KR101088768B1 - 전지보호ｉｃ칩 - Google Patents

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이츠키 나카노
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Abstract

리튬 이온 전지 보호 모듈에 있어서, 충방전 제어용 FET의 온도의 검출 정밀도를 좋게 하는 것을 목적으로 한다.
컨트롤IC칩(120)은, 방전 과전류 검출부(VD3), 충전 과전류 검출부(VD4)에 더해서, 온도 검출부(148)를 가진다. 컨트롤IC칩(120)을 충전 제어용 FET 및 방전 제어용 FET상에 포개서 탑재함으로써, 온도 검출부(148)는 충전 제어용 FET 및 방전 제어용 FET에 극히 근접시켜서 배치되고, 충전 제어용 FET 및 방전 제어용 FET의 온도를 정밀도 좋게 검출한다.
Figure R1020050066581
충전, 방전, 전지, 전지보호IC칩, 온도 검출부, 충전 제어용 FET칩, 방전 제어용 FET칩, 전지보호IC칩, 합성 수지부, 전지보호IC칩 모듈, 프린트 기판, 저항 칩, 콘덴서 칩, 전지용 보호 회로, 전지보호 모듈.

Description

전지보호ＩＣ칩{IC CHIP FOR PROTECTING BATTERY}
도 1은, 본 발명의 실시예1이 되는 전지보호 모듈을 가지는 전지보호장치의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 전지보호장치의 분해 사시도이다.
도 3은, 본 발명의 실시예1이 되는 전지보호 모듈을 내부를 투시해서 도시한 정면도이다.
도 4는, 컨트롤IC칩이 제1, 제2 FET-SW칩 상에 탑재되어 있는 부분을 확대해서 도시한 도면이다.
도 5는, 컨트롤IC칩의 블록 회로도이다.
도 6은, 도 5 중, 온도 검출부의 회로도이다.
도 7은, 도 6의 온도 검출부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 도 1의 전지보호장치를 구비한 전지 팩의 분해 사시도이다.
도 9는, 도 8의 전지 팩 중 전지보호장치의 부분을 도시한 도면이다.
도 10은, 도 1의 전지보호장치의 회로도이다.
도 11은, 본 발명의 실시예2가 되는 컨트롤IC칩 모듈을 확대해서 도시한 사시도이다.
도 12는, 도 11의 컨트롤IC칩 모듈을 가지는 전지보호 모듈의 사시도이다.
도 13은, 내부를 투시해서 도시한 도 12의 전지보호 모듈의 정면도이다.
[부호의 설명]
100 전지용 보호 회로장치 110, 110A 전지보호모듈
111 COB대응 프린트 기판 120 컨트롤IC칩
121 제1 FET-SW칩 122 제2 FET-SW칩
123 저항 칩 124 콘덴서 칩
127 합성 수지부 130 리튬 이온 전지 보호 회로
300 컨트롤IC칩 모듈 301 기판
310 합성 수지부
본 발명은 전지보호IC칩에 관한 것이고, 특히 휴대 기기의 전원으로서 사용되는 리튬 이온 전지가 과충전, 과방전 및 과전류가 되지 않도록 동작하는 전지 팩 보호 회로를 구성하는 전지보호IC칩에 관한 것이다.
휴대 기기 전지 팩의 대부분은 리튬 이온 전지를 사용하고 있다. 리튬 이온 전지는 과충전, 과방전 및 과전류가 되면 문제를 일으키기 쉬우므로, 리튬 이온 전지를 수용하고 있는 전지 팩에는, 리튬 이온 전지가 과충전, 과방전 및 과전류가 되지 않도록 동작하는 전지보호 회로를 구비한 전지보호 모듈이 설치되어 있다. 전지보호 회로는, 과충전, 과방전 및 과전류의 시에 열리는 전자 스위치로서 기능 하는 FET칩을 구비한 구성이다. 전지보호 모듈은 칩 및 와이어가 합성 수지부로 밀봉되어 있는 COB(Chip On Board)구조 및 팩키지품을 실장하고 있는 디스크리트에 모듈구조를 가지고 있다. 또, 전지 팩은 전용의 충전기에 세트하여 반복 충전된다.
[특허문헌1] 일본국 특개2004-6524호 공보
여기에서, 충전의 과정에서 충전기로부터 리튬 이온 전지에 과전류가 흘렀을 경우, 휴대 기기의 사용 시에 리튬 이온 전지로부터 휴대 기기에 과전류가 흘렀을 경우에는, 사고를 일으킬 위험성이 높기 때문에, 이들에 대한 대책을 거듭해서 실시하는 것이 안전상 바람직하다. 그래서, 과전류가 흐르면 FET칩이 발열하므로, 이 FET칩의 온도를 검출하고, FET칩의 온도가 소정 온도까지 상승했을 경우에, FET칩을 오프로 하도록 하는 것을 생각할 수 있다. 이 경우에, 전지보호 모듈의 제조 코스트를 올리지 않기 위해서도, 새로운 부품의 추가가 없는 것, 및, 동작의 정밀도가 좋은 것이 요구된다.
그래서, 본 발명은, 상기 과제를 해결한 전지보호IC칩을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 충전 시 및 방전 시에 전지를 보호하는 기능을 가지는 전지보호IC칩으로서, 온도가 상승해서 소정 온도에 이른 것을 검출하는 온도 검출부를 구비하고, 또한, 이 온도 검출부가 소정 온도에 이른 것을 검출했을 때에 충전 제어용 FET칩 및 방전 제어용 FET칩을 오프로 하는 구성으로 한 것을 특징으로 한다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
다음에 본 발명의 실시형태에 관하여 설명한다.
(실시예1)
도 1 및 도 2는, 본 발명의 실시예1이 되는 전지보호장치(100)를 도시한다. 도 3은, COB형식의 전지보호 모듈(110)을 도시한다. 도 8 및 도 9는, 전지보호장치(100)가 리튬 이온 전지(201)와 접속된 상태로 전지 팩(200)내에 편입되어 있는 상태를 도시한다. Z1은 전지 팩(200)의 내부측, Z2는 전지 팩(200)의 표면측이다. X1-X2는 전지보호장치(100)의 길이방향, Y1-Y2는 폭방향, Z1-Z2는 두께 방향이다. Z1측이 상면, Z2측이 하면이다. 도 10은 전지보호장치(100)의 회로도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 전지보호장치(100)는, 전지보호 모듈(110)과, 베이스 프린트 기판(150)과, 커넥터 부재(160)에 의해 이루어지고, 베이스 프린트 기판(150) 상에, 전지보호 모듈(110)과 커넥터 부재(160)가 탑재되어 있는 구성이다. 도 10은 이 전지보호장치(100)의 회로를, 전지보호 모듈(110)이 가지는 회로부분과, 베이스 프린트 기판(150)이 가지는 회로부분과, 커넥터 부재(160)가 가지는 회로부분으로 나누어서 도시한다.
단자에 주목하면, 전지보호장치(100)는, 전지 팩 마이너스 출력 단자(103),전지 팩 플러스 출력 단자(104)와, 리튬 이온 전지(201)에 접속되는 전지 마이너스 단자(101) 및 전지 플러스 단자(102)를 가진다. 각 단자(101∼104)를 더듬어 가면 배선 및 단자를 거쳐 전지보호 모듈(110)의 단자에 이른다. 도중의 단자 및 전지 보호 모듈(110)의 단자에 대해서는, 첨자를 첨부한 동일한 부호로 나타낸다.
[전지보호 모듈(110)]
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 전지보호 모듈(110)은, 양면구조인 COB대응 프린트 기판(111)의 Z1측의 면에, 전지보호IC칩인 컨트롤IC칩(120), 제1 FET-SW칩(121), 제2 FET-SW칩(122), 저항 칩(123), 콘덴서 칩(124)을 가진다.
도 4에 확대해서 모두 도시한 바와 같이, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)은 상면에 게이트 단자(121G, 122G) 및 소스 단자(121S, 122S)를 가지고, 하면의 전체면에 드레인 단자(도시 생략)를 가진다. 마찬가지로 도 4에 도시한 바와 같이, 이 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)은 드레인 단자(도시 생략)를 프린트 기판(111)상의 다이 패드(112) 상에 나열한 배치로 은 페이스트로 실장되어 있다. 컨트롤IC칩(120)은, 나열해 있는 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)을 걸치도록 하여, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122) 상에 겹치고, 양면 테이프(128)로 접착되어 탑재되어 있다. 컨트롤IC칩(120)의 사이즈는, 나열되어 있는 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)을 합친 사이즈보다도 작고, 게이트 단자(121G, 122G) 및 소스 단자(121S, 122S)는 컨트롤IC칩(120)의 외측에 위치하고 있어 노출되어 있다. 또, Au와이어(126-1, 126-2)의 양단이, 컨트롤IC칩(120)의 상면의 단자와 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)상의 게이트 단자(121G, 122G)에 각각 본딩되어 양자의 사이에 붙여져 있다. 또, 제1 FET-SW칩(121)의 소스 단자(121S)와 패드(113)의 사이에 복수의 Au와이어(126-3)가 각각 본딩되어 붙여져 있다. 또, 제2 FET-SW칩(122)의 소스 단자(122S)와 패드(114)의 사이에 복수의 Au와이어(126-4)가 각각 본딩되어 붙여져 있다. 또, 컨트롤IC칩 (120)의 상면의 다른 단자와 패드의 사이에 Au와이어(126-5)가 각각 본딩되어 붙여져 있다.
도 3 중, 127은 합성 수지부이며, 프린트 기판(111)의 Z1측의 면(111Z1)에, 컨트롤IC칩(120), 제1 FET-SW칩(121), 제2 FET-SW칩(122), 저항 칩(123), 콘덴서 칩(124)을 밀봉하고 있다. 컨트롤IC칩(120)이 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122) 상에 겹치고 있는 부분에 대해서는, 합성 수지부(127)는, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)상의 컨트롤IC칩(120) 및 붙여져 있는 Au와이어(126-1∼126-5)를 밀봉하고 있다.
상기의 컨트롤IC칩(120), 제1 FET-SW칩(121), 제2 FET-SW칩(122), 저항 칩(123), 콘덴서 칩(124)이 도 10에 도시한 바와 같이 접속되어, 리튬 이온 전지 보호 회로가 형성되어 있다.
[컨트롤IC칩(120)]
도 10에 도시한 바와 같이, 컨트롤IC칩(120)은, 충전 시에 이상이 발생해서 리튬 이온 전지(201)에 과대 전압이 인가되면 제1 FET-SW칩(121)을 오프로 하는 과충전 검출 기능, 방전 시에 리튬 이온 전지(201)의 전압이 소정 전압 이하로 강하하면 제2 FET-SW칩(122)을 오프로 하는 과방전 검출 기능, 단락해서 대전류가 흘렀을 때에 제1 FET-SW칩(121)을 오프로 하는 과전류검출 기능에 더해서, 온도가 상승해서 소정 온도에 이른 것을 검출하는 온도검출 기능을 구비한 구성이다.
구체적으로는, 도 5에 도시한 바와 같이, 컨트롤IC칩(120)은, 제1 논리회로(141), 제2 논리회로(142), 과충전 검출부(VD1), 과방전 검출부(VD2), 방전 과전류검출부(VD3), 충전 과전류 검출부(VD4), 레벨 시프트 회로(143), 지연회로(144), 단락 검출부(145), 발진기(146), 카운터(147), 및, 본 발명의 요부를 이루는 온도 검출부(148)를 가진다. 또, 컨트롤IC칩(120)은, 충전 제어 단자(COUT)와, 방전 제어 단자(DOUT)와, VDD단자와, VSS단자와, DS단자와, V마이너스 단자(V-)를 가진다. 온도 검출부(148)는 제1 논리회로(141) 및 제2 논리회로(142)와 접속되어 있다. 제1 논리회로(141) 및 제2 논리회로(142)는, 각각 충전 제어 단자(COUT) 및 방전 제어 단자(DOUT)와 접속되어 있다.
온도 검출부(148)는, 도 7(A)에 도시한 다이오드(D1)의 음의 온도특성을 이용한 구성이며, 구체적으로는, 도 6에 도시한 바와 같이, 인버터(149)와, 이 입력측에 접속되어 있는 저항소자(R1, R2) 및 다이오드(D1)에 의해 이루어지는 구성이다. 인버터(149)에는 역치(SH)가 설정되어 있다. 역치(SH)는, 검출해야 할 온도(T1) 및 다이오드(D1)의 온도특성을 고려해서 정해져 있다. 인버터(149)는 제1 논리회로(141) 및 제2 논리회로(142)와 접속되어 있다.
다이오드(D1)의 온도가 소정 온도(T1)보다도 낮을 경우에는, 인버터(149)의 입력측의 전압은 높고, 인버터(149)의 출력은 「L」이다. 제1 논리회로(141), 제2 논리회로(142)의 출력은 「H」이며, 충전 제어 단자(COUT) 및 방전 제어 단자(D0UT)의 전위는 「H」이다.
다이오드(D1)의 온도가 상승하면, 도 7(A)에 도시한 바와 같이, 온도가 상승함에 따라 다이오드(D1)의 순방향 전압이 낮아지고, 동 도면(B)에 도시한 바와 같이, 다이오드(D1)의 단의 전압이 낮아지는 것 같이 변화되고, 온도가 소정 온도(T1)를 넘으면, 인버터(149)의 입력측의 전압이 역치(SH)보다 낮아지고, 동 도면 (C)에 도시한 바와 같이, 인버터(149)의 출력이 반전해서 「H」가 된다. 인버터(149)의 출력이 반전해서 「H」 가 되면, 제1 논리회로(141), 제2 논리회로(142)의 출력이 「L」이 되고, 충전 제어 단자(COUT) 및 방전 제어 단자(DOUT)의 전위는 「L」이 되고, 후술하는 바와 같이, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)이 도무 오프로 된다.
[전지보호장치(100)]
도 1에 도시한 바와 같이, 상기 구성의 전지보호모듈(110)은, 각 코너부의 단자(101-1, 102-1, 103-1, 105-1)를 대응하는 단자(101-2, 102-2, 103-2, 105-2)와 납땜되어, 베이스 프린트 기판(150)의 전지보호모듈 실장부(151)에 실장되어 있다. 또, 커넥터 부재(160)는, 커넥터 부재 실장부(152)에 접착되어 있고, 전지 팩 마이너스 출력 단자(103) 및 전지 팩 플러스 출력 단자(104)의 타단부(103a, 104a)가 각각 단자(103-3, 104-1)와 납땜되어 있다.
이 전지보호장치(100)에는, 도 8에 도시한 바와 같이, 단자(101, 102)에 각각 띠 형상의 단자판(210, 211)이 접속된다. 전지보호장치(100)는, 도 9에 도시한 바와 같이, 이 단자판(210, 211)의 선단을 리튬 이온 전지(201)의 극에 접속되고, 리튬 이온 전지(201)의 1개의 측면에 따르도록 배치되고, 리튬 이온 전지(201)와 함께 케이스(212a, 212b)내에 편입되어, 전지 팩(200)이 완성된다.
[전지 팩(200)의 과전류]
전지 팩(200)은, 도 8에 도시한 바와 같이, 휴대 기기에 장착되어, 전지 팩 마이너스 출력 단자(103) 및 전지 팩 플러스 출력 단자(104)를 통해 휴대 기기와 전기적으로 접속되어 사용된다. 리튬 이온 전지(201)의 전압이 소정 전압 이하로 강하해서 과방전이 되면 제2 FET-SW칩(122)이 오프로 된다. 단락 등으로 대전류가 흘러 과전류가 되면 제1 FET-SW칩(121)이 오프로 된다.
또, 전지 팩(200)은, 마찬가지로 도 8에 도시한 바와 같이, 충전기에 세트 되어 전지 팩 마이너스 출력 단자(103) 및 전지 팩 플러스 출력 단자(104)를 통해 충전기와 전기적으로 접속되어 충전된다. 충전 시에 이상이 발생해서 리튬 이온 전지(201)에 과대 전압이 인가되어 과충전이 되면 제1 FET-SW칩(121)이 오프로 되고, 리튬 이온 전지(201)가 보호된다.
또, 도 10 중, 단자(101)와 단자(103)의 사이에 대전류가 흘러 과전류가 되면, 이하의 동작도 행하여진다.
충전 시에는 이하의 동작이 행하여진다. 단자(103)로부터 단자(101)를 향해 대전류가 흐르면, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)이 발열한다. 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)의 열은 컨트롤IC칩(120)에 전도되고, 온도 검출부(148)의 온도가 소정 온도를 넘으면, 인버터(149)의 입력측의 전압이 역치를 넘고, 인버터(149)의 출력이 반전해 「H」가 되고, 제1 및 제2 논리회로(141, 142)의 출력이 모두 「L」이 되고, 충전 제어 단자(C0UT) 및 방전 제어 단자(D0UT)의 전위가 모두 「L」이 되어, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)이 모두 오프로 된다. 이에 따라, 단자(103)와 단자(101)간의 경로가 끊어져, 리튬 이온 전지(201)가 보호되는 동시에, 전지보호장치(100)가 이상하게 가열되는 것이 회피된다. 방전 시에 단자(101)로부터 단자(103)를 향해 대전류가 흘렀을 경우에도, 상기와 같은 동작이 이루어져, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)이 모두 오프로 되고, 휴대 기기가 보호되는 동시에, 전지보호장치(100)가, 특히 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)이 이상하게 가열되는 것이 회피된다.
(실시예2)
다음에, 상기의 컨트롤IC칩(120), 제1 FET-SW칩(121), 제2 FET-SW칩(122)을 모듈화한 실시예에 관하여 설명한다.
도 11은 전지보호IC칩 모듈로서의 컨트롤IC칩 모듈(300)을 도시한다. 이 컨트롤IC칩 모듈(300)은, 단자(302)를 가지는 기판(301)상에, 제1 FET-SW칩(121), 제2 FET-SW칩(122)이 나열해 실장되어 있고, 컨트롤IC칩(120)이, 나열해 있는 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)을 걸치도록 하여, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)상에 겹쳐, 양면 테이프로 접착되어 탑재되어 있고, 또한, Au와이어(126-1∼126-5)가 본딩되어 붙여져 있고, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122), 컨트롤IC칩(120), Au와이어(126-1∼126-5)가 합성 수지부(310)로 덮어져 밀봉되어 있는 구성이다.
이 컨트롤IC칩 모듈(150)은, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, COB대응 프린트 기판(111A)상에 저항 칩(123), 콘덴서 칩(124)과 함께 실장되고, 저항 칩(123), 콘덴서 칩(124)의 부분이 합성 수지부(127A)로 밀봉되어, 전지보호 모듈(110A)이 구성된다.
또한, 독립된 제1 FET-SW칩(121), 제2 FET-SW칩(122)대신에, 제1, 제2 FET-SW칩(121, 122)이 나란히 일체화되어 있는 구성의 부품을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에 의하면, 전지보호IC칩을 충전 제어용 FET 및 방전 제어용 FET 상에 포개서 탑재함으로써, 온도 검출부를 충전 제어용 FET 및 방전 제어용 FET 상에 극히 근접시켜서 배치하는 것이 가능해 지고, 충전 제어용 FET 및 방전 제어용 FET의 온도를 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능해 진다.

Claims (4)

  1. 충전 시 및 방전 시에 전지를 보호하는 기능을 가지는 전지보호IC칩으로서,
    온도가 상승해서 소정 온도에 이른 것을 검출하는 온도 검출부를 구비하고, 상기 온도 검출부는 다이오드 및 상기 다이오드의 음의 온도특성 및 소정 온도 T1에 기초하여 임계값 SH를 가지는 인버터를 포함하고 있고, 상기 다이오드는 저항을 통해 상기 인버터의 입력에 연결되어 있고, 상기 다이오드의 온도가 상기 소정 온도 T1보다 낮은 경우, 상기 인버터의 입력 전압이 상기 임계값 SH보다 높아지고, 상기 인버터의 출력이 상기 다이오드의 음의 온도특성에 의해 로우레벨 L로 되고, 상기 다이오드의 온도가 상기 소정 온도 T1보다 높은 경우, 상기 인버터의 입력 전압이 상기 임계값 SH이하로 떨어지고, 상기 인버터의 출력이 상기 다이오드의 음의 온도특성에 의해 하이레벨 H로 되고,
    상기 인버터의 출력이 하이레벨 H인 것으로 지시하는 상기 온도 검출부의 검출에 응답하여 충전 제어용 FET칩 및 방전 제어용 FET칩을 오프로 하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 전지보호IC칩.
  2. 충전 제어용 FET칩과,
    방전 제어용 FET칩과,
    충전 시 및 방전 시에 전지를 보호하는 기능을 가지고, 또한, 온도가 상승해서 소정 온도에 이른 것을 검출하는 온도 검출부를 구비하고, 또한, 상기 온도 검출부가 소정 온도에 이른 것을 검출했을 때에 상기 충전 제어용 FET칩 및 방전 제어용 FET칩을 오프로 하는 전지보호IC칩을 가지고,
    상기 온도 검출부는 다이오드 및 상기 다이오드의 음의 온도특성 및 소정 온도 T1에 기초하여 임계값 SH를 가지는 인버터를 포함하고 있고, 상기 다이오드는 저항을 통해 상기 인버터의 입력에 연결되어 있고, 상기 다이오드의 온도가 상기 소정 온도 T1보다 낮은 경우, 상기 인버터의 입력 전압이 상기 임계값 SH보다 높아지고, 상기 인버터의 출력이 상기 다이오드의 음의 온도특성에 의해 로우레벨 L로 되고, 상기 다이오드의 온도가 상기 소정 온도 T1보다 높은 경우, 상기 인버터의 입력 전압이 상기 임계값 SH이하로 떨어지고, 상기 인버터의 출력이 상기 다이오드의 음의 온도특성에 의해 하이레벨 H로 되고,
    상기 충전 제어용 FET칩과 상기 방전 제어용 FET칩이 기판 상에 나열해 실장되어 있고, 상기 전지보호IC칩이 상기 충전 제어용 FET칩 및 상기 방전 제어용 FET칩 상에 포개서 탑재되어 있고, 상기 충전 제어용 FET칩, 상기 방전 제어용 FET칩 및 전지보호IC칩이 합성 수지부로 밀봉되어 있고, 또한, 상기 기판에 실장용의 단자를 구비한 구성으로 한 것을 특징으로 하는 전지보호IC칩 모듈.
  3. 프린트 기판 상에,
    저항 칩 및 콘덴서 칩과 함께, 충전 제어용 FET칩과 방전 제어용 FET칩이 나열한 배치로 실장되어 있고, 상기 충전 제어용 FET칩과 방전 제어용 FET칩에 걸쳐 그 상면에 겹치고, 충전 시 및 방전 시에 전지를 보호하는 기능을 가지고, 또한 온도가 상승해서 소정 온도에 이른 것을 검출하는 온도 검출부를 구비하고, 또한 상기 온도 검출부가 소정 온도에 이른 것을 검출했을 때에 상기 충전 제어용 FET칩 및 방전 제어용 FET칩을 오프로 하는 전지보호IC칩이 탑재되어 있어, 이들이 전지용 보호 회로를 형성하고 있고,
    상기 온도 검출부는 다이오드 및 상기 다이오드의 음의 온도특성 및 소정 온도 T1에 기초하여 임계값 SH를 가지는 인버터를 포함하고 있고, 상기 다이오드는 저항을 통해 상기 인버터의 입력에 연결되어 있고, 상기 다이오드의 온도가 상기 소정 온도 T1보다 낮은 경우, 상기 인버터의 입력 전압이 상기 임계값 SH보다 높아지고, 상기 인버터의 출력이 상기 다이오드의 음의 온도특성에 의해 로우레벨 L로 되고, 상기 다이오드의 온도가 상기 소정 온도 T1보다 높은 경우, 상기 인버터의 입력 전압이 상기 임계값 SH이하로 떨어지고, 상기 인버터의 출력이 상기 다이오드의 음의 온도특성에 의해 하이레벨 H로 되고,
    상기 저항 칩, 콘덴서 칩, 충전 제어용 FET칩, 방전 제어용 FET칩, 전지보호IC칩이 합성 수지부로 밀봉되어 있는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 전지보호 모듈.
  4. 프린트 기판 상에, 저항 칩 및 콘덴서 칩과 함께, 제 2 항에 기재된 전지보호IC칩 모듈이 실장되어 있고, 이들이 전지용 보호 회로를 형성하고 있는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 전지보호 모듈.
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