CN113507094B

CN113507094B - 电池保护芯片结构及电池

Info

Publication number: CN113507094B
Application number: CN202110766769.4A
Authority: CN
Inventors: 陈昊; 尹喜珍
Original assignee: Shanghai Xintiao Technology Co ltd
Current assignee: Shanghai Xintiao Technology Co ltd
Priority date: 2021-07-07
Filing date: 2021-07-07
Publication date: 2022-08-19
Anticipated expiration: 2041-07-07
Also published as: CN113507094A

Abstract

本发明提供了一种电池保护芯片结构及电池，包括数字逻辑控制模块和模拟模块；模拟模块包括电阻分压模块、电压基准源模块、电流基准源模块、振荡器、异常信号检测比较器组模块、上下拉控制模块及充电器检测模块。本发明使锂电池保护芯片的待机功耗被大幅降低，极低的待机功耗使得当电池电量不足时仍然可以维持很长时间，延长了电池的使用寿命。

Description

电池保护芯片结构及电池

技术领域

本发明涉及电池保护芯片技术领域，具体地，涉及一种电池保护芯片结构及电池，尤其是一种低待机功耗的电池保护芯片结构及电池。

背景技术

无线穿戴式产品中大多使用质量轻、体积小的可充电电池，这类电池往往容量较小，且一般需要连接电池保护芯片。当电池电压过低导致电池保护芯片进入待机状态时，电池保护芯片极低的待机功耗可使得电池电量在经过较长时间之后不会明显降低，连接充电器之后电池仍然可以正常使用。反之，如果电池保护芯片的待机功耗过大，电池电量在经过较长时间之后下降到过低的值，这会对电池造成一定的损坏。在现有的电池保护芯片产品里，大部分的待机功耗最高可达100nA，待机功耗较大，有待改进。

公开号为CN103532106B的专利文献公开了一种带精确延时及休眠功能的单节锂电池保护芯片，本芯片内部包含控制模块、检测模块两部分。检测模块将锂电池电压VDD与过充电检测电压、过放电检测电压相比较，将VM端电压与过流检测电压、短路检测电压、充电检测电压相比较，得到比较信号。控制模块处理比较信号，判断锂电池所处于工作状态，并按实际情况需要切断充电或放电开关以保护锂电池。当锂电池刚进入过放电状态时，检测VDD端与VM端的电压差，当VDD-VM低于休眠检测电压时，且外电路无短路情况时，控制模块控制芯片进入休眠状态，以降低功耗延长工作时间。保持锂电池进入失常状态时所采取的保护措施，当锂电池状态恢复正常时，打开充放电开关解除失常状态。公开号为CN107039951B的专利文献公开了一种电池保护电路及锂电池，包括：过放电电压检测电路、过放电电流检测电路、控制电路、过流恢复电路和上电复位电路，在检测到上电复位、到电池保护电路的VCC电压上升至预设电压的过程中，所述上电复位电路的输出信号的有效性发生改变；在上电复位电路的输出信号为第一有效性时，电池保护电路强制为过放电电压保护状态，在上电复位电路的输出信号为第二有效性时，不再强制电池保护电路为过放电电压保护状态。公开号为CN109687400A的专利文献公开了一种适用于电池保护的低功耗电路，包括待保护的电池芯片组，与电池芯片组相连的温度基准电压模块，均与温度基准电压模块相连且的电流比较器和状态比较器，与电流比较器和状态比较器均相连的数字逻辑控制模块，与数字逻辑控制模块相连的电压比较器，均与电压比较器相连的带隙基准电压源模块和数据选择器，均与数据选择器相连的电池电压检模块、电池断线检测模块和电池温度检测模块，还包括了放电驱动电路、充电驱动电路、负载检测模块和振荡器。公开号为CN111262315A的专利文献公开了一种基于电池保护电路的锂电池超低功耗保护装置，包括电池、电池保护芯片、负载、主控处理器、三极管、第一电阻和第二电阻，电池保护芯片的电源正极输入端口、电源负极输入端口分别与电池的正极和负极电连接，电池保护芯片的电压检测端口与负载的一端电连接，负载的另一端与电池保护芯片的电源正极输入端口、电源负极输入端口电连接，主控处理器的GPIO端口与三极管的基极电连接，三极管的集电极与电池的正极电连接，电池的正极与三极管的集电极之间依次电连接第一电阻和第二电阻，三极管的发射极电连接至负载。公开号为CN112398096A的专利文献公开了一种超低功耗的锂电池保护电路，包括电池、滤波电路、锂电池保护芯片和充电器或负载，其中：锂电池保护芯片包括方波产生电路、第一或门、基准电路、检测电路、驱动电路、开关管，其中：方波产生电路用于产生方波信号，控制基准电路和检测电路工作的时间；基准电路用于产生锂电池保护芯片内部不随电压变化的电压和电流；检测电路用于判断锂电池保护芯片的工作状态，所述工作状态包括正常状态、过充电压状态、过放电压状态、放电过流状态、充电过流状态；驱动电路用于根据锂电池保护芯片内部产生的开关信号控制开关管开启或关断。公开号为CN112583087A的专利文献公开了一种电池保护芯片及系统，电池保护芯片包括充放电控制开关管、过放保护模块、过充保护模块、充放电过流保护模块、逻辑控制模块、衬底切换模块、栅极控制模块以及低功耗控制模块。

但上述专利文献仍然存在待机功耗较大的缺陷。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种电池保护芯片结构及电池。

根据本发明提供的一种电池保护芯片结构，包括数字逻辑控制模块和模拟模块；

所述模拟模块包括电阻分压模块、电压基准源模块、电流基准源模块、振荡器、异常信号检测比较器组模块、上下拉控制模块及充电器检测模块；

所述电阻分压模块的输出端连接所述异常信号检测比较器组模块的输入端；

所述电压基准源模块的输出端分别连接所述异常信号检测比较器组模块的输入端和所述振荡器的输入端；

所述电流基准源模块的输出端分别连接所述异常信号检测比较器组模块的输入端和所述振荡器的输入端；

所述振荡器的输出端连接所述数字逻辑控制模块的输入端，所述异常信号检测比较器组模块的输出端连接所述数字逻辑控制模块的输入端；

所述数字逻辑控制模块的输出端分别连接所述振荡器的输入端、所述上下拉控制模块的输入端及所述充电器检测模块的输入端；所述数字逻辑控制模块的第一引脚作为CTL引脚；

所述上下拉控制模块的输出端分别连接所述充电器检测模块的输入端和所述异常信号检测比较器组模块的输入端并作为VM引脚；

所述充电器检测模块的输出端分别连接所述振荡器的输入端、所述电阻分压模块的输入端、所述异常信号检测比较器组模块的输入端、所述电压基准源模块的输入端及所述电流基准源模块的输入端。

优选的，包括上电复位模块，所述上电复位模块的输出端连接所述数字逻辑控制模块的输入端。

优选的，所述上电复位模块包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8及电容器C2；

所述第一MOS管Q1的源极分别连接所述第三MOS管Q3的源极和所述第八MOS管Q8的漏极并作为VDD引脚；所述第一MOS管Q1的漏极连接所述第二MOS管Q2的源极；所述第一MOS管Q1的栅极分别连接所述第二MOS管Q2的漏极、所述电容器C2的一端、所述第三MOS管Q3的栅极、所述第四MOS管Q4的栅极、所述第五MOS管Q5的栅极及所述第六MOS管Q6的栅极；

所述第二MOS管Q2的栅极分别连接所述电容器C2的另一端、所述第六MOS管Q6的源极及所述第七MOS管Q7的漏极并作为GND引脚；

所述第三MOS管Q3的漏极分别连接所述第七MOS管Q7的源极和所述第四MOS管Q4的源极；

所述第四MOS管Q4漏极分别连接所述第五MOS管Q5的漏极、所述第七MOS管Q7的栅极及所述第八MOS管Q8的栅极并作为VOUT引脚；

所述第五MOS管Q5的源极分别连接所述第六MOS管Q6的漏极和所述第八MOS管Q8的源极。

优选的，所述上下拉控制模块包括第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第一电阻R1及第二电阻R2；

所述第九MOS管Q9的源极作为VDD引脚，所述第九MOS管Q9的漏极连接所述第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端连接所述第二电阻R2的一端并作为VM引脚，所述第二电阻R2的另一端连接所述第十MOS管Q10的漏极，所述第十MOS管Q10的源极作为GND引脚；

所述第九MOS管Q9的栅极作为PU引脚，所述第十MOS管Q10的栅极作为PD引脚。

优选的，所述第九MOS管Q9为P沟增强型MOS管PM5。

优选的，所述第十MOS管Q10为N沟增强型MOS管NM3。

优选的，所述充电器检测模块包括第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12、第十三MOS管Q13、第十四MOS管Q14、第十五MOS管Q15、第十六MOS管Q16、第十七MOS管Q17、第十八MOS管Q18、第十九MOS管Q19、第三电阻R3、第四电阻R4及反相器；

所述第十一MOS管Q11的栅极连接所述第十二MOS管Q12的栅极，所述第十一MOS管Q11的源极作为VDD引脚，所述第十一MOS管Q11的漏极分别连接所述第十二MOS管Q12的漏极、所述第十三MOS管Q13的栅极、所述第十四MOS管Q14的栅极、所述第十五MOS管Q15的栅极以及所述第十九MOS管Q19的栅极；

所述第十二MOS管Q12的源极作为GND引脚；

所述第十三MOS管Q13的源极作为VDD引脚，所述第十三MOS管Q13的漏极分别连接所述第十四MOS管Q14的漏极、所述第十五MOS管Q15的源极及所述第十七MOS管Q17的源极；

所述第十四MOS管Q14的源极作为GND引脚；

所述第十五MOS管Q15的漏极连接所述第十六MOS管Q16的漏极；

所述第十六MOS管Q16的栅极作为VDD引脚，所述第十六MOS管Q16的源极连接所述第三电阻R3的一端，所述第十六MOS管Q16的衬底分别连接所述第四电阻R4的一端、所述第十七MOS管Q17的栅极及所述第十八MOS管Q18的栅极；

所述第三电阻R3的另一端连接所述第四电阻R4的另一端并作为VM引脚；

所述第十七MOS管Q17的漏极分别连接所述第十八MOS管Q18的漏极、所述第十九MOS管Q19的漏极及所述反相器的输入端；

所述第十八MOS管Q18的源极作为GND引脚；

所述第十九MOS管Q19的源极作为GND引脚；

所述反相器的输出端作为POWD引脚。

优选的，还包括ESD，所述ESD的第一引脚分别连接所述异常信号检测比较器组模块的输入端、所述的上下拉控制模块输入端及所述充电器检测模块的输入端并作为VM引脚；

所述ESD的第二引脚作为GND引脚，所述ESD的第三引脚连接所述电阻分压模块并作为VDD引脚。

本发明还提供一种电池，包括上述的电池保护芯片结构。

优选的，所述电池为锂电池。

与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

1、本发明使锂电池保护芯片的待机功耗被大幅降低，极低的待机功耗使得当电池电量不足时仍然可以维持很长时间；

2、本发明延长了电池的使用寿命；

3、本发明把锂电池保护芯片的待机功耗大幅降低，降低到20nA以下。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为将功率管集成在电池保护芯片内部的示意图；

图3为将功率管作为分立器件与电池保护芯片连接的示意图；

图4为本发明的上电复位模块的示意图；

图5为本发明的上下拉控制模块的示意图；

图6为本发明的充电器检测模块的示意图；

图7为Cadence Virtuoso仿真软件仿真的测试电路的示意图；

图8为27℃时ttt工艺角下瞬态仿真结果的示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。

如图1～6所示，本发明提供一种电池保护芯片结构，包括数字逻辑控制模块和模拟模块，模拟模块包括电阻分压模块、电压基准源模块、电流基准源模块、振荡器、异常信号检测比较器组模块、上下拉控制模块及充电器检测模块，电阻分压模块的输出端连接异常信号检测比较器组模块的输入端，电压基准源模块的输出端分别连接异常信号检测比较器组模块的输入端和振荡器的输入端，电流基准源模块的输出端分别连接异常信号检测比较器组模块的输入端和振荡器的输入端，振荡器的输出端连接数字逻辑控制模块的输入端，异常信号检测比较器组模块的输出端连接数字逻辑控制模块的输入端，数字逻辑控制模块的输出端分别连接振荡器的输入端、上下拉控制模块的输入端及充电器检测模块的输入端；数字逻辑控制模块的第一引脚作为CTL引脚，上下拉控制模块的输出端分别连接充电器检测模块的输入端和异常信号检测比较器组模块的输入端并作为VM引脚，充电器检测模块的输出端分别连接振荡器的输入端、电阻分压模块的输入端、异常信号检测比较器组模块的输入端、电压基准源模块的输入端及电流基准源模块的输入端。

上下拉控制模块包括第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第一电阻R1及第二电阻R2，第九MOS管Q9的源极作为VDD引脚，第九MOS管Q9的漏极连接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第二电阻R2的一端并作为VM引脚，第二电阻R2的另一端连接第十MOS管Q10的漏极，第十MOS管Q10的源极作为GND引脚，第九MOS管Q9的栅极作为PU引脚，第十MOS管Q10的栅极作为PD引脚。第九MOS管Q9为P沟增强型MOS管PM5，第十MOS管Q10为N沟增强型MOS管NM3。

充电器检测模块包括第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12、第十三MOS管Q13、第十四MOS管Q14、第十五MOS管Q15、第十六MOS管Q16、第十七MOS管Q17、第十八MOS管Q18、第十九MOS管Q19、第三电阻R3、第四电阻R4及反相器，第十一MOS管Q11的栅极连接第十二MOS管Q12的栅极，第十一MOS管Q11的源极作为VDD引脚，第十一MOS管Q11的漏极分别连接第十二MOS管Q12的漏极、第十三MOS管Q13的栅极、第十四MOS管Q14的栅极、第十五MOS管Q15的栅极以及第十九MOS管Q19的栅极，第十二MOS管Q12的源极作为GND引脚，第十三MOS管Q13的源极作为VDD引脚，第十三MOS管Q13的漏极分别连接第十四MOS管Q14的漏极、第十五MOS管Q15的源极及第十七MOS管Q17的源极，第十四MOS管Q14的源极作为GND引脚，第十五MOS管Q15的漏极连接第十六MOS管Q16的漏极，第十六MOS管Q16的栅极作为VDD引脚，第十六MOS管Q16的源极连接第三电阻R3的一端，第十六MOS管Q16的衬底分别连接第四电阻R4的一端、第十七MOS管Q17的栅极及第十八MOS管Q18的栅极，第三电阻R3的另一端连接第四电阻R4的另一端并作为VM引脚，第十七MOS管Q17的漏极分别连接第十八MOS管Q18的漏极、第十九MOS管Q19的漏极及反相器的输入端，第十八MOS管Q18的源极作为GND引脚,第十九MOS管Q19的源极作为GND引脚，反相器的输出端作为POWD引脚。

第十一MOS管Q11为P沟增强型MOS管PM6、第十二MOS管Q12为N沟增强型MOS管NM4、第十三MOS管Q13为P沟增强型MOS管PM7、第十四MOS管Q14为N沟增强型MOS管NM5、第十五MOS管Q15为P沟增强型MOS管PM8、第十六MOS管Q16为N沟增强型MOS管NM6、第十七MOS管Q17为P沟增强型MOS管PM9、第十八MOS管Q18为P沟增强型MOS管NM7、第十九MOS管Q19为N沟增强型MOS管NM8。

还包括上电复位模块，上电复位模块的输出端连接数字逻辑控制模块的输入端，上电复位模块包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8及电容器C2，第一MOS管Q1的源极分别连接第三MOS管Q3的源极和第八MOS管Q8的漏极并作为VDD引脚；第一MOS管Q1的漏极连接第二MOS管Q2的源极，第一MOS管Q1的栅极分别连接第二MOS管Q2的漏极、电容器C2的一端、第三MOS管Q3的栅极、第四MOS管Q4的栅极、第五MOS管Q5的栅极及第六MOS管Q6的栅极，第二MOS管Q2的栅极分别连接电容器C2的另一端、第六MOS管Q6的源极及第七MOS管Q7的漏极并作为GND引脚，第三MOS管Q3的漏极分别连接第七MOS管Q7的源极和第四MOS管Q4的源极，第四MOS管Q4漏极分别连接第五MOS管Q5的漏极、第七MOS管Q7的栅极及第八MOS管Q8的栅极并作为VOUT引脚，第五MOS管Q5的源极分别连接第六MOS管Q6的漏极和第八MOS管Q8的源极。

第一MOS管Q1为P沟增强型MOS管PM0、第二MOS管Q2为P沟增强型MOS管PM1、第三MOS管Q3为P沟增强型MOS管PM2、第四MOS管Q4为P沟增强型MOS管PM3、第五MOS管Q5为N沟增强型MOS管NM0、第六MOS管Q6为N沟增强型MOS管NM1、第七MOS管Q7为P沟增强型MOS管PM4、第八MOS管Q8为N沟增强型MOS管NM2。

还包括ESD，还包括ESD，ESD的第一引脚分别连接异常信号检测比较器组模块的输入端、的上下拉控制模块输入端及充电器检测模块的输入端并作为VM引脚，ESD的第二引脚作为GND引脚，ESD的第三引脚连接电阻分压模块并作为VDD引脚。

本发明还提供一种电池，包括上述的电池保护芯片结构，电池为锂电池。

在优选例中，当电池电压下降使得芯片VDD低于过放检测电压时，图1中的异常信号比较器组的输出发生翻转，图1中的数字逻辑控制检测到这一变化后，开始启动图1中的振荡器进行计时，当计时时间超过过放检测延迟时间时，芯片进入过放状态，数字逻辑控制的输出VOD_S＝1，若无充电器接入，图1中的POWD＝1。POWD是振荡器、电阻分压、异常信号检测比较器组、电压基准源、电流基准源的使能信号，当POWD为1时，这些模块都被关闭，只存在静态功耗，一般为几nA。而没有被POWD控制的模块有上电复位、ESD、数字逻辑控制、上拉下拉控制和充电器检测。

上电复位模块的结构示例图如图4，当VDD稳定之后，V1＝VDD，PM0、PM2、PM3截止，VOUT＝GND,NM2截止，因此，上电复位模块在VDD稳定之后也只消耗静态功耗。

ESD一般也只消耗静态功耗。由于振荡器已被关闭，数字逻辑控制无时钟信号，因此它也只消耗静态功耗。

上拉和下拉控制模块的结构示例图如图5，在过放状态时，PU＝0，PD＝0，若无充电器接入，则NM3和PM5均无电流通过，因此此模块也只有静态功耗。

充电器检测模块的结构示例图如图6。当VOD_S＝1，则图6中的V2＝0，则NM5和NM8截止。由于在上拉下拉控制模块，当芯片处于过放保护状态时若充电器未接入，VM被上拉到VDD，因此PM8无电流通过，此时NM6的漏极、源极、栅极、衬底电位(V3)均为VDD，因此NM6也无电流流过。V3＝VDD，因此PM9截止。综合来看，此模块不存在从VDD到GND的通路，因此充电器检测模块只有静态功耗。

综合来看，在芯片进入过放保护状态且充电器未接入时，芯片进入待机状态，且所有模块的功耗都只有静态功耗，也即器件的漏电流造成的功耗，因此，芯片的待机功耗极低。使用Cadence Virtuoso仿真软件仿真的测试电路如图7所示。27℃，ttt工艺角下瞬态仿真结果如图8所示。图8中，V1时刻代表芯片正常工作，V2时刻代表芯片处于过放状态(VOD_S＝1)，且无充电器接入(VM被上拉到VDD)，因此芯片处于待机状态(POWD＝1),可以看到此时流进VDD的电流仅为16.5nA。

工作原理：

图2和图3是本结构的两种典型应用图，图2是将功率管集成在电池保护芯片内部；而图3是将功率管作为分立器件与电池保护芯片连接。根据典型应用图，电池保护芯片通过检测VDD引脚的电压大小和持续时间来判断电池的电压是否进入到过充或者过放的异常状态，通过检测VM引脚的电压来判断流过电池的电流是否进入充电过流、放电过流或者短路的异常状态，如果某个异常状态持续存在了特定的时间，芯片就会进入对应的保护状态。

根据图1，VDD经过电阻分压的输出电压和VM电压都作为被比较电压，电压基准源的输出和电流基准源的输出的都作为基准，它们都作为异常信号检测比较器组的输入电压。异常信号检测比较器组的输出指示着各个异常状态是否出现，当某个异常状态持续出现了一段特定时间之后，则判断芯片进入该异常保护状态，因此，异常信号检测比较器组的输出是数字逻辑控制模块的输入，而数字逻辑控制模块的正常工作离不开复位信号(上电复位模块的输出)和时钟信号(振荡器的输出)。振荡器的输入还需要电压基准源和电流基准源。数字逻辑控制控制着正常充放电状态和各个异常状态之间的转换，具体表现为VM上拉下拉的控制和对功率管的控制。同时数字逻辑控制还输出VOD_S信号指示芯片是否进入过放保护状态，此信号高有效，是充电器检测模块的输入使能信号。充电器检测模块在过放保护状态时通过检测VM电压判断是否接入充电器，从而判断是否需要进入待机状态。ESD模块保护芯片不受静电影响。

本发明使锂电池保护芯片的待机功耗被大幅降低，极低的待机功耗使得当电池电量不足时仍然可以维持很长时间，延长了电池的使用寿命。

本领域技术人员知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现本发明提供的系统及其各个装置、模块、单元以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得本发明提供的系统及其各个装置、模块、单元以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器以及嵌入式微控制器等的形式来实现相同功能。所以，本发明提供的系统及其各项装置、模块、单元可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置、模块、单元也可以视为硬件部件内的结构；也可以将用于实现各种功能的装置、模块、单元视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。

以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims

1.一种电池保护芯片结构，其特征在于，包括数字逻辑控制模块和模拟模块；

2.根据权利要求1所述的电池保护芯片结构，其特征在于，还包括上电复位模块，所述上电复位模块的输出端连接所述数字逻辑控制模块的输入端。

3.根据权利要求2所述的电池保护芯片结构，其特征在于，所述上电复位模块包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8及电容器C2；

4.根据权利要求1所述的电池保护芯片结构，其特征在于，所述上下拉控制模块包括第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第一电阻R1及第二电阻R2；

5.根据权利要求4所述的电池保护芯片结构，其特征在于，所述第九MOS管Q9为P沟增强型MOS管PM5。

6.根据权利要求4所述的电池保护芯片结构，其特征在于，所述第十MOS管Q10为N沟增强型MOS管NM3。

7.根据权利要求1所述的电池保护芯片结构，其特征在于，所述充电器检测模块包括第十一MOS管Q11、第十二MOS管Q12、第十三MOS管Q13、第十四MOS管Q14、第十五MOS管Q15、第十六MOS管Q16、第十七MOS管Q17、第十八MOS管Q18、第十九MOS管Q19、第三电阻R3、第四电阻R4及反相器；

所述第十二MOS管Q12的源极作为GND引脚；

所述第十四MOS管Q14的源极作为GND引脚；

所述第十五MOS管Q15的漏极连接所述第十六MOS管Q16的漏极；

所述第十八MOS管Q18的源极作为GND引脚；

所述第十九MOS管Q19的源极作为GND引脚；

所述反相器的输出端作为POWD引脚。

8.根据权利要求1所述的电池保护芯片结构，其特征在于，还包括ESD，所述ESD的第一引脚分别连接所述异常信号检测比较器组模块的输入端、所述的上下拉控制模块输入端及所述充电器检测模块的输入端并作为VM引脚；

9.一种电池，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的电池保护芯片结构。

10.根据权利要求9所述的电池，其特征在于，所述电池为锂电池。