
US20120309133A1 (en) | Electronic component mounting method | |
WO2014033983A1 (ja) | 部品実装構造体 | |
JP2002334895A (ja) | バンプ形成方法 | |
KR101201981B1 (ko) | 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법 | |
US7845074B2 (en) | Method for manufacturing electronic parts module | |
KR100771644B1 (ko) | 전자소자의 생산방법 | |
US7841081B2 (en) | Method for manufacturing electronic parts module | |
JP5943042B2 (ja) | 電子モジュール、電子モジュールの製造方法 | |
JP2001077518A (ja) | 電子部品実装プリント基板および電子部品取り外し方法 | |
JPH09323189A (ja) | ソルダーペースト組成物、はんだパッドを有するプリント配線板の製造方法及び電子部品実装回路基板の製造方法 | |
JP3417281B2 (ja) | バンプ付電子部品の実装方法 | |
JP3730166B2 (ja) | 半導体素子の実装方法、及び、表示装置の製造方法 | |
JP2001093925A (ja) | Lsiパッケージの実装方法 | |
JP4443473B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP6471885B2 (ja) | 実装構造体の製造方法 | |
KR101600612B1 (ko) | 솔더 페이스트 및 유리 기판의 회로 부품 실장 방법 | |
JP2014033084A (ja) | 積層パッケージ構造体の製造方法、組み立て装置、および製造システム | |
JP2589679B2 (ja) | 電子部品の実装方法 | |
JP2014175519A (ja) | 回路装置の製造方法、半導体部品の実装構造および回路装置 | |
JP4685081B2 (ja) | 電子部品製造方法 | |
JP4367630B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
JP2008200718A (ja) | はんだペースト、電子回路装置及び電子部品の基板接続方法 | |
JP2007214330A (ja) | 導体ペーストの供給方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151113 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161107 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170927 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |