KR101179545B1 - Semiconductor test socket - Google Patents

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KR101179545B1
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신종천
하동호
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하동호
신종천
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor test socket is provided to contact conductive powder around an insulation reinforcing line with a lead by pressure. CONSTITUTION: A conductive silicon portion(110) is formed in an area that a lead(140) of a semiconductor device contacts. An insulation silicon portion(120) is formed in an area that the lead does not contact to support the conductive silicon portion. At least one insulation reinforcing line(130) is formed in the area that the lead contacts.

Description

반도체 검사 소켓{SEMICONDUCTOR TEST SOCKET}Semiconductor Test Sockets {SEMICONDUCTOR TEST SOCKET}

본 발명은 반도체 검사 소켓에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체의 리드에 의한 손상을 감소시킨 반도체 검사 소켓에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test socket, and more particularly, to a semiconductor test socket which reduces damage caused by a lead of a semiconductor.

반도체 검사 소켓(Socket)은 비파괴 상태에서 반도체 부품의 전기적 신호 검사에 사용된다.The semiconductor test socket (Socket) is used to test the electrical signal of the semiconductor component in the non-destructive state.

반도체 검사 소켓은 반도체의 도전부 접촉부위와 소켓의 상단부가 적당한 압력으로 눌러지면서 반도체 검사 소켓의 이방하부가 PCB와 도전 통로를 만들게 되어서 전기적 신호 흐름이 이루어지도 한다. 일반적으로 반도체 검사 소켓은 이러한 전기적 신호 흐름이 잘 이루어지도록 하기 위해서 도전 통로가 되는 도전핀 당 수백mΩ이하가 되어야 하고, 소켓의 반복 접촉 횟수가 수 만회이상이 되어야한다.In the semiconductor test socket, the conductive contact portion of the semiconductor and the upper end of the socket are pressed at an appropriate pressure, so that the anisotropic lower part of the semiconductor test socket forms a conductive path with the PCB, thereby making electrical signal flow. In general, the semiconductor test socket should be less than several hundred mΩ per conductive pin for conducting the electrical signal flow, and the socket should have more than tens of thousands of repeated contacts.

또한, 수십 내지 수백개의 핀들이 동시에 접촉이 되어서 전기적 검사를 하므로 한 개의 핀이라도 접촉 불량이 되거나 불안정한 접촉이 이루어지면 검사 대상물인 반도체가 정상인 경우에도 반도체 검사 소켓의 불안정으로 인하여 검사 대상물이 불량으로 처리되어 수율이 저하 되며, 이로 인한 재검사 또는 불량처리에 따른 제조 수율 저하등으로 통상 1 ~ 3%의 큰 손실이 유발되고 있다. 따라서, 반도체 제조 공장에서는 반도체 검사 소켓의 전기적인 수명과 수율이 좋은 제품을 채택하기 위한 기술 개발을 지속적으로 하고 있다. In addition, dozens or hundreds of pins are in contact at the same time to perform electrical inspection, so even if any pin becomes poor or unstable contact, even if the semiconductor being inspected is normal, the inspection object is treated as defective due to instability of the semiconductor inspection socket. As a result, the yield is lowered. As a result, a large loss of 1 to 3% is caused due to a decrease in manufacturing yield due to re-inspection or poor treatment. Therefore, the semiconductor manufacturing plant continues to develop technologies for adopting products having good electrical life and yield of semiconductor inspection sockets.

반도체에 도전부인 BGA Ball이 접촉부에 접촉 시 고무막의 이탈/손상 방지와 몸체 외곽에 단자(리드)가 있는 TSOP(Thin Small Outline Package Package)류나, 몸체의 바닥에 평평하게 단자가 형성된 플랫 패키지(Flat Package)의 경우, 반도체 검사 소켓의 접촉면에 반도체가 눌리게 되면 눌리는 체적만큼 반도체 검사 소켓의 실리콘 고무와 도전 분말 등이 외곽 사방으로 밀리게 되는데, 이때 소켓과 반도체 단자의 접촉부위의 마찰로 인하여 실리콘 고무로부터 도전 분말이 쉽게 이탈된다. 또한 이러한 반도체 패지지의 특성상 반도체 검사 소켓과 접촉하는 단면이 날카롭기 때문에 쉽게 실리콘 고무 막이 파손되는 문제점이 있었다.BGA Ball, which is a conductive part of semiconductor, prevents the rubber film from falling off / damage and TSOP (Thin Small Outline Package Package) with terminals (lead) on the outside of the body, or flat terminal with flat terminal on the bottom of the body. In the case of a package, when the semiconductor is pressed on the contact surface of the semiconductor test socket, the silicon rubber and the conductive powder of the semiconductor test socket are pushed outwards to the outside as much as the volume pressed. At this time, the silicon is contacted by the contact between the socket and the semiconductor terminal. The conductive powder is easily released from the rubber. In addition, due to the nature of the semiconductor package has a problem that the silicon rubber film is easily damaged because the cross section in contact with the semiconductor inspection socket is sharp.

본 발명은 반도체 단자와 동일 방향, 즉 반도체 검사 소켓이 눌림에 따라 체적 팽창하는 방향으로 절연 보강선을 형성하여, 반도체 검사 소켓의 접촉면에 반도체가 눌리게 되면 눌리는 체적만큼 반도체 검사 소켓의 실리콘 고무와 도전 분말이 외곽 사방으로 밀리게 되어 접촉부위의 마찰로 인해 실리콘 고무 막이 손상되는 것을 최소화하고자 한다.The present invention forms an insulation reinforcement line in the same direction as the semiconductor terminal, that is, in a direction in which the semiconductor inspection socket is expanded in volume, and when the semiconductor is pressed against the contact surface of the semiconductor inspection socket, the silicon rubber of the semiconductor inspection socket is separated from the silicon rubber of the semiconductor inspection socket. The conductive powder is pushed outwards to minimize the damage of the silicone rubber film due to friction of the contact portion.

본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓은, 반도체소자의 리드가 접촉되는 영역에 형성된 도전성 실리콘부; 상기 도전성 실리콘부를 지지하도록 반도체소자의 리드가 접촉되지 않는 영역에 형성되어 절연층 역할을 하는 절연 실리콘부; 및 상기 도전성 실리콘부의 상기 리드와 접촉되는 영역에 형성되는 적어도 하나의 절연 보강선을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a semiconductor test socket may include: a conductive silicon part formed in an area in which a lead of a semiconductor device contacts; An insulating silicon part formed in a region where the lead of the semiconductor device is not in contact with the conductive silicon part to serve as an insulating layer; And at least one insulation reinforcement line formed in an area in contact with the lead of the conductive silicon portion.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 절연 실리콘부의 표면 영역 상에서 상기 복수개의 절연 보강선을 연결하는 지지 보강선을 더 포함한다.According to another embodiment of the present invention, further comprising a support reinforcing wire connecting the plurality of insulating reinforcing wires on the surface area of the insulating silicon portion.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 반도체 검사 소켓은 상기 절연 보강선이 상기 반도체 검사 소켓의 폭의 방향인 제1방향으로 배치되며, 상기 제1방향의 절연 보강선과 직교하는 제2방향으로 배치되는 지지 보강선을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, the semiconductor inspection socket is disposed in a first direction in which the insulation reinforcement line is a direction of the width of the semiconductor inspection socket, and a second direction perpendicular to the insulation reinforcement line in the first direction. It includes a support reinforcement line is disposed.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 반도체 검사 소켓은 상기 절연 보강선이 상기 반도체 검사 소켓의 폭의 방향인 제1방향으로 배치되며, 상기 제1방향의 절연 보강선과 직교하는 제2방향으로 단절되는 영역이 형성된다.According to another embodiment of the present invention, the semiconductor inspection socket is disposed in a first direction in which the insulation reinforcement line is a direction of the width of the semiconductor inspection socket, and a second direction perpendicular to the insulation reinforcement line in the first direction. An area to be cut off is formed.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 반도체 검사 소켓은 상기 다수의 절연 보강선의 일단에 상기 제2방향으로 결합하는 측면 지지 보강선을 더 포함한다.According to another embodiment of the present invention, the semiconductor test socket further includes a side support reinforcement line coupled to one end of the plurality of insulation reinforcement lines in the second direction.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 측면 지지 보강선은 상호 이웃하는 절연 보강선의 양말단에 교차하여 배치되는 구조이다.According to another embodiment of the present invention, the side support reinforcement line is a structure arranged to cross the sock end of the adjacent insulation reinforcement line.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 절연 보강선 및 지지 보강선은 상호 직교한다.According to another embodiment of the present invention, the insulation reinforcement line and the support reinforcement line are perpendicular to each other.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 절연 보강선은 상기 반도체소자의 리드들 간의 간격에 상응하게 조정되어 상기 도전성 실리콘부의 표면 영역 상에 형성된다.According to another embodiment of the present invention, the insulation reinforcement line is adjusted to correspond to the spacing between the leads of the semiconductor element is formed on the surface region of the conductive silicon portion.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 절연 보강선은 폭이 0.05 내지 0.15mm, 간격이 0.15 내지 0.25mm, 두께가 0.05 내지 0.3mm이다.According to another embodiment of the present invention, the insulation reinforcing wire has a width of 0.05 to 0.15mm, an interval of 0.15 to 0.25mm, a thickness of 0.05 to 0.3mm.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 절연 보강선은 폴리테트라플루로르에틸렌 계의 불소 수지 섬유, 아라미드 섬유, 폴리이미드 섬유, 폴리아크릴레이트계 섬유, 나일론 섬유, 또는 나노섬유로 구성된다.According to another embodiment of the present invention, the insulation reinforcing wire is composed of polytetrafluoroethylene-based fluorine resin fibers, aramid fibers, polyimide fibers, polyacrylate-based fibers, nylon fibers, or nanofibers.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 지지 보강선은 폴리테트라플루로르에틸렌 계의 불소 수지 섬유, 아라미드 섬유, 폴리이미드 섬유, 폴리아크릴레이트계 섬유, 나일론 섬유, 또는 나노섬유로 구성된다.According to another embodiment of the present invention, the support reinforcing wire is composed of polytetrafluoroethylene-based fluorine resin fibers, aramid fibers, polyimide fibers, polyacrylate-based fibers, nylon fibers, or nanofibers.

본 발명에 따르면 절연 보강선을 일방향으로 평형하게 소켓의 일면에 형성시켜서 반도체 소자의 리드가 눌리게 됨에 따라 절연 보강선이 같이 눌리게 되어, 절연 보강선의 주위에 있는 도전분말들이 압력에 의해 상대적으로 자유롭게 리드와 접촉하므로, 접촉 압력에 따라 접촉면적이 증가하여 접촉저항이 향상된다.According to the present invention, the insulation reinforcement wire is formed on one surface of the socket in an equilibrium in one direction so that the insulation reinforcement wire is pressed together as the lead of the semiconductor element is pressed, so that the conductive powders around the insulation reinforcement wire are relatively affected by pressure. Since the free contact with the lead, the contact area is increased according to the contact pressure to improve the contact resistance.

또한, 본 발명에 따르면 종래의 기술에 비해 10 내지 20% 적은 압력으로도 보다 안정된 전기적인 접촉이 이루어지므로 반복 접촉에 따른 수명을 향상시키고, 반도체 검사 소켓의 불량 검사율을 줄일 수 있다.In addition, according to the present invention, since a more stable electrical contact is made even at a pressure of 10 to 20% less than in the related art, it is possible to improve the life due to repeated contact and to reduce the defective inspection rate of the semiconductor test socket.

그뿐만 아니라, 본 발명에 따르면 반도체 접촉 단자와 소켓의 도전 분말이 접촉 시에 절연 보강선이 함께 눌리게 되어 도전 분말에 대하여 상대적으로 넓은 면적이 눌리게 되어 안정적인 형태를 유지하므로 도전 분말의 변형을 최소화하고 종래 기술에 비하여 반복 접촉 수명을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, the insulating reinforcing wire is pressed together when the conductive powder of the semiconductor contact terminal and the socket contacts, so that a relatively large area is pressed against the conductive powder, thereby maintaining a stable shape. It can minimize and improve the repetitive contact life as compared to the prior art.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓의 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 확대한 도면이다.
도 4, 도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 도시한 도면이다.1 is a side view of a semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of a semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention.
4, 5 and 6 illustrate a semiconductor test socket according to another exemplary embodiment of the present invention.

이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to or limited by the embodiments. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓의 측면도이다. 도 1을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 설명하기로 한다.1 is a side view of a semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention. A semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓은 도전성 실리콘부(110), 절연 실리콘부(120) 및 절연 보강선(130)을 포함하여 구성된다.The semiconductor test socket according to the exemplary embodiment of the present invention includes a conductive silicon part 110, an insulating silicon part 120, and an insulation reinforcement line 130.

도전성 실리콘부(110)는 반도체소자의 리드(140)가 접촉되는 영역에 형성된다.The conductive silicon portion 110 is formed in a region where the lead 140 of the semiconductor device contacts.

절연 실리콘부(120)는 도전성 실리콘부(110)를 지지하도록 반도체소자의 리드(140)가 접촉되지 않는 영역에 형성되어 절연층 역할을 한다.The insulating silicon portion 120 is formed in a region where the lead 140 of the semiconductor device does not contact to support the conductive silicon portion 110 to serve as an insulating layer.

절연 보강선(130)은 도전성 실리콘부(110)의 리드(140)와 접촉되는 표면 영역 상에 적어도 하나 형성된다. 이때, 절연 보강선(130)은 도전성 실리콘부(110)의 표면 영역 상에 형성되며, 반도체소자의 리드(140)들 간의 간격에 상응하게 조정될 수 있다.At least one insulation reinforcement line 130 is formed on a surface area in contact with the lead 140 of the conductive silicon part 110. In this case, the insulation reinforcement line 130 may be formed on the surface area of the conductive silicon portion 110 and may be adjusted to correspond to a gap between the leads 140 of the semiconductor device.

본 발명에 따른 반도체 검사 소켓은 절연 보강선(130)을 채용함으로써 날카로운 리드(140)에 의해 도전성 실리콘부(110)가 쉽게 파손되는 것을 방지한다. 즉, 리드(140)에 의해 도전성 실리콘부(110)가 눌리는 경우에 절연 보강선(130)에 의해 반도체 리드가 안정적으로 눌리게 된다. 따라서, 본 발명에 따르면 반도체 접촉 단자와 소켓의 도전 분말이 접촉 시에 절연 보강선이 함께 눌리게 되어 도전 분말에 대하여 상대적으로 넓은 면적이 눌리게 되어 안정적인 형태를 유지하므로 도전 분말의 변형을 최소화하고 종래 기술에 비하여 반복 접촉 수명을 향상시킬 수 있다.The semiconductor inspection socket according to the present invention prevents the conductive silicon portion 110 from being easily damaged by the sharp lead 140 by employing the insulation reinforcement line 130. That is, when the conductive silicon portion 110 is pressed by the lead 140, the semiconductor lead is stably pressed by the insulation reinforcement line 130. Therefore, according to the present invention, the insulating reinforcing wire is pressed together when the conductive powder of the semiconductor contact terminal and the socket is contacted, so that a relatively large area is pressed against the conductive powder, thereby maintaining a stable shape, thereby minimizing deformation of the conductive powder. It is possible to improve the repeat contact life as compared to the prior art.

또한, 반도체 소자의 리드(140)는 도전성 실리콘부(110) 상에 접촉되어 눌리면 절연 보강선(130)주위의 도전분말들이 압력의 의해 자유롭게 리드(140)와 접촉하게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 검사 소켓은 반도체 소자의 리드(140)와 보다 안정적으로 전기적인 접촉이 이루어지며, 반복 접촉에 따른 수명 또한 향상된다.In addition, when the lead 140 of the semiconductor device contacts and is pressed on the conductive silicon portion 110, the conductive powders around the insulation reinforcement line 130 may freely contact the lead 140 by pressure. Therefore, the semiconductor test socket according to the present invention makes electrical contact with the lead 140 of the semiconductor device more stably, and also improves the life due to the repeated contact.

그러므로, 본 발명에 따르면 종래의 기술에 비해 적은 압력으로도 보다 안정된 전기적인 접촉이 이루어지므로 반복 접촉에 따른 수명을 향상시키고, 반도체 검사 소켓의 불량 검사율을 줄일 수 있다.Therefore, according to the present invention, a more stable electrical contact is made at a lower pressure than in the prior art, thereby improving lifespan due to repeated contact, and reducing the defective inspection rate of the semiconductor test socket.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓은 도전성 실리콘부(110)와 절연 실리콘부(120)로 구성된 반도체 접촉부위 면에 절연제로 구성되는 절연 보강선(130)을 수평으로 형성한다.As shown in FIG. 2, the semiconductor test socket according to the exemplary embodiment includes an insulation reinforcement line 130 formed of an insulation material on a semiconductor contact surface including the conductive silicon portion 110 and the insulating silicon portion 120. Form horizontally.

이와 같이 절연 보강선(130)을 수평으로 형성함에 따라, 반도체 소자의 리드가 반도체 검사 소켓의 도전성 실리콘부(110) 상에 눌리게 될 때, 메쉬 형태로 절연 보강선(130)을 구성하는 경우에 비교하여 상대적으로 적은 힘을 사용하여 리드와 도전 분말에 접촉하도록 할 수 있다. 그러므로, 본 발명에 따르면 박막화 고집적화된 반도체에 무리한 힘이 가해지지 않도록 하여 웨이퍼가 손상되거나 본드가 들뜨는 등의 현상을 줄일 수 있으며 반도체 검사 소켓의 수명 또한 향상시킬 수 있다.As such, when the insulation reinforcement line 130 is horizontally formed, when the lead of the semiconductor element is pressed on the conductive silicon portion 110 of the semiconductor test socket, when the insulation reinforcement line 130 is formed in a mesh form In comparison, relatively little force can be used to make contact with the lead and the conductive powder. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the phenomena such as damage to the wafer or the lifting of the bond by preventing excessive force from being applied to the thinned and highly integrated semiconductor, and also to improve the life of the semiconductor inspection socket.

절연 보강선(130)은 전기적인 절연성과 온도 및 화학적 특성상 안정된 절연제를 사용하여 구성한다.The insulation reinforcement line 130 is configured by using an insulation that is stable in electrical insulation, temperature, and chemical properties.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 확대한 도면으로, 보다 상세하게는 절연 보강선(130)의 폭을 0.12mm, 간격을 0.2mm, 두께를 0.1mm로 구성한 실시예를 도시한 것이다.3 is an enlarged view of a semiconductor test socket according to an exemplary embodiment of the present invention, and more specifically, an embodiment in which an insulation reinforcement line 130 has a width of 0.12 mm, a gap of 0.2 mm, and a thickness of 0.1 mm. It is shown.

본 발명의 일실시예에 따른 절연 보강선(130)은 전기적, 열적, 화학적 특성이 우수한 절연제를 사용하며, 이와 같은 절연제로는 폴리테트라플루로르에틸렌 계의 불소 수지 섬유, 아라미드 섬유, 폴리이미드 (Polyimide) 섬유, 폴리아크릴레이트계, 나일론 섬유, 나노 섬유 등이 사용될 수 있다.Insulation reinforcing wire 130 according to an embodiment of the present invention uses an excellent electrical, thermal, and chemical properties, such insulation, polytetrafluoroethylene-based fluorine resin fibers, aramid fibers, polyimide (Polyimide) fibers, polyacrylate-based, nylon fibers, nano fibers and the like can be used.

절연 보강선(130)은 검사 대상 반도체의 접촉 리드의 간격에 따라서 절연 보강선(130)의 폭을 0.05 ~ 0.15mm, 절연 보강선(130)의 간격을 0.15 ~ 0.25mm, 절연 보강선(130)의 두께를 0.05 ~ 0.3mm로 조절하여 사용하는 것이 바람직하다.The insulation reinforcement wire 130 has a width of the insulation reinforcement wire 130 at a thickness of 0.05 to 0.15 mm, an interval of the insulation reinforcement wire 130 at a thickness of 0.15 to 0.25 mm, and an insulation reinforcement wire 130 according to the distance between the contact leads of the semiconductor to be inspected. ), It is preferable to adjust the thickness to 0.05 to 0.3 mm.

도 4, 도 5 및 도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 검사 소켓을 도시한 도면이다.4, 5 and 7 illustrate a semiconductor test socket according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 절연 보강선(123)을 연결하는 지지 보강선(135)을 더 포함하도록 구성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention may be configured to further include a support reinforcement line 135 connecting the insulation reinforcement line 123 as shown in FIGS. 4, 5 and 6.

지지 보강선(135)은 절연 실리콘부의 표면 영역 상에서 복수개의 절연 보강선(130)을 가로지르도록 구성되며, 절연 보강선(130)은 폴리테트라플루로르에틸렌 계의 불소 수지 섬유, 아라미드 섬유, 폴리이미드 (Polyimide) 섬유, 폴리아크릴레이트계, 나일론 섬유, 나노 섬유 등으로 구성될 수 있다.The support reinforcement line 135 is configured to cross the plurality of insulation reinforcement lines 130 on the surface area of the insulated silicon portion, and the insulation reinforcement line 130 is made of polytetrafluoroethylene-based fluorocarbon fiber, aramid fiber, and poly Polyimide fibers, polyacrylates, nylon fibers, nanofibers and the like can be composed.

본 발명의 일실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이 중앙부분에만 지지 보강선(135)이 형성되도록 구성될 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 절연 보강선(130)이 제1방향으로 배치되었을 때, 지지 보강선(135)은 상기 절연 보강선(130)의 중심영역을 지나도록 제2방향으로 배치될 수 있다. 이때, 본 발명의 일실시예에 따른 중심영역이라 함은 절연 보강선(130)의 배치구조에서 양말단을 제외한 내부 영역을 포함하는 개념이다.According to one embodiment of the invention, as shown in Figure 4 may be configured such that the support reinforcement line 135 is formed only in the central portion. In more detail, when the insulation reinforcement line 130 is disposed in the first direction, the support reinforcement line 135 may be disposed in the second direction so as to pass through the center region of the insulation reinforcement line 130. At this time, the central region according to an embodiment of the present invention is a concept including an inner region excluding the sock end in the arrangement structure of the insulation reinforcement line 130.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이 지지 보강선(135)의 중심영역이 단절되고, 상기 다수의 절연 보강선(130)의 일단에 지지 보강선(135)이 제2방향으로 결합되어 'ㄷ'자와 같은 형태가 구성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, the central region of the support reinforcement line 135 is disconnected, and the support reinforcement line 135 is formed at one end of the plurality of insulation reinforcement lines 130. Combination in the second direction can be configured to form a 'c' letter.

또한, 본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 도 6에서와 같이 지지 보강선(135)이 이웃하는 절연 보강선(130)의 양말단에 교차하여 배치되고, 절연 보강선(130) 및 지지 보강선(135)이 상호 직교하도록 배치되어 구성될 수 있다. 즉, 교차하여 배치되는 구조는, 도 6에 도시된 바와 같이 지지 보강선(135)이 절연 보강선(130)을 연결하여 'ㄹ'자와 같이 지그재그의 형태로 배치되는 구조이다.In addition, according to another embodiment of the present invention, as shown in Figure 6, the support reinforcement line 135 is disposed to cross the sock end of the neighboring insulation reinforcement line 130, the insulation reinforcement line 130 and the support The reinforcement line 135 may be disposed to be orthogonal to each other. That is, the structure arranged to cross is a structure in which the support reinforcement line 135 connects the insulation reinforcement line 130 and is arranged in a zigzag form, such as' ′, as shown in FIG. 6.

또한, CSP(Chip Scale Package)와 같이 플랙 패키지(Flat Package)인 경우에는, 도 7에 도시된 바와 같이 반도체 검사 소켓을 도전부 리드가 패키지의 하부 사방으로 평평하게 형성되어 있으므로 절연 보강선(130)을 리드 방향과 평행하게 구성할 수 있다.In addition, in the case of a flat package such as a chip scale package (CSP), as shown in FIG. 7, since the conductive part lead is formed flat on the lower side of the package as shown in FIG. ) Can be configured parallel to the lead direction.

따라서, 본 발명에 따르면 절연 보강선을 일방향으로 평형하게 소켓의 일면에 형성시켜서 반도체 소자의 리드가 눌리게 됨에 따라 절연 보강선이 같이 눌리게 되어, 절연 보강선의 주위에 있는 도전분말들이 압력에 의해 상대적으로 자유롭게 리드와 접촉한다. 그에 따라, 종래에 비하여 접촉 압력의 증가에 따라 접촉면적이 증가하므로 접촉저항이 향상되어 10 내지 20% 적은 압력으로도 보다 안정된 전기적인 접촉이 이루어진다. 따라서, 본 발명에 따르면 반복 접촉에 따른 반도체 검사 소켓의 수명을 향상시키고, 반도체 검사 소켓의 불량 검사율을 줄일 수 있다.Therefore, according to the present invention, the insulation reinforcement wire is formed on one surface of the socket in an equilibrium in one direction so that the insulation reinforcement wire is pressed together as the lead of the semiconductor element is pressed, so that the conductive powders around the insulation reinforcement wire are affected by pressure. Relatively free contact with the lead. As a result, the contact area increases with an increase in contact pressure as compared with the related art, thereby improving contact resistance, thereby achieving more stable electrical contact even at a pressure of 10 to 20% less. Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the life of the semiconductor test socket due to the repeated contact, and to reduce the defective test rate of the semiconductor test socket.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.In the present invention as described above has been described by the specific embodiments, such as specific components and limited embodiments and drawings, but this is provided to help a more general understanding of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments. For those skilled in the art, various modifications and variations are possible from these descriptions. Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .

110: 도전성 실리콘부
120: 절연 실리콘부
130: 절연 보강선
135: 지지 보강선
140: 리드110: conductive silicon portion
120: insulated silicon part
130: insulation reinforcement
135: support reinforcement
140: lead

Claims (11)

반도체소자의 리드가 접촉되는 영역에 형성된 도전성 실리콘부;
상기 도전성 실리콘부를 지지하도록 반도체소자의 리드가 접촉되지 않는 영역에 형성되어 절연층 역할을 하는 절연 실리콘부; 및
상기 도전성 실리콘부의 상기 리드와 접촉되는 영역 내에 형성되는 적어도 하나의 절연 보강선;
을 포함하는 반도체 검사 소켓.A conductive silicon portion formed in an area in which a lead of the semiconductor device contacts;
An insulating silicon part formed in a region where the lead of the semiconductor device is not in contact with the conductive silicon part to serve as an insulating layer; And
At least one insulation reinforcement line formed in an area in contact with the lead of the conductive silicon portion;
Semiconductor inspection socket comprising a. 제1항에 있어서,
상기 절연 실리콘부의 표면 영역 상에서 상기 복수개의 절연 보강선을 연결하는 지지 보강선;
을 더 포함하는 반도체 검사 소켓.The method of claim 1,
A support reinforcement line connecting the plurality of insulation reinforcement lines on the surface area of the insulated silicon portion;
Semiconductor inspection socket further comprising. 제2항에 있어서,
상기 반도체 검사 소켓은,
상기 절연 보강선이 상기 반도체 검사 소켓의 폭의 방향인 제1방향으로 배치되며,
상기 제1방향의 절연 보강선과 직교하는 제2방향으로 배치되는 지지 보강선을 포함하는 반도체 검사 소켓.The method of claim 2,
The semiconductor test socket,
The insulation reinforcing wire is disposed in a first direction, the direction of the width of the semiconductor test socket;
And a support reinforcement line disposed in a second direction perpendicular to the insulation reinforcement line in the first direction. 제2항에 있어서,
상기 반도체 검사 소켓은,
상기 절연 보강선이 상기 반도체 검사 소켓의 폭의 방향인 제1방향으로 배치되며,
상기 제1방향의 절연 보강선과 직교하는 제2방향으로 단절되는 영역이 형성되는 반도체 검사 소켓.The method of claim 2,
The semiconductor test socket,
The insulation reinforcing wire is disposed in a first direction, the direction of the width of the semiconductor test socket;
And a region disconnected in a second direction perpendicular to the insulation reinforcement line in the first direction. 제3항에 있어서,
상기 반도체 검사 소켓은,
상기 다수의 절연 보강선의 일단에 상기 제2방향으로 결합하는 측면 지지 보강선을 더 포함하는 반도체 검사 소켓.The method of claim 3,
The semiconductor test socket,
And a side support reinforcement line coupled to one end of the plurality of insulation reinforcement wires in the second direction. 제5항에 있어서,
상기 측면 지지 보강선은,
상호 이웃하는 절연 보강선의 양말단에 교차하여 배치되는 구조인 반도체 검사 소켓.The method of claim 5,
The side support reinforcement line,
A semiconductor inspection socket having a structure arranged to intersect the sock ends of mutually insulated reinforcing wires. 제2항에 있어서,
상기 절연 보강선 및 지지 보강선은 상호 직교하는 반도체 검사 소켓.The method of claim 2,
And the insulation reinforcement line and the support reinforcement line are perpendicular to each other. 제1항에 있어서,
상기 절연 보강선은,
상기 반도체소자의 리드들 간의 간격에 상응하게 조정되어 상기 도전성 실리콘부의 표면 영역 상에 형성되는 반도체 검사 소켓.The method of claim 1,
The insulation reinforcement wire,
And a semiconductor test socket formed on a surface area of the conductive silicon portion, the semiconductor chip being adjusted to correspond to a gap between the leads of the semiconductor device. 제1항에 있어서,
상기 절연 보강선은,
폭이 0.05 내지 0.15mm, 간격이 0.15 내지 0.25mm, 두께가 0.05 내지 0.3mm인 반도체 검사 소켓.The method of claim 1,
The insulation reinforcement wire,
A semiconductor inspection socket having a width of 0.05 to 0.15 mm, an interval of 0.15 to 0.25 mm, and a thickness of 0.05 to 0.3 mm. 제1항에 있어서,
상기 절연 보강선은,
폴리테트라플루로르에틸렌 계의 불소 수지 섬유, 아라미드 섬유, 폴리이미드 섬유, 폴리아크릴레이트계 섬유, 나일론 섬유, 또는 나노섬유로 구성되는 반도체 검사 소켓.The method of claim 1,
The insulation reinforcement wire,
A semiconductor inspection socket composed of polytetrafluoroethylene-based fluorine resin fibers, aramid fibers, polyimide fibers, polyacrylate-based fibers, nylon fibers, or nanofibers. 제2항에 있어서,
상기 지지 보강선은,
폴리테트라플루로르에틸렌 계의 불소 수지 섬유, 아라미드 섬유, 폴리이미드 섬유, 폴리아크릴레이트계 섬유, 나일론 섬유, 또는 나노섬유로 구성되는 반도체 검사 소켓.The method of claim 2,
The support reinforcement line,
A semiconductor inspection socket composed of polytetrafluoroethylene-based fluorine resin fibers, aramid fibers, polyimide fibers, polyacrylate-based fibers, nylon fibers, or nanofibers.
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