KR100960854B1 - 조성 경사형 박막 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 조성 경사형 박막에 관한 것으로, 진공챔버 내부에 다수개의 박막 증착장치가 구비되어 이종의 물질을 조성으로 하는 박막이 동시에 기판 상면에 증착되되, 상기 박막은 이종의 물질 성분이 기판에 도달하는 경로 상에 형성된 증착영역제어판에 의해 박막의 두께에 따라 경사적으로 형성된 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막을 그 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 이종의 물질을 다양한 증착장치를 이용한 동시 증착에 의해 박막의 두께에 따라 이종의 물질의 조성이 경사적으로 변화하도록 하여 박막의 물성 제어가 용이하고 증착 공정 수의 감소로 시간 절감 및 제조원가의 감소를 통한 경제성이 확보된 조성 경사형 박막을 제공할 수 있는 이점이 있다.
조성 경사형 동시증착 초전도 선재 완충층
Description
본 발명은 조성 경사형 박막에 관한 것으로, 특히 이종의 물질의 동시 증착에 의해 이종의 물질의 조성이 박막의 두께에 따라 경사적으로 형성된 조성 경사형 박막에 관한 것이다. 특히, 상기 조성 경사형 박막이 초전도 선재의 완충층을 이루는 조성 경사형 박막에 관한 것이다.
기존의 다양한 박막 증착 공정에서, 특히 초전도 선재 완충층 증착 공정은 스파터링(sputtering) 공정 또는 이배퍼레이션(evaporation) 공정, 이-빔(e-beam) 공정에 의하고 있다. 이러한 초전도 선재 완충층 증착 공정은 다층 박막을 증착하기 위해서 각각의 박막을 증착하는 공정을 반복적으로 실시하여야 하는 문제점과 그에 따른 공정에 대한 시스템 제작비 및 유지비가 추가되며, 박막 증착에 대한 공정수의 증가로 초전도 선재의 제조 시간 단축 및 경제성 확보에 장애요인으로 작용하고 있다.
예를 들어 2세대 초전도 선재로 대표되는 REBCO(예로, YBCO, SmBCO, GdBCO, NdBCO)계 고온 초전도 선재에는 반드시 다층의 완충 박막(예로, Y2O3/YSZ/CeO2, CeO2/YSZ/CeO2 등)을 증착하여야 하기 때문에, 이러한 다층의 완충 박막을 증착하기 위해서는 각각의 스파터링, 이배퍼레이션, 이-빔 등의 증착에 필요한 장치를 다층 박막(Y2O3, YSZ, CeO2) 수만큼 순차적으로 작동시켜, 다층의 완충 박막을 형성시키고 있다.
이러한 다층의 완충 박막은 각 박막층 간의 증착을 위해 다수의 증착공정과 각각의 공정마다 증착조건의 제어로 초전도 선재 제조에 있어서 생산성과 가격 상승으로 경제성을 저하시키는 요인으로 되고 있다.
또한, 다수의 완충 박막 간의 물성차로 문제가 발생될 수 있으며, 초전도 선재 박막의 전체적인 특성 제어를 위한 완충층 증착공정 제어의 어려움으로 기판과 초전도체 간 완충층의 역할을 제대로 수행하지 못하는 어려움이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해, 이종의 물질을 다양한 증착장치를 이용한 동시 증착에 의해 두께에 따라 이종의 물질의 조성이 경사적으로 변화하도록 하여 박막의 물성 제어가 용이하고 증착 공정 수의 감소로 시간 절감 및 제조원가의 감소를 통한 경제성이 확보된 조성 경사형 박막을 그 해결하고자 하는 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 진공챔버 내부에 다수개의 박막 증착장치가 구비되어 이종의 물질을 조성으로 하는 박막이 동시에 기판 상면에 증착되어, 상기 박막은 이종의 물질 성분이 기판에 도달하는 경로 상에 형성된 증착영역제어판에 의해 박막의 두께에 따라 경사적으로 형성된 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막을 그 기술적 요지로 한다.
또한, 상기 조성 경사형 박막은, 초전도 선재의 완충층인 것이 바람직하다.
또한, 상기 완충층은, YxZ1-xO층(Yttrium Zirconium Oxide layer)로 형성되며, 여기에서 x는 박막의 두께에 따라 증감되어, Y와 Zr성분이 박막의 두께에 따라 경사적으로 증감하는 것이 바람직하고, 또한 상기 완충층은, YxZ1-xO/Y2O3로 형성되며, YxZ1-xO층과 Y2O3층 사이에는 박막의 두께에 따라 Y와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 더 형성된 것이 바람직하며, 또한 상기 완충층은, CeO2/YxZ1-xO/Y2O3로 형성되며, CeO2층과 YxZ1-xO층 사이에는 박막의 두께에 따라 Ce와 Y 및 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성되고, YxZ1-xO층과 Y2O3층 사이에는 Y와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기 완충층은, CxZ1 - xO층(Cerium Zirconium Oxide layer)로 형성되며, 여기에서 x는 박막의 두께에 따라 증감되어, Ce와 Zr성분이 박막의 두께에 따라 경사적으로 증감하는 것이 바람직하고, 또한, 상기 완충층은, CxZ1 - xO/CeO2로 형성되며, CxZ1 - xO층과 CeO2층 사이에는 박막의 두께에 따라 Ce와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성된 것이 바람직하며, 또한, 상기 완충층은, CeO2/CxZ1 - xO/CeO2로 형성되며, CeO2층과 CxZ1 - xO층 사이에는 박막의 두께에 따라 Ce 와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성되고, CxZ1 - xO층과 CeO2층 사이에는 Ce와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성된 것이 바람직하다.
상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, 이종의 물질을 다양한 증착장치를 이용한 동시 증착에 의해 박막의 두께에 따라 이종의 물질의 조성이 경사적으로 변화하도록 하여 박막의 물성 제어가 용이하고 증착 공정 수의 감소로 시간 절감 및 제조원가의 감소를 통한 경제성이 확보된 조성 경사형 박막을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 조성 경사형 박막을 초전도 선재의 완충층으로 형성시킨 경우에 는 초전도 선재 증착 공정이 전체적으로 간단해지며, 이종의 물질로 이루어진 완충층이 두께에 따라 조성이 경사적으로 증감되어 단일 완충층을 제공함으로써, 초전도 선재의 물성 제어가 용이하고 고품질의 보다 경제성이 우수한 초전도 선재의 완충층을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 단일 완충층이 형성된 초전도 선재 완충층으로써, YxZ1-xO층(Yttrium Zirconium Oxide layer) 또는 CxZ1-xO층(Cerium Zirconium Oxide layer) 등을 포함하는 초전도 선재 단일 완충층을 제공하며, 이는 종래의 YSZ(Yittrium Stablized Zirconium)와는 완전히 다른 신물질로써, 단일 증착 공정으로 공정 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킴과 동시에 초전도 선재 완충층으로써 충분한 역할을 수행할 수 있는 새로운 개념의 단일 완충층을 제공하는 효과가 있다.
본 발명에 따른 조성 경사형 박막은 기판 상측에 형성된 박막이 두께에 따라 그 조성이 증감하는 것을 말하며, 특히 박막을 이루는 성분이 이종의 물질로 이루어진 경우에 두께에 따라 어느 하나의 박막의 조성이 증가 또는 감소하도록 형성된 것이다.
특히, 이러한 조성 경사형 박막은 초전도 선재의 완충층을 이루는 경우에 그 작용, 효과가 뛰어나게 된다. 이는 일반적으로 초전도 선재의 완충층은 이종의 물질로 이루어지며, 각각의 물질들로 이루어진 완충층을 형성시키기 위해서는 다양한 공정을 수행하게 된다. 이렇게 형성된 완충층은 다층을 이루게 되므로 각 완충층 사이의 계면 간 및 완충층과 기판 사이에는 물성 차이가 발생하게 되어 초전도 선재의 특성 제어가 어렵고, 이에 따라 초전도 선재의 물성이 떨어지게 된다.
즉, 본 발명에 따른 조성 경사형 박막이 초전도 선재의 완충층을 이루는 경우에는 이러한 다층의 완충층을 이루는 물질의 조성이 전체적으로 경사적으로 변화하여, 마치 단일의 완충층을 이루는 형태를 이루게 된다. 이에 의해 초전도 선재의 특성 제어가 용이하고, 초전도 선재의 물성을 향상시키게 되는 것이다.
이러한 박막의 두께에 따라 단일의 조성 경사형을 이루는 완충층은 물리적증기증착장치(physical vapor deposition system)를 사용하여 증착된 것이며, 일반적으로 물리적증기증착장치는 스파터링(sputtering) 장치 또는 이배퍼레이션(evaporation) 장치, 이-빔(e-beam) 장치가 사용된다.
상기 증착장치의 진공챔버 내부에 이종의 물질의 증착을 위해 다수의 증착물질이 각 스파터링 건에 장착되거나, 또는 상기 이배퍼레이션 장치 및 이-빔 장치의 진공챔버 내부에 이종의 타겟이 각 이배퍼레이션 도가니 내부에 삽입되어, 스파터링 건, 이배퍼레이션 도가니 또는 이-빔 홀더의 작동에 의해 이종의 증착 성분이 대향되는 위치에 형성된 기판에 증착되게 된다.
이 경우 상기 스파터링 건, 이배퍼레이션 도가니 또는 이-빔 홀더는 상기 이종의 타겟 갯수만큼 형성되며, 모든 스파터링 건, 이배퍼레이션 도가니 또는 이-빔홀더의 동시 작동에 의해 이종의 증착 성분이 동시에 기판에 증착되도록 한다.
이때 상기 증착 성분이 기판에 도달하는 경로 상에 증착영역을 제어하기 위한 증착영역제어판이 설치되며, 상기 증착영역제어판은 증착영역에 대한 제어와 함께 증착 성분에 대한 원자 또는 분자 속도를 제어하여 기판 상의 소정 영역에 새로운 성분 및 이들의 조합으로 형성된 조성의 완충 증착물질을 형성할 수 있도록 한 것이다.
이때 상기 증착 성분이 기판에 도달하는 경로 상에 증착영역을 제어하기 위한 증착영역제어판이 설치되며, 상기 증착영역제어판은 증착영역에 대한 제어와 함께 증착 성분에 대한 원자 또는 분자 속도를 제어하여 기판 상의 소정 영역에 새로운 성분 및 이들의 조합으로 형성된 조성의 완충 증착물질을 형성할 수 있도록 한 것이다.
통상 초전도 선재 증착시 릴투릴(reel-to-reel)식의 기판 공급 방식에 의해 기판이 일측에서 타측으로 공급되면서 감기게 되는데, 기판의 진행방향에 대해, 기 판으로부터 박막의 증착 거리를 제어하여 증착하고자 하는 완충층의 성분이 조합되는 영역을 형성시킴으로써, 기판이 이동함에 따라 균일하면서 다양한 물질의 완충층이 형성된 초전도 선재를 제조할 수 있게 된다.
즉 스파터링 건, 이배퍼레이션 도가니 또는 이-빔 홀더의 동시 작동 및 증착영역 제어에 의해 기판 상측으로 다양한 성분의 완충층을 형성시키며, 이러한 완충층은 인접하는 각 완충층을 이루는 성분들이 연속적으로 또는 경사적으로 변하는 경사층을 형성시키게 된다.
따라서 상기 경사층은 이종의 성분을 가지는 완충층 간에 각 성분이 불연속적으로 변하는 것이 아니라 연속적으로 또는 경사적으로 증가 또는 감소하는 형태를 이루도록 하는 것이다. 이러한 의미에서, 일반적으로 계면 간의 특성 차이가 많이 나는 종래의 다층 완충층과는 달리, 두께에 따라 조성이 연속적으로 변하도록 하여 완충층이 마치 단일의 박막의 역할을 하도록 하는 것이다. 이에 의해 초전도 선재의 특성 제어가 용이하게 된다.
본 발명의 바람직한 실시예로써, 경사층이 형성된 초전도 단일 완충층으로써, YxZ1-xO층(Yttrium Zirconium Oxide layer) 또는 CxZ1-xO층(Cerium Zirconium Oxide layer)을 포함하는 초전도 단일 완충층에 관한 것이다. 여기에서 각 증착장치의 증착영역의 제어를 통해, x는 상수가 아니라 박막의 두께에 따라 증감되는 값으로써, 이에 따라 Y과 Zr 성분 또는 Ce와 Zr 성분이 박막의 두께에 따라 경사적으로 변하게 된다.
이는 종래의 완충층 박막물질로 사용되는 Y2O3, YSZ(Yittrium Stablized Zirconium), CeO2와는 완전히 다른 물질로써, 조성이 경사적으로 형성되어 이종 물질 간의 계면이 거의 없거나 계면간의 특성차이가 최소화되어, 이른바 단일 완충층을 이루게 되면서 초전도 선재 특성을 개선시킬 수 있는 것이다.
이는 종래의 완충층 박막물질로 사용되는 Y2O3, YSZ(Yittrium Stablized Zirconium), CeO2와는 완전히 다른 물질로써, 조성이 경사적으로 형성되어 이종 물질 간의 계면이 거의 없거나 계면간의 특성차이가 최소화되어, 이른바 단일 완충층을 이루게 되면서 초전도 선재 특성을 개선시킬 수 있는 것이다.
상기 YxZ1-xO층(YSZ와는 다른 물질임), CxZ1-xO층(CSZ와는 다른 물질임)을 포함하는 초전도 선재 단일 완충층은 기판이 공급되는 방향에 대해 Y타겟과 Zr타겟 또는 Ce타겟 등을 형성시키고 증착영역제어판을 소정 위치에 위치시켜, 기판이 진행되면서 Zr 또는 Y 또는 Ce 성분 등을 포함하는 완충층을 YxZ1-xO층, CxZ1-xO층의 생성과 동시에 생성시킬 수 있으며, 이에 의해 각 완충층 사이에는 각 성분이 경사적으로 증가 또는 감소하는 경사층이 형성되게 되는 것이다.
여기에서 증착영역의 적절한 제어에 의해 완충층 전체의 물질 조성이 경사적으로 변하도록 하여 계면이 없는 단일의 완충층을 형성시키거나, 상하측에 Zr 또는 Y 또는 Ce 성분으로 형성되고 그 사이에 YxZ1-xO층 또는 CxZ1-xO층와 같은 경사층을 형성시킬 수도 있으며, 이에 의해 기존의 다층의 완충층 사이에서 발생할 수 있는 물성 차이를 최소화시키거나, 계면이 없는 박막의 전체 두께에 대해 단일의 완충층을 형성시켜, 초전도 선재의 특성 제어가 용이하고 이에 의해 고품질의 초전도 선재를 얻을 수 있게 되는 것이다.
이러한 YxZ1-xO층을 포함하는 단일 완충층으로써, YxZ1-xO/Y2O3의 구성이 바람직하며, 상기 YxZ1-xO층과 Y2O3층 사이에는 박막의 두께에 따라 Y2O3층으로부터 상측으로 갈수록 Y 성분이 경사적으로 감소(Zr 성분은 경사적으로 증가)하며, YxZ1-xO층으로부터 하측으로 갈수록 Zr성분이 경사적으로 감소(Y 성분은 경사적으로 증가)하는 경사층이 형성되게 된다. 이러한 경사층은 필요에 의해 증착영역의 제어로부터 적절한 두께로 선택하여 증착할 수 있다.
또한 YxZ1-xO층을 포함하는 단일 완충층으로써, CeO2/YxZ1-xO/Y2O3의 구성이 바람직하며, 상기 CeO2층과 YxZ1-xO층 사이에는 박막의 두께에 따라 YxZ1-xO층으로부터 상측으로 갈수록 Ce 성분이 경사적으로 증가(Y와 Zr 성분은 경사적으로 감소)하며, CeO2층으로부터 하측으로 갈수록 Ce 성분은 경사적으로 감소(Y와 Zr 성분은 경사적으로 증가)하고, 그리고 YxZ1-xO층과 Y2O3층 사이에는 박막의 두께에 따라 Y2O3층으로부터 상측으로 갈수록 Y 성분이 경사적으로 감소(Zr 성분은 경사적으로 증가)하며, YxZ1-xO층으로부터 하측으로 갈수록 Zr성분이 경사적으로 감소(Y 성분은 경사적으로 증가)하는 경사층이 형성되게 된다.
또한 CxZ1-xO층을 포함하는 단일 완충층은 기판이 공급되는 방향에 대해 Zr타겟과 Ce타겟 등을 수직 또는 수평으로 형성시키고 증착영역제어판을 소정 위치에 위치시켜, 기판이 진행되면서 Zr 또는 Ce 성분 등을 포함하는 완충층을 CxZ1-xO층의 생성과 동시에 생성시킬 수 있으며, 각 완충층 사이에는 각 성분이 경사적으로 증가 또는 감소하는 경사층이 형성되게 되는 것이다. 이러한 경사층은 필요에 의해 증착영역의 제어로부터 적절한 두께로 선택하여 증착할 수 있다.
이러한 CxZ1-xO층을 포함하는 단일 완충층으로써, CxZ1-xO/CeO2의 구성이 바람직하며, 상기 CxZ1-xO층과 CeO2층 사이에는 박막의 두께에 따라 CeO2층으로부터 상측으로 갈수록 Zr 성분이 경사적으로 증가하며, CxZ1-xO층으로부터 하측으로 갈수록 Zr성분이 경사적으로 감소하는 경사층이 형성되게 된다.
또한 이러한 CxZ1-xO층을 포함하는 단일 완충층으로써, CeO2/CxZ1-xO/CeO2의 구성이 바람직하며, 상기 상측 CeO2층과 CxZ1-xO층 사이에는 박막의 두께에 따라 상측 CeO2층으로부터 하측으로 갈수록 Zr 성분이 경사적으로 증가하며, CxZ1-xO층으로부터 상측으로 갈수록 Zr성분이 경사적으로 감소하는 경사층이 형성되고, 그리고 CxZ1-xO층과 하측 CeO2층 사이에는 박막의 두께에 따라 CeO2층으로부터 상측으로 갈수록 Zr 성분이 경사적으로 증가하며, CxZ1-xO층으로부터 하측으로 갈수록 Zr성분이 경사적으로 감소하는 경사층이 형성되게 된다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예로써, YxZ1-xO층으로 구성된 단일 완충층에 대한 물성 및 상기 단일 완충층이 형성된 초전도 선재의 특성에 대해 살펴보고자 한다. 상기 YxZ1-xO층으로 구성된 단일 완충층은 표 1과 같은 증착 조건에서 증착되었다.
먼저, 단일 완충층이 포함된 YBCO/YxZ1-xO/NiW로 구성된 초전도 선재 박막을 증착하기 위해서 도 1과 같은 릴투릴 장치를 구성하였다. 이는 진공챔버 내부에 초전도 기판을 이루는 선재(14)를 공급하고 감는 릴(11b),(11a)이 양측에 형성되고, 이에 대향되는 위치에 적어도 두개의 증착장치, 여기에서는 스파터링 장치로써 스파터링 건이 형성되어 있어 이종의 물질의 동시 증착이 이루어지게 된다.
도 1에 도시된 바와 같이 (12b)는 Y용 스파터 건, (12a)는 Zr용 스파터 건이라고 하면, 증착영역제어판(13b),(13a)을 Y 또는 Zr 성분이 기판이 도달하는 경로 상에 적절히 배치하여 증착영역 및 경사층의 두께를 제어하도록 한다. 기판을 이루는 선재(14)가 좌측에서 우측으로 진행할수록 Zr의 조성비가 많은 상태로 증착되게 되며, 결국 두께가 두꺼워지면서 Zr의 성분은 증가하고 Y의 성분은 감소하는 형태로 완충층이 형성되게 되는 것이다.
그리고, 도 2는 단일 완충층이 포함된 YBCO/YxZ1-xO/NiW로 구성된 초전도 선재 박막의 HR-XRD-RSM(High-Resolution Triple Axis X-Ray Diffraction-RSM, X선 회절장치)에 의한 분석 데이터로써, 기존의 YSZ 박막과 전혀 다른 XRD 패턴으로 새로운 물질의 박막이 형성되었음을 알 수 있었다. 또한 YxZ1-xO층은 에피탁시 성장을 하였음을 알 수 있으며, 이는 YxZ1-xO층이 Cube Texture를 유지하면서 성장되었음을 의미한다. 또한 두께에 따라 격자 상수가 연속적으로 변하는 것을 보여주며, 또한 YxZ1-xO층의 조성비, 즉 x값에 따라 격자상수가 변한다는 것을 암시한다.
그리고, 도 3은 본 발명에 대한 실시예로 YxZ1-xO 단일 완충층을 구성한 박막의 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry, 이차이온 질량 분석기)에 의한 분석 데이터로써, YxZ1-xO층이 초전도 선재 완충층으로 증착기판의 구성 원소들의 확산에 대한 장벽으로 충분히 역할을 하고 있음을 알 수 있었다. 도 3에 도시된 바와 같이, YxZ1-xO층의 우측은 NiW기판과 YxZ1-xO층의 경계면에 해당하며, 경계면에서 멀어질수록 Y 및 Zr의 상대적인 비가 연속적(경사적)으로 변함을 알 수 있었다.
그리고, 도 4는 이렇게 증착된 단일 완충층에 각각의 초전도 선재 박막을 증착하여 초전도 임계전류 특성을 나타낸 것으로 충분히 완충층 박막으로서 기능을 하는 것을 알 수 있으며, 작은 값을 보이는 것은 초전도 선재 박막의 증착 두께가 얇아서 그런 것으로 판단된다.
도 1 - 본 발명에 따른 조성 경사형 박막을 증착하기 위한 증착장치에 대한 개략도.
도 2 - 본 발명의 일실시예에 따른 YBCO/YxZ1-xO/NiW로 구성된 초전도 선재의 HR-XRD-RSM 데이터에 대한 도면.
도 3 - 본 발명의 일실시예에 따른 YxZ1-xO 단일 완충층을 구성한 박막의 SIMS 데이터에 대한 도면.
도 4 - 본 발명의 일실시예에 YBCO/YxZ1-xO/NiW로 구성된 초전도 선재의 임계전류 특성을 나타낸 도.
Claims (8)
- 진공챔버 내부에 다수개의 박막 증착장치가 구비되어 이종의 물질을 조성으로 하는 박막이 동시에 기판 상면에 증착되되, 상기 박막은 이종의 물질 성분이 기판에 도달하는 경로 상에 형성된 증착영역제어판에 의해 박막의 두께에 따라 조성이 경사적으로 형성되는 조성 경사형 박막에 있어서,상기 조성 경사형 박막은 초전도 선재의 완충층으로 YxZ1-xO층(Yttrium Zirconium Oxide layer)을 포함하며, 여기에서 x(0<x<1)는 박막의 두께에 따라 증감되어, Y와 Zr성분이 박막의 두께에 따라 조성이 경사적으로 증감하는 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막.
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- 제 1항에 있어서, 상기 완충층은,YxZ1-xO/Y2O3로 형성되며, YxZ1-xO층과 Y2O3층 사이에는 박막의 두께에 따라 Y와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막.
- 제 1항에 있어서, 상기 완충층은,CeO2/YxZ1-xO/Y2O3로 형성되며, CeO2층과 YxZ1-xO층 사이에는 박막의 두께에 따라 Ce와 Y 및 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성되고, YxZ1-xO층과 Y2O3층 사이에는 Y와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성된 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막.
- 진공챔버 내부에 다수개의 박막 증착장치가 구비되어 이종의 물질을 조성으로 하는 박막이 동시에 기판 상면에 증착되되, 상기 박막은 이종의 물질 성분이 기판에 도달하는 경로 상에 형성된 증착영역제어판에 의해 박막의 두께에 따라 조성이 경사적으로 형성되는 조성 경사형 박막에 있어서,상기 조성 경사형 박막은 초전도 선재의 완충층으로 CxZ1-xO층(Cerium Zirconium Oxide layer)을 포함하며, 여기에서 x(0<x<1)는 박막의 두께에 따라 조성이 증감되어, Ce와 Zr성분이 박막의 두께에 따라 경사적으로 증감하는 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막.
- 제 6항에 있어서, 상기 완충층은,CxZ1 - xO/CeO2로 형성되며, CxZ1 - xO층과 CeO2층 사이에는 박막의 두께에 따라 Ce와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성된 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막.
- 제 6항에 있어서, 상기 완충층은,CeO2/CxZ1 - xO/CeO2로 형성되며, CeO2층과 CxZ1 - xO층 사이에는 박막의 두께에 따라 Ce와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성되고, CxZ1 - xO층과 CeO2층 사이에는 Ce와 Zr성분이 경사적으로 증감하는 경사층이 형성된 것을 특징으로 하는 조성 경사형 박막.
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