KR101168554B1 - 전자파를 이용한 발전회로 - Google Patents

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마코토 이시다
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Abstract

어떤 부가적인 에너지를 필요로 하지 않는 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다. 생활공간에 존재하는 전자파를 이용하여 발전을 수행한다.

Description

전자파를 이용한 발전회로{POWER GENERATION CIRCUIT USING ELECTROMAGNETIC WAVE}
본 발명은 전자파를 이용하여 전력을 발생 및 저장하는 회로에 관한 것이다.
비접촉 IC 카드의 회로가 종래의 전자파를 이용하는 발전회로의 예로서 도 12에서 도시되었다(예를 들어, JP 3418322B, 도 11 참조).
전자기결합코일(101)과 IC 칩(102)이 비접촉 IC 카드(100)에 실장된다. IC 카드 리더/라이터(103)는 IC 카드(100)의 전자기결합코일(101)을 전자기 결합하기 위한 전자기결합코일(104)을 갖는다.
IC 카드(100)는 전자기 결합을 통해 IC 카드 리더/라이터(103)로부터 공급되는 전력을 이용하여 동작한다.
종래의 전자파를 이용한 발전회로는 전력을 공급하는 수단이 필요하다는 결점이 있다. 또한, 실장시 안테나를 위한 배선 길이에 따라 안테나의 특성이 변화할 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 이루어졌다. 본 발명의 목적은 생활공간을 가득 채우는 전자파로부터 에너지를 수신하여 발전할 수 있는 발전회로를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 전자파를 이용한 발전회로는: 전자파를 수신하는 안테나 또는 코일; 상기 안테나 또는 코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 정류회로; 및 상기 정류회로의 출력을 저장하는 회로를 포함하고, 상기 전자파 에너지를 이용하여 발전이 수행되며; 상기 전자파는 상용 전자파이다.
또한, 본 발명은, 상기 저장회로의 출력과 부하 사이에 인핸스먼트 MOS 트랜지스터의 소스와 드레인이 접속되고; 상기 저장회로와 상기 부하의 접속 제어가 인핸스먼트 MOS 트랜지스터의 임계전압을 이용하여 수행되는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
또, 본 발명은, 상기 실리콘기판에 오목부가 형성되고; 상기 안테나 또는 코일에 상기 실리콘기판의 오목부의 형상과 일치하는 돌출단자가 형성되며; 상기 안테나 또는 코일의 돌출단자를 상기 실리콘기판의 오목부에 삽입하여 상기 안테나 또는 코일과 상기 실리콘기판에 형성된 소자 사이에 전기적인 접속이 이루어지는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
그리고, 본 발명은, 상기 전자파는 생활공간에 존재하는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
또한, 본 발명은: 전자파를 수신하는 안테나 또는 코일; 상기 안테나 또는 코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 정류회로; 상기 정류회로의 출력을 승압하는 승압회로; 상기 승압회로의 출력을 저장하는 저장회로; 상기 저장회로의 전압을 검출하는 검출회로; 및 상기 저장회로와 부하를 접속하는 스위칭회로를 포함하고, 상기 전자파 에너지를 이용하여 발전이 수행되며; 상기 검출회로가 상기 저장회로의 전압이 미리 정해진 전압 이상임을 검출시 상기 스위칭회로가 턴온되어 상기 저장회로와 상기 부하를 접속시키는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
또한, 본 발명은: 전자파를 수신하는 안테나 또는 코일; 상기 안테나 또는 코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 정류회로; 상기 정류회로의 출력을 승압하는 승압회로; 상기 승압회로의 출력을 저장하는 저장회로; 상기 저장회로의 전압을 검출하는 검출회로; 상기 저장회로와 부하를 접속하는 스위칭회로; 및 상기 검출회로로부터의 신호를 입력으로 하는 단안정 멀티바이브레이터 회로를 포함하고, 상기 전자파 에너지를 이용하여 발전이 수행되며; 상기 검출회로가 상기 저장회로의 전압이 정해진 전압 이상임을 검출시 상기 단안정 멀티바이브레이터 회로에 의해 결정되는 정해진 기간 동안 상기 스위칭회로가 턴온되어 상기 저장회로와 상기 부하를 접속하는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
또, 본 발명은: 제1주파수의 전자파를 수신하는 제1안테나 또는 제1코일; 상기 제1안테나 또는 제1코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 제1정류회로; 상기 제1정류회로의 출력을 승압하는 승압회로; 상기 승압회로의 출력을 저장하는 저장회로; 상기 저장회로와 부하를 접속하는 스위칭회로; 상기 제1안테나 또는 제1코일에 의해 수신되는 제1주파수의 전자파와 다른 제2주파수의 전자파를 수신하는 제2안테나 또는 제2코일; 및 상기 제2안테나 또는 제2코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 상기 실리콘기판에 형성된 제2정류회로를 포함하고, 상기 제1안테나 또는 제1코일이 상기 제1주파수의 전자파 에너지를 이용하여 발전을 수행하며; 상기 저장회로에 에너지가 저장되고; 상기 제2안테나 또는 제2코일에 의해, 상기 제1주파수의 전자파와 다른 주파수를 갖는, 제2주파수의 전자파를 수신 후 상기 제2정류회로에 의해 발전이 수행될 때, 상기 스위칭회로가 턴온되어 상기 저장회로와 상기 부하를 접속시키는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
그리고, 본 발명은: 전자파를 수신하는 제1안테나 또는 제1코일; 상기 제1안테나 또는 제1코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 제1정류회로; 상기 제1정류회로의 출력을 승압하는 승압회로; 상기 승압회로의 출력을 저장하는 저장회로; 상기 저장회로와 부하를 접속하는 스위칭회로; 상기 제1안테나 또는 제1코일에 의해 수신되는 전자파의 주파수와 다른 주파수를 갖는 전자파를 수신하는 제2안테나 또는 제2코일; 상기 제2안테나 또는 제2코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 상기 실리콘기판에 형성된 제2정류회로; 및 상기 제2정류회로로부터의 신호를 입력으로 하는 단안정 멀티바이브레이터 회로를 포함하고, 상기 제1안테나와 제1코일 중 하나가 상기 전자파 에너지를 이용하여 발전을 수행하며; 상기 저장회로에는 에너지가 저장되고; 상기 제2안테나 또는 제2코일에 의해, 상기 제1안테나 또는 제1코일에 의해 수신되는 전자파의 주파수와 다른 주파수를 갖는, 전자파를 수신 후 상기 제2정류회로에 의해 발전이 수행될 때, 상기 스위칭회로가 상기 단안정 멀티바이브레이터 회로에 의해 결정되는 정해진 기간 동안 턴온되어 상기 저장회로와 상기 부하를 접속시키는, 전자파를 이용한 발전회로를 제공한다.
본 발명에 따른 전자파를 이용한 발전회로는 발전을 수행하기 위해 특별한 에너지의 발생을 필요로 하지 않아 효과적이다. 본 발명에 따르면, 특정 전자파 에너지 없이 발전할 수 있는 전자파를 이용한 발전회로를 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명에 따른 전자파를 이용한 발전회로를 배터리 없는 전력원을 구성하는 기술로서 사용하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로를 도시한 평면도이고;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로의 예이며;
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이고;
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이며;
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이고;
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이며;
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이고;
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이며;
도 9는 본 발명의 제5실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이고;
도 10은 본 발명의 제6실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이며;
도 11은 본 발명의 제7실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이고;
도 12는 종래의 전자파를 이용한 발전회로의 예이다.
상기한 문제점들을 해결하기 위해서, 본 발명에서는 생활공간에서의 전자파를 이용하여 발전을 수행한다.
본 발명의 실시예들을 도면을 참조로 아래에 설명한다.
(제1실시예)
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다.
안테나 또는 코일(2), 정류회로(1), 및 저장회로(3)가 기판에 실장된다. 예를 들어, 캐패시터가 저장회로(3) 대신에 사용될 수 있다.
도 2는 전자파를 이용한 발전회로의 특정 예를 도시하였다. 안테나(2)로서 역할하는 코일(2), 정류회로(1)로서 역할하는 쇼트키 배리어 다이오드(Schottkey barrier diode)(이하, "SBD"라 칭함) 및 저장회로(3)로서 역할하는 캐패시터(3)가 서로 접속되어 있다.
코일(2)은 휴대전화, TV 방송, 또는 FM 라디오 방송의 전자파와 같은 상용 전자파로부터 공급되는 에너지를 수신한다. SBD(1)는 코일(2)에서 발생되는 전압을 정류하여 전하를 캐패시터(3)로 주입한다.
상용 전자파의 종류와 강도는 장소와 시간에 따라 크게 다르다. 그러나, 이용 가능한 전자파가 작고 미약하더라도, 도 2에 도시된 회로는 캐패시터(3)를 조금씩 충전할 수 있다. 따라서, 전자파가 미약한 장소에서도 캐패시터(3)는 장기간에 걸쳐 충전되어, 전하가 캐패시터에 축적된다. 결론적으로, 캐패시터(3)의 양 단자에 부하를 접속함으로써 캐패시터(3)의 전하를 이용하여 부하를 구동시킬 수 있다.
(제2실시예)
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다.
코일(2), SBD(1), 및 캐패시터(3)가 도 2와 동일하게 접속된다. P채널 MOS 트랜지스터(6)의 소스는 캐패시터(3)의 양의 단자에 접속되고, P채널 MOS 트랜지스터(6)의 드레인은 부하(7)에 접속된다. MOS 트랜지스터(6)의 게이트는 캐패시터(3)의 음의 단자에 접속된다.
이러한 방법으로 접속하면, 캐패시터(3)에 축적한 전압이 MOS 트랜지스터(6)의 임계전압 보다 높게 될 때, MOS 트랜지스터(6)가 턴온되어 부하(7)를 캐패시터(3)에 병렬로 접속시켜서 캐패시터(3)의 에너지가 부하(7)를 구동시킬 수 있다.
캐패시터(3)에 저장된 전하의 전압이 MOS 트랜지스터(6)의 임계값 보다 작을 때는 MOS 트랜지스터(6)가 오프상태이고, 전력이 소비되지 않는다. 이 회로에서는, 전자파에 의해 축적된 전압의 검출이 전력 소비없이 수행될 수 있고, 캐패시터(3)의 전압이 소정전압에 도달할 때 부하의 접속이 제어될 수 있다. MOS 트랜지스터의 임계값의 조정은 캐패시터(3)와 부하(7)를 접속하는 전압의 조정을 가능하게 한다.
또한, 도 4에 도시된 것처럼, 캐패시터(3)와 부하(7)를 접속하기 위한 전압을 조정하는 것도 가능하다; 게이트에 접속된 드레인을 갖는 MOS 트랜지스터(9)가 MOS 트랜지스터(6)의 게이트에 접속되며, 고저항의 저항(10)이 MOS 트랜지스터(6)의 게이트와 소스 사이에 접속된다. 이 회로에서는, 캐패시터(3)가 충전되어 캐패시터(3)의 전압이 MOS 트랜지스터(6)의 임계값과 MOS 트랜지스터(9)의 임계값의 합과 같은 전압에 도달할 때, 캐패시터(3)와 부하(7)의 접속이 이루어진다.
또한, 도 5에 도시된 것처럼, 스위치로서 역할하는 MOS 트랜지스터(11)의 드레인과 소스는 게이트가 드레인에 접속되는 도 4의 MOS 트랜지스터(9)의 드레인과 소스에 각각 접속된다. 캐패시터(3)가 충전되어 MOS 트랜지스터(6)와 MOS 트랜지스터(9)의 임계값의 합과 같은 전압에 도달할 때, 스위치로서 역할하는 트랜지스터(11)가 캐패시터(3)와 부하(7)가 접속되는 순간에 부하(7)에 포함된 제어회로로부터의 신호에 따라 턴온된다. 따라서, 캐패시터(3)와 부하(7) 사이의 접속은 캐패시터(3)의 전압이 MOS 트랜지스터(6)의 임계값 아래로 떨어질 때까지 유지될 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 것처럼, N채널 MOS 트랜지스터(8)가 P채널 MOS 트랜지스터를 대신해서 사용될 수 있다. 이 경우에는, MOS 트랜지스터(8)의 소스가 캐패시터(3)의 네거티브 단자에 접속되고, MOS 트랜지스터(8)의 게이트는 캐패시터(3)의 양의 단자에 접속되며, 부하(7)는 캐패시터(3)의 양의 단자와 MOS 트랜지스터(8)의 드레인에 접속된다. 이러한 구성에서는, 캐패시터(3)의 단자간의 전압이 MOS 트랜지스터(8)의 임계값 보다 높게 될 때, MOS 트랜지스터(8)가 턴온되어서 캐패시터(3)와 부하(7)를 접속한다.
본 발명에 따른 전자파를 이용한 발전회로의 응용으로서, (모터와 같은) 기계 부품 또는 전기 부품의 고장진단이 배터리 없이 행해질 수 있다. 예를 들면, 도 3에서 발전이 가장 효과적인 공진주파수가 기계 부품 또는 전기 부품에 고장이 발생했을 때에 발생되는 전자파의 주파수로 설정된다. 이 경우에는, 기계 부품 또는 전기 부품이 고장났을 때, 어떤 주파수를 갖는 전자파가 발생될 것이다. 전자파를 수신함에 따라, 본 발명에 따른 발전회로가 발전하고, 기계 부품 또는 전기 부품의 이상을 통지하는 회로(부하(7))로 전력이 공급된다. 이러한 방법으로, 기계 부품 또는 전기 부품의 고장진단이 배터리 없이 행해질 수 있다.
(제3실시예)
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다.
정류회로와 캐패시터, 저항, 또는 MOS 트랜지스터와 같은 소자는, 실리콘 플레너 프로세스(Silicon planar process)에 의해 실리콘기판(50)에 제작된다. 또한, 딥 리액티브 이온 에칭(Deep Reactive Ion Etching: DRIE)과 같은 실리콘의 이방성 드라이 에칭(Anisotropic dry etching) 또는 테트라메틸암모늄 수산화물(Tetramethylammonium hydroxide: TMAH)과 같은 물질을 사용하는 이방성 웨트 에칭(Anisotropic wet etching)에 의해 실리콘 기판(50)에 오목부가 형성된다. DRIE에 의해 오목부가 형성될 때, 도 7에 도시된 것처럼, 오목부는 실리콘기판에 대해 실질적으로 수직으로 형성된다. 오목부가 웨트 에칭에 의해 형성될 때, 오목부는 일반적으로 기판에 대해 어떤 각도로 형성된다.
한편, 안테나(2)에는 돌출 단자가 있다. 돌출 단자는 실리콘기판(50)의 오목부내로 삽입된다. 실리콘기판(50)의 오목부의 깊이와 크기는 오목부내로 삽입되는 안테나(2)의 돌출 단자의 크기에 따라 조정된다.
실리콘기판(50)과 안테나(2)의 고정방법의 예로서, 금속 상호접속, 고농도 확산을 이용한 상호접속 또는 폴리실리콘 상호접속이 실리콘기판(50)의 오목부에 미리 형성되어 있고, 상호접속(5)이 실리콘기판(50)의 표면에 형성된 소자에 연결된다. 안테나(2)가 안테나(2)가 오목부내로 삽입될 때 안테나(2)의 단자가 접촉하는 실리콘기판(50)의 오목부내의 일부에 저융점 금속 또는 도전성 접착제(4)가 제공된다. 이 상태로 안테나(2)가 실리콘기판(50)의 오목부내로 삽입되고, 안테나(2)의 돌출 단자와 배선(5)이 도전성 접착제(4)에 의해 전기적으로 접속된다. 결과로서, 안테나(2)가 실리콘기판(50)의 표면에 형성된 소자에 전기적으로 접속된다.
종래기술에서는, 안테나의 수신감도가 안테나와 정류기 사이의 배선 길이에 따라 크게 변화할 수 있다. 그러나, 이러한 구조에서는, 안테나와 반도체소자 사이의 접속이 최소 배선 길이로 만들어질 수 있다. 또한, 전자파를 이용한 발전회로를 더욱 작게 만들 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 휴대폰, TV 방송, 및 FM 라디오 방송으로부터 발생되는 것과 같은 상용 전자파 뿐만 아니라 형광등, 오피스 자동화 장비 등에 의해 발생되는 생활공간을 가득 채우는 전자파를 이용하여 발전할 수 있다. 또한, 기계부품 또는 전기부품의 고장시 발생되는 특정 전자파를 사용한 발전이 가능할 수도 있다.
또, 비록 정류회로와 저장회로의 예가 도 2에 도시되어 있지만, 본 발명은 이들 회로에 제한되지 않는다. 정류기능과 충전기능을 가지는 한 어떠한 수단을 사용하는 어떠한 구성도 채용될 수 있다.
(제4실시예)
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다. 안테나 또는 코일(2)이 전자파를 수신 후 발전이 수행되고, 정류회로(20)가 정류를 수행하여, 교류전압을 직류전압으로 변환하고, 승압회로(21)가 전압레벨을 승압한다. 일반적으로, 전자파가 미약할때는 안테나 또는 코일(2)에 의해 발생되는 전압이 낮으므로, 승압회로(21)가 전압을 부하(7)가 동작할 수 있는 레벨까지 승압한다. 승압된 전압은 저장회로(3)에 축적된다. 전압검출기회로(23)는 저장회로(3)의 전압을 검출한다. 저장회로(3)의 전압이 전압검출회로에 의해 결정되는 임의의 전압까지 증가시, 스위칭회로(24)가 오프에서 온으로 절환되어, 저장회로(3)와 부하(7)를 접속한다.
본 발명에 따르면, 미약한 전자파에 의해 발전이 수행될 때 조차도, 승압기(21)에 의해 전압이 부하를 구동하기에 충분한 레벨로 승압되고, 승압된 전압은 전압검출회로(23)에 의해 검출된다. 전압이 부하를 구동하기에 충분한 전압에 도달한 후에, 스위칭회로(24)를 통해 부하(7)로 전압이 공급된다. 따라서, 부하(7)의 오동작을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 스위칭회로(24)가 턴온되는 순간에 전력이 부하(7)로 공급되고, 저장회로(3)의 전압이 감소하여 스위칭회로(24)를 오프상태로 복귀시킨 후 온상태와 오프상태가 교대로 나타날 수 있는 우려가 있다. 그러나, 전압검출회로(23)에 히스테리시스를 배치하여 이러한 동작을 방지할 수 있다.
(제5실시예)
도 9는 본 발명의 제5실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다. 도 8에 도시된 전자파를 이용한 발전회로와 다른 점은, 전압검출기회로(23)로부터의 출력이 단안정 멀티바이브레이터 회로(25)에 접속되고, 단안정 멀티바이브레이터 회로(25)가 스위칭회로(24)를 제어한다. 즉, 전압검출회로(23)에 의해 검출된 임의의 전압을 갖는 신호에 의해 단안정 멀티바이브레이터(25)에 트리거신호를 주고, 단안정 멀티바이브레이터(25)는 스위칭회로(24)를 미리 설정된 소정 기간 동안 턴온한다.
이러한 구성에 의하면, 부하가 어떤 처리를 수행할 수 있는 처리 기간에 대해서만 스위칭회로(24)가 턴온되도록, 단안정 멀티바이브레이터에서 홀드되는 시간을 설정함으로써, 필요한 기간에 대해서만 부하(7)에 전력을 공급하는 것이 가능하다. 그래서 저장회로(3)의 무효한 에너지 소비를 억제할 수 있다.
(제6실시예)
도 10은 본 발명의 제6실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다. 도 8에 도시된 전자파를 이용한 발전회로와 다른 점은, 전압검출회로(23)의 출력이 아닌, 제2안테나 또는 제2코일(26)에 의해 발생된 전압이, 제2정류회로(27)에 의해 정류되고, 정류된 전압이 스위칭회로(24)를 턴온시킨다.
예를 들어, 제1안테나 또는 제1코일(2), 제1정류회로(20), 및 승압회로(21)가 항상 전자파를 수신하여 저장회로(3)에 전력을 저장하도록 구성된다. 이에 반해, 제2안테나 또는 제2코일(26)은 발전을 위한 특정 주파수를 갖는 전자파에 대해서만 반응하도록 구성된다. 제2안테나에 반응하는 특정 전자파를 공급하고 그 전자파를 수신시, 전력이 부하(7)로 공급될 때에만 스위칭회로(24)에 의해 저장회로(3)와 부하(7)를 접속하는 것이 가능하다.
제2안테나가 효과적으로 발전하는 주파수(공진 주파수)는 기계부품 또는 전기 부품이 고장났을 때 발생되는 전자파의 주파수에 일치하도록 정해진다. 결과로서, 본 발명의 제2안테나는 기계부품 또는 전기부품이 고장났을 때 전기를 생성하여, 부하(7)에 전력을 공급하고; 회로가 기계부품 또는 전기부품의 이상을 통지한다. 결론적으로, 기계부품 또는 전기부품의 고장검출이 배터리 없이 수행될 수 있다.
(제7실시예)
도 11은 본 발명의 제7실시예에 따른 전자파를 이용한 발전회로이다. 도 10에 도시된 전자파를 이용한 발전회로와 다른 점은, 제2안테나 또는 제2코일(26)에 의해 발생되어 제2정류회로(27)에 의해 정류된, 트리거신호를 단안정 멀티바이브레이터(25)에 준다. 스위칭회로(24)는 단안정 멀티바이브레이터(25)에 의해 미리 설정된 기간 동안 턴온된다.
도 10에 도시된 구성에서는, 스위칭회로(24)를 온상태로 유지하기 위해서, 제2안테나가 반응하는 특정 전자파의 발생을 유지할 필요가 있는 반면에, 도 11에 도시된 구성에서는, 특정 전자파의 발생을 유지할 필요가 없다.
1 : 정류회로 2 : 안테나
3 : 저장회로 6 : P채널 MOS 트랜지스터
7 : 부하 8 : N채널 MOS 트랜지스터

Claims (2)

  1. 제1주파수의 전자파를 수신하는 제1안테나 또는 제1코일;
    상기 제1안테나 또는 제1코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 제1정류회로;
    상기 제1정류회로의 출력을 승압하는 승압회로;
    상기 승압회로의 출력을 저장하는 저장회로;
    상기 저장회로와 부하를 접속하는 스위칭회로;
    상기 제1안테나 또는 제1코일에 의해 수신되는 제1주파수의 전자파와 다른 제2주파수의 전자파를 수신하는 제2안테나 또는 제2코일; 및
    상기 제2안테나 또는 제2코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 상기 실리콘기판에 형성된 제2정류회로를 포함하고,
    상기 제1안테나 또는 제1코일이 상기 제1주파수의 전자파 에너지를 이용하여 발전을 수행하며; 상기 저장회로에 에너지가 축적되고; 상기 제2안테나 또는 제2코일에 의해, 상기 제1주파수의 전자파와 다른 주파수를 갖는, 제2주파수의 전자파를 수신 후 상기 제2정류회로에 의해 발전이 수행될 때, 상기 스위칭회로가 턴온되어 상기 저장회로와 상기 부하를 접속시키는, 전자파를 이용한 발전회로.
  2. 전자파를 수신하는 제1안테나 또는 제1코일;
    상기 제1안테나 또는 제1코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 실리콘기판에 형성된 제1정류회로;
    상기 제1정류회로의 출력을 승압하는 승압회로;
    상기 승압회로의 출력을 저장하는 저장회로;
    상기 저장회로와 부하를 접속하는 스위칭회로;
    상기 제1안테나 또는 제1코일에 의해 수신되는 전자파의 주파수와 다른 주파수를 갖는 전자파를 수신하는 제2안테나 또는 제2코일;
    상기 제2안테나 또는 제2코일로부터의 신호를 정류하기 위해, 상기 실리콘기판에 형성된 제2정류회로; 및
    상기 제2정류회로로부터의 신호를 입력으로 하는 단안정 멀티바이브레이터 회로를 포함하고,
    상기 제1안테나 또는 제1코일이 상기 전자파 에너지를 이용하여 발전을 수행하며; 상기 저장회로에는 에너지가 저장되고; 상기 제2안테나 또는 제2코일에 의해, 상기 제1안테나 또는 제1코일에 의해 수신되는 전자파의 주파수와 다른 주파수를 갖는, 전자파를 수신 후 상기 제2정류회로에 의해 발전이 수행될 때, 상기 스위칭회로가 상기 단안정 멀티바이브레이터 회로에 의해 결정되는 정해진 기간 동안 턴온되어 상기 저장회로와 상기 부하를 접속시키는, 전자파를 이용한 발전회로.
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