KR20090092149A - 질화물계 발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
질화물계 발광소자 및 그의 제조방법Info
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- 장벽층과 우물층으로 형성된 활성층을 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 장벽층은 제 1,2,3 장벽층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1,3장벽층은 상기 제 2장벽층의 조성비를 갖는 알루미늄질화인듐갈륨(AlInGaN)으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 1,2,3장벽층의 높이는 알루미늄(Al)의 조성비에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 제 2장벽층의 높이는 상기 제 1장벽층 및 제 3장벽층의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 장벽층과 우물층은 한번 이상 반복 성장하여 다중양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법.
- 기판, 제 1질화물계 반도체층, 활성층, 제 2질화물계 반도체층으로 형성된 질화물계 발광소자에 있어서,상기 활성층은 우물층 및 3개의 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 6항에 있어서, 상기 장벽층은상기 우물층과 인접하게 성장되며 AlInGaN의 화학식을 만족하는 제 1장벽층;상기 제 1장벽층의 상부에 상기 제 1장벽층의 높이보다 높게 성장되고, 상기 제 1장벽층의 화학식을 만족하며 다른 조성비를 갖는 제 2장벽층; 및상기 제 2장벽층의 상부에 상기 제 2장벽층의 높이보다 낮게 성장되고, 상기 제 1장벽층과 동일한 화학식을 만족하는 제 3장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
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