KR100996718B1 - 필름 캐리어 테이프의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 필름캐리어 테이프 - Google Patents

필름 캐리어 테이프의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 필름캐리어 테이프 Download PDF

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Abstract

필름 캐리어 테이프의 제조 방법이 제공된다. 필름 캐리어 테이프의 제조 방법은 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층이 형성된 베이스 필름 상에 Cu 패턴을 형성하고, Cr 및 Ni을 식각할 수 있는 제1 식각액으로 상기 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층을 식각하여 상기 씨드층의 측벽이 상기 Cu 패턴에 정렬되도록 하여 상기 베이스 필름이 일부 노출되도록 하고, 베이스 필름, Cr 및 Ni를 식각할 수 있는 제2 식각액으로 상기 베이스 필름의 노출된 영역을 0.1um 이상의 깊이로 식각하되, 상기 제2 식각액은 상기 베이스 필름 내에 일부 주입된 Cr 및 Ni을 제거하는 것을 포함한다.
필름 캐리어 테이프, 씨드층

Description

필름 캐리어 테이프의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 필름 캐리어 테이프{Method of manufacturing a film carrier tape and a film carrier tape by the same}
필름 캐리어 테이프의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 필름 캐리어 테이프에 대한 것으로 더욱 상세하게는, 신뢰성이 향상된 필름 캐리어 테이프의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 필름 캐리어 테이프에 관한 것이다.
반도체 소자가 고집적화 및 고밀도화 됨에 따라, 그에 필요한 패키지 부품들도 경량화 및 박형화를 추구하고 있다. 이에 대응하여 리드의 다핀화 및 미세화가 진행되고 있으며, 이러한 리드의 다핀화 및 미세화에 유리하고, 얇은 연성 테이프(flexible tape)를 이용함으로써 패키지 형상이나 위치의 제약을 덜 받을 수 있는 테이프 캐리어 패키지(TCP; Tape Carrier Package)가 널리 사용되고 있다.
테이프 캐리어 패키지는 한정된 좁은 면적에서도 많은 수의 신호 입출력단자를 만들 수 있고, 얇은 연성 테이프(flexible tape)를 이용함으로써 패키지 형상이나 위치의 제약을 덜 받을 수 있게 되어, 소형화, 고집적화, 다핀화 등을 추구할 수 있는 차세대 반도체 패키지 기술이다. 이와 같은 테이프 캐리어 패키지로는 TAB(Tape Automated Bonding), COF(Chip On Film) 또는 플렉서블 볼그리드어레이(Flexible BGA) 등이 있다.
COF 테이프는, 베이스 필름 상에 씨드층을 형성한 후, 씨드층 상에 금속막을 형성하고, 금속막 및 씨드층을 패터닝하여 회로 패턴을 형성한 것이다.
한편, 회로 패턴의 피치(pitch)가 미세화됨에 따라 회로의 발열문제 해결을 위해 씨드층의 두께가 점점 두꺼워지고 있어, 금속막 패터닝 공정에서 씨드층이 완전히 제거되지 않는 경우가 발생되고 있다. 씨드층은 일반적으로 도전 물질로 형성되기 때문에, 씨드층이 완전히 제거되지 않으면 인접한 회로 패턴들이 절연되지 않는다. 즉, 인접한 회로 패턴들이 단락되는 불량이 발생할 수 있다.
따라서, 보다 신뢰성 있는 회로 패턴을 형성하기 위해서 씨드층을 보다 완벽하게 제거하는 것이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 신뢰성이 향상된 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 신뢰성이 향상된 필름 캐리어 테이프를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명의 일 태양에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법은, 씨드층이 형성된 베이스 필름 상에 도전 패턴을 형성하고, 상기 베이스 필름 상에 노출된 씨드층을 제1 식각액으로 제거하고, 상기 도전 패턴 사이에 노출된 베이스 필름의 일부 및 상기 노출된 베이스 필름에 잔존하는 씨드층을 제2 식각액으로 제거하는 것을 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명의 일 태양에 따른 필름 캐 리어 테이프는, 씨드층이 형성된 베이스 필름 상에 도전 패턴을 형성하고, 상기 베이스 필름 상에 노출된 씨드층을 제1 식각액으로 제거하고, 상기 도전 패턴 사이에 노출된 베이스 필름의 일부 및 상기 노출된 베이스 필름에 잔존하는 씨드층을 제2 식각액으로 제거하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법으로 제조된다.
상기한 바와 같은 본 발명의 필름 캐리어 테이프의 제조 방법에 따르면, 미세하게 형성된 회로 패턴들을 보다 완벽하게 절연시킬 수 있다. 따라서, 보다 신뢰성이 향상된 필름 캐리어 테이프를 제조할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언 급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
우선, 도 1 내지 도 2f를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다. 도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1, 도 2a를 참조하면, 베이스 필름(100) 상에 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층(210a)을 형성한다(S10).
베이스 필름(100)은 유기화합물로 형성될 수 있는데, 예를 들어 베이스 필 름(100)은 폴리이미드, 폴리이미드아미드, 폴리에스테르, 폴리에스테르이미드 및 폴리페닐렌설파이드를 포함하는 그룹에서 선택된 하나일 수 있으며, 특히, 폴리이미드 필름일 수 있다.
씨드층(210a)은 베이스 필름(100) 상에 형성되는 회로 패턴과 베이스 필름(100)의 접착력을 향상시켜 보다 안정적으로 도전 패턴을 형성하기 위한 것이다. 씨드층(210a)은 베이스 필름(100) 상에 형성되는데, Cr 및 Ni을 스퍼터링(sputtering) 하여 형성할 수 있다. 이 때, Cr 및 Ni은 일부 베이스 필름(100) 내로 주입될 수도 있다. 씨드층(210a)은 예를 들어, 약 50-300Å의 두께로 형성될 수 있으며, Cr과 Ni의 비는 예를 들어, 약 1/10에서 1/3일 수 있다.
이어서, 도 1, 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 씨드층(210a) 상에 Cu 패턴(320)을 형성한다(S20).
우선, 도 2a를 참조하면, 씨드층(210a) 상에 Cu 스퍼터링층(310a)을 형성한다. 즉, 씨드층(210a) 상에 스퍼터링 방법으로 Cu 스퍼터링층(310a)을 형성한다. Cu 스퍼터링층(310a)의 두께는 예를 들어, 2000-5000Å일 수 있다. 이어서, Cu 스퍼터링층(310a) 상에 Cu층(320a)을 도금법으로 형성한다. Cu층(320a)의 두께는 예를 들어, 10000~150000Å일 수 있다.
한편, 상기 Cu 스퍼터링층(310a)은 필요에 따라 생략이 가능하며, 이 때에는, 상기 Cu층(320a)이 상기 씨드층(210a)상에 도금법으로 형성이 된다.
이어서, 도 2b를 참조하면, Cu층(320a) 상에 마스크 패턴(410)을 형성한다. 마스크 패턴(410)은 Cu층(320a) 상에 마스크층(미도시)을 형성하고, 마스크층을 사 진 식각 공정으로 패터닝하여 형성한다. 마스크층은 예를 들어, 포토레지스트층으로 형성할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한, 마스크층은 스핀 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있다. 마스크 패턴(410)은 형성하려는 회로 패턴과 동일한 형상으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 2c를 참조하면, 마스크 패턴(410)을 식각 마스크로 Cu층(320a) 및 Cu 스퍼터링층(310a)을 패터닝하여 Cu 패턴(300)을 형성한다. 이 때, Cu 스퍼터링층(310a) 하부의 씨드층(210b)도 일부 식각될 수 있다. 즉, 씨드층(210b)은 일부 식각되어, Cu 패턴(300) 하부 양측으로 돌출된 형상이 될 수 있다. 도 2c에는 Cu 패턴(300) 하부의 양측으로 씨드층(210b)이 약간 돌출되고 베이스 필름(100)이 노출된 도면이 도시되어 있다. 그러나, 이에 제한되지 않으며, 씨드층(210b)이 일부 식각되되, 베이스 필름(100)이 노출되지 않을 수도 있다.
이어서, 도 1 및 도 2d를 참조하면, 제1 식각액으로 씨드층(210)을 식각한다(S30).
즉, 제1 식각액으로 식각 공정을 진행하여, Cu 패턴(300) 하부의 양측으로 돌출된 씨드층(210b)을 식각함으로써, 씨드층(210)이 Cu 패턴(300)의 하부에 정렬되도록 할 수 있다. 즉, 씨드층(210)의 측벽과 Cu 패턴(300)의 측벽이 정렬되도록 할 수 있다. 이 때, 베이스 필름(100)은 일부 노출되며, 인접한 Cu 패턴(300) 및 인접한 씨드층(210)은 서로 완전히 분리된다.
제1 식각액은 유기산을 포함한다. 또한, 염산이나 황산 또는 염산과 황산의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 제1 식각액은 인산을 포함할 수도 있으며, 첨가제 로 수산화나트륨 또는 수산화칼륨 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 식각액은 유기산, 인산 및 염산을 포함하고 첨가제로 수산화나트륨이 첨가되어 있을 수 있다. 한편, 도 1에는 제1 식각액의 예시로 유기산+염산이 기재되어 있으나, 이에 제한되지 않으며, 상기에서 설명한 다양한 약액의 조합이 가능함은 물론이다.
제1 식각액은 Cr 및 Ni을 모두 식각할 수 있는 물질이다. 따라서, Cu 패턴(300)의 양측으로 돌출된 씨드층(210) 및 베이스 필름(100) 상에 형성되어 노출된 씨드층(210)을 모두 제거할 수 있다.
이어서, 도 1 및 도 2f를 참조하면, 제2 식각액으로 베이스 필름(100)을 식각한다(S40).
즉, 제2 식각액으로 노출된 베이스 필름(100)을 일정 깊이까지 제거한다. 이 때, 베이스 필름(100)이 제거되는 깊이(h1)는 예를 들어, 0.1um 이상일 수 있다.
제2 식각액은 산화망간계 또는 수산화계의 약액일 수 있다. 예를 들어, 과망간산칼륨(KMnO4), 과망간산나트륨(NaMnO4), 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 조합일 수 있다.
제2 식각액은 베이스 필름(100), 예를 들어, 폴리이미드 필름을 소정 깊이까지 식각한다. 또한, 제2 식각액은 씨드층(210)을 스퍼터링할 때에 베이스 필름(100) 내에 주입된 Cr 및 Ni을 제거한다. 즉, 제2 식각액은 베이스 필름(100), Cr 및 Ni을 같이 제거할 수 있는 물질이다. 베이스 필름(100) 내에 주입된 Cr 및 Ni은 인접한 Cu 패턴(300)들이 절연되는 것을 방해한다. 따라서, 베이스 필름(100)을 소정 깊이까지 식각하고, 베이스 필름(100) 내에 주입된 Cr 및 Ni을 모두 제거 하면, 인접한 Cu 패턴들이 보다 완벽하게 절연될 수 있다. 이 때, 인접한 Cu 패턴들을 보다 완벽하게 절연하기 위하여 식각되는 베이스 필름(100)의 깊이는 0.1um 이상이 되도록 한다.
이어서, 도 2g를 참조하면, 씨드층(210) 및 Cu 패턴(300)이 적층되어 형성된 회로 패턴을 Au 또는 Sn 등의 금속 또는 금속합금으로 도금하여 도금층(510)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법에 따르면, 미세하게 형성된 회로 패턴들을 보다 완벽하게 절연시킬 수 있다. 따라서, 보다 신뢰성이 향상된 필름 캐리어 테이프를 제조할 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 3i를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 다른 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 이하, 본 발명의 일 실시예와 동일한 내용에 대하여는 그 설명을 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법이 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법과 다른 점은 Cu 패턴을 다른 방법으로 형성한다는 것이다.
우선, 도 3a를 참조하면, 베이스 필름(100) 상에 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층(210a)을 형성한다. 씨드층(210a) 및 Cu 스퍼터링층(310a)의 형성 방법은 본 발명의 일 실시예와 같으므로 그 설명을 생략한다.
이어서, 도 3b를 참조하면, Cu 스퍼터링층(310a) 상에 마스크층(420a)을 형 성한다. 마스크층(420a)은 예를 들어, 포토레지스트층일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
이어서, 도 3c를 참조하면, 마스크층(420a)을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 마스크 패턴(420)을 형성한다. 이 때, 마스크 패턴(420)은 형성하려는 회로 패턴과 역상이 되도록 형성한다. 즉, 회로 패턴이 형성될 영역이 오픈되도록 마스크 패턴(420)을 형성한다.
이어서, 도 3d를 참조하면, 베이스 필름(100)을 도금하여, 마스크 패턴(420)에 의해 노출된 Cu 스퍼터링층(310a) 상에 Cu 상부 패턴(322)을 형성한다. Cu 상부 패턴(322)의 높이는 마스크 패턴(420)의 높이보다 낮게 형성되도록 하여, Cu 상부 패턴(322)은 마스크 패턴(420)에 의해 인접한 패턴들끼리 분리되도록 한다.
이어서, 도 3e를 참조하면, 마스크 패턴(420)을 제거한다. 그러면, 인접한 패턴들끼리 분리된 Cu 상부 패턴(322)이 형성된다.
이어서, 도 3f를 참조하면, Cu 상부 패턴(322)을 식각 마스크로 Cu 스퍼터링층(310a)을 식각하여 Cu 하부 패턴(310)을 형성한다. 즉, Cu 상부 패턴(322) 및 Cu 하부 패턴(310)은 Cu 패턴(302)을 구성한다. 한편, Cu 하부 패턴(310)을 식각할 때에는 씨드층(210b)도 일부 식각될 수 있다. 즉, 씨드층(210b)은 일부 식각되어, Cu 패턴(302) 하부 양측으로 돌출된 형상이 될 수 있다. 도 3f에는 Cu 패턴(302) 하부의 양측으로 씨드층(210b)이 약간 돌출되고 베이스 필름(100)이 노출된 도면이 도시되어 있다. 그러나, 이에 제한되지 않으며, 씨드층(210b)이 일부 식각되되, 베이스 필름(100)이 노출되지 않을 수도 있다.
이어서, 도 3g를 참조하면, 제1 식각액으로 씨드층(210)을 식각한다. 즉, 제1 식각액으로 식각 공정을 진행하여, Cu 패턴(302) 하부의 양측으로 돌출된 씨드층(210)을 식각함으로써, 씨드층(210)이 Cu 패턴(302)의 하부에 정렬되도록 할 수 있다. 즉, 씨드층(210)의 측벽과 Cu 패턴(302)의 측벽이 정렬되도록 할 수 있다. 이 때, 베이스 필름(100)은 일부 노출되며, 인접한 Cu 패턴(302) 및 인접한 씨드층(210)은 서로 완전히 분리된다.
제1 식각액은 유기산을 포함한다. 또한, 염산이나 황산 또는 염산과 황산의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 제1 식각액은 인산을 포함할 수도 있으며, 첨가제로 수산화나트륨 또는 수산화칼륨 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 식각액은 유기산, 인산 및 염산을 포함하고 첨가제로 수산화나트륨이 첨가되어 있을 수 있다.
제1 식각액은 Cr 및 Ni을 모두 식각할 수 있는 물질이다. 따라서, Cu 패턴(302)의 양측으로 돌출된 씨드층(210) 및 베이스 필름(100) 상에 형성되어 노출된 씨드층(210)을 모두 제거할 수 있다.
이어서, 도 3h를 참조하면, 제2 식각액으로 베이스 필름(100)을 식각한다.
즉, 제2 식각액으로 노출된 베이스 필름(100)을 일정 깊이까지 제거한다. 이 대, 베이스 필름(100)이 제거되는 깊이(h2)는 예를 들어, 0.1um 이상일 수 있다.
제2 식각액은 산화망간계 또는 수산화계의 약액일 수 있다. 예를 들어, 과망간산칼륨(KMnO4), 과망간산나트륨(NaMnO4), 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 조합일 수 있다.
제2 식각액은 베이스 필름(100), 예를 들어, 폴리이미드 필름을 소정 깊이까지 식각한다. 또한, 제2 식각액은 씨드층(210)을 스퍼터링할 때에 베이스 필름(100) 내에 주입된 Cr 및 Ni을 제거한다. 즉, 제2 식각액은 베이스 필름(100), Cr 및 Ni을 같이 제거할 수 있는 물질이다. 베이스 필름(100) 내에 주입된 Cr 및 Ni은 인접한 Cu 패턴(302)들이 절연되는 것을 방해한다. 따라서, 베이스 필름(100)을 소정 깊이까지 식각하고, 베이스 필름(100) 내에 주입된 Cr 및 Ni을 모두 제거하면, 인접한 Cu 패턴들이 보다 완벽하게 절연될 수 있다. 이 때, 인접한 Cu 패턴들을 보다 완벽하게 절연하기 위하여 식각되는 베이스 필름(100)의 깊이는 0.1um 이상이 되도록 한다.
이어서, 도 3i를 참조하면, 씨드층(210) 및 Cu 패턴(300)이 적층되어 형성된 회로 패턴을 Au 또는 Sn 등의 금속 또는 금속합금으로 도금하여 도금층(522)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법에 따르면, 미세한 회로 패턴을 보다 수월하게 구현할 수 있으며, 미세 회로 패턴을 보다 완벽하게 절연시킬 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 미세 회로 패턴을 구현할 수 있다.
한편, 본 명세서에서는 Cu를 사용한 도전 패턴을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 필름 캐리어 테이프 상에 도전 패턴을 형성할 수 있는 금속들을 모두 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층만을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 필름 캐리어 테이프 상에 도전 패턴 형성 시 사용될 수 있는 다양한 씨드층들을 모두 포함할 수 있다. 즉, 본 발 명은 씨드층을 사용하여 도전 패턴을 형성하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법에 넓게 적용될 수 있을 것이다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 다른 실시예에 따른 필름 캐리어 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 베이스 필름 210: 씨드층
310: Cu 스퍼터링층 320, 322: Cu층
300, 302: Cu 패턴

Claims (14)

  1. 베이스 필름 상에 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층을 형성하고,
    상기 씨드층 상에 도전 패턴을 형성하고,
    상기 도전 패턴에 의해 상기 베이스 필름의 표면 상으로 노출된 상기 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층을 제1 식각액으로 모두 제거하고,
    상기 제1 식각액으로 상기 Cr 및 Ni를 포함하는 씨드층을 제거한 후, 상기 도전 패턴에 의해 노출된 상기 베이스 필름의 일부를 제2 식각액으로 제거하여, 상기 씨드층을 형성할 때에 상기 베이스 필름의 표면 내로 주입되어 상기 제1 식각액으로 제거되지 않고 잔존하는 씨드층을 상기 베이스 필름의 일부와 동시에 제거하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 씨드층 상에 도전 패턴을 형성하는 것은,
    상기 도전 패턴 형성 시에 상기 씨드층의 일부가 제거되는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 씨드층은 상기 도전 패턴 하부의 양측으로 돌출된 형상으로 형성되는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도전 패턴에 의해 노출된 베이스 필름의 일부 및 상기 노출된 베이스 필름에 주입되어 상기 제1 식각액으로 제거되지 않고 잔존하는 씨드층을 제2 식각액으로 제거하는 것은 상기 노출된 베이스 필름의 상면을 0.1um 이상의 깊이로 제거하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 식각액은 유기산 및 인산을 포함하며,
    염산, 황산 또는 염산과 황산의 혼합물을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 식각액은 과망간산칼륨, 과망간산나트륨, 수산화칼륨 및 수산화나트륨을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 또는 그 조합을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스 필름은 폴리이미드, 폴리이미드아미드, 폴리에스테르, 폴리에스테르이미드 및 폴리페닐렌설파이드를 포함하는 그룹에서 선택된 하나인 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 씨드층을 형성하는 것은, 상기 베이스 필름 상에 Cr 및 Ni을 스퍼터링하여 형성하는 것을 포함하고,
    상기 씨드층 상에 도전 패턴을 형성하는 것은,
    상기 씨드층 상에 Cu를 도금하여 도전층을 형성하고,
    상기 도전층 상에 마스크 패턴을 형성하고,
    상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 도전층을 패터닝하여 도전 패턴을 형성하고,
    상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 씨드층 상에 Cu를 도금하여 도전층을 형성하는 것은,
    상기 씨드층 상에 Cu 스퍼터링층을 형성하고, 상기 Cu 스퍼터링층 상에 Cu를 도금하여 도전층을 형성하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 씨드층 상에 도전 패턴을 형성하는 것은,
    상기 Cr 및 Ni을 포함하는 씨드층 상에 Cu 스퍼터링층을 형성하고,
    상기 Cu 스퍼터링층 상에 형성하려는 회로 패턴과 역상인 마스크 패턴을 형성하여 상기 Cu 스퍼터링층의 일부를 노출하고,
    상기 베이스 필름을 도금하여 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 Cu 스퍼터링층 상에 Cu 상부 패턴을 형성하고,
    상기 마스크 패턴을 제거하고,
    상기 Cu 상부 패턴을 마스크로 상기 Cu 스퍼터링층을 식각하여 Cu 하부 패턴을 형성함으로써 상기 Cu 상부 패턴 및 상기 Cu 하부 패턴을 포함하는 도전 패턴을 형성하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
  13. 제1항의 필름 캐리어 테이프의 제조 방법으로 제조된 필름 캐리어 테이프.
  14. 씨드층이 형성된 베이스 필름 상에 도전 패턴을 형성하고,
    상기 도전 패턴에 의해 상기 베이스 필름 상에 노출된 씨드층을, 유기산 및 인산을 포함하는 제1 식각액으로 제거하고,
    상기 도전 패턴에 의해 노출된 베이스 필름의 일부를 제2 식각액으로 제거하여, 상기 씨드층을 형성할 때에 상기 베이스 필름 내로 주입되어 상기 제1 식각액으로 제거되지 않고 잔존하는 씨드층을 상기 베이스 필름의 일부와 동시에 제거하는 것을 포함하는 필름 캐리어 테이프의 제조 방법.
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