KR101126286B1 - 고순도 탄산리튬의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의하면, 종래의 복잡한 전해장치의 구조를 단순화시켜 전해 전압의 저하를 기대할 수 있고 전해에 필요한 전력의 소모가 낮으며, 조해성을 갖는 염화리튬을 사용하지 않음으로써 취급이 용이하고 염소가스의 미발생으로 전해장치에 부식이 방지되는 동시에 무해화 처리를 위한 설비의 도입이 불필요하기 때문에 친환경적이면서도 저비용으로 금속 리튬을 고순도로 제조할 수 있다.
Description
도 2는 NaOH 투입량에 따른 여과액중 마그네슘 이온의 농도 변화를 나타낸 그래프.
도 3은 NaOH 투입량에 따른 여과액중 붕소 이온의 농도 변화를 나타낸 그래프.
도 4는 NaOH 투입량에 따른 여과액중 리튬 이온의 농도 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 NaOH 투입량에 따른 여과액중 칼슘 이온의 농도 변화를 나타낸 그래프.
도 6은 리튬을 탄산리튬으로 석출시 반응시간에 따른 리튬 함유 용액 중 리튬의 농도를 나타낸 그래프.
도 7은 리튬을 인산리튬으로 석출시 반응시간에 따른 리튬 함유 용액 중 리튬의 농도를 나타낸 그래프.
도 8은 본 발명에 따른 리튬 제조 방법의 전기분해 장치의 구성도.
도 9(a)는 본 발명에 따른 리튬 제조 방법 사용시 시간에 따른 Li농도의 변화를 나타낸 그래프, 도 9(b)는 시간에 따른 P농도의 변화를 나타낸 그래프.
Claims (14)
- 리튬 함유 용액에 알칼리 또는 탄산염을 단독 또는 혼합으로 투입시켜 마그네슘, 붕소 및 칼슘을 추출하는 불순물 제거 단계와;
불순물이 제거된 상기 리튬 함유 용액에 인 공급 물질을 투입하여 용존 리튬을 인산리튬으로 석출시키는 인산리튬 석출 단계와;
양극셀과 음극셀이 양이온 교환막에 의해 구획된 전해장치를 준비하여, 상기 양극셀에 상기 인산리튬이 용해된 인산리튬 수용액을 공급하고, 상기 음극셀에 수용액을 공급한 후, 전류를 인가하여 상기 양극셀에서 분리된 리튬 이온을 상기 음극셀로 이동시켜 수산화 리튬 수용액을 얻는 전기분해 환원 단계와;
상기 수산화 리튬 수용액을 CO2 가스나 탄산 함유 물질과 반응시켜 탄산리튬을 석출시키는 탄산리튬 생성 단계;를 포함하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 불순물 제거 단계는, 상기 리튬 함유 용액에 알칼리를 투입하여 마그네슘을 수산화 마그네슘으로 석출시키는 제1단계와,
상기 리튬 함유 용액의 pH를 8.5~10.5로 유지시켜 붕소 이온을 상기 수산화 마그네슘의 표면에 흡착시키는 제2단계와,
붕소 이온이 흡착된 상기 수산화 마그네슘을 상기 리튬 함유 용액으로부터 여과시켜 마그네슘과 붕소를 동시에 추출하는 제3단계와,
마그네슘과 붕소가 추출된 상기 리튬 함유 용액에 알칼리나 탄산염을 단독 또는 혼합으로 투입시켜 칼슘을 수산화 칼슘 또는 탄산칼슘으로 석출시키는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 제1단계 내지 제3단계를 2회 이상 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 제2단계는, 상기 수산화 마그네슘의 표면전하를 양전하로 대전 시킴으로써 음전하를 갖는 붕소 이온을 상기 수산화 마그네슘의 표면에 흡착시킴과 동시에 양전하를 갖는 리튬 이온의 흡착을 방지함으로써 리튬의 손실을 최소화하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제4단계의 리튬 함유 용액은 pH가 12이상인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 인 공급 물질은 인, 인산, 인산나트륨, 인산칼륨, 인산암모늄에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 인산리튬의 농도는 0.39g/L 이상인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 리튬 함유 용액의 리튬 농도는 0.5~3g/L인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 석출된 인산리튬을 상기 리튬 함유 용액으로부터 여과시켜 인산리튬을 추출하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 전기분해의 전해조건은 전류밀도가 1 ~ 200A/cm2, 전해온도가 15 ~ 25℃인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 양이온 교환막은 다공질이고, 공공율이 10 ~ 50%인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 양이온 교환막은 원자가가 하나인 양이온을 통과시킬 수 있는 고분자막인 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법. - 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전기분해 후 상기 음극셀의 리튬이온이 농축된 용액의 pH가 7을 초과하는 것을 특징으로 하는 인산리튬 수용액의 전기분해에 의한 리튬 제조 방법. - 제1항에 있어서,
석출된 상기 탄산리튬을 상기 수산화 리튬 수용액으로부터 여과시켜 탄산리튬을 추출하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄산리튬의 제조 방법.
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