KR101096603B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101096603B1
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유키노리 아부라타니
세이요 나카시마
마사카즈 시마다
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 처리 후의 웨이퍼의 냉각 시간을 짧게 하여, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
열 차폐판(50)은, 보트(38)에 보지된 웨이퍼(14)에 냉각 가스(68)를 내뿜는 냉각 가스 취출부(70)를 구비하고, 이 냉각 가스 취출부(70)에는, 냉각 가스(68)의 취출구인 취출공(70a)이 복수 설치되어 있다. 열 차폐판(50)은, 웨이퍼 이재 장치(36a)와 보트(38) 사이에 웨이퍼(14)가 수수(授受)될 때에는, 이를 간섭하지 않는 위치에 퇴피되어 있고(퇴피 위치), 웨이퍼(14)[및 보트(38)]를 냉각할 때에는, 웨이퍼(14)[및 보트(38)]로부터의 방열(放熱)을 흡수 및 차단하도록, 웨이퍼 이재 장치(36a)와 보트(38) 사이에 이동한다(냉각 위치).

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 처리실에서 고온(高溫) 처리된 웨이퍼를, 그대로 이재실(移載室)에 언로드(unload)하면, 웨이퍼로부터의 방열(放熱)에 의해, 웨이퍼 이재실 내의 내열(耐熱)이 낮은 부품이 용융(溶融), 고장, 유기(有機) 성분 등의 탈(脫)가스 등을 일으키고, 이에 의해 장치 정지 또는 웨이퍼 오염 등의 문제가 생긴다. 이 때문에, 종래의 종형(縱型) 반도체 제조 장치에서는, 처리 완료된 웨이퍼는, 어느 정도의 온도로 내려갈 때까지 웨이퍼 처리실 내에서 방치되고, 그 후, 웨이퍼 이재실로, 언로드되고 있다. 웨이퍼의 방치 시간은, 스루풋(throughput)에 영향을 미치기 때문에, 이 방치 시간을 짧게 하기 위해서, 웨이퍼 처리실 전체로부터 열을 빼앗기 위해 대량의 공기를 배출하는 기구(機構)를 설치하거나, 웨이퍼 처리실 내에 불활성 가스를 흘리는 등의 대책이 이루어지고 있다.
그러나, 약간의 열용량의 웨이퍼의 열을 빼앗기 위해서, 압도적으로 열용량이 큰 웨이퍼 처리실 전체로부터 열을 빼앗는 것은 용이하지 않고, 설비적 및 에너지적으로도 낭비가 많다. 또한, 웨이퍼 처리실 내에서, 불활성 가스를 대량으로 흘리는 것에 의한 성막 파티클 또는 부생성물 파티클의 비산(飛散)은, 수율(yield) 악화의 원인이 된다.
특허 문헌 1에서는, 처리 후의 보트, 웨이퍼와 승강 구동부 간의 열 차폐성(遮蔽性)을 향상시키기 위해서, 승강 구동부의 암(arm) 지지부가 열 차폐판을 우회(迂回)하여 수평 방향으로 연장하는 형상으로 되어 있고, 열 차폐판은 암 지지부의 내부를 비(非)접촉하며 상하로 관통한 상태로 되어 있는 반도체 제조 장치가 개시되어 있다.
일본특허공개제2005－285926호공보
그러나, 종래의 기술에 있어서는, 처리 후의 웨이퍼의 냉각 시간이 길어, 스루풋(throughput)이 저하한다는 문제가 있다.
본 발명은, 처리 후의 웨이퍼 냉각 시간을 짧게 하여, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리실과, 기판을 지지하고, 상기 처리실 내로 지지한 기판을 반송하는 기판 지지구(支持具)와, 상기 기판 지지구에 기판을 반송하는 이재기(移載機)와, 상기 기판 지지구와 상기 이재기 사이에 설치된 비(非)밀폐형의 차폐부를 포함하되,상기 차폐부는, 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판을 냉각하는 냉각 위치와 상기 냉각 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하게 설치된다. 이에 의해 처리 후의 웨이퍼 냉각 시간을 짧게 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 차폐부는 청정 기체를 내뿜는 취출부(吹出部)를 포함한다.
바람직하게는, 상기 차폐부는, 상기 기판 지지구가 상기 처리실 내로 반입한 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하기 전에 냉각 위치로 이동하고, 냉각 위치에 있어서의 상기 차폐부의 상기 취출부로부터 내뿜는 청정 기체의 유량(流量)은, 퇴피 위치에 있어서의 유량보다 크다. 이에 의해 파티클이 비산(飛散)하는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 취출부로부터 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판으로 내뿜어지는 청정 기체의 유량은 서서히 증대한다. 이에 의해, 기판이 급냉(急冷)에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 취출부로부터 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판으로 내뿜어지는 청정 기체의 온도는 서서히 저온(低溫)이 된다. 이에 의해, 기판이 급냉에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 차폐부와 대향하는 위치에 배기(排氣) 장치가 설치되어 있다.
바람직하게는, 상기 취출부로부터 항상, 청정 기체가 내뿜어지고 있다. 이에 의해, 먼지 등에 의해 취출부가 막히는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 차폐부는 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판 주변의 분위기 기체를 흡인(吸引)한다.
바람직하게는, 상기 차폐부는 상기 기판 지지구의 기판 재치(載置) 영역 전체로 청정 기체를 내뿜는 공급부를 구비한다. 이에 의해, 상기 기판 지지구 전체를 동시에 냉각할 수 있다.
본 발명에 의하면, 처리 후의 웨이퍼의 냉각 시간을 짧게 하고, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 경사 투시도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 측면 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열 차폐판의 배면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열 차폐판의 정면도.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 이용되는 열 차폐판의 설명도이며, 도 5의 (a)는 열 차폐판이 퇴피 위치에 있을 때의 상면도이고, 도 5의 (b)는 열 차폐판이 냉각 위치에 있을 때의 상면도.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 이용되는 열 차폐판의 설명도이며, 도 6의 (a)는 열 차폐판이 퇴피 위치에 있을 때의 상면도이고, 도 6의 (b)는 열 차폐판이 냉각 위치에 있을 때의 상면도.
본 발명의 실시 형태를 도면에 근거하여 설명한다. 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 예를 들면, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 처리 공정을 실시하는 반도체 제조 장치로서 구성되어 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태로서의 기판 처리 장치(10)의 경사 투시도를 나타낸다. 도 2는 기판 처리 장치(10)의 측면 단면도를 나타낸다.
이 기판 처리 장치(10)는, 뱃치(batch)식 종형 반도체 제조 장치이며, 주요부가 배치되는 광체(筐體, 12)를 포함한다. 기판 처리 장치(10)에는, 예를 들면 실리콘으로 이루어지는 기판으로서의 웨이퍼(14)를 수납한 카세트(16)가, 웨이퍼 캐리어로서 사용된다. 광체(12)의 정면벽(12a)의 하방에는, 메인터넌스 가능하도록 설치된 개구부(開口部)인 메인터넌스구(口)(18)가 배치되고, 이 메인터넌스구(18)에는, 개폐하는 메인터넌스도어(20)가 설치되어 있다. 메인터넌스도어(20)에는, 카세트(16)를 반입출(搬入出)하는 카세트 반입출구(22)가 광체(12) 내외를 연통하도록 설치되어 있고, 이 카세트 반입출구(22)는 프론트 셔터(24)에 의해 개폐되도록 되어 있다. 카세트 반입출구(22)의 광체(12) 내측에는, 카세트 스테이지(26)가 설치되어 있다.
카세트(16)는, 도시하지 않은 공정 내 반송 장치와 카세트 스테이지(26) 사이에서 수수(授受)된다. 카세트 스테이지(26) 상에는, 카세트(16) 내의 웨이퍼(14)가 수직 자세가 되고, 또한, 카세트(16)의 웨이퍼 출입구가 상방향이 되도록 하여, 공정 내 반송 장치에 의해 카세트(16)가 재치(載置)된다. 카세트 스테이지(26)는, 카세트(16)를 광체(12) 후방측으로 우회전 종방향 90도 회전시키도록 되어 있고, 카세트(16) 내의 웨이퍼(14)가 수평 자세가 되어, 카세트(16)의 웨이퍼 출입구가 광체(12) 후방이 되도록 동작하는 구성으로 이루어져 있다.
광체(12) 내의 전후 방향의 실질적으로 중앙부에는, 카세트 선반(28)이 설치되어 있고, 이 카세트 선반(28)은 복수 단(段) 복수 열(列)로, 복수 개의 카세트(16)를 보관하도록 구성되어 있다. 카세트 선반(28)에는, 후술하는 웨이퍼 이재 기구(36)의 반송 대상이 되는 카세트(16)가 수납되는 이재 선반(30)이 설치되어 있다.
카세트 스테이지(26)의 상방에는, 예비 카세트 선반(32)이 설치되어 있고, 예비적으로 카세트(16)를 보관하도록 구성되어 있다.
카세트 스테이지(26)와 카세트 선반(28) 사이에는, 카세트 반송 장치(34)가 설치되어 있다. 카세트 반송 장치(34)는, 카세트(16)를 보지(保持)한 상태로 승강 가능한 카세트 엘리베이터(34a)와, 카세트(16)를 반송하는 카세트 반송 기구(34b)로 구성되어 있다. 카세트 반송 장치(34)는, 카세트 엘리베이터(34a)와 카세트 반송 기구(34b)와의 연동 동작에 의해, 카세트 스테이지(26), 카세트 선반(28) 및 예비 카세트 선반(32)의 사이에서, 카세트(16)를 반송하도록 구성되어 있다.
카세트 선반(28)의 후방에는, 웨이퍼 이재 기구(36)가 설치되어 있고, 이 웨이퍼 이재 기구(36)는, 웨이퍼(14)를 수평 방향으로 회전 또는 직동(直動) 가능한 웨이퍼 이재 장치(36a) 및 웨이퍼 이재 장치(36a)를 승강시키기 위한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(36b)로 구성되어 있다. 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(36b)는 광체(12)의 우측 단부(端部)에 설치되어 있다. 웨이퍼 이재 기구(36)는, 이들 웨이퍼 이재 장치(36a) 및 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(36b)의 연동 동작에 의해, 웨이퍼 이재 장치(36a)의 트위저(tweezer, 36c)를 웨이퍼(14)의 재치부로 하여, 웨이퍼(14)를 수평 자세에서 다단으로 보지(保持)하는 기판 지지구로서의 보트(38)에 대해, 웨이퍼(14)를 장전(裝塡) 또는 탈장(脫裝)하도록 구성되어 있다.
광체(12)의 후부 상방에는, 처리실로서의 처리로(處理爐, 40)가 설치되어 있다. 처리로(40)의 하단부는, 노구(爐口) 셔터(42)에 의해 개폐되도록 구성되어 있다. 처리로(40)의 하방에는, 보트(38)를 처리로(40)에 승강시키는 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(44)가 설치되고, 이 보트 엘리베이터(44)의 승강대에 연결된 연결구로서의 암(46)에는 덮개로서의 씰 캡(seal cap)(48)이 수평으로 고정되어 있고, 이 씰 캡(48)은 보트(38)를 수직으로 지지하여, 처리로(40)의 하단부를 폐색(閉塞) 가능하도록 구성되어 있다.
보트(38)는, 복수 개의 보지 부재를 구비하고 있고, 복수 매(예를 들면 50 매~150 매 정도)의 웨이퍼(14)를, 그 중심을 맞춰 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서, 각각 수평으로 보지하도록 구성되어 있다.
웨이퍼 이재 기구(36)와 보트(38)의 승강 위치 사이에는, 비(非) 밀폐형의 차폐부로서 가동(可動)하는 열 차폐판(50)이 설치되어 있다. 열 차폐판(50)은, 웨이퍼 이재 장치(36a)와 보트(38) 사이에서 웨이퍼(14)가 수수될 때, 이를 간섭하지 않는 위치에 퇴피(退避)되어 있다. 또한, 광체(12) 후방 측에서 열 차폐판(50)과 대향하는 위치에는, 배기 장치(52)가 설치되어 있다.
카세트 선반(28)의 상방에는, 청정화된 분위기인 클린 에어를 공급하도록 공급 팬 및 방진(防塵) 필터를 구비한 제1 클린 유닛(54)이 설치되어 있고, 이 제1 클린 유닛(54)은, 클린 에어를 광체(12) 내부에 유통시키도록 구성되어 있다.
웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(36b) 및 보트 엘리베이터(44)와 대향하는 측인 광체(12)의 좌측 단부에는, 클린 에어를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터를 구비한 제2 클린 유닛(56)이 설치되어 있다. 이 제2 클린 유닛(56)으로부터 내뿜어진 클린 에어는, 웨이퍼 이재 장치(36a) 및 보트(38)를 유통한 후, 배기 장치(52)에 빨려 들어가, 광체(12)의 외부로 배기된다.
다음에, 열 차폐판(50)에 대해서 설명한다.
도 3 및 도 4는 열 차폐판(50)의 구성을 나타낸다. 도 3은 열 차폐판(50)의 배면도를 나타내고, 도 4는 열 차폐판(50)의 정면도를 나타낸다. 열 차폐판(50)은, 예를 들면 열전도율이 높고, 내열성(耐熱性)이 있는 알루미늄 합금으로 이루어지고, 열 흡수율을 높이기 위해서, 표면에 흑색 알루마이트(alumite) 처리를 실시해도 무방하다.
열 차폐판(50)은, 이 열 차폐판(50)을 냉각하기 위한 냉각수가 흐르는 유로(流路, 62)와, 이 유로(62)에 냉각수를 도입하는 냉각수 도입구(64)와, 유로(62)를 흐른 냉각수를 배출하는 냉각수 배출구(66)와, 보트(38)에 보지된 웨이퍼(14)에 청정 기체인 냉각 가스(68)를 내뿜는 냉각 가스 취출부(70) 및 이 냉각 가스(68)를 열 차폐판(50)에 도입하는 냉각 가스 도입구(72)를 구비한다. 냉각 가스 취출부(70)에는, 냉각 가스(68)의 취출구인 취출공(吹出孔, 70a)이 복수 설치되어 있다.
유로(62)는, 예를 들면 2 매의 접합 구조이며, 편면(片面)에 유로를 판 후, 용접함으로써 형성된다.
냉각 가스 취출부(70)에는, 예를 들면 펀칭 패널(punching panel)이나, 필터를 겸한 포러스(porous) 알루미늄을 이용할 수 있다. 또한, 원하는 가스 유량에 맞춰, 취출공(70a)의 지름 및 형상을 변경할 수 있다.
예를 들면, 보트(38)에 보지된 웨이퍼(14)를 하단측으로부터 차례로 불출(拂出)해서 반송하는 경우, 보트(38) 하단 측에 보지되어 먼저 반송되는 웨이퍼(14)를, 보트(38) 상단 측에 보지된 웨이퍼(14)보다 급속히 냉각하도록, 냉각 가스 취출부(70)의 상측에 배치된 취출공(70a)의 지름보다, 하측에 배치된 취출공(70a)의 지름을 크게 하는 것도 가능하다.
또한, 예를 들면, 보트(38)에 보지된 웨이퍼(14)에 냉각 가스(68)를 균등하게 내뿜도록, 냉각 가스 도입구(72)에 가까운 위치로부터 멀어짐에 따라, 취출공(70a)의 지름을 크게 하도록 구성하는 것도 가능하다.
열 차폐판(50)의 냉각 가스 취출부(70)로부터 내뿜어지는 냉각 가스(68)의 유량을 서서히 많게 하고, 웨이퍼(14)가 급냉에 의해 파손되지 않는 구성으로 하는 것도 가능하다. 또한, 냉각 가스 취출부(70)로부터 내뿜어지는 냉각 가스(68)의 온도를 서서히 내려, 웨이퍼(14)가 급냉에 의해 파손되지 않는 구성으로 하는 것도 가능하다.
도 5는 열 차폐판(50)의 이동에 대해 설명하는 기판 처리 장치(10)의 상면도이다. 도 5의 (a)는 열 차폐판(50)이 퇴피 위치에 있는 상태를 나타내고, 도 5의 (b)는 열 차폐판(50)이 냉각 위치에 있는 상태를 나타낸다. 열 차폐판(50)은 웨이퍼 이재 장치(36a)와 보트(38) 사이에서 웨이퍼(14)가 수수될 때에는, 이를 간섭하지 않는 위치에 퇴피되어 있고(퇴피 위치), 웨이퍼(14)를 냉각할 때에는, 웨이퍼(14)로부터의 방열을 흡수 및 차단하도록, 웨이퍼 이재 장치(36a)와 보트(38) 사이에 이동한다(냉각 위치).
도 6은 열 차폐판(50), 냉각 가스(68)의 흐름 및 그 주변 구조의 상면도를 나타낸다. 도 6의 (a)는 열 차폐판(50)이 퇴피 위치에 있는 상태를 나타내고, 도 6의 (b)는 열 차폐판(50)이 냉각 위치에 있는 상태를 나타낸다.
열 차폐판(50)이 퇴피 위치에 있을 때는, 제2 클린 유닛(56)으로부터 내뿜어진 클린 에어(74)가, 보트(38) 승강 위치를 통과하여 배기 장치(52)에 도달한다.
열 차폐판(50)이 냉각 위치에 있을 때는, 제2 클린 유닛(56)으로부터 내뿜어진 클린 에어(74)에 더하여[도 6의 (b)에서 도시하지 않음], 열 차폐판(50)의 냉각 가스 취출부(70)로부터 내뿜어진 냉각 가스(68)가, 보트(38) 승강 위치를 통과하여 배기 장치(52)에 도달한다. 이와 같이, 열 차폐판(50)이 웨이퍼(14)에 가까워진 위치로부터 냉각 가스(68)를 내뿜기 때문에, 웨이퍼(14)에 보다 빠른 가스 유속의 냉각 가스(68)를 많이 도달시킬 수 있고, 급속히 웨이퍼(14)를 냉각할 수 있다. 또한, 열 차폐판(50)은 웨이퍼(14)에 가까워지기 때문에, 웨이퍼(14)로부터의 복사열(輻射熱)을 흡열(吸熱)하여, 급속히 웨이퍼(14)를 냉각할 수 있다.
한편, 상기에 한정하지 않고, 냉각 가스 취출부(70)로부터는 항상 냉각 가스(68)가 내뿜고 있도록 하는 것도 가능하다. 이에 의해, 냉각 가스 취출부(70)의 먼지 막힘이 방지된다. 또한, 열 차폐판(50)에, 보트(38)의 웨이퍼(14) 재치 영역 전체를 향하여 냉각 가스(68)를 내뿜는 공급부를 설치하는 구성으로 구현하는 것도 가능하다. 이에 의해, 보트(38)에 재치된 웨이퍼(14) 전체를 동시에 냉각할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 복수의 보트(38)가 탑재(搭載)되어 있는 기판 처리 장치에 있어서는, 보트(38)를 처리로(40)의 하방이 아닌 다른 처리 장치 등에 반송하는 경우가 있는데, 그 반송처에 열 차폐판(50)을 설치하도록 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서는 열 차폐판(50)으로부터 냉각 가스(68)를 내뿜는 경우에 대해서 설명했는데, 이에 한정되지 않고, 냉각 가스 도입구(72)로부터 냉각 가스(68)를 도입하는 것 대신에, 이 냉각 가스 도입구(72)를 배기계와 연결하고, 고온이 된 분위기의 가스를 흡인 및 배기하여, 웨이퍼(14) 등을 냉각하는 것도 가능하다.
다음에, 기판 처리 장치(10)의 동작에 대해 설명한다.
카세트(16)가 카세트 스테이지(26)에 공급되기에 앞서, 카세트 반입출구(22)가 프론트 셔터(24)에 의해 개방된다. 그 후, 카세트(16)는 카세트 반입출구(22)로부터 반입되고, 웨이퍼(14)가 수직 자세이며, 카세트(16)의 웨이퍼 출입구가 상방향이 되도록, 카세트 스테이지(26) 상에 재치된다. 카세트(16)는, 카세트 스테이지(26)에 의해 카세트(16) 내의 웨이퍼(14)가 수평 자세가 되고, 카세트(16)의 웨이퍼 출입구가 광체(12) 후방을 향하도록, 광체(12) 후방 측으로 우회전 종방향 90도 회전된다.
이어서, 카세트(16)는 카세트 스테이지(26)로부터, 카세트 선반(28) 또는 예비 카세트 선반(32)의 지정된 위치에, 카세트 반송 장치(34)에 의해 자동적으로 반송되어 수도(受渡)되고, 일시적으로 보관된다. 그 후, 카세트 선반(28) 또는 예비 카세트 선반(32)으로부터, 카세트 반송 장치(34)에 의해 이재 선반(30)에 반송된다. 또는, 카세트(16)는 카세트 스테이지(26)로부터 직접 카세트 반송 장치(34)에 의해 이재 선반(30)으로 반송된다.
카세트(16)가 이재 선반(30)에 반송되면, 웨이퍼(14)는 카세트(16)로부터 웨이퍼 이재 장치(36a)의 트위저(36c)에 의해 웨이퍼 출입구를 통해서 픽업되어, 보트(38)에 장전된다. 보트(38)에 웨이퍼(14)를 수도한 웨이퍼 이재 장치(36a)는, 이재 선반(30) 상의 카세트(16) 위치로 되돌아오고, 다음의 웨이퍼(14)를 보트(38)에 장전한다.
미리 지정된 매수(枚數)의 웨이퍼(14)가 보트(38)에 장전되면, 노구 셔터(42)에 의해 닫혀져 있던 처리로(40)의 하단부가 개방된다. 이어서, 씰 캡(48)이 보트 엘리베이터(44)에 의해 상승되고, 웨이퍼(14)를 보지한 보트(38)는 처리로(40) 내로 반입된다. 반입 후, 웨이퍼(14)는 처리로(40)에서 처리된다. 웨이퍼(14)의 처리가 완료되면, 열 차폐판(50)은, 냉각 위치에 이동되고, 그 후, 보트(38)가 처리로(40)로부터 반출(boat down)된다.
처리로(40)로부터 반출된 보트(38)[웨이퍼(14)]는, 열 차폐판(50)에 의해 냉각된다. 웨이퍼(14)가 소정의 온도까지 내려가면, 열 차폐판(50)은 퇴피 위치로 이동된다. 그 후, 웨이퍼(14)는 상술한 동작과 반대의 순서로, 보트(38)로부터 이재 선반(30)의 카세트(16)에 반송된다. 카세트(16)는 카세트 반송 기구(34b)에 의해 이재 선반(30)으로부터 카세트 스테이지(26)로 반송되고, 도시하지 않은 공정 내 반송 장치에 의해 광체(12)의 외부로 반출된다.
10 : 기판 처리 장치 12 : 광체
14 : 웨이퍼 16 : 카세트
36 : 웨이퍼 이재 기구 38 : 보트
40 : 처리로 50 : 열 차폐판
52 : 배기 장치 68 : 냉각 가스
70 : 냉각 가스 취출부(吹出部) 70a : 취출공(孔)

Claims (9)

  1. 기판을 처리하는 처리실과,
    기판을 지지하고, 상기 처리실 내로 지지한 기판을 반송하는 기판 지지구와,
    상기 기판 지지구에 기판을 반송하는 이재기(移載機)와,
    상기 기판 지지구와 상기 이재기와의 사이에 설치된 비밀폐형의 차폐부
    를 포함하되,
    상기 차폐부는, 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판을 냉각하는 냉각 위치와 상기 냉각 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하게 설치되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차폐부는, 청정 기체를 내뿜는 취출부(吹出部)를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 차폐부는, 상기 기판 지지구가 상기 처리실 내로 반입한 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하기 전에 냉각 위치로 이동하고, 냉각 위치에 있어서의 상기 차폐부의 상기 취출부로부터 내뿜는 청정 기체의 유량(流量)은, 퇴피 위치에 있어서의 유량보다 큰 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 취출부로부터 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판으로 내뿜어지는 청정 기체의 유량은 서서히 증대하는 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 취출부로부터 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판으로 내뿜어지는 청정 기체의 온도는 서서히 저온(低溫)이 되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 차폐부와 대향하는 위치에 배기(排氣) 장치가 설치되는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 취출부로부터 항상, 청정 기체가 내뿜어지고 있는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 차폐부는 상기 기판 지지구에 의해 지지된 기판 주변의 분위기 기체를 흡인(吸引)하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 차폐부는 상기 기판 지지구의 기판 재치(載置) 영역 전체로 청정 기체를 내뿜는 공급부를 구비하는 기판 처리 장치.
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