KR101013994B1 - 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101013994B1
KR101013994B1 KR1020080101082A KR20080101082A KR101013994B1 KR 101013994 B1 KR101013994 B1 KR 101013994B1 KR 1020080101082 A KR1020080101082 A KR 1020080101082A KR 20080101082 A KR20080101082 A KR 20080101082A KR 101013994 B1 KR101013994 B1 KR 101013994B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electronic device
metal foil
insulating layer
circuit pattern
embedded
Prior art date
Application number
KR1020080101082A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100041993A (ko
Inventor
김운천
이성
김문일
임순규
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080101082A priority Critical patent/KR101013994B1/ko
Publication of KR20100041993A publication Critical patent/KR20100041993A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101013994B1 publication Critical patent/KR101013994B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828Etching
    • H01L21/4832Etching a temporary substrate after encapsulation process to form leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect

Abstract

전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 전자 소자가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, 금속박(metal foil)의 일면에 제1 회로 패턴을 형성하는 단계, 금속박의 일면과 전자 소자의 전극 사이에 접속 수지층을 개재하여 금속박의 일면에 전자 소자를 적층하는 단계, 절연층에 전자 소자를 매립하는 단계, 및 금속박의 일부를 제거하여, 접속 수지층을 통해 전극과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법이 제공된다. 이와 같은 본 발명에 따르면, 미세한 전극 피치를 갖는 전자 소자가 내장될 수 있다. 또한, 제조 비용을 절감할 수 있다.
전자 소자, 내장, 인쇄회로기판

Description

전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법{Printed circuit board having embedded electronic component and method of manufacturing the same}
본 발명은 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 산업의 발달에 따라, 전자 부품의 고기능화, 소형화에 대한 요구가 증가되고 있고, 이와 함께, 전자 소자가 실장된 인쇄회로기판의 박형화가 요구되고 있다.
이에 인쇄회로기판의 표면에 전자 소자를 실장하는 기존의 표면 실장식(SMT, Surface Mount Technology)과는 다른 새로운 방식의 전자 소자 실장 방식이 대두되고 있다.
즉, 인쇄회로기판의 내부에, 반도체 칩과 같은 능동 부품이나 캐패시터(capacitor)와 같은 수동 부품을 매립시켜 부품의 고밀도화 및 신뢰성 향상을 추구하는 전자 소자(능동 및 수동 소자) 내장 인쇄회로기판에 대한 연구가 진행되고 있는 것이다.
그러나, 종래 기술에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판의 경우, 전자 소자 의 전극을 외부와 전기적으로 연결하기 위한 비아홀 가공 공정 등이 수반되어, 미세한 전극 피치를 가지는 전자 소자에는 적용되기 어려운 문제가 있었다.
본 발명은, 미세한 전극 피치를 갖는 전자 소자가 내장될 수 있는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 전자 소자가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, 금속박(metal foil)의 일면에 제1 회로 패턴을 형성하는 단계, 금속박의 일면과 전자 소자의 전극 사이에 접속 수지층을 개재하여 금속박의 일면에 전자 소자를 적층하는 단계, 절연층에 전자 소자를 매립하는 단계, 및 금속박의 일부를 제거하여, 접속 수지층을 통해 전극과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법이 제공된다.
이 때, 전자 소자를 매립하는 단계는, 전자 소자가 적층된 금속박을 절연층으로 가압하여, 절연층에 전자 소자 및 제1 회로 패턴을 매립하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 접속 수지층은, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF) 및 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
한편, 금속박은 한 쌍이고, 전자 소자는 복수개이며, 전자 소자를 적층하는 단계는, 금속박 중 어느 하나의 일면에 전자 소자의 일부를 적층하고, 금속박 중 다른 하나의 일면에 전자 소자의 다른 일부를 적층하는 단계이고, 전자 소자를 매립하는 단계는, 전자 소자의 일부를 전자 소자의 다른 일부와 전극이 반대 방향을 향하도록 배치하여 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 절연층, 절연층에 매립되는 제1 회로 패턴, 전극이 절연층의 제1 회로 패턴이 매립된 면을 향하도록 절연층에 매립되는 전자 소자, 전극을 커버하도록 전자 소자에 형성되는 접속 수지층, 및 절연층에 접속 수지층과 접하도록 형성되어, 접속 수지층을 통해 전극과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴을 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판이 제공된다.
이 때, 제1 회로 패턴은, 절연층 중 전자 소자가 매립되는 영역 이외의 영역에 매립될 수 있다.
또한, 접속 수지층은, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF) 및 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 전자 소자는 복수개이고, 전자 소자의 일부는, 전자 소자의 다른 일부와 전극이 반대 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 미세한 전극 피치를 갖는 전자 소자가 내장될 수 있다. 또한, 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
또한, 적층이라 함은, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도이다.
본 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 전자 소자(140)가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, 금속박(metal foil, 110)의 일면에 제1 회로 패턴(120)을 형성하는 단계(S110), 금속박(110)의 일면과 전자 소자(140)의 전극(142) 사이에 접속 수지층(130)을 개재하여 금속박(110)의 일면에 전자 소자(140)를 적층하는 단계(S120), 절연층(150)에 전자 소자(140)를 매립하는 단 계(S130), 및 금속박(110)의 일부를 제거하여, 접속 수지층(130)을 통해 전극(142)과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴(160)을 형성하는 단계(S140)를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 금속박(110)에 제1 회로 패턴(120)을 형성하고, 이 금속박(110)을 에칭하여 제2 회로 패턴(160)을 형성하는 2 단계의 공정을 통해, 전체 회로 패턴을 보다 미세하게 형성하고, 전자 소자(140)가 금속박(110)에 적층된 후 금속박(110)의 일부를 제거하여 제2 회로 패턴(160)을 형성함으로써, 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100)에 있어서, 전자 소자(140) 전극(142)의 피치(pitch)를 보다 미세하게 구현할 수 있다. 또한, 제조 공정에 있어 캐리어를 사용하지 않으므로, 제조 비용을 절감할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여, 본 실시예의 각 공정에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 금속박(110)의 일면에 제1 회로 패턴(120)을 형성한다(S110). 예를 들어, 에디티브(additive) 공정을 이용하여 제1 회로 패턴(120)을 형성하는 공정으로, 이 제1 회로 패턴(120)은 이 후 절연층(150)에 전자 소자(140)를 매립하는 공정을 통해 절연층(150)으로 매립된다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 금속박(110)의 일면과 전자 소자(140)의 전극(142) 사이에 접속 수지층(130)을 개재하여 금속박(110)의 일면에 전자 소자(140)를 적층한다(S120).
이와 같은 접속 수지층(130)은, 예를 들어, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF), 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 또는 이들 간의 2 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 전자 소자(140)의 전극(142)과 금속박(110) 일면 사이에 접속 수지층(130)을 개재함으로써, 전자 소자(140)의 전극(142)과 이 후 금속박(110)의 에칭에 의해 형성될 제2 회로 패턴(160)은, 이러한 접속 수지층(130)에 의하여 보다 효과적으로 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 에칭 등에 의해 형성되어 표면 거칠기가 증가된 회로 패턴을 접속 수지층(130)에 접합하는 것이 아니라, 패터닝(patterning)되지 않아 표면 거칠기가 작은 금속박(110)을 접속 수지층(130)에 먼저 접합시키고, 이 후 금속박(110)을 에칭하여 제2 회로 패턴(160)을 형성함으로써, 전극(142)과 제2 회로 패턴(160) 간의 접속 효율이 향상될 수 있다.
한편, 금속박(110)은 한 쌍이고, 전자 소자(140)는 복수개일 수 있으므로, 금속박(110) 중 어느 하나의 일면에는 전자 소자(140)의 일부를 적층하고, 금속박(110) 중 다른 하나의 일면에는 전자 소자(140)의 다른 일부를 적층할 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같은 금속박(110)에 전자 소자(140)를 적층하는 공정을 다 수 수행하는 것이다.
이에 따라, 이 후 공정에서 전자 소자(140)의 일부 및 다른 일부를 절연층(150)의 양면으로 각각 가압하여 복수의 전자 소자(140)를 일괄적으로 절연층(150)에 매립할 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 절연층(150)에 전자 소자(140)를 매립한다(S130). 본 공정은, 상술한 공정에 의하여 전자 소자(140)가 적층된 금속박(110)을 절연층(150)으로 가압하여, 절연층(150)에 전자 소자(140)와 함께 제1 회로 패턴(120)을 매립함으로써, 수행될 수 있다.
이 경우, 본 공정은, 도 4에 도시된 바와 같이, 전자 소자(140)의 일부를 전자 소자(140)의 다른 일부와 전극(142)이 반대 방향을 향하도록 배치하여 수행될 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 한 쌍의 금속박(110)의 각 일면에 복수의 전자 소자(140)를 나누어 각각 적층하고, 이들 복수의 전자 소자(140)가 절연층(150)의 양면에 각각 매립되도록 한 쌍의 금속박(110)을 절연층(150)의 양면으로 각각 가압하는 것이다.
본 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이, 제1 회로 패턴(120)의 형성, 및 전자 소자(140)의 매립 공정에 있어, 캐리어를 사용하지 않음으로써, 제조 비용을 절감하고, 제조 공정을 단순화할 수 있다.
본 실시예의 경우, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 금속박(110) 에 복수의 전자 소자(140)를 나누어 적층한 후, 이 금속박(110)을 절연층(150)의 양면으로 가압하여 전자 소자(140) 및 제1 회로 패턴(120)을 절연층(150) 내에 매립하는 경우를 일 예로 제시하였으나, 이 외에도 다양한 변형예가 수행될 수 있으며, 그 중 하나의 변형예가 도 7 내지 도 9에 도시되어 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(100) 제조 방법 일 실시예의 일부 변형된 공정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 금속박(110) 중 어느 하나의 일면에, 복수의 전자 소자(140)의 일부를, 접속 수지층(130)을 개재하여 전극(142)이 금속박(110) 일면을 향하도록 적층하고, 복수의 전자 소자(140)의 다른 일부를, 접착층(145)을 개재하여 전극(142)이 형성되지 않은 면이 시드층을 향하도록 적층한다.
이 후, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 전자 소자(140)를 절연층(150)에 매립하고, 도 9에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 금속박(110) 중 다른 하나의 일면에, 복수의 전자 소자(140)의 다른 일부를, 접속 수지층(130)을 개재하여 전극(142)이 금속박(110) 일면을 향하도록 적층함으로써, 한 쌍의 금속박(110) 중 다른 하나를 절연층(150)에 적층한다.
즉, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 전자 소자(140)를 절연층(150)에 매립하는 공정이, 전극(142)과 금속박(110) 사이에 접속 수지층(130)을 개재하여 전자 소자(140)를 한 쌍의 금속박(110)에 나누어 각각 적층하는 공정 중에 진행될 수도 있는 것이다.
다음으로, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 금속박(110)의 일부를 제거하여, 접속 수지층(130)을 통해 전극(142)과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴(160)을 형성한다(S140). 즉, 서브트랙티브(subtractive) 공정을 통하여 금속박(110)의 일부를 제거하여 제2 회로 패턴(160)을 형성할 수 있으며, 이는 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.
우선, 도 5에 도시된 바와 같이, 금속박(110)의 타면 상에 에칭 레지스트층(155)을 형성하고, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정에 의해, 이 에칭 레지스트층(155) 중 회로 패턴과 상응하는 영역을 제외한 나머지를 제거함으로써, 금속박(110) 중, 전자 소자(140)의 전극(142)을 커버하는 부분을 포함한 일부분을 제외하고 노출시킨다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 에칭에 의하여 제2 회로 패턴(160)을 형성한다. 이에 따라, 절연층(150)에 매립된 제1 회로 패턴(120) 및 제2 회로 패턴(160)만이 잔존하게 된다. 즉, 절연층(150)에는 전자 소자(140)의 전극(142)과 접속 수지층(130)을 통해 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴(160)이 형성된다.
이와 같이, 전체 회로 패턴 중, 제1 회로 패턴(120)을 금속박(110)에 형성한 후 절연층(150)에 매립시키고, 금속박(110)의 일부를 제거하여 절연층(150)의 표면에 제2 회로 패턴(160)을 형성함으로써, 단일 공정에서 회로 패턴을 형성하는 경우에 비하여, 보다 미세하게 회로 패턴을 형성할 수 있으므로, 결과적으로, 전자 소자(140)의 전극(142)이 미세한 피치를 가지고 있는 경우에도, 전자 소자(140)를 보 다 정밀하고 효과적으로 절연층(150) 내에 내장할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 다른 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)의 일 실시예에 대하여 설명하도록 한다.
도 10은 본 발명의 다른 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따르면, 도 10에 도시된 바와 같이, 절연층(250), 절연층(250)에 매립되는 제1 회로 패턴(220), 전극(142)이 절연층(250)의 제1 회로 패턴(220)이 매립된 면을 향하도록 절연층(250)에 매립되는 전자 소자(240), 전극(142)을 커버하도록 전자 소자(240)에 형성되는 접속 수지층(230), 및 절연층(250)에 접속 수지층(230)과 접하도록 형성되어, 접속 수지층(230)을 통해 전극(142)과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴(260)을 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 전체 회로 패턴 중 제1 회로 패턴(220)은 절연층(250)에 매립되고, 제2 회로 패턴(260)은 표면에 돌출되도록 서로 별개의 공정에 의해 형성되어, 전체 회로 패턴이 미세하게 형성됨으로써, 전극(142) 피치가 미세한 전자 소자(240)의 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여 본 실시예의 각 구성에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
제1 회로 패턴(220)은, 절연층(250)에 매립된다. 이 때, 제1 회로 패턴(220)은, 절연층(250) 중 전자 소자(240)가 매립되는 영역 이외의 영역에 매립된다. 즉, 제1 회로 패턴(220)은, 절연층(250)의 전자 소자(240)가 매립되지 않는 영역, 즉, 절연층(250) 중, 전자 소자(240)가 매립되는 영역 사이의 잔여 공간의 표면에 매립된다.
이와 같이, 절연층(250) 중, 전자 소자(240)의 사이의 잔여 영역에 제1 회로 패턴(220)을 형성함으로써, 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)을 소형화할 수 있고, 전체 회로 패턴이 보다 미세화될 수 있다.
이러한 제1 회로 패턴(220)은 금속박의 일면에 예를 들어, 에디티브 방식에 의하여 형성한 후, 절연층(250)에 매립함으로써 형성될 수 있으며, 이에 대하여는 전술한 제조 방법의 일 실시예에 설명한 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
전자 소자(240)는, 전극(242)이 절연층의(250)의 제1 회로 패턴(220)이 매립된 면을 향하도록 절연층(250)에 매립된다. 즉, 전술한 제조 방법의 일 실시예에서 설명한 바와 같이, 제1 회로 패턴(220)이 형성된 금속박의 일면에 전극(242)이 금속박을 향하도록 전자 소자(240)를 적층하므로, 전자 소자(240)의 전극(242)은 절연층(250)의 제1 회로 패턴(220)이 매립된 면을 향하게 되는 것이다.
이 때, 전자 소자(240)는 복수개이고, 전자 소자(240)의 일부는, 전자 소자(240)의 다른 일부와 전극(142)이 반대 방향을 향하도록 배치된다. 이와 같이, 복수의 전자 소자(240)가, 일부는 절연층(250)의 일면을 향하여, 다른 일부는 절연 층(250)의 타면을 향하여 배치됨으로써, 대칭 구조의 전자 소자 내장 인쇄회로기판(200)을 구현할 수 있다.
이러한 복수의 전자 소자(240)는 한 쌍의 금속박에 각각 나누어 적층한 후, 이 금속박을 절연층(250)의 양면으로 각각 가압하여 절연층(250) 내에 매립될 수 있다. 이에 대하여는 전술한 제조 방법의 일 실시예에 설명한 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
접속 수지층(230)은, 전자 소자(240)의 전극(142)을 커버하도록 전자 소자(240)에 형성된다. 이와 같은 접속 수지층(230)은, 예를 들어, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF), 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP) 또는 이들 간의 2 이상의 조합으로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 전자 소자(240)의 전극(142)을 커버하도록 전자 소자(240)에 접속 수지층(230)이 형성됨으로써, 전자 소자(240)의 전극(142)과 제2 회로 패턴(260)은, 이러한 접속 수지층(230)에 의하여 보다 효과적으로 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제2 회로 패턴(260)은, 절연층(250)에 접속 수지층(230)과 접하도록 형성되어, 접속 수지층(230)을 통해 전극(142)과 전기적으로 연결된다. 즉, 절연층(250) 상에 형성되되, 일부가 접속 수지층(230)을 커버하며 직접 접하는 것이다.
이와 같이, 절연층(250)에 매립된 제1 회로 패턴(220)을 형성하는 공정과 별 개의 공정에 의하여 절연층(250)에 돌출된 제2 회로 패턴(260)을 형성함으로써, 전체 회로 패턴이 보다 미세하게 형성될 수 있으므로, 결과적으로 전자 소자(240)의 전극(142)이 미세한 피치를 가지는 경우에도, 보다 정밀하게 전자 소자(240)를 절연층(250) 내로 매립할 수 있다.
이러한 제2 회로 패턴(260)은, 전자 소자(240)의 전극(142)과 금속박 사이에 접속 수지층(230)을 개재하여, 제1 회로 패턴(220)이 형성된 금속박에 전자 소자(240)를 적층한 후, 이 금속박을 절연층(250)으로 가압하여 전자 소자(240) 및 제1 회로 패턴(220)을 절연층(250)에 매립하고, 금속박 중 일부를 제거함으로써, 형성될 수 있으며, 이에 대하여는 전술한 제조 방법의 일 실시예에 설명한 바 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법 일 실시예의 일부 변형된 공정을 나타낸 단면도.
도 10은 본 발명의 다른 측면에 따른 전자 소자 내장 인쇄회로기판의 일 실시예를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 인쇄회로기판
110: 금속박(metal foil)
120: 제1 회로 패턴
130: 접속 수지층
140: 전자 소자(electronic component)
142: 전극
150: 절연층
160: 제2 회로 패턴

Claims (8)

  1. 전자 소자가 내장된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서,
    금속박(metal foil)의 일면에 제1 회로 패턴을 형성하는 단계;
    상기 금속박의 일면과 상기 전자 소자의 전극 사이에 접속 수지층을 개재하여 상기 금속박의 일면에 상기 전자 소자를 적층하는 단계;
    절연층에 상기 전자 소자를 매립하는 단계; 및
    상기 금속박의 일부를 제거하여, 상기 접속 수지층을 통해 상기 전극과 전기적으로 연결되는 제2 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전자 소자를 매립하는 단계는,
    상기 전자 소자가 적층된 상기 금속박을 상기 절연층으로 가압하여, 상기 절연층에 상기 전자 소자 및 상기 제1 회로 패턴을 매립하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접속 수지층은, 이방성 전도 필름(anisotropic conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste, ACP), 비전도성 필름(non conductive film, NCF) 및 비전도성 페이스트(non conductive paste, NCP)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속박은 한 쌍이고, 상기 전자 소자는 복수개이며,
    상기 전자 소자를 적층하는 단계는,
    상기 금속박 중 어느 하나의 일면에 상기 전자 소자의 일부를 적층하고, 상기 금속박 중 다른 하나의 일면에 상기 전자 소자의 다른 일부를 적층하는 단계이고,
    상기 전자 소자를 매립하는 단계는,
    상기 전자 소자의 일부를 상기 전자 소자의 다른 일부와 전극이 반대 방향을 향하도록 배치하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 내장 인쇄회로기판 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020080101082A 2008-10-15 2008-10-15 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 KR101013994B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080101082A KR101013994B1 (ko) 2008-10-15 2008-10-15 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080101082A KR101013994B1 (ko) 2008-10-15 2008-10-15 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100041993A KR20100041993A (ko) 2010-04-23
KR101013994B1 true KR101013994B1 (ko) 2011-02-14

Family

ID=42217474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080101082A KR101013994B1 (ko) 2008-10-15 2008-10-15 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101013994B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102268388B1 (ko) 2014-08-11 2021-06-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060066115A (ko) * 2003-09-18 2006-06-15 임베라 일렉트로닉스 오와이 전자 모듈 제조 방법
KR100687976B1 (ko) 2003-04-01 2007-02-27 임베라 일렉트로닉스 오와이 전자 모듈 및 그의 제조 방법
KR20070030838A (ko) * 2004-06-15 2007-03-16 임베라 일렉트로닉스 오와이 도체 패턴층에 전기적으로 연결된 부품을 포함하는 전자모듈 제조방법
KR20080019282A (ko) * 2005-06-16 2008-03-03 임베라 일렉트로닉스 오와이 회로 보드 구조체 제조 방법 및 회로 보드 구조체

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687976B1 (ko) 2003-04-01 2007-02-27 임베라 일렉트로닉스 오와이 전자 모듈 및 그의 제조 방법
KR20060066115A (ko) * 2003-09-18 2006-06-15 임베라 일렉트로닉스 오와이 전자 모듈 제조 방법
KR20070030838A (ko) * 2004-06-15 2007-03-16 임베라 일렉트로닉스 오와이 도체 패턴층에 전기적으로 연결된 부품을 포함하는 전자모듈 제조방법
KR20080019282A (ko) * 2005-06-16 2008-03-03 임베라 일렉트로닉스 오와이 회로 보드 구조체 제조 방법 및 회로 보드 구조체

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100041993A (ko) 2010-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101015651B1 (ko) 칩 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US9024203B2 (en) Embedded printed circuit board and method for manufacturing same
KR100997524B1 (ko) 전자소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR101343296B1 (ko) 전자부품 내장기판 제조방법 및 전자부품 내장기판
JP2010129992A (ja) 配線基板
US20140144675A1 (en) Multi-layer printed circuit board and method for manufacturing same
US20150144384A1 (en) Packaging substrate and fabrication method thereof
CN104219883A (zh) 具有内埋元件的电路板及其制作方法
KR101383137B1 (ko) 부품 내장 기판
JP2009224616A (ja) 電子部品内蔵基板及びその製造方法、及び半導体装置
EP3291285A1 (en) Semiconductor package structure with a polymer gel surrounding solders connecting a chip to a substrate and manufacturing method thereof
JP5462450B2 (ja) 部品内蔵プリント配線板及び部品内蔵プリント配線板の製造方法
KR101048515B1 (ko) 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR101701380B1 (ko) 소자 내장형 연성회로기판 및 이의 제조방법
JP5659234B2 (ja) 部品内蔵基板
KR101013994B1 (ko) 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US9433108B2 (en) Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element
TWI615075B (zh) 一種柔性線路板及其製作方法
KR101047484B1 (ko) 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR101147343B1 (ko) 복수의 소자가 내장된 집적 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2009289789A (ja) 部品内蔵プリント配線板及び部品内蔵プリント配線板の製造方法
JP2006339276A (ja) 接続用基板及びその製造方法
TWI768919B (zh) 電路板及其製作方法
KR100972050B1 (ko) 전자 소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR20100117975A (ko) 임베디드 회로 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131224

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160111

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee