KR101183629B1 - 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 제어 시스템 - Google Patents

반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 제어 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 반도체 장치는, 인터페이스 패드; 및 상기 인터페이스 패드를 둘러싸며 형성되는 안테나를 포함한다.

Description

반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 제어 시스템{SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR CONTROL SYSTEM INCLUDING THE SAME}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 하나의 칩(chip) 형태로 생산되며, 생산 후 제품의 출고 전에 반도체 장치의 이상 유무를 확인하기 위한 테스트를 수행한다. 이와 같이 반도체 장치를 테스트함으로써 대량으로 생산된 반도체 장치의 불량품을 제거할 수 있다.
반도체 장치는 일반적으로 유선으로 제어 장치(예를 들어 메모리 컨트롤러, 테스트 장치 등)와 연결된다. 반도체 장치의 테스트는 반도체 장치가 웨이퍼 상에 형성되었을 때 수행할 수 있다. 테스트 장치와 반도체 장치를 유선으로 연결하여 웨이퍼 상의 반도체 장치를 테스트하는 방법은 다음과 같다. 전기 신호를 발생하는 테스트 장치를 프로브 카드(probe card)와 전기적으로 연결하고, 프로브 카드에 구비된 다수의 탐침(probe needle)을 반도체 장치에 구비된 입출력 패드와 유선으로 연결하여 테스트 장치에서 발생한 전기 신호를 반도체 장치에 인가한다.
그런데 반도체 장치의 인터페이스 패드와 다수의 탐침을 유선으로 연결하는 경우 문제점이 있다. 먼저 유선 연결의 경우 탐침의 끝단의 사이즈가 점점 작아져야 하는데 탐침 끝단의 사이즈를 줄이는데에는 기술적으로 한계가 있다. 다음으로 탐침 끝단의 사이즈가 줄어듦에 따라서 증가하는 셀프 인덕턴스(self inductance)와 저항(resistance)으로 인해 반도체 장치와 프로브 카드의 신호 교환이 어려워진다. 마지막으로 프로브 카드와 반도체 장치를 유선으로 연결하기 위해 프로브 카드에 가하는 압력과 탐침에 의해 발생하는 자국이 문제가 된다. 탐침 끝단의 사이즈가 작아질수록 탐침에 가하는 압력을 증가시켜야 하는데 이로 인해 인터페이스 패드에 가해지는 자국(손상)이 커지고, 자국이 커지게 되면 탐침과 인터페이스 패드가 제대로 연결되지 않게 된다.
본 발명은 안테나를 설치하여 제어 장치와 무선으로 전기 신호를 교환하면서도 면적은 줄인 반도체 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 장치는, 인터페이스 패드; 및 상기 인터페이스 패드를 둘러싸며 형성되는 안테나를 포함할 수 있다.
상기 안테나는, 나선형 모양일 수 있다.
반도체 장치는, 상기 인터페이스 패드로 인가되는 입력신호를 입력받는 버퍼; 출력신호를 상기 인터페이스 패드로 출력하는 드라이버; 상기 안테나로 전송되는 입력신호를 입력받는 수신부; 및 출력신호를 상기 안테나로 출력하는 송신부를 더 포함할 수 있다.
반도체 장치는, 무선 동작모드에서 동작시 상기 수신부와 상기 송신부가 내부 버스에 접속되도록 제어하고, 유선 동작모드에서 동작시 상기 버퍼와 상기 드라이버가 상기 내부 버스에 접속되도록 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
또한 인터페이스 패드와 상기 인터페이스 패드를 둘러싸며 형성되는 제1안테나를 포함하는 반도체 장치; 및 테스트시 상기 제1안테나와 통신하기 위한 제2안테나를 포함하는 테스트 장치를 포함할 수 있다.
상기 제1안테나는, 나선형 모양일 수 있다.
상기 반도체 장치는, 상기 인터페이스 패드로 인가되는 입력신호를 입력받는 버퍼; 출력신호를 상기 인터페이스 패드로 출력하는 드라이버; 상기 제1안테나로 전송되는 입력신호를 입력받는 제1수신부; 및 출력신호를 상기 제1안테나로 출력하는 제1송신부를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 장치는, 무선 동작모드에서 동작시 상기 제1송신부와 상기 제1수신부가 내부 버스에 접속되도록 제어하고, 유선 동작모드에서 동작시 상기 버퍼와 상기 드라이버가 상기 내부 버스에 접속되도록 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 테스트 장치는, 상기 제2안테나로 전송되는 입력신호를 입력받는 제2수신부; 및 출력신호를 상기 제2안테나로 출력하는 제2송신부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 장치는 안테나를 설치하여 제어 장치와 무선으로 전기 신호를 교환하여 유선으로 전기 신호를 교환하는 경우의 문제점을 해결하면서도 면적은 기존에 비해 거의 증가하지 않는다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제어 시스템의 구성도,
도 2는 본 발명의 반도체 장치(110)의 제1안테나(112)가 형성된 모양을 나타낸 평면도.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제어 시스템의 구성도이다.
종래와 같이 유선통신의 경우 발생하는 문제점을 해결하기 위한 한 가지 방안이 반도체 장치(110)와 반도체 제어 장치(120) 사이에서 신호 전달을 무선으로 하는 것이다. 이러한 무선 통신은 니어 필드(near field) 무선 통신의 원리를 이용하며 반도체 장치의 안테나(111)와 반도체 제어 장치의 안테나(121)는 아주 근접한 거리에 위치하여 전기 신호를 교환하게 된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 제어 시스템은 반도체 장치(110)와 반도체 제어 장치(120)를 포함한다.
반도체 장치(110)는, 인터페이스 패드(111), 제1안테나(112), 인터페이스 패드(111)로 인가되는 입력신호를 입력받는 버퍼(113), 출력신호를 인터페이스 패드(111)로 출력하는 드라이버(114), 제1안테나(112) 전송되는 입력신호를 입력받는 제1수신부(115), 출력신호를 제1안테나(112)로 출력하는 제1송신부(116), 무선 동작모드에서 동작시 제1수신부(115)와 제1송신부(116)가 내부 버스(BUS)에 접속되도록 제어하고, 유선 동작모드에서 동작시 버퍼(113)와 드라이버(114)가 내부 버스(BUS)에 접속되도록 제어하는 제어부(117)를 포함한다.
반도체 제어 장치(120)는, 무선 동작모드에서 동작시 제1안테나(112)와 통신하기 위한 제2안테나(121), 제2안테나(121)로 전송되는 입력신호를 입력받는 제2수신부(122), 및 출력신호를 제2안테나(121)로 출력하는 제2송신부(123)를 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 제어 시스템에서 반도체 장치(110)는 무선 동작모드 에서 동작시 무선으로 외부와 통신하고, 유선 동작모드에서 동작시 유선으로 외부와 통신한다. 다만 유선의 경우 무선보다 안정적이므로 반도체 장치(110)가 실제로 동작하는 경우 유선 동작모드에서 동작시키고, 반도체 장치(110)를 테스트하는 경우 무선 동작모드에서 동작시키는 것이 바람직하다. 이하에서는 반도체 장치(110)의 테스트시 반도체 장치(110)를 무선 동작모드에서 동작시키고, 반도체 장치(110)의 실제 동작시 반도체 장치(110)를 유선 동작모드에서 동작시키는 경우에 대해 설명한다.
이하 도 1을 참조하여 반도체 제어 시스템의 동작에 대해 설명한다.
본 발명의 반도체 장치(110)는 테스트시(무선 동작모드 동작시)와 실제 동작시(유선 동작모드 동작시)에 통신하는 방식이 다르다. 먼저 테스트 시에 반도체 장치(110)와 외부 장치(테스트 장치(120))가 통신하는 방법에 대해 알아보고, 실제 동작시 반도체 장치(110)와 외부 장치(컨트롤러(도 1에 미도시))가 통신하는 방법에 대해 알아본다.
(1) 테스트시(무선 동작모드 동작시)의 반도체 장치(110)와 외부 장치(테스트 장치(120)와의 통신)
테스트 장치(120)의 내부회로(도 1에 미도시)는 전기신호를 생성한다. 전기신호는 반도체 장치(110)를 테스트 환경에서 동작시키기 위한 신호에 해당한다. 테스트 장치(120)의 내부회로에서 생성된 전기신호는 제2송신부(123)에 의해 제2안테나(121)를 통해 제1안테나(112)로 전달된다.
테스트시(무선 동작모드 동작시) 반도체 장치(110)는 제1안테나(112)를 통해 무선으로 테스트 장치(120)와 통신한다. 따라서 제1안테나(112)를 통해 반도체 장치(110)의 내부회로에 전기신호를 입출력하기 위해 (무선 동작모드 동작시) 제어부(117)는 제1수신부(115)와 제1송신부(116)를 내부버스(BUS)와 연결한다. 따라서 제1수신부(115)로 입력된 전기신호는 내부버스(BUS)를 통해 반도체 장치(110)의 내부회로(도 1에 미도시)에 전달되고, 반도체 장치(110)의 내부회로는 전기신호에 응답하여 고유의 동작을 수행한다.
반도체 장치(110)의 내부회로가 고유의 동작을 수행한 결과는 내부버스(BUS)를 통해 제1송신부(116)로 전달된다. 제1송신부(116)는 이러한 결과를 출력신호로서 제1안테나(112)로 출력한다. 참고로 제1안테나(112)의 입력신호는 제2안테나(121)의 출력신호에 해당하고, 제1안테나(112)의 출력신호는 제2안테나(121)의 입력신호에 해당한다.
반도체 장치(110)의 동작 결과가 제1안테나(112)를 통해 제2안테나(121)로 전송되면 제2수신부(115)를 통해 입력되어 테스트 장치(120)의 내부회로로 전달된다. 테스트 장치(120)의 내부회로는 반도체 장치(110)의 동작 결과에 응답하여 반도체 장치(110)의 불량여부에 대해 판단한다.
참고로 다수의 전기신호를 이용하여 반도체 장치(110)를 테스트하는 경우 다수의 제1안테나(112), 다수의 제1수신부(115) 및 다수의 제1송신부(116)를 구비하면 된다. 테스트 장치(120)는 다수의 제1안테나(112)와 무선으로 통신하기 위해 다수의 제2안테나(121), 다수의 제2수신부(122) 및 다수의 제2송신부(123)를 구비해야 한다.
(2) 실제 동작시(노멀 동작, 유선 동작모드 동작시)의 반도체 장치(110)와 외부 장치(컨트롤러)와의 통신
실제 동작시(유선 동작모드 동작시) 반도체 장치(110)는 인터페이스 패드(111)를 통하여 유선으로 외부와 통신한다. 따라서 인터페이스 패드(111)를 통해 반도체 장치(110)의 내부회로에 전기신호를 입출력하기 위해 실제 동작시(유선 동작모드 동작시) 제어부(117)는 버퍼(113)와 드라이버(114)를 내부버스(BUS)와 연결한다. 따라서 버퍼(113)로 입력된 전기신호는 내부버스(BUS)를 통해 반도체 장치(110)의 내부회로에 전달되고, 반도체 장치(110)의 내부회로는 전기신호에 응답하여 고유의 동작을 수행한다. 참고로 실제 동작이란 반도체 장치(110)가 테스트를 패스하여 실제로 사용되면서 반도체 장치(110) 고유의 동작을 수행하는 것을 의미한다.
반도체 장치(110)의 내부회로가 고유의 동작을 수행한 결과(이하 결과신호)는 내부버스(BUS)를 통해 드라이버(114)로 전달한다. 드라이버(114)는 결과신호를 인터페이스 패드(111)로 출력한다.
요컨대, 반도체 장치(110)는 유선통신을 위한 유선 통신부(111, 113, 114)와 무선통신을 위한 무선 통신부(112, 115, 116)를 모두 갖추고, 테스트 시에는 무선 통신부(112, 115, 116)를 통해 외부와 통신하고, 실제 동작시(유선 동작모드 동작시)에는 유선 통신부(111, 113, 114)를 이용하여 외부와 통신하게 된다. 즉 무선통신과 유선통신 중 유리한 방법을 사용하게 되며 이러한 통신부의 선택은 제어부(117)에 의해 이루어 진다.
참고로 반도체 장치(110) 고유의 동작이란 연산장치(CPU)의 경우 연산동작, 메모리 장치의 경우 데이터를 저장 및 입출력하는 동작, 디지털 아날로그 컨버터의 경우 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하는 동작과 같이 반도체 장치의 본원적이고 핵심적인 동작을 의미한다.
이하에서 본 발명에 따른 반도체 제어 시스템이 메모리 테스트 시스템에 적용된 경우에 대해 설명한다. 이러한 경우 메모리 장치(110)는 다수의 제1안테나(112), 다수의 제1수신부(115) 및 다수의 제1송신부(116)를 구비하고, 테스트 장치(120)는 다수의 제2안테나(121), 다수의 제2수신부(122) 및 다수의 제2송신부(123)를 구비한다.
테스트 장치(120)의 내부회로에서 라이트 커맨드, 어드레스 및 데이터가 생성된다. 생성된 라이트 커맨드, 어드레스, 및 데이터는 각 제2송신부(123)를 통해 각 제2안테나(121)로 출력된다. 출력된 라이트 커맨드, 어드레스 및 데이터는 무선으로 각 제1안테나(112)로 전송되고, 각 제1수신부(115)를 라이트 커맨드, 어드레스 및 데이터를 입력받아 내부버스(BUS)를 통해 메모리 장치(110)의 내부회로로 전달한다. 메모리 장치(110)의 내부회로에서 어드레스에 의해 지정된 메모리 셀에 데이터가 저장된다.
다음으로 테스트 장치(120)의 내부회로에서 리드 커맨드, 어드레스가 생성된다. 생성된 리드 커맨드, 어드레스는 상술한 과정과 동일한 과정을 통해 메모리 장치(110)의 내부회로로 전달되며 어드레스에 의해 지정될 셀에서 데이터가 출력된다. 데이터는 내부버스(BUS)를 거쳐 제1송신부(115)에서 제1안테나(112)로 출력된다. 출력된 데이터는 무선으로 제2안테나(121)로 전송되고, 제2수신부(122)가 데이터를 입력받아 테스트 장치(120)의 내부회로로 전달하면 테스트 장치(120)의 내부회로에서 메모리 장치(110)의 불량여부를 판단하게 된다.
이 경우 제어부(117)는 제1수신부(115)와 제2수신부(116)를 내부버스(BUS)와 연결한다. 테스트가 종료되고 메모리 장치(110)가 실제로 사용되는 경우 메모리 장치(110)와 메모리 컨트롤러의 통신은 인터페이스 패드(111)를 통해 유선으로 이루어진다. 따라서 제어부(117)는 버퍼(113)와 드라이버(114)를 내부버스(BUS)와 연결한다.
반도체 장치(110)를 테스트하기 위한 전기신호의 교환을 무선으로 수행하는 경우 종래 발생했던, 탐침 끝단의 사이즈의 문제, 이로 인해 전기 신호의 교환이 어려워지는 문제, 탐침과 인터페이트 패드(111)가 제대로 연결되지 않는 문제 등을 모두 해결할 수 있다. 다만 안테나를 형성하기 위한 추가적인 공간이 필요하므로 반도체 장치의 면적이 증가할 수 있다. 따라서 안테나를 포함하더라도 반도체 장치의 면적을 최소화하기 위한 방법이 필요하다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치(110)의 제1안테나(112)가 형성된 모양을 나타낸 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 제1안테나(112)는 인터페이스 패드(111)를 둘러싸고, 나선형 모양으로 형성된다. 나선형 제1안테나(112)의 내부에 인터페이스 패드(111)가 위치하게 된다.
제1안테나(112)의 일단(201)과 타단(202)은 제1수신부(115) 및 제1송신부(116)와 전기적으로 연결된다. 이러한 전기적인 연결을 통해 제1수신부(115)는 제1안테나(112)로 전송되는 입력신호를 입력받고, 제2송신부(116)는 출력신호를 제1안테나(112)로 출력한다. 인터페이스 패드(111)는 버퍼(113) 및 드라이버(114)와 연결된다.
제1안테나(112)의 일단(201)은 제1레벨의 메탈라인(203A)을 통하여 제1송신부(115) 및 제1수신부(116)와 연결되고, 제1안테나(112)의 타단(202)은 제1레벨의 메탈라인(203A)과 다른 레벨에 위치한 제2레벨의 메탈라인(204A)을 통하여 제1송신부(115) 및 제1수신부(116)와 연결된다. 여기서 제1레벨은 제1안테나(112)가 형성된 높이와 동일한 높이를 나타낸다. 즉 제1안테나(112)의 일단(201)은 제1안테나(112)와 같은 높이의 평면에 위치하는 메탈라인을 통해 제1송신부(115) 및 제1수신부(116)와 연결된다. 제2레벨은 제1안테나(112)가 형성된 높이보다 낮은 높이를 나타낸다. 즉 제1안테나(112)의 타단(202)은 제1안테나(112)와 다른 높이의 평면에 위치하는 메탈라인(204A)을 통해 제1송신부(115) 및 제1수신부(116)와 연결된다. 따라서 제1안테나(112)의 타단(202)과 제2레벨의 메탈라인(204A)에 컨택(A)이 형성된다.
인터페이스 패드(111)는 제1레벨의 메탈라인(203B)을 통하여 버퍼(113) 및 드라이버(114)와 연결된다. 다만 인터페이스 패드(111) 외곽에 제1안테나(112)가 형성되어 있어서, 인터페이스 패드(111)에서 직접 제1레벨의 메탈라인(203B)을 형성하지 않는다. 먼저 인터페이스 패드(111)에서 아래로 컨택(B)을 형성하여 제2레벨의 메탈라인(204B)에 연결하여 제1안테나(112)의 외곽으로 빠져나온 후에 다시 제1레벨의 메탈라인(203B)과 컨택(C)을 형성하여 연결한 후 제1레벨의 메탈라인(203B)을 통해 제1송신부(115) 및 제1수신부(116)와 연결된다.
무선 통신을 위한 제1안테나(112)를 인터페이스 패드(111)와 별로의 위치에 형성하는 경우 반도체 장치(110)의 면적이 많이 증가할 수 있다. 그러나 도 2에 도시된 바와 같이 인터페이스 패드(111)의 면적을 최소로 줄이면서 그 주변을 둘러싸도록 나선형의 제1안테나(111)를 형성하는 경우 반도체 장치(110)의 면적 증가를 줄일 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.

Claims (17)

  1. 인터페이스 패드; 및
    상기 인터페이스 패드를 둘러싸며 형성되는 안테나를 포함하고,
    유선 동작모드에서 동작시 상기 인터페이스 패드를 통해 유선으로 외부와의 통신을 수행하고, 무선 동작모드에서 동작시 상기 안테나를 통해 무선으로 외부와의 통신을 수행하는 반도체 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 안테나는,
    나선형 모양인 반도체 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 인터페이스 패드로 인가되는 입력신호를 입력받는 버퍼;
    출력신호를 상기 인터페이스 패드로 출력하는 드라이버;
    상기 안테나로 전송되는 입력신호를 입력받는 수신부; 및
    출력신호를 상기 안테나로 출력하는 송신부를 더 포함하는 반도체 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 무선 동작모드에서 동작시 상기 수신부와 상기 송신부가 내부 버스에 접속되도록 제어하고, 상기 유선 동작모드에서 동작시 상기 버퍼와 상기 드라이버가 상기 내부 버스에 접속되도록 제어하는 제어부를 더 포함하는 반도체 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 인터페이스 패드로 인가되는 입력신호와 상기 안테나로 전송되는 입력신호는 커맨드, 어드레스 또는 데이터이고, 상기 인터페이스 패드로 출력되는 출력신호와 상기 안테나로 출력되는 출력신호는 데이터인 반도체 장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 안테나의 일단은 제1레벨의 메탈라인을 통하여 상기 송신부 및 상기 수신부와 연결되고, 상기 안테나의 타단은 상기 제1레벨의 메탈라인과 다른 레벨에 위치한 제2레벨의 메탈라인을 통하여 상기 송신부 및 상기 수신부와 연결되는 반도체 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 인터페이스 패드는 상기 제1레벨의 메탈라인을 통하여 상기 버퍼 및 상기 드라이버와 연결되는 반도체 장치.
  9. 제 1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 무선 동작모드는 반도체 장치의 테스트시 사용되는 동작모드이고, 상기 유선 동작모드는 반도체 장치의 노멀 동작시 사용되는 동작모드인 반도체 장치.
  10. 인터페이스 패드와 상기 인터페이스 패드를 둘러싸며 형성되는 제1안테나를 포함하는 반도체 장치; 및
    무선 동작모드에서 통신하기 위한 제2안테나를 포함하는 반도체 제어 장치를 포함하고,
    유선 동작모드에서 동작시 상기 반도체 장치는 상기 인터페이스 패드를 통해 유선으로 상기 반도체 제어 장치와의 통신을 수행하고, 상기 무선 동작모드에서 동작시 상기 반도체 장치는 상기 제1안테나를 통해 무선으로 상기 반도체 제어 장치와의 통신을 수행하는 반도체 제어 시스템.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1안테나는,
    나선형 모양인 반도체 제어 시스템.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 반도체 장치는,
    상기 인터페이스 패드로 인가되는 입력신호를 입력받는 버퍼;
    출력신호를 상기 인터페이스 패드로 출력하는 드라이버;
    상기 제1안테나로 전송되는 입력신호를 입력받는 제1수신부; 및
    출력신호를 상기 제1안테나로 출력하는 제1송신부를 더 포함하는 반도체 제어 시스템.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 반도체 장치는,
    상기 무선 동작모드에서 동작시 상기 제1수신부와 상기 제1송신부가 내부 버스에 접속되도록 제어하고, 상기 유선 동작모드에서 동작시 상기 버퍼와 상기 드라이버가 상기 내부 버스에 접속되도록 제어하는 제어부를 더 포함하는 반도체 제어 시스템.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 반도체 제어 장치는,
    상기 제2안테나로 전송되는 입력신호를 입력받는 제2수신부; 및
    출력신호를 상기 제2안테나로 출력하는 제2송신부를 더 포함하는 반도체 제어 시스템.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 제1안테나의 일단은 제1레벨의 메탈라인을 통하여 상기 제1송신부 및 상기 제1수신부와 연결되고, 상기 제1안테나의 타단은 상기 제1레벨의 메탈라인과 다른 레벨에 위치한 제2레벨의 메탈라인을 통하여 상기 제1송신부 및 상기 제1수신부와 연결되는 반도체 제어 시스템.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 인터페이스 패드는 상기 제2레벨의 메탈라인을 통하여 상기 버퍼 및 상기 드라이버와 연결되는 반도체 제어 시스템.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 무선 동작모드는 반도체 장치의 테스트시 사용되는 동작모드이고, 상기 유선 동작모드는 반도체 장치의 노멀 동작시 사용되는 동작모드이고, 상기 반도체 제어 장치는 상기 반도체 장치의 테스트시 사용되는 반도체 테스트 장치인 반도체 제어 시스템.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140292488A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Jerome Joseph Trohak InSight

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780383B1 (ko) * 2006-07-26 2007-11-29 이규옥 반도체공정장비 원격제어시스템 및 그 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07239922A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカード用ｉｃモジュール
US7239346B1 (en) * 1999-10-18 2007-07-03 Priddy Dennis G System and architecture that supports a multi-function semiconductor device between networks and portable wireless communications products
CA2308820A1 (en) * 2000-05-15 2001-11-15 The Governors Of The University Of Alberta Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers
US6980184B1 (en) * 2000-09-27 2005-12-27 Alien Technology Corporation Display devices and integrated circuits
US7092733B2 (en) * 2001-01-25 2006-08-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Mobile radio communication apparatus capable to plurality of radio communication systems
CA2404183C (en) * 2002-09-19 2008-09-02 Scanimetrics Inc. Non-contact tester for integrated circuits
US7079869B2 (en) * 2003-02-12 2006-07-18 Lucent Technologies Inc. Communication system transmitter or receiver module having integrated radio frequency circuitry directly coupled to antenna element
KR20100107057A (ko) * 2003-07-03 2010-10-04 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 카드 디바이스
US7466157B2 (en) * 2004-02-05 2008-12-16 Formfactor, Inc. Contactless interfacing of test signals with a device under test
US7202687B2 (en) * 2004-04-08 2007-04-10 Formfactor, Inc. Systems and methods for wireless semiconductor device testing
DE102006003377B3 (de) * 2006-01-24 2007-05-10 Infineon Technologies Ag Halbleiterbaustein mit einem integrierten Halbleiterchip und einem Chipgehäuse und elektronisches Bauteil
KR101388674B1 (ko) * 2007-09-07 2014-04-25 삼성전자주식회사 고속 원 샷 웨이퍼 테스트를 위한 무선 인터페이스 프로브카드 및 이를 구비한 반도체 테스트 장치
CA2623257A1 (en) * 2008-02-29 2009-08-29 Scanimetrics Inc. Method and apparatus for interrogating an electronic component
US9016585B2 (en) * 2008-11-25 2015-04-28 Thin Film Electronics Asa Printed antennas, methods of printing an antenna, and devices including the printed antenna

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780383B1 (ko) * 2006-07-26 2007-11-29 이규옥 반도체공정장비 원격제어시스템 및 그 방법

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