KR101155295B1 - 쌍안정성 강유전성 액정 디바이스 - Google Patents

쌍안정성 강유전성 액정 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR101155295B1
KR101155295B1 KR1020087028068A KR20087028068A KR101155295B1 KR 101155295 B1 KR101155295 B1 KR 101155295B1 KR 1020087028068 A KR1020087028068 A KR 1020087028068A KR 20087028068 A KR20087028068 A KR 20087028068A KR 101155295 B1 KR101155295 B1 KR 101155295B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
optical device
substrates
electro
crystal electro
Prior art date
Application number
KR1020087028068A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080112384A (ko
Inventor
오마르 파루크
테리 빅터 클랩
후미토 니시다
러셀 케이쓰 킹
안토니 버나드 데이비
조나단 폴 해닝턴
준영 장
윌리엄 올던 크로스랜드
환 쉬
Original Assignee
캠브리지 엔터프라이즈 리미티드
다우 코닝 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캠브리지 엔터프라이즈 리미티드, 다우 코닝 코포레이션 filed Critical 캠브리지 엔터프라이즈 리미티드
Publication of KR20080112384A publication Critical patent/KR20080112384A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101155295B1 publication Critical patent/KR101155295B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
    • C09K19/0225—Ferroelectric
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
    • C09K19/406—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
    • C09K19/406—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing silicon
    • C09K19/408—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/03—Viewing layer characterised by chemical composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

본 발명은 액정 전기광학 디바이스에 관한 것이다. 상기 액정 전기광학 디바이스는, 사이에 간극이 있는 한 쌍의 기판; 상기 기판들 중의 한 쪽에 한 쌍으로 배치되어 있거나 상기 기판 각각에 하나씩 배치되어 있는 한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 기판 사이의 간극에 배치되고 I→SmC* 상 서열을 나타내는 강유전성 올리고실록산 액정 물질 포함하는 하나 이상의 액정 셀을 포함하며, 상기 액정 전기광학 디바이스는 작동시에 쌍안정성이다. 또한, 본 발명은 액정 전기광학 디바이스의 제조방법을 포함한다.
액정 전기광학 디바이스, 쌍안정성, 강유전성, 올리고실록산, 편광자

Description

쌍안정성 강유전성 액정 디바이스{Bistable ferroelectric liquid crystal devices}
본 발명은 일반적으로 액정 디바이스, 특히 성능이 개선된 액정 디바이스에 관한 것이다.
강유전성 액정(FLC: ferroelectric liquid crystal) 전기광학 디바이스는 매우 빠른 응답 시간과 쌍안정성과의 조합을 나타내는 잠재력으로 인하여 상당히 주목받고 있다. 이러한 물질을 기본으로 하는 키랄 스멕틱 C(SmC*) 상 액정 및 전기광학 디바이스는 다수의 광범위한 총론 및 교본, 예를 들면, 문헌[참조: "Ferroelectric Liquid Crystals - A Unique State of Matter," D.M. Walba, Advances in the Synthesis and Reactivity of Solids, Volume 1, 173-235, 1991; "Ferroelectric and Antiferroelectric Liquid Crystals," S.T. Lagerwall, Ferroelectrics, 301, 15-45, 2004; Chapter 9 "Optical properties of ferroelectric and antiferroelectric liquid crystals," The Optics of Thermotropic Liquid Crystals, Edited by S. Elston and R. Sambles, 1998]에 상세히 기재되어 있다. 빠른 전기광학 응답 및 쌍안정성의 조합은 디스플레이 패널, 투사 디바이스, 공간 광 변조기 등과 같은 용도에 사용하기 위한 광범위한 디바이스의 개발에 상당한 가능성을 갖는다. 그러나, 이러한 디바이스의 상품화는 다수의 기술적 문제로 인하여 제한되어 왔다.
당해 분야의 초기 문헌에는 양호한 쌍안정성을 나타낼 수 있는 전단-정렬된(shear-aligned) 얇은 셀이 기재되어 있다[참조: N. A. Clark and S.T. Lagerwall, "Submicrosecond bistable electro-optic switching in liquid crystals," Appl. Phys. Lett. 36, 899-901 (1980)]. 키랄 스멕틱 C 액정을 기본으로 하는 전기광학 디바이스로의 현재 허용되는 수단은 "키랄 스멕틱 C 또는 H 액정 광학 디바이스"라는 제목으로 미국 특허 제4,367,924호에 기재되어 있는 바와 같은, 표면 안정화된 강유전성 액정 디바이스이다. 상기 디바이스에서 액정에 인접한 디바이스의 내부 표면 위에 정렬 막(alignment film)이 사용되어 액정 상의 평면 정렬을 생성시킨다. 이러한 디바이스 내에서의 액정 층의 이상적 배향(orientation)은 소위 "서가(bookshelf)" 구조이다. 이러한 디바이스는 종종 액정 물질 또는 혼합물을 사용하여, 냉각시에 "등방성(I) →키랄 네마틱(N*) →키랄 스멕틱(SmA*) →키랄 스멕틱 C(SmC*)"의 상 서열(phase sequence)을 나타낸다.
그러나, 상기 서가 구조는 기계적으로 취약하며 불안정하다. 온도 일탈 또는 기계적 충격에 의해 조심스럽게 제조된 서가의 기하학적 배치가 붕괴될 수 있다는 점으로 인하여, 이러한 취약성은 서가의 기하학적 배치를 기본으로 하는 디바이스의 개발을 방해하였으며, 이것을 배치한 디바이스에서의 개선은 실제로 불가능하다. 위에 기술된 바와 같이, 조절된 온도 구배는 물질을 목적하는 액정 상 서열을 통해 재냉각시킬 수 있고, 따라서 서가 구조를 형성하는데 필요할 것으로 예상된다.
조절된 조건하에도 서가 구조는 대부분의 키랄 스멕틱 C 물질에 의해 용이하게 달성되지는 않는다. 상기 물질이 키랄 스멕틱 A 상으로부터 키랄 스멕틱 C 상으로 냉각되는 경우, 분자의 경사(tilting)로 인해 스멕틱 층 간격이 축소되어, V형(chevron) 구조 및 소위 "지그-재그 결함"의 형성을 초래하며, 이는 셀의 전기광학 성능을 열화시킨다. 경우에 따라, 전기장 처리를 사용하여 V형 구조를 "유사-서가(pseudo-book shelf)" 구조로 전환시킬 수 있지만, 이러한 구조를 형성하는 것은 어렵고 디바이스의 저장 또는 작동 과정에서 V형 구조로 복귀할 수 있다. 실제로, FLC 제조업자는 V형 구조를 디바이스에 사용하고, 이로 인해 콘트라스트 저하에 따르는 불이익 및 쌍안정성의 희생을 수용한다.
서가의 기하학적 배치 취약성 및 V형 구조의 형성, 이에 수반하는 지그-재그 결함에 관련된 복잡성에도 불구하고, 고속 스위칭, 넓은 시야각, 키랄 스멕틱 C 상을 나타내는 액정을 기본으로 한 "쌍안정성(bistable)" 전기광학 디바이스를 언급하는 문헌이 다수 존재한다. 강유전성 액정 디바이스의 전기광학 성능에 관한 능력을 최대한으로 하는데는 장기간 사용이 가능하고 "진정한 광학적 쌍안정성"을 나타내야 한다. 드브리스 스멕틱 A(DeVries Smectic A) 상을 나타내는 물질을 사용한 강유전성 액정 디바이스라는 제목의 미국 특허 제6,870,163 B1호에는 "진정한 광학적 쌍안정성"은 키랄 스멕틱 C 상을 나타내는 소수의 액정에 대해서만 수득된다고 보고되어 있으며, 이러한 물질은, 키랄 스멕틱 A에서의 키랄 스멕틱 C 상으로의 전이 과정에서 스멕틱 층의 제한된 수축으로 인하여 키랄 스멕틱 C 상 위에 드브리스 SmA* 상을 나타내는 물질의 예임을 추가로 기록하고 있다.
미국 특허 제5,748,164호 및 제6,507,330 B1호에서는 쌍안정성이 아닌 강유전성 전기광학 디바이스에서의 디바이스 성능의 열화를 강조한다. 실제로, 데이터 프레임은 역 화상 프레임의 적용에 의해 DC 밸런스 조절되고, 이에 의해 구동 설계는 복잡해지고 휘도가 손상된다. "진정한 광학적 쌍안정성"을 나타내는 강유전성 액정 디바이스는 재배향(reorientation) 동안에 전기장의 인가만을 필요로 하고, 따라서 어드레싱 설계의 복잡성을 상당히 감소시키고, 조도 및 디바이스의 전력 효율을 증가시킨다.
따라서, 진정으로 쌍안정성인 액정 전기광학 디바이스 및 당해 디바이스의 제조 방법이 필요하다.
본 발명은 진정으로 쌍안정성인 액정 전기광학 디바이스를 제공하여, 필요성에 부합한다. 본 발명의 액정 전기광학 디바이스는 사이에 간극(gap)이 있는 한 쌍의 기판; 상기 기판들 중의 한 쪽에 한 쌍으로 배치되어 있거나 상기 기판 각각에 하나씩 배치되어 있는 한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 기판 사이의 간극에 배치되고 I→SmC* 상 서열을 나타내며 화학식 1의 화합물이 아닌 강유전성 올리고실록산 액정 물질을 포함하는 하나 이상의 액정 셀을 포함하며, 상기 액정 전기광학 디바이스는 작동시에 쌍안정성이다.
Figure 112008079227526-pct00001
위의 화학식 1에서,
R은 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 또는
Figure 112008079227526-pct00002
그룹이고,
R'는 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹이고,
T는 OOC 또는 COO이고,
X는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 알킬 그룹, 또는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 할로겐 치환된 알킬 그룹이고,
Y는 F이고,
m은 0, 1 또는 2이고,
p는 1, 2, 3 또는 4이고,
n은 10, 11 또는 12이다.
"올리고실록산 액정 물질"은 하나 이상의 액정 상을 나타내는 올리고실록산-유기 하이브리드 물질을 의미한다.
본 발명의 또 다른 측면은 액정 디바이스의 제조 방법이다. 당해 방법은, 표면에 한 쌍의 전극을 갖는 한 쌍의 기판을 제공하는 단계(이때 한 쌍의 전극은 상기 기판 중의 한 쪽에 배치되어 있거나 상기 기판 각각에 하나씩 배치되어 있고, 한 쌍의 기판은 그 사이에 간극이 있다); 상기 한 쌍의 기판 사이의 간극에, I→SmC* 상 서열을 나타내며 화학식 1의 물질이 아닌 강유전성 올리고실록산 액정 물질을 제공하는 단계; 제1 전기장을 인가하고, 상기 액정 디바이스를, 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질을 냉각시키면서 정렬시키거나 강유전성 올리고실록산 액정 물질이 SmC* 상인 상태로 정렬시키거나 두 방법 모두로 정렬시킴으로써, 단일영역(monodomain)을 생성시키는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 액정 전기광학 디바이스는 작동시에 쌍안정성이다.
화학식 1
Figure 112008079227526-pct00003
위의 화학식 1에서,
R은 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 또는
Figure 112008079227526-pct00004
그룹이고,
R'는 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹이고,
T는 OOC 또는 COO이고,
X는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 알킬 그룹, 또는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 할로겐 치환된 알킬 그룹이고,
Y는 F이고,
m은 0, 1 또는 2이고,
p는 1, 2, 3 또는 4이고,
n은 10, 11 또는 12이다.
도 1은 본 발명 디바이스의 한 양태의 횡단면도이다.
도 2는 70℃에서 층 회전 속도의 주파수 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 실시예 2의 화합물 2A의 쌍안정성 프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 3의 화합물 1A의 쌍안정성 프로파일을 나타내는 그래프이다.
전기광학적 쌍안정성은 특정한 FLC 디스플레이의 수동적으로 다중화되는(passively multiplexed)(즉, 각각의 화소에 트랜지스터 회로를 배치하지 않고 작동하는) 현저한 능력을 근거로 한다. 견고한 쌍안정성을 나타내는 표면 정렬을 달성하는 것은 대면적 FLC 디스플레이 패널의 개발에 있어 주요한 불확정 요소이다. 규소 상의 액정(LCoS: liquid crystal on silicon) FLC 디바이스는 통상적으로 쌍안정성에 의존하지 않으며, 주기적으로 광원을 꺼야 한다. 본 발명의 셀은 진정으로 쌍안정하므로, 이들은 연속적으로 유효한 화상을 가질 수 있다.
또한, 쌍안정성은 정보 저장 또는 집적용 디바이스, 예를 들면, 홀로그래피 시스템용 초고해상도 디스플레이용의 광 수신되는 공간 광 변조기에서의 FLC의 사용시에도 요구된다. 전기통신 용도의 래칭 스위치(latching switch)도 쌍안정성을 필요로 한다.
한 양태에서, 본 발명은 등방성에서 SmC*로의 직접적인 상 전이를 나타내는 강유전성 올리고실록산 액정 물질을 함유하는 고속 스위칭이 가능한 쌍안정성 전기광학 디바이스에 관한 것이다. 등방성에서 키랄 스멕틱 C(I to SmC*)로의 직접적인 상 전이를 나타내는 열방성(thermotropic) 액정은, 분자의 위치 질서가 없는 상태(I)로부터, 광학 활성 분자가 층에 정렬된, 디렉터(또는 평균적 분자 배향)가 통상의 층(SmC*)에 대해 θ의 각도로 경사된 층상 상태로 직접 이행하는 물질로서 정의된다. SmC* 상의 존재는 일반적으로, 문헌[참조: Gray and Goodby, "Smectic Liquid Crystals - Textures and Structures," 1984]에 기재된 바와 같이, X선 회절, 현미경에 의한 조직 및 혼화성의 연구를 사용함으로써 확인된다. 상기 기술과 함께 문헌[참조: Miyasato et al., Jpn. J. Appl. Phys. 22, L661 (1983)]에 기재된 바와 같은 삼각파 형태를 사용한 전류 역전 기술을 사용한 자발 편광 재배향 피크의 검출을 사용하여 SmC* 상의 존재를 확인할 수 있다. 여기서 "쌍안정성"은 액정의 2가지 가능한 스위칭 상태의 실질적 완화(relaxation)가 전기장의 제거 후에 관찰되지 못함을 의미한다.
강유전성 올리고실록산 액정 물질은 당해 분야에 공지된 방법을 사용하여 정렬시킬 수 있다. 본 발명의 사용은, 쌍안정성 스위칭에 요구되는 정렬을 생성시키기 위한 가열 또는 냉각 주기를 필요로 하지 않는다. 디바이스를 제조한 후에 재정렬을 수행하여, 디바이스를 복구할 수 있다.
강유전성 올리고실록산 액정 물질을 정렬하여 결함이 거의 없고 높은 콘트라스트 비를 갖는 대형 영역(domain)을 제조할 수 있다. 상기 물질의 경사각은 온도에 의해 크게 변화되지 않는 것이 바람직하고, 이 경우, 활성 온도 보정에 대한 필요성을 최소화할 수 있다.
필요한 경우, 강유전성 올리고실록산 액정 물질은 다른 강유전성 액정 물질과 배합할 수 있다. 다른 강유전성 액정 물질은 50% 이하, 또는 20% 이하, 또는 5% 이하의 양으로 포함될 수 있다.
본 발명의 한 측면에 따라, 쌍안정성 액정 셀이 제공된다. 도 1은 통상적인 디바이스를 도시한다. 강유전성 올리고실록산 액정 물질(17)을 2개의 기판(10)과 기판(11) 사이에 배치한다. 이러한 기판은 유리, 규소, 유기 중합체 또는 무기 중합체와 같은 적합한 물질로부터 제조할 수 있다. 디바이스의 종류에 따라, 기판들 중의 하나 또는 둘 다가 투명할 수 있다.
기판(10) 및 기판(11)의 내부 표면은, 전극(12) 및 전극(13)을 갖고, 이들 전극은, 예를 들면, 알루미늄 또는 산화주석인듐(ITO)이고, 선택된 영역에 적용할 수 있다. 각각의 기판에 전극이 하나씩 존재할 수 있거나, 기판들 중의 한 쪽에 한 쌍의 전극이 존재할 수 있다(단, 필요한 전극은 한 쌍뿐이다). 전극들 중의 하나 또는 둘 다는 디바이스의 종류에 따라 투명하다. 그렇지 않으면, 줄무늬 전기장(fringing field)을 제공하는 전극이 존재할 수 있고, 이에 의해 전기광학적 효과를 조절할 수 있다. 필요한 경우, 전극의 내부 표면은 패시베이션 층으로 도포할 수 있다.
(액정 물질에 인접한) 전극의 내부 표면, 또는 줄무늬 전기장 디바이스의 경우는 기판의 내부 표면이 정렬층(14) 및 정렬층(15)로 도포되어 전기장 정렬, 층 배향 및 SmC* 상의 스위칭을 용이하게 할 수 있다. 정렬층은 유기 물질 도막 또는 무기 물질 도막일 수 있다. 적합한 정렬층은 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화규소, 실란 및 폴리실란을 포함하지만 이로 제한되지 않는다. 정렬층은 러빙(rubbing), 연신(stretching), 침착(deposition) 및 엠보싱을 포함한 당해 분야에 공지된 임의의 방법에 의해 형성될 수 있으나, 이로 제한되지 않는다. 정렬층은 단일영역(즉, "서가")이 형성되고 쌍안정성 스위칭이 관찰되도록 돕는다.
스페이서(16)는 기판(10)과 기판(11)을 분리시키고, 셀 두께를 한정한다. 밀봉층(18)을 사용하여 액정 물질을 셀 안에 보유시킨다. 본 발명의 액정 전기광학 디바이스는 통상적으로 0.5 내지 10㎛ 범위인 셀 간극을 갖는다.
적층된 디바이스는 서로에 대해 90도(광학 축)로 배향된 편광자(19)와 편광자(20) 사이에 배치되어, 액정이 2가지 상태로 스위칭되면, 명 상태 또는 암 상태를 생성할 수 있다. 도 1에 도시된 디바이스는 투과 방식 디바이스이다. 당해 분야의 전문가에게 공지된 또 다른 편광자 배위를 투과 방식 및 반사 방식 디바이스에 사용할 수 있다.
액정 셀은 액티브 매트릭스식의 직시형 FLC 평면 패널 디스플레이, 패시브 매트릭스식의 직시형 FLC 디스플레이 및 규소 상의 액정(LCoS) 디바이스를 포함하는 디바이스에 사용할 수 있지만 이로 제한되지 않는다.
적합한 올리고실록산 액정 물질은 다음을 포함하지만 이로 제한되지 않는다.
이중 한 가지 화합물은 화학식 2를 갖는 것이다.
Figure 112008079227526-pct00005
위의 화학식 2에서,
R은 W 또는 CdH(2d+1) 이고, 여기서, d는 1 내지 10이고, W는
Figure 112008085408445-pct00006
,
Figure 112008085408445-pct00007
, 피리미딘 또는 톨란이고;
R' 및 R"는 독립적으로 CrH(2r+1) (여기서, r은 1 내지 4이다) 및 페닐 그룹으로부터 선택되고;
c는 1 내지 10이고;
n은 3 내지 14이고;
a는 0 또는 1이고;
m은 1 또는 2이고;
s는 1 또는 2이고;
q는 0 또는 1이고,
T는 O, COO, OCO, CH=N, N=CH, CF2O, OCF2, NHCO 또는 CONH이고;
Y는 독립적으로 H, 할로겐, NO2, CN, CH3 및 CF3로부터 선택되고;
L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되고;
Q는 O, COO 또는 OCO이고;
b는 0 또는 1이고;
X는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 알킬 그룹 또는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 할로-치환된 알킬 그룹이다.
상이한 종류의 올리고실록산 액정 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, 각종 메소젠(mesogen)이 실록산에 결합된 것이다(AB형). 실록산이 동일한 종의 2개의 메소젠에 결합된 대칭 시스템(ABA형)을 사용할 수 있다. 2종의 상이한 메소젠이 실록산에 결합된 비대칭 시스템(ABC형) 또한 사용할 수 있다.
적합한 화합물의 한 가지 예를 다음에 개시한다.
Figure 112008079227526-pct00008
'고체'→44℃ →SmC* →87℃ →이소
이와 같은 예 및 이후의 예에서 상 분류로서 "고체"를 사용하는데, 이것은 50V/㎛ 미만의 전기장을 인가하여 1초의 시간 척도 이내에 강유전성 스위칭이 관찰되지 않는 상을 뜻하는 것이다.
에스테르를 기본으로 하는 적합한 화합물의 또 다른 예는 다음과 같다.
Figure 112008079227526-pct00009
위의 화학식 3에서,
Z는
Figure 112008079227526-pct00010
이고,
f는 6 내지 8이다.
적합한 화합물의 또 다른 종류는 화학식 4의 터페닐이다.
Figure 112008079227526-pct00011
위의 화학식 4에서,
R은 W 또는 CdH(2d+1) 이고, 여기서, d는 1 내지 10이고, W는
Figure 112008085408445-pct00012
,
Figure 112008085408445-pct00013
, 피리미딘 또는 톨란이고;
R' 및 R"는 독립적으로 CrH(2r+1) (여기서, r은 1 내지 4이다) 및 페닐 그룹으로부터 선택되고;
c는 1 내지 10이고;
n은 3 내지 14이고;
a는 0 또는 1이고;
L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되고;
m은 1 또는 2이고;
s는 1 또는 2이고;
q는 0 또는 1이고,
T는 O, COO, OCO, CH=N, N=CH, CF2O, OCF2, NHCO 또는 CONH이고;
Y는 독립적으로 H, 할로겐, NO2, CN, CH3 및 CF3로부터 선택되고;
Q는 O, COO 또는 OCO이고;
b는 0 또는 1이고;
X는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 알킬 그룹 또는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 할로-치환된 알킬 그룹이다.
적합한 올리고실록산 액정 물질을 제공하는 다른 종류의 화합물은 피리미딘 또는 톨란을 포함하지만 이로 제한되지 않는다.
본 발명을 사용하여, 정렬층으로서 폴리아미드(나일론)를 사용한 경우의 쌍안정성 스위칭을 입증하였다. 작은 결함은 전기장 처리에 의해 용이하게 복구된다.
디바이스가 초기 상태로 정렬될 수 있도록 FLC 직시형 디스플레이 또는 규소 상의 액정(LCoS) 디바이스에 적당한 전압을 이용할 수 있다. 이와 같은 물질은 전기장을 사용하여 효과적으로 SmC* 상으로 정렬하여, 결함(예: 도메인의 경계 및 무작위로 정렬된 도메인)이 최소한으로 되는 균일하게 정렬된 단일영역을 형성할 수 있다. 이러한 물질이 균일하게 정렬된 경우, LC 매질은 적합한 배향으로 회전될 수 있고, 필요한 경우, 동일 반응계 내에서 회복될 수 있다.
최초 셀 정렬을 위해 방형파 전기장을 사용할 수 있다. 적절한 배향을 수득하기 위해 단일영역을 회전시키는 것이 필요한 경우, 일반적으로 비대칭 파형이 적용되지만, 화합물 자체에 최적인 범위가 변하는 것을 나타내기 위해 전기장 변수(예: 파형, 진폭, 주파수, 직류 옵셋 등)를 조심스럽게 고려하는 것이 중요하다. 통상적으로 전기장은 약 10Hz 내지 약 25kHz 범위의 값을 갖는 주파수에서 약 1 내지 약 25V/㎛ 범위의 값을 갖는다. 본 발명에서, 쌍안정성은 회전 후에도 유지된다.
실시예 1
3개의 올리고실록산-터페닐 메소젠에 대한 데이터를 표 1에 제시한다. 전기장을 사용하여 정렬되고 회전된 디바이스를 사용하여 경사각 및 자발적 편광도를 측정하였다. 반평행 러빙된 나일론 정렬층을 갖고 3 내지 4.5㎛의 셀 간극을 갖는 액정 시험 셀을 사용하였다.
Figure 112008079227526-pct00014
실시예 2
화합물 2A를 함유하는 시험 셀(n=1; 이소→87℃ →SmC* →44℃ →고체; θ 약 45°)을, 반평행 러빙된 나일론 정렬층을 가지며 1.5 내지 3.5㎛의 다양한 간극을 갖는 셀을 충전시켜 제조하였다. 휴렛 팩카드(Hewlett Packard) 33120A 함수 발생기로 인가 전압을 발생시키고, 휴렛 팩카드 6827A 쌍극성 전원 장치/증폭기로 증폭시켰다. 비커스 포토플랜(Vickers Photoplan) 편광 현미경을 사용하여 층의 재배향 공정을 관찰하였다. 인스텍(Instec) STC200로 제어되는 인스텍 HCS302 핫 스테이지를 사용하여 샘플의 온도를 조절하였다. 대칭적 방형파 전압을 사용하여 등방성 상으로부터 투명점 이하의 온도로 냉각시에 단일 도메인 서가 구조가 형성되었다. 정렬 전기장의 진폭은 냉각 공정 중의 온도에 따라 200Hz 내지 2kHz의 주파수로 5 내지 8V/㎛ 범위였다. 정렬 공정 후에 단일 도메인이 육안으로 확인되었다.
화합물 2A에서 비대칭 AC 파형을 인가하여 층 회전을 유도하였다. 층 회전을 동일 반응계 내에서 현미경을 사용하여 모니터링하였다. 모든 파형이 직류 평형이 되도록 선택하였다. 다수의 상이한 주파수에서 18V/㎛ 이하의 전기장 진폭을 사용하였다. 도 2에 도시된 바와 같이, 회전 속도는 인가된 전압의 주파수에 의존하였다. 50V 피크 전압 톱니파를 3.5㎛ 두께의 셀에 인가하였다(약 14.3V/㎛). 최적 주파수는 70℃에서 약 3kHz인 것으로 밝혀졌으며, 이는 온도 저하에 따라 더욱 낮은 주파수로 이동하였다. 50℃에서, 1kHz의 주파수는 3kHz보다 효율적으로 회전하였다. 당해 층은 동일한 진폭이지만 반대 방향인 비대칭 파형을 인가함으로써 회전하여, 최초 위치로 돌아가는 것으로 밝혀졌다. 또한, 간단한 대칭적 방형 파형도 층을 회전시켜 원래 상태로 돌아가게 하는 것으로 밝혀졌다. 회전 후에, 펄스간의 지연이 2.5ms 및 47.5ms인 펄스 폭을 갖는 쌍극성 펄스를 적용함으로써 쌍안정성을 확인하였다(도 3).
화합물 2A의 화학적 구조
Figure 112008079227526-pct00015
실시예 3
실록산계 강유전성 액정 화합물 1A를 합성하였다. 이 화합물은 냉각시에 이소→80℃ →SmC* →32℃ →고체의 상 서열을 나타냈다. 상기 화합물을, 정렬층으로서 반평행 러빙된 나일론 6으로 도포된 내부 표면을 갖는 2개의 산화주석인듐(ITO) 도포된 유리 기판 사이에 놓고, 스페이서 비드를 사용하여 셀의 간극 크기를 3 내지 4.5㎛로 조절하였다.
시험 디바이스를 광검출기, 디지털 카메라, 및 인스텍 STC200에 의해 제어되는 인스텍 HCS302 핫 스테이지가 장착된 교차 편광 투과 현미경(Olympus BX51)에 놓았다. 시험 셀을 구동시키기 위해 테크트로닉스(Tektronix) AFG3101 범용 신호 발생기로부터의 아웃풋을 FLC F20A로 증폭시켰다. 현미경 위에 설치된 광검출기를 통해 광 신호를 테크트로닉스 TDS3034B 오실로스코프로 모니터링하였다.
다양한 조건의 대칭적 방형파를 사용하여 등방성 상으로부터 투명점 이하의 온도로 냉각하는 경우에 단일 영역 서가 구조를 형성시켰다. 정렬 전기장의 진폭은 8 내지 18V/㎛ 범위이며, 이때 주파수는 500Hz 내지 3kHz였다. 정렬 공정 후에 단일 도메인의 존재를 육안으로 확인하였다. 경사각(θ), 응답 시간(τr) 및 자발 분극(Ps)을 측정하고, 수득된 특성을 표 2에 나타내었다. 당해 화합물에 대한 쌍안정성 프로파일을, 펄스간 지연이 50㎲ 및 6.5ms인 펄스 폭을 갖는 쌍극성 펄스를 적용하여 확인하였으며, 프로파일을 도 4에 도시하였다.
화합물 1A의 화학적 구조
Figure 112008079227526-pct00016
Figure 112008079227526-pct00017
본 발명을 예시할 목적으로 특정한 대표적 양태 및 상세한 설명을 개시하였으나, 당해 분야의 전문가에게는 본 발명의 범위를 이탈하지 않으면서 다양한 변화가 이루어질 수 있음이 명백하고 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위로 정의된다.

Claims (27)

  1. 하나 이상의 액정 셀을 포함하는 액정 전기광학 디바이스로서,
    상기 액정 셀이,
    사이에 간극이 있는 한 쌍의 기판;
    상기 기판들 중의 한 쪽에 한 쌍으로 배치되어 있거나 상기 기판 각각에 하나씩 배치되어 있는 한 쌍의 전극; 및
    상기 한 쌍의 기판 사이의 간극에 배치되고 I→SmC* 상 서열을 나타내는 강유전성 올리고실록산 액정 물질인 하나의 액정 물질을 포함하며,
    상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질이 화학식 2의 화합물로부터 선택되고,
    상기 액정 전기광학 디바이스가 작동시에 쌍안정성인, 액정 전기광학 디바이스.
    화학식 2
    Figure 112011097077185-pct00032
    위의 화학식 2에서,
    R은 W 또는 CdH(2d+1) 이고, 여기서, d는 1 내지 10이고, W는
    Figure 112011097077185-pct00033
    , 피리미딘 또는 톨란이고;
    R' 및 R"는 독립적으로 CrH(2r+1) (여기서, r은 1 내지 4이다) 및 페닐 그룹으로부터 선택되고;
    c는 1 내지 10이고;
    n은 3 내지 14이고;
    a는 0 또는 1이고;
    m은 1 또는 2이고;
    s는 1 또는 2이고;
    q는 0 또는 1이고;
    T는 O, CH=N, N=CH, CF2O, OCF2, NHCO 또는 CONH이고;
    Y는 독립적으로 H, 할로겐, NO2, CN, CH3 및 CF3로부터 선택되고;
    Q는 O, COO 또는 OCO이고;
    b는 0 또는 1이고;
    X는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 알킬 그룹 또는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 할로-치환된 알킬 그룹이다.
  2. 제1항에 있어서, 하나 이상의 상기 기판이 내부 표면 위에 정렬층을 갖는, 액정 전기광학 디바이스.
  3. 제2항에 있어서, 상기 정렬층이 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리테트라플루오로에틸렌, 산화규소, 실란 및 폴리실란으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스.
  4. 제2항에 있어서, 상기 정렬층이 패턴화된 것인, 액정 전기광학 디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판 각각에 하나의 전극이 존재하는, 액정 전기광학 디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 하나 이상의 상기 전극이 내부 표면의 선택된 영역을 커버하는, 액정 전기광학 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 하나 이상의 상기 전극이 투명 전극인, 액정 전기광학 디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 하나 이상의 상기 기판이 투명한, 액정 전기광학 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 간극이 0.5 내지 10㎛인, 액정 전기광학 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 기판에 인접하고, 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질과는 반대편인 기판 면 위에 한 쌍의 편광자를 추가로 포함하는, 액정 전기광학 디바이스.
  11. 제1항에 있어서, 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질이 강유전성 액정 물질과 배합되어 있는, 액정 전기광학 디바이스.
  12. 제1항에 있어서, 상기 올리고실록산 액정 물질의 경사각이 20°이상인, 액정 전기광학 디바이스.
  13. 제1항에 있어서, 액티브 매트릭스식의 직시형 FLC 평면 패널 디스플레이, 패시브 매트릭스식의 직시형 FLC 평면 패널 디스플레이 및 규소 상의 액정(LCoS) 디바이스로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스.
  14. 제1항에 있어서, n이 11 내지 14인, 액정 전기광학 디바이스.
  15. 제1항에 있어서, 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질이
    Figure 112011097077185-pct00040
    로서 선택되고, 여기서, L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스.
  16. 제1항에 있어서, W가
    Figure 112011097077185-pct00041
    로서 선택되고, 여기서, L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스.
  17. 제15항에 있어서, W가
    Figure 112011097077185-pct00042
    로서 선택되고, 여기서, L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스.
  18. 액정 전기광학 디바이스의 제조방법으로서,
    상기 방법이,
    표면에 한 쌍의 전극을 갖는 한 쌍의 기판을 제공하는 단계로서, 이때 한 쌍의 전극은 상기 기판 중의 한 쪽에 한 쌍으로 배치되거나 상기 기판 각각에 하나씩 배치되고, 한 쌍의 기판은 그 사이에 간극이 있는 단계;
    상기 한 쌍의 기판 사이의 간극에, I→SmC* 상 서열을 나타내는 강유전성 올리고실록산 액정 물질인 하나의 액정 물질을 제공하는 단계; 및
    제1 전기장을 인가하고, 상기 액정 디바이스를, 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질을 냉각시키면서 정렬시키거나 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질이 SmC* 상인 상태로 정렬시키거나 두 방법 모두로 정렬시킴으로써, 단일영역(monodomain)을 생성시키는 단계를 포함하며,
    상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질이 화학식 2의 화합물로부터 선택되는 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
    화학식 2
    Figure 112011097077185-pct00038
    위의 화학식 2에서,
    R은 W 또는 CdH(2d+1) 이고, 여기서, d는 1 내지 10이고, W는
    Figure 112011097077185-pct00039
    , 피리미딘 또는 톨란이고;
    R' 및 R"는 독립적으로 CrH(2r+1) (여기서, r은 1 내지 4이다) 및 페닐 그룹으로부터 선택되고;
    c는 1 내지 10이고;
    n은 3 내지 14이고;
    a는 0 또는 1이고;
    m은 1 또는 2이고;
    s는 1 또는 2이고;
    q는 0 또는 1이고;
    T는 O, CH=N, N=CH, CF2O, OCF2, NHCO 또는 CONH이고;
    Y는 독립적으로 H, 할로겐, NO2, CN, CH3 및 CF3로부터 선택되고;
    Q는 O, COO 또는 OCO이고;
    b는 0 또는 1이고;
    X는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 알킬 그룹 또는 하나 이상의 키랄 중심을 갖는 할로-치환된 알킬 그룹이다.
  19. 제18항에 있어서, 제2 전기장을 인가하여 상기 단일영역을 회전시키는 단계를 추가로 포함하는, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 액정 전기광학 디바이스에 제3 전기장을 인가하여 상기 디바이스 내의 결함을 복구시키는 단계를 추가로 포함하는, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 제1 전기장이 방형파 전기장인, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 제1 전기장이 1 내지 25V/㎛인, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 제1 전기장의 주파수가 10Hz 내지 25kHz인, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  24. 제19항에 있어서, 상기 제2 전기장이 비대칭 파형 전기장인, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  25. 제18항에 있어서, 상기 강유전성 올리고실록산 액정 물질이
    Figure 112011097077185-pct00043
    로서 선택되고, 여기서, L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  26. 제18항에 있어서, W가
    Figure 112011097077185-pct00044
    로서 선택되고, 여기서, L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, W가
    Figure 112011097077185-pct00045
    로서 선택되고, 여기서, L은 독립적으로 H 및 할로겐으로부터 선택되는, 액정 전기광학 디바이스의 제조방법.
KR1020087028068A 2006-04-17 2007-04-12 쌍안정성 강유전성 액정 디바이스 KR101155295B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79240906P 2006-04-17 2006-04-17
US60/792,409 2006-04-17
PCT/US2007/009035 WO2007123844A1 (en) 2006-04-17 2007-04-12 Bistable ferroelectric liquid crystal devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080112384A KR20080112384A (ko) 2008-12-24
KR101155295B1 true KR101155295B1 (ko) 2012-06-13

Family

ID=38430413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087028068A KR101155295B1 (ko) 2006-04-17 2007-04-12 쌍안정성 강유전성 액정 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8025937B2 (ko)
EP (1) EP2010626B1 (ko)
JP (1) JP5037604B2 (ko)
KR (1) KR101155295B1 (ko)
CN (1) CN101443434B (ko)
CA (1) CA2648893C (ko)
WO (1) WO2007123844A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101443434B (zh) 2006-04-17 2013-12-04 陶氏康宁公司 双稳态铁电液晶器件
JP4650408B2 (ja) 2006-12-19 2011-03-16 ソニー株式会社 液晶材料、液晶表示素子及び液晶光空間変調素子
WO2009051598A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Dow Corning Corporation Oligosiloxane-modified liquid crystal formulations and devices using same
EP2217680B1 (en) * 2007-10-26 2011-11-30 Dow Corning Corporation Oligosiloxane modified liquid crystal formulations and devices using same
GB0823013D0 (en) * 2008-12-18 2009-01-28 Cambridge Entpr Ltd Wide temperature-range smectic liquid crystall materials
CN101773814B (zh) * 2010-01-21 2012-03-14 高婧 多稳态微流控器件
US9758726B2 (en) 2013-07-12 2017-09-12 Lg Chem, Ltd. Liquid crystal cell
KR101588529B1 (ko) 2013-07-12 2016-01-25 주식회사 엘지화학 쌍안정 액정 패널
KR102126680B1 (ko) * 2016-05-23 2020-06-25 주식회사 엘지화학 신규 액정 화합물 및 이의 용도
US20240112753A1 (en) 2022-09-29 2024-04-04 Illumina, Inc. Target-variant-reference panel for imputing target variants

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5686021A (en) * 1994-10-04 1997-11-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Liquid crystal display device, methods of producing and driving the liquid crystal display device, and liquid crystal composition

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4367924A (en) * 1980-01-08 1983-01-11 Clark Noel A Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device
US4563059A (en) * 1983-01-10 1986-01-07 Clark Noel A Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices
DE3068983D1 (en) 1980-01-10 1984-09-27 Noel A Clark Chiral smectic liquid crystal electro-optical device and process of making the same
JP2513742B2 (ja) * 1987-12-01 1996-07-03 株式会社東芝 液晶材料
DE3856314T2 (de) * 1987-12-18 1999-09-23 Canon Kk Mesomorphische Verbindung, Flüssigkristallzusammensetzung und Flüssigkristallvorrichtung
JPH01268785A (ja) * 1988-04-21 1989-10-26 Toshiba Corp 液晶材料
JPH01304125A (ja) * 1988-06-02 1989-12-07 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 液晶性オルガノポリシロキサン
JP3100014B2 (ja) * 1991-12-10 2000-10-16 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
EP0599289B1 (en) * 1992-11-25 1998-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition and liquid crystal device
GB9301883D0 (en) * 1993-01-30 1993-03-17 Dow Corning Liquid crystal siloxanes and device elements
GB9301895D0 (en) 1993-01-30 1993-03-17 Dow Corning Liquid crystal siloxanes and device elements
GB9318776D0 (en) * 1993-09-10 1993-10-27 Dow Corning Liquid crystal devices
GB9417480D0 (en) 1994-08-31 1994-10-19 Secr Defence Ferroelectric liquid crystal devices
JPH08160373A (ja) * 1994-10-04 1996-06-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 液晶表示素子とその製造法及び駆動方法、並びに液晶組成物
US5748164A (en) * 1994-12-22 1998-05-05 Displaytech, Inc. Active matrix liquid crystal image generator
US5702637A (en) * 1995-04-19 1997-12-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Liquid crystal compounds having a chiral fluorinated terminal portion
US6294109B1 (en) * 1995-06-13 2001-09-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ferroelectric and electroclinic liquid crystal materials with sub-ambient temperature stability, broad operation range, and fast dynamic response
GB9606768D0 (en) 1996-03-29 1996-06-05 Secr Defence Liquid crystal materials and devices
GB9607259D0 (en) 1996-04-01 1996-06-12 Secr Defence Liquid crystal macrocycles
GB9619094D0 (en) * 1996-09-12 1996-10-23 Toshiba Kk Liquid crystal material and liquid crystal display device using the same
US6132819A (en) * 1997-12-23 2000-10-17 Massachusetts Institute Of Technology Microphase stabilized ferroelectric liquid crystals
WO1999040145A1 (fr) * 1998-02-09 1999-08-12 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Particules fines d'organopolysiloxane, procede de production de ces dernieres, et affichages a cristaux liquides
US6507330B1 (en) * 1999-09-01 2003-01-14 Displaytech, Inc. DC-balanced and non-DC-balanced drive schemes for liquid crystal devices
US6870163B1 (en) * 1999-09-01 2005-03-22 Displaytech, Inc. Ferroelectric liquid crystal devices using materials with a de Vries smectic A phase
US6783812B2 (en) * 2000-12-15 2004-08-31 Displaytech, Inc. Alkyl silane liquid crystal compounds
US6737124B2 (en) * 2000-12-15 2004-05-18 Displaytech, Inc. Liquid crystal compounds having a silane tail with a perfluoroalkyl terminal portion
GB0122190D0 (en) 2001-09-14 2001-10-31 Qinetiq Ltd Novel compounds
GB0126844D0 (en) * 2001-11-08 2002-01-02 Qinetiq Ltd Novel compounds
GB0126849D0 (en) 2001-11-08 2002-01-02 Qinetiq Ltd Novel compounds
US6838128B1 (en) * 2002-02-05 2005-01-04 Displaytech, Inc. High polarization dopants for ferroelectric liquid crystal compositions
GB0319269D0 (en) * 2003-08-16 2003-09-17 Davey Anthony B Bistable ferroelectric liquid crystal devices using siloxane oligomers
CN101443434B (zh) 2006-04-17 2013-12-04 陶氏康宁公司 双稳态铁电液晶器件
EP2217680B1 (en) 2007-10-26 2011-11-30 Dow Corning Corporation Oligosiloxane modified liquid crystal formulations and devices using same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5686021A (en) * 1994-10-04 1997-11-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Liquid crystal display device, methods of producing and driving the liquid crystal display device, and liquid crystal composition

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007123844A1 (en) 2007-11-01
CA2648893C (en) 2013-06-04
KR20080112384A (ko) 2008-12-24
CN101443434B (zh) 2013-12-04
JP5037604B2 (ja) 2012-10-03
CN101443434A (zh) 2009-05-27
EP2010626A1 (en) 2009-01-07
JP2009533720A (ja) 2009-09-17
EP2010626B1 (en) 2012-11-21
CA2648893A1 (en) 2007-11-01
US20090185129A1 (en) 2009-07-23
US8025937B2 (en) 2011-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101155295B1 (ko) 쌍안정성 강유전성 액정 디바이스
KR101073722B1 (ko) 액정 표시 소자
US8368831B2 (en) Oligosiloxane modified liquid crystal formulations and devices using same
JPS60203692A (ja) 液晶組成物
KR101468525B1 (ko) 올리고실록산-개질된 액정 제형 및 이를 사용하는 디바이스
EP1660611B1 (en) Bistable ferroelectric liquid crystal cells and devices using siloxane oligmomers and the use thereof
US6351301B1 (en) Smectic liquid crystal which enables grayscale display, and liquid crystal using the same
KR100654082B1 (ko) 단안정성 강유전성 활성 매트릭스 디스플레이 및 이의 제조방법
O'Callaghan et al. Bistable FLCOS devices for doubled‐brightness micro‐projectors
KR100354351B1 (ko) 액정조성물및이것을함유한액정소자
Xu et al. A new class of bookshelf bistable siloxane modified ferroelectric LC materials with electrical repairability in an LCoS configuration
JP2004086116A (ja) 高コントラスト比液晶表示素子の製造方法
JPH05216003A (ja) 液晶組成物
JPH11246860A (ja) スメクチック液晶組成物及び液晶表示素子
JPH10279943A (ja) スメクチック液晶組成物および液晶表示素子
JPH08245519A (ja) 反強誘電性液晶組成物
JPH10237447A (ja) 強誘電性液晶組成物、強誘電性液晶素子及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee