KR101061555B1 - 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법 - Google Patents

나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101061555B1
KR101061555B1 KR1020090078748A KR20090078748A KR101061555B1 KR 101061555 B1 KR101061555 B1 KR 101061555B1 KR 1020090078748 A KR1020090078748 A KR 1020090078748A KR 20090078748 A KR20090078748 A KR 20090078748A KR 101061555 B1 KR101061555 B1 KR 101061555B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
quartz substrate
quartz
template
manufacturing
substrate
Prior art date
Application number
KR1020090078748A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110021129A (ko
Inventor
이지혜
정준호
김기돈
최대근
최준혁
이응숙
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020090078748A priority Critical patent/KR101061555B1/ko
Publication of KR20110021129A publication Critical patent/KR20110021129A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101061555B1 publication Critical patent/KR101061555B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

본 발명은 높은 기계적 안정성을 확보하면서 고해상도 패턴을 용이하게 제작할 수 있는 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법은, 제1 수정 기판을 준비하는 단계와, 제1 수정 기판의 일면에 나노 스케일의 미세 패턴을 형성하는 단계와, 제1 수정 기판보다 큰 두께를 가지는 제2 수정 기판을 준비하는 단계와, 제1 수정 기판과 제2 수정 기판을 세정 및 표면 처리하는 단계와, 제1 수정 기판과 제2 수정 기판을 밀착하여 가접합하는 단계와, 제1 수정 기판과 제2 수정 기판을 어닐링하여 완전 접합하는 단계를 포함한다.
임프린트, 수정, 쿼츠, 나노패턴, 미세패턴, 세정, 표면처리, 가접합, 어닐링

Description

나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법 {TEMPLATE FOR NANO-IMPRINT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 나노 임프린트용 템플릿에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 기계적 안정성을 확보하면서 고해상도 패턴을 용이하게 제작할 수 있는 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
나노 임프린트는 저렴한 비용으로 미세 패턴을 형성할 수 있는 기술 중 하나로서, 생산성이 낮은 전자빔 리소그래피 기술 및 고가의 광학 리소그래피 기술을 대체할 기술로 주목을 받고 있다.
나노 임프린트 기술 중 레지스트를 자외선으로 경화시키는 자외선 나노 임프린트의 경우, 자외선 투과를 위해 수정(quartz) 템플릿을 사용한다. 수정 템플릿은 나노 임프린트 공정에서 압력을 받으므로, 균일한 압력 전달과 높은 기계적 안정성 확보를 위해 대략 10mm 이상의 큰 두께로 형성된다.
최근들어 3차원 미세 패턴이 형성된 다단 템플릿을 이용한 나노 임프린트 기술이 개발되고 있다. 3차원 미세 패턴은 2단 이상의 다단 구조를 가지며, 이를 고해상도로 제작하기 위해서는 단과 단 사이의 높은 정렬도가 요구된다.
그런데 수정 템플릿은 그 두께로 인해 기존 반도체 장비와의 호환성이 매우 낮고, 공정 변수가 최적화되어 있지 않으므로, 고해상도 및 고정렬도의 3차원 미세 패턴을 구현하기 어려운 한계가 있다.
본 발명은 높은 기계적 안정성을 확보함과 동시에 기존 반도체 장비를 사용하여 고해상도 및 고정렬도의 3차원 미세 패턴을 용이하게 제작할 수 있는 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법은, 제1 수정 기판을 준비하는 단계, 제1 수정 기판의 일면에 나노 스케일의 미세 패턴을 형성하는 단계, 제1 수정 기판보다 큰 두께를 가지는 제2 수정 기판을 준비하는 단계, 제1 수정 기판과 제2 수정 기판을 세정 및 표면 처리하는 단계, 제1 수정 기판과 제2 수정 기판을 밀착하여 가접합하는 단계, 및 제1 수정 기판과 제2 수정 기판을 어닐링하여 완전 접합하는 단계를 포함한다.
제1 수정 기판은 0.3mm 내지 1.2mm의 두께를 가질 수 있다. 제1 수정 기판은 반도체 공정 장비에 장착되어 미세 패턴을 형성할 수 있으며, 미세 패턴은 2단 이상의 다단 구조를 가질 수 있다.
제2 수정 기판은 5mm 내지 20mm의 두께를 가질 수 있다. 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법은, 제2 수정 기판을 준비한 다음, 제2 수정 기판 중 제1 수정 기 판과의 접합 영역에 양각 패턴부 또는 음각 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제1 수정 기판 및 제2 수정 기판은 H2O2, H2SO4 또는 NH4OH를 포함하는 세정액으로 세정되어 그 표면에 Si-OH기를 형성할 수 있다.
제1 수정 기판 및 제2 수정 기판의 표면 처리는 산소 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 및 자외선 오존 처리 중 어느 하나로 실시될 수 있다.
제1 수정 기판 및 제2 수정 기판은 표면 처리 후 탈이온수로 린스 처리될 수 있다. 어닐링은 100℃ 내지 1100℃ 조건에서 1시간 내지 3일 동안 실시될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿은 전술한 방법으로 제조되며, 제1 수정 기판과 제2 수정 기판은 계면에서 직접 접합된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 수정 기판은 반도체 공정 장비와의 호환성이 매우 높고, 제2 기판은 5mm 이상의 큰 두께로 형성되어 나노 임프린트 공정에서 압력을 균일하게 분산시킬 수 있으므로, 나노 임프린트용 템플릿은 고정밀도의 미세 패턴을 구비함과 동시에 우수한 기계적 안정성을 확보할 수 있다.
또한, 나노 임프린트용 템플릿은 제1 및 제2 수정 기판 사이에 접착제를 구비하지 않으므로 세정 용액에 의해 접착층이 손상되는 문제를 미연에 방지할 수 있고, 어닐링에 의해 제1 및 제2 기판을 강하게 결합시켜 내구성을 높일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
도 1을 참고하면, 나노 임프린트용 템플릿(이하, '템플릿'이라 한다)의 제조 방법은, 제1 수정 기판(10)을 준비하는 제1 단계(a 참조)와, 제1 수정 기판(10)의 표면에 나노 스케일의 미세 패턴(12)을 형성하는 제2 단계(b 참조)와, 제1 수정 기판(10)보다 큰 두께를 가지는 제2 수정 기판(14)을 준비하는 제3 단계(c 참조)와, 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)을 세정 및 표면 처리하는 제4 단계와, 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)을 밀착하여 가접합하는 제5 단계(d 참조)와, 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)을 어닐링하여 완전 접합하는 제6 단계(e 참조)를 포함한다.
제1 실시예의 템플릿(100)은 단일 수정 기판으로 제작되지 않고, 서로 다른 두께를 가지는 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)의 조합으로 이루어진다. 제1 수정 기판(10)은 미세 패턴(12) 형성용이고, 제2 수정 기판(14)은 나노 임프린트 공정시 압력을 인가받는 기판으로서 압력을 균일하게 분산시키며, 제1 수정 기판(10)을 지지하는 역할을 한다.
제1 단계에서, 제1 수정 기판(10)은 0.3mm 내지 1.2mm의 두께를 가진다. 이 러한 두께는 반도체 제조용 실리콘 웨이퍼의 두께와 거의 유사한 것이므로, 제1 수정 기판(10)과 반도체 공정 장비와의 호환성을 높인다. 따라서 제1 수정 기판(10)을 공지의 반도체 공정 장비에 바로 적용하여 가공할 수 있다. 또한, 제1 수정 기판(10)은 결정화된 실리콘 옥사이드로서 실리콘 웨이퍼와 재료적 특성이 유사하므로, 미세 패턴(12)을 위한 공정 조건을 용이하게 최적화할 수 있다.
따라서 제2 단계에서, 반도체 공정 장비를 이용하여 제1 수정 기판(10)을 식각 가공함으로써 나노 스케일의 미세 패턴(12)을 용이하게 형성할 수 있다. 여기서, 나노 스케일은 1nm 내지 1000nm의 범위에 속하는 크기를 의미한다.
제1 수정 기판(10)의 미세 패턴(12)은 단일의 요철 구조이거나, 2단 이상의 다른 요철 구조를 가지는 다단 구조일 수 있다. 도 1의 (b)에서는 2단의 요철 구조를 가지는 다단 구조의 미세 패턴(12)을 예로 들어 도시하였다. 미세 패턴(12)이 다단 구조인 경우, 먼저 형성되는 단의 요철 구조와 나중에 형성되는 단의 요철 구조 사이에 높은 정렬도가 요구된다.
제1 실시예에서는 반도체 공정 장비에 제1 수정 기판(10)을 장착하고, 이를 식각하여 미세 패턴(12)을 형성하므로, 반도체 제조 수준의 높은 정밀도 및 정렬도로 미세 패턴을 제작할 수 있다. 따라서 제1 수정 기판(10)에 2단 이상의 복잡한 요철 구조를 가지는 3차원 구조의 미세 패턴(12)을 높은 정밀도로 제작할 수 있다.
제3 단계에서, 제2 수정 기판(14)은 5mm 내지 20mm의 두께를 가진다. 제2 수정 기판(14)에는 미세 패턴이 형성되지 않으므로 5mm 이상 두께의 제2 수정 기판(14)을 준비한다. 이러한 두께를 가지는 제2 수정 기판(14)은 기계적 강도가 우 수하므로 나노 임프린트 공정에서 가해지는 압력에 저항하여 높은 기계적 안정성을 확보하고, 전사 대상물인 레지스트에 압력을 균일하게 전달하여 레지스트의 임프린트 패턴 품질을 높일 수 있다.
또한, 전술한 두께를 가지는 제2 수정 기판(14)은 핸들링이 쉽고, 상용화된 나노 임프린트 장비에 쉽게 장착할 수 있다. 반면, 제2 수정 기판(14)의 두께가 5mm 미만이거나 20mm를 초과하면 상용화된 나노 임프린트 장비와 호환이 되지 않아 제2 수정 기판(14)을 장착하기 어려운 문제가 있다.
제4 단계에서, 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)은 세정, 표면 처리, 및 탈이온수 린스 과정을 거친다.
세정은 H2O2, H2SO4 또는 NH4OH를 포함하는 세정액으로 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)의 표면을 세정하는 과정으로 이루어진다. 세정 과정에 의해 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)의 표면에 실란올(Si-OH)기가 형성되며, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 표면은 친수성(hydrophilic) 상태가 된다.
표면 처리는 제1 및 제2 수정 기판(10, 14) 표면의 실란올기의 수를 증가시키고, 이를 활성화시키기 위한 것이다. 표면 처리는 산소 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 및 자외선 오존 처리 중 어느 한 방법으로 이루어진다.
산소 플라즈마 처리의 경우, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)을 챔버(도시하지 않음) 내부에 위치시키고, 산소 가스를 이용하여 발생시킨 플라즈마를 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 표면에 충돌시킨다. 그러면 산소 플라즈마와 제1 및 제2 수정 기판(10, 14) 사이의 화학적 반응과 물리적 반응에 의해 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 표면 특성을 변화시킨다.
이때, 챔버의 내부 압력은 5mTorr 내지 200mTorr일 수 있고, 10W 내지 500W의 전력을 10초 내지 500초 동안 인가하여 산소 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 산소 플라즈마 표면 처리는 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 표면이 손상되거나 파티클이 발생하지 않도록 적절한 시간과 강도로 조절된다.
코로나 방전 처리의 경우, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)을 코로나 방전기(도시하지 않음) 아래에 위치시키고, 코로나 방전으로 오존을 발생시킨다. 자외선 오존 처리의 경우, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)을 자외선 램프가 장착된 챔버(도시하지 않음) 내부에 위치시키고, 자외선 인가로 오존을 발생시킨다. 그러면 오존이 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)과 화학적 반응을 일으켜 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 표면 특성을 변화시킨다.
자외선 오존 처리의 경우, 자외선 램프의 전력은 5mW/cm2 내지 100mW/cm2일 수 있고, 5분 내지 30분 동안 자외선을 인가하여 오존을 발생시킬 수 있다. 챔버의 온도는 상온 내지 500℃일 수 있다. 자외선 오존 처리는 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 표면이 손상되거나 파티클이 발생하지 않도록 적절한 시간과 온도로 조절된다.
전술한 표면 처리 과정에 의해 제1 및 제2 수정 기판(10, 14) 표면의 실란올기가 활성화되며, 이는 다음에 진행되는 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 접합시 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 접합력을 높이는 기능을 한다. 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)은 표면 처리 이후 탈이온수로 린스 처리되어 파티클과 같은 불순물을 제거한다.
제5 단계에서, 제1 수정 기판(10)은 제2 수정 기판(14)에 가압 밀착되어 제2 수정 기판(14)에 가접합된다. 제1 실시예의 제조 방법에서 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)은 접착제 없이 계면의 표면 성질을 이용하여 직접 접합된다.
제1 수정 기판(10)을 상온에서 접착제 없이 제2 수정 기판(14)에 밀착시키면, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 접촉면에서 반데르발스 힘에 의해 국소적인 인력이 작용하여 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)이 접합된다. 즉, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14) 표면의 실란올기 사이에 반데르발스 힘이 작용하여 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)이 접합된다.
이 과정에서 제1 및 제2 수정 기판(10, 14) 사이의 접합력은 실란올기의 수 및 실란올기의 반응성에 비례하므로, 제4 단계의 표면 처리 과정에 의해 제5 단계에서 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 접합력을 향상시킬 수 있는 것이다.
제6 단계에서, 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)은 어닐링(고온 열처리)을 거쳐 완전 접합된다. 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)은 핫 챔버 내부에 투입되거나 핫 플레이트 위에 놓여지며, 100℃ 내지 1100℃의 조건에서 1시간 내지 3일 동안 어닐링된다. 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)은 어닐링에 의해 두 접촉면의 실란올기의 결합이 활성화되면서 접합이 진행되어 계면 경계가 사라지며, 그 결과 하나의 단일 템플릿(100)을 완성한다.
실란올기의 반응식은 아래와 같다.
SiOH + SiOH -> SiO + H2O
이 과정에서, 어닐링 온도가 100℃ 미만이면 두 실란올기의 결합이 활성화되지 않아 결합력이 낮아진다. 반면, 어닐링 온도가 1100℃를 초과하면 수정의 상변태가 일어나 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 접합 부위가 약해지거나, 제1 수정 기판(10)과 제2 수정 기판(14)의 열팽창 계수 차이에 의해 응력이 발생하여 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)의 접합 부위가 약해질 수 있다.
완성된 템플릿(100)은 지지체로 기능하는 제2 수정 기판(14)과, 제2 수정 기판(14)의 일면에 위치하며 미세 패턴(12)을 구비하는 제1 수정 기판(10)으로 이루어진다.
제1 수정 기판(10)은 반도체 공정 장비와의 호환성이 매우 높고, 제2 수정 기판(14)은 5mm 이상의 큰 두께로 형성되어 나노 임프린트 공정에서 압력을 균일하게 분산시킬 수 있으므로, 템플릿(100)은 고정밀도의 미세 패턴(12)을 구비함과 동시에 우수한 기계적 안정성을 확보할 수 있다.
또한, 템플릿(100)은 제1 및 제2 수정 기판(10, 14) 사이에 접착제를 구비하지 않으므로 세정 용액에 의해 접착층이 손상되는 문제를 미연에 방지할 수 있고, 어닐링에 의해 제1 및 제2 수정 기판(10, 14)을 강하게 결합시켜 내구성을 높일 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
도 2를 참고하면, 제2 실시예의 템플릿 제조 방법은 제1 수정 기판(10)보다 큰 두께의 제2 수정 기판(141)을 준비한 다음, 제2 수정 기판(141)의 일면을 가공하여 양각 패턴부(16)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 제외하고 전술한 제1 실시예의 템플릿 제조 방법과 동일한 단계들을 포함한다.
양각 패턴부(16)는 제1 수정 기판(10)보다 큰 폭으로 형성될 수 있으며, 제2 수정 기판(141)의 일면에서 제1 수정 기판(10)과의 접합 영역을 정의하는 기능을 한다. 따라서 제1 및 제2 수정 기판(10, 141)을 가접합시키는 단계에서 제1 및 제2 수정 기판(10, 141)의 정렬도를 높일 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
도 3을 참고하면, 제3 실시예의 템플릿 제조 방법은 제1 수정 기판(10)보다 큰 두께의 제2 수정 기판(142)을 준비한 다음, 제2 수정 기판(142)의 일면을 가공하여 음각 패턴부(18)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 제외하고 전술한 제1 실시예의 템플릿 제조 방법과 동일한 단계들을 포함한다.
음각 패턴부(18)는 제1 수정 기판(10)보다 큰 폭으로 형성될 수 있으며, 제2 수정 기판(142)의 일면에서 제1 수정 기판(10)과의 접합 영역을 정의하는 기능을 한다. 따라서 제1 및 제2 수정 기판(10, 142)을 가접합시키는 단계에서 제1 및 제2 수정 기판(10, 142)의 정렬도를 높일 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 3에서는 제2 수정 기판(14, 141, 142)에 하나의 제1 수 정 기판(10)이 접합되는 경우를 도시하였으나, 도 4에 도시한 바와 같이 제2 수정 기판(143)에 2개 이상의 제1 수정 기판(101)이 나란히 접합되어 대형 템플릿(200)을 구성할 수 있다.
또한, 제2 수정 기판(143)에 2개 이상의 제1 수정 기판(101)이 접합되는 경우, 제2 수정 기판(143)은 하나 또는 제1 수정 기판(101)의 개수에 대응하는 양각 패턴부(도시하지 않음) 또는 음각 패턴부(도시하지 않음)를 형성할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
도 4는 도 1에 도시한 나노 임프린트용 템플릿의 다른 실시예를 나타낸 개략도이다.

Claims (11)

  1. 제1 수정 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 수정 기판의 일면에 나노 스케일의 미세 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 수정 기판보다 큰 두께를 가지는 제2 수정 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판을 세정 및 표면 처리하여 상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판의 표면을 친수화하는 단계;
    상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판을 밀착하여 가접합하는 단계; 및
    상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판을 어닐링하여 완전 접합하는 단계
    를 포함하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수정 기판은 0.3mm 내지 1.2mm의 두께를 가지는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 수정 기판은 반도체 공정 장비에 장착되어 상기 미세 패턴을 형성하며, 상기 미세 패턴은 2단 이상의 다단 구조를 가지는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 수정 기판은 5mm 내지 20mm의 두께를 가지는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 수정 기판을 준비한 다음, 상기 제2 수정 기판 중 상기 제1 수정 기판과의 접합 영역에 양각 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 수정 기판을 준비한 다음, 상기 제2 수정 기판 중 상기 제1 수정 기판과의 접합 영역에 음각 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수정 기판 및 상기 제2 수정 기판은 H2O2, H2SO4 또는 NH4OH를 포함하는 세정액으로 세정되어 그 표면에 Si-OH기를 형성하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 수정 기판 및 상기 제2 수정 기판의 표면 처리는 산소 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 및 자외선 오존 처리 중 어느 하나로 실시되는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 수정 기판 및 상기 제2 수정 기판은 상기 표면 처리 후 탈이온수로 린스 처리되는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 어닐링은 100℃ 내지 1100℃ 조건에서 1시간 내지 3일 동안 실시되는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되며, 상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판은 계면에서 직접 접합되는 나노 임프린트용 템플릿.
KR1020090078748A 2009-08-25 2009-08-25 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법 KR101061555B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090078748A KR101061555B1 (ko) 2009-08-25 2009-08-25 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090078748A KR101061555B1 (ko) 2009-08-25 2009-08-25 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110021129A KR20110021129A (ko) 2011-03-04
KR101061555B1 true KR101061555B1 (ko) 2011-09-01

Family

ID=43930084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090078748A KR101061555B1 (ko) 2009-08-25 2009-08-25 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101061555B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130020425A (ko) 2011-08-19 2013-02-27 삼성전자주식회사 스탬프와 그 제조방법 및 스탬프를 이용한 임프린트 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008146542A1 (ja) 2007-05-24 2008-12-04 Asahi Glass Company, Limited モールド、その製造方法および転写微細パターンを有する基材の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008146542A1 (ja) 2007-05-24 2008-12-04 Asahi Glass Company, Limited モールド、その製造方法および転写微細パターンを有する基材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110021129A (ko) 2011-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102910579B (zh) 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品
JP5633744B2 (ja) 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法
JP4262267B2 (ja) モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法
JP2008078550A (ja) インプリントモールドおよびその製造方法およびパターン形成方法
EP3025195B1 (en) Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp and patterned stamp imprinting method
JP2010074163A (ja) ナノインプリント用モールド製作方法及びナノインプリント用モールドを用いたパターン成形方法
JP5050532B2 (ja) インプリントモールド、インプリントモールド製造方法および表面改質装置
KR101064900B1 (ko) 패턴 형성방법
JP2009226762A (ja) インプリントモールド、インプリントモールド製造方法、微細構造体
JP2017032806A (ja) 反射防止用微細突起の製造方法
JP5114848B2 (ja) インプリント用モールドの欠陥修正方法及びインプリント用モールドの製造方法
KR101061555B1 (ko) 나노 임프린트용 템플릿 및 이의 제조 방법
JPWO2007029810A1 (ja) ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学素子
JP2010137538A (ja) インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド
JP2012236371A (ja) インプリントにおける離型方法
KR101208661B1 (ko) 나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법
KR100912598B1 (ko) 더미 나노 패턴을 구비한 나노 임프린트용 스탬프 및 이를이용한 나노 임프린팅 방법
JP5200726B2 (ja) インプリント方法、プレインプリントモールド、プレインプリントモールド製造方法、インプリント装置
JP4899638B2 (ja) モールドの製造方法
KR100876386B1 (ko) 소프트 몰딩을 이용한 잔여층이 없는 레지스트 패턴형성방법 및 그 방법을 이용한 패턴화된 금속층의 형성방법
JP2007035998A (ja) インプリント用モールド
JP2007102156A (ja) ３次元構造物の製造方法、３次元構造物、光学素子及びステンシルマスク。
JP2018006617A (ja) 電解コンデンサ用電極箔の製造方法
JP4858030B2 (ja) インプリント用モールド、インプリント用モールド製造方法およびパターン形成方法
JP2007237360A (ja) 凹凸パターンを有する構造体の製造方法、凹凸パターンを有する構造体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150609

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160608

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 7