KR101043216B1 - 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 534
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 135
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 627
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 499
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 441
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 244
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 222
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 151
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 148
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 119
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 119
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 118
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 183
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 133
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 112
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 112
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 81
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 22
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 claims 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 claims 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 claims 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 77
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 abstract description 45
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 24
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 12
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
Description
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 처리실 내에서 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 방법으로서, 제 1 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 박막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과, 제 2 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 박막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 석영 부재를 포함하는 부재에 의해 구성된 처리실 내에서 기판 상에 질화 실리콘 막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 방법으로서, 제 1 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과, 제 2 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영 가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 석영 부재와 금속 부재를 포함하는 부재에 의해 구성된 처리실 내에서 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 방법으로서, 온도를 350℃ 이상 450℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과, 온도를 400℃ 이상 500℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행하는 처리실과, 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와, 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 상기 처리실 내를 가열하는 히터와, 상기 처리실 내에서 상기 기판에 대하여 상기 처리를 수행할 때는, 상기 처리실 내를 처리 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행하고, 상기 처리실 내를 클리닝할 때는, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내를 제1 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 박막을 열화학 반응에 의해 제거하고, 그 후, 상기 처리실 내를 제2 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 박막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하도록, 상기 히터와 상기 처리 가스 공급계와 상기 클리닝 가스 공급계를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것인 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 석영 부재를 포함하는 부재에 의해 구성되고, 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하는 처리실과,처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와, 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 상기 처리실 내를 가열하는 히터와, 상기 처리실 내에서 상기 기판에 대하여 상기 처리를 수행할 때는, 상기 처리실 내를 처리 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 질화 실리콘 막을 형성하는 처리를 수행하고, 상기 처리실 내를 클리닝할 때는, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내를 제 1 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하고, 그 후, 상기 처리실 내를 제 2 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영 가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하도록, 상기 처리 가스 공급계, 상기 클리닝 가스 공급계 및 상기 히터를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 석영 부재와 금속 부재를 포함하는 부재에 의해 구성되고, 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하는 처리실과, 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와, 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 상기 처리실 내를 가열하는 히터와, 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 압력 조정 장치와, 상기 처리실 내에서 상기 기판에 대하여 상기 처리를 수행할 때는, 상기 처리실 내를 처리 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하고, 상기 처리실 내를 클리닝할 때는, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 온도를 350℃ 이상 450℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하고, 그 후, 온도를 400℃ 이상 500℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하도록, 상기 처리 가스 공급계, 상기 클리닝 가스 공급계, 상기 히터 및 상기 압력 조정 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
Claims (21)
- 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과,처리 온도로 가열된 상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행하는 공정과,처리가 완료된 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하는 공정과,상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 공정을 포함하고,상기 처리실 내를 클리닝하는 공정은,제1 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 박막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과,제2 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 박막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1 온도를 350℃ 이상 450℃ 이하로 하고, 상기 제 2 온도를 400℃ 이상 500℃ 이하로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1 온도 및 상기 제 2 온도를 각각 400℃ 이상 450℃ 이하로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1 온도를 350℃ 이상 450℃ 이하로 하고, 상기 제 2 온도를 450℃ 이상 500℃ 이하로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2 온도를 상기 제 1 온도와 동등 또는 상기 제 1 온도보다 높은 온도로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리실 내를 클리닝하는 공정에서는, 상기 처리실 내의 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정에 있어서의 상기 처리실 내의 압력과, 상기 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정에 있어서의 상기 처리실 내의 압력을 동등한 압력으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 처리실은, 석영 부재를 포함하는 부재에 의해 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제 1 온도 및 상기 제 2 온도는, 상기 박막과 상기 석영 부재가 동등하게 에칭되거나, 상기 석영 부재보다 상기 박막 쪽이 약간 많이 에칭되는 온도인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제 1 온도 및 상기 제 2 온도는, 상기 박막의 에칭 레이트와 상기 석영 부재의 에칭 레이트가 동등하게 되거나, 상기 석영 부재의 에칭 레이트보다 상기 박막의 에칭 레이트 쪽이 약간 커지는 온도인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제 1 온도는 상기 석영 부재보다 상기 박막 쪽이 보다 많이 에칭되는 온도이고, 상기 제 2 온도는 상기 박막보다 상기 석영 부재 쪽이 보다 많이 에칭되는 온도인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제 1 온도는 상기 석영 부재의 에칭 레이트보다 상기 박막의 에칭 레이트 쪽이 커지는 온도이고, 상기 제 2 온도는 상기 박막의 에칭 레이트보다 상기 석영 부재의 에칭 레이트 쪽이 커지는 온도인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내의 온도를 상기 처리 온도보다 낮은 온도까지 강하시켜 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 박막에 열충격을 주어 강제적으로 크랙을 발생시키고, 상기 처리실 내에 부착한 부착력이 약한 부착물을 강제적으로 박리시키며, 상기 처리실 내를 가스 퍼지하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 석영 부재를 포함하는 부재에 의해 구성된 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하는 공정과,처리가 완료된 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하는 공정과,상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 공정을 포함하고,상기 처리실 내를 클리닝하는 공정은,제1 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하고, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과,제2 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하고, 상기 질화 실리콘막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 질화 실리콘막의 제거 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영 가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 석영 부재와 금속 부재를 포함하는 부재에 의해 구성된 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하는 공정과,처리 완료된 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출하는 공정과,상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 공정을 포함하고,상기 처리실 내를 클리닝 하는 공정은,온도를 350℃ 이상 450℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과,온도를 400℃ 이상 500℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 처리실 내에서 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 방법으로서,제 1 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 박막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과,제 2 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 박막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 클리닝 방법.
- 석영 부재를 포함하는 부재에 의해 구성된 처리실 내에서 기판 상에 질화 실리콘 막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 방법으로서,제 1 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과,제 2 온도로 가열된 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영 가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 클리닝 방법.
- 석영 부재와 금속 부재를 포함하는 부재에 의해 구성된 처리실 내에서 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행한 후의 상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 클리닝하는 방법으로서,온도를 350℃ 이상 450℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정과,온도를 400℃ 이상 500℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정을 포함하는 클리닝 방법.
- 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행하는 처리실과,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와,상기 처리실 내를 가열하는 히터와,상기 처리실 내에서 상기 기판에 대하여 상기 처리를 수행할 때는, 상기 처리실 내를 처리 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 박막을 형성하는 처리를 수행하고, 상기 처리실 내를 클리닝할 때는, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내를 제1 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 박막을 열화학 반응에 의해 제거하고, 그 후, 상기 처리실 내를 제2 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 박막을 상기 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하도록, 상기 히터와 상기 처리 가스 공급계와 상기 클리닝 가스 공급계를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것인 기판 처리 장치.
- 석영 부재를 포함하는 부재에 의해 구성되고, 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하는 처리실과,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와,상기 처리실 내를 가열하는 히터와,상기 처리실 내에서 상기 기판에 대하여 상기 처리를 수행할 때는, 상기 처리실 내를 처리 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 질화 실리콘 막을 형성하는 처리를 수행하고, 상기 처리실 내를 클리닝할 때는, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 상기 처리실 내를 제 1 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하고, 그 후, 상기 처리실 내를 제 2 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영 가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하도록, 상기 처리 가스 공급계, 상기 클리닝 가스 공급계 및 상기 히터를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치.
- 석영 부재와 금속 부재를 포함하는 부재에 의해 구성되고, 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하는 처리실과,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,상기 처리실 내에 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와,상기 처리실 내를 가열하는 히터와,상기 처리실 내의 압력을 조정하는 압력 조정 장치와,상기 처리실 내에서 상기 기판에 대하여 상기 처리를 수행할 때는, 상기 처리실 내를 처리 온도로 가열하면서 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하여 상기 기판 상에 질화 실리콘막을 형성하는 처리를 수행하고, 상기 처리실 내를 클리닝할 때는, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서, 온도를 350℃ 이상 450℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 처리실 내에 퇴적한 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하고, 그 후, 온도를 400℃ 이상 500℃ 이하, 압력을 6650Pa 이상 26600Pa 이하로 설정한 상기 처리실 내에 상기 클리닝 가스로서, 불소 가스를 단독으로, 또는 불활성 가스로 희석된 불소 가스를 단독으로 공급하여, 상기 질화 실리콘막을 열화학 반응에 의해 제거하는 공정이 종료한 후에 상기 처리실 내에 잔류한 석영가루를 포함하는 부착물을 열화학 반응에 의해 제거하도록, 상기 처리 가스 공급계, 상기 클리닝 가스 공급계, 상기 히터 및 상기 압력 조정 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007314775 | 2007-12-05 | ||
JPJP-P-2007-314775 | 2007-12-05 | ||
JPJP-P-2008-046073 | 2008-02-27 | ||
JP2008046073 | 2008-02-27 | ||
JP2008261326A JP4531833B2 (ja) | 2007-12-05 | 2008-10-08 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
JPJP-P-2008-261326 | 2008-10-08 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100115327A Division KR101066933B1 (ko) | 2007-12-05 | 2010-11-19 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090059039A KR20090059039A (ko) | 2009-06-10 |
KR101043216B1 true KR101043216B1 (ko) | 2011-06-21 |
Family
ID=40722116
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080119072A KR101043216B1 (ko) | 2007-12-05 | 2008-11-27 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
KR1020100115327A KR101066933B1 (ko) | 2007-12-05 | 2010-11-19 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100115327A KR101066933B1 (ko) | 2007-12-05 | 2010-11-19 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090149032A1 (ko) |
JP (1) | JP4531833B2 (ko) |
KR (2) | KR101043216B1 (ko) |
TW (2) | TWI460791B (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100765681B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
JP5210191B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜のドライエッチング方法 |
WO2011111498A1 (ja) | 2010-03-08 | 2011-09-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5470149B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-04-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびクリーニング方法 |
KR101223489B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 가공 장치 |
JP5632687B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-11-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5933375B2 (ja) | 2011-09-14 | 2016-06-08 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP6108518B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2017-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラム |
TWI570777B (zh) * | 2011-12-23 | 2017-02-11 | 索泰克公司 | 減少半導體沉積系統反應腔內非所需沉積物之製程及系統 |
CN103372559B (zh) * | 2012-04-24 | 2015-07-29 | 无锡华润上华科技有限公司 | 炉管清洗方法 |
JP2014199856A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置の運転方法及び記憶媒体並びに縦型熱処理装置 |
JP2015065411A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-04-09 | 三菱電機株式会社 | 熱処理炉及び熱処理方法 |
JP6342670B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2018-06-13 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP2015162554A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成装置、及び、シリコン窒化膜の形成方法 |
US10375901B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-08-13 | Mtd Products Inc | Blower/vacuum |
JP6529780B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-06-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6023854B1 (ja) * | 2015-06-09 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN108541278B (zh) * | 2015-12-28 | 2022-03-08 | 昭和电工株式会社 | SiC单晶生长炉的清理方法 |
KR102072531B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2020-02-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
JP6749268B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
WO2019245592A1 (en) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | Versum Materials Us, Llc | Purge system for gas supply equipment capable of high-temperature high-pressure purging |
CN111304629B (zh) * | 2018-12-11 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室组件及反应腔室 |
JP7182577B2 (ja) | 2020-03-24 | 2022-12-02 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
CN112548312A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-26 | 昆山万洲特种焊接有限公司 | 一种利用温差去除焊具表面残留被焊材料的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134488A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 成膜方法およびプラズマ化学気相成長装置 |
JP2003264186A (ja) | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Asm Japan Kk | Cvd装置処理室のクリーニング方法 |
JP2004343026A (ja) | 2003-03-14 | 2004-12-02 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Cvd装置およびそれを用いたcvd装置のクリーニング方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1072672A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-03-17 | Applied Materials Inc | 非プラズマ式チャンバクリーニング法 |
US6042654A (en) | 1998-01-13 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines |
JP2000138168A (ja) | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハ及び気相成長装置 |
EP1127957A1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-29 | Asm Japan K.K. | A film forming apparatus having cleaning function |
US20030010354A1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-01-16 | Applied Materials, Inc. | Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber |
JP2002317269A (ja) | 2001-04-18 | 2002-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3421329B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法 |
JP4430918B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法 |
JP2005039153A (ja) | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
TW200527513A (en) * | 2003-11-20 | 2005-08-16 | Hitachi Int Electric Inc | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
JP4541739B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-09-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置 |
JP3828915B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2006-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP2006059921A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2006066540A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 |
JP4225998B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2009-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
JP2006173301A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | 非シリコン系膜の成膜装置のクリーニング方法 |
JP5259189B2 (ja) | 2005-10-03 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
US7494943B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Method for using film formation apparatus |
JP4786495B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP2007227501A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法及びクリーニング機能付き半導体製造装置 |
JP4844261B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
JP4990594B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2012-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP4918452B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP5113705B2 (ja) * | 2007-10-16 | 2013-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
-
2008
- 2008-10-08 JP JP2008261326A patent/JP4531833B2/ja active Active
- 2008-10-24 TW TW101131723A patent/TWI460791B/zh active
- 2008-10-24 TW TW097140822A patent/TWI399809B/zh active
- 2008-11-27 KR KR1020080119072A patent/KR101043216B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-02 US US12/292,995 patent/US20090149032A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-02-23 US US12/379,471 patent/US9856560B2/en active Active
-
2010
- 2010-11-19 KR KR1020100115327A patent/KR101066933B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134488A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 成膜方法およびプラズマ化学気相成長装置 |
JP2003264186A (ja) | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Asm Japan Kk | Cvd装置処理室のクリーニング方法 |
JP2004343026A (ja) | 2003-03-14 | 2004-12-02 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Cvd装置およびそれを用いたcvd装置のクリーニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090170328A1 (en) | 2009-07-02 |
KR20090059039A (ko) | 2009-06-10 |
TWI399809B (zh) | 2013-06-21 |
TW200933730A (en) | 2009-08-01 |
US9856560B2 (en) | 2018-01-02 |
JP4531833B2 (ja) | 2010-08-25 |
US20090149032A1 (en) | 2009-06-11 |
TWI460791B (zh) | 2014-11-11 |
KR20100126253A (ko) | 2010-12-01 |
JP2009231794A (ja) | 2009-10-08 |
TW201250835A (en) | 2012-12-16 |
KR101066933B1 (ko) | 2011-09-22 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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