KR101147437B1 - 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 - Google Patents

저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101147437B1
KR101147437B1 KR1020110065539A KR20110065539A KR101147437B1 KR 101147437 B1 KR101147437 B1 KR 101147437B1 KR 1020110065539 A KR1020110065539 A KR 1020110065539A KR 20110065539 A KR20110065539 A KR 20110065539A KR 101147437 B1 KR101147437 B1 KR 101147437B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
electrode
alignment control
crystal alignment
transparent
Prior art date
Application number
KR1020110065539A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110084867A (ko
Inventor
사카에 다나카
토시유키 사메지마
Original Assignee
미쿠니 일렉트론 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쿠니 일렉트론 컴퍼니 리미티드 filed Critical 미쿠니 일렉트론 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20110084867A publication Critical patent/KR20110084867A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101147437B1 publication Critical patent/KR101147437B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/13712—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering the liquid crystal having negative dielectric anisotropy
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0202—Addressing of scan or signal lines
    • G09G2310/0218—Addressing of scan or signal lines with collection of electrodes in groups for n-dimensional addressing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0283—Arrangement of drivers for different directions of scanning

Abstract

액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치는 TFT가 형성된 TFT 기판상의 드레인 전극과 연결되는 투명 화소 전극; 상기 투명 화소 전극 상에 형성되는 투명 절연막; 및 상기 투명 절연막상에 형성되고, 가늘고 긴 슬릿(slender) 형태를 갖고, 상호 평행한 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극을 포함하고, 상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 투명 화소 전극과 연결되고, 상기 제 2 액정 배향 제어 전극은 상기 투명 TFT 기판상에 형성되는 공통 전극과 연결되며, 투명 공통 전극은 상기 투명 TFT 기판과 마주하는 대향 투명 기판의 대향면에 위치되고, 상기 투명 TFT 기판은 상기 투명 TFT 기판상에 형성되는 공통 전극과 연결된다.

Description

저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치{Low-Cost Large-Screen Wide-Angle Fast-Response Active Matrix Liquid Crystal Display Apparatus}
본 발명은 하프톤 노광법을 이용하여 만들어진 대화면 광시야각 액정 표시 장치에 관한 것이다.
MVA 모드 수직 배향 방식 액정 표시 장치에 있어서 액정 분자의 배향 방향을 제어하는 기구로서 배향 방향 제어 전극이 일본 특개평07-230097과 특개평11-109393과 일본 특허 공개 제2001-042347이 개시되어 있다.
종래의 배향 방향 제어 전극을 이용한 액정 패널의 구조는 작은 화소에 대응한 것으로서, 배향 방향 제어 전극은 1종류밖에 사용하고 있지 않고 화소 전극의 프린지 필드 효과를 이용하고 있기 때문에 화소가 커졌을 때에는 이용할 수 없는 것이었다.
현재 주류를 이루고 있는 MVA 모드 수직 배향 방식 액정 표시 장치에서는 CF 기판측에 배향 방향 제어용의 범프나, 슬릿전극이 이용되고 있는데, 이 방식의 경우 화소가 커져도 대응할 수 있으나 CF 기판의 비용이 상승하여 저가격의 대화면 액정 TV를 제조함에 있어서는 장애가 되고 있다.
본 발명의 목적은 TFT 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 제조에 있어서 TFT 액티브 매트릭스 기판과 칼라 필터 기판의 포토리소그래피 공정의 회수를 저감하여 제조공정을 단축화함으로써 제조비용을 절감하고 또한 수율을 향상시키는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 화소마다 TFT가 형성되는 투명 TFT 기판상에 형성되고, 상기 TFT의 드레인 전극과 연결되는 투명 화소 전극, 주사선 및 공통 전극들; 상기 투명 화소 전극 상부에 형성되는 투명 절연막; 상기 투명 절연막 상에 형성되는 영상 신호선; 상기 화소내에 형성되는 2개의 액정 배향 제어 전극; 및 상기 TFT 기판과 대향되도록 위치되며, 상기 TFT 기판상의 공통 전극과 연결되는 투명 공통 전극을 포함하며, 상기 액정 배향 제어 전극들은 슬렌더(slender) 형태를 갖고, 상호 평행하며 상기 투명 절연막 상부에 형성되는 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극으로 구성되고, 상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 화소내의 상기 투명 화소 전극과 연결되고, 상기 제 2 액정 배향 제어 전극은 상기 화소내의 상기 공통 전극과 연결되며, 상기 투명 화소 전극은 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극들보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되고, 상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 제 2 액정 배향 제어 전극보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되며, 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 상기 화소내에서 교대로 배치된다.
또한, 상기 액정 표시 장치는 대향 기판을 더 포함하며, 상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 제 2 액정 배향 제어 전극보다 상기 대향 기판에 근접하게 배치된다.
상기 영상 신호선, 상기 투명 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 하나의 화소의 상기 투명 화소 전극의 중심에서 90도로 절곡되고, 상기 주사선에 대해 45도 방향으로 배열될 수 있다.
또한, 상기 액정 표시 장치는 대향 기판을 더 포함하고, 상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 제 2 액정 배향 제어 전극보다 상기 대향 기판에 근접하게 위치되고, 상기 영상 신호선, 상기 투명 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 한 화소의 상기 투명 화소 전극의 중심에서 90도로 절곡되고, 상기 주사선에 대해 45도 방향으로 배열된다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화소마다 TFT가 형성되는 투명 TFT 기판상에 형성되는 투명 화소 전극, 주사선들, 및 공통 전극; 상기 투명 화소 전극상에 형성되는 투명 절연막; 상기 투명 절연막 상에 형성되는 영상 신호들; 상기 TFT 기판과 대향하는 위치에 배치되며 상기 공통 전극과 연결되는 투명 공통 전극; 및 상기 화소내에 위치되는 두 개의 액정 배향 제어 부재를 포함하고, 상기 투명 화소 전극은 상기 투명 TFT 기판상에 형성되는 드레인 전극에 연결되고, 제 1의 액정 배향 제어 부재는 상기 투명 화소 전극내에 형성되는 슬릿이고, 제 2의 액정 배향 제어 부재는 상기 투명 절연막 상에 형성되는 액정 배향 제어 전극들이며, 상기 슬릿 및 상기 액정 배향 제어 전극들은 슬렌더(slender) 형태이면서 상호 평행하며, 상기 액정 배향 제어 전극은 상기 화소의 투명 화소 전극과 연결되고, 상기 투명 화소 전극은 상기 액정 배향 제어 전극보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되고, 상기 액정 배향 제어 전극은 슬렌더 형태의 상기 슬릿 보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되고, 상기 액정 배향 제어 전극 및 상기 슬렌더 형태의 슬릿은 상기 화소내에서 교대로 배치된다.
상기 영상 신호선, 상기 투명 화소 전극, 상기 액정 배향 제어 전극 및 상기 슬릿은 상기 투명 화소 전극의 중심에서 90도로 절곡되며, 상기 주사선에 대해 45도를 이루도록 배열된다.
또한, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 하기의 수단을 이용한다.
[수단 1]
디스크리네이션 라인이 불안정해져 움직이지 않도록 2종류의 배향 방향 제어 전극을 절연막을 개재하여 화소 전극의 상층에 배치하고, 화소 전극과 대향하는 공통전극과의 사이에, 상기 2종류의 다른 배향 방향 제어 전극에 의해 음의 유전율 이방성 액정 분자의 쓰러지는 방향을 정밀하게 제어할 수 있도록 하였다.
[수단 2]
1종류의 배향 방향 제어 전극을 절연막을 개재하여 화소 전극의 상층에 배치하고, 화소 전극에는 가늘고 긴 슬릿을 형성하며, 이 2개의 배향 방향 제어 기구들을 이용하여 음의 유전율 이방성 액정분자의 쓰러지는 방향을 정밀하게 제어할 수 있도록 하였다.
[수단 3]
수단 1, 수단 2에서 이용하고 있는 배향 방향 제어 전극 중 화소 전극에 연결되어 있는 것을 가능한 한 대향 기판측에 근접하도록 하였다.
[수단 4]
수단 1, 수단 2에서 이용되고 있는 배향 방향 제어 기구를 화소의 중앙 부근에서 90도로 굴곡시킴으로써 이상적인 4 도메인 배향을 실현할 수 있도록 하였다.
[수단 5]
TFT 어레이 기판의 제조 프로세스에 하프톤 노광법을 도입함으로써 포토리소그래피 공정의 회수를 줄이도록 하였다.
[수단 6]
기본 단위 화소를 2개의 서브픽셀로 분할하고 공통 전극을 영상 신호선에 나란히 배치하고 홀수번째와 짝수번째의 공통 전극에 다른 극성의 신호를 주사 기간마다 전환함으로써 2개의 서브픽셀의 액정 분자로 인가되는 실효 전압에 차이가 발생하도록 하였다.
도 1, 도 2가 현재 주류를 이루고 있는 MVA 모드 액정 대형 TV 패널의 단면 원리도이다. 상하 기판의 양방에 수직 배향된 음의 유전율 이방성 액정 분자의 동작 방향을 제어하기 위한 기구가 설치되어 있다. 이 방식의 액정 패널에서는 디스크리네이션 라인은 확실히 고정되어 있어 움직이는 경우가 없으므로 표시얼룩의 발생이 거의 없으므로 표시 품위가 높은 액정 패널을 고수율로 생산할 수 있다. 그러나 도 1, 도 2의 구조에서는, TFT 기판에 대향하는 CF 기판측에, 액정 배향 방향 제어용 슬릿 또는 액정 배향 방향 제어용 범프를 형성해야 하므로 CF 기판의 생산 비용은 TN 모드용 CF 기판에 비해 상승하게 된다. CF 기판의 비용을 낮추기 위해서는 액정 배향 제어 기능을 모두 TFT 기판측에 설치할 수 있다.
대향 CF 기판측에 배향 방향 제어 기능을 부여하지 않은 예로서 도 75, 도 76, 도 77, 도 78, 도 79, 도 80, 도 81 등이 이미 특허로서 공개되어 있으나, 이들 모두는 대형 기판용으로서는 사용할 수 없다. 이러한 종래기술들은 화소가 작은 경우에 밖에 이용할 수 없다. 화소 전극의 프린지 필드 효과를 이용하고 있으므로 액정 TV용의 큰 화소 전극에는 적용할 수 없다.
본 발명에서는 도 3, 도 4에 도시된 바와 같은 2개의 기본 구조에서 TFT 기판측에 모든 액정 배향 방향 제어 기능을 부여하는 것에 성공하고 있다. 도 3에서는, TFT 기판측에 2종류의 다른 액정 배향 제어 전극을 화소 전극과 대향 기판의 공통 전극과의 사이에 설치함으로써 도 5에 도시된 바와 같은 등전위 분포를 구현하는 데에 성공하고 있다. 도 4에서는 TFT 기판측의 화소 전극에 배향 방향 제어용 슬릿과, 화소 전극과 대향 기판의 공통 전극과의 사이에 1종류의 배향 방향 제어 전극을 배치함으로써 도 6에 도시된 바와 같은 등전위 분포를 구현하는 데에 성공하고 있다. 도 6의 변형 타입으로서 도 7과 같은 구조에서도 유사한 등전위 분포를 구현할 수 있다.
도 5, 도 6, 도 7을 통해 알 수 있는 바와 같이, 화소 전극의 상층에 설치된 화소 전극에 연결되어 있는 액정 배향 방향 제어 전극이 대향하는 CF 기판의 공통 전극에 근접하면 할수록 TFT 기판의 화소 전극의 상층에 절연막을 개재하여 형성되어 있는 다른 하나의 다른 종류의 액정 배향 방향 제어 전극이 화소 전극과 구현하는 등전위 분포도와 비슷해져 간다. 화소 전극에 연결되어 있지 않은 액정 배향 방향 제어 전극은 대향 기판의 공통 전극과 같은 전위에 접속되어 있기 때문이다.
액정 셀갭이 5㎛ 이상으로 큰 경우에는 본 발명이 채용한 액정 배향 방향 제어 전극을 TFT 기판의 화소 전극에 연결하는 구조는 거의 효과가 없으나, 액정 셀갭이 3㎛ 이하가 되면 효과가 커지고 2.5㎛ 이하인 경우에는 액정 분자의 배향 방향을 제어하기에 충분한 등전위 분포도를 구현할 수 있다.
수단 1, 수단 2를 이용함으로써 박막 트랜지스터 어레이 기판측에 모든 배향 방향 제어 기능을 부여할 수 있게 되므로 CF 기판측에 배향 방향 제어용 범프나 슬릿을 형성할 필요가 없어져 저렴한 CF 기판으로 MVA 모드 액정 패널을 제조할 수 있게 되어 비용 절감과 수율 향상이 가능해진다.
수단 3을 이용함으로써 화소 전극에 접속된 배향 방향 제어 전극이 대향 기판에 근접함으로써, 수직 배향되어 있는 음의 유전율 이방성 액정 분자에 작용하는 전계의 회전모멘트를 크게 할 수 있으므로 고속 응답을 실현할 수 있다.
수단 4를 이용함으로써 불필요한 디스크리네이션 라인의 발생을 감소시킬 수 있어 화면 전체의 광의 투과율을 향상시킬 수 있고 얼룩 발생이 적은 액정 패널을 실현할 수 있다.
수단 1, 수단 2, 수단 5를 이용함으로써, CF 기판측의 가공비뿐만 아니라 박막 트랜지스터 어레이 기판의 가공비도 감소시킬 수 있게 되어 MVA 모드 액정 패널의 제조비용을 대폭 감소킬 수 있게 된다. 생산 효율도 향상되어 수율도 대폭적으로 향상된다.
수단 5, 수단 6을 이용함으로써 상당히 단순한 프로세스로 액정 배향 제어 기구를 만들 수 있으며 매우 간단한 회로로 감마 커브 보정을 실현할 수 있게 되므로 MVA 모드 액정 표시 장치의 표시 품질 향상을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
도 1은 종래의 MVA 액정 모드 패널의 단면도이고,
도 2는 종래의 MVA 액정 모드 패널의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 MVA 액정 모드 패널의 단면도이고,
도 4는 본 발명의 MVA 액정 모드 패널의 단면도이고,
도 5는 본 발명의 MVA 액정 모드 패널의 원리 설명도이고,
도 6은 본 발명의 MVA 액정 모드 패널의 원리 설명도이고,
도 7은 본 발명의 MVA 액정 모드 패널의 원리 설명도이고,
도 8은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 9는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 10은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 11은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 12는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 13은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 14는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 15는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 16은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 17은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 18은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 19는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 20은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 21은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 22는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 23은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 24는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 25는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 26은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 27은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 28은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 29는 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 30은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 31은 본 발명의 MVA 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 32는 본 발명의 필드 시퀀셜 구동 방식 MVA 모드 액정 패널의 TFT 어레이 기판의 회로 모델도이고,
도 33은 본 발명의 도 32의 MVA 모드 액정 패널의 인가 신호 전압과 휘도의 관계도이고,
도 34는 본 발명의 도 32의 MVA 모드 액정 패널의 구동 파형도이고,
도 35는 본 발명의 표시 화면을 상하 2분할한 필드 시퀀셜 구동 방식 MVA 모드 액정 패널의 TFT 어레이 기판의 회로 모델도이고,
도 36은 본 발명의 화면을 상하로 분할하여 화면의 중앙에서 상하를 향해 데이터를 기입해 나가는 필드 시퀀셜 구동 방식의 설명도이고,
도 37은 본 발명의 화면을 상하로 분할하여 화면의 상하로부터 중앙을 향해 데이터를 기입해 나가는 필드 시퀀셜 구동 방식의 설명도이고,
도 38은 본 발명의 화면을 상하로 분할하여 화면의 중앙에서 상하를 향해 데이터를 기입해 나가는 필드 시퀀셜 구동 방식의 설명도이고,
도 39는 본 발명의 화면을 상하로 분할하여 화면의 상하로부터 중앙을 향해 데이터를 기입해 나가는 필드 시퀀셜 구동 방식의 설명도이고,
도 40은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 41은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 42는 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 43은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 44는 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 45는 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 46은 본 발명의 필드 시퀀셜 구동 방식 횡전계 모드 액정 패널의 TFT 어레이 기판의 회로 모델도이고,
도 47은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 48은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 완성 단면도이고,
도 49는 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 50은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 51은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 52는 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 53은 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 54는 본 발명의 횡전계 방식 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 55는 본 발명의 도 46의 횡전계 방식 액정 패널의 구동 파형도이고,
도 56은 본 발명의 표시 화면을 상하 2분할한 필드 시퀀셜 구동 방식 횡전계 모드 액정 패널의 TFT 어레이 기판의 회로 모델도이고,
도 57은 본 발명의 MVA 모드 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 58은 본 발명의 MVA 모드 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 59는 본 발명의 MVA 모드 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 60은 본 발명의 MVA 모드 액정 패널용 TFT 어레이 기판의 기본 단위 화소의 단면도이고,
도 61은 본 발명의 하프톤 노광법 프로세스를 이용하여 콘택 패드를 구비한 화소 전극을 형성하기 위한 프로세스 플로우 단면도이고,
도 62는 본 발명의 하프톤 노광법 프로세스를 이용하여 콘택 패드를 구비한 화소 전극을 형성하기 위한 프로세스 플로우 단면도이고,
도 63은 본 발명의 하프톤 노광법을 이용한 박막 트랜지스터 소자의 반도체층의 섬(island)화와 콘택홀 형성의 프로세스 플로우 단면도이고,
도 64는 본 발명의 소스 전극, 드레인 전극, 단자 전극, 빗살형 공통 전극의 형성 프로세스 플로우 단면도이고,
도 65는 본 발명의 하프톤 노광법을 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 프로세스 플로우 단면도이고,
도 66은 본 발명의 횡전계 방식 액티브 매트릭스 기판의 기본 단위 화소의 중앙에 존재하는 화소 중앙 공통 전극의 구조 설명도이고,
도 67은 본 발명에서 이용하는 하프톤 노광용 포토마스크의 원리 설명도이고,
도 68은 본 발명에서 이용하는 하프톤 다중 노광법의 원리 설명도이고,
도 69는 본 발명의 하프톤 다중 노광법을 최초 포토리소그래피 공정에서 이용하는 경우에 필요하게 되는 얼라인먼트 마크이고,
도 70은 하프톤 다중 노광법에서 이용하는 얼라인먼트 마크를 유리 기판의 내부에 펄스 레이저로 형성하는 원리도이고,
도 71은 종래의 하프톤 노광법을 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 프로세스 플로우 단면도이고,
도 72는 종래의 하프톤 노광법을 이용한 박막 트랜지스터 기판의 주사선부와 화소 전극과 단자부를 동시에 형성하는 프로세스 플로우 단면도이고,
도 73은 종래의 하프톤 노광법을 이용한 박막 트랜지스터 소자의 반도체층의 섬(island)화와 화소 전극과 단자부의 완전 노출화의 프로세스 플로우도이고,
도 74는 도 72, 도 73으로 이어지는 박막 트랜지스터 소자 제조 공정에서 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 종래의 프로세스 플로우 설명도이고,
도 75는 종래의 화소 전극상에 주사선과 연결되어 있는 배향 제어 전극이 형성되어 있는 TFT 어레이 기판의 단면 구조도이고,
도 76은 도 75의 TFT 어레이 기판의 평면도이고,
도 77은 종래의 화소 전극상에 공통 전극에 접속되어 있는 1종류의 배향 제어 전극만이 형성되어 있는 수직 배향 모드의 셀 단면도이고,
도 78은 종래의 대향 고체 전극상에 화소 전극에 접속되어 있는 1종류의 배향 제어 전극만이 형성되어 있는 수직 배향 모드의 셀 단면도이고,
도 79는 화소 전극상에 1종류의 배향 제어 전극만이 형성되어 있는 종래의 TFT 어레이 기판의 단면 구조도이고,
도 80은 화소 전극상에 1종류의 배향 제어 전극만이 형성되어 있는 종래의 TFT 어레이 기판의 단면 구조도이고,
도 81은 종래의 화소 전극 상에 1 종류의 배향 제어 전극만이 형성되어 있는 TFT 어레이 기판의 단면 구조도이고,
도 82는 본 발명의 하프톤 노광법을 2회 이용하는 MVA 모드용 TFT 어레이 기판의 3회 포토리소그래피 공정의 프로세스 설명도이고,
도 83은 본 발명의 하프톤 노광법을 2회 이용하는 MVA 모드용 TFT 어레이 기판의 3회 포토리소그래피 공정의 프로세스 설명도이고,
도 84는 본 발명의 하프톤 노광법을 3회 이용하는 IPS 모드용 TFT 어레이 기판의 3회 포토리소그래피 공정의 프로세스 설명도이고,
도 85는 본 발명의 하프톤 노광법을 3회 이용하는 FFS 모드용 TFT 어레이 기판의 3회 포토리소그래피 공정의 프로세스 설명도이다.
[실시예 1]
도 24, 도 26은 본 발명의 실시예 1의 TFT 기판의 평면도이다. 화소 전극의 상층에 2종류의 다른 배향 방향 제어 전극이 형성되어 있으며, 화소의 중앙부에 배치되어 있는 배향 방향 제어 전극은 게이트 전극과 나란하게 배치되어 있는 공통 전극에 접속되어 있다. 이 배향 방향 제어와는 다른 별도의 종류의 배향 방향 제어 전극은 화소 전극의 내부에 설치되어 있는 콘택 패드를 통해 화소 전극에 접속되어 있다. 도 57, 도 59가 실시예 1의 화소의 단면이다. 가능한 한 대향 기판의 공통 전극에 근접시키기 위해 화소 전극에 접속되어 있는 배향 방향 제어 전극의 높이를 높이기 위한 고안이 이루어지고 있다.
도 24, 도 26의 TFT 부분의 단면도가 도 8, 도 9, 도 11, 도 20이다. 본 발명의 경우 화소 전극의 상층에 액정 배향 방향 제어 전극을 형성하기 위해 화소 전극은 가능한 한 하층에 구성해야 한다. 이를 위해 최초의 포토리소그래피 공정으로 화소 전극을 형성하는 것에 특징이 있다. 도 82에 도시된 3회 포토리소그래피 공정이 도 8에서는 사용되고 있다. 본 발명에서는 프로세스를 가능한 한 단축하기 위해 하프톤 노광법을 채용하고 있다. 도 67이나 도 68에 도시된 바와 같은 노광법을 이용하여 현상 후에 포지티브 레지스트의 두께를 2종류 이상 발생시키는 점에 특징이 있다.
도 82에 도시된 3회 포토리소그래피 공정의 최초 포토리소그래피 공정에서는 게이트 전극, 화소 전극, 공통 전극, 화소 전극 내 콘택 패드가 형성된다. 이 최초 공정에서는 도 61과 도 62의 두 가지 프로세스가 존재한다. 화소 전극을 형성하는 경우에는 어느 공정을 선택해도 문제는 발생하지 않는다. 공정이 짧은 도 61을 선택하는 것이 좋다. 그러나 도 9에 도시된 바와 같이 배향 방향 제어 전극의 두께를 얇게하는 경우에 세번째 포토리소그래피 공정에서 하프톤 노광법을 이용하는 경우에는 도 62의 공정을 선택하는 것이 좋다.
본 발명에서는 주사선(게이트 전극)으로 알루미늄합금을 사용하는 경우가 많으므로 화소 전극으로 ITO를 사용할 수 없다. 국부 전지 반응이 발생하여 이상 에칭이나 ITO가 흑화되는 문제가 빈번히 발생하기 때문이다. 이 때문에 화소 전극으로는 질화티타늄이나 질화지르코늄 등의 박막 질화물계 투명 전극이 사용된다.
이 경우 콘택홀을 드라이에칭법으로 수행하기 때문에 질화물계 투명 화소 전극과 게이트 절연막의 P-SiNx에서는 커다란 선택비가 얻어지지 않으므로 종래예로서 도 72, 도 73, 도 74에서의 프로세스를 채용할 수는 없다. 이 문제를 해결하기 위해 본 발명에서는 Al합금계의 콘택 패드를 형성함으로써 상기 문제를 해결하고 있다.
두번째 포토리소그래피 공정에서는 박막 반도체 소자 분리와 콘택홀의 형성을 수행하고 있다. 이 공정이 도 63에 설명되어 있다. 이 공정에서도 하프톤 노광법을 채용하고 있으므로 1회의 공정으로 2개의 작업을 수행하는 것이 가능하다. 도 11, 도 26에서는 도 82에 도시된 바와 같은 하프톤 노광 공정과는 다른 별도의 하프톤 노광 공정이 채용되어 있다. 도 65에 기재되어 있는 하프톤 노광법을 이용하여 박막 반도체 소자 분리와 소스 전극과 드레인 전극의 동시 형성을 수행하고 있다. 도 65의 하프톤 노광 공정은 종래 수행되어 왔던 도 71에 도시된 하프톤 노광 공정과는 상당히 유사하나 도 65의 하프톤 노광 공정 쪽이 문제 발생이 적다. 도 71의 종래법에서는 포지티브 레지스트의 얇은 영역을 산소 플라즈마법으로 제거할 때에 박막 반도체층의 측벽이 산화되어 박막 트랜지스터 소자의 채널부의 오믹콘택층(n+a-Si층)을 제거할 때에 균일하게 제거할 수 없게 되는 문제가 빈번히 발생해 왔다. 도 65의 경우에는 포지티브 레지스트의 얇은 영역을 산소 플라즈마법으로 제거할 때 박막 반도체층은 완전히 배리어 메탈층으로 보호되어 있으므로 측벽산화의 문제는 전혀 발생하지 않는다.
도 82의 세번째 포토리소그래피 공정에서는 통상의 노광법을 이용하여 소스 전극, 드레인 전극, 배향 방향 제어 전극이 형성된다. 도 8이 그 예이다. 도 9에서는 3번째 포토리소그래피 공정에서도 도 64에서 수행되고 있는 바와 같은 하프톤 노광법을 이용한 포토리소그래피 공정이 채용되고 있다.
3번째 포토리소그래피로 도 8, 도 9, 도 20에서는 화소 전극의 상층에 절연막을 개재하여 다른 2종류의 배향 방향 제어 전극을 형성할 수 있다. 도 11에서는 4번째 포토리소그래피로 다른 2종류의 배향 방향 제어 전극을 형성할 수 있다. 이에 의해 맨 처음 도 3, 도 5에 도시된 바와 같은 수직 배향되어 있는 음의 유전율 이방성 액정 분자의 쓰러지는 방향을 정확(精確)하게 제어할 수 있게 된다.
도 8, 도 9, 도 20에서는 패시베이션막은 P-CVD법을 이용한 P-SiNx막이 국소적으로 성막되어 있다. 잉크젯법이나 오프셋 인쇄법을 이용하여 BCB 등의 유기화합물의 패시베이션막을 도포할 수도 있다. 도 11에서는 패시베이션막 상에 다른 2종류의 배향 방향 제어 전극이 형성되어 있으므로 대향 기판의 공통 전극과 쇼트되기 쉬운 결점이 있다.
[실시예 2]
도 25, 도 27은 본 발명의 실시예 2의 TFT 기판의 평면도이다. 화소 전극에는 배향 방향 제어용 슬릿이 형성되어 있고 화소 전극 상층에는 절연막을 개재하여 화소 전극에 접속되어 있는 액정 배향 방향 제어용 전극이 설치되어 있다. 도 58, 도 60이 실시예 2의 화소의 단면도이다. 실시예 1과 마찬가지로 화소 전극과 접속된 배향 방향 제어 전극을 대향 기판에 근접시키기 위해 배향 방향 제어 전극의 하층에 다양한 전극이나 반도체층을 형성하고 있는 점에 특징이 있다.
실시예 1, 실시예 2 모두 본 발명에서는 TFT 기판측에 모든 배향 방향 제어 기능을 부여하고 있기 때문에 종래 방식의 도 1이나 도 2와 비교하여 본 발명의 도 3, 도 4는 배향 방향 제어 전극과, 동시에 동일층에 형성되는 영상 신호선과 쇼트되기 쉬운 문제가 본질적으로 존재하므로 이 문제를 최소화하기 위한 화소 구조로서 도 24, 도 25, 도 26, 도 27에 도시된 바와 같이 화소 중앙부 부근에서 90도로 굴곡되어 있는 구조가 채용되어 있다. 이러한 구조를 채용하면 영상 신호선과 배향 방향 제어 전극은 나란하게 배열되어 등간격의 거리를 유지할 수 있기 때문에 쇼트의 확률을 낮게 억제할 수 있다.
도 25, 도 27의 TFT 부분의 단면도가 도 10, 도 12, 도 21이다. 기본 원리 설명도인 도 5, 도 6을 통해 알 수 있는 바와 같이 실시예 2에서는 배향 방향 제어용 슬릿을 채용하고 있으므로 액정 분자의 쓰러지는 방향은 정확하게 결정할 수 있어도 전계강도를 실시예 1과 같이 크게 할 수 없으므로 응답속도의 면에서 실시예 1에 비해 떨어진다. 동화 표시 용도로서는 실시예 1을 채용하여 액정 패널을 제조하는 것이 좋다. 그러나 실시예 1은 도 24, 도 26의 평면도를 통해 알 수 있는 바와 같이 동일층에 많은 금속배선이 고밀도로 배치되어 있으므로 쇼트가 빈번히 발생되는 결점이 존재한다. 이 문제 외에도 실시예 1, 2에서는 화소 전극으로 인가한 전압이 100% 액정층으로 인가되지 않으므로 종래의 도 1, 도 2 보다 구동 전압이 높아지는 결점도 존재한다. 그러나 칼라 필터 기판은 TN 모드와 같은 비용이 저렴한 CF 기판을 이용할 수 있으므로 비용 경쟁력을 상승시킬 수 있다. 특히 칼라 필터 기판을 사용하지 않는 필드 시퀀셜 구동 방식의 액정 패널에서는, 종래의 도 1, 도 2의 경우에는 상하 기판의 얼라인먼트를 맞추어야 하나, 본 발명의 도 3, 도 4의 경우에는 대향 기판에는 아무것도 가공할 필요가 없으므로 투명 전극이 성막되어 있는 단순한 기판만으로 충분하므로 얼라인먼트 조정을 원리적으로 수행할 필요가 없다.
[실시예 3]
도 28, 도 29, 도 30, 도 31은 본 발명의 실시예 3의 TFT 기판의 평면도이다. 이 TFT 기판들의 회로 모델도가 도 32이다. 기본 단위 화소가 영상 신호선에 의해 2개의 서브 픽셀(A)과 서브 픽셀(B)로 분할되어 있다. 서브 픽셀(A)과 서브 픽셀(B)의 화소 전극의 면적비는 약 1:2이다. 도 34는 실시예 3의 액정 패널의 구동 신호 파형이다. 동일한 영상 신호선으로부터 데이터를 받아도 각각의 화소 전극이 다른 공통 전극과 용량 결합하고 있으므로 다른 공통 전극에 수평동기(H주기)로 극성이 반전되어 있는 신호 파형을, 위상을 도 34에 도시된 바와 같이 바꾸어 인가함으로써 서브 픽셀(A)측의 실효전압이 서브 픽셀(B)의 실효전압보다 크게 할 수 있다. 이러한 신호 파형으로 구동한 경우의 액정 패널의 투과광량 특성도가 도 33이다. 서브 픽셀(A)와 서브 픽셀(B)의 액정의 문턱(threshold) 전압을 변화시킬 수 있다. 이에 의해 감마 특성을 보정하는 것이 가능하다.
도 28, 도 29, 도 30, 도 31의 TFT 기판을 제작하기 위한 프로세스 설명도가 도 83이다. 실시예 1, 실시예 2에서는 도 82에 도시된 바와 같이 공통 전극을 첫번째 포토리소그래피 공정으로 형성하고 있었으나, 실시예 3에서는 공통 전극을 도 32에 도시된 바와 같이 영상 신호선과 나란하게 배치할 필요가 있으므로 도 83에 도시된 바와 같이 공통 전극은 3번째 포토리소그래피 공정으로 형성되어 있다.
도 35는 초고정세 초대형 액정 패널을 제조하는 경우의 TFT 기판의 회로 모델도이다. 도 36, 도 37, 도 38, 도 39가 도 35의 TFT 기판의 구동 방법에 관한 설명도이다. 도 36, 도 37, 도 38, 도 39 모두 필드 시퀀셜 구동 방식에 관한 것이다. 표시 화면이 상하로 이분할되어 있으므로 영상 신호선도 상하로 2분할되어 있으며 같은 극성의 영상 신호가 인가된다.
공통 전극은 상하로 2분할되어 있지 않고 위에서 아래까지 하나로 연결되어 있다. 상하 화면의 블록 분할 현상이 발생하지 않도록 영상 신호의 기입이 화면의 중앙에서 상하를 향해 이루어지고 있는 것이 도 36과 도 38이고, 화면의 상하로부터 중앙을 향해 영상 신호의 기입이 수행되고 있는 것이 도 37, 도 39이다. 표시 화면을 상하로 2분할하고 있으므로 수평 주사 기간은 2배인 2H로 연장되어 있다. 도 36, 도 37은 수평 주사 기간을 둘로 분할하여 다른 영상 신호를 다른 2개의 화소에 기입하는 2 멀티플렉스 방식을 채용하고 있다. 도 38, 도 39는 수평 주사 기간을 셋으로 분할하여 다른 영상 신호를 다른 3개의 화소에 기록하는 3 멀티플렉스 방식을 채용하고 있다.
[실시예 4]
도 53은 본 발명의 실시예 4의 IPS 모드의 TFT 기판의 평면도이다. 도 45가 단면도이다. 도 84가 실시예 4의 IPS 모드의 TFT 기판을 제작할 때의 프로세스 설명도이다. 세번의 포토리소그래피 공정에서 하프톤 노광법을 3회 이용하고 있다. 도 53의 TFT 기판의 회로 모델도가 도 46이다. 화소의 중앙부에 공통 전극이 영상 신호에 나란하게 배열되어 있다. 도 56은 초고정세 초대형 액정 패널을 만드는 경우의 TFT 기판의 회로 모델도이다. 도 55가 도 56의 TFT 기판의 구동 파형도이다. 짝수번째열과 홀수번째열의 공통 전극에는 극성이 다른 신호 파형이 인가되어 있으며, 짝수번째열과 홀수번째열의 영상 신호 파형은 서로 다른 극성의 신호 파형이 인가되고, 각각의 영상 신호선에 대응하는 공통 전극과는 반대 극성의 신호가 인가되어 있다.
액정 모드는 달라도 공통 전극과 영상 신호선의 회로 모델도는 도 35의 것과 완전 동일한 것이다. 도 56의 IPS 모드의 TFT 기판도 실시예 3과 동일한 필드 시퀀셜 구동 방식을 수행하는 것이 가능하다. 도 56도 도 35와 마찬가지로 표시 화면이 상하로 2분할되어 있으므로 영상 신호선도 상하로 2분할되어 있으며 같은 극성의 영상 신호가 인가된다.
공통 전극은 상하로 2분할되어 있지 않고 위에서 아래까지 하나로 연결되어 있다. 상하 화면의 블록 분할 현상이 발생하지 않도록 영상 신호의 기입이 화면의 중앙에서 상하를 향해 이루어지거나 또는 그 반대로 화면의 상하로부터 중앙을 향해 영상 신호의 기입이 이루어진다. 주사선의 구동 방식도 실시예 3의 경우와 완전 동일하다.
[실시예 5]
도 54는 본 발명의 실시예 5의 FFS 모드의 TFT 기판의 평면도이다. 도 44가 화소의 단면도이다. 도 47이 박막 트랜지스터 부분의 단면도이다. 도 85가 실시예 5의 FFS 모드의 TFT 기판을 제작할 때의 프로세스 설명도이다. 세번의 포토리소그래피 공정에서 3회 모두 하프톤 노광법을 이용하고 있다. 실시예 4, 실시예 5 모두 하프톤 노광법을 3회 사용해야만 하는 것은 도 66에 도시된 바와 같이 횡전계 방식 패널의 경우에는 수직 배향 모드의 액정 패널과 달리 배향 처리 공정(러빙처리)이 필요하기 때문이다. 배향 불량 영역을 발생시키지 않기 위해서는 TFT 기판의 요철을 가능한 한 적게 해야 한다. 그러나 도 53, 도 54의 평면도에도 도시된 바와 같이 화면의 중앙부에 배열되어 있는 공통 전극은 저항을 낮추기 위해 전극의 두께를 두껍게 해야 한다. IPS 모드나 FFS 모드에서는 도 66에 도시된 배향 불량 영역이 반드시 발생하기 때문에 블랙 레벨 표시시의 블랙을 완전히 표현할 수 없는 결점이 존재하고 있다. 이 배향 불량 영역을 가능한 한 적게 하기 위해 하프톤 노광법이 3회 필요하게 되는 것이다.
도 85의 프로세스 설명도의 첫번째 하프톤 노광법을 이용한 공정 설명도가 도 61 또는 도 62이다. 어느 것을 선택해도 무방하다. 두번째 하프톤 노광법의 공정 설명도가 도 63이다. 세번째 하프톤 노광법의 공정 설명도가 도 64이다. 도 65는 4회 포토리소그래피 공정에서 FFS 모드의 TFT 기판을 만들 때의 공정 설명도이다. 하프톤 노광법은 2회 이용되고 있다.
도 54의 FFS 모드의 TFT 기판에서도 도 53의 IPS 모드의 TFT 기판과 동일한 구동법을 이용할 수 있다. 도 56의 TFT 기판 전체의 회로 모델도는 FFS 모드의 도 54에도 적용할 수 있다. 도 55의 구동법을 이용하면 구동 전압이 높은 FFS 모드도 간단히 구동할 수 있다. FFS 모드는 강전계를 발생할 수 있으므로 액정 분자의 응답속도는 IPS 모드보다 작아질 수 있다. 그 때문에 필드 시퀀셜 구동 방식에 적합하다고 할 수 있다. 특히 도 55와 도 56을 조합한 액정 패널은 큰 전압을 인가할 수 있으므로 고속동작에 적합한 구동 방법이라고 할 수 있다. 도 36, 도 37, 도 38, 도 39의 상하 화면 분할된 필드 시퀀셜 구동 방식과 가장 상성이 맞는다.
1:대향 고체 공통 전극
2:액정 배향 제어용 범프
3:수직 배향막
4:대향 고체 공통 전극에 형성된 액정 배향 제어용 슬릿
5:화소 전극
6:화소 전극에 형성된 액정 배향 제어용 슬릿
7:음의 유전율 이방성 액정 분자
8:절연막
9:공통 전극에 접속되어 있는 액정 배향 제어 전극
10:화소 전극에 접속되어 있는 액정 배향 제어 전극
11:등전위선
12:화소 전극의 배향 제어 슬릿의 하층에 배치된 배향 제어 전극
13:주사선(게이트 전극)
14:화소 전극 내부에 형성되어 있는 콘택 패드(드레인 전극 접속용
15:패시베이션막
16:공통 전극
17:영상 신호선(소스 전극)
18:드레인 전극
19:배리어 메탈
20:오믹콘택층(n+a-Si층)
21:논도프 박막 반도체층(ia-Si층)
22:화소 전극 내부에 형성되어 있는 콘택 패드(배향 제어 전극 접속용)
23:화소 전극 내부에 형성되어 있는 콘택 패드(유지용량 형성 전극 접속용)
24:유지용량 형성 전극
25:유리 기판
26:게이트 절연막 중에 매립되어 있는 공통 전극에 접속된 배향 제어 전극
27:하층 게이트 절연막
28:상층 게이트 절연막
29:게이트 절연막 중에 매립되어 있는 화소 전극
30:화소 전극에 접속되어 있는 배향 제어 전극의 높이를 높이기 위한 플로팅전극
31:화소 전극에 접속되어 있는 배향 제어 전극의 높이를 높이기 위한 패드 전극
32:박막 트랜지스터 소자
33:배향 제어 전극과 공통 전극을 접속시키기 위한 콘택홀
34:화소 전극 내부에 형성되어 있는 콘택 패드와 드레인 전극을 접속시키기 위한 콘택홀
35:화소 전극 내부에 형성되어 있는 콘택 패드와 배향 제어 전극을 접속시키기 위한 콘택홀
36:드레인 전극상의 패시베이션막에 천공된 콘택홀
37:큰 면적의 화소 전극(Sub Pixel B)을 구동하기 위한 박막 트랜지스터 소자
38:작은 면적의 화소 전극(Sub Pixel A)을 구동하기 위한 박막 트랜지스터 소자
39:영상 신호선(소스 전극)에 평행하게 배열되어 있는 공통 전극
40:큰 면적의 화소 전극(Sub Pixel B)
41:작은 면적의 화소 전극(Sub Pixel A)
42:공통 전극상의 패시베이션막에 천공된 콘택홀
43:영상 신호선 씰드용 공통 전극
44:액정 구동용 빗살형 공통 전극
45:액정 구동용 빗살형 화소 전극
46:화소의 중앙부에 영상 신호선에 평행하게 배열되어 있는 공통 전극(center COM전극)
47:화소 전극 내부에 형성된 콘택 패드와 유지용량 형성 전극을 접속시키는 콘택홀
48:공통 전극과 액정 구동용 빗살형 공통 전극을 접속시키기 위한 콘택홀
49:고체상 액정 구동용 공통 전극
50:화소 중앙부 공통 전극(center COM전극)과 영상 신호선 씰드용 공통 전극을 연결하기 위한 콘택홀
51:상부 표시 영역 구동용 영상 신호선
52:하부 표시 영역 구동용 영상 신호선
53:하프톤 노광하여 현상된 포지티브 레지스트의 후막 부분
54:하프톤 노광하여 현상된 포지티브 레지스트의 박막 부분
55:투명 전극층
56:저저항 배선 전극층
57:산소 플라즈마 애싱후에 남은 포지티브 레지스트
58:하프톤 노광용 포토마스크의 완전 UV광 차단 영역
59:하프톤 노광용 포토마스크의 UV광 투과 영역
60:하프톤 노광용 포토마스크의 UV광 반투과 영역
61:하프톤 노광용 포지티브 레지스트
62:외부 회로 접속 단자부
63:러빙 처리가 양호하게 이루어진 배향막 영역
64:러빙 처리가 불량인 배향막 영역
65:러빙 처리용 포의 섬유
66:포토마스크용 석영 유리
67:완전 노광 영역의 UV광
68:불완전 노광 영역의 UV광
69:프톤 2중 노광법에서 이용하는 유리 기판의 내부에 형성된 얼라인먼트 마크
70:펄스레이저 광선
71:집광 렌즈
72:노즐 노광으로 현상하고 남은 포지티브 레지스트
73:투명 전극으로 형성된 소스 전극(영상 신호선)
74:대향 기판(CF 기판)
75:게이트 전극에 연결되어 있는 액정 배향 제어 전극
76:패시베이션막 상에 형성된 공통 전극과 동일한 전위의 배향 제어 전극
77:게이트 전극과 동일한 금속전극(투명 화소 전극에 연결되어 있음)
78:화소 전극과 동일한 투명 전극 재료로 형성되어 있는 배향 제어 전극
79:소스 전극이나 드레인 전극과 동일한 금속 전극(배향 제어 전극에 연결되어 있음.)

Claims (6)

  1. 화소마다 TFT가 형성되는 TFT 기판상에 형성되고, 상기 TFT의 드레인 전극과 연결되는 투명 화소 전극, 주사선 및 공통 전극;
    상기 투명 화소 전극 상부에 형성되는 투명 절연막;
    상기 투명 절연막 상에 형성되는 영상 신호선;
    상기 화소내에 형성되는 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극; 및
    상기 TFT 기판과 대향되는 대향 기판상에 형성되고, 상기 TFT 기판상의 상기 공통 전극과 연결되는 투명 공통 전극을 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 슬렌더(slender) 형태를 갖고, 상호 평행하며 상기 투명 절연막 상부에 형성되고,
    상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 화소내의 상기 투명 화소 전극과 연결되고, 상기 제 2 액정 배향 제어 전극은 상기 화소내의 상기 공통 전극과 연결되며,
    상기 투명 화소 전극은 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극들보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되고,
    상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 제 2 액정 배향 제어 전극보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되며,
    상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 상기 화소내에서 교대로 배치되는 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 제 2 액정 배향 제어 전극보다 상기 대향 기판에 근접하게 배치되는 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 영상 신호선, 상기 투명 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 하나의 화소의 상기 투명 화소 전극의 중심에서 90도로 절곡되고, 상기 주사선에 대해 45도 방향으로 배열되는 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 액정 배향 제어 전극은 상기 제 2 액정 배향 제어 전극보다 상기 대향 기판에 근접하게 위치되고,
    상기 영상 신호선, 상기 투명 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 전극은 한 화소의 상기 투명 화소 전극의 중심에서 90도로 절곡되고, 상기 주사선에 대해 45도 방향으로 배열되는 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치.
  5. 화소마다 TFT가 형성되는 투명 TFT 기판상에 형성되는 투명 화소 전극, 주사선, 및 공통 전극;
    상기 투명 화소 전극상에 형성되는 투명 절연막;
    상기 투명 절연막 상에 형성되는 영상 신호선;
    상기 TFT 기판과 대향되는 대향 기판상에 형성되고, 상기 TFT 기판상의 상기 공통 전극과 연결되는 투명 공통 전극; 및
    상기 화소내에 위치되는 제 1 및 제 2 액정 배향 제어 부재를 포함하고,
    상기 투명 화소 전극은 상기 투명 TFT 기판상에 형성되는 드레인 전극에 연결되고,
    상기 제 1 액정 배향 제어 부재는 상기 투명 화소 전극내에 형성되는 슬릿이고,
    상기 제 2 액정 배향 제어 부재는 상기 투명 절연막 상에 형성되는 액정 배향 제어 전극들이며,
    상기 슬릿 및 상기 액정 배향 제어 전극들은 슬렌더(slender) 형태이면서 상호 평행하며,
    상기 액정 배향 제어 전극은 상기 화소의 투명 화소 전극과 연결되고,
    상기 투명 화소 전극은 상기 액정 배향 제어 전극보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되고,
    상기 액정 배향 제어 전극은 상기 슬렌더 형태의 상기 슬릿 보다 상기 영상 신호선에 근접하게 위치되고,
    상기 액정 배향 제어 전극 및 상기 슬렌더 형태의 슬릿은 상기 화소내에서 교대로 배치되는 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 영상 신호선, 상기 투명 화소 전극, 상기 액정 배향 제어 전극 및 상기 슬렌더 형태의 슬릿은 상기 투명 화소 전극의 중심에서 90도로 절곡되며, 상기 주사선에 대해 45도를 이루도록 배열되는 액티브 매트릭스형 수직 배향 방식 액정 표시 장치.
KR1020110065539A 2006-06-15 2011-07-01 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 KR101147437B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-202563 2006-06-15
JP2006202563A JP5477523B2 (ja) 2006-06-15 2006-06-15 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070043603A Division KR101254239B1 (ko) 2006-06-15 2007-05-04 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110084867A KR20110084867A (ko) 2011-07-26
KR101147437B1 true KR101147437B1 (ko) 2012-05-21

Family

ID=38170683

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070043603A KR101254239B1 (ko) 2006-06-15 2007-05-04 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법
KR1020100008255A KR101254241B1 (ko) 2006-06-15 2010-01-29 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법
KR1020100008250A KR20100018023A (ko) 2006-06-15 2010-01-29 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법
KR1020110065539A KR101147437B1 (ko) 2006-06-15 2011-07-01 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치
KR1020110074639A KR20110091630A (ko) 2006-06-15 2011-07-27 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070043603A KR101254239B1 (ko) 2006-06-15 2007-05-04 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법
KR1020100008255A KR101254241B1 (ko) 2006-06-15 2010-01-29 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법
KR1020100008250A KR20100018023A (ko) 2006-06-15 2010-01-29 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110074639A KR20110091630A (ko) 2006-06-15 2011-07-27 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 액티브 매트릭스 기판의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (7) US20070291209A1 (ko)
JP (1) JP5477523B2 (ko)
KR (5) KR101254239B1 (ko)
CN (5) CN101552233B (ko)
GB (2) GB2439167B (ko)
TW (1) TW200802890A (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100309420A1 (en) * 2006-06-15 2010-12-09 Mikuni Electoron Co. Ltd. Low-cost large-screen wide-angle fast-response liquid crystal display apparatus
JP5477523B2 (ja) * 2006-06-15 2014-04-23 三国電子有限会社 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置
KR101582941B1 (ko) * 2008-12-24 2016-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120021373A (ko) * 2010-07-29 2012-03-09 전북대학교산학협력단 프린지 필드 스위칭 방식의 액정표시소자
CN102270606A (zh) * 2011-08-30 2011-12-07 福建华映显示科技有限公司 形成接触窗的方法
CN102651401B (zh) * 2011-12-31 2015-03-18 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示器件
US9569992B2 (en) * 2012-11-15 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving information processing device, program, and information processing device
KR102086422B1 (ko) 2013-03-28 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
CN103383925B (zh) 2013-07-02 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示设备、裸眼3d功能面板的信号基板及其制造方法
TWI515493B (zh) * 2013-07-19 2016-01-01 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN103474396B (zh) * 2013-09-24 2015-09-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板的制造方法
KR102087197B1 (ko) * 2014-01-13 2020-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102296734B1 (ko) 2015-01-28 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI560857B (en) * 2015-02-17 2016-12-01 Innolux Corp Thin film transistor substrate and display panel comprising the same
CN104810322A (zh) 2015-05-18 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板
WO2017002144A1 (ja) * 2015-06-29 2017-01-05 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TWI648582B (zh) * 2017-09-25 2019-01-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
WO2022133638A1 (zh) * 2020-12-21 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和电子装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001235752A (ja) 1999-06-25 2001-08-31 Nec Corp マルチドメイン液晶表示装置
KR20020042920A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 화면 특성 개선을 위한 에프에프에스 모드의 박막 액정디스플레이
KR20040023535A (ko) * 2002-09-10 2004-03-18 오바야시세이꼬우 가부시끼가이샤 액티브매트릭스형 수직배향방식 액정표시장치 및 그구동방법
US20050024548A1 (en) 2002-08-26 2005-02-03 Wing-Kit Choi High speed and wide viewing angle liquid crystal displays

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2975844B2 (ja) * 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH07230097A (ja) 1994-02-18 1995-08-29 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3486859B2 (ja) * 1996-06-14 2004-01-13 大林精工株式会社 液晶表示装置
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-08-29 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
JP2976948B2 (ja) 1997-10-06 1999-11-10 日本電気株式会社 液晶表示装置、その製造方法およびその駆動方法
JP3831863B2 (ja) * 1997-10-21 2006-10-11 大林精工株式会社 液晶表示装置
JP3723336B2 (ja) * 1997-11-18 2005-12-07 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3031317B2 (ja) * 1997-11-20 2000-04-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
US6486933B1 (en) * 1998-03-12 2002-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display with preventing vertical cross-talk having overlapping data lines
JP3008928B2 (ja) * 1998-05-07 2000-02-14 日本電気株式会社 液晶表示装置
KR100336886B1 (ko) * 1998-08-24 2003-06-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율및고투과율을갖는반사형액정표시장치및그제조방법
KR100306546B1 (ko) * 1998-09-28 2001-11-02 마찌다 가쯔히꼬 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100312760B1 (ko) * 1999-02-24 2001-11-03 윤종용 액정 표시 패널과 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR100379287B1 (ko) * 1999-06-25 2003-04-10 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 멀티 도메인 액정 표시장치
KR100494682B1 (ko) * 1999-06-30 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100507271B1 (ko) * 1999-06-30 2005-08-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법
TW509810B (en) 1999-07-19 2002-11-11 Chi Mei Electronics Corp Liquid crystal display with wide viewing angle
JP3542023B2 (ja) * 2000-03-16 2004-07-14 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 液晶表示装置
KR100482468B1 (ko) * 2000-10-10 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
KR20020085244A (ko) * 2001-05-07 2002-11-16 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 액정표시장치
JP3831868B2 (ja) * 2001-08-13 2006-10-11 大林精工株式会社 アクティブマトリックス表示装置とその製造方法
US7209192B2 (en) * 2001-09-26 2007-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for manufacturing the same
US6784955B2 (en) * 2001-10-01 2004-08-31 The Hong Kong University Of Science And Technology Optically optimized permanently bistable twisted nematic liquid crystal displays
KR100814339B1 (ko) * 2001-11-16 2008-03-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 가지는 반사형 액정표시장치
JP4565799B2 (ja) * 2002-07-01 2010-10-20 大林精工株式会社 横電界方式液晶表示装置、その製造方法、走査露光装置およびミックス走査露光装置
JP4373071B2 (ja) * 2002-09-10 2009-11-25 大林精工株式会社 高速応答液晶表示装置とその駆動方法
JP4373119B2 (ja) * 2003-02-26 2009-11-25 大林精工株式会社 広視野角高速応答液晶表示装置
KR100935667B1 (ko) * 2003-03-06 2010-01-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP2004341465A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Obayashi Seiko Kk 高品質液晶表示装置とその製造方法
JP4051001B2 (ja) * 2003-05-26 2008-02-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US7206048B2 (en) * 2003-08-13 2007-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor
KR101191442B1 (ko) * 2004-04-29 2012-10-16 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101086478B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN100492141C (zh) * 2004-09-30 2009-05-27 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
CN1313876C (zh) * 2005-01-19 2007-05-02 广辉电子股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制造方法
JP4290150B2 (ja) * 2005-08-05 2009-07-01 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2007310334A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Mikuni Denshi Kk ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法
JP5477523B2 (ja) * 2006-06-15 2014-04-23 三国電子有限会社 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置
US20100309420A1 (en) * 2006-06-15 2010-12-09 Mikuni Electoron Co. Ltd. Low-cost large-screen wide-angle fast-response liquid crystal display apparatus
US7751001B2 (en) * 2007-03-21 2010-07-06 Chimel Innolux Corporation Transflective LCD with reflective layer connected to reference voltage greater than 0.5 Vrms and less than LC threshold voltage
US9104557B2 (en) * 2008-08-01 2015-08-11 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Encoded chip select for supporting more memory ranks

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001235752A (ja) 1999-06-25 2001-08-31 Nec Corp マルチドメイン液晶表示装置
KR20020042920A (ko) * 2000-12-01 2002-06-08 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 화면 특성 개선을 위한 에프에프에스 모드의 박막 액정디스플레이
US20050024548A1 (en) 2002-08-26 2005-02-03 Wing-Kit Choi High speed and wide viewing angle liquid crystal displays
KR20040023535A (ko) * 2002-09-10 2004-03-18 오바야시세이꼬우 가부시끼가이샤 액티브매트릭스형 수직배향방식 액정표시장치 및 그구동방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20120149139A1 (en) 2012-06-14
GB2454087A (en) 2009-04-29
CN101552233A (zh) 2009-10-07
GB0708033D0 (en) 2007-06-06
CN101552232A (zh) 2009-10-07
US8194227B2 (en) 2012-06-05
TW200802890A (en) 2008-01-01
GB0819410D0 (en) 2008-12-03
GB2439167A (en) 2007-12-19
TWI340472B (ko) 2011-04-11
KR101254239B1 (ko) 2013-04-12
CN101089707B (zh) 2011-07-27
US8094274B2 (en) 2012-01-10
CN101950102A (zh) 2011-01-19
US20070291209A1 (en) 2007-12-20
CN101552232B (zh) 2011-10-26
CN101950102B (zh) 2012-06-13
JP5477523B2 (ja) 2014-04-23
KR101254241B1 (ko) 2013-04-12
US20100066930A1 (en) 2010-03-18
CN101551564B (zh) 2011-12-14
CN101089707A (zh) 2007-12-19
KR20110091630A (ko) 2011-08-12
US20100066931A1 (en) 2010-03-18
JP2007334275A (ja) 2007-12-27
US20120038875A1 (en) 2012-02-16
KR20100018023A (ko) 2010-02-16
CN101551564A (zh) 2009-10-07
KR20070119491A (ko) 2007-12-20
CN101552233B (zh) 2011-07-27
KR20110084867A (ko) 2011-07-26
KR20100018024A (ko) 2010-02-16
US8305538B2 (en) 2012-11-06
US20120094416A1 (en) 2012-04-19
US20100066962A1 (en) 2010-03-18
GB2439167B (en) 2008-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101147437B1 (ko) 저비용 대화면 광시야각 고속응답 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치
US7880852B2 (en) Thin film transistor and liquid crystal display having the same
US8767158B2 (en) Array substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display and driving method thereof
US8085352B2 (en) Electrostatic discharge protection circuit, manufacturing method thereof and liquid crystal display device having the same
US7557886B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7511780B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
US8704993B2 (en) Liquid crystal display
JP2007052264A (ja) 液晶表示パネル
JPWO2009125532A1 (ja) アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
KR100577509B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자기기
US7173681B2 (en) Two pixel electrodes interposing the signal line extending into without extending beyond the recess on the protection film caused by the contact hole
KR100623443B1 (ko) 멀티 도메인 액정 표시소자
US20100309420A1 (en) Low-cost large-screen wide-angle fast-response liquid crystal display apparatus
GB2456616A (en) Active matrix vertical alignment LCD apparatus utilising slits in pixel electrodes
JP2001330852A (ja) 液晶パネル及びこれを用いた画像表示装置
JP2003202597A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150226

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160307

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180502

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190425

Year of fee payment: 8