KR100963973B1 - 질화물계 발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 장벽층과 우물층으로 형성된 활성층을 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,서브스트레이트 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층상에 n형 질화물계 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 질화물계 반도체층 상에 제 1장벽층, 제 2장벽층 및 제 3장벽층을 순차적으로 적층하고, 상기 제 3장벽층 상에 우물층을 적층하여 제 1장벽층, 제 2장벽층, 제 3장벽층 및 우물층을 구비하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 p형 질화물계 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 1장벽층 및 제 3장벽층은 AlInGaN의 화학식을 만족하고, 상기 제 2장벽층은 상기 제 1장벽층의 높이보다 높게 성장되고, 상기 제 1장벽층의 화학식을 만족하며 다른 조성비를 갖으며, 상기 제 3장벽층은 상기 제 2장벽층의 높이보다 낮게 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 제 1장벽층, 제 2장벽층 및 제 3장벽층의 높이는, 상기 제 1장벽층, 제 2장벽층 및 제 3장벽층을 이루는 알루미늄질화인듐갈륨(AlInGaN)의 알루미늄(Al)의 조성비에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 장벽층과 우물층은 한번 이상 반복 성장하여 다중양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 기판, n형 질화물계 반도체층, 활성층 및 p형 질화물계 반도체층으로 형성된 질화물계 발광소자에 있어서,상기 활성층은 장벽층 및 우물층을 포함하여 형성되고,상기 장벽층은,상기 n형 질화물계 반도체층상에 성장되며 AlInGaN의 화학식을 만족하는 제 1장벽층;상기 제 1장벽층의 상부에 상기 제 1장벽층의 높이보다 높게 성장되고, 상기 제 1장벽층의 화학식을 만족하며 다른 조성비를 갖는 제 2장벽층; 및상기 제 2장벽층의 상부에 상기 제 2장벽층의 높이보다 낮게 성장되고, 상기 제 1장벽층과 동일한 화학식을 만족하는 제 3장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
- 제 6항에 있어서,상기 장벽층과 우물층은 한번 이상 반복 성장하여 다중양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
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JPH0541564A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Corp | 半導体多重歪量子井戸構造 |
KR20040047132A (ko) * | 2002-11-29 | 2004-06-05 | (주)옵트로닉스 | 다중 양자우물 구조를 갖는 질화물 반도체 소자 |
KR20060019043A (ko) * | 2004-08-26 | 2006-03-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2007116147A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
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2008
- 2008-02-26 KR KR20080017488A patent/KR100963973B1/ko active IP Right Grant
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