KR101090608B1

KR101090608B1 - Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device

Info

Publication number: KR101090608B1
Application number: KR1020077019355A
Authority: KR
Inventors: 노리히사 호시카
Original assignee: 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤
Priority date: 2005-01-28
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2011-12-08
Also published as: TW200634089A; SG158093A1; JP2012162744A; TW201245321A; TWI503369B; MY152137A; JP5605394B2; KR20070104627A; JP5205964B2; SG191630A1; WO2006080297A1; JPWO2006080297A1

Abstract

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지, (C) 경화촉진제, (D) 무기질 충전재, (E) 이형제, (F) 실란 커플링제, 및 (G) 방향족 고리를 구성하는 2개 이상의 인접하는 탄소원자에 각각 수산기가 결합된 화합물을 필수성분으로 한다. (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지의 중 적어도 한쪽이 주쇄에 비페닐렌 골격을 갖는 노볼락 구조의 수지를 포함하고, 상기 이형제(E)가 산화 폴리에틸렌 왁스(E1), 글리세린 트리지방산 에스테르(E2) 및 산화 파라핀 왁스(E3)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 화합물이며, 전체 에폭시 수지 조성물 중에, 성분(E)를 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하, 성분(G)를 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하 포함한다.The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is (A) epoxy resin, (B) phenol resin, (C) curing accelerator, (D) inorganic filler, (E) mold release agent, (F) silane coupling agent, and (G ) A compound having a hydroxyl group bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring as an essential component. At least one of (A) an epoxy resin and (B) a phenol resin contains resin of the novolak structure which has a biphenylene skeleton in a principal chain, The said release agent (E) is a polyethylene oxide wax (E1), glycerin trifatty acid ester It is a compound selected from the group consisting of (E2) and paraffin wax (E3), and it is 0.01 weight% or more, 1 weight% or less, and 0.01 weight of component (G) in a total epoxy resin composition. % Or more and 1 weight% or less.

Description

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device

본 발명은 반도체 봉지(封止)용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 사용한 반도체장치에 관한 것이며, 특히 유동성, 이형성, 연속성형성이 우수한 특성을 갖는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 사용한 내땜납 리플로우성(resistance to reflow soldering heat)이 우수한 반도체장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device using the same, and in particular, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent properties in fluidity, release property, and continuity formation, and solder reflow resistance using the same. The present invention relates to a semiconductor device having excellent reflow soldering heat.

최근에 전자기기의 고도화, 경량화, 박형화 및 소형화가 요구되는 가운데, 반도체소자의 고집적화, 표면 실장화가 진행되고 있다. 이에 수반하여 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대한 요구는 더욱 엄격해지고 있는 것이 현실이다. 특히 반도체장치의 박형화가 진행되면, 금형(金型)과, 에폭시 수지 조성물의 경화물 사이의 이형(離型) 부족에 수반하여 응력이 발생한다. 이 응력에 의해서 반도체장치 내부의 반도체소자 자체에 크랙이 발생하거나 경화물과 반도체소자의 계면에서의 밀착성이 저하되거나 하는 경우가 있었다. 이 때문에, 에폭시 수지 조성물로부터 얻어지는 성형체(경화물)에 대해서, 금형으로부터 용이하게 이형되는 이형성이 요 구되고 있었다. 또한 생산성의 측면에서 연속하여 성형체가 형성 가능한 것(연속성형성)이 요구되고 있었다.In recent years, as the electronic devices need to be upgraded, reduced in weight, thinned in size and downsized, high integration and surface mounting of semiconductor devices have been progressed. In connection with this, the demand for the epoxy resin composition for semiconductor sealing is becoming more severe. In particular, when the thinning of the semiconductor device proceeds, stress is generated due to the lack of mold release between the mold and the cured product of the epoxy resin composition. Due to this stress, cracks may occur in the semiconductor element itself inside the semiconductor device, or the adhesiveness at the interface between the cured product and the semiconductor element may decrease. For this reason, the mold release property which molds easily from a metal mold | die was calculated | required about the molded object (cured product) obtained from an epoxy resin composition. In addition, in terms of productivity, it was required to be able to form a molded product continuously (continuous formation).

또한, 환경으로의 영향이 문제시되는 가운데, 유연땜납으로부터 무연땜납으로 이행해 오고 있다. 무연땜납은 유연땜납에 비해 납땜 처리시의 온도가 높아, 반도체장치 중에 포함되는 수분의 기화에 의해서 매우 높은 응력이 발생하는 경우가 있었다. 이와 같이 성형체의 내땜납 리플로우성이 과거보다 큰 문제가 되고 있다.Moreover, while the influence on the environment is a problem, it has shifted from lead solder to lead-free solder. The lead-free solder has a higher temperature at the time of the soldering process than the solder, so that a very high stress may occur due to vaporization of moisture contained in the semiconductor device. Thus, the solder reflow resistance of a molded object becomes a bigger problem than the past.

이 내땜납 리플로우성을 향상시키기 위해 여러 가지가 제안되어 있다. 예를 들면, 무기 충전재를 고농도로 충전한, 저점도형 에폭시 수지인 비페닐형 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 제안되어 있다(특허 문헌 1, 2 참조.). 이 에폭시 수지 조성물은 무기 충전재를 많이 포함하기 때문에 유동성이 저하된다. 이와 같이, 성형체의 내땜납 리플로우성과 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 유동성은 트레이드 오프(trade-off)의 관계에 있다.Various things are proposed in order to improve this solder reflow resistance. For example, the epoxy resin composition containing the biphenyl type epoxy resin which is a low viscosity epoxy resin which filled the inorganic filler with high concentration is proposed (refer patent document 1, 2). Since this epoxy resin composition contains many inorganic fillers, fluidity falls. In this way, the solder reflow resistance of the molded body and the fluidity of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation are in a trade-off relationship.

그 때문에 유동성, 이형성, 연속성형성 등이 우수하고, 또한 내땜납 리플로우성 등의 경화물 특성도 우수한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 상기 조성물로 반도체소자를 봉지해서 되는 반도체장치가 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation that is excellent in fluidity, mold release property, continuity formation, etc., and also has excellent cured product properties such as solder reflow resistance, and a semiconductor device in which a semiconductor element is encapsulated with the composition.

특허 문헌 1: 일본국 특허공개 제(평)5-131486호 공보(제1~9페이지)Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-131486 (Pages 1-9)

특허 문헌 2: 일본국 특허공개 제(평)8-253555호 공보(제2~9페이지)Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-253555 (pages 2-9)

발명의 개시DISCLOSURE OF INVENTION

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 유동성, 이형성, 연속성형성 등이 우수하고, 또한 내땜납 리플로우성 등의 경화물 특성도 우수한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 상기 조성물로 반도체소자를 봉지해서 되는 반도체장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which is excellent in fluidity, release property, continuity formation, etc., and also has excellent cured product properties such as solder reflow resistance and the semiconductor device. There is provided a semiconductor device which is sealed.

본 발명은The present invention

[1] (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지, (C) 경화촉진제, (D) 무기질 충전재, (E) 이형제, (F) 실란 커플링제, 및 (G) 방향족 고리를 구성하는 2개 이상의 인접하는 탄소원자에 각각 수산기가 결합된 화합물을 포함하고,[1] two constituents of (A) epoxy resin, (B) phenolic resin, (C) curing accelerator, (D) inorganic filler, (E) release agent, (F) silane coupling agent, and (G) aromatic ring A compound having a hydroxyl group bonded to each of the adjacent carbon atoms,

상기 에폭시 수지(A) 및 상기 페놀 수지(B) 중 적어도 한쪽이, 하기 화학식 1At least one of the said epoxy resin (A) and the said phenol resin (B) is a following formula (1)

(상기 화학식 1에 있어서, R은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기로부터 선택되는 기이며, 복수 존재하는 R은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. X는 글리시딜 에테르기 또는 수산기이다. n은 평균치로 1~3의 양수이다.)로 표시되는 수지를 포함하며,(In Formula 1, R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R's may be the same as or different from each other. X is a glycidyl ether group or a hydroxyl group. Resin is expressed as an average of 1 to 3), and

상기 이형제(E)가, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1), 글리세린 트리지방산 에스테 르(E2) 및 산화 파라핀 왁스(E3)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이고,The release agent (E) is at least one compound selected from the group consisting of polyethylene oxide wax (E1), glycerin trifatty acid ester (E2), and paraffin oxide wax (E3),

전체 에폭시 수지 조성물 중에, 상기 이형제(E)를 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하, 상기 화합물(G)를 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation comprising 0.01% by weight or more, 1% by weight or less of the release agent (E), and 0.01% by weight or more and 1% by weight of the compound (G).

[2] [1]에 있어서, 상기 화합물(G)가, 하기 화학식 2[2] the compound (G) according to [1], wherein

(상기 화학식 2에 있어서, R₁, R₅는 어느 한쪽이 수산기이며, 한쪽이 수산기일 때, 다른 한쪽은 수소원자, 수산기, 또는 수산기 이외의 치환기이다. R₂, R₃, R₄는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 또는 수산기 이외의 치환기여도 되며, 또한 R₂ 및 R₃, 또는 R₃ 및 R₄가 결합되어 방향족 고리를 형성하고 있어도 된다.)로 표시되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.(In Formula 2, R ₁ and R ₅ each represent a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a substituent other than a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyl group. R ₂ , R ₃ , and R ₄ are each A substituent other than a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyl group may be independently, and R <_2> and R <_3> or R <_3> and R <_4> may combine and may form the aromatic ring.) The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.

[3] [1] 또는 [2]에 있어서, 상기 이형제(E)가 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[3] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [1] or [2], wherein the release agent (E) is polyethylene oxide wax (E1).

[4] [3]에 있어서, 상기 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1)의 적점(dropping point) 이 100℃ 이상, 140℃ 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[4] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [3], wherein a dropping point of the polyethylene oxide wax (E-1) is 100 ° C or more and 140 ° C or less.

[5] [3] 또는 [4]에 있어서, 상기 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1)의 평균 입경이 20 ㎛ 이상, 70 ㎛ 이하이며, 전체 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1) 중에 있어서의 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율이 0.1 중량% 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[5] The particle size of [3] or [4], wherein the average particle diameter of the polyethylene oxide wax (E-1) is 20 µm or more and 70 µm or less, and the particle diameter in the total oxide oxide wax (E-1) is 106 µm. The epoxy resin composition for semiconductor sealing whose content rate of the above-mentioned particle | grains is 0.1 weight% or less.

[6] [3] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 상기 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1)의 산가가 10 ㎎KOH/g 이상, 50 ㎎KOH/g 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[6] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [3] to [5], wherein the acid value of the polyethylene oxide wax (E-1) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less.

[7] [3] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 상기 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1)의 수평균 분자량이 500 이상, 5000 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[7] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [3] to [6], wherein the polyethylene oxide wax (E-1) has a number average molecular weight of 500 or more and 5000 or less.

[8] [3] 내지 [7] 중 어느 하나에 있어서, 상기 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1)의 밀도가 0.94 g/㎤ 이상, 1.03 g/㎤ 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[8] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [3] to [7], wherein the polyethylene oxide wax (E-1) has a density of 0.94 g / cm 3 or more and 1.03 g / cm 3 or less.

[9] [3] 내지 [8] 중 어느 하나에 있어서, 상기 산화 폴리에틸렌 왁스(E-1)가, 저압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물, 고압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물 및 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[9] The oxide wax of any one of [3] to [8], wherein the polyethylene oxide (E-1) is an oxide of a polyethylene wax produced by a low pressure polymerization method, an oxide of a polyethylene wax produced by a high pressure polymerization method, and a high density. Epoxy resin composition for semiconductor sealing which is 1 or more types chosen from the group which consists of an oxide of a polyethylene polymer.

[10] [1] 또는 [2]에 있어서, 상기 이형제(E)가 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[10] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [1] or [2], wherein the release agent (E) is glycerin trifatty acid ester (E2).

[11] [10]에 있어서, 상기 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 적점이 70℃ 이상, 120℃ 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[11] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [10], wherein a dropping point of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 70 ° C or more and 120 ° C or less.

[12] [10] 또는 [11]에 있어서, 상기 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 평균 입경이 20 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하이며, 전체 글리세린 트리지방산 에스테르 중에 있어서의 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율이 0.1 중량% 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[12] The content ratio of the particles according to [10] or [11], wherein the average particle size of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 20 µm or more and 70 µm or less, and the particle size of the total glycerin trifatty acid ester is 106 µm or more. Epoxy resin composition for semiconductor sealing which is 0.1 weight% or less.

[13] [10] 내지 [12] 중 어느 하나에 있어서, 상기 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 산가가 10 ㎎KOH/g 이상, 50 ㎎KOH/g 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[13] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [10] to [12], wherein an acid value of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less.

[14] [10] 내지 [13] 중 어느 하나에 있어서, 상기 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가, 글리세린과 탄소수 24 이상 36 이하의 포화 지방산과의 트리에스테르 화합물인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[14] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [10] to [13], wherein the glycerin trifatty acid ester (E2) is a triester compound of glycerin and a saturated fatty acid having 24 to 36 carbon atoms.

[15] [1] 또는 [2]에 있어서, 상기 이형제(E)가 산화 파라핀 왁스(E3)인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[15] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [1] or [2], wherein the release agent (E) is paraffin wax (E3).

[16] [15]에 있어서, 상기 산화 파라핀 왁스(E3)의 연화점(softening point)이 70℃ 이상, 120℃ 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[16] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [15], wherein the softening point of the paraffin wax (E3) is 70 ° C or higher and 120 ° C or lower.

[17] [15] 또는 [16]에 있어서, 상기 산화 파라핀 왁스(E3)의 평균 입경이 20 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하이며, 전체 산화 파라핀 왁스 중에 있어서의 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율이 0.1 중량% 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[17] The content ratio of the particles according to [15] or [16], wherein the average particle diameter of the paraffin wax (E3) is 20 µm or more and 70 µm or less, and the content ratio of particles having a particle diameter of 106 µm or more in the total paraffin wax is 0.1 weight. Epoxy resin composition for semiconductor sealing which is% or less.

[18] [15] 내지 [17] 중 어느 하나에 있어서, 상기 산화 파라핀 왁스(E3)의 산가가 10 ㎎KOH/g 이상, 50 ㎎KOH/g 이하인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.[18] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [15] to [17], wherein an acid value of the paraffin wax (E3) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less.

[19] [1] 내지 [18] 중 어느 하나의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 사 용하여 반도체소자를 봉지해서 되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.[19] A semiconductor device, wherein the semiconductor device is encapsulated using the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [1] to [18].

본 발명에 의하면 유동성, 이형성, 연속성형성 등이 우수하며, 또한 내땜납 리플로우성, 흡습성 등의 경화물 특성이 우수한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물, 및 상기 수지 조성물로 반도체소자를 봉지해서 되는 반도체장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which is excellent in fluidity, release property, continuity formation, and the like, and has excellent cured product properties such as solder reflow resistance and hygroscopicity, and a semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor device with the resin composition. Can be provided.

발명을 실시하기Carrying out the invention 위한 최선의 형태 Best form for

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 이하의 성분(A)~성분(G)를 포함한다.The epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention contains the following component (A)-component (G).

(A) 에폭시 수지(A) epoxy resin

(B) 페놀 수지(B) phenolic resin

(C) 경화촉진제(C) curing accelerator

(D) 무기질 충전재(D) inorganic filler

(E) 이형제(E) release agent

(F) 실란 커플링제(F) silane coupling agent

(G) 방향족 고리를 구성하는 2개 이상의 인접하는 탄소원자에 각각 수산기가 결합된 화합물(G) Compounds in which hydroxyl groups are bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting the aromatic ring, respectively

또한, 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시 수지(A) 및 상기 페놀 수지(B)는, 하기 화학식 1에 있어서 (i)~(ⅲ) 중 어느 하나 의 요건을 충족한다.Moreover, in the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention, the said epoxy resin (A) and the said phenol resin (B) satisfy | fill the requirements in any one of (i)-(i) in following General formula (1).

(i) 에폭시 수지(A)가, 하기 화학식 1에 있어서, X를 글리시딜 에테르기로 표시하는 에폭시 수지를 포함한다.(i) An epoxy resin (A) contains the epoxy resin which represents X with a glycidyl ether group in following formula (1).

(ⅱ) 페놀 수지(B)가, 하기 화학식 1에 있어서, X를 수산기로 표시하는 페놀 수지를 포함한다.(Ii) A phenol resin (B) contains the phenol resin which shows X as a hydroxyl group in following formula (1).

(ⅲ) 상기 (i) 및 (ⅱ) 두 요건을 모두 충족한다.(Iii) meet both of (i) and (ii) above.

[화학식 1][Formula 1]

(상기 화학식 1에 있어서, R은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기로부터 선택되는 기이며, 복수 존재하는 R은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. X는 글리시딜 에테르기 또는 수산기이다. n은 평균치로 1~3의 양수이다.)(In Formula 1, R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R's may be the same as or different from each other. X is a glycidyl ether group or a hydroxyl group. On average it is a positive number from 1 to 3.)

또한, 이형제(E)는 산화 폴리에틸렌 왁스(E1), 글리세린 트리지방산 에스테르(E2) 및 산화 파라핀 왁스(E3)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 화합물이다. 또한, 전체 에폭시 수지 조성물 중에, 상기 이형제(E)를 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하, 상기 화합물(G)를 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하 포함한다.In addition, the mold release agent (E) is a compound selected from the group consisting of polyethylene oxide wax (E1), glycerin trifatty acid ester (E2), and paraffin oxide wax (E3). Moreover, 0.01 weight% or more and 1 weight% or less of the said mold release agent (E) are contained in all the epoxy resin compositions, 0.01 weight% or more and 1 weight% or less of the said compound (G).

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 상기와 같은 조성인 것에 의해서 반도체소자 등을 봉지할 때의 유동성, 이형성, 연속성형성이 우수하며, 또한 내땜납 리플로우성, 저흡습성, 저응력성, 금속계 부재와의 밀착성 등의 경화물 특성이 우수하다.The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is excellent in fluidity, releasability, and continuity formation when encapsulating a semiconductor device and the like by the composition as described above, and also has solder reflow resistance, low hygroscopicity, low stress resistance, It is excellent in hardened | cured material characteristics, such as adhesiveness with a metal type member.

이하, 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물(이하 간략히 「에폭시 수지 조성물」이라고도 한다)에 대해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention (henceforth simply called an "epoxy resin composition") is demonstrated in detail.

<에폭시 수지(A)><Epoxy Resin (A)>

본 발명에서 사용되는 에폭시 수지(A)는, 상기 화학식 1에 있어서 X가 글리시딜 에테르기인 하기 화학식 aIn the epoxy resin (A) used in the present invention, in the general formula (1), X is a glycidyl ether group

(상기 화학식 a에 있어서, R은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기로부터 선택되는 기이며, 복수 존재하는 R은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. n은 평균치로 1~3의 양수이다.)(In the formula (a), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R's may be the same as or different from each other. N is a positive number of 1 to 3 on average.

로 표시되는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 화학식 a에 있어서, 복수 존재하는 R은 모두 수소원자인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable to include the epoxy resin represented by. In formula (a), it is more preferable that all of R's present are hydrogen atoms.

상기 화학식 a로 표시되는 에폭시 수지는, 수지 골격 중에 소수성의 구조를 다수 포함한다. 그 때문에, 이 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물은 흡습율이 낮고, 땜납 리플로우시의 수분의 기화에 의한 상당히 높은 응력의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 경화물의 가교 밀도는 낮으며, 유리전이온도 이상의 고온 영역에서의 탄성률이 낮기 때문에, 납땜 처리시에 발생하는 열응력이 작아지고, 결과적으로 내땜납 리플로우성이 우수하게 된다.The epoxy resin represented by the said general formula a contains many hydrophobic structures in a resin skeleton. Therefore, the hardened | cured material obtained from the epoxy resin composition containing this epoxy resin has low moisture absorption, and can suppress generation | occurrence | production of the substantially high stress by vaporization of the moisture at the time of solder reflow. Moreover, since the crosslinking density of hardened | cured material is low and the elasticity modulus in the high temperature area | region beyond glass transition temperature is low, the thermal stress which arises at the time of soldering process becomes small, and as a result, solder reflow resistance becomes excellent.

본 발명에 있어서는, 상기 화학식 1의 에폭시 수지를 사용하는 것에 의한 효과가 손상되지 않는 범위에서, 다른 에폭시 수지와 병용할 수 있다. 다른 에폭시 수지로는, 예를 들면 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀 아랄킬(페닐렌 골격을 포함한다)형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 트리아진 핵 함유(triazine core-containing) 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 다른 에폭시 수지는 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.In this invention, it can use together with another epoxy resin in the range in which the effect by using the epoxy resin of the said General formula (1) is not impaired. As another epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, a stilbene type epoxy resin, a triphenol methane type epoxy resin, phenol aralkyl ( A phenylene skeleton) type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, an alkyl modified triphenol methane type epoxy resin, a triazine core-containing epoxy resin, a dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin, etc. are mentioned. Can be. These other epoxy resins may be used independently or may be mixed and used.

에폭시 수지(A)로서 상기 화학식 a의 에폭시 수지를 사용하지 않는 경우, 상기 다른 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또한, 상기 화학식 a의 에폭시 수지를 사용하지 않는 경우, 페놀 수지(B)로는, 후술하는 화학식 b로 표시되는 페놀 수지를 사용하는 것이 바람직하다.When not using the epoxy resin of the said general formula (a) as an epoxy resin (A), the said other epoxy resin can be used. In addition, when not using the epoxy resin of the said General formula (a), it is preferable to use the phenol resin represented by General formula (b) mentioned later as a phenol resin (B).

<페놀 수지(B)><Phenol resin (B)>

본 발명에서 사용되는 페놀 수지(B)는 상기 화학식 1에 있어서, X가 수산기인 하기 화학식 bThe phenol resin (B) used in the present invention is represented by Chemical Formula 1, wherein X is a hydroxyl group

(상기 화학식 b에 있어서, R은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기로부터 선택되는 기이며, 복수 존재하는 R은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. n은 평균치로 1~3의 양수이다.)로 표시되는 페놀 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 화학식 b에 있어서, 복수 존재하는 R은 모두 수소원자인 것이 더욱 바람직하다.(In the above formula b, R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R's may be the same as or different from each other. N is a positive number of 1 to 3 as an average value.) It is preferable to include the phenol resin shown. In the formula (b), it is more preferable that all of R's present are hydrogen atoms.

상기 화학식 b로 표시되는 페놀 수지는 수지 골격 중에 소수성의 구조를 다수 포함한다. 그 때문에, 이 페놀 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물은 흡습율이 낮아, 납땜리플로우시의 수분의 기화에 의한 상당히 높은 응력의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 경화물의 가교 밀도는 낮으며, 유리전이온도 이상의 고온 영역에서의 탄성률이 낮기 때문에, 납땜 처리시에 발생하는 열응력이 작아지고, 결과적으로 내땜납 리플로우성이 우수하게 된다.The phenol resin represented by the formula (b) includes many hydrophobic structures in the resin skeleton. Therefore, the hardened | cured material obtained from the epoxy resin composition containing this phenol resin has low moisture absorption, and can suppress generation | occurrence | production of the substantially high stress by vaporization of the water at the time of solder reflow. Moreover, since the crosslinking density of hardened | cured material is low and the elasticity modulus in the high temperature area | region beyond glass transition temperature is low, the thermal stress which arises at the time of soldering process becomes small, and as a result, solder reflow resistance becomes excellent.

본 발명에 있어서는, 상기 화학식 b의 페놀 수지를 사용하는 것에 의한 효과가 손상되지 않는 범위에서, 다른 페놀 수지와 병용할 수 있다. 다른 페놀 수지로서는, 예를 들면 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 트리페놀메탄 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀 수지, 페놀 아랄킬 수지(페닐렌 골격을 포함한다), 나프톨 아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 이들 다른 페놀 수지는, 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.In this invention, it can use together with another phenol resin in the range in which the effect by using the phenol resin of the said general formula (b) is not impaired. As another phenol resin, a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a triphenol methane resin, a terpene modified phenol resin, a dicyclopentadiene modified phenol resin, a phenol aralkyl resin (including phenylene skeleton), naphthol Aralkyl resin etc. are mentioned. These other phenol resins may be used alone or in combination.

페놀 수지(B)로서 상기 화학식 b의 페놀 수지를 사용하지 않는 경우, 상기 다른 페놀 수지를 사용할 수 있다. 또한, 상기 화학식 b의 페놀 수지를 사용하지 않는 경우, 상기의 에폭시 수지(A)로는, 화학식 a로 표시되는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.When the phenol resin of the said Formula (b) is not used as a phenol resin (B), the said other phenol resin can be used. In addition, when the phenol resin of the said Formula (b) is not used, it is preferable to use the epoxy resin represented by Formula (a) as said epoxy resin (A).

본 발명에 사용되는 전체 에폭시 수지의 에폭시기와 전체 페놀 수지의 페놀성 수산기의 당량비는, 바람직하게는 0.5 이상, 2 이하이며, 특히 바람직하게는 0.7 이상, 1.5 이하이다. 상기 범위 내에 있으면, 에폭시 수지 조성물은 경화성이 우수한 동시에, 상기 조성물로부터 얻어지는 경화물은 내습성이 우수하다.Preferably the equivalence ratio of the epoxy group of all the epoxy resins used for this invention, and the phenolic hydroxyl group of all the phenol resins is 0.5 or more and 2 or less, Especially preferably, it is 0.7 or more and 1.5 or less. When it exists in the said range, an epoxy resin composition is excellent in sclerosis | hardenability, and the hardened | cured material obtained from the said composition is excellent in moisture resistance.

<경화촉진제(C)><Hardening accelerator (C)>

본 발명에서 사용되는 경화촉진제(C)로는, 에폭시 수지와 페놀 수지의 가교 반응의 촉매가 될 수 있는 것을 사용할 수 있다. 경화촉진제(C)로는, 예를 들면 트리부틸아민, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 아민계 화합물, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐 보레이트염 등의 유기 인계 화합물, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 또한 이들 경화촉진제는 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.As a hardening accelerator (C) used by this invention, what can become a catalyst of the crosslinking reaction of an epoxy resin and a phenol resin can be used. Examples of the curing accelerator (C) include amine compounds such as tributylamine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenyl. Although organophosphorus compounds, such as a borate salt, imidazole compounds, such as 2-methylimidazole, etc. are mentioned, It is not limited to these. In addition, these hardening accelerators may be used independently and may be mixed and used.

<무기질 충전재(D)><Inorganic filler (D)>

본 발명에서 사용되는 무기질 충전재(D)로는, 예를 들면 용융 실리카, 결정 실리카, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄 등을 들 수 있다. 무기질 충전재의 배 합량을 특별히 많게 하는 경우는 용융 실리카를 사용하는 것이 바람직하다.As an inorganic filler (D) used by this invention, fused silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, aluminum nitride, etc. are mentioned, for example. It is preferable to use fused silica when the amount of the inorganic filler to be added is particularly high.

용융 실리카는 파쇄상(crushed form), 구상(spherical form) 중 어느 형상으로도 사용 가능하지만, 용융 실리카의 배합량을 높이고, 또한 에폭시 수지 조성물의 용융 점도의 상승을 억제하기 위해서는, 구상의 것을 주로 사용하는 것이 바람직하다. 또한 구상 실리카의 배합량을 높이기 위해서는, 구상 실리카의 입도 분포가 보다 넓어지도록 조정하는 것이 바람직하다.Although fused silica can be used in any of a crushed form or a spherical form, in order to increase the compounding quantity of fused silica and to suppress the raise of the melt viscosity of an epoxy resin composition, a spherical thing is mainly used. It is desirable to. Moreover, in order to raise the compounding quantity of a spherical silica, it is preferable to adjust so that the particle size distribution of spherical silica may become wider.

<이형제(E)><Release (E)>

본 발명에서 사용되는 이형제(E)로는, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1), 글리세린 트리지방산 에스테르(E2), 산화 파라핀 왁스(E3)를 들 수 있다. 이들 이형제는 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.Examples of the release agent (E) used in the present invention include polyethylene oxide wax (E1), glycerin trifatty acid ester (E2), and paraffin wax (E3). These mold release agents may be used independently or may be mixed and used.

이하, 이들 이형제를 순서대로 설명한다.Hereinafter, these mold release agents are demonstrated in order.

(산화 폴리에틸렌 왁스(E1))Oxidized Polyethylene Wax (E1)

산화 폴리에틸렌 왁스(E1)는, 일반적으로 카르복실산 등으로 되는 극성기와, 긴 탄소사슬로 되는 비극성기를 가지고 있기 때문에, 성형시에 극성기는 수지 경화물측으로 배향하고, 반대로 비극성기는 금형측으로 배향하는 것에 의해 이형제로서 작용한다.Since the polyethylene oxide wax (E1) generally has a polar group made of carboxylic acid or the like and a nonpolar group made of a long carbon chain, the polar group is oriented to the cured resin side during molding, and the nonpolar group is oriented to the mold side. Acts as a release agent.

에폭시 수지 조성물 중에 있어서의 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 함유량은, 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하이며, 바람직하게는 0.03 중량% 이상, 0.5 중량% 이 하이다. 상기 범위 내이면, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 또한, 리드프레임(lead frame) 부재와의 밀착성이 우수하기 때문에, 납땜 처리시에 있어서, 리드프레임 부재와 경화물의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 성형시에 있어서의 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 억제하는 것도 가능하다.Content of the polyethylene oxide wax (E1) in an epoxy resin composition is 0.01 weight% or more and 1 weight% or less, Preferably it is 0.03 weight% or more and 0.5 weight% or less. If it is in the said range, the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die will be excellent. Moreover, since the adhesiveness with a lead frame member is excellent, peeling of a lead frame member and hardened | cured material can be suppressed at the time of a soldering process. Moreover, it is also possible to suppress the contamination of the metal mold | die and the deterioration of the external appearance of hardened | cured material at the time of shaping | molding.

산화 폴리에틸렌 왁스(E1)로는, 저압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물, 고압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물을 들 수 있다. 그 중에서도, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물이 보다 바람직하다. 이들 산화 폴리에틸렌 왁스는 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.Examples of the oxide polyethylene wax (E1) include oxides of polyethylene wax produced by low pressure polymerization, oxides of polyethylene wax produced by high pressure polymerization, and oxides of high density polyethylene polymers. Especially, the oxide of a high density polyethylene polymer is more preferable. These oxidized polyethylene waxes may be used alone or in combination.

이하에, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 (1-1) 적점, (1-2) 산가, (1-3) 수평균 분자량, (1-4) 밀도, (1-5) 평균 입경, (1-6) 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율을 순서대로 설명한다.(1-1) Dropping point, (1-2) acid value, (1-3) number average molecular weight, (1-4) density, (1-5) average particle diameter, (1) of polyethylene oxide wax (E1) below -6) The content ratio of the particle | grains whose particle diameter is 106 micrometers or more is demonstrated in order.

(1-1) 적점(1-1) Dropping Point

산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 적점은 100℃ 이상, 140℃ 이하이며, 바람직하게는 110℃ 이상, 130℃이다. 적점은 ASTM D127에 준거한 방법으로 측정할 수 있다. 구체적으로는, 금속 니플(metallic nipple)을 사용하고, 용융된 왁스가 금속 니플로부터 최초로 적하할 때의 온도로서 측정된다. 이하의 예에 있어서도 같은 방법으로 측정할 수 있다.The dropping point of the oxidized polyethylene wax (E1) is 100 ° C or more and 140 ° C or less, preferably 110 ° C or more and 130 ° C. Dropping point can be measured by the method based on ASTMD127. Specifically, a metal nipple is used, and the melted wax is measured as the temperature at the first dropping from the metal nipple. Also in the following examples, it can measure in a similar way.

적점이 상기 범위 내이면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)는 열안정성이 우수하 여, 성형시에 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 타기(burn-in) 어렵다. 그 때문에, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수한 동시에, 연속성형성도 우수하다. 또한 상기 범위 내이면, 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 충분히 용융된다. 이로 인해, 경화물 중에 산화 폴리에틸렌 왁스가 거의 균일하게 분산된다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 편석(segregation)이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.When the dropping point is in the above range, the polyethylene oxide wax (E1) is excellent in thermal stability, so that the polyethylene oxide wax (E1) is hard to burn-in during molding. Therefore, the release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent, and continuity formation is also excellent. Moreover, when it is in the said range, when hardening an epoxy resin composition, polyethylene oxide wax (E1) will fully melt | dissolve. For this reason, the polyethylene oxide wax is almost uniformly dispersed in the cured product. Therefore, segregation of polyethylene oxide wax (E1) on the surface of hardened | cured material can be suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

(1-2) 산가(1-2) Acid value

산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 산가는 10 ㎎KOH/g 이상, 50 ㎎KOH/g 이하이며, 바람직하게는 15 ㎎KOH/g 이상, 40 ㎎KOH/g 이하이다. 산가는 경화물 중에서의 상용성(相溶性)에 영향을 준다. 산가는 JIS K 3504에 준거한 방법으로 측정할 수 있다. 구체적으로는, 왁스류 1 g 중에 함유되어 있는 유리(遊離) 지방산을 중화하는데 소요되는 수산화칼륨의 ㎎ 수로 측정된다. 이하의 예에 있어서도 같은 방법으로 측정할 수 있다.The acid value of the oxidized polyethylene wax (E1) is at least 10 mgKOH / g and at most 50 mgKOH / g, preferably at least 15 mgKOH / g and at most 40 mgKOH / g. Acid value affects the compatibility in hardened | cured material. An acid value can be measured by the method based on JISK3504. Specifically, it is measured by the number of mg of potassium hydroxide required to neutralize the free fatty acid contained in 1 g of the wax. Also in the following examples, it can measure in a similar way.

산가가 상기 범위 내에 있으면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)는 경화물 중에 있어서 에폭시 수지 매트릭스와 바람직한 상용(相溶) 상태가 된다. 이로 인해, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)와 에폭시 수지 매트릭스가 상분리를 일으키는 일이 없다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.When the acid value is in the above range, the polyethylene oxide wax (E1) is in a preferable compatibility state with the epoxy resin matrix in the cured product. For this reason, the polyethylene oxide wax (E1) and the epoxy resin matrix do not cause phase separation. Therefore, segregation of polyethylene oxide wax (E1) on the surface of hardened | cured material is suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

또한, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 경화물 표면에 존재하기 때문에, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 한편, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)와 에폭시 수지 매트릭스와의 상용성이 너무 높으면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 경화물 표면에 배어나오지 못하여, 충분한 이형성을 확보할 수 없는 경우가 있다.Moreover, since polyethylene oxide wax (E1) exists in hardened | cured material surface, the release property of hardened | cured material from a metal mold | die is excellent. On the other hand, if the compatibility between the polyethylene oxide wax (E1) and the epoxy resin matrix is too high, the polyethylene oxide wax (E1) may not bleed to the cured product surface, and sufficient release property may not be secured.

(1-3) 수평균 분자량(1-3) Number average molecular weight

산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 수평균 분자량은 500 이상, 5000 이하이며, 바람직하게는 1000 이상, 4000 이하이다. 수평균 분자량은, 예를 들면 도소(주)제의 HLC-8120 등의 GPC장치를 사용하고, 폴리스티렌 환산으로 산출할 수 있다. 이하의 예에 있어서도 같은 방법으로 측정할 수 있다.The number average molecular weight of the oxidized polyethylene wax (E1) is 500 or more and 5000 or less, Preferably it is 1000 or more and 4000 or less. The number average molecular weight can be calculated by polystyrene conversion using, for example, a GPC device such as HLC-8120 manufactured by Tosoh Corporation. Also in the following examples, it can measure in a similar way.

수평균 분자량이 상기 범위 내이면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)와 에폭시 수지 매트릭스가 바람직한 친화(親和) 상태가 된다. 그 때문에, 경화물은 금형으로부터의 이형성이 우수하다. 한편, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)와 에폭시 수지 매트릭스와의 친화성이 높으면 충분한 이형성을 얻을 수 없는 경우가 있다. 반대로 친화성이 낮으면 상분리를 일으켜, 금형의 오염이나 수지 경화물 외관의 악화를 일으키는 경우가 있다.When the number average molecular weight is in the above range, the polyethylene oxide wax (E1) and the epoxy resin matrix are in a preferred affinity state. Therefore, hardened | cured material is excellent in the mold release property from a metal mold | die. On the other hand, sufficient releasability may not be obtained when affinity between polyethylene oxide wax (E1) and an epoxy resin matrix is high. On the contrary, when the affinity is low, phase separation may occur, which may cause contamination of the mold and deterioration of the appearance of the cured resin.

(1-4) 밀도(1-4) density

산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 밀도는 0.94 g/㎤ 이상, 1.03 g/㎤ 이하이며, 바람직하게는 0.97 g/㎤ 이상, 0.99 g/㎤ 이하이다. 밀도는 ASTM D1505에 준거한 부유법으로, 20℃에 있어서의 밀도 측정으로 산출할 수 있다. 이하의 예에 있어서도 같은 방법으로 측정할 수 있다.The density of the polyethylene oxide wax (E1) is at least 0.94 g / cm 3 and at most 1.03 g / cm 3, preferably at least 0.97 g / cm 3 and at most 0.99 g / cm 3. The density can be calculated by the density measurement at 20 ° C. by a floating method in accordance with ASTM D1505. Also in the following examples, it can measure in a similar way.

밀도가 상기 범위 내이면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)는 열안정성이 우수하여, 성형시에 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 타기 어렵다. 그 때문에, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수한 동시에, 연속성형성도 우수하다. 또한 상기 범위 내이면, 에폭시 수지 조성물이 경화될 때, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 충분히 용융된다. 이로 인해, 경화물 중에 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 거의 균일하게 분산된다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.When density is in the said range, polyethylene oxide wax (E1) is excellent in thermal stability, and it is hard to burn polyethylene oxide wax (E1) at the time of shaping | molding. Therefore, the release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent, and continuity formation is also excellent. Moreover, when it is in the said range, when an epoxy resin composition hardens, polyethylene oxide wax (E1) melts sufficiently. For this reason, the polyethylene oxide wax E1 is almost uniformly dispersed in the cured product. Therefore, segregation of polyethylene oxide wax (E1) on the surface of hardened | cured material is suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

(1-5) 평균 입경(1-5) average particle diameter

평균 입경은 20 ㎛ 이상, 70 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 30 ㎛ 이상, 60 ㎛ 이하이다. 평균 입경은, 예를 들면 (주)시마즈 제작소제의 SALD-7000 등의 레이저 회절식 입도 분포 측정장치를 사용하고, 용매를 물로써 중량 기준의 50% 입자경을 평균 입경으로 하여 측정할 수 있다. 이하의 예에 있어서도 같은 방법으로 측정할 수 있다.The average particle diameter is 20 µm or more and 70 µm or less, preferably 30 µm or more and 60 µm or less. The average particle diameter can be measured, for example, using a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus such as SALD-7000 manufactured by Shimadzu Corporation, with water as the average particle diameter based on 50% particle size based on weight. Also in the following examples, it can measure in a similar way.

평균 입경이 상기 범위 내에 있으면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)는 경화물 중에 있어서, 에폭시 수지 매트릭스와 바람직한 상용 상태가 된다. 이로 인해, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 경화물 표면에 존재하여, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 한편, 에폭시 수지 매트릭스와의 상용성이 너무 높으면, 경화물 표면 에 배어나오지 못하여, 충분한 이형성을 확보할 수가 없다.When the average particle diameter is in the above range, the polyethylene oxide wax (E1) is in a preferable compatibility state with the epoxy resin matrix in the cured product. For this reason, polyethylene oxide wax (E1) exists in the hardened | cured material surface, and it is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the surface of the cured product may not be soaked and sufficient release property cannot be secured.

또한, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)과 에폭시 수지 매트릭스가 바람직한 상용 상태에 있기 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.In addition, since the polyethylene oxide wax (E1) and the epoxy resin matrix are in a preferable commercial state, segregation of the polyethylene oxide wax (E1) on the surface of the cured product is suppressed, so that contamination of the mold and deterioration of the appearance of the cured product can be reduced. Can be.

또한 상기 범위에 있으면, 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 충분히 용융된다. 그 때문에, 에폭시 수지 조성물은 유동성이 우수하다.Moreover, when it is in the said range, when hardening an epoxy resin composition, polyethylene oxide wax (E1) will fully melt | dissolve. Therefore, an epoxy resin composition is excellent in fluidity.

(1-6) 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율(1-6) content rate of particle | grains whose particle diameter is 106 micrometers or more

전체 산화 폴리에틸렌 왁스(E1) 중에 있어서의 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율은 0.1 중량% 이하인 것이 바람직하다. 이 함유 비율은 JIS Z 8801의 스크린 사이즈 106 ㎛의 표준체(standard seive)를 이용해 측정할 수 있다. 이하의 예에 있어서도 같은 방법으로 측정할 수 있다.It is preferable that the content rate of the particle | grains whose particle diameter is 106 micrometers or more in all the oxidized polyethylene wax (E1) is 0.1 weight% or less. This content rate can be measured using the standard body of the screen size of 106 micrometers of JIS Z 8801. Also in the following examples, it can measure in a similar way.

상기의 함유 비율이면, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)가 거의 균일하게 분산되어, 금형의 오염이나 수지 경화물의 외관의 악화를 억제할 수 있다. 또한, 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때, 산화 폴리에틸렌 왁스가 충분히 용융되기 때문에 유동성이 우수하다.If it is said content rate, polyethylene oxide wax (E1) will be disperse | distributed substantially uniformly and the contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material of a resin can be suppressed. Moreover, when hardening an epoxy resin composition, since polyethylene oxide wax melt | dissolves sufficiently, it is excellent in fluidity.

본 발명에 있어서는, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)를 사용하는 것에 의한 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 이형제를 병용하는 것도 가능하다. 병용할 수 있는 다른 이형제로는, 예를 들면 카나우바 왁스(carnauba wax) 등의 천연 왁스, 스테아르산 아연 등의 고급 지방산의 금속 염류 등을 들 수 있다.In this invention, it is also possible to use another mold release agent together in the range which does not impair the effect by using polyethylene oxide wax (E1). As another mold release agent which can be used together, natural wax, such as carnauba wax, metal salts of higher fatty acids, such as zinc stearate, etc. are mentioned, for example.

(글리세린 트리지방산 에스테르(E2))(Glycerine Trifatty Acid Ester (E2))

글리세린 트리지방산 에스테르(E2)는, 글리세린과 포화 지방산으로부터 얻어지는 트리에스테르이다. 에폭시 수지 조성물이 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)를 포함하는 것에 의해서, 상기 조성물로부터 얻어지는 경화물의 이형성이 상당히 우수하게 된다. 한편, 글리세린과 포화 지방산의 모노에스테르 및 디에스테르는, 잔존하는 수산기의 영향으로, 에폭시 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물의 내습성이 저하되며, 그 결과 내땜납 리플로우성에 악영향을 주기 때문에 바람직하지 않다.Glycerine trifatty acid ester (E2) is a triester obtained from glycerin and saturated fatty acid. By the epoxy resin composition containing glycerin trifatty acid ester (E2), the releasability of the cured product obtained from the composition is considerably excellent. On the other hand, monoesters and diesters of glycerin and saturated fatty acids are not preferable because the moisture resistance of the cured product obtained from the epoxy resin composition is lowered under the influence of the remaining hydroxyl groups, and as a result adversely affects solder reflow resistance.

에폭시 수지 조성물 중에 있어서의 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 함유량은 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하이며, 바람직하게는 0.03 중량% 이상, 0.5 중량% 이하이다. 상기 범위 내이면, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 또한, 리드프레임 부재와의 밀착성이 우수하기 때문에, 납땜 처리시에 있어서, 리드프레임 부재와 경화물의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 금형의 오염이나 수지 경화물의 외관의 악화를 억제하는 것도 가능하다.The content of glycerin trifatty acid ester (E2) in the epoxy resin composition is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less. If it is in the said range, the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die will be excellent. Moreover, since adhesiveness with a lead frame member is excellent, peeling of a lead frame member and hardened | cured material can be suppressed at the time of a soldering process. In addition, it is also possible to suppress contamination of the mold and deterioration of the appearance of the cured resin.

글리세린 트리지방산 에스테르(E2)로는, 예를 들면 글리세린트리카프로산 에스테르(glycerin tri-caproic acid ester), 글리세린트리카프릴산 에스테르(glycerin tri-caprylic acid ester), 글리세린트리카프르산 에스테르(glycerin tri-capric acid ester), 글리세린트리라우르산 에스테르(glycerin trilaurin acid ester), 글리세린트리미리스트산 에스테르(glycerin tri-myristic acid ester), 글리세린트리팔미트산 에스테르(glycerin tripalmitin acid ester), 글리세린트리스테아르산 에스테르(glycerin tri-stearic acid ester), 글리세린트리아라크산 에스테르(glycerin tri-arachic acid ester), 글리세린트리베헨산 에스테르(glycerin tri-behenic acid ester), 글리세린트리리그노세르산 에스테르(glycerin tri-lignoceric acid ester), 글리세린트리세로트산 에스테르(glycerin tri-cerotic acid ester), 글리세린트리몬탄산 에스테르(glycerin tri-montanic acid ester), 글리세린트리멜리스산 에스테르(glycerin tri-melissic acid ester) 등을 들 수 있다. 이들 글리세린 트리지방산 에스테르는 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.As the glycerin trifatty acid ester (E2), for example, glycerin tri-caproic acid ester, glycerin tri-caprylic acid ester, glycerin tricapric acid ester -capric acid ester, glycerin trilaurin acid ester, glycerin tri-myristic acid ester, glycerin tripalmitin acid ester, glycerin tristearate Glycerin tri-stearic acid ester, Glycerin tri-arachic acid ester, Glycerin tri-behenic acid ester, Glycerin tri-behenic acid ester lignoceric acid ester, glycerin tri-cerotic acid ester, glycerin tri-montanic acid esters), and glycerin tri-melissic acid esters. These glycerin trifatty acid esters may be used alone or in combination.

그 중에서도, 글리세린과 탄소수 24 이상 36 이하의 포화 지방산과의 글리세린 트리지방산 에스테르가, 이형성과 성형체의 외관의 관점에서 바람직하다. 또한, 글리세린트리몬탄산 에스테르가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 포화 지방산의 탄소수란 포화 지방산 중의 알킬기와 카르복실기의 탄소수를 합계한 것을 가리킨다.Especially, the glycerin trifatty acid ester of glycerol and C24-C36 saturated fatty acid is preferable from a viewpoint of mold release property and the external appearance of a molded object. Moreover, glycerin trimontanic acid ester is more preferable. In addition, in this invention, the carbon number of a saturated fatty acid refers to the sum total of carbon number of the alkyl group and carboxyl group in saturated fatty acid.

이하에, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 (2-1) 적점, (2-2) 산가, (2-3) 평균 입경, (2-4) 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율을 설명한다.Below, the content rate of the particle | grains of (2-1) dropping-point, (2-2) acid value, (2-3) average particle diameter, and (2-4) particle size 106 micrometers or more of glycerin trifatty acid ester (E2) is demonstrated.

(2-1) 적점(2-1) Dropping Point

글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 적점은, 70℃ 이상, 120℃ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80℃ 이상, 110℃ 이하이다.As for the dropping point of glycerin trifatty acid ester (E2), 70 degreeC or more and 120 degrees C or less are preferable, More preferably, they are 80 degreeC or more and 110 degrees C or less.

적점이 상기 범위 내이면, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)는 열안정성이 우수하여, 성형시에 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 타기 어렵다. 그 때문에, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수한 동시에, 연속성형성도 우수하다. 또한 상기 범위 내이면, 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 충분히 용융된다. 이로 인해, 경화물 중에 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 거의 균일하게 분산된다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.When the dropping point is in the above range, the glycerin trifatty acid ester (E2) is excellent in thermal stability, and the glycerin trifatty acid ester (E2) is hard to burn during molding. Therefore, the release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent, and continuity formation is also excellent. Moreover, when it is in the said range, when hardening an epoxy resin composition, glycerin trifatty acid ester (E2) will fully melt | dissolve. For this reason, glycerin trifatty acid ester (E2) is disperse | distributed substantially uniformly in hardened | cured material. Therefore, segregation of glycerin trifatty acid ester (E2) on the surface of hardened | cured material is suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

(2-2) 산가(2-2) acid value

글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 산가는 10 ㎎KOH/g 이상, 50 ㎎KOH/g 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 ㎎KOH/g 이상, 40 ㎎KOH/g 이하이다. 산가는 경화물 중에서의 상용성에 영향을 미친다.As for the acid value of glycerin trifatty acid ester (E2), 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less are preferable, More preferably, they are 15 mgKOH / g or more and 40 mgKOH / g or less. The acid value affects the compatibility in the cured product.

상기 범위 내에 있으면, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)는 경화물 중에서 에폭시 수지 매트릭스와 바람직한 상용 상태가 된다. 이로 인해, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)와 에폭시 수지 매트릭스가 상분리를 일으키는 일이 없다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.If it exists in the said range, glycerin trifatty acid ester (E2) will become a preferable compatibility state with an epoxy resin matrix in hardened | cured material. For this reason, glycerin trifatty acid ester (E2) and an epoxy resin matrix do not cause phase separation. Therefore, segregation of glycerin trifatty acid ester (E2) on the surface of hardened | cured material is suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

또한, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 경화물 표면에 존재하기 때문에, 경화물은 금형으로부터의 이형성이 우수하다. 한편, 에폭시 수지 매트릭스와의 상용성이 너무 높으면, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 경화물 표면에 배어나오지 못하여, 충분한 이형성을 확보할 수가 없는 경우가 있다.Moreover, since glycerin trifatty acid ester (E2) exists in hardened | cured material surface, hardened | cured material is excellent in mold release property from a metal mold | die. On the other hand, when the compatibility with an epoxy resin matrix is too high, glycerol trifatty acid ester (E2) may not be invaded on the hardened | cured material surface, and sufficient release property may not be ensured.

(2-3) 평균 입경(2-3) average particle diameter

평균 입경은 20 ㎛ 이상, 70 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이상, 60 ㎛ 이하이다.The average particle diameter is preferably 20 µm or more and 70 µm or less, more preferably 30 µm or more and 60 µm or less.

상기 범위 내에 있으면, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)는 경화물 중에서 에폭시 수지 매트릭스와 바람직한 상용 상태가 된다. 이로 인해, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 경화물 표면에 존재하여, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 한편, 에폭시 수지 매트릭스와의 상용성이 너무 높으면, 경화물 표면에 배어나오지 못하여, 충분한 이형성을 확보할 수가 없다.If it exists in the said range, glycerin trifatty acid ester (E2) will become a preferable compatibility state with an epoxy resin matrix in hardened | cured material. For this reason, glycerin trifatty acid ester (E2) exists in the hardened | cured material surface, and the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent. On the other hand, if the compatibility with an epoxy resin matrix is too high, it will not be invaded on the hardened | cured material surface, and sufficient release property cannot be ensured.

또한, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)와 에폭시 수지 매트릭스가 바람직한 상용 상태에 있기 때문에, 경화물 표면에 있어서의 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.In addition, since the glycerin trifatty acid ester (E2) and the epoxy resin matrix are in a preferable commercial state, segregation of the glycerin trifatty acid ester (E2) on the surface of the cured product is suppressed, and contamination of the mold and deterioration of the appearance of the cured product are suppressed. Can be reduced.

또한, 상기 범위에 있으면 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 충분히 용융된다. 그 때문에, 에폭시 수지 조성물은 유동성이 우수하다.Moreover, when it is in the said range, when hardening an epoxy resin composition, a glycerol trifatty acid ester (E2) will fully melt | dissolve. Therefore, an epoxy resin composition is excellent in fluidity.

(2-4) 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율(2-4) Content ratio of particles having a particle diameter of 106 µm or more

또한, 전체 글리세린 트리지방산 에스테르 중에 있어서의 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율은 0.1 중량% 이하인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the content rate of the particle | grains whose particle diameter is 106 micrometers or more in all the glycerin trifatty acid ester is 0.1 weight% or less.

상기의 함유 비율이면, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)가 에폭시 수지 조성물 중에 거의 균일하게 분산되어, 금형의 오염이나 수지 경화물의 외관의 악화를 억제할 수 있다. 또한, 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때, 산화 폴리에틸렌 왁스가 충분히 용융되기 때문에 유동성이 우수하다.Glycerine trifatty acid ester (E2) can be disperse | distributed substantially uniformly in an epoxy resin composition in the said content rate, and the contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of a resin hardened | cured material can be suppressed. Moreover, when hardening an epoxy resin composition, since polyethylene oxide wax melt | dissolves sufficiently, it is excellent in fluidity.

본 발명에서 사용되는 글리세린 트리지방산 에스테르는 시판의 것을 입수하고, 입도를 조정하여 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 글리세린 트리지방산 에스테르를 사용하는 것에 의한 효과를 손상시키지 않는 범위에서 다른 이형제를 병용하는 것도 가능하다. 병용할 수 있는 이형제로는, 예를 들면 카나우바 왁스 등의 천연 왁스, 스테아르산 아연 등의 고급 지방산의 금속 염류 등을 들 수 있다.The glycerin trifatty acid ester used by this invention can obtain a commercial thing, and can adjust and use a particle size. It is also possible to use another mold release agent together in the range which does not impair the effect by using the glycerin trifatty acid ester used by this invention. As a mold release agent which can be used together, the natural salt, such as carnauba wax, metal salts of higher fatty acids, such as zinc stearate, etc. are mentioned, for example.

(산화 파라핀 왁스(E3))Oxidized Paraffin Wax (E3)

산화 파라핀 왁스(E3)란, 파라핀왁스를 공기 산화 또는 산부가하는 것 등에 의해 산화물로 한 것의 통칭이다. 산화되는 것에 의해서 카복실기가 파라핀왁스에 도입된다. 원료인 파라핀왁스는 감압증류 유출유(distillate oil)를 분리 정제한 것으로, 상온에서 고체의 왁스이다. 통상 탄소수는 20 이상, 40 이하 정도, 분자량은 300 이상, 550 이하 정도이다.Oxidized paraffin wax (E3) is a generic name for the paraffin wax made into an oxide by air oxidation or acid addition. By oxidation, carboxyl groups are introduced into paraffin wax. Paraffin wax, a raw material, is a distillate oil separated and purified by distillate oil and is a solid wax at room temperature. Usually, carbon number is 20 or more and about 40 or less, molecular weight is 300 or more and about 550 or less.

산화 파라핀 왁스(E3)의 함유량은 에폭시 수지 조성물 중에, 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하이며, 바람직하게는 0.03 중량% 이상, 0.5 중량% 이하이다. 상기 범위 내이면, 에폭시 수지 조성물로부터 얻어진 경화물은 금형으로부터의 이형성이 우수하다. 또한, 리드프레임 부재와의 밀착성이 우수하기 때문에, 납땜 처리시에 리드프레임 부재와 경화물의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 금형의 오염이나 수지 경화물의 외관의 악화를 억제하는 것도 가능하다.Content of the paraffin wax oxide (E3) is 0.01 weight% or more and 1 weight% or less in an epoxy resin composition, Preferably they are 0.03 weight% or more and 0.5 weight% or less. If it is in the said range, the hardened | cured material obtained from an epoxy resin composition is excellent in the mold release property from a metal mold | die. Moreover, since adhesiveness with a lead frame member is excellent, peeling of a lead frame member and hardened | cured material can be suppressed at the time of a soldering process. In addition, it is also possible to suppress contamination of the mold and deterioration of the appearance of the cured resin.

이하에, 산화 파라핀 왁스(E3)의 (3-1) 연화점, (3-2) 산가, (3-3) 평균 입경, (3-4) 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율을 설명한다.Below, the content rate of the particle | grains of (3-1) softening point, (3-2) acid value, (3-3) average particle diameter, and (3-4) particle size 106 micrometers or more of paraffin wax (E3) is demonstrated.

(3-1) 연화점(3-1) Softening Point

산화 파라핀 왁스(E3)의 연화점은 70℃ 이상, 120℃ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80℃ 이상, 110℃ 이하이다. 연화점은 JIS K-2235-5.3.1에 준거해 측정할 수 있다.The softening point of the paraffin wax (E3) is preferably 70 ° C or more and 120 ° C or less, more preferably 80 ° C or more and 110 ° C or less. A softening point can be measured based on JISK-2235-5.3.1.

연화점이 상기 범위 내이면, 산화 파라핀 왁스(E3)는 열안정성이 우수하여, 성형시에 산화 파라핀 왁스(E3)가 타기 어렵다. 그 때문에, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수한 동시에, 연속성형성도 우수하다. 또한, 상기 범위 내이면, 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 때, 산화 파라핀 왁스(E3)가 충분히 용융된다. 이로 인해, 경화물 중에 산화 파라핀 왁스(E3)가 거의 균일하게 분산된다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 파라핀 왁스(E3)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이 나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.When the softening point is within the above range, paraffin wax (E3) is excellent in thermal stability, and paraffin wax (E3) is hard to burn during molding. Therefore, the release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent, and continuity formation is also excellent. Moreover, when it is in the said range, when hardening an epoxy resin composition, paraffin oxide wax (E3) will fully melt | dissolve. For this reason, the paraffin wax (E3) oxide is hardly disperse | distributed in hardened | cured material. Therefore, segregation of paraffin wax (E3) in the hardened | cured material surface can be suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

(3-2) 산가(3-2) Acid value

산가는 10 ㎎KOH/g 이상, 50 ㎎KOH/g 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 ㎎KOH/g 이상, 40 ㎎KOH/g 이하이다. 산가는 경화물 중에서의 상용성에 영향을 미친다.As for an acid value, 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less are preferable, More preferably, they are 15 mgKOH / g or more and 40 mgKOH / g or less. The acid value affects the compatibility in the cured product.

산가가 상기 범위 내에 있으면, 산화 파라핀 왁스(E3)는 경화물 중에서 에폭시 수지 매트릭스와 바람직한 상용 상태가 된다. 이로 인해, 산화 파라핀 왁스(E3)와 에폭시 수지 매트릭스가 상분리를 일으키는 일이 없다. 그 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 파라핀 왁스(E3)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.When the acid value is in the above range, paraffin wax (E3) is in a preferred compatibility state with the epoxy resin matrix in the cured product. For this reason, paraffin wax (E3) and an epoxy resin matrix do not cause phase separation. Therefore, segregation of paraffin wax (E3) in the hardened | cured material surface can be suppressed, and contamination of a metal mold | die and deterioration of the external appearance of hardened | cured material can be reduced.

또한, 산화 파라핀 왁스(E3)가 경화물 표면에 존재하기 때문에, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 한편, 에폭시 수지 매트릭스와의 상용성이 너무 높으면, 경화물 표면에 배어나오지 못하여, 충분한 이형성을 확보할 수가 없는 경우가 있다.Moreover, since paraffin oxide wax (E3) exists in hardened | cured material surface, the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent. On the other hand, when the compatibility with an epoxy resin matrix is too high, it may not be able to invade hardened | cured material surface, and sufficient release property may not be ensured.

(3-3) 평균 입경(3-3) Average particle size

평균 입경이 상기 범위 내에 있으면, 산화 파라핀 왁스(E3)는 경화물 중에서 에폭시 수지 매트릭스와 바람직한 상용 상태가 된다. 이로 인해, 산화 파라핀 왁스(E3)가 경화물 표면에 존재하여, 금형으로부터의 경화물의 이형성이 우수하다. 한편, 에폭시 수지 매트릭스와의 상용성이 너무 높으면, 경화물 표면에 배어나오지 못하여, 충분한 이형성을 확보할 수가 없다.When the average particle diameter is in the above range, the paraffin wax (E3) is in a preferred compatibility state with the epoxy resin matrix in the cured product. For this reason, oxidized paraffin wax (E3) exists in the hardened | cured material surface, and the release property of the hardened | cured material from a metal mold | die is excellent. On the other hand, if the compatibility with an epoxy resin matrix is too high, it will not be invaded on the hardened | cured material surface, and sufficient release property cannot be ensured.

또한, 산화 파라핀 왁스(E3)와 에폭시 수지 매트릭스가 바람직한 상용 상태에 있기 때문에, 경화물 표면에 있어서의 산화 파라핀 왁스(E3)의 편석이 억제되어, 금형의 오염이나 경화물의 외관의 악화를 저감할 수 있다.In addition, since the paraffin wax (E3) and the epoxy resin matrix are in a preferable commercial state, segregation of the paraffin wax (E3) on the surface of the cured product is suppressed, thereby reducing contamination of the mold and deterioration of the appearance of the cured product. Can be.

또한 상기 범위에 있으면, 에폭시 수지 조성물이 경화될 때 산화 파라핀 왁스(E3)가 충분히 용융된다. 그 때문에, 에폭시 수지 조성물은 유동성이 우수하다.Moreover, if it is in the said range, when the epoxy resin composition hardens, the oxide paraffin wax (E3) will fully melt | dissolve. Therefore, an epoxy resin composition is excellent in fluidity.

(3-4) 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율(3-4) Content ratio of particle | grains whose particle diameter is 106 micrometers or more

또한, 전체 산화 파라핀 왁스(E3) 중에 있어서의 입경 106 ㎛ 이상인 입자의 함유 비율은 0.1 중량% 이하인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the content rate of the particle | grains whose particle diameter is 106 micrometers or more in all the paraffin waxes (E3) is 0.1 weight% or less.

상기의 함유 비율이면, 산화 파라핀 왁스(E3)가 거의 균일하게 분산되어, 산화 파라핀 왁스(E3)의 편석에 의한 금형의 오염이나 수지 경화물의 외관의 악화를 억제할 수 있다. 또한, 에폭시 수지 조성물의 경화시, 산화 파라핀 왁스(E3)가 충분히 용융되기 때문에 유동성이 우수하다.In the above content ratio, the paraffin wax (E3) is dispersed almost uniformly, and contamination of the mold due to segregation of the paraffin wax (E3) and deterioration of the appearance of the cured resin can be suppressed. Further, at the time of curing of the epoxy resin composition, paraffin oxide (E3) is sufficiently melted so that fluidity is excellent.

본 발명에서 사용되는 산화 파라핀 왁스(E3)는 시판의 것을 입수하고, 입도 조정하여 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 산화 파라핀 왁스(E3)를 사용하는 것에 의한 효과를 손상시키지 않는 범위에서 다른 이형제를 병용하는 것도 가능하 다. 병용할 수 있는 이형제로는, 예를 들면 카나우바 왁스 등의 천연 왁스, 스테아르산 아연 등의 고급 지방산의 금속 염류 등을 들 수 있다.The paraffin wax (E3) used by this invention can obtain a commercial thing, and can use it, adjusting a particle size. In this invention, it is also possible to use another mold release agent together in the range which does not impair the effect by using paraffin wax (E3). As a mold release agent which can be used together, the natural salt, such as carnauba wax, metal salts of higher fatty acids, such as zinc stearate, etc. are mentioned, for example.

<실란 커플링제(F)><Silane coupling agent (F)>

실란 커플링제(F)는 특별히 한정하지 않고, 에폭시 수지나 페놀 수지 등의 유기 성분과 무기 충전제 사이에서 반응하여, 이들의 계면강도를 향상시키는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 메르캅토실란 등을 들 수 있다. 이들 실란 커플링제(F)는 단독으로 사용해도 되고, 병용해도 된다. 실란 커플링제(F)는, 후술하는 화합물(G)와의 상승(相乘)효과에 의해서 에폭시 수지 조성물의 점도 특성과 유동 특성을 현저하게 개선하는 것이 가능한 필수 성분이다.A silane coupling agent (F) is not specifically limited, What reacts between organic components, such as an epoxy resin and a phenol resin, and an inorganic filler, and improves these interface strengths can be used. Specifically, an epoxy silane, an amino silane, a ureido silane, a mercapto silane, etc. are mentioned. These silane coupling agents (F) may be used independently and may be used together. A silane coupling agent (F) is an essential component which can remarkably improve the viscosity characteristic and flow characteristic of an epoxy resin composition by the synergistic effect with the compound (G) mentioned later.

본 발명에 사용하는 실란 커플링제(F)의 배합량은 전체 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하, 바람직하게는 0.05 중량% 이상, 0.8 중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.1 중량% 이상, 0.6 중량% 이하이다. 상기 범위 내이면, 후술하는 화합물(G)의 효과가 충분히 얻어지며, 또한 반도체 패키지에 있어서의 내땜납 리플로우성이 향상된다. 또한, 에폭시 수지 조성물의 수분 흡수성이 억제되어, 반도체 패키지에 있어서의 내땜납 리플로우성이 향상된다.The amount of the silane coupling agent (F) used in the present invention is 0.01% by weight or more, 1% by weight or less, preferably 0.05% by weight or more, 0.8% by weight or less, particularly preferably 0.1% by weight or more in the total epoxy resin composition. , 0.6 wt% or less. If it is in the said range, the effect of the compound (G) mentioned later will fully be acquired, and the solder reflow resistance in a semiconductor package will improve. Moreover, the water absorption of an epoxy resin composition is suppressed and the solder reflow resistance in a semiconductor package improves.

<방향족 고리를 구성하는 2개 이상의 인접하는 탄소원자에 각각 수산기가 결합된 화합물(G)><Compound (G) in which a hydroxyl group is bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring>

방향족 고리를 구성하는 2개 이상의 인접하는 탄소원자에 각각 수산기가 결합된 화합물(G)(이하 화합물(G)라 칭한다)는, 하기 화학식 2Compound (G) (hereinafter referred to as compound (G)) in which a hydroxyl group is bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring is represented by the following general formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

(상기 화학식 2에 있어서, R₁, R₅는 어느 한쪽이 수산기이며, 한쪽이 수산기일 때, 다른 한쪽은 수소원자, 수산기, 또는 수산기 이외의 치환기이다. R₂, R₃, R₄는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 또는 수산기 이외의 치환기여도 되고, 또한 R₂ 및 R₃, 또는 R₃ 및 R₄가 결합되어 방향족 고리를 형성하고 있어도 된다.)로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.(In Formula 2, R ₁ and R ₅ each represent a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a substituent other than a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyl group. R ₂ , R ₃ , and R ₄ are each A substituent other than a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyl group may be independently, and R ₂ and R ₃ , or R ₃ and R ₄ may be bonded to form an aromatic ring.

상기 화학식 2에 있어서, R₂ 및 R₃, 또는 R₃ 및 R₄가 결합되어 방향족 고리를 형성하는 화합물로는, 하기 화학식 3In the above formula (2), R ₂ and R ₃ , or R ₃ and R ₄ is a compound which combines to form an aromatic ring,

(상기 화학식 3에 있어서, R₁, R₇은 어느 한쪽이 수산기이며, 한쪽이 수산기일 때, 다른 한쪽은 수소, 수산기, 또는 수산기 이외의 치환기이다. R₂, R₃, R₄, R₅, R₆는 각각 독립적으로, 수소, 수산기, 또는 수산기 이외의 치환기이다.)으로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.(In the formula (3), each of R ₁ and R ₇ is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a substituent other than hydrogen, a hydroxyl group, or a hydroxyl group. R ₂ , R ₃ , R ₄ , R ₅ And R ₆ each independently represent a substituent other than hydrogen, a hydroxyl group, or a hydroxyl group.).

본 발명에 사용하는 화합물(G)로는, 예를 들면, 카테콜, 피로갈롤, 몰식자산(gallic acid), 몰식자산 에스테르, 1,2-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 혼합해 사용해도 된다.Examples of the compound (G) for use in the present invention include catechol, pyrogallol, gallic acid, molar esters, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene and these Derivatives. These compounds may be used alone or in combination.

이들 중에서도, 유동성과 경화성의 제어 용이성, 저휘발성의 관점에서 모핵이 나프탈렌 고리인, 1,2-디히드록시나프탈렌, 2,3-디히드록시나프탈렌 및 이들의 유도체가 보다 바람직하다.Among them, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene and derivatives thereof in which the mother nucleus is a naphthalene ring are more preferable in view of fluidity, curability, controllability, and low volatility.

화합물(G)의 배합량은 전체 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 이상, 1 중량% 이하, 바람직하게는 0.03 중량% 이상, 0.8 중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.05 중량% 이상, 0.5 중량% 이하이다. 상기 범위에 있으면, 실란 커플링제(F)와의 상승효과에 의한 점도 특성 및 유동 특성이 얻어진다. 또한, 경화물의 물성도 우수하여 에폭시 수지 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.The compounding quantity of compound (G) is 0.01 weight% or more, 1 weight% or less, Preferably it is 0.03 weight% or more, 0.8 weight% or less, Especially preferably, it is 0.05 weight% or more and 0.5 weight% or less in all the epoxy resin compositions. If it is in the said range, the viscosity characteristic and flow characteristic by the synergistic effect with a silane coupling agent (F) will be obtained. Moreover, it is excellent also in the physical property of hardened | cured material, and can be used suitably as an epoxy resin composition.

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 전술한 (A)~(G) 성분을 필수 성분으로 하지만, 이것 이외에 필요에 따라서 이하의 다른 첨가제를 배합하는 것도 가능하다. 다른 첨가제로는, 예를 들면 브롬화 에폭시 수지, 삼산화 안티몬, 인 화합물, 금속 수산화물 등의 난연제; 카본블랙, 벵갈라 등의 착색제, 실리콘 오일, 실리콘 고무, 합성 고무 등의 저응력제; 산화비스무트 수화물 등의 산화 방지제 등을 들 수 있다.Although the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention makes the above-mentioned (A)-(G) component an essential component, it is also possible to mix | blend the following other additives as needed other than this. As another additive, For example, flame retardants, such as a brominated epoxy resin, antimony trioxide, a phosphorus compound, a metal hydroxide; Low stress agents such as colorants such as carbon black and bengal, silicone oil, silicone rubber and synthetic rubber; Antioxidants such as bismuth oxide hydrate and the like.

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (A)~(G) 성분을 혼합해서 되는 것이다. 구체적으로는, (A)~(G) 성분 및 그 외의 첨가제 등을 믹서 등을 사용해 혼합한 후, 가열 니더, 열 롤(heat roll), 압출기 등을 사용해 가열 혼련하고, 이어서 냉각, 분쇄하여 얻어진다.The epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention mixes (A)-(G) component. Specifically, the components (A) to (G) and other additives are mixed using a mixer, or the like, followed by heating and kneading using a heating kneader, a heat roll, an extruder, or the like, followed by cooling and pulverization. Lose.

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 사용해 반도체소자 등의 전자 부품을 봉지하여, 반도체장치를 제조할 수 있다. 반도체소자 등의 전자 부품을 봉지하기 위해서는, 예를 들면 트랜스퍼 몰드, 컴프레션 몰드, 인젝션 몰드 등의 종래의 성형방법으로 경화 성형할 수 있다.The semiconductor device can be manufactured by sealing electronic components, such as a semiconductor element, using the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention. In order to seal electronic components, such as a semiconductor element, it can harden-form by conventional shaping | molding methods, such as a transfer mold, a compression mold, and an injection mold, for example.

이하, 본 발명을 실시예로 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 배합 비율은 중량부로 한다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these. The blending ratio is in weight parts.

<실시예 A>Example A

(실시예 a1)(Example a1)

실시예 a1에 있어서 이하의 원료를 사용했다.In Example a1, the following raw materials were used.

·하기 화학식 4의 에폭시 수지(비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬형 에폭시 수지)[닛폰 가야쿠제, NC3000P, 연화점 58℃, 에폭시 당량 273]Epoxy resin of the following general formula (4) (Phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton) [made by Nippon Kayaku, NC3000P, softening point 58 ° C, epoxy equivalent 273]

7.36 중량부7.36 parts by weight

(n은 평균치로 1~3의 양수)(n is an average of 1 to 3 positive values)

·화학식 5의 페놀 수지(페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬 수지[미쯔이 화학(주)제, XLC-4L, 연화점 65℃, 수산기 당량 174]· Phenolic resin of formula (phenolic aralkyl resin having phenylene skeleton [manufactured by Mitsui Chemical Co., Ltd., XLC-4L, softening point 65 ℃, hydroxyl equivalent 174])

4.69 중량부4.69 parts by weight

(n은 평균치로 1~3의 양수)(n is an average of 1 to 3 positive values)

·1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7(이하, 「DBU」라 한다)1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter referred to as "DBU")

0.20 중량부0.20 parts by weight

·구상 용융 실리카(평균 입경 30.0 ㎛) 87.00 중량부87.00 parts by weight of spherical fused silica (average particle size 30.0 µm)

·산화 폴리에틸렌 왁스 1(적점 120℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 2000, 밀도 0.98 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고 밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물) 0.10 중량부Oxidized polyethylene wax 1 (dropping point 120 ° C, acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.98 g / cm 3, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% particle, oxide of high density polyethylene polymer) 0.10 Parts by weight

·γ-글리시딜프로필트리메톡시실란 0.30 중량부0.30 part by weight of γ-glycidylpropyltrimethoxysilane

·2,3-디히드록시나프탈렌(시약) 0.05 중량부0.05 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene (reagent)

·카본블랙 0.30 중량부Carbon black 0.30 parts by weight

상기의 원료를 믹서를 사용하여 혼합한 후, 표면 온도가 95℃와 25℃인 2축 롤을 사용하여 20회 혼련하고, 얻어진 혼련물 시트를 냉각 후 분쇄하여 에폭시 수지 조성물로 했다. 얻어진 에폭시 수지 조성물의 특성을 이하의 방법으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.After mixing said raw material using a mixer, it knead | mixed 20 times using the biaxial roll of surface temperature 95 degreeC and 25 degreeC, the obtained kneaded material sheet was cooled and pulverized, and it was set as the epoxy resin composition. The following method evaluated the characteristic of the obtained epoxy resin composition. The results are shown in Table 1.

(평가방법)(Assessment Methods)

스파이럴 플로우(spiral flow): EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형을 사용하고, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9 MPa, 경화 시간 120초에서 측정했다. 단위는 cm.Spiral flow: It measured using the metal mold | die for spiral flow measurement based on EMMI-1-66 at the mold temperature of 175 degreeC, injection pressure 6.9 MPa, and hardening time 120 second. The unit is cm.

금선 변형율(gold wire deformation ratio): 저압 트랜스퍼 자동 성형기를 사용하고, 금형 온도 175℃, 주입 압력 9.6 MPa, 경화 시간 70초로, 160p LQFP(CuL/F, 패키지 외곽 치수: 24 ㎜×24 ㎜×1.4 ㎜ 두께, 패드 사이즈: 8.5 ㎜×8.5 ㎜, 칩 사이즈: 7.4 ㎜×7.4 ㎜)를 성형했다. 성형한 160p LQFP 패키지를 연 X선(soft X-ray) 투시장치로 관찰하여, 금선의 변형율을 (흐름량(flow quantity))/(금선 길이)의 비율로 나타냈다. 판정 기준은 5% 미만을 ○, 5% 이상을 ×로 했다.Gold wire deformation ratio: 160 p LQFP (CuL / F, package outer dimensions: 24 mm × 24 mm × 1.4 with low pressure transfer automatic molding machine, mold temperature 175 ° C., injection pressure 9.6 MPa, curing time 70 seconds) Mm thickness, pad size: 8.5 mm x 8.5 mm, and chip size: 7.4 mm x 7.4 mm). The molded 160p LQFP package was observed with a soft X-ray viewing device, and the strain of the gold wire was expressed as a ratio of (flow quantity) / (gold wire length). As a criterion, less than 5% made (circle) and 5% or more x.

연속성형성: 저압 트랜스퍼 자동 성형기를 사용하고, 금형 온도 175℃, 주입 압력 9.6 MPa, 경화 시간 70초로, 80p QFP(CuL/F, 패키지 외곽 치수: 14 ㎜×20 ㎜×2 ㎜ 두께, 패드 사이즈: 6.5 ㎜×6.5 ㎜, 칩 사이즈: 6.0 ㎜×6.0 ㎜)를 연속으로 500 쇼트까지 성형했다. 판정 기준은 미충전 등의 문제 전혀 없이 500 쇼트까지 연속성형할 수 있는 것을 ○, 그 이외를 ×로 하였다.Continuity Forming: Using a low pressure transfer automatic molding machine, mold temperature 175 ° C, injection pressure 9.6 MPa, curing time 70 seconds, 80p QFP (CuL / F, package outer dimensions: 14 mm x 20 mm x 2 mm thickness, pad size: 6.5 mm x 6.5 mm, chip size: 6.0 mm x 6.0 mm) were molded continuously to 500 shots. As a criterion of determination, the thing which can continuously shape up to 500 shots without any problem, such as unfilled, made (circle) and the other thing x.

성형품 외관 및 금형의 오염: 상기 연속성형에 있어서 500 쇼트 경과 후의 패키지 및 금형에 대해, 육안으로 오염을 평가했다. 패키지 외관 판단 및 금형의 오염 기준은, 오염된 것을 ×, 500 쇼트까지 오염되지 않은 것을 ○로 나타낸다.Molded article appearance and mold contamination: In the above continuous molding, contamination was visually evaluated for the package and the mold after 500 shots passed. The package appearance judgment and the contamination standard of the mold indicate that the contaminated is not contaminated up to 500 shots.

내땜납 리플로우성: 상기 연속성형성의 평가에 있어서 성형한 패키지를 175℃, 8시간으로 후(後)경화하고, 얻어진 패키지를 85℃, 상대습도 85%에서 168시간 가습 처리 후, IR 리플로우 처리(260℃, JEDEC-Level 1 조건에 따른다)를 실시했다. 현미경으로 패키지를 관찰하고, 크랙 발생율[(크랙 발생율)=(외부 크랙 발생 패키지 수)/(전체 패키지 수)×100]을 산출했다. 단위는 %이다. 평가한 패키지의 수는 20개이다. 또한, 반도체소자와 에폭시 수지 조성물 계면의 밀착 상태를 초음파 탐상(探傷)장치로 관찰했다. 평가한 패키지의 수는 20개이다. 내땜납 리플로우성의 판단 기준은, 크랙 발생율이 0%이며 박리 없음: ○, 크랙 또는 박리가 발생한 것은 ×로 했다.Solder Reflow Resistance: In the evaluation of the continuity forming, the molded package was post-cured at 175 ° C for 8 hours, and the resulting package was humidified at 85 ° C and 85% relative humidity for 168 hours, followed by IR reflow. Treatment (260 ° C., according to JEDEC-Level 1 conditions) was performed. The package was observed under a microscope, and the crack incidence rate ((crack incidence rate) = (number of external crack incidence packages) / (total package number) x 100) was calculated. The unit is%. The number of packages evaluated was 20. Moreover, the adhesive state of the interface of a semiconductor element and an epoxy resin composition was observed with the ultrasonic flaw detector. The number of packages evaluated was 20. As for the criterion of solder reflow resistance, the crack generation rate was 0%, and no peeling was observed.

(실시예 a2~a23, 비교예 a1~a9)(Examples a2-a23, Comparative Examples a1-a9)

표 1, 표 2, 표 3에 나타내는 비율로 각 성분을 배합하고, 실시예 a1과 동일 하게 하여 에폭시 수지 조성물을 얻어, 실시예 a1과 동일하게 하여 평가했다. 결과를 표 1, 표 2, 표 3에 나타낸다.Each component was mix | blended in the ratio shown in Table 1, Table 2, and Table 3, and it carried out similarly to Example a1, obtained the epoxy resin composition, and evaluated similarly to Example a1. The results are shown in Table 1, Table 2 and Table 3.

실시예 a1 이외에서 사용한 성분에 대하여 이하에 나타낸다.It shows below about the component used other than Example a1.

·하기 화학식 6의 페놀 수지(비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬 수지)[메이와 화성(주)제, MEH7851SS, 연화점 67℃, 수산기 당량 203]Phenolic resin (phenolic aralkyl resin having a biphenylene skeleton) represented by the following Chemical Formula 6 [Meiwa Chemical Co., Ltd. product, MEH7851SS, softening point 67 ℃, hydroxyl equivalent 203]

(n은 평균치로 1~3의 양수)(n is an average of 1 to 3 positive values)

·하기 화학식 7의 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지)[재팬 에폭시 레진(주)제, YX-4000H, 융점 105℃, 에폭시 당량 191]Epoxy resin (biphenyl type epoxy resin) of the following general formula (7) [Japan Epoxy Resin Co., Ltd. product, YX-4000H, melting | fusing point 105 degreeC, epoxy equivalent 191]

·산화 폴리에틸렌 왁스 2(적점 105℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 1100, 밀도 0.97 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 저압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물)Polyethylene wax 2 (dropping point 105 ° C., acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 1100, density 0.97 g / cm 3, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of polyethylene wax produced by low pressure polymerization method) Oxide)

·산화 폴리에틸렌 왁스 3(적점 135℃, 산가 25 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 3000, 밀도 0.99 g/㎤, 평균 입경 40 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물)Oxidized polyethylene wax 3 (dropping point 135 ° C, acid value 25 mgKOH / g, number average molecular weight 3000, density 0.99 g / cm 3, average particle diameter 40 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of the particle of high density polyethylene polymer)

·산화 폴리에틸렌 왁스 4(적점 110℃, 산가 12 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 1200, 밀도 0.97 g/㎤, 평균 입경 50 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물)Oxidized polyethylene wax 4 (dropping point 110 ° C., acid value 12 mgKOH / g, number average molecular weight 1200, density 0.97 g / cm 3, average particle diameter 50 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of particles of high density polyethylene polymer)

·산화 폴리에틸렌 왁스 5(적점 110℃, 산가 45 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 2000, 밀도 0.97 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물)Oxidized polyethylene wax 5 (dropping point 110 ° C, acid value 45 mgKOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.97 g / cm 3, average particle diameter 45 μm, 0.0 wt% of particles having a particle diameter of 106 μm or more, polyethylene wax prepared by a high pressure polymerization method) Oxide)

·산화 폴리에틸렌 왁스 6(적점 110℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 750, 밀도 0.98 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물)Oxidized polyethylene wax 6 (dropping point 110 ° C, acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 750, density 0.98 g / cm 3, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of particles of high density polyethylene polymer)

·산화 폴리에틸렌 왁스 7(적점 130℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 4500, 밀도 0.99 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물)Oxidized polyethylene wax 7 (dropping point 130 ° C, acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 4500, density 0.99 g / cm 3, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of polyethylene wax produced by high pressure polymerization method) Oxide)

·산화 폴리에틸렌 왁스 8(적점 110℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 1100, 밀도 0.95 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 저압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스의 산화물)Polyethylene wax 8 (dropping point 110 ° C., acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 1100, density 0.95 g / cm 3, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of particles, polyethylene wax prepared by low pressure polymerization method) Oxide)

·산화 폴리에틸렌 왁스 9(적점 110℃, 산가 25 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 2000, 밀도 1.02 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물)Oxidized polyethylene wax 9 (dropping point 110 ° C, acid value 25 mgKOH / g, number average molecular weight 2000, density 1.02 g / cm 3, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of oxide, high density polyethylene polymer oxide)

·산화 폴리에틸렌 왁스 10(적점 120℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 2000, 밀도 0.98 g/㎤, 평균 입경 30 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물)Oxidized polyethylene wax 10 (dropping point 120 degreeC, acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.98 g / cm <3>, average particle diameter of 30 micrometers, particle diameter of 106 micrometers or more, 0.0 weight% of oxide of a high density polyethylene polymer)

·산화 폴리에틸렌 왁스 11(적점 120℃, 산가 20 ㎎KOH/g, 수평균 분자량 2000, 밀도 0.98 g/㎤, 평균 입경 60 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고밀도 폴리에틸렌 폴리머의 산화물)Oxidized polyethylene wax 11 (dropping point 120 ° C, acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.98 g / cm 3, average particle diameter 60 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of oxide, high density polyethylene polymer oxide)

·폴리에틸렌 왁스 1(적점 135℃, 산가 O ㎎KOH/g, 수평균 분자량 5500, 밀도 0.93 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 저압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스)Polyethylene wax 1 (dropping point 135 ° C., acid value O mgKOH / g, number average molecular weight 5500, density 0.93 g / cm 3, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of particles, polyethylene wax prepared by low pressure polymerization method)

·폴리에틸렌 왁스 2(적점 115℃, 산가 O ㎎KOH/g, 수평균 분자량 1800, 밀도 0.93 g/㎤, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 고압 중합법으로 제조된 폴리에틸렌 왁스)Polyethylene wax 2 (drop point 115 ° C., acid value O mgKOH / g, number average molecular weight 1800, density 0.93 g / cm 3, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt% of particles, polyethylene wax produced by high pressure polymerization method)

·1,2-디히드록시나프탈렌(시약)1,2-dihydroxynaphthalene (reagent)

·카테콜(시약)Catechol (reagent)

·피로갈롤(시약)Pyrogallol (reagent)

·1,6-디히드록시나프탈렌(시약)1,6-dihydroxynaphthalene (reagent)

·레조르시놀(resorcinol)(시약)Resorcinol (reagent)

실시예 a1~a23 중의 어느 것에 있어서도, 스파이럴 플로우 및 금선 변형율에 있어서 양호한 결과가 얻어져, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이 유동성이 우수한 것이 확인되었고, 또한 연속성형성도 우수한 것이 확인되었다. 또한, 성형품 표면 및 금형 표면에 오염이 확인되지 않았고, 금형에 대한 성형체의 이형성이 우수한 것이 확인되었으며, 내땜납 리플로우성도 우수한 것이 확인되었다.In any of Examples a1 to a23, good results were obtained in spiral flow and gold wire strain rate, and it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was excellent in fluidity, and also excellent in continuity formation. In addition, no contamination was observed on the molded article surface and the mold surface, and it was confirmed that the mold release property of the mold was excellent, and the solder reflow resistance was also excellent.

한편, 화학식 4로 나타내어지는 에폭시 수지 및 화학식 6으로 나타내어지는 페놀 수지를 사용하지 않은 비교예 a1에서는, 저흡습화와 고온에서의 저응력화를 도모할 수 없어, 내땜납 리플로우성이 열화되는 결과가 되었다.On the other hand, in Comparative Example a1 in which the epoxy resin represented by the formula (4) and the phenol resin represented by the formula (6) are not used, low hygroscopicity and low stress at high temperature cannot be achieved, and solder reflow resistance is deteriorated. The result was.

또한, 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)를 사용하지 않은 비교예 a2, a3에서는, 연속성형성(생산성)이 악화되었고, 성형품 외관, 금형의 오염, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다. 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 배합량이 부족한 비교예 a4에서는, 이형성이 저하하는 것에 의해, 연속성형성과 내땜납 리플로우성이 열화되는 결과가 되었다. 산화 폴리에틸렌 왁스(E1)의 배합량이 과잉인 비교예 a5에서는, 과잉 성분이 부재와의 계면 및 경화물 표면에 블리딩(bleeding)하는 것에 의해, 금형 표면의 오염과 성형품의 표면의 오염을 확인했다. 또한, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다.Further, in Comparative Examples a2 and a3 without using polyethylene oxide wax (E1), continuity formation (productivity) deteriorated, resulting in deterioration of molded article appearance, mold contamination, and solder reflow resistance. In Comparative Example a4 in which the compounding quantity of polyethylene oxide wax (E1) was insufficient, the releasability decreased, resulting in deterioration of continuity formation and solder reflow resistance. In Comparative Example a5 in which the compounding quantity of the polyethylene oxide wax (E1) was excessive, contamination of the mold surface and contamination of the surface of the molded article were confirmed by bleeding the excess component to the interface with the member and the surface of the cured product. Moreover, the solder reflow resistance also deteriorated.

또한, 화합물(G)를 첨가하지 않은 비교예 a6, a8 및 a9에서는, 수지 조성물의 유동성이 저하하고, 금선 변형율이 악화되는 결과가 되었다. 또한 비교예 a8 및 a9에서는, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다. 화합물(G)의 배합량이 과잉인 비교예 a7에서는, 수지 조성물의 경화성이 저하하는 것에 의해, 연속성형성(생산성)이 악화되었으며, 성형품 표면 및 금형 표면에 오염을 확인했다.Moreover, in the comparative examples a6, a8, and a9 which did not add the compound (G), the fluidity | liquidity of the resin composition fell and the gold wire strain rate worsened. In Comparative Examples a8 and a9, solder reflow resistance was also deteriorated. In Comparative Example a7 in which the compounding amount of the compound (G) was excessive, continuity formation (productivity) deteriorated due to the deterioration of the curability of the resin composition, and contamination was confirmed on the molded article surface and the mold surface.

이상과 같이, 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 유동성, 이형성, 연속성형성의 밸런스가 우수하며, 또한 이 수지 조성물을 사용하는 것에 의해, 내땜납 리플로우성이 우수한 반도체장치 패키지를 제공할 수가 있는 것이 확인되었다.As mentioned above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of this invention is excellent in the balance of fluidity | liquidity, mold release property, and continuity formation, and by using this resin composition, it can provide the semiconductor device package excellent in solder reflow resistance. It was confirmed that there was number.

<실시예 B><Example B>

(실시예 b1)(Example b1)

실시예 b1에 있어서는 이하의 원료를 사용했다.In Example b1, the following raw materials were used.

·상기 화학식 4의 에폭시 수지(비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬형 에폭시 수지)[닛폰 가야쿠제, NC3000P, 연화점 58℃, 에폭시 당량 273]Epoxy resin of the formula (4) (phenol arylalkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton) [Nippon Kayaku, NC3000P, softening point 58 ℃, epoxy equivalent 273]

7.36 중량부7.36 parts by weight

·상기 화학식 5의 페놀 수지(페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬 수지[미쯔이 화학(주)제, XLC-4L, 연화점 65℃, 수산기 당량 174]-Phenolic resin of Formula 5 (phenolic aralkyl resin having phenylene skeleton [Mitsui Chemical Co., Ltd. product, XLC-4L, softening point 65 ℃, hydroxyl equivalent 174]

4.69 중량부4.69 parts by weight

·DBU 0.20 중량부DBU 0.20 parts by weight

·글리세린 트리몬탄산 에스테르(클라리언트 재팬(주)제, 리코러브 WE4, 적점 82℃, 산가 25 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%)Glycerin trimontanic acid ester (from Clariant Japan Co., Ltd., Licolove WE4, dropping point 82 ° C, acid value 25 mgKOH / g, average particle diameter 45 ㎛, particle size 106 ㎛ or more particles 0.0% by weight)

0.10 중량부0.10 parts by weight

·카본블랙 0.30 중량부Carbon black 0.30 parts by weight

상기의 원료를 믹서를 사용해 혼합한 후, 표면 온도가 95℃와 25℃인 2축 롤을 사용하여 20회 혼련하고, 얻어진 혼련물 시트를 냉각 후 분쇄하여 에폭시 수지 조성물로 했다. 얻어진 에폭시 수지 조성물의 특성을 실시예 A와 동일한 방법으로 평가했다. 결과를 표 4에 나타낸다.After mixing said raw material using a mixer, it knead | mixed 20 times using the biaxial roll whose surface temperature is 95 degreeC and 25 degreeC, The obtained kneaded material sheet was cooled and pulverized, and it was set as the epoxy resin composition. The characteristic of the obtained epoxy resin composition was evaluated by the method similar to Example A. The results are shown in Table 4.

(실시예 b2~b15, 비교예 b1~b8)(Examples b2-b15, Comparative Examples b1-b8)

표 4, 표 5, 표 6에 나타내는 비율로 각 성분을 배합하고, 실시예 b1과 동일하게 하여 에폭시 수지 조성물을 얻고, 실시예 b1과 동일하게 하여 평가했다. 결과를 표 4, 표 5, 표 6에 나타낸다.Each component was mix | blended in the ratio shown in Table 4, Table 5, and Table 6, it carried out similarly to Example b1, the epoxy resin composition was obtained, and evaluated similarly to Example b1. The results are shown in Tables 4, 5, and 6.

상기 이외에 사용한 성분에 대하여 이하에 나타낸다.It shows below about the component used other than the above.

·글리세린트리멜리스산 에스테르(적점 95℃, 산가 30 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%)Glycerin trimellitic acid ester (dropping point 95 ° C, acid value 30 mgKOH / g, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt%)

·글리세린트리베헨산 에스테르(적점 80℃, 산가 15 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%)Glycerine tribehenic acid ester (dropping point 80 ° C., acid value 15 mgKOH / g, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt%)

·글리세린모노스테아르산 에스테르(리켄 비타민(주)제, 리케멀 S-100, 적점 65℃, 산가 2 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%)Glycerine monostearic acid ester (Richken Vitamin Co., Ltd. product, Rickemal S-100, Dropping point 65 ℃, acid value 2 mgKOH / g, average particle diameter 45 ㎛, particle diameter 106 ㎛ or more particles 0.0% by weight)

실시예 b1~b15 중의 어느 것에 있어서도, 스파이럴 플로우 및 금선 변형율에 있어서 양호한 결과가 얻어져, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이 유동성이 우수한 것이 확인되었으며, 또한 연속성형성도 우수한 것이 확인되었다. 또한, 성형품 표면 및 금형 표면에 오염이 확인되지 않았고, 금형에 대한 성형체의 이형성이 우수한 것이 확인되었으며, 내땜납 리플로우성도 우수한 것이 확인되었다.In any of Examples b1 to b15, good results were obtained in spiral flow and gold wire strain rate, and it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was excellent in fluidity, and also excellent in continuity formation. In addition, no contamination was observed on the molded article surface and the mold surface, and it was confirmed that the mold release property of the mold was excellent, and the solder reflow resistance was also excellent.

한편, 화학식 4로 나타내어지는 에폭시 수지 및 화학식 6으로 나타내어지는 페놀 수지를 사용하지 않은 비교예 b1에서는, 저흡습화와 고온에서의 저응력화를 도모할 수 없어, 내땜납 리플로우성이 열화되는 결과가 되었다.On the other hand, in Comparative Example b1 without using the epoxy resin represented by the formula (4) and the phenol resin represented by the formula (6), low hygroscopicity and low stress at high temperature cannot be achieved, and solder reflow resistance is deteriorated. The result was.

또한, 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)를 사용하지 않은 비교예 b2에서는 연속성형성(생산성)이 악화되었고, 성형품 외관, 금형의 오염, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다. 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 배합량이 부족한 비교예 b3에서는, 이형성이 저하하는 것에 의해, 연속성형성과 내땜납 리플로우성이 열화되는 결과가 되었다. 글리세린 트리지방산 에스테르(E2)의 배합량이 과잉인 비교예 b4에서는, 과잉 성분이 부재와의 계면 및 경화물 표면에 블리딩하는 것에 의해, 금형 표면의 오염과 성형품의 표면의 오염을 확인했다. 또한, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다.Moreover, in the comparative example b2 which did not use glycerin trifatty acid ester (E2), continuity formation (productivity) worsened, and the appearance of the molded article, the contamination of the metal mold | die, and the solder reflow resistance also fell. In Comparative Example b3, in which the compounding amount of glycerin trifatty acid ester (E2) was insufficient, the releasability decreased, resulting in deterioration of continuity formation and solder reflow resistance. In Comparative Example b4 in which the compounding amount of glycerin trifatty acid ester (E2) was excessive, contamination of the mold surface and contamination of the surface of the molded product were confirmed by bleeding the excess component to the interface with the member and the surface of the cured product. Moreover, the solder reflow resistance also deteriorated.

또한, 화합물(G)를 첨가하지 않은 비교예 b5, b7 및 b8에서는, 수지 조성물의 유동성이 저하하고, 금선 변형율이 악화되는 결과가 되었다. 또한 비교예 b7 및 b8에서는, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다. 화합물(G)의 배합량이 과잉인 비교예 b6에서는, 수지 조성물의 경화성이 저하하는 것에 의해, 연속성형성(생산성)이 악화되었으며, 성형품 표면 및 금형 표면에 오염을 확인했다.Moreover, in the comparative examples b5, b7, and b8 which did not add the compound (G), the fluidity | liquidity of a resin composition fell and the gold wire strain rate worsened. In Comparative Examples b7 and b8, solder reflow resistance was also deteriorated. In Comparative Example b6 in which the compounding amount of the compound (G) was excessive, continuity formation (productivity) deteriorated due to the deterioration of the curability of the resin composition, and contamination was confirmed on the molded article surface and the mold surface.

이상과 같이, 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 유동성, 이형성, 연속성형성의 밸런스가 우수하며, 또한 이 수지 조성물을 사용하는 것에 의해, 내땜납 리플로우성이 우수한 반도체장치 패키지를 제공할 수 있음이 확인되었다.As mentioned above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of this invention is excellent in the balance of fluidity | liquidity, mold release property, and continuity formation, and by using this resin composition, the semiconductor device package excellent in solder reflow resistance can be provided. It was confirmed.

<실시예 C>Example C

(실시예 c1)(Example c1)

실시예 c1에 있어서는 이하의 원료를 사용했다.In Example c1, the following raw materials were used.

·상기 화학식 4의 에폭시 수지(비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬형 에폭시 수지)[닛폰 가야쿠제 NC3000P, 연화점 58℃, 에폭시 당량 273]Epoxy resin of the formula (4) (phenol arylalkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton) [NC3000P made by Nippon Kayaku, softening point 58 ° C, epoxy equivalent 273]

7.36 중량부7.36 parts by weight

4.69 중량부4.69 parts by weight

·DBU 0.20 중량부DBU 0.20 parts by weight

·산화 파라핀 왁스 1(연화점 100℃, 산가 15 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%)Oxidized paraffin wax 1 (softening point 100 ° C., acid value 15 mgKOH / g, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt%)

0.10 중량부0.10 parts by weight

·카본블랙 0.30 중량부Carbon black 0.30 parts by weight

상기의 원료를 믹서를 사용해 혼합한 후, 표면 온도가 95℃와 25℃인 2축 롤을 사용하여 20회 혼련하고, 얻어진 혼련물 시트를 냉각 후 분쇄하여 에폭시 수지 조성물로 했다. 얻어진 에폭시 수지 조성물의 특성을 실시예 A와 동일한 방법으로 평가했다. 결과를 표 7에 나타낸다.After mixing said raw material using a mixer, it knead | mixed 20 times using the biaxial roll whose surface temperature is 95 degreeC and 25 degreeC, The obtained kneaded material sheet was cooled and pulverized, and it was set as the epoxy resin composition. The characteristic of the obtained epoxy resin composition was evaluated by the method similar to Example A. The results are shown in Table 7.

(실시예 c2~c14, 비교예 c1~c8)(Examples c2 to c14, Comparative Examples c1 to c8)

표 7, 표 8, 표 9에 나타내는 비율로 각 성분을 배합하고, 실시예 c1과 동일하게 하여 에폭시 수지 조성물을 얻고, 실시예 c1과 동일하게 하여 평가했다. 결과를 표 7, 표 8, 표 9에 나타낸다.Each component was mix | blended in the ratio shown to Table 7, Table 8, and Table 9, it carried out similarly to Example c1, the epoxy resin composition was obtained, and evaluated similarly to Example c1. The results are shown in Table 7, Table 8 and Table 9.

·산화 파라핀 왁스 2(연화점 105℃, 산가 25 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%)Oxidized paraffin wax 2 (softening point 105 ° C., acid value 25 mgKOH / g, average particle diameter 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0 wt%)

·파라핀왁스(연화점 70℃, 산가 0 ㎎KOH/g, 평균 입경 45 ㎛, 입경 106 ㎛ 이상의 입자 0.0 중량%, 비(非)산화품)Paraffin wax (softening point 70 DEG C, acid value 0 mgKOH / g, average particle size 45 µm, particle size 106 µm or more, 0.0 wt%, non-oxidized product)

실시예 c1~c14 중의 어느 것에 있어서도, 스파이럴 플로우 및 금선 변형율에 있어서 양호한 결과가 얻어져, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이 유동성이 우수한 것이 확인되었고, 또한 연속성형성도 우수한 것이 확인되었다. 또한, 성형품 표면 및 금형 표면에 오염이 확인되지 않았고, 금형에 대한 성형체의 이형성이 우수한 것이 확인되었으며, 내땜납 리플로우성도 우수한 것이 확인되었다.In any of Examples c1 to c14, good results were obtained in spiral flow and gold wire strain rate, and it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was excellent in fluidity, and also excellent in continuity formation. In addition, no contamination was observed on the molded article surface and the mold surface, and it was confirmed that the mold release property of the mold was excellent, and the solder reflow resistance was also excellent.

한편, 화학식 4로 나타내어지는 에폭시 수지 및 화학식 6으로 나타내어지는 페놀 수지를 사용하지 않은 비교예 c1에서는, 저흡습화와 고온에서의 저응력화를 도모할 수 없어, 내땜납 리플로우성이 열화되는 결과가 되었다.On the other hand, in Comparative Example c1, in which the epoxy resin represented by the formula (4) and the phenol resin represented by the formula (6) are not used, low hygroscopicity and low stress at high temperature cannot be achieved, and solder reflow resistance is deteriorated. The result was.

또한, 산화 파라핀 왁스(E3)를 사용하지 않은 비교예 c2에서는, 연속성형성(생산성)이 악화되었고, 성형품 외관, 금형의 오염, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다. 산화 파라핀 왁스(E3)의 배합량이 부족한 비교예 c3에서는 이형성이 저하하는 것에 의해, 연속성형성과 내땜납 리플로우성이 열화되는 결과가 되었다. 산화 파라핀 왁스(E3)의 배합량이 과잉인 비교예 c4에서는, 과잉 성분이 부재와의 계면 및 경화물 표면에 블리딩하는 것에 의해, 금형 표면의 오염과 성형품 표면의 오염을 확인했다. 또한, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다.Moreover, in the comparative example c2 which did not use the paraffin wax (E3), continuity formation (productivity) deteriorated, and the appearance of the molded article, the contamination of the metal mold | die, and the solder reflow resistance also fell. In Comparative Example c3, in which the compounding amount of paraffin wax (E3) was insufficient, the releasability decreased, resulting in deterioration of continuity formation and solder reflow resistance. In Comparative Example c4 in which the compounding amount of paraffin wax (E3) was excessive, bleeding of the excess component on the interface with the member and the surface of the cured product confirmed contamination of the mold surface and contamination of the molded article surface. Moreover, the solder reflow resistance also deteriorated.

또한, 화합물(G)를 첨가하지 않은 비교예 c5, c7 및 c8에서는, 수지 조성물의 유동성이 저하하고, 금선 변형율이 악화되는 결과가 되었다. 또한 비교예 c7 및 c8에서는, 내땜납 리플로우성도 열화되는 결과가 되었다. 화합물(G)의 배합량이 과잉인 비교예 c6에서는 수지 조성물의 경화성이 저하하는 것에 의해, 연속성형성(생산성)이 악화되었고, 성형품 표면 및 금형 표면에 오염을 확인했다.Moreover, in the comparative examples c5, c7, and c8 which did not add the compound (G), the fluidity | liquidity of a resin composition fell and the gold wire strain rate worsened. In Comparative Examples c7 and c8, solder reflow resistance was also deteriorated. In Comparative Example c6 in which the compounding amount of the compound (G) was excessive, the curability of the resin composition was lowered, whereby continuity formation (productivity) was deteriorated, and contamination was observed on the molded article surface and the mold surface.

본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 유동성, 이형성, 연속성형성 등이 우수하며, 또한 내땜납 리플로우성 등의 경화물 특성도 우수하다. 그 때문에, 반도체소자를 봉지하는 재료로서 매우 적합하게 사용할 수 있으며, 또한 상기 수지 조성물로 반도체소자를 봉지해서 되는 반도체장치를 제공할 수 있다.The epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention is excellent in fluidity | liquidity, mold release property, continuity formation, etc., and also hardened | cured material characteristics, such as solder reflow resistance, are excellent. Therefore, the semiconductor device which can be used suitably as a material which seals a semiconductor element, and is sealed by the said resin composition can be provided.

Claims

(A) epoxy resin,

(B) phenol resin,

(C) curing accelerator,

(D) inorganic fillers,

(E1) polyethylene oxide wax,

(F) a silane coupling agent, and

(G) Compounds in which hydroxyl groups are bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting the aromatic ring, respectively

Including,

At least one of the said epoxy resin (A) and the said phenol resin (B) is a following formula (1)

[Formula 1]

(In Formula 1, R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R's may be the same as or different from each other. X is a glycidyl ether group or a hydroxyl group. On average it is a positive number from 1 to 3.)

Resin represented by,

Epoxy resin for semiconductor encapsulation comprising 0.01 wt% or more, 1 wt% or less of the (E1) oxide polyethylene wax, and 0.01 wt% or more and 1 wt% or less of the compound (G) in the total epoxy resin composition. Composition.

The compound of claim 1, wherein the compound (G)

[Formula 2]

(In Formula 2, R ₁ and R ₅ each represent a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a substituent other than a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyl group. R ₂ , R ₃ , and R ₄ are each A substituent other than a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyl group may be independently, and R <_2> and R <_3> or R <_3> and R <_4> may combine and may form the aromatic ring.) The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.

delete

The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the dropping point of the polyethylene oxide wax (E-1) is 100 ° C or more and 140 ° C or less.

The content ratio of the particle | grains of Claim 1 whose average particle diameter of the said polyethylene oxide wax (E-1) is 20 micrometers or more and 70 micrometers or less, and whose particle diameter is 106 micrometers or more in all the polyethylene oxide waxes (E-1). Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which is weight% or less.

The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein an acid value of the polyethylene oxide wax (E-1) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less.

The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the number average molecular weight of the polyethylene oxide wax (E-1) is 500 or more and 5000 or less.

The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the polyethylene oxide wax (E-1) has a density of 0.94 g / cm 3 or more and 1.03 g / cm 3 or less.

The method of claim 1, wherein the polyethylene oxide wax (E-1) is selected from the group consisting of oxides of polyethylene waxes produced by low pressure polymerization, oxides of polyethylene waxes produced by high pressure polymerization and oxides of high density polyethylene polymers. Epoxy resin composition for semiconductor sealing which is 1 or more types.

delete

A semiconductor device comprising sealing a semiconductor device using the epoxy resin composition for sealing semiconductor according to any one of claims 1, 2 and 4 to 9.