TWI648582B - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

一種畫素結構,包括基板、訊號線、多個畫素單元以及遮光圖案層。訊號線設置於基板上,且具有相對的第一側與第二側。相鄰的兩個畫素單元分別設置於訊號線的第一側與第二側。各個畫素單元包括主動元件、共用電極、絕緣層以及畫素電極。絕緣層位於共用電極上。畫素電極位於絕緣層上,並與主動元件電性連接。畫素電極包括邊緣條狀電極以及多個延伸電極。多個延伸電極分別從邊緣條狀電極朝向訊號線延伸。遮光圖案層位於相鄰的兩個畫素單元之間,且遮光圖案層與訊號線彼此重疊。

Description

畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構,且特別是有關於一種有助於改善側視時混色問題的畫素結構。

具有空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的液晶顯示面板已逐漸成為市場主流。為了讓液晶顯示面板有更好的顯示品質,目前市面上發展出了各種廣視角的液晶顯示面板,如共平面切換式(in-plane switching;IPS)液晶顯示面板、邊際場切換式(fringe field switching;FFS)液晶顯示面板與多域垂直配向式(multi-domain vertical alignment;MVA)液晶顯示面板等。

以邊際場切換式液晶顯示面板為例,其具有廣視角(wide viewing angle)以及低色偏(color shift)等優點特性。然而,在習知之邊際場切換式液晶顯示面板中,由於每一畫素電極與鄰近的畫素電極之間具有邊緣電場(fringe field),使得光穿透率(transmittance)會隨著視角改變而有所不同或發生漏光現象。意即,當使用者正視與側視顯示畫面時,邊際場切換式液晶顯示面板所顯示出的亮度會有所不同,或有顯示畫面有混色(color mixing)等問題。因此,如何改善邊際場切換式液晶顯示面板之混色問題,又能夠兼顧良好的穿透率,使其具有更佳的顯示品質,實為研發者所欲達的目標之一。

本發明提供一種畫素結構,其可以改善畫素結構混色的問題,又能夠兼顧良好的穿透率。

本發明的畫素結構,包括基板、第一訊號線、第一畫素單元、第二畫素單元以及第一遮光圖案層。第一訊號線設置於基板上,且具有第一側與第二側。第一畫素單元設置於第一訊號線的第一側。第一畫素單元包括第一主動元件、第一共用電極、第一絕緣層以及第一畫素電極。第一絕緣層位於第一共用電極上。第一畫素電極位於第一絕緣層上,並與第一主動元件電性連接。第一畫素電極包括第一邊緣條狀電極以及多個第一延伸電極,且第一延伸電極分別從第一邊緣條狀電極朝向第一訊號線延伸。第二畫素單元設置於第一訊號線的第二側。第二畫素單元包括第二主動元件、第二共用電極、第二絕緣層以及第二畫素電極。第二絕緣層位於第二共用電極上。第二畫素電極位於第二絕緣層上,並與第二主動元件電性連接。第二畫素電極包括第二邊緣條狀電極以及多個第二延伸電極,且第二延伸電極分別從第二邊緣條狀電極朝向第一訊號線延伸。第一遮光圖案層位於第一畫素單元與第二畫素單元之間,且第一遮光圖案層與第一訊號線彼此重疊。

基於上述,本發明提出的一種畫素結構中,第一畫素單元具有第一邊緣條狀電極以及多個第一延伸電極,第二畫素單元具有第二邊緣條狀電極以及多個第二延伸電極,第一遮光圖案層位於第一畫素單元與第二畫素單元之間,其中第一延伸電極以及第二延伸電極形成不同方向的邊緣電場,如此除了可以改善畫素結構混色的問題,又能夠兼顧良好的穿透率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反地,當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,”連接”可以指物理及/或電性連接(耦接),而電性連接(耦接)可存在中間元件。

本文使用的”約”、”大致上”、”近似”或、”實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,”約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、”近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。

圖1為本發明一實施例的畫素結構的上視示意圖。圖2是圖1中區域102的放大圖。為求清楚表示與便於說明,圖1以及圖2省略繪示部分的膜層。以下,將藉由圖1至圖2來詳細描述本發明的一實施例的畫素結構的實施方式。

畫素結構100包括第一基板11(繪示於圖3)、第一訊號線SL1、第二訊號線SL2、第三訊號線SL3、第一畫素單元PU1、第二畫素單元PU2以及第一遮光圖案層160。第一訊號線SL1與第二訊號線SL2設置於第一基板11上。第一基板11的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是其他適宜的材質,但本發明不限於此。

第一訊號線SL1具有彼此相對的第一側SD1與第二側SD2,且第二訊號線SL2的延伸方向大致上與第一訊號線SL1的延伸方向相同。第三訊號線SL3交越於第一訊號線SL1以及第二訊號線SL2。換言之,第三訊號線SL3的延伸方向與第一訊號線SL1的延伸方向及第二訊號線SL2的延伸方向不同。在本實施例中,第一訊號線SL1與第二訊號線SL2可以為不同的資料線,且第三訊號線SL3可為掃描線,但本發明不限於此。

第一畫素單元PU1設置於第一訊號線SL1的第一側SD1。第一畫素單元PU1包括第一主動元件SW1、第一共用電極CE1、第一絕緣層130(繪示於圖3)以及第一畫素電極PE1。第一絕緣層130位於第一共用電極CE1上。第一畫素電極PE1位於第一絕緣層130上,並與第一主動元件SW1電性連接。

第一主動元件SW1例如是薄膜電晶體(Thin Film Transistor;TFT),其包括第一閘極G1、第一源極S1、第一汲極D1以及第一通道層SM1。第一通道層SM1位於第一閘極G1的上方,且第一通道層SM1與第一閘極G1之間可以具有閘極絕緣層132。第一源極S1以及第一汲極D1位於第一通道層SM1的上方。換言之,第一主動元件SW1是以底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate TFT)為例來說明,但本發明不限於此。在其他實施方式中,第一主動元件SW1也可以是頂部閘極型薄膜電晶體(top gate TFT)或是其他適宜的薄膜電晶體。

在本實施例中,第一源極S1與第一訊號線SL1電性連接,且第一閘極G1與第三訊號線SL3電性連接,但本發明不限於此。

畫素結構100可以包括平坦層150。平坦層150覆蓋第一主動元件SW1、第一訊號線SL1以及第三訊號線SL3,且可使後續形成於平坦層150上的第一共用電極CE1、第一畫素電極PE1、其他膜層或元件具有較佳平整度。平坦層150的材料可以包含有機材料、無機材料(例如:氧化矽(Silicon oxide)、氮化矽(Silicon nitride)、氮氧化矽(Silicon oxynitride))、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆疊層)、其他合適的透明介電材料或上述之組合。

第一共用電極CE1位於平坦層150上。第一共用電極CE1的材質包括金屬氧化物或是其它適宜的透明導電材料,例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide;ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide;IZO)、鋁錫氧化物(Aluminum Tin Oxide;ATO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide;AZO)、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。

第一絕緣層130位於第一共用電極CE1上。第一絕緣層130的材質可以包含有機材料、無機材料(例如:氧化矽(Silicon oxide)、氮化矽(Silicon nitride)、氮氧化矽(Silicon oxynitride))、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆疊層)、其他合適的透明介電材料或上述之組合。

第一畫素電極PE1位於第一絕緣層130上,且第一畫素電極PE1與第一汲極D1藉由第一接觸窗CW1而彼此電性連接。第一畫素電極PE1的材質包括金屬氧化物或是其它適宜的透明導電材料,例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide;ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide;IZO)、鋁錫氧化物(Aluminum Tin Oxide;ATO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide;AZO)、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。

在本實施例中,第一畫素電極PE1包括多個第一畫素條狀電極111、第一邊緣條狀電極112以及多個第一延伸電極113。第一邊緣條狀電極112設置於第一畫素條狀電極111與第一訊號線SL1之間。第一邊緣條狀電極112與第一畫素條狀電極111之間具有一狹縫114,且任兩相鄰的第一畫素條狀電極111之間具有一狹縫114。在本實施例中,第一邊緣條狀電極112與第一畫素條狀電極111可約為「ㄍ」字型的柵狀電極圖案,且第一邊緣條狀電極112與第一畫素條狀電極111皆不與第一訊號線SL1平行,然本發明不限於此。在其他實施例中,第一邊緣條狀電極112與第一畫素條狀電極111可具有其他電極圖案配置。

多個第一延伸電極113位於第一邊緣條狀電極112與第一訊號線SL1之間,且各個第一延伸電極113分別從第一邊緣條狀電極112朝向第一訊號線SL1延伸。換言之,第一邊緣條狀電極112與多個第一延伸電極113可為同一導電圖案,且各個第一延伸電極113與第一邊緣條狀電極112具有第一夾角θ1。在本實施例中,第一夾角θ1可為直角,即各個第一延伸電極113與第一邊緣條狀電極112可約為「丅」字型電極圖案,但本發明不限於此。在其他實施例中,第一夾角θ1也可以為非直角。

第二畫素單元PU2設置於第一訊號線SL1的第二側SD2。第二畫素單元PU2包括第二主動元件SW2、第二共用電極CE2、第二絕緣層140(繪示於圖3)以及第二畫素電極PE2。第二絕緣層140位於第二共用電極CE2上。第二畫素電極PE2位於第二絕緣層140上,並與第二主動元件SW2電性連接。

第二主動元件SW2例如是薄膜電晶體,其包括第二閘極G2、第二源極S2、第二汲極D2以及第二通道層SM2。就結構上而言,在本實施例中的第二主動元件SW2可以是相似於第一主動元件SW1的底部閘極型薄膜電晶體,故於此不加以贅述。

在本實施例中,第二源極S2與第二訊號線SL2電性連接,且第二閘極G2與該第三訊號線SL3電性連接,但本發明不限於此。

平坦層150覆蓋第二主動元件SW2、第二訊號線SL2以及第三訊號線SL3,且可使後續形成於平坦層150上的第二共用電極CE2、第二畫素電極PE2、其他膜層或元件具有較佳平整度。

第二共用電極CE2位於平坦層150上。第二共用電極CE2的材質包括金屬氧化物或是其它適宜的透明導電材料,例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide;ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide;IZO)、鋁錫氧化物(Aluminum Tin Oxide;ATO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide;AZO)、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。在本實施例中,第一共用電極CE1與第二共用電極CE2可以實質地彼此連接,以使第一共用電極CE1與第二共用電極CE2彼此電性連接。在其他實施例中,第一共用電極CE1可與第二共用電極CE2可以實質地彼此分離,且第一共用電極CE1與第二共用電極CE2可藉由其他導電元件而彼此電性連接。

第二絕緣層140位於第二共用電極CE2上。第二絕緣層140的材質可以是相同或類似於第一絕緣層130的材質。在本實施例中,第一絕緣層130與第二絕緣層140可以實質地彼此連接,即第一絕緣層130與第二絕緣層140可為同一圖案化絕緣層,但本發明不限於此。

第二畫素電極PE2位於第二絕緣層140上,且第二畫素電極PE2與第二汲極D2藉由第二接觸窗CW2而彼此電性連接。第二畫素電極PE2的材質包括金屬氧化物或是其它適宜的透明導電材料,例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide;ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide;IZO)、鋁錫氧化物(Aluminum Tin Oxide;ATO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide;AZO)、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。就結構上而言,第二畫素電極PE2相同或類似於第一畫素電極PE1,但本發明不限於此。

在本實施例中,第二畫素電極PE2包括多個第二畫素條狀電極121、第二邊緣條狀電極122以及多個第二延伸電極123。第二邊緣條狀電極122設置於第二畫素條狀電極121與第一訊號線SL1之間。第二邊緣條狀電極122與第二畫素條狀電極121之間具有一狹縫124,且任兩相鄰的第二畫素條狀電極121之間具有一狹縫124。在本實施例中,第二邊緣條狀電極122與第二畫素條狀電極121可約為「ㄍ」字型的柵狀電極圖案,且第二邊緣條狀電極122與第二畫素條狀電極121皆不與第一訊號線SL1平行。然本發明不限於此,在其他實施例中,第二邊緣條狀電極122與第二畫素條狀電極121可具有其他電極圖案配置。

多個第二延伸電極123位於第二邊緣條狀電極122與第一訊號線SL1之間,且各個第二延伸電極123分別從第二邊緣條狀電極122朝向第一訊號線SL1延伸。換言之,第二邊緣條狀電極122與多個第二延伸電極123為同一導電圖案,且各個第二延伸電極123與第二邊緣條狀電極122具有第二夾角θ2。在本實施例中,第二夾角θ2約為直角,即各個第二延伸電極123與第二邊緣條狀電極122可約為「丅」字型電極圖案,但本發明不限於此。在其他實施例中,第二夾角θ2也可以為非直角。

第一遮光圖案層160位於第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間,且第一遮光圖案層160與第一訊號線SL1在基板11的垂直投影方向上彼此重疊。在本實施例中,第一遮光圖案層160可為導電金屬層,例如金屬或金屬合金的導電材質,但不以此為限。在其他實施例中,第一遮光圖案層160的材質可以是包括含碳材料或黑色樹脂等可以吸收可見光的介電材質。在本實施例中,第一遮光圖案層160的寬度大於第一訊號線SL1及/或第二訊號線SL2的寬度,但本發明不限於此。

在本實施例中,第一遮光圖案層160位於第一共用電極CE1與該第二共用電極CE2上方,但不限於此;在其他實施例中,第一共用電極CE1與第二共用電極CE2也可以位於第一遮光圖案層160上方。此外,在本實施例中,第一遮光圖案層160與第一共用電極CE1和第二共用電極CE2電性連接;但不限於此,在其他實施例中,第一遮光圖案層160可以為一介電材質,或者第一遮光圖案層160與第一共用電極CE1和第二共用電極CE2之間可以包含一絕緣層。

在一些實施例中,第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間具有一畫素間距a,第一遮光圖案層160具有一遮光寬度b,且遮光寬度b對畫素間距a的比值大於等於約0.5且小於等於約1。

在一些實施例中,第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間具有一畫素間距a,各第一延伸電極113具有一延伸長度c,且各第一延伸電極113的延伸長度c對該畫素間距a的比值大於等於約0.13且小於等於約0.68。較佳地,各第一延伸電極113的延伸長度c對該畫素間距a的比值大於等於約0.13且小於等於約0.23。

在一些實施例中,各第一延伸電極113具有一延伸長度c,且各第一延伸電極113的延伸寬度d大於0微米(μm)且小於等於約7微米。較佳地,各第一延伸電極113的延伸寬度d大於等於約1微米且小於等於約4.1微米。除此之外,延伸寬度d可具有約0.2微米的容忍誤差值。

在一些實施例中,各第一延伸電極113之間具有一電極間距e,各第一延伸電極113具有一延伸寬度d,且電極間距e對延伸寬度d的比值大於等於約2.6且小於等於約8.2。較佳地,電極間距e對延伸寬度d的比值大於等於約2.6且小於等於約3.3;或大於等於約5.4且小於等於約8.2。除此之外,電極距離可具有約0.4微米的容忍誤差值,電極距離可具有約0.4微米的容忍誤差值,且電極間距e對延伸寬度d的比值可具有對應的誤差傳遞(propagation of error)值。

在一些實施例中,各第一延伸電極113與第一遮光圖案層160部分重疊且具有一重疊寬度f,第一遮光圖案層160具有一遮光寬度b,而各第一延伸電極113的重疊寬度f對遮光寬度b的比值小於等於約0.8。在一些實施例中,各第一延伸電極113的邊緣與第一遮光圖案層160的邊緣切齊,而重疊寬度f的值約為0。在一些實施例中,各第一延伸電極113與第一遮光圖案層160不重疊,而各第一延伸電極113的邊緣與第一遮光圖案層160的邊緣之間的距離可以用具有負數值的重疊寬度f來表示。

在一些實施例中,第二畫素電極PE2的結構相似於第一畫素電極PE1的結構。也就是說,重疊寬度f也可以是各第二延伸電極123與第一遮光圖案層160部分重疊的寬度或其邊緣之間的距離,延伸長度c也可以是各第二延伸電極123的長度,電極間距e也可以是各第二延伸電極123之間的間距,且/或延伸寬度d也可以是各第二延伸電極123的寬度。

前述實施例的畫素結構100可以應用於顯示面板。以邊際場切換式(fringe field switching;FFS)顯示面板為例,畫素結構100可以與其他元件組成如圖3所示的顯示面板200,但本發明對於畫素結構100的應用方式並不加以限制。

圖3為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖3的顯示面板的剖面示意圖可以對應於圖1的畫素結構中A-A’剖線所繪示。圖4為本發明一實施例的顯示面板中的畫素結構於圖1中區域102所形成的邊緣電場FF的上視示意圖。為求清楚表示與便於說明,圖3以及圖4省略繪示部分的膜層。值得注意的是,圖3的顯示面板可以包括圖1至圖2實施例的畫素結構,相同或相似的標號表示相同或相似的構件,故針對圖1至圖2中說明過的構件於此不再贅述。

在本實施例中,畫素結構100可以與第二基板12、顯示介質層170、第一彩色濾光圖案CF1、第二彩色濾光圖案CF2以及第二遮光圖案層BM組成顯示面板200。顯示介質層170、第一彩色濾光圖案CF1、第二彩色濾光圖案CF2以及第二遮光圖案層BM位於第二基板12與畫素結構100之間。第二基板12之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其他類似的透光材質。

在本實施例中,第二遮光圖案層BM位於第二基板12與多個彩色濾光圖案CF1、CF2之間,但本發明不限於此。在其他實施例中,多個彩色濾光圖案CF1、CF2可以位於第二基板12與第二遮光圖案層BM之間。

顯示介質層170位於畫素結構100與第二基板12之間。顯示介質層170包括多個液晶分子(未繪示),但本發明不限於此。在其他實施例中,顯示介質層170也可以包括電泳顯示介質或是其它可適用的介質。除此之外,在本發明實施例中的液晶分子,是以可被電場轉動或切換的液晶分子為例,但本發明不限於此。

在第二基板12的表面12a的法線方向上,畫素結構100的第一畫素單元PU1與第一彩色濾光圖案CF1重疊,且畫素結構100的第二畫素單元PU2與第二彩色濾光圖案CF2重疊。換言之,第一彩色濾光圖案CF1對應於第一畫素單元PU1設置,且第二彩色濾光圖案CF2對應於第二畫素單元PU2設置。

在顯示面板200的操作上,第一共用電極CE1例如電性連接至一共通電壓源,以施加一共通電壓(common voltage;Vcom)至第一畫素單元PU1中的第一共用電極CE1上;第一畫素電極PE1則接收來自第一汲極D1所傳遞之對應電壓,藉此,在第一畫素單元PU1中,第一畫素電極PE1會與第一共用電極CE1間形成一第一電場EF1。當畫素結構100應用於顯示面板200時,於第一畫素單元PU1形成的第一電場EF1會驅動第一畫素單元PU1上方的液晶分子使其作不同程度的偏轉以產生顯示功能。值得一提的是,由於第一畫素電極PE1的第一邊緣條狀電極112與第一畫素條狀電極111可約為「ㄍ」字型電極圖案,因此這樣的第一畫素電極PE1設計可以將上方的顯示介質層170劃分出多個配向領域,進而使得利用此畫素結構100的顯示面板可以改善混色的問題,又能夠兼顧良好的穿透率,並且具有增廣視角的功能。

第二共用電極CE2例如電性連接至一共通電壓源,以施加一共通電壓至第二畫素單元PU2中的第二共用電極CE2上;第二畫素電極PE2則接收來自第二汲極D2所傳遞之對應電壓,藉此,在第二畫素單元PU2中,第二畫素電極PE2會與第二共用電極CE2間形成一第二電場EF2。當畫素結構100應用於顯示面板200時,於第二畫素單元PU2形成的第二電場EF2會驅動第二畫素單元PU2上方的液晶分子使其作不同程度的偏轉以產生顯示功能。簡言之,第二畫素單元PU2具有類似於第一畫素單元PU1的應用層面。

除此之外,第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間還可形成如圖4所示的邊緣電場FF。值得注意的是,在圖4中,邊緣電場FF的方向為自第一延伸電極113向第二延伸電極123,但本發明不限於此。在其他的實施例中,邊緣電場FF的方向可以依據第一延伸電極113以及第二延伸電極123之間的電荷分佈而具有對應的電場方向。

舉例而言,當第一畫素電極PE1接收來自第一汲極D1所傳遞之對應電壓,且第二畫素電極PE2未接收來自第二汲極D2所傳遞之對應電壓時,由於第一畫素電極PE1的電壓值不同於第二畫素電極PE2的電壓值,因此第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間會形成電場。簡言之,當第一畫素電極PE1的電壓值不同於第二畫素電極PE2的電壓值時,第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間會形成電場。如此一來,當畫素結構100應用於顯示面板200時,於第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間所形成的電場會驅動第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間的液晶分子使其作不同程度的偏轉。此時,若光線穿透第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間的液晶分子,則可能會發生漏光現象,而導致顯示畫面有混色等問題。

在本實施例中,由於第一延伸電極113分別從第一邊緣條狀電極112朝向第一訊號線SL1延伸,第二延伸電極123分別從第二邊緣條狀電極122朝向第一訊號線SL1延伸,且第一延伸電極113與第二延伸電極123彼此交錯設置。在本實施例中,藉由第一延伸電極113及/或第二延伸電極123的設置,可以使第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間所形成的邊緣電場FF,邊緣電場FF的方向不同於第一電場EF1及/或第二電場EF2的方向。基於上述,藉由本實施例中第一延伸電極113及/或第二延伸電極123的設置,可以使第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間的液晶分子的偏轉方向不同於第一畫素單元PU1及/或第二畫素單元PU2上的液晶分子的偏轉方向,藉由第一延伸電極113與第二延伸電極123之間形成的邊緣電場FF,可以使得液晶分子沿著配向(rubbing)方向延伸,因此可以減少漏光的發生。除此之外,由於第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間具有第一遮光圖案層160。如此一來,可以減少光線穿透第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2之間的液晶分子,以降低漏光現象,而改善顯示畫面的混色問題,又能夠兼顧良好的穿透率。 測試例

為了證明本發明的畫素結構可改善顯示畫面的色飽和度不足與色偏等問題,特別以下列測試例作為說明。然而,這些測試例在任何意義上均不解釋為限制本發明之範疇。

一般而言,在明亮環境中,人眼對中波長黃綠色光(約555nm)較為靈敏,感覺最明亮,相對敏感度往可見光譜兩側遞減至近乎零,此圖形稱為明視曲線(visibility curve)。也就是說,相較於人眼對紅色光及藍色光的混光敏感度及/或綠色光及藍色光的混光敏感度,人眼對紅色光及綠色光的混光具有較大的敏感度。換言之,在相同的畫素結構之下,若紅色光及綠色光的混光所造成的混色為人眼所能接受時,則依據人眼的視覺,紅色光及藍色光的混光或綠色光及藍色光的混光所造成的混色也可為人眼所能接受。因此,在一般涉及混光的人因實驗中,大多採用紅色光及綠色光作為實驗條件。

請同時參考圖1至圖12,下列的各測試例,是利用模擬軟體計算在上述實施例的畫素結構中,不同的條件之下綠色光(波長:約550nm)混入紅色光(波長:約650nm)的比值。詳細而言,下列的各測試例中,是模擬第一彩色濾光圖案CF1為紅色濾光圖案(可透光波長:約650nm),且第一畫素電極PE1接收來自第一汲極D1所傳遞之對應電壓,以使與第一畫素單元PU1重疊的液晶分子產生對應的偏轉方向;第二彩色濾光圖案CF2為綠色濾光圖案(可透光波長:約550nm),且第二畫素電極PE2未接收來自第二汲極D2所傳遞之對應電壓時,以使與第二畫素單元PU2重疊的液晶分子具有初始的偏轉方向之下;以及從第二彩色濾光圖案CF2向第一彩色濾光圖案CF1且平行於圖1的A-A’切線方向(即,平行於掃描線SL的延伸方向)上,在不同的視角θ3下綠色光混入紅色光的比值。其中綠色光混入紅色光的比值可以為穿透第二彩色濾光圖案CF2的光通量(luminous transmittance)與穿透第一彩色濾光圖案CF1的光通量的比值(即,光通量比值R),其可由方程式(1)來表示: …..(1) 其中 為穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為綠色濾光圖案)的光通量, 為穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量,其中視角θ3為視線的延伸方向與第二基板12的表面12a的法線夾角。依照人因實驗結果,當上述光通量比值R小於等於約1.409%時,代表在高斯分佈中混光所造成的混色也可為約85%以上的人眼所能接受,也就是說約85%以上的人眼無法分辨有混色情形。

下列測試例是針對由上述實施例的畫素結構所組成的顯示面板,在不同視角θ3的情況下,根據第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a、第一遮光圖案層160的遮光寬度b、第一延伸電極113的延伸長度c、第一延伸電極113的延伸寬度d、各第一延伸電極113之間的電極間距e、第一延伸電極113與第一遮光圖案層160的重疊寬度f或上述各條件彼此之間的關係,對光通量比值R(即,方程式(1)所表示的數值)進行說明。 測試例 1

本測試例是在畫素結構100的架構下,針對畫素結構中的第一延伸電極113及第二延伸電極123的設置與否以及第一遮光圖案層160的設置與否,而對由不同測試例的畫素結構所組成的顯示面板的光通量比值R進行了比對。具體來說,在本測試例中,在畫素結構具有第一延伸電極113以及第一遮光圖案層160的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題。其模擬結果如下列表1所示。 表1 <TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> </td><td> 測試例1-1 </td><td> 測試例1-2 </td><td> 測試例1-3 </td><td> 測試例1-4 </td></tr><tr><td> b/a </td><td> 0 </td><td> 0 </td><td> 60% </td><td> 60% </td></tr><tr><td> c/a </td><td> 0 </td><td> 40% </td><td> 40% </td><td> 13% </td></tr><tr><td> R </td><td> 0.0207 </td><td> 0.0289 </td><td> 0.0073 </td><td> 0.0069 </td></tr></TBODY></TABLE>

請同時參考圖2、圖3及表1,表1列舉了本發明的測試例1的畫素結構的在視角θ3約為60度時其光通量比值R的比較值。詳細而言,在表1中,列舉了在畫素結構不具有第一延伸電極113以及第一遮光圖案層160的情況(即,測試例1-1)、畫素結構具有第一延伸電極113且不具有第一遮光圖案層160的情況(即,測試例1-2)或畫素結構具有第一遮光圖案層160且第一延伸電極113的延伸長度c具有不同長度的情況(即,測試例1-3、測試例1-4)之下,對應於顯示畫面的光通量比值R。

具體來說,在本測試例中,在畫素結構的具有第一延伸電極113/第二延伸電極123以及第一遮光圖案層160的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題。 測試例 2

本測試例針對上述實施例的畫素結構中,第一遮光圖案層160的遮光寬度b對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值,對由畫素結構所組成的顯示面板的光通量比值R進行了比對。在測試例3的畫素結構中,第一延伸電極113的延伸長度c對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值(即,後述數學式(3))約為13%,其中前述第一遮光圖案層160的遮光寬度b對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值可由數學式(2)來表示: …..(2)

請同時參考圖2、圖3及圖5,圖5繪示本發明的測試例2的畫素結構的在視角θ3約為60度時其光通量比值R的關係圖。詳細而言,在圖5的關係圖中,縱軸為光通量比值R,橫軸為數學式(2)所表示的數值。具體來說,在本測試例中,在畫素結構的第一遮光圖案層160具有一遮光寬度b,第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間具有一畫素間距a,而遮光寬度b對畫素間距a的比值大於等於約0.5的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題。除此之外,在遮光寬度b對畫素間距a的比值小於等於約0.8的情況下,可以使正視角時的穿透率減少量小於約4%時,因此能夠兼顧顯示面板的穿透率。 測試例 3

本測試例針對上述實施例的畫素結構中,第一延伸電極113的延伸長度c對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值,對由畫素結構所組成的顯示面板的光通量比值R進行了比對。在測試例3的畫素結構中,第一遮光圖案層160的遮光寬度b對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值(即,前述數學式(2))約為60%,其中前述第一延伸電極113的延伸長度c對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值可由數學式(3)來表示: …..(3)

請同時參考圖2、圖3、圖6及圖7,圖6繪示本發明的測試例3的畫素結構的在視角θ3約為60度時其光通量比值R的關係圖,圖7繪示本發明的測試例3的畫素結構的在正視角(θ3約為0度)時穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量減少量的關係圖。詳細而言,在圖6的關係圖中,縱軸為光通量比值R,橫軸為數學式(3)所表示的數值。在圖7的關係圖中,縱軸為穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量減少量比例,橫軸為數學式(3)所表示的數值,其中光通量減少量是以前述測試例1-1作為基準。

具體來說,在本測試例中,在畫素結構的第一延伸電極113具有一延伸長度c,第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間具有一畫素間距a,而延伸長度c對畫素間距a的比值大於等於約0.13且小於等於約0.68的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題。除此之外,在更進一步考量穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量的情況下,或是考量正視穿透率的情況下,延伸長度c對畫素間距a的比值為大於等於約0.13且小於等於約0.23。 測試例 4

本測試例針對上述實施例的畫素結構中,第一延伸電極113的延伸長度c,對由畫素結構所組成的顯示面板 的光通量比值R進行了比對。在測試例4的畫素結構中,第一遮光圖案層160的遮光寬度b對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值(即,前述數學式(2))約為60%,第一延伸電極113的延伸長度c對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值(即,前述數學式(3))約為13%。

請同時參考圖2、圖3、圖8及圖9,圖8繪示本發明的測試例4的畫素結構的在視角θ3約為60度時其光通量比值R的關係圖,圖9繪示本發明的測試例4的畫素結構的在正視角時穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量減少量的關係圖。詳細而言,在圖8的關係圖中,縱軸為光通量比值R,橫軸為第一延伸電極113的延伸寬度d(單位:微米(μm))。在圖9的關係圖中,縱軸為穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量減少量比例,橫軸為第一延伸電極113的延伸寬度d(單位:微米(μm)),其中光通量減少量是以前述測試例1-1作為基準。

具體來說,在本測試例中,在畫素結構的第一延伸電極113的延伸寬度d大於0微米且小於等於約7微米的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題。除此之外,在更進一步考量穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量的情況下,延伸長度c大於等於約1微米且小於等於約4.1微米。 測試例 5

本測試例針對上述實施例的畫素結構中,各第一延伸電極113之間的電極間距e對第一延伸電極113的延伸長度c的比值,對由畫素結構所組成的顯示面板的光通量比值R進行了比對。在測試例5的畫素結構中,第一遮光圖案層160的遮光寬度b對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值(即,前述數學式(2))約為60%,第一延伸電極113的延伸長度c對第一邊緣條狀電極112與第二邊緣條狀電極122之間的畫素間距a的比值(即,前述數學式(3))約為13%,第一延伸電極113的延伸寬度d約為2.5μm,其中前述各第一延伸電極113之間的電極間距e對第一延伸電極113的延伸長度c的比值可由數學式(4)來表示: …..(4)

請同時參考圖2、圖3、圖10及圖11,圖10繪示本發明的測試例5的畫素結構的在視角θ3約為60度時其光通量比值R的關係圖,圖11繪示本發明的測試例5的畫素結構的在正視角時穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量減少量的關係圖。詳細而言,在圖10的關係圖中,縱軸為光通量比值R,橫軸為數學式(5)所表示的數值。在圖11的關係圖中,縱軸為穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量減少量比例,橫軸為數學式(4)所表示的數值,其中光通量減少量是以前述測試例1-1作為基準。

具體來說,在本測試例中,在畫素結構的各第一延伸電極113之間具有一電極間距e,第一延伸電極113具有一延伸長度c,而電極間距e對延伸長度c的比值大於等於約2.6且小於等於約8.2的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題。除此之外,在更進一步考量穿透第二彩色濾光圖案CF2(於測試例中為紅色濾光圖案)的光通量的情況下,延伸長度c對畫素間距a的比值為大於等於約2.6且小於等於約3.3或大於等於約5.4且小於等於約8.2。 測試例 6

本測試例針對上述實施例的畫素結構中,第一延伸電極113與第一遮光圖案層160的重疊寬度f對第一遮光圖案層160的遮光寬度b的比值,對由畫素結構所組成的顯示面板的光通量比值R進行了比對。

請同時參考圖2、圖3及圖12,圖12繪示本發明的測試例2的畫素結構的在視角θ3約為60度時其光通量比值R的關係圖。詳細而言,在圖12的關係圖中,縱軸為光通量比值R,橫軸為重疊寬度f對遮光寬度b的比值。具體來說,在本測試例中,在畫素結構的各第一延伸電極113與第一遮光圖案層160之間具有重疊寬度f,第一遮光圖案層160具有遮光寬度b,而各第一延伸電極113的重疊寬度f對遮光寬度b的比值小於等於約0.8的情況下,可改善顯示畫面的混色等問題,也能夠兼顧顯示面板的穿透率。

圖13為本發明另一實施例的畫素結構的上視示意圖。為求清楚表示與便於說明,圖13省略繪示部分的膜層。在此必須說明的是,圖13的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。

請參照圖13,本實施例的畫素結構300與圖1的實施例的畫素結構100相似,兩者的差異在於:第一主動元件SW1包括第一閘極G1、第一源極S1、第一汲極D1以及第一通道層SM1,其中第一閘極G1與第一訊號線SL1電性連接,第一源極S1與第三訊號線SL3電性連接,且第一汲極D1與第一畫素電極PE1電性連接。第二主動元件SW2包括第二閘極G2、第二源極S2、第二汲極D2以及第二通道層SM2,其中第二閘極G2與第二訊號線SL2電性連接,第二源極S2與第三訊號線SL3電性連接,且第二汲極D2與第二畫素電極PE2電性連接。在本實施例中,第一訊號線SL1與第二訊號線SL2可以為不同的掃描線,且第三訊號線SL3可為資料線,但本發明不限於此。

綜上所述,在本發明的畫素結構中,藉由第一延伸電極以及第二延伸電極來形成不同方向的邊緣電場,以及位於第一畫素單元與第二畫素單元之間的遮光圖案層,可以改善畫素結構混色的問題,又能夠兼顧良好的穿透率。除此之外,利用本發明的畫素結構所構成顯示面板,可以具有較佳的共同電壓均勻性及驅動能力,且不會額外增加共通電壓的電阻電容負載(RC loading)。並且,在人眼視覺上,也可以有助於改善側視時的混色問題,又能夠兼顧良好的穿透率,並且具有增廣視角的功能。

雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、300‧‧‧畫素結構

200‧‧‧顯示面板

102‧‧‧區域

11‧‧‧第一基板

SL1‧‧‧第一訊號線

SD1‧‧‧第一側

SD2‧‧‧第二側

SL2‧‧‧第二訊號線

SL3‧‧‧第三訊號線

CW1‧‧‧第一接觸窗

CW2‧‧‧第二接觸窗

PU1‧‧‧第一畫素單元

SW1‧‧‧第一主動元件

G1‧‧‧第一閘極

S1‧‧‧第一源極

D1‧‧‧第一汲極

SM1‧‧‧第一通道層

CE1‧‧‧第一共用電極

130‧‧‧第一絕緣層

PE1‧‧‧第一畫素電極

111‧‧‧第一畫素條狀電極

112‧‧‧第一邊緣條狀電極

113‧‧‧第一延伸電極

114‧‧‧狹縫

θ1‧‧‧第一夾角

EF1‧‧‧第一電場

PU2‧‧‧第二畫素單元

SW2‧‧‧第二主動元件

G2‧‧‧第二閘極

S2‧‧‧第二源極

D2‧‧‧第二汲極

SM2‧‧‧第二通道層

CE2‧‧‧第二共用電極

140‧‧‧第二絕緣層

PE2‧‧‧第二畫素電極

121‧‧‧第二畫素條狀電極

122‧‧‧第二邊緣條狀電極

123‧‧‧第二延伸電極

124‧‧‧狹縫

θ2‧‧‧第二夾角

EF2‧‧‧第二電場

FF‧‧‧邊緣電場

132‧‧‧閘極絕緣層

150‧‧‧平坦層

160‧‧‧第一遮光圖案層

12‧‧‧第二基板

12a‧‧‧表面

170‧‧‧顯示介質層

CF1‧‧‧第一彩色濾光圖案

CF2‧‧‧第二彩色濾光圖案

BM‧‧‧第二遮光圖案層

θ3‧‧‧視角

a‧‧‧畫素間距

b‧‧‧遮光寬度

c‧‧‧延伸長度

d‧‧‧延伸寬度

e‧‧‧電極間距

f‧‧‧重疊寬度

R‧‧‧光通量比值

圖1為本發明一實施例的畫素結構的上視示意圖。 圖2是圖1中區域102的放大圖。 圖3為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖4為本發明一實施例的畫素結構於圖1中區域102所形成的邊緣電場FF的上視示意圖。 圖5繪示本發明的測試例2的畫素結構的在視角約為60度時其光通量比值的關係圖。 圖6繪示本發明的測試例3的畫素結構的在視角約為60度時其光通量比值的關係圖。 圖7繪示本發明的測試例3的畫素結構的在正視角時穿透第二彩色濾光圖案的光通量減少量的關係圖。 圖8繪示本發明的測試例4的畫素結構的在視角約為60度時其光通量比值的關係圖。 圖9繪示本發明的測試例4的畫素結構的在正視角時穿透第二彩色濾光圖案的光通量減少量的關係圖。 圖10繪示本發明的測試例5的畫素結構的在視角約為60度時其光通量比值的關係圖。 圖11繪示本發明的測試例5的畫素結構的在正視角時穿透第二彩色濾光圖案的光通量減少量的關係圖。 圖12繪示本發明的測試例6的畫素結構的在視角約為60度時其光通量比值的關係圖。 圖13為本發明另一實施例的畫素結構的上視示意圖。

Claims (15)

  1. 一種畫素結構,包括: 一基板; 一第一訊號線,設置於該基板上,且具有一第一側與一第二側; 一第一畫素單元,設置於該第一訊號線的該第一側,其中該第一畫素單元包括: 一第一主動元件; 一第一共用電極; 一第一絕緣層,位於該第一共用電極上;以及 一第一畫素電極,位於該第一絕緣層上,並與該第一主動元件電性連接,其中該第一畫素電極包括一第一邊緣條狀電極以及多個第一延伸電極,且該些第一延伸電極分別從該第一邊緣條狀電極朝向該第一訊號線延伸; 一第二畫素單元,設置於該第一訊號線的該第二側,其中該第二畫素單元包括: 一第二主動元件; 一第二共用電極; 一第二絕緣層,位於該第二共用電極上;以及 一第二畫素電極,位於該第二絕緣層上,並與該第二主動元件電性連接,其中該第二畫素電極包括一第二邊緣條狀電極以及多個第二延伸電極,且該些第二延伸電極分別從該第二邊緣條狀電極朝向該第一訊號線延伸;以及 一第一遮光圖案層,位於該第一畫素單元與該第二畫素單元之間,且該第一遮光圖案層與該第一訊號線彼此重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中: 該第一畫素電極更包括多個第一畫素條狀電極,該第一邊緣條狀電極設置於該些第一畫素條狀電極與該第一訊號線之間;以及 該第二畫素電極更包括多個第二畫素條狀電極,該第二邊緣條狀電極設置於該些第二畫素條狀電極與該第一訊號線之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,更包含一第二訊號線與一第三訊號線,其中: 該第一主動元件,包括一第一閘極、一第一汲極以及一第一源極,其中該第一源極與該第一訊號線電性連接,該第一汲極與該第一畫素電極電性連接,以及該第一閘極與該第三訊號線電性連接;以及 該第二主動元件,包括一第二閘極、一第二汲極以及一第二源極,其中該第二源極與該第二訊號線電性連接,該第二汲極與該第二畫素電極電性連接,以及該第二閘極與該第三訊號線電性連接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,更包含一第二訊號線與一第三訊號線,其中: 該第一主動元件,包括一第一閘極、一第一汲極以及一第一源極,其中該第一閘極與該第一訊號線電性連接,該第一源極與該第三訊號線電性連接,以及該第一汲極與該第一畫素電極電性連接;以及 該第二主動元件,包括一第二閘極、一第二汲極以及一第二源極,其中該第二閘極與該第二訊號線電性連接,該第二源極與該第三訊號線電性連接,以及該第二汲極與該第二畫素電極電性連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該些第一延伸電極與該些第二延伸電極彼此交錯設置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一共用電極與該第二共用電極電性連接,且該第一遮光圖案層位於該第一共用電極與該第二共用電極上方。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一共用電極與該第二共用電極電性連接,且該第一共用電極與該第二共用電極位於該第一遮光圖案層上方。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一遮光圖案層電性連接於該第一共用電極與該第二共用電極。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一遮光圖案層的寬度大於該第一訊號線的寬度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該些第一延伸電極的至少其中之一與該第一遮光圖案層部分重疊且具有一重疊寬度,該第一遮光圖案層具有一遮光寬度,而該重疊寬度對該遮光寬度的比值小於等於0.8。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一邊緣條狀電極與該第二邊緣條狀電極之間具有一畫素間距,該第一遮光圖案層具有一遮光寬度,且該遮光寬度對該畫素間距的比值大於等於0.5且小於等於1。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一邊緣條狀電極與該第二邊緣條狀電極之間具有一畫素間距,該些第一延伸電極的至少其中之一具有一延伸長度,且該延伸長度對該畫素間距的比值大於等於0.13且小於等於0.68。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中各該第一延伸電極具有一延伸寬度,且各該第一延伸電極的該延伸寬度大於0微米且小於等於7微米。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該任兩相鄰的第一延伸電極之間具有一電極間距,各該第一延伸電極具有一延伸寬度,且該電極間距對該延伸寬度的比值為: 大於等於2.6且小於等於3.3;或 大於等於5.4且小於等於8.2。
  15. 一種顯示面板,包括: 一畫素結構,包括: 一基板; 一第一訊號線,設置於該基板上,且具有一第一側與一第二側; 一第一畫素單元,設置於該第一訊號線的該第一側,其中該第一畫素單元包括: 一第一主動元件; 一第一共用電極; 一第一絕緣層,位於該第一共用電極上;以及 一第一畫素電極,位於該第一絕緣層上,並與該第一主動元件電性連接,其中該第一畫素電極包括一第一邊緣條狀電極以及多個第一延伸電極,且該些第一延伸電極分別從該第一邊緣條狀電極朝向該第一訊號線延伸; 一第二畫素單元,設置於該第一訊號線的該第二側,其中該第二畫素單元包括: 一第二主動元件; 一第二共用電極; 一第二絕緣層,位於該第二共用電極上;以及 一第二畫素電極,位於該第二絕緣層上,並與該第二主動元件電性連接,其中該第二畫素電極包括一第二邊緣條狀電極以及多個第二延伸電極,且該些第二延伸電極分別從該第二邊緣條狀電極朝向該第一訊號線延伸;以及 一第一遮光圖案層,位於該第一畫素單元與該第二畫素單元之間,且該第一遮光圖案層與該第一訊號線彼此重疊; 一顯示介質層,位於該畫素結構上; 兩個彩色濾光圖案,其中該顯示介質層位於該些彩色濾光圖案與該畫素結構之間,且該些彩色濾光圖案分別對應該第一畫素單元與該第二畫素單元設置;以及 一第二遮光圖案層,位於該兩個彩色濾光圖案之間。
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