JP3945837B2 - バッテリ充電制御のための回路および方法 - Google Patents

バッテリ充電制御のための回路および方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的にはバッテリセルの監視および充電に関しかつ、より特定的には、バッテリセルの充電のバランス化に関する。
【0002】
【従来の技術】
バッテリはデジタルページャ、セルラ電話、ノートブック型コンピュータ、および一般に、携帯用コンシューマ電子製品、を含む広範囲の用途において使用されている。携帯用電子製品に使用されるバッテリはリチウムイオン、リチウムポリマ、ニッケルカドミウム、またはニッケル金属水素化物の組成を含む。前記用途の多くは12.0ボルトまたはそれ以上の電位を必要とするから、複数のバッテリセルがしばしばバッテリパックにおいて直列に接続され必要な動作電位を提供する。いったんバッテリが貯蔵寿命によりまたは用途における通常の使用の間に放電されれば、該バッテリパックを再充電する必要が生じる。セルの過充電(overcharging)および過少充電(undercharging)の問題はバッテリパックが再充電処理に付される場合に生じる。セルの過充電はリチウムをベースとした化学薬品において危険なかつ破滅的な障害を引き起こす可能性があり、一方過放電された(over−discharged)セルはすべてのバッテリの化学薬品についてセルの寿命を低減する結果となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術においては、バッテリパック内のすべてのバッテリセルを同時に絶えず監視してそれらの状態を監視しかつ、同様に、バッテリパック内のすべてのセルを直列形式で充電する、バッテリ監視および充電機構が開発されている。もしバッテリパック内のセルが均等に整合していなければ数多くの充電サイクルの期間にわたり電圧差が生じ得る。従って、充電処理が行われる場合、1つのセルが他のセルに関してよりひどい過充電を生じ過充電されたセルにおいて安全性の問題を生じる。
【0004】
従って、バッテリパックに対して不当な負担を与えることなくバランスした様式でバッテリパックの個々のセルを監視しかつ充電する必要性が存在する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第1のバッテリセルに結合されたバッテリ充電制御回路において、前記第1のバッテリセルから第1のバッテリ電圧を受けかつ前記第1のバッテリセルにおける過電圧状態の検知に応じてステータス信号を提供するよう結合された測定回路(51)、前記ステータス信号に応答して前記ステータス信号から第1のバッテリ制御信号をデコードする制御回路(32)、そして前記第1のバッテリセルの間に結合されかつ前記第1のバッテリ制御信号に応答して前記第1のバッテリセルを放電する放電回路(212,214)、が設けられる。
【0006】
また、本発明では、バッテリセルを放電する方法が提供され、該方法は前記バッテリセルから第1のバッテリ電圧を測定しかつ前記バッテリセルが過電圧状態にあればステータス信号を提供する段階、第1のバッテリ制御信号を提供するために前記ステータス信号をデコードする段階、そして前記第1のバッテリ制御信号に応答して前記バッテリセルを放電する段階、を具備することを特徴とする。
【0007】
さらに、本発明では、バッテリセルに結合され該バッテリセルに供給される過電流を検知するバッテリ充電制御回路において、第1の電源導体に結合された第1の端子を有しかつ前記バッテリセルに結合された第2の端子を有する電流検知抵抗(11)、前記バッテリセルに供給される過電流を検出するために前記第1および第2の端子の間に結合された入力を有しかつドライブ信号を提供するための出力を有する過電流検出回路(35)、そして前記ドライブ信号を受けるよう結合されたゲート、基準電位で動作する第3の端子において前記バッテリに結合されたソース、および出力端子に結合され前記ドライブ信号に応答してサーミスタの模擬動作を提供するドレインを有するトランジスタ(41)、が設けられる。
【0008】
さらに、本発明によれば、バッテリ充電制御回路においてサーミスタを模擬する方法が提供され、該方法は、バッテリセルにおける過電流を検知する段階、前記検知された過電流を検出する段階、そして前記過電流の前記検出に応答してサーミスタ模擬装置を作動させる段階、を具備することを特徴とする。
【0009】
さらに、本発明では、バッテリセルに結合され、バッテリ充電器へのバッテリセルの接続を検知するためのバッテリ充電制御回路において、第1および第2の端子において前記バッテリセルから第1のバッテリ電圧を受けるよう結合されかつ前記バッテリセルにおける過小電圧状態の検知に応じて第1のステータス信号を提供する出力を有する測定回路(51)、前記測定回路の出力に結合された入力を有しかつ出力を有する第1の論理回路(60)、前記第1のステータス信号を受けるよう結合された第1の入力、第2の入力、および前記第1のステータス信号に応答する出力を有する第2の論理回路(62)、前記第1の論理回路の出力に結合されたゲート、第3の端子において前記バッテリ充電器に結合されたソース、およびドレインを有する第1のトランジスタ(26)、前記第2の論理回路の出力に結合されたゲート、前記第1のトランジスタの前記ドレインに結合されたドレイン、および前記第2の端子に結合されたソースを有する第2のトランジスタ(24)、そして第1の電圧を検出するために前記第1のトランジスタの前記ソースに結合された第1の入力、前記第1の論理回路の前記出力に結合された第2の入力、前記第2の端子における電圧を検出するよう結合された第3の入力、および前記第2の論理回路の前記入力に結合されかつ前記第1の電圧および前記第2の端子における前記電圧の差に応じて作動信号を提供する出力を有する検出回路(240)、が設けられる。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1を参照すると、伝統的な集積回路プロセスを使用したモノリシック集積回路(IC)として製造するのに適したバッテリ充電制御回路10が示されている。バッテリセル12,14,16および18は電源導体20(PACK+)およびノード22の電源導体の間に直列に接続されている。バッテリセル12,14,16および18は好ましくはリチウムイオンまたはポリマ形式の再充電可能なバッテリであり、フル充電の状態ではリチウムイオンセルは4.2ボルトで動作しかつポリマセルは3.0ボルトで動作する。制御回路32へのPROG1およびPROG2入力はバッテリ充電制御回路10に与えられるバッテリセルの合計数を表す2進プログラミングコードを提供する。以下の表1には4個までのバッテリセルのための2進プログラミングコードのリストが示されている。もしバッテリパックに4個より少ないバッテリセルが存在すれば、該セルは短絡回路によって置き換えられる。例えば、もし3つのセルがプログラムされれば、バッテリセル12は短絡回路によって置き換えられる。4個より多くのセルを有するバッテリシステムに適応させるため付加的なPROG入力が導入される。
【0011】
【表1】
Figure 0003945837
【0012】
電流検知抵抗11および電流検知抵抗15が電源導体20およびバッテリセル12の間に直列的に接続されている。ノード22は放電トランジスタ24のソースに結合されている。トランジスタ24のドレインは充電トランジスタ26のドレインに結合されている。トランジスタ26のソースは電源導体30(PACK−)に接続されている。ダイオード25はトランジスタ24のソースに接続されたアノードおよびトランジスタ24のドレインに接続されたカソードを有する。ダイオード25はトランジスタ24の構造に固有のものである。ダイオード27はトランジスタ26のソースに接続されたアノードおよびトランジスタ26のドレインに接続されたカソードを有する。ダイオード27はトランジスタ24の構造に固有のものである。電源導体20および30はバッテリセル12〜18によって形成されるバッテリパックの正および負の端子を表す。トランジスタ24は過小電圧論理(under−voltage logic:UV論理)回路62からノード45において放電(DISCH)信号を受ける。トランジスタ26のゲートは充電(CHG)信号を受けるために、ノード44において、過電圧(OV)論理回路60の出力に接続されている。OV論理回路60の入力は過電流またはオーバカレント(over−current)論理(OI論理)回路37の出力から充電セット(SET CHARGE:SET CHG)信号を受けるよう結合されている。トランジスタ41はノード22に接続されたドレイン、過電流論理回路37の出力に接続されたゲート、およびバッテリ充電器内に配置された外部抵抗に接続するための端子43に接続されたソースを有する。トランジスタ41はまたバイポーラトランジスタとすることもできる。OI論理回路37は過電流検出回路(OI検出)35の出力からの信号、制御回路32からの低速クロック(SLOW CLOCK)信号、およびOV論理回路60からのOV信号を受ける。
【0013】
OI論理回路60のトランジスタ41はサーミスタの作用をシミュレートする。ニッケル技術をベースとしたバッテリ充電器はサーミスタ接続のために使用される端子を有する。本発明の利点として、リチウム技術のバッテリパックがニッケル技術のバッテリ充電器に接続されたとき、トランジスタ41が作動され、バッテリ充電器をトリクル電流充電モードで動作させる。サーミスタ模擬装置は通常バッテリパックに印加される大きな値のニッケル技術充電電流をディスエーブルする。リチウム技術バッテリパックは従って危険な過充電から保護される。
【0014】
OI検出回路35の入力は検知抵抗11の間に結合される。OI検出回路35は遅延回路61を介してUV論理62のセット(SET)入力に結合された第2の出力を有する。過放電電流がOI検出回路35によって検出され、バッテリパック端子の短絡回路を表している場合、UV論理62のセット入力が作動されてセルを電流経路から切り離す。遅延回路61は所望の遅延を提供するために直列に結合された2つのフリップフロップ(図示せず)を含む。遅延回路61はまた直列に結合されたひと続きのゲートから形成できる。遅延回路61はバッテリパックを容量負荷に接続するのを補償するためIO検出35の出力信号に対し20.0ミリセカンドの遅延を提供する。
【0015】
トランジスタ24および26のゲートにおける、前記放電(DISCH)および充電(CHG)信号は、それぞれ、電源導体20および30の間の導電経路をイネーブルしかつディスエーブルする。もし後に説明するバッテリ充電制御回路がいずれかの個別のバッテリセルに過電圧状態または過小電圧状態が存在することを判定すれば、トランジスタ24および/またはトランジスタ26は電源導体20および30の間の導電経路をディスエーブルする。トランジスタ24および26は外部部品として設けることもでき、あるいはバッテリ充電制御回路10を含むIC内に集積することもできる。
【0016】
セル測定回路51はマルチプレクサ34および42、抵抗46,48および50、スイッチング回路56および比較器52を含む。アナログマルチプレクサ34は電源導体20に結合された第1のデータ入力D1およびバッテリセル12および14の間の相互接続部におけるノード36に結合された第2のデータ入力D2を有する。マルチプレクサ34はさらにバッテリセル14および16の間の相互接続部におけるノード38に接続された第3のデータ入力D3およびバッテリセル16および18の相互接続部におけるノード40に接続された第4のデータ入力D4を有する。アナログマルチプレクサ42は、それぞれ、ノード36,38,40および22に接続された4つのデータ入力D1〜D4を有する。
【0017】
マルチプレクサ34および42は制御回路32の出力から、それぞれ、セレクト1(SELECT1),セレクト0(SELECT0)およびイネーブル(ENABLE:EN)の制御信号を受ける。マルチプレクサ34の出力は直列接続された抵抗46,48および50の一方の側に接続されている。マルチプレクサ42の出力は同じ直列接続された抵抗46,48および50の反対側に接続されている。比較回路52はスイッチ56によってノード54における抵抗46および48の相互接続部にあるいはノード58における抵抗48および50の相互接続部に接続される非反転入力端子を有する。制御回路32はスイッチ(SWITCH)制御信号により前記スイッチ56を制御する。比較器52の反転入力端子は1.25ボルトで動作する基準電位VREFを受ける。比較器52のステータス(STATUS)信号出力は過電圧論理60、過小電圧論理62の入力、および制御回路32に結合されている。過小電圧論理62の出力はまた制御回路32の入力に結合されたクロック回路64からのシステムクロック信号出力(SYSCLK)をイネーブルするためのクロック回路64への入力を提供する。過電圧論理60および過小電圧論理62は制御回路32から、それぞれ、信号OV_CLOCKおよびUV_CLOCKを受ける。制御回路32はまた比較器52の非反転入力とスイッチ56との間に結合されるヒステリシス電流(IHYST)を提供する。
【0018】
放電トランジスタ212および214は、それぞれ、バッテリセル12および14の間に結合されている。トランジスタ212のドレインはさらに抵抗220を通してノード36に結合され、かつトランジスタ214のドレインはさらに抵抗222を通してノード38に結合されている。放電トランジスタ216および218は、それぞれ、バッテリセル16および18の間に接続されている。トランジスタ216のドレインは抵抗224を介してノード38に接続され、かつトランジスタ218のドレインは抵抗226を介してノード40に接続されている。トランジスタ212,214,216および218のゲートは制御回路32から、それぞれ、バッテリ制御信号BAT1,BAT2,BAT3およびBAT4を受ける。
【0019】
パック検知回路240は電源導体30に接続された第1の入力、ノード44に接続された第2の入力、過小電圧論理62のリセット端子に接続された充電検出(CHG DET)信号を提供する第1の出力、および過電流論理回路37の入力にパックストレッチ(PACK STRETCH:PACK STR)信号を提供するための第2の出力を有する。
【0020】
バッテリ充電制御回路10の動作は次のように行われる。バッテリパックがバッテリセルの自己放電またはシステムにおける使用により放電されたものとなった場合には、バッテリセル12,14,16および18を再充電する必要がある。外部電源、例えば、バッテリ充電器、が電源導体20および30に接続されかつ再充電電流がバッテリセル12,14,16および18に注入される。特徴として、バッテリ充電器に挿入されたバッテリパックはまちまちの充電状態を示す個々のバッテリセルを含み、すなわち、1つのバッテリセルは受入れ可能な充電状態であり、他のバッテリセルは過充電状態であり、一方他のバッテリセルは過小充電状態であり、あるいはこれらの任意の組合わせとなる。本発明の利点として、バッテリ充電制御回路10はセルパックのバッテリセル内の充電をバランスさせてバッテリパックの寿命および安全性を増大する。
【0021】
バッテリ充電制御回路10は各バッテリセルにかかる電圧を順次サンプルしかつバッテリセルが充電の間にアンバランスな状態に到達したことを識別する。バッテリセルはもし第1のバッテリセルがバッテリパック内の他のセルのヒステリシス電圧VHYST内にあれば他のバッテリセルとバランスしている。バッテリ充電制御回路10はバランス化の基準として比較器52および抵抗46,48および50によってセットされる過電圧限界を使用する。もし、バッテリパックを充電する場合に、1つまたはそれ以上のバッテリセルが比較器52によって過電圧でサンプルされれば、その測定結果は制御回路32に転送される。もしバッテリパック内のすべてのバッテリセル12,14,16および18が過電圧であると測定されれば、そのバッテリパックはバランスしているものと考えられる。もしすべてのものより少ないセルが同時に過電圧であれば、その過電圧のセルはバッテリ充電制御回路10によって放電されてその過電圧のセルを該バッテリセルの残りとバランスさせる。
【0022】
マルチプレクサ34および42を制御する制御信号セレクト0およびセレクト1は各マルチプレクサのデータ入力D1,D2,D3およびD4の間で選択するよう循環しバッテリセル12,14,16および18を順次サンプルさせる。1つの状態で、制御信号セレクト0およびセレクト1はマルチプレクサ34のD1入力を選択し電源導体20の電圧を抵抗46の上側に通過させる。同時に、制御信号セレクト0およびセレクト1はマルチプレクサ42のD1入力をイネーブルしてノード36における電圧を抵抗50の底部側に通過させる。従って、バッテリセル12にかかる電圧は直列抵抗46,48および50の間に現れる。バッテリセル12のステータスチェックの間に、制御回路32はさらにスイッチ56を制御してノード58を比較器52の非反転入力に接続し過電圧障害につきチェックを行う。ノード58の電圧は抵抗46,48および50の和によって除算された抵抗50の値の抵抗分割比である。抵抗46の値は102.25キロオームに選択され、かつ抵抗48は30.55キロオームにセットされ、一方抵抗50は55.0キロオームにセットされる。これらの抵抗に対して選択された値は種々のバッテリセル技術に対して調整できる。抵抗46,48および50はまた集積回路の外部に配置されるよう選択できる。もしノード58の電圧が前記基準電圧VREFを超えれば、比較器52の出力はハイになって過電圧障害を指示する。もしノード58の電圧が基準電圧VREFより小さければ、比較器の出力はローに留まりバッテリセル12は過充電されない。
【0023】
前記過電圧(VOV)電圧限界は次の数式2に示されるように決定される。
【数2】
OV=VREF×{R50/(R50+R48+R46)}
【0024】
スイッチ56が依然として過電圧をチェックするようセットされていることにより、制御信号セレクト0およびセレクト1はマルチプレクサ34および42のD2入力を選択しノード36の電圧を抵抗46の頭部側にかつノード38の電圧を抵抗50の底部側に通過させる。比較器52は上に述べたようにバッテリセル14の過電圧チェックを行う。この処理はマルチプレクサ34および42のD3入力の選択へと反復されノード38の電圧を抵抗46の頭部側にかつノード40の電圧を抵抗50の底部側に通過させる。比較器52はバッテリセル16の過電圧チェックを行う。制御信号セレクト0およびセレクト1は最後にマルチプレクサ34および42のD4入力を選択してノード40における電圧を抵抗46の頭部側にかつノード22の電圧を抵抗50の底部側に通過させる。比較器52はバッテリセル18の過電圧チェックを行う。もし4つより少ないセルがPROG1およびPROG2入力によってプログラムされれば、非選択の、短絡されたセルはマルチプレクサ34および42によってサンプルされない。
【0025】
バッテリ充電制御回路10は1つのバッテリセルの過電圧、すなわち過充電、状態を検出したとき、それはそのバッテリセルに対しそれを他のバッテリセルの状態と比較した直後に放電機能を開始する。この放電機能は次のように動作する。もしバッテリパックが両立性ある(compatible)充電器に置かれ、かつもし1つのバッテリセルが過電圧状態にあることが判定されれば、充電トランジスタ26は「オフ」となりかつ放電トランジスタ24は「オン」となる。クロック64は動作し続けかつバッテリバランス化モードがイネーブルされる。もしバッテリセル12が過電圧状態にあり、一方バッテリセル14,16および18が過電圧状態になければ、制御回路32のステータス入力はそれを他のバッテリセルの状態と比較した直後にBAT4制御回路出力を作動させる。(activates)。BAT4信号はトランジスタ212、すなわち、放電回路、を「オン」にし、バッテリセル12を抵抗220と直列のトランジスタ212の「オン」電圧の組合わせによって制限される速度で放電させる。
【0026】
バッテリセル12はバッテリ電圧が所定のレベルに放電されるまで測定され続ける。該所定のレベルは、第2のサンプリングサイクルで開始する、ヒステリシス電流IHYSTを抵抗46,48および50を備えた抵抗ネットワークに通すことによって確立される。IHYSTを抵抗46,48および50の間に挿入することによって発生される電圧VHYSTは人工的にノード54における電圧を上昇させる。第2のサンプリングサイクルの間に、比較器52の非反転入力に現れる電圧はバッテリセルにかかる実際の電圧に抵抗46,48および50の並列組合わせを通してIHYSTを流すことによって生成される電圧を加えたものに等しい。従って、バッテリはその電圧が、比較器52の非反転入力においてセットされる、過電圧限界からIHYSTによって生成される電圧降下を減算した値に到達するまで引き続くサイクルにおいて放電し続ける。図1に示される、IHYSTは1.40マイクロアンペアである。VHYSTは抵抗46,48および50に応じて所望の過電圧しきい値ヒステリシスを与えるために調整できる。
【0027】
VHYSTは次の数式3に示されるように決定される。
【数3】
VHYST=IHYST×[R50‖(R48+R46)]
【0028】
OVより低い電位を有するバッテリセルはすべての過電圧のバッテリセルがVOVマイナスVHYSTの電圧に放電された後にのみ充電できるようになる。いったんおのおののバッテリセルが過電圧に対し直列的にサンプルされると、制御信号セレクト0およびセレクト1はマルチプレクサ34および42のD1入力を選択するよう循環し戻る。スイッチ56は過小電圧(under−voltage)障害をチェックするため比較器52の非反転入力にノード54を接続するよう切り替わる。ノード54の電圧はバッテリセル12の電圧を、抵抗48と抵抗50を加えたものを抵抗46,48および50によって除算した抵抗分圧比によって低減されたものである。もしノード54の電圧が前記基準電圧VREFより小さければ、比較器52の出力はローになって過小電圧障害を示す。あるいは、もしノード54の電圧が前記基準電圧VREFより大きければ、比較器52の出力はハイに留まりバッテリセル12のための適切な動作を指示する。過小電圧をチェックする処理はセレクト0およびセレクト1制御信号がD2〜D4のマルチプレクサ入力を選択するよう循環するに従ってバッテリセル14,16および18に対して繰り返される。
【0029】
過小電圧のバッテリセルを示す、比較器52からのステータス出力信号はUV_クロック信号によってUV論理回路62へとクロック入力される。UV論理回路62は放電トランジスタ24をターンオフする。UV論理回路62の出力はまたクロック回路64を介してSYSCLKを制御する。もし過小電圧のセルが比較器52によって測定されれば、クロック回路64はUV論理回路62によってディスエーブルされ、バッテリ充電制御回路10を低電流スリープモードで動作させる。充電トランジスタ26はOV論理回路60の作用によりオン状態に維持される。放電トランジスタ24のバックゲートはバッテリパックを通り、充電トランジスタ26を通り電源導体PACK−への充電経路を完成させるために使用される。もしパック検知回路240がトランジスタ24のバックゲートに電流を検知すれば、UV論理回路62はリセットされかつクロック回路64がイネーブルされる。
【0030】
過小電圧バッテリセルは該バッテリセルがVOVによってセットされる電位に到達するまで充電される。リチウムイオンバッテリに対するセルごとの受入れ可能な電圧範囲は2.5ボルト〜4.2ボルトである。リチウムポリマバッテリに対するセルごとの受入れ可能な電圧範囲は1.8ボルト〜3.0ボルトである。
【0031】
前記過電圧VUV電圧限界は次の数式4によって決定される。
【数4】
UV=VREF×{(R50+R48)/(R50+R48+R46)}
【0032】
別の実施形態では、前記処理は次のバッテリセルに移る前におのおののバッテリセルに関して過電圧および過小電圧の双方に対してサンプルを行うことができる。本発明の1つの重要な観点は過電圧および過小電圧に対する各バッテリセルの直列的なサンプリングである。以上の説明から、バッテリ充電制御回路10は1度に1つのバッテリセルをチェックしてバッテリパック内の各セルに対する適切な安全および最適な動作寿命条件を保証する。
【0033】
他のあり得る問題はバッテリパックがバッテリ充電器から切り離されたときに生じるいずれか1つのバッテリセルについての過小電圧状態である。該過小電圧はバッテリパックが過小電圧のバッテリセルの過放電を防止するためにディスエーブルすることができるように検出されなければならない。いったんおのおののバッテリセルが過電圧に対して直列的にサンプルされると、該バッテリパックは次に過小電圧のバッテリセルについてサンプルされる。もし過小電圧のバッテリセルが比較器52の出力で検出されれば、ステータス信号がUV論理回路62へとクロック入力される。UV論理回路62はノード45を論理ゼロに引き込み、従って放電トランジスタ24をターンオフしかつさらにクロック64をディスエーブルする。SYSCLK出力はその結果ディスエーブルされ、制御回路32をパワーダウンする。ノード45における論理ゼロはまたUV論理62およびOV論理60に関連するチャージポンプ回路(図示せず)をディスエーブルする。チャージポンプ回路はパワーダウンされるが、該チャージポンプの出力に大きな容量が配置されチャージポンプによってドライブされる論理回路への電力を維持する。該容量は所定の時間の間回路データが有効であるように選択される。
【0034】
従って、本発明の利点として、過小電圧のバッテリセルの容量がバッテリセル充電回路10の作用によって低下することはない。
【0035】
本発明の他の実施形態では、バッテリパックをいつバッテリ充電器内に入れるかを決定することが重要である。さらに、バッテリ充電器はバッテリパックにおいて使用されているバッテリセル技術と両立することが重要である。もしリチウムイオンのバッテリパックがニッケルカドミウムのバッテリパックを充電するよう設計されたバッテリ充電器に入れられれば、ニッケルカドミウム充電器の高い充電レートはリチウムイオンのバッテリパックに対して破壊的であることが分かる。再び図1を参照すると、過電流検出回路35および過電流論理回路37が示されている。電流検知抵抗11は、バッテリ充電制御回路10がリチウムイオンバッテリの充電器に入れられた場合に最大16.0ミリボルトとなるよう設計される。該バッテリ充電器のためのターミナル接点は電源導体20(PACK+)および電源導体30(PACK−)である。
【0036】
過電流検出器35は充電または放電電流をサンプルするために使用される抵抗11とカレントミラー(図10)の形式にすることができる。反映される(Mirrored)電流は過電流論理回路37の入力と両立する論理レベル出力を提供する。同様に、過電流検出器35の第2の出力は過小電圧論理回路62のセット(SET)入力に向けられている。該セット入力は放電トランジスタ24のゲートがバッテリパックが短絡回路となっている状態の間の電流経路を中断するためローに引かれるようにする。あるいは、過電流検出器35は電圧比較器(図示せず)の形式ものとすることができる。
【0037】
バッテリセルの充電の間に、過電流検出器35は電流検知抵抗11における電圧降下を検知する。もし該電圧降下が16.0ミリボルトを超えれば、過電流充電状態が指示され、かつ論理“1”の信号が過電流論理回路37への入力に送られる。結果として生じる信号の論理“1”の信号は過電流論理回路37の出力からトランジスタ41のゲートに供給される。トランジスタ41はターンオンしかつバッテリ充電器(図示せず)内に収容された外部プルアップ抵抗(図示せず)がリチウム技術のバッテリパックを完全に充電されたニッケル技術のバッテリパックと見るようにさせる。ニッケル技術のバッテリセルにおいては、サーミスタがしばしばセル内に含まれておりかつ該サーミスタ出力をローに引くことにより充電の終了のために使用される。ローのサーミスタ出力は、ニッケル技術のバッテリにおいて、充電電流が低減されるようにする。低減された充電電流のレベルはニッケルタイプの充電器に置かれたリチウムセルにとってより受入れ可能なものである。過電流論理回路37はバッテリ充電器がトランジスタ41のターンオンに応答するのに3秒間待機する。もしバッテリ充電器が電源導体20に流れ込む電流を、電流検知抵抗11にかかる電圧降下が16.0ミリボルトより小さくなるようなレベルまで低減すれば、充電トランジスタ26は「オン」状態に留まる。充電トランジスタ26はこのようにしてバッテリパックが低減されたトリクル充電電流によって充電できるようにする。もし3秒の後、電流検知抵抗11における電圧降下が16.0ミリボルトより大きければ、過電流論理37は論理“1”のSET CHG信号を出力し、ノード44が論理ゼロにドライブされるようにし、充電トランジスタ26をターンオフする。バッテリパックの充電はこのようにして中止される。
【0038】
図2に移ると、過電圧論理回路60がさらに詳細に示されており、該過電圧論理回路60は比較器52の出力からステータス信号を受けるよう結合されたデータ入力を有するフリップフロップ70を含んでいる。ORゲート72はOVクロック信号を受けるための第1の入力およびフリップフロップ70のQ出力に結合された第2の入力を有する。フリップフロップ70はそのリセット入力における論理ゼロのスタート(START)制御信号によってリセットされる。フリップフロップ70のQ出力はさらにイネーブル制御信号によってクロッキングされるフリップフロップ74のデータ入力に結合されている。フリップフロップ74のQ出力はOV信号出力の信号を提供しかつNORゲート39の入力に結合されている。NORゲート39はOI論理回路37からSET CHG信号を受けるよう接続された第2の入力を有する。NORゲート39の出力はトランジスタ78のゲートにかつインバータ75の入力に接続されている。インバータ75の出力はトランジスタ76のゲートに接続されている。トランジスタ76および78のソースはグランド電位で動作するノード22に接続されている。トランジスタ76のドレインはノード82においてトランジスタ80のドレインに接続されている。トランジスタ78のドレインはノード86においてトランジスタ84のドレインに接続されている。トランジスタ80および84のゲートは、それぞれ、ノード86および82に接続されている。トランジスタ80および84のソースはチャージポンプ88の出力に接続されている。チャージポンプ88はノード38から3.6〜8.4ボルトにおよぶ入力電圧を受け、かつ10.0〜12.0ボルトの間で動作する出力電圧VPUMPを提供する。トランジスタ90のゲートはノード82に接続され、一方トランジスタ92のゲートはノード86に接続されている。トランジスタ90および92のソースはチャージポンプ88から前記VPUMP電圧を受ける。トランジスタ90のドレインはトランジスタ94のドレインにかつトランジスタ96のゲートに接続されている。トランジスタ92のドレインはトランジスタ94のゲートにかつトランジスタ96のドレインに接続されている。トランジスタ94および96のソースは電源導体30に接続されている。トランジスタ92および96のドレインの相互接続は充電(CHARGE)制御信号をトランジスタ26のゲートに提供する。
【0039】
過電圧論理回路60の動作は次のように行われる。「スタート」制御信号がフリップフロップ70をリセットする。該「スタート」制御信号は図4のカウンタ116からのC12ビットである。比較器52からの「ステータス」信号が論理“1”であり過電圧障害を示しているものと仮定すると、OV_クロック信号はこの論理“1”をフリップフロップ70のQ出力においてラッチする。ORゲート72の出力は論理“1”に移行しかつフリップフロップ70へのさらなるOV_クロック信号をディスエーブルする。従っていずれか1つのセルにおける過電圧状態はフリップフロップ70のQ出力にラッチされて引き続くバッテリセルのいずれか他のステータスチェックによってすでに検出された過電圧状態をオーバライドすることが防止される。制御回路32からの「イネーブル」制御信号はフリップフロップ70のQ出力からの論理“1”をフリップフロップ74にラッチさせる。該「イネーブル」制御信号はおのおののバッテリセル12〜18の過電圧チェックの後に肯定される。フリップフロップ74のQ出力における論理“1”はNORゲート39の出力を論理ゼロに移行させ、トランジスタ78のゲートをローに引かせる。トランジスタ78はターンオフし、ノード86がハイに移行できるようになる。NORゲート39の出力における論理ゼロはインバータ75の出力において反転され、トランジスタ76のゲートを論理“1”に引かせる。トランジスタ76はターンオンしかつノード82をローに引き込みトランジスタ84をターンオンさせかつノード86をハイに引く。フリップフロップ74の*Q出力における論理ゼロはトランジスタ78をターンオフさせノード86をハイに移行できるようにする。トランジスタ80はノード86のハイの信号のためオフである。ノード82のローの電圧はトランジスタ90をターンオンさせ、かつトランジスタ96のゲートをVPUMP電圧に向けてハイに引く。トランジスタ96はターンオンしかつ「充電」制御信号をローに引く。ノード86のハイの電圧のためトランジスタ92はオフである。トランジスタ94および26はローの「充電」制御信号によりターンオフする。従って、検出された過電圧状態によってトランジスタ26が非導通になり、それによって電源導体20および30の間の導電経路を切断しかつバッテリセル12〜18への充電を中断させる。なお、ここで記号*は信号の論理的否定を示す。
【0040】
あるいは、トランジスタ70のQ出力においてラッチされた論理ゼロの「ステータス」信号はバッテリセルの有効なステータスチェックを指示する。該論理ゼロは前記「イネーブル」制御信号がバッテリセルを介して各サイクルの完了時に肯定されたときにフリップフロップ74にラッチされる。もし過電流状態がOI論理回路37によって検出されなければ、SET CHG信号は論理ゼロのレベルにある。フリップフロップ74のQ出力における論理ゼロおよび論理ゼロのSET CHG信号は、NORゲート39の出力を論理“1”に強制しトランジスタ78をターンオンしかつノード86をローに引いてトランジスタ80および92をターンオンさせる。NORゲート39の出力における論理“1”はインバータ75の出力で論理ゼロに半転され、トランジスタ76をターンオフしかつノード82がハイに移行できるようにし、それによってトランジスタ84および90をターンオフする。前記「充電」制御信号はハイになりトランジスタ94をターンオンしかつトランジスタ96をディスエーブルする。ハイの「充電」制御信号はまたトランジスタ26をイネーブルしかつ電源導体20および30の間の導電経路がバッテリセル12〜18の充電ができるようにする。
【0041】
OI検出回路35が検知抵抗11における過電流状態を検出しかつ充電器がトランジスタ41のノード43における論理ゼロのレベルに応答しなければ、SET CHG信号が論理“1”に強制され、かつNORゲート39の出力を論理ゼロ状態にする。トランジスタ26のゲートへの「充電」信号は従ってディスエーブルされ、電源導体20および30の間の導電経路を中断しかつバッテリセル12〜18への充電電流を中断する。
【0042】
図3においては、過小電圧論理回路62はインバータ102によって反転された比較器52からの「ステータス」出力信号を受けるデータ入力を有するフリップフロップ100を含むものとして示されている。ORゲート104はUV_クロック信号を受ける第1の入力およびフリップフロップ100のQ出力に結合された第2の入力を有する。フリップフロップ100はパック検知240からそのリセット入力に加えられる論理ゼロのCHG DETによってリセットされる。
フリップフロップ100のQ出力はさらにフリップフロップ101の「データ(DATA)」入力に結合されている。フリップフロップ101の「セット(SET)」入力は過電流検出回路35から過放電電流検出信号を受ける。フリップフロップ101はそのクロック入力に制御回路32からの「*イネーブル(*ENABLE)」信号を受ける。フリップフロップ101のQ出力はトランジスタ108のゲートに接続され、一方フリップフロップ101の*Q出力はトランジスタ110のゲートに接続されている。トランジスタ108および110のソースはノード22に接続されている。トランジスタ108のドレインはトランジスタ112のドレインにかつトランジスタ114のゲートに、さらにトランジスタ24のゲートに接続されている。トランジスタ108および112は「放電(DISCHARGE)」制御信号を制御する。トランジスタ110のドレインはトランジスタ114のドレインにかつトランジスタ112のゲートに接続されている。トランジスタ112および114のソースは充電ポンプ88から前記VPUMP電圧を受ける。
【0043】
過小電圧論理回路62の動作は次のように行われる。比較器52の出力における論理ゼロの「ステータス」信号はバッテリセルに対するサンプルされた過小電圧状態を示す。該論理ゼロはインバータ102によって反転されかつ次のUV_クロック信号の間に論理“1”としてフリップフロップ100にラッチされる。
フリップフロップ100のQ出力における論理“1”はORゲート104の出力において論理“1”を生成し、かつさらにUV_クロック信号がフリップフロップ100に到達するのを抑止する。フリップフロップ100のQ出力における論理“1”は制御回路32からの論理“1”の「*イネーブル」クロック信号の印加に応じてフリップフロップ101のQ出力に伝達される。論理“1”の「*イネーブル」信号はすべてのバッテリセル12,14,16および18が過小電圧状態についてサンプルされた後に発生する。フリップフロップ101のQ出力からの論理“1”はトランジスタ108をターンオンしかつ「放電」制御信号をローに引きトランジスタ114をターンオンさせる。トランジスタ112はトランジスタ114のドレインにおけるハイの信号によってオフとなる。従って、検出された過小電圧状態によって前記「放電」制御信号がローにセットされかつトランジスタ28をターンオフして電源導体20および30の間の導電経路を切断しかつバッテリ12〜18を外部システムから隔離する。
【0044】
あるいは、サンプリングシーケンスに続く比較器52の出力における論理“1”の「ステータス」信号はフリップフロップ100のQ出力に論理ゼロをラッチする。フリップフロップ100のQ出力における論理ゼロは制御回路32からの論理“1”の「*イネーブル」クロック信号の印加に応じてフリップフロップ101のQ出力に伝達される。該論理“1”の「*イネーブル」信号はすべてのバッテリセル12,14,16および18が過小電圧状態についてサンプルされた後に生じる。フリップフロップ101のQ出力の論理ゼロはトランジスタ108のゲートに加えられかつトランジスタ108をターンオフさせる。フリップフロップ101の論理“1”の*Q出力はトランジスタ110をターンオンし、かつ次にトランジスタ112が「放電」制御信号をVPUMP電圧に向けてハイに引くようにさせる。トランジスタ114はこのハイの「放電」制御信号によってオフとなる。トランジスタ24は導通してバッテリパックの通常の動作のために電源導体20および30の間の導電経路をイネーブルまたは使用可能にする。
【0045】
再び図3を参照すると、バッテリパックが負荷を有する状態におかれ、かつ図1の抵抗15を通して過剰な放電電流が検出された場合、過電流検出回路35の出力に論理“1”信号を発生する。この論理“1”信号はフリップフロップ101の「セット」入力に加えられ、フリップフロップ101のQ出力に論理“1”を生じさせかつフリップフロップ101の*Q出力に論理ゼロを生じさせる。フリップフロップ101のQ出力における論理“1”はトランジスタ108のゲートに加えられ、トランジスタ108をターンオンしかつトランジスタ24のゲートがローに引かれるようにし、トランジスタ24をターンオフして電源導体20および30の間の導電経路を切断しかつバッテリセル12〜18を外部システムから隔離する。
【0046】
従って、本発明の一実施形態として、過小電圧論理回路(under−voltage logic circuit)62はバッテリセルのステータスを監視しかつもしいずれか1つのバッテリセルが過小電圧であると判定されれば放電トランジスタ24をディスエーブルする。放電トランジスタ24はバッテリパックがバッテリ充電器に入れられ、かつバッテリセルの充電プロセスがバッテリセルと両立する充電電流によって開始されるようなときまでオフ状態に維持される。
【0047】
図4を参照すると、制御回路32の一部、すなわち制御回路32Aが示されている。制御回路32Aはカウンタ116、MUX選択部130、バッテリ選択論理159、イネーブル信号論理、UV_クロック論理、およびOV_クロック論理を含む。カウンタ116は11.0KHzで動作するシステムクロックSYSCLKを受けるためのクロック入力を有する14ビットのカウンタである。カウンタ116はC0〜C13と名付けられた出力を含み、この場合C0はカウンタ116の最下位ビット(least signiticant bit)である。出力C3〜C13はNORゲート132の入力に結合されて「イネーブル」出力信号を提供する。NORゲート132の出力はインバータ131の入力に結合されて該インバータ131の出力に「*イネーブル」信号を提供する。この「*イネーブル」信号はUV論理62の入力に結合される。「イネーブル」信号は図1のマルチプレクサ34および42のイネーブル入力、図2のDフリップフロップ74のクロック入力、およびマルチプレクサ選択部130の入力に加えられる。NANDゲート134はカウンタ116の*C2出力を受けるよう結合された第1の入力、およびインバータ135の出力に結合された第2の入力を有する。インバータ135の入力はSYSCLKを受ける。NANDゲート134の出力は図1のUV論理回路62にUV_クロック信号を提供する。NANDゲート136はカウンタ116からの出力C2に結合された第1の入力、およびインバータ135の出力に結合された第2の入力を有する。NANDゲート136の出力はOV_クロック信号をバッテリ選択論理159にかつOV論理回路60に提供する。マルチプレクサ選択部130はカウンタ116からC0およびC1信号を受ける。マルチプレクサ選択部130はまたPROG1およびPROG2の2進エンコード信号を受ける。PROG1およびPROG2信号は表1に示されるようにユーザによってプログラムされる。マルチプレクサの出力B0,*B0,B1および*B1は、OV_クロック信号とともに、バッテリ選択論理159のためのエンコーディング(encoding)を提供する。マルチプレクサ出力B0,*B0,B1,*B1、およびOV_クロック信号はNANDゲート138,140,142および144を介してフリップフロップ146,148,150および160に結合され、バッテリ選択論理159をエンコードするための必要な論理を提供する。
【0048】
再び図4を参照すると、カウンタ116の出力C0〜C13はそれぞれANDゲート115の入力に結合されている。ANDゲート115の出力は「低速クロック(SLOW CLOCK)」信号である。
【0049】
「低速クロック」信号期間を計算するための公式は次の数式1に示されている。
【数1】
期間=2Cn/fCLK
【0050】
この場合、fCLKはCLKの周波数であり、かつCnはカウンタ116のビット数である。図4の回路に対しては、fCLKは11.0KHzであり、かつCnは14ビットであり、1.5秒の期間となる。クロック回路64はRC発振回路(図示せず)である。コストおよび集積回路化の要因のためRC発振回路が選択された。水晶発振器およびリング発振器を含む、他の形式のクロック回路も同様に使用できる。
【0051】
図4の過電圧および過小電圧デコードの動作が図8のテーブルに示されている。測定値OV12はバッテリセル12の過電圧チェックを示しており、測定値OV14はバッテリセル12の過電圧チェックを示しており、以下同様である。測定値UV12はバッテリセル12の過小電圧チェックを示しており、測定値UV14はバッテリセル14の過小電圧チェックを示しており、以下同様である。カウンタ116は論理ゼロによって初期化され、かつオール“1”に到達するまでシステムクロックCLKによってカウントアップされ、オール“1”の時点でオールゼロに戻る。図8においては、C0,C1およびC2はカウンタ116の3つの下位ビットを表している。「イネーブル」は制御回路32からの出力信号である。S0およびS1はセル測定の選択をデコードするために使用されるマルチプレクサ34および42への論理入力である。例えば、S0=0およびS1=0はOV12に対するセル測定を示す。OV_CLKおよびUV_CLKは制御回路32から出力される過電圧および過小電圧クロック信号である。
【0052】
図5を参照すると、制御回路32のMUX選択回路130のためのロジックが示されている。NANDゲート162,164,166および168は、それぞれ、信号PROG1,PROG2,C0およびC1を受けるよう結合されている。「イネーブル」信号が同時にNANDゲート162,164,166および168のおのおのの第2の入力によって受信される。MUX選択部130はこれら受信信号をエンコードしかつ出力信号「セレクトゼロ(SELECT 0)」、「*セレクトゼロ(*SELECT 0)」、「セレクト1(SELECT 1)」および「*セレクト1(*SELECT 1)」を提供する。マルチプレクサ34および42はこれら「セレクトゼロ」、「*セレクトゼロ」、「セレクト1」および「*セレクト1」信号をS0およびS1入力に受信する。該信号S0およびS1は、図8を参照して後に説明するように、デコードされて過電圧または過小電圧測定に対する特定のバッテリセルの選択を可能にする。
【0053】
次に図6を参照すると、放電選択回路154,156,158および160のためのデコード論理カルナウマップ(Karnaugh maps)190が示されている。カルナウマップ190は4つのセルのバッテリパックに対応している。BAT1 192,BAT2 194,BAT3 198およびBAT4 196は、それぞれ、図4の放電選択回路160,158,156および154の、それぞれ、論理入力OV1,OV2,OV3およびOV4の論理出力表現である。デコード論理のカルナウマップ190を見ることにより、所望のBAT1,BAT2,BAT3およびBAT4信号を生成するために論理回路が構成できる。論理カルナウマップ190は、他のセルが過電圧状態にない場合に過電圧のバッテリセルを放電して該過電圧のセルをバランスした状態にするためのデコード信号を提供するのに使用される。
【0054】
図7を参照すると、ヒステリシス回路200が示されている。ヒステリシス回路200は図1の制御回路32内に含まれている。NORゲート210は、それぞれ、NANDゲート202,204,206および208の出力に接続された4つの入力を有する。NANDゲート202は図4の放電選択部160からのBAT1信号を受けるための入力を有する。NANDゲート202はまた制御回路32から*S0および*S1信号を受けるための入力を有する。NANDゲート204は図4の放電選択部158からBAT2信号を受けるための入力を有する。NANDゲート204はまた制御回路32からS0および*S1信号を受けるための入力を有する。NANDゲート206は放電選択部156(図4の)からBAT3信号を受けるための入力を有する。NANDゲート206はまた制御回路32から*S0およびS1信号を受けるための入力を有する。NANDゲート208は図4の放電選択部154からBAT4信号を受けるための入力を有する。NANDゲート202はまた制御回路32からS0およびS1信号を受けるための入力を有する。NANDゲート202,204,206および208はそれぞれカウンタ116の*C2出力に結合された入力を有する。NORゲート210の出力はトランジスタ230のゲートをドライブする。トランジスタ230のソースは電流源228を介してノード17に接続されバッテリセル12,14,16および18から電圧を受ける。電流源228は該電流源が飽和領域に入ることなく動作するようノード17に接続されている。
【0055】
ヒステリシス回路200の動作は次のように行われる。BAT1,BAT2,BAT3およびBAT4信号はヒステリシス回路200に対しサンプルされるバッテリセルの電圧が前のサンプリング期間において過電圧状態であったか否かを示す。S0,S1,*S0および*S1信号は現在サンプルされているバッテリセル電圧に関してデコード情報を提供する。カウンタ116の*C2出力はゲート202,204,206および208の入力を介して入力されたデータの同期を可能にする。NORゲート210の出力はトランジスタ230のゲートをドライブする。過電圧のバッテリセルが引き続くサンプリング期間にサンプルされれば、ヒステリシス回路200はトランジスタ230を導通させ、IHYSTを比較器52の正の入力ノードに提供し、抵抗54,56および58にヒステリシス電圧を展開させる。1.40マイクロアンペアの電流が前記ヒステリシス電圧VHYSTを発生するのに使用される。
【0056】
次に図9を参照すると、パック検知回路240の詳細が示されている。パック検知回路240はバッテリ充電器へのバッテリ充電制御回路10の接続の存在およびトランジスタ26のゲートにおける「ステータス」信号の存在を検知し、バッテリ充電制御回路10がスリープモードにあることを指示する。トランジスタ242のゲートはノード44に接続されている。トランジスタ242のソースはトランジスタ258のベースに接続されている。トランジスタ258のエミッタは抵抗260を介して電源導体30に接続されている。トランジスタ242のドレインは、グランド電位で動作する、ノード22にかつトランジスタ268のゲートに接続されている。トランジスタ268のソースは電源導体30に結合されている。トランジスタ246および248はカレントミラーとして構成される。トランジスタ248の面積はトランジスタ246の面積よりも4倍大きい。トランジスタ246のエミッタはノード22に接続されている。トランジスタ246のベースおよびコレクタとトランジスタ248のベースはいっしょに接続されている。トランジスタ248のエミッタは抵抗250を介してノード22に接続されている。トランジスタ246のコレクタはトランジスタ252のコレクタに接続されている。トランジスタ252,254および256はエミッタが共通にノード40のセル電圧に接続されてカレントミラーとして動作する。トランジスタ252,254および256のベースは共通に接続されている。トランジスタ252,254および256のベースはトランジスタ256のコレクタにかつトランジスタ258のコレクタに接続されている。トランジスタ248のコレクタはトランジスタ262のベースに接続されている。トランジスタ262のエミッタはノード22に接続されている。トランジスタ262のコレクタは抵抗264を介してノード40に接続され、かつさらに図1のUV論理回路62のリセット入力に接続されている。トランジスタ268のドレインは抵抗266を介してノード40に接続されかつさらに前記PACK STR信号を提供するよう接続されている。パック検知回路240の機能は次のように説明できる。バッテリ充電制御回路10はバッテリセル12,14,16または18の1つが許容できる過小電圧限界より低いことをサンプリングした結果としてスリープモードに置かれる。スリープモードにおいては、図1のクロック回路62が図2のチャージポンプ88とともにディスエーブルされる。バッテリ充電制御回路10がパワーアップされてバッテリ充電およびバランス処理を指令するのに必要な機能を提供するようバッテリパック、すなわち、バッテリセル12,14,16および18が過小電圧状態の再充電のためにバッテリ充電器に置かれていることを検知する必要がある。従って、バッテリセル12,14,16または18の内のいずれか1つが過小充電状態である場合にトランジスタ24はオフ状態にありかつバッテリセルのさらなる放電がトランジスタ24のゲートをロー電圧に保持することによって防止される。トランジスタ24のゲートはクロック64に結合されているから、前記ロー電圧はクロック64をディスエーブルしバッテリ充電制御回路10を強制的にスリープモードにする。
【0057】
再び図1を参照すると、バッテリパックがバッテリ充電器に置かれたとき、電源導体20および30はバッテリ充電制御回路10に接続される。電流が電源導体20から抵抗11および15を通り、バッテリセル12,14,16および18を通り、トランジスタ24のバックゲートを通り、トランジスタ26のドレイン−ソースを通り、電源導体30へと流れ始める。再び図9に戻ると、バッテリ充電制御回路10がスリープモードにあるとき、バッテリパックをバッテリ充電器内に置く前は、電源導体30はフローティング状態である。従って、トランジスタ242および258は導通しておらず、かつトランジスタ262をターンオンするためのベースドライブはトランジスタ258にとって利用できない。従って、CHG DET出力信号は論理“1”のレベルにある。バッテリ充電制御回路10を目覚めさせるための作動信号(activation signal)を提供するためにはCHG DETは論理ゼロとなってUV論理回路62をリセットしかつ図1のクロック64をイネーブルしなければならない。バッテリパックがバッテリ充電器に結合されたとき、電源導体30の電圧は、グランド電位で動作している、ノード22の電圧に関して負になる。トランジスタ242および258は導通し始め、トランジスタ252および254における電流を増大させ、トランジスタ262に十分なベースドライブを与えてそのコレクタがロー状態に遷移するようにさせる。トランジスタ262のコレクタはUV論理回路62をリセットしUV論理回路62の出力をハイ状態に変化させかつクロック64がバッテリ充電制御回路10を「目覚めさせる」ことができるようにする。バッテリ充電回路10がスリープモードにある間にパック検知回路240が充電電流の検出を試みる過程にあるときにトランジスタ242のゲートがハイにドライブされる。トランジスタ242のゲートがハイである場合は、CHG DET信号がイネーブルされ、すなわち、論理ゼロとなり、電源導体30はノード22の電圧よりトランジスタ24のバックゲート電圧降下だけ低い電圧にある。
【0058】
バッテリ充電器に置かれたバッテリパックは過電圧状態にある1つのバッテリセルを有し残りのバッテリセルは受入れ可能な電圧範囲内にあり得る。この過電圧状態は図1の過電圧論理回路60によって検知される。過電圧論理回路60は充電トランジスタ26のゲート、ノード44、を論理ゼロに引き、従ってトランジスタ26をターンオフする。再び図9を参照すると、ノード44における論理ゼロによってトランジスタ242がターンオフする。しかしながら、バッテリパックは依然としてバッテリ充電器に係合しているから、トランジスタ268のソースは電源導体30(PACK−)においてグランド電位より低い電圧にバイアスされる。電源導体30はもはやトランジスタ24のバックゲート電圧降下によってクランプされないから、トランジスタ268のゲート−ソース電圧はトランジスタ268のしきい値電圧を超えて増大する。トランジスタ268のドレイン(PACK STR)は論理ゼロ状態に低下する。このPACK STR信号は過電流論理回路37に結合される。PACK STR信号は充電トランジスタ26がオフ状態にある間にバッテリパックが充電器に結合されたかを指示する。
【0059】
従って、本発明の利点として、バッテリ充電制御回路10が低いバッテリセル電圧が検出された場合に最小の電力を消費するのみであり、かつバッテリ充電制御回路10が内部インテリジェンスを使用してバッテリ充電器における挿入が検出された後に通常の機能を再開することが理解できる。従って、バッテリ充電制御回路10は過小電圧のバッテリセルのそれ以上の劣化を加えることはない。
【0060】
本発明の別の実施形態では、バッテリのバランス機能がモールドされたバッテリパックの一部として導入される。該バッテリパックには組込みの電子インテリジェンス機能が設けられ、かつスマートバッテリとして規定される。リチウムイオンまたはリチウムポリマバッテリが使用される場合には、該リチウム技術のバッテリパックはニッケルカドミウムタイプのバッテリ充電器にプラグインすることができる。そのような場合、ニッケルカドミウムバッテリの充電器の高い充電レートはすでに充電されたリチウム技術のバッテリセルを損傷する可能性がある。本発明の過電流論理回路37はリチウム技術のバッテリパックが両立性のないバッテリ充電器に置かれたことを検出し、かつその両立性のないバッテリ充電器をトリクル充電モードで動作させる。従って、リチウム技術バッテリパックは危険な過充電から保護される。
【0061】
次に図10を参照すると、過電流検出器35が示されている。トランジスタ276および278はカレントミラーとして構成され、ベースは共通にトランジスタ278のコレクタに接続されかつエミッタは共通にグランド電位で動作するノード22に接続されている。トランジスタ276のエミッタ面積はトランジスタ278のエミッタ面積の2倍である。電流源288はノード17とトランジスタ278のコレクタの間に接続されている。トランジスタ276のコレクタは過電流論理回路37の入力に結合されかつさらにトランジスタ272のコレクタに結合されている。トランジスタ272および274はカレントミラーとして構成され、ベースが共通にトランジスタ274のコレクタに接続されている。トランジスタ274のコレクタはトランジスタ280のコレクタにかつトランジスタ294のベースに接続されている。トランジスタ272のエミッタは電源導体20に接続されている。トランジスタ274のエミッタはノード13に接続されている。電流検知抵抗11は電源導体20とノード13の間に接続されてバッテリセル充電回路10のための電流検知要素を提供する。電流検知抵抗15はノード13とノード17との間に接続されている。電流抵抗11の値は20.0ミリオームでありかつ電流検知抵抗15の値は20.0ミリオームである。トランジスタ280および282はカレントミラーとして構成され、ベースが共通にトランジスタ282のコレクタに接続され、かつエミッタが共通にノード22に接続されている。電流源290はノード17とトランジスタ282のコレクタの間に接続されている。トランジスタ284および286はカレントミラーとして構成され、ベースが共通にトランジスタ286のコレクタに接続され、かつエミッタが共通にノード22に接続されている。電流源292はノード17とトランジスタ286のコレクタとの間に接続されている。トランジスタ284のコレクタはトランジスタ294のコレクタに接続されかつ過小電圧論理回路62の「セット」入力に接続されている。トランジスタ284のエミッタ面積はトランジスタ286のエミッタ面積より10倍大きい。電流源288,290および292は整合され、それぞれの電流源に等しい電流が流れる。トランジスタ272,274,276,278,280,282,284,286,288,290,292および294はMOSデバイスとすることができる。
【0062】
過電流検出器270の動作は次のように行なわれる。もし電源導体20から電流検知抵抗11をとおって流れる電流が16.0ミリボルトより小さいかまたは等しい電圧降下を生じれば、過電流論理回路37に提供される信号は論理ゼロでありかつ過小電圧論理回路62の「セット」入力に提供される信号は論理ゼロである。もし電源導体20から電流検知抵抗11をとおって流れる電流が16.0ミリボルトより大きな電圧降下を発生すれば、過電流論理回路37に提供される信号は論理“1”である。電源導体20から電流検知抵抗11をとおって流れる電流が16.0ミリボルトより大きいことはバッテリパックがバッテリ充電器に入れられかつ充電電流の大きさが抵抗11によって設定された電流限界より大きいことを示す。電流検知抵抗11における電圧降下が充電処理の間に16.0ミリボルトより小さいかまたは等しいことはバッテリセルの充電電流がリチウム技術のバッテリパックに対して受け入れ可能な範囲内にあることを示す。もし前記電圧降下が16.0ミリボルトより大きければ、過電流状態が指示されかつバッテリ充電制御回路10は充電電流をトリクル電流に低減する信号をバッテリ充電器に与える。
【0063】
あるいは、バッテリセルに流れる電流はトランジスタ24および26における電圧降下の関数として測定できる。
【0064】
バッテリパックが負荷に電力を提供するために使用されている場合は、電流検知抵抗15をとおり電源導体20に電流が流れる。もし電流検知抵抗15をとおり電源導体20に流れる電流が60.0ミリボルトより大きければ、過小電圧論理回路62の「セット」入力に与えられる信号は論理“1”である。60.0ミリボルトより小さいかまたは等しい電流検知抵抗15の電圧降下はバッテリセルがリチウム技術のバッテリパックに対して受け入れ可能な電流範囲内で放電されていることを示す。もし前記電圧降下が60.0ミリボルトより大きければ、過放電状態が指示されかつバッテリ充電制御回路10はバッテリパックからの電力排出を低減するため充電−放電バランス回路をパワーダウンする。
【0065】
次に図11を参照すると、過電流論理回路37の詳細が示されている。バッテリセル電圧V1はフリップフロップ300,304,312および332の「データ(DATA)」入力に結合されている。バッテリセル電圧V1は図1のノード40とノード22との間の電圧でありかつフリップフロップ300,304,312および332の回路と両立する電圧となるよう選択され、かつ前記フリップフロップのそれぞれの「データ」入力への論理“1”信号を表わす。図1の過電流検出回路35の出力はフリップフロップ300の「クロック」入力にかつインバータ336の入力に結合されている。フリップフロップ300のQ出力はNORゲート318の1つの入力にかつNANDゲート322の1つの入力に結合されている。フリップフロップ300の*Q出力はNORゲート302の第1の入力に結合されている。NORゲート302の第2の入力は図1の制御回路32の「低速クロック」信号出力に結合されている。「低速クロック」信号はまたNORゲート330の入力に結合されている。「低速クロック」はSYSCLKの派生物でありかつほぼ1秒の期間を有する。NORゲート302の出力はフリップフロップ304,306および308の「クロック」入力に共通に接続されている。フリップフロップ304のQ出力はフリップフロップ306のD入力にかつNANDゲート322の第2の入力に接続されている。フリップフロップ306のQ出力はフリップフロップ308のD入力にかつNANDゲート322の第3の入力に接続されている。フリップフロップ308のQ出力はNANDゲート322の第4の入力に接続されている。NANDゲート322の出力はインバータ324の入力に接続されている。インバータ324の出力はNANDゲート326の入力に接続されている。NANDゲート326の他の入力は図1のパック検知回路240からのPACK STR信号を受けるよう結合されている。NANDゲート326の出力はインバータ328の入力に接続されている。インバータ328の出力は共通にフリップフロップ332および334のリセット入力に接続されている。フリップフロップ332のCLK入力はNORゲート330の出力にかつフリップフロップ334のCLK入力に接続されている。フリップフロップ332のQ出力はフリップフロップ334の「データ」入力に接続されている。フリップフロップ334の*Q出力はNANDゲート314の入力に接続されている。NANDゲート314(図示せず)の第2の入力は試験の目的に利用できる。NANDゲート314の出力はインバータ316の入力に結合されている。インバータ316の出力はフリップフロップ300,304,306,308および312のリセット入力に接続されている。NORゲート310の入力はインバータ336の出力に接続されている。NORゲート310の他の入力はフリップフロップ308の*Q出力にかつNORゲート330の第2の入力に接続されている。NORゲート310の出力はフリップフロップ312の「クロック」入力に接続されている。フリップフロップ312のQ出力はSET CHG信号を図1のNORゲート39に提供する。NORゲート318の第2の入力は図1の過電流論理回路37からのOV信号を受けるよう接続されている。NORゲート318の出力はインバータ320の入力に接続されている。インバータ320の出力はトランジスタ41のゲートに接続されている。トランジスタ41のソースは、グランド電位で動作する、ノード22に接続されている。トランジスタ41のドレインはノード43に接続されている。
【0066】
再び図11を参照すると、過電流論理回路の動作は次のように行なわれる。フリップフロップ334によってフリップフロップ300,304,306,308および312の「リセット」入力に与えられるフィードバックは該フリップフロップの全てのQ出力を論理ゼロにドライブする。インバータ324の出力は次にフリップフロップ332および334を論理ゼロ状態にドライブし、したがって過電流論理回路37をリセットする。この論理ゼロによってフリップフロップ332および334はリセットモードで動作するようにされ、フリップフロップ334の*Q出力が論理“1”となる。したがって、フリップフロップ332および334はバッテリパックが充電器にある場合に、過電流論理回路37に対し何らの影響も持たない。バッテリパックがバッテリ充電器に置かれたときに過電圧状態が検出されれば、論理“1”が前記OV信号を介してNORゲート318の入力に供給される。バッテリパックがバッテリ充電器に置かれたときに過電流状態が検出されれば、「OI検出(OI DETECT)」出力からの信号が論理“1”に上昇し、V1信号をフリップフロップ300のデータ入力にクロック入力し、該フリップフロップのQ出力を論理“1”に引かせる。この論理“1”はNORゲート318の第2の入力に供給される。NORゲート318のいずれの入力における論理“1”もトランジスタ41のゲートをハイにさせ、かつ次に、トランジスタ41のドレインをノード43において論理ゼロに強制する。ノード43における論理ゼロは外部バッテリ充電器にバッテリ充電器の充電電流がバッテリパックのバッテリセルの損傷を防止するために低減される必要があることを示す。もし過電流状態が持続すれば、トランジスタ41はバッテリパックがバッテリ充電器から除去されまでオン状態に維持される。
【0067】
もし過電流充電状態が続けば、過電流論理回路37の動作は次のように行なわれる。過電流検出器の出力からの信号は過電流状態が持続する限りハイに留まっている。V1信号がフリップフロップ300のQ出力にクロック入力されると、フリップフロップ300の*Q出力はゼロの論理状態に強制される。*Q出力の論理ゼロ状態はNORゲート302が前記「低速クロック」をフリップフロップ304,306および308の「クロック」入力にわたすことができるようにする。フリップフロップ304,306および308のQ出力は論理“1”のレベルへと順次遷移しかつフリップフロップ304の「データ」入力とフリップフロップ308の*Q出力との間で時間遅延を生じさせる。前記OI検出出力信号は依然として論理“1”であり、バッテリ充電器からの充電電流が過電流状態に留まっていることを示していれば、インバータ336はNORゲート310の第2の入力を論理ゼロに強制し、フリップフロップ312の入力において「クロック」の遷移を生じさせる。フリップフロップ312のQ出力は論理“1”状態にドライブされかつSET CHG信号は図1のOV論理回路60に伝達されかつトランジスタ26のゲートをローに引き、したがって電源導体20および30の間の導電経路をディスエーブルする。
【0068】
さらに図11を参照すると、もし前記OI検出出力信号が、前記V1信号がフリップフロップ304,306および308をとおって伝達する前に論理ゼロ状態に戻れば、NORゲート310の出力は論理ゼロ状態に強制される。前記SET CHG信号は論理ゼロ状態に留まりかつOV論理回路60がそのバッテリセルの過充電バランス機能を達成できるようにする。
【0069】
もし前記OI検出出力信号がフリップフロップ304,306および308が論理“1”でロードされた後に論理ゼロに戻れば、フリップフロップ312は論理“1”をクロッキングしない。NORゲート330は、2つの引き続く「低速クロック」パルスの後に、フリップフロップ308によってイネーブルされているから、フリップフロップ334の*Q出力は強制的に論理ゼロにされる。この論理ゼロはフリップフロップ300,304,306,308および312の「リセット」入力にNANDゲート314およびインバータ316を介して加えられ、したがって将来の過電圧および過電流充電状態を検知するために過電流論理回路37を再初期化する。したがって、本発明の過電流論理回路はバッテリパックがそのバッテリセル技術と両立しない充電電流を有するバッテリ充電器に置かれた場合にそのバッテリパックのバッテリセルを保護する。
【0070】
次に図12を参照すると、バッテリ充電制御回路10の過電流論理回路37の動作の詳細を示すタイミング図が示されている。時間ゼロ(0)において、バッテリパックがバッテリ充電器に接続される。ほぼt=1.0秒において、過電流検出回路35がバッテリパックに過電流状態が存在することを検知しかつトランジスタ41のゲートをドライブして該トランジスタ41を導通させる。ほぼt=2.8秒において、前記SET CHG信号が論理“1”状態にドライブされて充電トランジスタ26をターンオフし、これは次に図9のトランジスタ242をターンオフさせる。もし充電電流が依然として加えられていれば、PACK−、ノード30、がノード22の電圧より低い電圧レベルにドライブされてPACK STR信号が論理ゼロにドライブされるようにする。
【0071】
さらに、本発明の利点として、PACK STRが論理ゼロになっている限り、トランジスタ41のゲートおよびSET CHG出力はハイにドライブされ、したがって危険な過充電状態の可能性を防止する。
【0072】
次に図13に移ると、バッテリ充電制御回路10の過電流論理回路37の動作の詳細を示すタイミング図が与えられている。時間ゼロにおいて、バッテリパックがバッテリ充電器に接続される。ほぼ時間t=1.0秒において、過電流検出回路35はバッテリパックに過電流状態が存在することを検知しかつトランジスタ41のゲートをドライブして該トランジスタ41を導通させる。ほぼ時間t=2.8秒において、SET CHG信号が論理“1”状態にドライブされ、充電トランジスタ26をターンオフし、これは次に図9のトランジスタ242をターンオフし、PACK STR信号が論理ゼロにドライブされるようにする。
前と同様に、バッテリ充電器はPACK−、ノード30、をノード22の電圧より低い電圧に引き込む。ほぼ時間t=4.0秒において、バッテリパックがバッテリ充電器から除去されてPACK STR信号を論理“1”状態にドライブする。論理“1”のPACK STR信号は図9のフリップフロップ332および334をイネーブルし過電流論理回路37のフリップフロップ300,304,306,308および312にリセット信号をクロック入力して、バッテリ充電器への次の挿入に備えて過電流論理回路37を再初期化する。
【0073】
次に図14に移ると、バッテリ充電制御回路10の種々の動作モードを示すためにテーブルが構成されている。このテーブルから、前述のバッテリ充電制御回路10の動作がさらに明瞭に理解できるようになる。
【0074】
【発明の効果】
以上のように、本発明はバッテリパック中の全てのセルの間で等しい充電状態を維持することにより、バッテリパックの寿命を延長するセルのバランス機構を備えたインテリジェントなバッテリ充電制御回路を提供することが真に理解できるであろう。該回路はバッテリ電圧をサンプルしかつそれにしたがってバッテリパックの個々のバッテリセルの電圧特性を制御する。前記回路はバッテリパックがバッテリ充電器に置かれたことを検知しかつバッテリパックが外部の充電器からの危険なかつ破壊の可能性のある過充電電流にさらされるのを防止する。
【0075】
本発明の特定の実施形態が示されかつ説明されたが、当業者にはさらに他の修正および改善を行なうことができるであろう。本発明は示された特定の形態に限定されないことが理解され、かつ添付の特許請求の範囲はこの発明の精神および範囲から離れることのない全ての修正をカバーするものと考える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる、バッテリパックのためのバッテリ充電回路を示すブロック回路図である。
【図2】図1の回路の過電圧論理を示す電気回路図である。
【図3】図1の回路における過小電圧論理を示す電気回路図である。
【図4】図1における制御回路の放電選択論理を示すブロック回路図である。
【図5】図1の制御回路のマルチプレクサ選択論理を示す電気回路図である。
【図6】図5における放電選択ブロックの論理機能を示す1組の論理テーブルの説明図である。
【図7】図1における制御回路のヒステリシス回路を示す電気回路図である。
【図8】図1のバッテリ充電回路の論理的動作を説明するためのテーブルを示す説明図である。
【図9】図1におけるパック検知回路を示す電気回路図である。
【図10】図1における過電流検出回路を示す電気回路図である。
【図11】図1における過電流論理回路の電気回路図である。
【図12】図11の過電流論理回路の動作を説明するためのテーブルを示す説明図である。
【図13】図11における過電流論理回路の動作を説明するためのテーブルを示す説明図である。
【図14】図1におけるバッテリ充電回路の機能を説明するためのテーブルを示す説明図である。
【符号の説明】
10 バッテリ充電制御回路
12,14,16,18 バッテリセル
20,30 電源導体
24 放電トランジスタ
25,27 ダイオード
26 充電トランジスタ
32 制御回路
35 過電流検出回路
37 過電流論理回路
41 トランジスタ
34,42 マルチプレクサ
51 セル測定回路
46,48,50,220,222,224,226 抵抗
52 比較器
56 スイッチ
60 過電圧論理
61 遅延回路
62 過小電圧論理
64 クロック回路
212,214,216,218 放電トランジスタ
240 パック検知回路

Claims (2)

  1. バッテリセルに結合されたバッテリ制御回路であって、
    前記バッテリセルからバッテリ電圧を受けかつ前記バッテリセルにおける電圧状態の検知に応じてステータス信号を提供する測定回路(51)であって、該測定回路(51)は、
    第1の信号入力、第2の信号入力、第1の選択入力、第2の選択入力および出力を有する第1のマルチプレクサであって、前記第1のマルチプレクサの前記第1および第2の信号入力は前記第1および第2の選択入力における選択信号に応じて選択されるもの、
    第1の信号入力、第2の信号入力、第1の選択入力、第2の選択入力および出力を有する第2のマルチプレクサであって、前記第2のマルチプレクサの前記第1および第2の信号入力は前記第1および第2の選択入力における前記選択信号に応じて選択されるもの、
    前記第1のマルチプレクサの出力と前記第2のマルチプレクサの出力との間に結合された電圧分圧回路であって、該電圧分圧回路は出力ノードを有するもの、
    第1および第2の入力と出力とを有する比較器であって、前記第1の入力は前記電圧分圧回路の前記出力ノードに選択的に結合され、前記出力は前記ステータス信号を提供するもの、
    を含む測定回路(51)、
    前記ステータス信号に応答して前記ステータス信号からバッテリ制御信号をデコードするための制御回路(32)、そして
    前記制御回路と前記第1のマルチプレクサとの間に結合されかつ前記バッテリ制御信号に応じて前記バッテリセルを放電する放電回路(212,214)、
    を具備することを特徴とするバッテリ制御回路。
  2. バッテリセルのためのバッテリ充電制御回路であって、
    第1および第2の端子の間にバッテリ電圧を受けるよう結合されかつ前記バッテリセルにおける第1の電圧状態を検知したことに応じて第1のステータス信号を提供するか、あるいは前記バッテリセルにおける第2の電圧状態の検知に応じて第2のステータス信号を提供するための出力を有する測定回路(51)であって、該測定回路(51)は、
    第1の信号入力、第2の信号入力、第1の選択入力、第2の選択入力および出力を有する第1のマルチプレクサであって、前記第1のマルチプレクサの前記第1および第2の信号入力は前記第1および第2の選択入力における選択信号に応じて選択されるもの、
    第1の信号入力、第2の信号入力、第1の選択入力、第2の選択入力および出力を有する第2のマルチプレクサであって、前記第2のマルチプレクサの前記第1および第2の信号入力は前記第1および第2の選択入力における前記選択信号に応じて選択されるもの、
    前記第1のマルチプレクサの出力と前記第2のマルチプレクサの出力との間に結合された電圧分圧回路であって、該電圧分圧回路は出力ノードを有するもの、
    第1および第2の入力と出力とを有する比較器であって、前記第1の入力は前記電圧分圧回路の前記出力ノードに選択的に結合され、前記出力は前記第1のステータス信号を提供するもの、
    を含む測定回路(51)、
    前記測定回路の出力に結合された入力と、出力とを有する第1の論理回路(60)、
    前記第1のステータス信号を受けるための第1の入力と、第2の入力と、前記第1のステータス信号に応答する出力とを有する第2の論理回路(62)、
    前記第1の論理回路の出力に結合されたゲートと、第3の端子に結合されたソースと、ドレインとを有する第1のトランジスタ(26)、
    前記第2の論理回路の出力に結合されたゲートと、前記第1のトランジスタのドレインに結合されたドレインと、前記第2の端子に結合されたソースとを有する第2のトランジスタ(24)、そして
    前記第1のトランジスタのソースに結合され第1の電圧を検知するための第1の入力と、前記第1の論理回路の出力に結合された第2の入力と、前記第2の端子における電圧を検知するよう結合された第3の入力と、前記第2の論理回路の入力に結合されかつ前記第1の電圧と前記第2の端子の電圧の差に応じて作動信号を提供する出力を有する検出回路(240)、
    を具備することを特徴とするバッテリ充電制御回路。
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