KR101076580B1 - 유리 시트의 산소 함유물 및 표면 기포 형성을 억제하기 위한 시스템과 방법 및 이로부터 얻어진 유리 시트 - Google Patents

유리 시트의 산소 함유물 및 표면 기포 형성을 억제하기 위한 시스템과 방법 및 이로부터 얻어진 유리 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR101076580B1
KR101076580B1 KR1020067004513A KR20067004513A KR101076580B1 KR 101076580 B1 KR101076580 B1 KR 101076580B1 KR 1020067004513 A KR1020067004513 A KR 1020067004513A KR 20067004513 A KR20067004513 A KR 20067004513A KR 101076580 B1 KR101076580 B1 KR 101076580B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass
oxygen
refractory metal
vessel
partial pressure
Prior art date
Application number
KR1020067004513A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060086936A (ko
Inventor
바울 알 그르제식
토마스 디 켓참
데이빗 엠 라인맨
랜디 디 지젠하겐
Original Assignee
코닝 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닝 인코포레이티드 filed Critical 코닝 인코포레이티드
Publication of KR20060086936A publication Critical patent/KR20060086936A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101076580B1 publication Critical patent/KR101076580B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
    • C03B5/16—Special features of the melting process; Auxiliary means specially adapted for glass-melting furnaces
    • C03B5/42—Details of construction of furnace walls, e.g. to prevent corrosion; Use of materials for furnace walls
    • C03B5/425—Preventing corrosion or erosion
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
    • C03B5/02—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
    • C03B5/16—Special features of the melting process; Auxiliary means specially adapted for glass-melting furnaces
    • C03B5/163—Electrochemical treatments, e.g. to prevent bubbling or to create bubbles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
    • C03B5/16—Special features of the melting process; Auxiliary means specially adapted for glass-melting furnaces
    • C03B5/225—Refining

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

본 발명은 유리 시트 및 얻어진 유리 시트에서 기체 혼입의 형성을 억제하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 상기 시스템은 융해, 청징, 운반, 혼합 또는 형성 용기를 포함하며, 상기 용기는 용융된 유리와 접촉하는 내벽 및 산소 이온 수송가능 물질(예를 들어, 지르코니아)로 코팅된 후 전도성 전극으로 코팅된 외벽을 가진 내화성 금속 부품(예를 들어, 백금 부품)을 갖는다. 또한, 상기 시스템은 DC 전력원을 포함하는데, 이는 산소 수송가능 물질을 통해 DC 전력을 공급하여 산소 이온을 상기 내화성 금속 부품으로부터 전도성 전극으로 이동시키고 유리 시트 내에 원치않는 기체 혼입 및 표면 기포의 형성을 억제하기 위해 용기 외부의 산소 부분압을 조절하여 용융된 유리에 수소 침투되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 본 발명은 또한 상기 내화성 금속 부품의 외부, 비-유리 접촉 표면의 산화를 감소시킨다.
내화성 금속 부품, 산소 이온 수송가능 물질, 전도성 전극, DC 전압, 유리 시트, 기포 생성, 수소 부분압, 산소 부분압

Description

유리 시트의 산소 함유물 및 표면 기포 형성을 억제하기 위한 시스템과 방법 및 이로부터 얻어진 유리 시트 {System and method for suppressing the formation of oxygen inclusions and surface blisters in glass sheets and the resulting glass sheets}
관련 문헌
본 출원은 2003년 9월 4일 출원한 미국 특허 출원 번호 10/656,685의 우선권을 주장하며, 상기의 내용은 참고문헌으로서 본 발명에 인용된다.
본 발명은 유리 시트의 산소 함유물(inclusions) 및 표면 기포(blisters)의 형성을 억제하기 위한 시스템 및 방법, 그리고 이로부터 얻어진 유리 시트에 관한 것이다.
액정 디스플레이(Liquid crystal displays; LCDs)는 평평한 유리 기판 또는 시트를 포함하는 평평한 패널 디스플레이 디바이스(devices)이다. 퓨전(fusion) 공정이 다른 방법에 의해 생산된 시트에 비해서 표면이 뛰어난 평평함(flateness) 및 유연함(softness)을 가진 시트를 생산하기 때문에, 퓨전 공정은 액정 디스플레이에 사용되는 유리 기판을 생산하는데 사용되는 바람직한 기술이다. 상기 퓨전 공정은 미국 특허 번호 3,338,696 및 3,682,609에 기술되었으며, 그 내용은 참고로 본 발명에 인용되었다.
평평한 패널 디스플레이 적용을 위해 제조된 많은 유리, 특히 퓨전 공정(또한 다운드로우(downdraw) 또는 슬롯(slot) 드로우 공정이 적용된)에 의해 형성된 것들은 내화성 금속, 예를 들어, 백금(platinum) 또는 백금 합금으로부터 만들어진 부품을 사용하여 융해 또는 형성된다. 이것은 특히 퓨전 공정의 청징 및 조정화 섹션(section)에서는 사실인데, 내화성 금속이 유리 시트 내에 가스상 함유물 생성을 더 최소화시키기 위하여, 퓨전 공정은 청징제로서 비소(arsenic)를 사용한다. 비소는 알려진 가장 고온의 청징제이며, 용융된 유리 배스로 부가될 때, 그것은 높은 융해 온도(1450℃ 이상)에서 유리 용융로부터 산소 방출을 허용한다. 더 낮은 조정 온도(유리에 어떠한 잔존하는 기체 혼입의 붕괴를 도움)에서 강한 산소 흡수 경향성을 동반한(coupled), 유리 생산의 융해 및 청징 단계 동안 버블(bubbles)의 제거를 도와주는, 이러한 높은 온도의 산소 방출은 본질적으로 기체 혼입이 없는 유리 시트를 생성하게 한다. 환경적인 면에서, 청징제로서 비소를 사용할 필요가 없는, 높은 용융점 및 왜곡점(strain point) 유리들을 제조하는 대안적인 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다. 퓨전 공정에 의해 상기 유리들을 제조하는 방법을 찾는 것은 특히 바람직할 것이다.
미국 특허 번호 5,758,726은 백금-함유 용기를 이용하는 시스템에서 형성된, 유리 시트에서 버블 생성을 감소시키는 공정을 개시하고 있다. 상기 공정은 용기 내부의 부분압에 비례하여 용기 외부 부근의 수소 부분압을 조절하는 단계를 수반한다. 유리 조성물의 수분 함유율 및 백금-함유 융해실(melter) 벽의 내부 표면의 수소 농도를 최소화하는 여러 가지 배치 부품의 사용을 개시한, 미국 특허 번호 6,128,924 및 5,824,127에서, 유리 시트에서 버블을 감소시키는 다른 하나의 접근이 개시되어 있다. 전술한 특허에 개시된 상기 방법들이 백금-함유 부품을 이용하는 시스템에서 형성된, 유리 시트에서 버블을 성공적으로 감소시킴에도 불구하고, 유리 시트에서 기체 혼입의 형성을 방지하기 위한 대안적인 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
발명의 요약
본 발명은 유리 시트의 기체 혼입 형성을 억제하기 위한 시스템 및 방법, 그리고 이로부터 얻어진 유리 시트에 관한 것이다. 상기 시스템은 융해, 청징, 운반, 혼합 또는 형성 용기를 포함하며, 상기 용기는, 전도성 전극으로 코팅된 산소 이온 수송가능 물질(예를 들어, 부분적으로 또는 전체적으로 안정화된 지르코니아)로 코팅된 외벽과 용융 유리와 접촉하는 내벽을 가지는 내화성 금속 부품(예를 들어, 백금 함유 부품)를 갖는다. 또한, 상기 시스템은 DC 전력원을 포함하는데, 이는 산소 이온 수송가능 물질을 통해 DC 전력을 공급하여 산소 이온을 상기 내화성 금속 부품으로부터 전도성 전극으로 이동시키고 유리 시트 내에 원치않는 기체 혼입 및 표면 기포의 형성을 억제하기 위해 용기 외부 부근의 산소 부분압을 조절하여 용융된 유리에 수소 침투되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
첨부된 도면과 관련된 하기의 상세한 설명을 참고함으로써 본 발명을 더욱 완벽한 이해할 수 있다:
도 1은 본 발명의 첫 번째 구체예에 따른 본보기 시스템을 설명하는 블럭도이다;
도 2는 도 1에서 보여준 시스템 내에서 사용된 용기 중 하나의 부분 교차 횡단 측면도이다;
도 3은 본 발명에 따른 유리 시트에서 산소 함유물 및 표면 기포의 형성을 억제하는 방법에 있어서 기본적인 단계를 설명하는 흐름도이다;
도 4는 본 발명의 두 번째 구체예에 따른 본보기 시스템을 설명하는 블럭 도표이다;
도 5a(종래 기술)는 본 발명의 산소 추출 기술로 발생하는 수소 침투 반응을 설명하는 개략도이다;
도 5b는 본 발명의 산소 추출 기술로 발생하는 수소 침투 반응을 설명하는 개략도이다;
도 6은 도 1 및 4에서 보여준 시스템의 외부 표면 주변의 수소 부분압에 대한 산소 수준의 영향을 설명한 그래프이다;
도 7은 본 발명의 산소 추출 기술을 다양화하기 위해 사용된 실험 장치(set-up)의 도표이다;
도 8은 전류가 도 7에서 보여준 실험 장치에 있는 지르코니아 층을 통해 적용될 때 Pt 튜브 및 유리의 경계면에서 산소 부분압의 감소를 보여주는 데이타를 설명하는 그래프이다;
도 9는 도 7에서 보여준 실험 장치에 있는 Pt 튜브 및 유리의 경계면에서 산소 부분압에 대한 이슬점의 영향을 보여주는 데이타를 설명하는 그래프이다.
몇 가지 본보기 구체예들을 기술하기 전에, 본 발명은 이어지는 기술에서 설정된 구조 또는 공정 단계의 세부사항에 한정되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 실제로, 본 발명은 다른 구체예를 들 수 있고 여러 가지 방법으로 실시되거나 수행될 수 있다.
본 발명은 내화성 금속 부품(component)(예를 들어, 백금-함유 부품)을 함유하는 적어도 하나의 용기를 사용하는 제조 시스템(장치)에서 유리 시트를 형성하는 방법에 관한 것이다. 바람직한 유리 시트는 알루미노실리케이트(aluminosilicate) 또는 보로실리케이트(borosilicate) 유리 시트이다. 바람직하게는, 상기 유리 시트 제조 공정은 다운드로우(downdraw) 시트 제조 공정이다. 본 명세서에서, 다운드로우 시트 제조 공정은 유리 시트가 아래쪽 방향으로 이동하는 동안 형성되는, 임의의 형태의 유리 시트 제조 공정을 가리킨다. 퓨전 또는 오버플로우(overflow) 다운드로우 시트 제조 공정에서, 용융된 유리는 홈통(trough) 안으로 흐르고, 그 후에 오버플로우되고 양쪽 파이프로 흘러내려서 루트(root)라고 알려진 것에서 함께 융합되고, 냉각될 때까지 아래쪽으로 연신된다. 상기 오버플로우 다운드로우 시트 제조 공정은, 예를 들어, 미국 특허 번호 3,338,696(Dockerty) 및 미국 특허 번호 3,682,609(Dockerty)에 기술되어 있다. 상기 기술은 매우 평평하고 얇은 유리 시트를 형성할 수 있다.
다운드로우 시트 형성 기술의 다른 형태는 슬롯 드로우 및 리드로우 형성 기술을 포함한다. 상기 슬롯 드로우 기술에서, 용융된 유리는 바닥에 기계화된 슬롯을 가진 홈통으로 흐른다. 유리의 시트는 슬롯을 통해 잡아 당겨진다. 유리 시트의 품질은 기계화된 슬롯의 정확성에 의존한다. 리드로우 형성 공정은 일반적으로 유리 조성물을 어떠한 모양의 블록으로 예비형성하는 공정, 그 후에 재가열공정 및 유리를 더 얇은 시트 생성물로 아래쪽으로 당기는 공정을 수반한다.
실리케이트 유리를 용융시켜 유리 시트로 형성하는 이 모든 제조 기술은, 그의 불활성 특성 때문에 백금 등의 내화성 금속을 함유하는 유리 접촉 물질을 갖는 하나 또는 그 이상의 용기를 이용한다. 안타깝게도, 백금은 백금을 통한 유리 용융으로부터 일어나는 수소 이동을 가능하게 하고, 따라서 유리/백금 경계면에 산소 풍부 층을 생성하여 상기 유리에 원치않는 기체상 산소 혼입 또는 표면 기포의 형성을 유도할 수 있다.
본 발명이 어떠한 이론에 구속되기를 원하지 않지만, 백금 용기에서 발생하는 표면 기포화 효과는, 예를 들어 백금-유리 용융 경계면 근처의 산소 풍부 층의 형성의 결과로 일어난다고 믿어진다. 유리 내의 이 산소 풍부층은 유리 용융물의 열전기적 전기분해, 상기 유리에 용해된 OH기 개수 및 산화물 청징제의 파괴의 조합에 의해 생성된다고 믿어진다. 후자의 효과는 백금과 유리의 접촉 결과로서 기포 비율에 큰 영향을 미친다고 믿어진다. 또한, OH기는 중성의 수소 및 산소로 해리된다고 믿어진다. 상기 유리의 용해도 한계를 초과하면, 수소가 백금 스킨으로 침투하여 산소로 상기 유리의 표면 영역(백금 접촉 영역)을 풍부하게 하고 유리에서 버블을 형성할 수 있다. 특히, 수소 침투 기포화는 유리/백금 경계면에서 수소의 부분압이 백금 용기의 외부 표면에서 수소의 부분압보다 더 클때, 유리로부터의 수소 손실로 인해 발생한다(도 5a 참고). 본 발명은 백금 스킨 및 유리 사이의 경계층(boundary layer)에서 발생하는 조절 반응에 의해 원치않는 버블 생성을 감소시킨다. 본 발명에 따른 본보기 유리 운반 시스템(100)은 도 1-6과 관련지어 후술 될 것이다.
도 1을 보면, 다운드로우 퓨전 공정을 사용하여 유리 시트를 제조하기 위한 시스템(100)의 개략도를 보여준다. 상기 시스템(100)은 화살표(112)에 의해 표시되는 바와 같이 배치(batch) 원료가 도입되는 용융 용기(110)를 포함하고, 초기의 유리 용융공정은 상기 용융 용기(110)에서 일어난다. 상기 용융 용기(110)는 내화성 물질로 제조된다. 상기 시스템(100)은 전형적으로 백금 또는 백금-함유 물질로 제조된 부품을 더욱 포함한다. 예를 들어, 백금-함유 금속은 Pt-Rh, Pt-Ir, 등 및 이들의 조합을 포함할 수 있는 백금의 합금을 의미한다. 상기 백금-함유 부품은 청징 용기(115; 예를 들어 화이너 튜브), 혼합 용기(120; 예를 들어 교반 챔버), 화이너(finer)와 교반 챔버를 연결하는 튜브(122), 운반 용기(125; 예를 들어 보울), 교반 챔버와 보울을 연결하는 튜브(127), 다운커머(130)및 입구(132) 및 형성 용기(135, 예를 들어 용융 파이프)를 포함한다. 상기 청징 용기(115)는 버블을 제거하기 위한 높은 온도 공정 영역이다. 상기 운반 용기(125)는 다운커머(130)를 통해서 상기 유리를 상기 입구(132) 및 형성 용기(135)로 운반하여, 유리 시트를 형성한다.
도 2 및 3을 보면, 상기 시스템(100)에 있는 용기(예를 들어, 115) 중 하나의 부분 교차 횡단 측면도 및 상기 시스템(100)을 이용하는 유리 시트의 형성을 위한 방법(300)에서 단계를 설명하는 흐름도를 나타낸다. 본 발명의 바람직한 구체예에 따라, 용융된 유리와 접촉하는 백금 함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)는 전도성 전극(206)으로 코팅(단계 304)된 산소 이온 수송가능 물질(204, 예를 들어 지르코니아)로 코팅된(단계 302) 외벽(202)을 갖는다. DC 전력원(208)은 지르코니아(204)를 통해 DC 전력을 공급하여(단계 306), 산소 이온을 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)으로부터 전도성 전극(206)으로 이동시키고 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 부근에서 산소 부분압을 조절하여 상기 유리에서 산소 풍부 기포의 형성 원인인 수소 침투를 방지할 수 있다. 도시된 바와 같이, 상기 DC 전력원(208)은 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)에 연결된 음의 파워 리드(210) 및 상기 전도성 전극(206)에 연결된 양의 파워 리드를 갖는다.
지르코니아(204)를 통해 적당한 극성을 갖는 적당한 DC 전압을 인가함으로써, 산소 이온(O-2)은 지르코니아(204)의 내부 표면으로부터 지르코니아(204)의 외부 표면으로 이동한다(도 2에 나타낸 도면을 참고). 지르코니아(204)를 통해 이동하는 산소 이온 두 분자당 산소 기체 한 분자가 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)으로부터 제거된다. 이것은 DC 전력 공급원(208)에 의해 정해진 전자(e-) 흐름 때문이다. 산소 이온(O-2)이 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면과 지르코니아 사이 경계면을 떠나면, 산소의 부분압은 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면 부근에서 감소한다. 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면으로부터의 산소 제거율은 패러데이 법칙(faraday's law)에 의해 DC 전력원(208)으로부터의 전류 흐름에 비례한다. 예를 들어, 산소의 부분압의 크기를 1 내지 10-10 기압의 범위 내로 조절하여 수소 침투를 방지하는데 요구되는 수준으로 수소의 부분압 크기를 맞추기 위해 지르코니아(204)에 인가된 전압 및 전류를 다양화하기 위해 DC 전력원(208)을 사용할 수 있다.
백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면에서 수소의 부분압이 증가하고 산소의 부분압이 증가할 때, 두 가지 호의적인(favorable) 반응이 일어난다. 첫째, 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면에서 물, 수소 및 산소의 평형 이동으로 인해 유리로부터 수소 침투율이 감소한다. 이러한 유리로부터의 수소 침투 감소는 유리에서 산소 기포의 형성을 억제한다(도 5b 참고). 두 번째로, 백금-함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 산화율이 산화 반응에서 더 낮은 산소의 활용성으로 인해 감소한다.
도 4를 보면, 본 발명의 두 번째 구체예에 따른 시스템(100')의 개략도를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 상기 시스템(100')은 산소 이온 수송가능 물질의 분리된 섹션(204a...204f; 예를 들어, 지르코니아), 상기 시스템(100')의 각각의 섹션에서 수소 침투를 조절하도록 하는 분리된 전도성 전극 206a...206f 및 분리된 DC 전력원 208a..208f를 포함한다. 또한 상기 시스템(100')의 각각의 섹션은 하나 이상의 전력 공급원(208)에 연결될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 예를 들어, 보는 바와 같이 청징 용기(115)는 하나 이상의 전력 공급(208a' 및 208a'')(두개 도시됨)을 가질 수 있다. 다르게는, 상기 시스템(100')은 산소 이온 수송가능 물질(204, 예를 들어 지르코니아)로 피복될 수 있고 그 후에 상기 시스템(100')의 각각의 섹션에서 수소 침투를 조절하도록 하는 분리된 전도성 전극 206a...206f 및 분리된 DC 전력원 208a..208f으로 피복될 수 있다(도시되지 않음).
수소 침투에 대한 본 발명의 영향은 열역학(thermodynamics)을 기초로 설명될 수 있다. 주어진 온도에서, 반응 H2O → H2 + 1/2O2 에 따라 물, 수소 및 산소 사이에 평형이 존재한다. 정해진 온도에서 상기 평형의 상수는 Keq = [(pH2) * (pO2)1/2]/pH2O로 표현될 수 있다. 상기 평형식에 기초하여 보면, 과거에는 공기 중 산소의 부분압이 공기당 0.21 기압으로 고정되기 때문에 백금 함유 부품의 외부 표면에서의 수소 부분압은 물의 부분압(예를 들어, 이슬점)에 의해 결정되는 것이 분명하다. 본 발명이 이전에는, 귀금속의 외부 표면에서 수소 부분압을 증가시키고, 그에 따라 수소 침투로 인해 유리 내 기포 생성을 감소시키는 유일한 방법은 상기 시스템 주변 기압의 이슬점을 증가시키도록 습도 조절 인클로저를 사용하는 것이었다(미국 특허 번호 5,785,726 참고). 하지만 상술한 바와 같이, 본 발명은 백금 함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면에서 산소의 부분압을 효과적으로 감소시키고, 반대로 상기 백금 함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면에서 수소의 부분압을 증가시키고, 수소 침투로 인해 유리 내 기포 생성을 감소시킨다(도 5b 참고). 그리고, 이것은 상기 시스템(100, 100') 주변의 이슬점을 변화시키는 습도 조절 인클로저를 사용하지 않고 본 발명에 의해 모두 행해질 수 있다. 본 발명에 따르면, 겨울의 최저 이슬점 기압에서조차 백금 함유 부품(115, 120, 122, 125, 127, 130 및 132)의 외부 표면에서 이슬점 100oF(약 37.8℃)인 날(100oF dew point day)의 수소 부분압을 초과하는 수소 부분압을 얻을 수 있다. 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 산소 추출 기술을 사용하지 않고, 내지는 사용하여 발생하는 수소 침투 반응을 설명하는 개략도이다.
상기 시스템(100 및 100')에서 대부분의 수소는 용융 용기(110)에서 설정된 증가된 온도에서 물의 열적 분해로 인해 생성된다. 유리에 있는 물은 상기 유리에서 화학적으로 결합된 수분으로부터 생성되고 상기 유리의 베타-OH에 비례한다. 또한, 상기 시스템(100 및 100')의 외부 표면에 공기 중의 수분으로부터 생성되고 공기 중의 이슬점에 비례하는 물이 있다. 또한 상기 시스템(100 및 100')의 외부 표면에서 물은 증가된 작동온도에서 수소 및 산소로 열 분해된다.
또한, 주어진 조건하에서 수소의 부분압은 H2O → H2 + 1/2 O2 반응에 대한 깁스 자유 에너지에 기초하여 계산될 수 있다. 예를 들어, 상기 물 반응에 대한 자유 에너지(G)는 G = 58,900 - 13.1 T 이다. 여기서, T는 켈빈 온도이고 G는 몰당 칼로리인 자유 에너지이다. 주어진 온도에서, 상기 물 반응에 대한 평형 상수는 관계식 Keq = e-G/RT 를 사용하여 계산될 수 있고, 여기서 G 및 T는 전술한 바와 같고 R은 기체 상수이다. Keq를 알면, 물 분해에 관여한 여러 가지 기체의 부분압 비를 Keq = [(pH2) * (pO2)1/2]/[pH2O]에 의해 계산할 수 있다. 예를 들어, 1450℃에서 Keq는 2.47 x10-5와 동일하다. 75oF 이슬점 대기 환경(0.030 기압의 pH2O 및 0.21 기압의 pO2)이 1450℃로 가열되면, pH2는 1.59 x10-6 기압(1.59 ppm)으로 계산될 수 있다. 그리고, 상기 수소의 부분압(1.59 ppm)이 유리/백금 경계면에 존재하는 수소 부분압보다 더 크면, 수소 침투 기포화는 억제된다.
동일한 평형 측정치(calculation)를 사용하면, 일정한 물의 부분압(이슬점)에서 산소의 부분압 감소가 수소의 부분압을 증가시키는 것을 알 수 있다. 본 발명은 이러한 특성을 장점으로 하고 유리/백금 경계면에서의 산소 부분압을 더 낮게 하며, 이는 상기 시스템(100 및 100')의 외부층에서 수소의 부분압이 유리에서의 수소 부분압보다 더 커지게 하는 원인이 된다. 상기와 같이, 수소는 상기 유리에서 산소 기포의 형성을 효과적으로 억압하는, 낮은 수준으로 유리 안으로 들어간다(도 5b 참고).
실제로, 측정치는 본 발명에 의해 10oF의 이슬점을 갖는 대기가 100oF 이슬점 대기보다 더 높은 수소 부분압을 갖도록 할 수 있다는 것을 가리킨다. 도 6은 상기 개념을 설명하는 그래프이다. 상기 그래프에서, 수소의 부분압은 산소 수준의 함수로서 10oF 및 40oF 이슬점 대기에 대해서 나타내었다. 참고로서, 75oF 및 100oF 이슬점 대기에 대한 수소 부분압을 가리키는 선들을 나타내었다. 상기 데이타는, 산소의 부분압이 0.01% 미만이면 10oF 이슬점 대기가 100oF 이슬점 대기보다 더 큰 수소 부분압을 가질 거라는 것을 가리킨다.
도 7을 보면, 본 발명의 산소 추출 기술을 검증하기 위해 사용된 실험 장치(700)를 나타낸다. 실험 장치(700)는 코닝 코드 1737G 유리(704)를 지탱할 수 있도록 한쪽 말단(702a)이 폐쇄된, 0.435 인치 직경 * 12인치 길이의 튜브 Pt-20RH(702)를 포함했다. 상기 폐쇄 말단(702a) 근처, 튜브(702)의 3인치 섹션은 Ca 안정화된 지르코니아의 0.010" 두꺼운 층(706)으로 플라즈마 분무되었다(plasma sprayed). 상기 지르코니아의 외부 표면(706) 상에서, Pt 전극(708)은 상기 지르코니아(706) 둘레(circumference) 주변의 고리 패턴에 Pt 파우더를 함유하는 페이스트를 페인팅함으로써 제조되었다. 상기 Pt 전극(708)이 0.435" 직경의 Pt-20Rh 튜브(702)로부터 전기적으로 고립될 수 있게 제조되도록 주의했다. 상기 Pt 전극(708)의 목적은 상기 지르코니아(706)의 외부 표면에 전기적 접촉을 허용하는 것이었다. 어떠한 다른 전도성 물질이 상기 전극(708)을 제조하는데 사용될 수 있었다. 그 다음 상기 지르코니아(706) 외부 표면에 Pt 전극(708)을 가진 튜브(702)는 1시간 동안 1400℃에서 연소시켜 Pt를 함께 소성하고 유기 결합제를 제거하였다. 연소 단계 후, 상기 Pt 전극(708)은 상기 지르코니아(706)의 외부 표면의 약 30% 이상을 전기적 전도성 표면으로 만들었다. 그 다음 상기 지르코니아(706)의 높이에 동등한 수준으로 상기 튜브(702) 안에 유리(704)를 놓았다. DC 전력원(712)에 양의 전기적 연결을 허용하도록 상기 지르코니아(706)의 외부 표면상의 Pt 전극(708) 주변에 Pt 리드 와이어(710)를 감았다. 그 다음 상기 튜브(702)의 바닥 6인치를 1450℃의 로(714) 내에서 현탁시켰다. 이것은 상기 튜브(702) 안에서 유리(704)를 용융되게 하였다. 1/8" 직경의 Pt 막대(716)를 상기 막대(716)의 끝이 약 1/2 인치 용융된 유리(704)에 잠기는 지점까지 상기 Pt 튜브(702) 안으로 삽입하였다. 상기 유리(704) 위쪽의 막대(716) 부분은 상기 막대(716)가 상기 Pt 튜브(702)의 내부 표면에 전기적으로 접촉하는 것을 방지하기 위해 알루미나 슬리브(718)를 가지고 분리하였다. Pt 리드 와이어(720)는 상기 DC 전력원(712)에 음의 전기적 연결을 허용하도록 상기 Pt 튜브(702)에 연결되었다. 상기 막대(716) 및 튜브(702) 사이의 DC 전위(potential)는 전압 측정기(722)를 사용하여 모니터되었다. 측정된 DC 전위는 두 개의 Pt/유리 경계면에서 산소 부분압의 지표가 되었다. 상기 Pt 막대(716) 및 유리(704)의 경계면에서의 산소 부분압은 거의 공기와 평형을 이루는 것으로 가정하였다. 그리고, 상기 Pt 튜브(702) 및 유리(704)의 경계면에서 산소의 부분압 측정은 네른스트 공식(the Nerenst equation)을 사용하여 할 수 있다. 전위값을 산소 부분압으로 전환하는, 이 데이타는 도 8에 나타난 그래프에서 제공된다.
도 8에 나타낸 그래프를 보면, 상기 Pt 튜브(702)의 외부 표면으로부터 산소를 추출하는 것은 상기 Pt 튜브(702) 및 유리(704)의 내부 경계면에서 산소 수준에 대해 효과를 가진다는 것은 확실하다. 산소를 제거하기 위해 지르코니아(706)의 코팅을 통해 전류가 인가되자마자, 상기 Pt 튜브(702)의 내부 표면상에서 산소 부분압 변화가 나타난다. 상기 경계면으로부터 산소 제거의 키네틱(kinetics)으로 인해 상기 Pt 튜브(702)의 내부 표면상의 산소 부분압에서 점진적으로 계속된 하강 경향이 있다. 상기 반응은 전류가 끊어지면(중단되면) 반대로 된다. 상기 Pt 튜브(702)의 내부 표면은 재-산화되기 시작한다. 이런 변화는 상기 Pt 튜브(702)의 외부 표면상에서 이슬점이 변할 때 나타나는 전형적인 것이다. 이에 대한 역사적인(historic) 데이타는 도 9에 나타난 그래프에서 제공된다.
도 9에 나타낸 그래프를 보면, 상기 Pt 튜브(702) 주위의 이슬점은 여러 단계로 감소하는 것이 확실하다. 이슬점의 감소는 상기 Pt 튜브(702)의 외부의 수소 부분압을 낮추고, 이는 수소 침투의 증가를 유도한다. 이것은 상기 Pt 튜브(702) 및 유리(704)의 내부 경계면에서 산소 부분압 증가로서 보여졌다. 따라서, 도 8 및 9에서 보여준 실험 결과는 유사한 움직임(behaviors)을 나타내는데, 상기 Pt 튜브(702)의 외부 표면에서 더 높은 수소의 부분압은 그것이 수소 침투를 멈추기 때문에 상기 Pt 튜브(702) 및 유리(704)의 경계면에서 산소의 수준을 낮추는 결과를 낳는다. 반면에, 상기 Pt 튜브(702)의 외부 표면에서 수소의 부분압의 감소는 수소 침투의 증가로 인해 상기 Pt 튜브(702) 및 유리(704)의 경계면에서 산소의 수준을 증가시키는 결과를 낳는다. 게다가, 상기 데이타는 Pt의 4in2 영역에 2 amps의 전류를 인가하면, 이슬점의 60oF 변화보다 더 큰 산소 부분압의 변화를 일으켰다. 이것은 본 발명의 지르코니아 산소 추출 시스템이 미국 특허 번호 5,758,726에 개시된 전통적인 습도 조절 인클로저보다 더 넓은 보호 범위를 수용할 수 있다는 것을 가리킨다.
후술되는 것은 상기 시스템(100 및 100')의 몇 가지 장점 및 사용방법이고 본 발명의 방법(200)이다:
·본 발명은 또한 백금 함유 부품의 외부 표면의 산화를 감소시킨다. 현재 기술은 귀금속과 공기(산소)의 접촉을 제한하는 백금 함유 부품의 외부 표면상에 있는 Rokide(산화 알루미늄) 등의 코팅체에 의존한다. 본 발명은 백금의 산화 반응에서 핵심 원동력인, 산소 수준을 낮추는 방법을 제공한다.
·본 발명은 상기 시스템 주변의 기압을 조절하기 위해 인클로저 또는 제2의 용기를 사용하지 않고, 상기 시스템의 외부 표면 주변에서 산소 부분압을 조절하는 방법을 제공한다.
·본 발명은 평평한 패널 디스플레이에서 사용된 것과 같이 높은 용융점 또는 높은 왜곡점 유리 시트를 형성하는데 특히 유용하다.
·본 발명은 예를 들어, 유리 배치에 비소-함유 물질을 부가하는 등, 유리의 배치(batch) 성분을 변화시키는 것에 대한 대안을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 유리를 제조하기 위해 낮은 물 함유 배치 성분을 사용하는 다른 방안을 제공한다.
·본 발명은 백금-함유 용기에서 유리를 용융하고, 운반하거나 또는 형성하는 사람을 도울 수 있다. 또한, 본 발명은 바이코어(Vycor) 튜브 및 시트를 제조하는데 유용할 수 있다. 더욱이, 본 발명은 비-LCD 유리 제조에 유용할 수 있다.
·본 발명은 어떠한 유리 또는 용융 시스템에도 사용될 수 있는데, 상기 유리는 Pt, Mo, Rh 및 합금 등의 내화성 금속과 접촉한다. 상기 접촉은 제조 중 용융, 운반 또는 형성 상태에서 있을 수 있다.
·수소 침투 기포화의 증가를 유도하는 공정 불안정 및 유리의 수분 함유량의 변화가 있으면, 그것이 그것의 최대 이슬점에서 작동될 수 있기 때문에 종종 전통적인 습도 조절 인클로저를 사용하여 상기 문제에 대응할 방법이 없다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 더 나은 기회를 가진다.
·본 발명에서 사용될 수 있는 바람직한 산소 이온 수송가능 물질은 이트륨(yttria) 안정화된 지르코니아 또는 칼슘 안정화된 지르코니아이다. 또한 산화이트륨 및 칼슘으로 도핑된, 부분적으로 안정화된 지르코니아, 및 Sc, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및 Mg의 산화물로 도핑된, 부분적으로 그리고 완전하게 안정화된 지르코니아 등의 다른 타입의 산소 이온 수송가능 물질들이 사용될 수 있다. CeO2, TiO2, SnO2, YNbO4, YTaO4, 희토류 니오브염(niobate)/탄탈륨염(tantalates)이 입방의(cubic) 및/또는 정방계의 상태를 안정화하거나 또는 부분적으로 안정할 수 있지만, 이온 전도성을 감소시키는 지르코니아 격자에서 더 적은 산소 공간을 생성하여 바람직하지 않다. 상기 열거된 도판트의 혼합물이 사용될 수 있다. 일반적으로 지르코니아는 1-10% 정도의 하프니아(hafnia)를 갖는다. 도판트와 함께 하프니아 및 하프니아와 지르코니아의 혼합물이 사용될 수 있으나, 비용이 더 높아진다. 도핑된 란탄 갈륨 등의 다수의 다른 산소 이온 전도체가 발견되었고 그들의 융점, 산소 부분압 안정 영역, 및 낮은 전기 전도성 영역을 초과하지 않을 때 사용될 수 있다. 산소 이온 수송가능 물질을 적용하는 많은 방법이 있으며, 한가지 그러한 방법은 플라즈마 분무법을 사용하는 것임이 이해되어야 한다. 산소 이온 수송가능 물질의 코팅은 완전히 조밀할 필요는 없으나, 산소 기체(O2)에 어느 정도 불투과성이어야 한다.
·감소된 산소 대기를 상기 시스템(100 및 100') 또는 심지어 전통적인 시스템의 외부 비-유리 접촉 표면 주변에서 유지되고 생성되도록 하는 방법/시스템에 의해 수소 침투 및 계속되는 기포 생성을 방지하는 것도 가능하다는 것을 또한 인지해야 한다. 감소된 산소 부분압을 달성하는 잠재적인 방법은 그것 안으로 흐르는 저 산소 함유 기체를 가진 용기에서 상기 시스템(100 및 100')의 외부 표면 또는 표면의 일부분을 에워싸는 것이 될 것이다. 이것은 대기에서 수분의 분해로부터 수소 가스가 형성되도록 하는 대기를 형성할 수 있다. 이것은 전통적인 시스템을 개선하는데 사용될 수 있고 매우 낮은 이슬점 조건에서도 더 높은 수소 부분압을 얻으려는 본 발명과 연관하여 또한 사용될 수 있다.
·상기 시스템(100 및 100')의 용기에서 사용된 내화성 금속 부품은 백금, 몰리브덴, 팔라듐, 로듐 및 이들의 합금으로부터 선택된 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 두 개의 구체예는 첨부된 도면에서 설명되고 전술한 상세한 설명에서 기술되었음에도 불구하고, 본 발명이 개시된 구체예에 한정되는 것이 아니라 후술될 청구항에 의해 설명되고 정의된 바에 따른 본 발명의 정신으로부터 벗어나 지 않는 한, 여러 가지 변경, 변형 및 치환을 할 수 있다는 것은 이해되어야 한다.

Claims (25)

  1. 유리와 접촉하는 내벽을 갖는 내화성 금속 부품을 함유하는 적어도 하나의 용기를 포함하는 장치를 사용하여 유리 물질을 형성하는 방법으로서, 상기 방법은:
    산소 이온 수송가능 물질로 상기 내화성 금속 부품의 외벽을 코팅하는 단계;
    상기 내화성 금속 부품의 외벽에 코팅된 산소 이온 수송가능 물질 중 적어도 일부를 전도성 전극으로 코팅하는 단계; 및
    상기 내화성 금속 부품 및 전도성 전극에 DC 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것인, 유리 물질 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 DC 전압을 내화성 금속 부품 및 전도성 전극에 인가할 때, 산소 이온이 상기 내화성 금속 부품으로부터 전도성 전극으로 이동하여 적어도 하나의 용기의 외부 부근의(around) 산소 부분압이 조절될 수 있고, 이로 인하여 용융된 유리로부터 수소 침투를 효과적으로 감소시켜 유리 물질 내에 원치않는 기체 혼입의 형성을 효과적으로 억제하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 용기의 외부 부근의 산소 부분압의 조절로 인하여 내화성 금속 부품의 외부의 비-유리 접촉 표면의 산화가 효과적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 용기는 용융(melting) 용기, 청징(fining) 용기, 운반(delivery) 용기, 혼합(mixing) 용기 또는 형성(forming) 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내화성 금속 부품은 백금(platinum), 몰리브덴(molybdenum), 팔라듐(palladium), 로듐(rhodium) 및 이들의 합금(alloys)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 산소 이온 수송가능 물질은 부분적으로 또는 전체적으로 안정화된 지르코니아(zirconia)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 방법.
  7. 용융된 유리와 접촉하는 내벽 및 산소 이온 수송가능 물질로 코팅된 후 전도성 전극으로 코팅된 외벽을 갖는 내화성 금속 부품을 포함하는 용기; 및
    상기 내화성 금속 부품에 연결된 음의 파워 리드(negative power lead) 및 상기 전도성 전극에 연결된 양의 파워 리드(positive power lead)를 갖는 DC 전력원;
    을 포함하는 유리 물질 형성 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 DC 전력원이 산소 이온 수송가능 물질을 통해 DC 전력을 공급할 때, 산소 이온이 내화성 금속 부품으로부터 전도성 전극으로 이동하여 용기의 외부 부근의 산소 부분압이 조절될 수 있고, 이로 인하여 상기 유리 물질 내에 원치않는 기체 혼입 및 표면 기포의 형성을 효과적으로 억제하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 DC 전력원은 용기 외부 부근의 산소 부분압을 조절할 뿐 아니라 내화성 금속 부품의 외부의 비-유리 접촉 표면의 산화를 효과적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 DC 전력원은 내화성 금속 부품으로부터 전도성 전극으로의 산소 이동율을 조절하여 용기의 외부 부근의 산소 부분압의 크기를 1 내지 10-10 기압의 범위 내로 조절할 수 있도록 하는 조정가능한 DC 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 산소 이온 수소가능 물질은 부분적으로 또는 전체적으로 안정화된 지르코니아를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 DC 전압을 인가하는 단계는 음의 파워 리드를 내화성 금속 부품에 연결하고, 양의 파워 리드를 전도성 전극에 연결하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물질 형성 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
KR1020067004513A 2003-09-04 2006-03-03 유리 시트의 산소 함유물 및 표면 기포 형성을 억제하기 위한 시스템과 방법 및 이로부터 얻어진 유리 시트 KR101076580B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/656,685 2003-09-04
US10/656,685 US6993936B2 (en) 2003-09-04 2003-09-04 System and method for suppressing the formation of oxygen inclusions and surface blisters in glass sheets and the resulting glass sheets
PCT/US2004/029044 WO2005030661A2 (en) 2003-09-04 2004-09-03 System and method for suppressing the formation of oxygen inclusions and surface blisters in glass sheets and the resulting glass sheets

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060086936A KR20060086936A (ko) 2006-08-01
KR101076580B1 true KR101076580B1 (ko) 2011-10-24

Family

ID=34226398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067004513A KR101076580B1 (ko) 2003-09-04 2006-03-03 유리 시트의 산소 함유물 및 표면 기포 형성을 억제하기 위한 시스템과 방법 및 이로부터 얻어진 유리 시트

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6993936B2 (ko)
JP (1) JP4723495B2 (ko)
KR (1) KR101076580B1 (ko)
CN (1) CN1845880B (ko)
TW (1) TWI292389B (ko)
WO (1) WO2005030661A2 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1722008B1 (de) * 2000-11-30 2015-03-11 Schott AG Verwendung einer H2 oder H2 und O2 undurchlässigen Schicht zum Beschichten in der Glasherstellung
US7032412B2 (en) * 2003-03-13 2006-04-25 Corning Incorporated Methods of manufacturing glass sheets with reduced blisters
DE102004015577B4 (de) * 2004-03-30 2012-08-23 Schott Ag Verfahren zum Herstellen von Glas unter Vermeidung von Blasen an Edelmetallbauteilen
US20060242996A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Gilbert Deangelis System and method for controlling the environment around one or more vessels in a glass manufacturing system
US7475568B2 (en) * 2005-04-27 2009-01-13 Corning Incorporated Method of fining glass
US7409839B2 (en) * 2005-04-29 2008-08-12 Corning Incorporated Method and apparatus for making a glass sheet
US7854144B2 (en) * 2005-07-28 2010-12-21 Corning Incorporated Method of reducing gaseous inclusions in a glass making process
US7584632B2 (en) * 2005-07-28 2009-09-08 Corning Incorporated Method of increasing the effectiveness of a fining agent in a glass melt
JP4867318B2 (ja) * 2005-11-29 2012-02-01 日本電気硝子株式会社 板ガラスの製造方法及び製造装置
TWI327559B (en) * 2005-12-08 2010-07-21 Corning Inc Method of eliminating blisters in a glass making process
US20080034798A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Richard Bergman Reduced size bowl for display glass melting and delivery
US20080057275A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Paul Richard Grzesik Method and apparatus for minimizing oxidation pitting of refractory metal vessels
US20080290138A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 David Myron Lineman Method for bonding refractory ceramic and metal
US8899470B2 (en) * 2007-11-29 2014-12-02 Corning Incorporated Method for bonding refractory ceramic and metal
CN102171151B (zh) * 2008-10-06 2014-10-08 旭硝子株式会社 玻璃制造装置及制造方法
US20100199721A1 (en) * 2008-11-12 2010-08-12 Keisha Chantelle Ann Antoine Apparatus and method for reducing gaseous inclusions in a glass
US8375748B2 (en) * 2009-08-26 2013-02-19 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass manufacturing container, glass manufacturing apparatus with the same and glass manufacturing method using glass manufacturing apparatus
US8978419B2 (en) * 2009-11-30 2015-03-17 Corning Incorporated Devices for controlling atmosphere over molten-glass free-surfaces
DE102010007547A1 (de) 2010-02-11 2011-08-11 Schott Ag, 55122 Verfahren zur Verbesserung der Glasqualität
JP5516538B2 (ja) * 2011-09-21 2014-06-11 日本電気硝子株式会社 板ガラスの製造方法及び製造装置
JP5454535B2 (ja) * 2011-09-21 2014-03-26 日本電気硝子株式会社 板ガラスの製造方法及び製造装置
JP2013095638A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス製造装置及びそれを用いたガラスの製造方法
US9073771B2 (en) * 2012-06-15 2015-07-07 Corning Incorporated Integral capsule for blister suppression in molten glass
US9611163B2 (en) 2014-03-05 2017-04-04 Owens-Brockway Glass Container Inc. Process and apparatus for refining molten glass
KR20170093920A (ko) * 2014-12-11 2017-08-16 코닝 인코포레이티드 세라믹체를 처리하는 방법
WO2016176073A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Corning Incorporated Glass manufacturing apparatus and methods
DE102016109974A1 (de) * 2016-05-31 2017-11-30 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Glasproduktes sowie verfahrensgemäß erhaltenes Glasprodukt
US11505487B2 (en) * 2017-03-16 2022-11-22 Corning Incorporated Method for decreasing bubble lifetime on a glass melt surface
US11760678B2 (en) * 2018-04-20 2023-09-19 Corning Incorporated Apparatus and method for controlling an oxygen containing atmosphere in a glass manufacturing process
CN109305747A (zh) * 2018-10-09 2019-02-05 成都中光电科技有限公司 一种超薄玻璃基板用双铂金通道结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983198A (en) 1988-02-29 1991-01-08 Hoya Corporation Glass melting method and apparatus
US6128924A (en) 1996-07-19 2000-10-10 Corning Incorporated Arsenic-free glasses
US6250111B1 (en) 1998-04-27 2001-06-26 Nh Technoglass Co. Lining material for glass melting furnaces, glass melting furnaces, process for producing glass products, and process for purifying the lining material
US6508083B1 (en) 1996-08-21 2003-01-21 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass and method for producing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3338696A (en) * 1964-05-06 1967-08-29 Corning Glass Works Sheet forming apparatus
US3607184A (en) * 1968-04-12 1971-09-21 Owens Illinois Inc Method and apparatus for drawing a devitrifiable glass at a temperature below the liquidus temperature
BE757057A (fr) * 1969-10-06 1971-04-05 Corning Glass Works Procede et appareil de controle d'epaisseur d'une feuille de verre nouvellement etiree
NL7214796A (ko) * 1972-11-02 1974-05-06
DE4012288C1 (ko) * 1990-04-17 1991-07-18 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
US5612892A (en) * 1993-12-16 1997-03-18 Intel Corporation Method and structure for improving power consumption on a component while maintaining high operating frequency
US5785726A (en) * 1996-10-28 1998-07-28 Corning Incorporated Method of reducing bubbles at the vessel/glass interface in a glass manufacturing system
DE19955827B4 (de) * 1999-11-20 2005-03-31 Schott Ag Verfahren zur Unterdrückung der Bildung von O2-Gasblasen an der Kontaktfläche zwischen einer Glasschmelze und Edelmetall
DE10009425A1 (de) * 2000-02-28 2001-09-06 Schott Glas Verfahren zur Sauerstoffläuterung von Glasschmelzen
US7032412B2 (en) * 2003-03-13 2006-04-25 Corning Incorporated Methods of manufacturing glass sheets with reduced blisters
DE102004015577B4 (de) * 2004-03-30 2012-08-23 Schott Ag Verfahren zum Herstellen von Glas unter Vermeidung von Blasen an Edelmetallbauteilen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983198A (en) 1988-02-29 1991-01-08 Hoya Corporation Glass melting method and apparatus
US6128924A (en) 1996-07-19 2000-10-10 Corning Incorporated Arsenic-free glasses
US6508083B1 (en) 1996-08-21 2003-01-21 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass and method for producing the same
US6250111B1 (en) 1998-04-27 2001-06-26 Nh Technoglass Co. Lining material for glass melting furnaces, glass melting furnaces, process for producing glass products, and process for purifying the lining material

Also Published As

Publication number Publication date
US20050050923A1 (en) 2005-03-10
JP2007504087A (ja) 2007-03-01
TW200526531A (en) 2005-08-16
US6993936B2 (en) 2006-02-07
CN1845880A (zh) 2006-10-11
US20060086146A1 (en) 2006-04-27
JP4723495B2 (ja) 2011-07-13
TWI292389B (en) 2008-01-11
WO2005030661A3 (en) 2005-08-04
CN1845880B (zh) 2010-10-06
KR20060086936A (ko) 2006-08-01
WO2005030661A2 (en) 2005-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101076580B1 (ko) 유리 시트의 산소 함유물 및 표면 기포 형성을 억제하기 위한 시스템과 방법 및 이로부터 얻어진 유리 시트
CN100515969C (zh) 制造很少凸泡的玻璃板的方法
KR101327141B1 (ko) 유리 제조 공정에서 기포를 제거하는 방법
TWI755502B (zh) 用於減少玻璃熔體表面上氣泡壽命之方法
KR101650215B1 (ko) 유리 시트 제조용 방법 및 장치
WO2011007840A1 (ja) 溶融ガラス製造方法および減圧脱泡装置、ならびにガラス製品の製造方法
TWI389862B (zh) Glass manufacturing apparatus and manufacturing method thereof
JP2006076871A (ja) 硼珪酸板ガラス物品の製造装置、製造方法及び硼珪酸板ガラス物品
TWI655162B (zh) 伴隨耐火材之氣體預處理的玻璃片製造方法
EP3458429A1 (en) Purified ceramic materials and methods for making the same
US11655176B2 (en) Method for decreasing bubble lifetime on a glass melt surface
CN115667159B (zh) 最小化在贵金属系统中制造的玻璃中的结晶铑-铂缺陷的形成
WO2019195635A1 (en) Purified aluminosilicate refractory compositions
JPH076975A (ja) 石英ガラスボートおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141007

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151006

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161011

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170929

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180928

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190924

Year of fee payment: 9