KR101124035B1 - 분위기 청정화 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과, 피처리체보다 위쪽 위치로서, 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 횡방향으로 공급하는 복수의 이오나이저와, 이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 상기 피처리체에 인가하는 수단을 포함하며, 상기 대칭으로 배치된 이오나이저는, 서로 마주 보도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치이다.

Description

분위기 청정화 장치{ATMOSPHERE CLEANING DEVICE}

본 발명은, 예컨대 반도체 제조 공장에서 사용되는 분위기 청정화 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공장 내의 클린룸에는, 천정부에 설치된 팬 필터 유닛(FFU)을 통해 공기가 공급되고, 바닥 아래에 배치된 흡입팬에 의해 공기가 흡입됨으로써, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판이 놓이는 분위기에 하강류(소위 다운플로)가 형성되어 있다. 또한, 이러한 다운플로의 형성은, 반도체 제조 장치에서의 대기 반송 분위기에서도 채용되어 있다.

이러한 방법에 의하면, FFU에 의해 청정화된 공기가, 기판이 위치하는 분위기에 공급된다. 또한, 기판의 반송 등에 따라서 분위기중에서 발생하는 파티클에 대해서도, 중력과 다운플로에 기초하는 관성력에 의해, 분위기의 아래쪽으로 강제적으로 이동시켜져, 분위기 밖으로 배출된다. 이렇게 하여, 이 분위기의 청정 상태가 유지되도록 되어 있다. 그리고, 기판이 놓이는 분위기 중에서도, 특히 대기 반송 분위기(반송로 위의 대기 분위기)에서는, 기판 반송 기구의 구동 부분으로부터 먼지가 발생하기 쉽고, 또한 기판 전달시에 기판의 둘레 가장자리에 부착되어 있는 박막이 벗겨져 파티클이 발생하기 쉽기 때문에, 이러한 파티클 오염 방지 대책은 중요하다.

그러나, 기판의 배선 패턴이 치밀해짐에 따라서, 파티클의 부착 관리가 한층 더 엄격해져 오고 있다. 즉, 패턴의 미세화에 따라, 지금까지 허용되었던 입자 직경의 파티클도 문제로 되어 오고 있다. 즉, 부착 방지의 대상이 되는 파티클의 입자 직경이 작아져 있다. 작은 입자 직경의 파티클 등에 대해서는, 종래의 방법으로는 다음과 같은 문제가 발생한다. 즉, 파티클 등의 입자 직경이 작아지면, 파티클에 발생하는 중력이나 다운플로에 의한 관성력의 영향이 작아진다. 이 때문에, 종래의 FFU에 의한 기류 제어로는, 확산의 영향이 커져, 미소한 파티클을 충분히 제어할 수 없고, 다운플로에 따라 기판의 아래쪽으로 이동시킬 수 없어, 기판에 파티클 등이 부착될 우려가 있다.

상기한 문제에 대하여, 반송 장치에 이온 발생 장치를 설치하고, 이 반송 장치 안의 파티클을 대전시켜, 대전시킨 이 파티클과 같은 극성의 직류 전압을 반도체 기판에 인가하고, 파티클과 기판의 같은 극성의 전장과의 정전 반발력에 의해 기판에의 파티클의 부착을 방지하는 것이 알려져 있다[일본 특허 공개 제2005-116823호 공보(단락번호 0043, 0044)]. 이러한 대기 반송 장치에서는 정전 반발력에 의해 파티클이 기판으로부터 튄다. 이 때문에, FFU에 의한 기류 제어에 비해, 파티클의 부착을 보다 정밀도 좋게 방지할 수 있다. 그러나, 이온 발생 장치에 의한 전계에 대해서는 전혀 고려되어 있지 않기 때문에, 더 미소한 파티클의 부착을 방지하는 방법으로서는, 충분하다고 하기 어렵다.

본 발명은, 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 분위기 청정화 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명은, 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과, 피처리체보다 위쪽 위치로서, 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 횡방향으로 공급하는 복수의 이오나이저(ionizer)와, 이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 상기 피처리체에 인가하는 수단을 포함하며, 상기 대칭으로 배치된 이오나이저는, 서로 마주 보도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치이다.

본 발명에 의하면, 이오나이저에 의해 대전된 파티클과 전압이 인가된 피처리체 사이의 정전 척력에 의해, 피처리체에의 파티클의 부착이 방지된다. 여기서, 이오나이저와 피처리체의 상대 위치가 피처리체에의 파티클의 부착 방지 효과에 큰 영향을 부여하는 것, 더 나아가서는 피처리체의 전압의 크기에 따라 파티클의 부착량이 변하는 것 등의 본 발명자에 의한 지견(知見)(실험에 의해 얻어진 데이터 등)에 기초하여, 피처리체를 사이에 두도록 대칭으로 복수의 이오나이저를 배치한 것에 의해, 하나의 이오나이저에 기초하는 피처리체의 표면 근방의 전위 기울기가 다른 이오나이저에 기초하는 전위 기울기에 의해 고르게 되어, 이오나이저의 전기력선에 의한 피처리체의 표면 근방의 전위 분포에의 영향에 대해서, 면내에서의 변동이 작아진다. 이 결과, 피처리체의 표면 전체에 걸쳐, 파티클에 대하여 적절한 정전 척력을 작용시킬 수 있다. 이것에 의해, 미세한 파티클이어도, 피처리체에의 부착을 효과적으로 저감할 수 있다.

예컨대, 상기 대칭으로 배치된 이오나이저끼리의 조가, 피처리체 주위를 따라 복수 조 설치되어 구성될 수 있다. 또는 피처리체의 주위를 따라 나열되는 복수의 이오나이저에 의해 그룹이 형성되고, 이 그룹끼리가 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치될 수 있다. 이 경우, 바람직하게는, 상기 그룹은 복수의 이오나이저가 횡 일렬로 배열된 그룹이다.

또한, 예컨대 피처리체가 반송되는 띠형의 반송로가 설치되는 경우, 이 반송로의 양측에, 각각 복수의 이오나이저가 평면상의 레이아웃에서 일렬로 나란히 배열될 수 있다.

또는, 본 발명은, 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과, 피처리체보다 위쪽 위치에서 서로 횡방향으로 떨어져 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 아래쪽을 향해 공급하는 복수의 이오나이저와, 이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 피처리체에 인가하는 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치이다.

본 발명에 의하면, 피처리체보다 위쪽 위치에서, 이온을 아래쪽을 향해 공급하는 복수의 이오나이저가 횡방향으로 떨어져 배치되어 있기 때문에, 피처리체의 표면 전위의 변동이 작아져, 미세한 파티클이어도 피처리체에의 부착을 저감할 수 있다.

예컨대, 피처리체가 위치하는 분위기는, 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기이고, 상기 복수의 이오나이저는 피처리체의 반송 방향을 따라 배치된다. 이 경우, 바람직하게는 복수의 이오나이저는 피처리체의 반송로 바로 위에 배치된다.

또는, 예컨대 피처리체가 위치하는 분위기는, 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기이고, 상기 복수의 이오나이저는 위에서 본 레이아웃에서, 영역을 서로 동일한 크기의 복수의 사각형으로 분할했을 때의 각 사각형의 정점에 대응하는 위치에 배치된다.

또는, 예컨대 피처리체가 위치하는 분위기는 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기이고, 상기 복수의 이오나이저는 위에서 본 레이아웃에서 지그재그형으로 배치된다.

상기 복수의 이오나이저의 레이아웃은, 예컨대 수평면에서 서로 직교하는 X 방향 및 Y 방향 중 어느 방향이나 3열 이상의 이오나이저의 열이 형성된 레이아웃이다.

또는, 본 발명은, 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과, 피처리체의 반송 영역보다 위쪽 영역에서, 위에서 본 레이아웃의 면 상에 다수 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 공급하는 복수의 이오나이저와, 이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 피처리체에 인가하는 수단과, 피처리체의 위치에 따라서 상기 이오나이저의 전극에 인가하는 전압의 크기를 제어하는 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치이다.

본 발명에 의하면, 피처리체의 반송 영역의 위쪽에 다수의 이오나이저가 배치되고, 피처리체의 위치에 따라서 이오나이저의 전극에 인가하는 전압의 크기가 제어되는 것에 의해, 피처리체 표면의 전위의 변동을 보다 작게 할 수 있기 때문에, 파티클의 피처리체에의 부착을 피처리체의 면내에서 균일하게 저감할 수 있다.

도 1은 본 발명의 원리를 설명하기 위한 설명도이다.
도 2는 본 발명의 원리에 관한 제1 실험 장치를 도시하는 구성도이다.
도 3은 본 발명의 원리에 관한 제1 실험 결과를 도시하는 특성도이다.
도 4는 본 발명의 원리에 관한 제1 실험 결과를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5의 A 및 도 5의 B는 본 발명의 원리에 관한 제1 실험 결과를 도시하는 설명도이다.
도 6a는 본 발명의 원리에 관한 제2 실험 장치를 도시하는 구성도이다.
도 6b는 도 6a의 장치에서의 이오나이저의 배치를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 원리에 관한 제2 실험 결과를 도시하는 특성도이다.
도 8a는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 분위기 청정화 장치를 도시하는 평면도이다.
도 8b는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 분위기 청정화 장치를 도시하는 측면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시형태의 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 분위기 청정화 장치를 도시하는 평면도이다.
도 11a는 본 발명의 제2 실시형태의 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 11b는 본 발명의 제2 실시형태의 변형예를 도시하는 측면도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시형태의 변형예를 구비한 반도체 제조 장치를 도시하는 사시도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시형태의 변형예를 구비한 반도체 제조 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시형태의 변형예를 구비한 반도체 제조 장치를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시형태의 변형예를 구비한 반도체 제조 장치를 도시하는 부분 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 액처리 시스템을 도시하는 평면도이다.
도 17은 도 16에 도시하는 액처리 시스템에서의, 웨이퍼(W)의 대기 상태의 설명도이다.
도 18은 도 16에 도시하는 액처리 시스템의 변형예를 도시하는 평면도이다.

[본 발명자가 얻은 지견]

본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하기 전에, 본 발명자가 얻은 지견에 대해서 진술해 둔다. 반도체 제조 공장에서는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)(W)가 놓이는 대기 분위기에 다운플로가 형성되어 있다. 이 다운플로는 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기의 위쪽 및 아래쪽에 각각 배치된 FFU 및 배기팬에 의해 형성된다. 본 발명에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위쪽 위치에, 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 취출하여 이 이온을 공급하는 이오나이저(5)가 배치된다[도 1(a)]. 이 이오나이저(5)가 다운플로에 대하여, 이온화된 기체를 공급하고, 이것에 의해 다운플로를 타고 흐르는 파티클을 대전시킨다[도 1(b)]. 이와 함께, 이오나이저(5)의 전극에 인가되는 전압의 극성과 같은 극성의 전압을 웨이퍼(W)에 인가한다. 이것에 의해, 파티클과 웨이퍼(W)가 서로 정전 척력에 의해 반발된다[도 1(c)]. 이오나이저(5)의 상세에 대해서는 후술한다.

본 발명자는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W1, W2)의 위쪽에, 4개의 이오나이저(5)를 횡 일렬로 나열하여, 제1 실험을 행하였다. 이 실험에서는 FFU(15) 및 도시하지 않는 배기팬에 의해 다운플로가 형성되어 있는 박스(60) 안이, 칸막이 판(61)에 의해 2개로 등분하여 구획되어 있다. 그리고, 한쪽 영역(R1)에 이오나이저(5)를 설치하여, 횡방향으로 양전하를 가하도록 하였다. 한편, 다른쪽 영역(R2)에는 이오나이저(5)를 설치하지 않았다. 또한, 각 영역에 배치한 웨이퍼(W1, W2)는, 미리 정해진 시간동안 다운플로에 노출되었다. 또한, 웨이퍼 W1에 인가되는 양전압의 전압값은 연속적으로 변경되고, 웨이퍼 W2는 접지되어 있었다. 그리고, 양쪽 영역에 배치된 웨이퍼(W1, W2) 위의 파티클이 조사되었다.

실험 결과를 도 3에 도시한다. 도 3은 영역 R1측의 웨이퍼 W1에 부착된 파티클의 수를 a개, 영역 R2측의 웨이퍼 W2에 부착된 파티클의 수를 b개로 하고, a를 b로 나눔으로써 양쪽 영역에서의 파티클의 상대 부착률을 구한 것이다. 웨이퍼 W1에 인가하는 전압을 0 V에서 500 V로 상승시켜 가면, 상대 부착률은 저하되어 가고, 500 V 부근에서 약 0.25가 되었다. 따라서, 웨이퍼 W1에 500 V의 전압을 인가한 경우, 웨이퍼 W1에서는 웨이퍼 W2에 비해 약 75%의 파티클의 부착이 방지되어 있는 것을 알 수 있다. 또한 인가하는 전압을 500 V보다 더 상승시킨 경우, 반대로 상대 부착률은 상승하였다.

이러한 현상이 일어나는 이유로서는, 이하의 요인이 생각된다. 도 4는 종축이 파티클의 수, 횡축이 전하수인 그래프이다. 이오나이저(5)가 설치되지 않으면, 실선 (1)로 도시하는 바와 같이, 양전하의 분포와 음전하의 분포는 대체로 대칭이다. 이것에 대하여, 이오나이저(5)에 의해 파티클에 양전하를 가한 상태에서의 전하의 분포는, 실선 (2)로 도시하는 바와 같이, 양으로 크게 치우친다. 이 때문에, 웨이퍼 W1에 양전압을 인가하면, 정전 척력에 의해 반발하는 파티클의 양이 증가하여, 그 결과 파티클의 부착량이 저하한다고 생각된다.

그러나, 이오나이저(5)에 의해 파티클을 양으로 대전시켰다고 해도, 실제로는 실선 (2)와 같이, 음에 대전한 파티클이 잔존한다. 이 음으로 대전한 파티클은 양전위에 끌린다. 이 때문에, 웨이퍼 W1에 양전압을 인가하면, 음으로 대전한 파티클의 부착이 촉진된다고도 생각된다. 그리고 실제, 본 실험 결과로부터, 웨이퍼 W1에 인가하는 양전압을 상승시켜 가면, 어느 값(본 실험에서는 500 V)까지는 파티클의 부착량의 저감에 유익한 것을 알지만, 그 값을 초과해 상승시키면, 음의 전하를 띤 파티클을 끌어당기는 힘이 강해져 버려, 파티클의 부착량의 저감을 저해한다는 것을 알 수 있다.

다음에, 웨이퍼 W1 위의 파티클의 분포를, 도 5의 A에 도시한다. 파티클의 다소에 따라서, 대략 영역을 나눠 보면, 도 5의 B에 도시하는 바와 같이, 파티클의 부착량이 많은 영역 R3과 부착량이 적은 영역 R4로 나눌 수 있다. 이 이유로서는, 다음과같이 생각할 수 있다.

즉, 이오나이저(5)의 전극침에 인가되는 고전압에 의해, 이 전극침으로부터 전기력선이 형성되어, 웨이퍼(W) 표면 근방에서 전위 분포가 생긴다. 영역 R3은 보다 이오나이저(5)에 가깝기 때문에, 영역 R4에 비해 전위가 높아진다. 따라서, 이 전위에 의해서, 파티클이 웨이퍼 W1측을 향하는 인력이 작용한다. 이것을 모식적으로 설명하면, 파티클로부터 웨이퍼 W1을 보면, 이 영역 R3에 대해서는, 웨이퍼 W1의 전위가 상대적으로 음으로서 보이게 된다. 이 결과, 파티클은 이 영역 R3에 가까이 당겨져, 도 5의 A에 도시하는 결과가 되는 것이다.

여기서, 이오나이저(5)로부터의 전기력선에 기초하는 영역 R3의 전위가 낮아지도록 이오나이저(5)의 공급 전압을 설정하면, 이오나이저(5)로부터 떨어진 측의 영역 R4에 있어서 이오나이저(5)로부터의 전기력선에 기초하는 전위가 낮아져 버려, 파티클로부터 웨이퍼 W1을 보면, 웨이퍼(W)의 전위가 도 3에 도시하는 최적값보다 크게 보이고, 이미 전술한 바와 같이 음으로 대전하고 있는 파티클이 영역 R4에 가까이 당겨지는 효과가 커져 버린다.

다음에, 본 발명자는 도 6a 및 도 6b에 도시하는 바와 같이, 제1 실험(도 2)에서 이용된 이오나이저(5) 3개를, 웨이퍼 W1의 수직 방향의 위쪽 영역에서, 횡 일렬로 나열하여, 제2 실험을 행하였다.

이 제2 실험에서는 영역 R1의 웨이퍼(W1)의 수직 방향 위쪽에서, 웨이퍼 W1의 중심을 통과하는 선상(웨이퍼 W1의 직경 바로 위)에 일렬로 이오나이저(5)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 이오나이저(5)는 그 바로 아래에 있는 웨이퍼 W1을 향해 양전하를 가한다. 이 점 이외는, 도 2에 도시하는 실험과 동일한 양태로 행하고 있다. 이 실험 결과를 도 7에 도시한다.

도 7의 꺽은선 S1에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W1에의 인가 전압을 0 V에서 1 kV로 상승시켜 가면, 웨이퍼 W1에의 파티클의 상대 부착률이 저하되어 가고, 1 kV 부근에서 약 0.04가 되었다. 따라서, 웨이퍼 W1에 1 kV의 전압을 인가한 경우, 웨이퍼 W1에서는 이오나이저(5)를 이용하지 않는 다운플로 하의 웨이퍼 W2에 비해, 약 96%의 파티클의 부착이 방지되어 있는 것을 알 수 있다. 또한 인가하는 전압을 1 kV보다 더 상승시킨 경우, 이미 전술한 제1 실험의 경우와 마찬가지로, 상대 부착률은 상승하였다. 그러나, 상대 부착률이 1.0보다 높아지는 경우는 없기 때문에, 고전압하에서도 파티클의 부착 방지의 효과는 있다고 할 수 있다.

또한, 도 7에는, 이미 전술한 도 3의 실험 결과가 꺽은선 S2로서 함께 기재되어 있다. 꺽은선(S1, S2)을 비교하여도 알 수 있듯이, 이오나이저(5)를 웨이퍼 W1의 수직 방향 위쪽에 배치하여 이온을 바로 아래에 공급하는 분위기에 웨이퍼 W1이 놓이는 경우에는, 파티클의 부착 방지 효과가 큰 것을 알 수 있다.

이상의 지견을 바탕으로, 웨이퍼(W) 위의 파티클을 저감시키기 위해 유효한 본 발명의 분위기 청정화 장치에 따른 실시형태를 이하 열거한다.

[제1 실시형태]

도 8a 및 도 8b에 도시하는 제1 실시형태인 분위기 청정화 장치에서는, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기의 위쪽에, 복수의 이오나이저(5), 예컨대 일렬로 나열하는 4개를 하나의 그룹(이오나이저의 그룹)으로 한 이오나이저(5)의 4개의 그룹(5A~5D)이, 위에서 본 레이아웃에서, 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 즉, 이오나이저(5)의 2개의 그룹 5A 및 5C가 도면의 Y 방향으로 서로 대향하고 있고, 이오나이저(5)의 2개의 그룹 5B 및 5D가 도면의 X 방향으로 대향하고 있다. 이 예에서는, 서로 대향하는 그룹 5A 및 5C끼리에 의해 하나의 「조」가 구성되고, 또한 서로 대향하는 그룹 5B 및 5D끼리에 의해 다른 하나의 「조」가 구성되며, 합쳐 2조가 존재하고 있다. 또한 도면 부호 7은 이오나이저(5)를 지지하고 있는 지지부이다.

본 실시형태에서는, 이온의 공급 방향은 횡방향, 예컨대 수평 방향이다. 단, 하향으로 경사져도 좋다. 후자의 경우도 하나의 이오나이저(5)와 다른 이오나이저(5)가 「서로 마주 보는」상태에 포함되는 것이다. 또한 R5로서 도시하는 프레임은, 예컨대 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 구획하는 케이스여도 좋고, 큰 케이스 안의 일부 영역을 편의상 구획하는 가상 라인이어도 좋다. 즉, 이오나이저(5)는 케이스의 벽부에 설치되는 것에 한정되지 않는다.

각 이오나이저(5)는, 양전하를 발생시키는 전극과 음전하를 발생시키는 전극을 동일한 수로 갖고 있고, 기본적으로 양전하와 음전하를 등량 발생시켜, 대전물과 같은 극성을 가진 이온을 대전물과 반발시키고, 역극성을 가진 이온을 대전물에 끌어 당겨, 전하를 중화하여 제전(除電)하는 것이다. 이러한 이오나이저(5)에서는, 발생한 이온을 공급할 때에, 같은 극성의 이온은 반발하고 상이한 극성의 이온은 끌어 당긴다고 하는 힘, 즉 이온의 쿨롱력을 이용하여 이온을 공급하고 있다.

그리고, 본 실시형태에서는 이오나이저(5)로부터, 양 또는 음의 전하를 띤 이온만을 공급해야 하기 때문에, 양전하를 발생시키는 전극, 또는 음전하를 발생시키는 전극 어느 한쪽에만 고전압을 인가하여, 양전하 또는 음전하를 띤 이온만을 발생시키고, 같은 극성의 이온이 반발하는 힘만을 이용하여 다운플로에 양전하, 또는 음전하를 띤 이온 어느 한쪽을 공급하고 있다.

도 8b에서, 도면 부호 62는, 예컨대 도전체로 이루어지는 배치대이다. 직류 전원(63)에 의해, 배치대(62)에는, 예컨대 0.5 kV의 양전압이 인가된다. 따라서 웨이퍼(W)에는 이 양전압이 배치대(62)를 통해 인가되는 것으로 한다. 이 실시형태를 실제 반도체 제조 공장에 적용하는 경우, 배치대(62)는, 예컨대 대기 반송 분위기에서의 제1 웨이퍼 반송 기구와 제2 웨이퍼 반송 기구의 중계 위치에 설치되는 전달부로서 사용된다. 또는 도 8a 및 도 8b에 도시하는 웨이퍼(W)는 배치대 대신에 웨이퍼 반송 기구의 유지부에 유지되어 있는 예여도 좋다. 이 경우, 이 웨이퍼(W)의 위치는 웨이퍼 반송 기구 내에서 웨이퍼(W)의 유지 시간이 가장 길게 되는 확률이 가장 큰 위치, 예컨대 레지스트막 도포 형성 장치를 구성하는 처리 유닛군의 하나의 처리 유닛에 면하는 위치여도 좋다. 또한 도 8b에서, 도면 부호 15는 FFU이다. 또한 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기의 바닥부에는 도시하지 않는 배기팬이 상향으로 설치되어 있어, FFU(15)에 의해 발생하는 다운플로를 흡입하여 외부에 반출하거나, 또는 클린룸 안의 순환 덕트에 보내게 되어 있다.

이 분위기 청정화 장치에서는, FFU(15)로부터 다운플로가 웨이퍼(W)를 향해 공급되고, FFU(15)와 웨이퍼(W) 사이에 배치된 이오나이저(5)의 전극에의 인가 전압이 동일한 크기로 설정되며, 이들에 의해 다운플로에 대하여 이온이 공급되어, 웨이퍼(W) 주변 분위기에 포함되는 파티클이 +의 극성으로 대전된다. 그리고 또한, 웨이퍼(W)에 양전압을 가하는 것에 의해, 양으로 대전하고 있는 파티클에 대한 정전 척력을 작용시키는 것이다.

여기서, 이오나이저(5)에 공급되는 고전압에 의해, 웨이퍼(W) 표면에 전계가 생긴다. 그러나, 평면적으로 보면, 웨이퍼(W)를 사이에 두고 이오나이저(5)가 X 방향으로도 Y 방향으로도 대향하고 있기 때문에, 하나의 이오나이저(5)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 근방에 생기는 전위 기울기는, 서로 대향하는 다른 이오나이저(5)에 의한 전위 기울기에 의해 고르게 된다. 이 결과로서, 이오나이저(5)의 전기력선에 의한 웨이퍼(W)의 표면 근방 전위에의 영향에 대한 면내에서의 변동이 작아진다. 따라서, 웨이퍼(W)의 인가 전압을 설정할 때에, 웨이퍼(W)의 실제 전위가 파티클의 부착 방지에 적합한 범위 내에 들어가는 정도가 커진다. 이것에 의해, 대부분의 파티클과 웨이퍼(W) 사이에서 정전 척력이 작용하여, 미세한 파티클이어도 웨이퍼(W)에의 부착을 저감할 수 있다.

또한, 본 실시형태의 이오나이저(5)는, 이온의 쿨롱력을 이용하여 이온을 공급하는 이오나이저이고, 이온의 공급에 기류를 사용하지 않는다. 이 때문에 FFU(15)에 의해 형성된 다운플로에 대하여, 이오나이저(5)가 영향을 미치지 않는다. 이 때문에 다운플로가 원래 갖는 파티클 제거 작용을 저해하지 않아, 바람직하다.

여기서, 이오나이저(5)의 2개의 그룹(5A, 5C)만을 이용하고(5B, 5D는 이용하지 않고), 도 2에 도시한 실험 장치를 이용하여, 파티클의 부착 모습을 조사하였다. 이 결과, 도 5에 도시한 바와 같은 웨이퍼(W)의 절반 영역에 파티클이 많이 부착되는 것은 아니었다. 즉, 전체 면에 걸쳐 파티클의 부착이 적었다. 따라서, 도 2에 도시하는 바와 같이 이오나이저(5)를 한쪽에 배치하는 경우에 비해, 본 실시형태에 의한 파티클의 저감 효과가 각별히 큰 것을 알 수 있다.

도 9에 도시하는 분위기 청정화 장치는, 제1 실시형태의 변형예이다. 도 9에 도시하는 분위기 청정화 장치에서는, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기의 위쪽, 예컨대 장치의 상부에, 복수개, 예컨대 8개의 이오나이저(5)가, 둘레 방향으로 등간격을 두고, 웨이퍼(W)와 동심의 원을 따라 배치되어 있다. 따라서, 대향하는 이오나이저(5)끼리가 마주 보는 상태로 되어 있고, 웨이퍼(W)의 중심에서 각 이오나이저(5)까지의 거리가 모두 같아져 있다. 각 이오나이저(5)의 이온의 공급 방위는 수평 방향으로 설정되어 있다. 이러한 구성에서도, 하나의 이오나이저(5)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 근방에 생긴 전위 기울기가, 서로 대향하는 다른 이오나이저(5)에 의한 전위 기울기에 의해 고르게 된다. 이 때문에, 제1 실시형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.

[제2 실시형태]

도 10은, 제2 실시형태에 따른 분위기 청정화 장치를 도시하고 있다. 이 실시형태에서는, 웨이퍼(W)가 놓이는 영역의 위쪽 영역과 그 주변 영역, 바꿔 말하면 웨이퍼(W)가 놓이는 영역과 그 주위 영역의 위쪽 영역에 이오나이저(5)가 배치되어 있다. 보다 상세하게는 장치의 상부에, 다수의(도 10에서는 13개의) 이오나이저(5)가 지그재그형으로 배열되어 있다. 각 이오나이저(5)의 이온의 공급 방위는 아래쪽, 예컨대 바로 아래이다. 이러한 이오나이저(5)의 배치 레이아웃은, 특히 웨이퍼(W)가 반송되는 반송 분위기(반송로 위의 분위기)에서 적합하다. 여기서 「반송 분위기」란, 예컨대 챔버 안을 들 수 있다. 단, 레지스트나 절연막 등의 도포막을 웨이퍼(W) 위에 형성하기 위해, 각 프로세스 유닛(도포액을 도포하는 유닛이나 가열 유닛 등) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 영역이어도 좋다.

도 11a 및 도 11b는 제2 실시형태의 변형예이다. 도 11a 및 도 11b중, R6으로 도시하는 라인은, 챔버의 벽부 또는 반송 영역내의 가상 라인이다. 도면 부호 8은 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치이지만, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 아암(9)의 부분만을 편의상 도시하고 있다. 웨이퍼(W)에는 직류 전원(63)에서 반송 장치(8)를 통해 양전압이 공급되도록 되어 있다. 이 반송 장치(8)는 진퇴 가능, 수직축 주위의 회전 가능 및, 승강 가능하게 구성되어 있다. 이 예에서는, 웨이퍼(W)가 반송되는 반송 영역의 위쪽 영역을 포함하는 영역, 바꿔 말하면, 웨이퍼(W)가 반송 장치(8)에 의해 반송되는 영역과 그 주위 영역과의 위쪽 영역에, 다수의(도 11에서는 18개의) 이오나이저(5)가 지그재그형으로 배열되어 있다.

이하에, 이 제2 실시형태를 보다 구체화한 예에 대해서 진술한다. 도 12 및 도 13에는 멀티 챔버라고 불리는 장치가 도시되어 있다. 이 장치는, 대기(大氣) 반송실(14)과, 대기 반송실(14) 안에 설치된 제1 반송 장치(13)와, 대기 반송실(14)의 도면 전면측에 클로즈형의 웨이퍼 캐리어인 후프를 배치하는 후프 배치대(11a~11c)와, 각 후프 배치대(11a~11c)에 대응하는 대기 반송실(14)의 측벽에 설치된 반입출 도어(12a~12c)를 구비하고 있다. 또한, 대기 반송실(14)에는, 멀티 챔버 안에 반입된 웨이퍼(W)의 방향 및 위치를 결정하는 기능 모듈인 오리엔터 용기(41)에 수용된 오리엔터(4)가 구비되어 있다.

또한, 대기 반송실(14)의 상부에는, 제1 기류 형성 수단을 구성하는 FFU(15a~15c)가 설치되어 있다. FFU(15a~15c)는 케이스 안에 회전 날개와 모터로 이루어지는 팬을 저장한 팬 유닛과, 팬 유닛의 토출측에 배치된, 예컨대 ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터를 저장한 필터 유닛으로 구성되어 있다.

또한, 대기 반송실(14)의 하부에는, 제2 기류 형성 수단을 구성하는 배기 FFU(16)가 FFU(15a~15c)와 대향하도록 설치되어 있다. 배기 FFU(16)는 ULPA 필터의 변화에 산성 가스를 제거하는 케미컬 필터 유닛이 설치되어 있는 것 외에는, FFU(15a~15c)와 같은 구성이다.

그리고, 제1 기류 형성 수단과 제2 기류 형성 수단에 의해, 대기 반송실(14)의 내부에 청정 공기의 다운플로가 형성되어 있다. 이것에 의해, 대기 반송실(14) 안이 청정 공기로 이루어지는 미니인바이런먼트(minienvironment)로 되어 있다.

또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 대기 반송실(14)에는 반입출 도어(12a~12c)의 대면측의 벽에 2개의 게이트 G1이 설치되어 있다. 이들 게이트 G1을 통해, 제2 반송 장치(21a, 21b)를 내부에 각각 구비한 로드록실(22a, 22b)이 접속되어 있다. 로드록실(22a, 22b)에는 게이트 G2를 통해 처리 용기(31a, 31b)가 접속되어 있고, 배기관(24a, 24b)을 통해 진공 펌프(23a, 23b)가 접속되어 있다. 이것에 의해, 게이트(G1, G2)를 폐쇄한 상태로, 로드록실(22a, 22b) 안의 압력을 미리 정해진 진공 분위기와 상압 분위기 사이에서 전환하는 것이 가능해져 있다.

이러한 멀티 챔버 장치에서는, 후프 배치대(11a~11c)에 배치된 후프로부터, 제1 반송 장치(13)에 의해 웨이퍼(W)가 취출되고, 오리엔터(4)로 반입되어, 웨이퍼(W)의 방향과 위치가 결정된다. 그 후, 제1 반송 장치(13)에 의해 오리엔터(4)로부터 웨이퍼(W)가 반출되고, 게이트 G1이 개방되어, 제2 반송 장치(21a, 21b)의 어느 한쪽에 웨이퍼(W)가 인도된다. 웨이퍼(W)가 인도된 로드록실(22a, 22b)에서는, 게이트 G1의 폐쇄 후, 필요에 따라서, 로드록실(22a, 22b) 안이 감압되어 미리 정해진 진공 분위기로 변경된다. 그 후, 게이트 G2가 개방되어, 처리 장치(31a, 31b)에 웨이퍼(W)가 반입된다. 그리고, 처리 장치(31a, 31b)에서, 예컨대 에칭 처리 등이 행해진다.

이러한 멀티 챔버 장치에서는 도 14 및 도 15에 도시하는 바와 같이, 대기 반송실(14)의 FFU(15a~15c)의 아래쪽에, 복수의 이오나이저(5)가 도 11a 및 도 11b와 유사 형태로 설치되어 있다. 이것에 의해, 대기 반송실(14) 안의 청정 공기의 다운플로를 이오나이저(5)에 의해 이온화하도록 되어 있다. 그리고, 제1 반송 장치(13)에, 웨이퍼(W)에 대하여 다운플로와 같은 극성의 전압을 가하는 도시하지 않는 전압 인가 수단이 설치되어 있어, 반송되는 웨이퍼(W)에 전압을 인가하는 것이 가능하게 되어 있다.

이상과 같이, 이오나이저(5)를, 격자형[격자의 교점에 이오나이저(5)를 배치한 레이아웃) 또는 지그재그형으로 배열한 경우, 웨이퍼(W)가 어디에 위치하고 있어도, 웨이퍼(W)에서 이오나이저(5)를 보면, 이오나이저(5)의 배치의 치우침 정도가 적게 되어, 하나의 이오나이저(5)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 근방에 생기는 전위 기울기가 다른 이오나이저(5)에 의한 전위 기울기에 의해 고르게 된다는 작용을 얻을 수 있어, 웨이퍼(W)에 대한 파티클의 부착 저감 효과가 면내 균일하게 얻어진다. 도 7에 도시하는 제2 실험 결과로부터, 웨이퍼(W) 바로 위에 1열로 3개의 이오나이저(5)를 설치한 경우에, 각별한 파티클 부착 저감 효과가 있는 것을 알 수 있지만, 제2 실시형태에 따른 각 구성에서는, 더 우수한 파티클의 부착 저감 효과를 얻을 수 있다.

이 실시형태는, 웨이퍼의 위쪽 영역을 포함하는 영역을, 복수의 사각형(정사각형, 직사각형 또는 평행사변형)으로 분할하여, 그 사각형의 교점에 이오나이저(5)를 배치하거나, 또는 지그재그형으로 배치하는 예라고 할 수 있다. 또한 본 실시형태는, 평면의 레이아웃에 있어서, 이오나이저(5)를 2열로 배치하고, 이 2열 사이(중앙)에서 이 열이 연장되는 방향을 따라 반송로가 형성되어 있는 구성으로도 변형 가능하다. 예컨대 도 15의 이오나이저(5)의 3열의 중앙의 열을 삭제하고, 이 중앙 열을 따라 반송로가 형성되어 있는 구성으로 변형 가능하다. 이 경우, 한 쪽 열의 이오나이저(5)와 다른 쪽 열의 이오나이저(5)가, 반송로를 통해 서로 대향하게 된다.

단, 이오나이저(5)의 배치는, 이상에 진술한 예에 한정되지 않는다. 도 7에 도시하는 제2 실험 결과로부터 하면, 웨이퍼(W)가 위치하는 영역의 위쪽 위치에서, 복수의 이오나이저(5)를 서로 횡방향으로 떨어져 배치함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 파티클 부착의 저감 효과를 기대할 수 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)가 위치하는 분위기가 웨이퍼(W)의 반송 영역인 경우에는, 복수의 이오나이저(5)는 웨이퍼(W)의 반송 방향을 따라서, 예컨대 일렬로 또는 지그재그형으로 배치되는 것이 바람직하다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 반송로의 바로 위 영역에 배치하는 것[위에서 봤을 때에 반송 영역과 이오나이저(5)가 중첩되는 것]이 보다 바람직하다. 또한 이오나이저(5)의 배치 레이아웃으로서는, 웨이퍼(W)가 반송로의 어느 위치에 있어도 그 바로 위에 적어도 1개의 이오나이저가 배치되어 있다고 하는 배치 레이아웃이 바람직하다.

[제3 실시형태]

또한, 본 발명에서는, 각 이오나이저(5)의 전극의 인가 전압을, 웨이퍼(W)의 위치에 따라서 제어하도록 하여도 좋다. 이러한 실시형태를 이하에 진술한다.

도 16은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 액처리 시스템의 일례를 도시하고 있다. 이 예는, 절연막이나 레지스트막을 도포액의 도포에 의해 형성하는 액처리 시스템의 기본적인 구성예이다. 도면 부호 100은 웨이퍼의 반입출 포트이고, 전달대를 구비하고 있다. 도면 부호 101은 대기 반송 영역이고, 이 영역의 양측에 복수의 처리 유닛(102)이 배열되어 있다. 대기 반송 영역(101)에는, 예컨대 진퇴 가능하고 수직축 주위에 회전 가능한 관절 아암으로 이루어지는 반송 장치(103)가, 가이드(104)를 따라 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 외부에서 반입출 포트(100)에 반입된 웨이퍼(W)는 반송 장치(103)에 의해 순차로 처리 유닛(102)에 반송된다. 처리 유닛(102)은, 웨이퍼(W)에 도포액을 도포하는 도포 유닛, 도포 후의 웨이퍼를 감압 건조시키는 건조 유닛, 감압 건조 후의 웨이퍼를 베이크 처리하는 베이크 유닛 등에 상당한다.

이러한 액처리 시스템에서는, 미리 처리 유닛군에 대하여 웨이퍼(W)의 반송 순서가 정해져 있다. 처리 유닛(102)의 처리 상황에 따라서는 도 17에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 어느 처리 유닛(102) 앞에 대기시키는 경우가 있다. 도 17에 도시하는 바와 같이, X 방향을 따라 직선형으로 배열된 이오나이저(5)의 열이, 가이드(104)에 대하여 대칭으로, 예컨대 L1, L2, L3의 3열로 배치되어 있다. 그리고, 이미 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 반송 기구 위에서 대기하고 있을 때에는, 2열째의 열 L2 위에 있는 이오나이저(5F)보다 3열째의 열 L3 위에 있는 이오나이저(5G)가 웨이퍼(W) 중심에 가까워져 있다.

이 경우, 이오나이저(5F)와 이오나이저(5G)의 전극침에 동일한 크기의 전압을 인가하면, 전술한 제2 실험 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 이오나이저(5G)측의 영역에서, 이오나이저(5G)로부터의 전기력선에 기초하여, 전위가 높아져, 파티클이 이오나이저(5G)측의 웨이퍼(W)에 끌어 당겨져 버린다. 이것을 시정하기 위해서는 웨이퍼(W)를 대기시키는 경우에 있어서, 그 대기 위치가 투영 영역이 되는 이오나이저(5G)에 인가하는 전압을, 이오나이저(5F)에 인가하는 전압보다 작게 하도록, 제어부(110)로 조정하는 것이 필요하다.

한편, 도 16에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 가이드(104) 위에 반송되고 있을 때는, 2열째의 열 L2의 이오나이저(5F)가 웨이퍼(W) 중심에 가까워져 있다. 이때, 1열째의 열 L1과 3열째의 열 L3에 있는 이오나이저(5E, 5G)는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로부터 등거리만큼 떨어져 있다. 이때, 이오나이저(5F)로부터의 전위력선에 기초하여 웨이퍼(W)의 전위가 국소적으로 높아지는 것을 시정하기 위해, 2열째의 열 L2의 이오나이저(5F)에 인가하는 전압을, 1열째 및 3열째의 열 L1 및 열 L3의 이오나이저(5E, 5G)에 인가하는 전압보다 작게 하도록, 제어부(110)로 조정해야 한다. 조정 후의 전압은 웨이퍼(W)의 중심 위치와, 각 열(L1, L2, L3)에 배치된 이오나이저의 거리의 비에 의해 결정되어도 좋다.

도 18은 제3 실시형태의 변형예이고, 웨이퍼(W)의 반송 영역의 위쪽 영역을 포함하는 영역, 바꿔 말하면, 웨이퍼(W)가 가이드(104)에 의해 반송되는 모든 영역과 그 주위 영역의 위쪽 영역에, 다수의(도 18에서는 18개의) 이오나이저(5)가 지그재그형으로 배열되어 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)는 항상 이오나이저(5)의 투영 영역 안에 반송되도록 되어 있고, 항상 대전된 다운플로가 공급되도록 되어 있다. 이러한 제3 실시형태의 변형예에서도, 이오나이저(5)가 격자형 또는 지그재그형으로 배열되어 있기 때문에, 하나의 이오나이저(5)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 근방에 생기는 전위 기울기가 인접하는 다른 이오나이저(5)에 의한 전위 기울기에 의해 고르게 되어, 제2 실시형태의 분위기 청정화 장치와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 이오나이저(5)를 반송 영역의 위쪽에 배치하는 경우, 장치 본체 상면의 각 변에 대응하는 직교 좌표에서의 좌표를 기초로 하여, 이 상면(영역)을 복수의 사각형으로 분할했을 때의 각 사각형의 정점에 대응하는 위치마다, 또는 지그재그형으로, 이오나이저(5)를 배치하는 양태에 한정되지 않는다. 예컨대 장치 본체 상면의 각 변에 대하여 사교(斜交)하는 좌표계에서의 좌표를 기초로 하여, 이오나이저의 배치 위치를 결정하는 것도 가능하다.

또한, 본 발명은, 작업 환경의 분위기를 청정화해야 하는 장치이면, 어떠한 장치에도 적용할 수 있다. 예컨대 반도체 제조 공장에 한하지 않고, 펠릿형의 의약 제조 공장 등에도 적용할 수 있다.

Claims (13)

1. 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과,
   피처리체보다 위쪽 위치로서, 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 횡방향으로 공급하는 복수의 이오나이저(ionizer)와,
   이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 상기 피처리체에 인가하는 수단
   을 포함하며,
   상기 대칭으로 배치된 이오나이저는 서로 마주 보도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 대칭으로 배치된 이오나이저끼리의 조(組)가 피처리체의 주위를 따라 복수조(組) 설치되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   피처리체의 주위를 따라 나열되는 복수의 이오나이저에 의해 그룹이 형성되고, 이 그룹끼리가 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 그룹은 복수의 이오나이저가 횡 일렬로 배열된 그룹인 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
5. 제1항에 있어서,
   피처리체가 반송되는 띠형의 반송로를 포함하고,
   이 반송로의 양측에, 각각 복수의 이오나이저가 평면상의 레이아웃에서 일렬로 나란히 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
6. 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과,
   피처리체보다 위쪽 위치에서 서로 횡방향으로 떨어져 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 아래쪽을 향해 공급하는 복수의 이오나이저와,
   이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 피처리체에 인가하는 수단
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
7. 제6항에 있어서,
   피처리체가 위치하는 분위기는, 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기이고,
   상기 복수의 이오나이저는 피처리체의 반송 방향을 따라 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
8. 제7항에 있어서,
   복수의 이오나이저는 피처리체의 반송로 바로 위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
9. 제6항에 있어서,
   피처리체가 위치하는 분위기는, 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기이고,
   상기 복수의 이오나이저는 위에서 본 레이아웃에서, 영역을 서로 동일한 크기의 복수의 사각형으로 분할했을 때의 각 사각형의 정점에 대응하는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
10. 제6항에 있어서,
    피처리체가 위치하는 분위기는, 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기이고,
    상기 복수의 이오나이저는, 위에서 본 레이아웃에서 지그재그형으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 복수의 이오나이저의 레이아웃은, 수평면에서 서로 직교하는 X 방향 및 Y 방향 중 어느 방향이나 3열 이상의 이오나이저의 열이 형성된 레이아웃인 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
12. 반송 장치에 의해 피처리체가 반송되는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과,
    피처리체의 반송 영역보다 위쪽 영역에서, 위에서 본 레이아웃의 면 상에 다수 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 공급하는 복수의 이오나이저와,
    이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 피처리체에 인가하는 수단과,
    피처리체의 위치에 따라서 상기 이오나이저의 전극에 인가하는 전압의 크기를 제어하는 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.
13. 제12항에 있어서,
    상기 전압의 크기를 제어하는 수단은, 상기 복수의 이오나이저 중, 일부 이오나이저의 전극에 인가하는 전압의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치.

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