KR100947144B1 - Epoxy resin composition having low absorbing property for sealing semiconductor element - Google Patents
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Abstract
본 발명은 저흡습 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정구조의 페놀 수지를 사용함으로써 흡습성이 낮아 내크랙성이 우수한 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수지 조성물을 반도체소자 봉지용으로 사용하는 경우 흡습성이 낮아져 반도체 패키지의 내크랙성이 우수해질 뿐만 아니라, 흐름성 및 전기적 특성도 향상된다.The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating a low moisture absorption semiconductor device, and more particularly to an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device having low hygroscopicity and excellent crack resistance by using a phenol resin having a specific structure. When the resin composition according to the present invention is used for encapsulating a semiconductor device, the hygroscopicity is lowered, so that not only the crack resistance of the semiconductor package is excellent, but also the flowability and electrical properties are improved.
에폭시수지, 경화제, 무기충진재, 저흡습, 내크랙성Epoxy resin, hardener, inorganic filler, low moisture absorption, crack resistance
Description
본 발명은 저흡습 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하기 화학식 1의 특정구조의 페놀 수지를 사용함으로써 흡습성이 낮아 내크랙성이 우수한 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating a low moisture absorption semiconductor device, and more particularly, to an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device having low hygroscopicity and excellent crack resistance by using a phenolic resin having a specific structure of Formula 1 below. .
상기 식에서, R은 CH2, C2H4 또는 C3H6이며, n은 1 내지 5의 정수이다.Wherein R is CH 2 , C 2 H 4 or C 3 H 6 , and n is an integer from 1 to 5.
반도체는 납을 이용한 솔더링(soldering) 공정을 통해 보드(board)에 실장된다. 반도체는 공기중의 수분을 흡수하여 일정한 수분을 갖고 있으며 이렇게 흡습된 수분은 반도체가 보드에 실장되기 위해 솔더링 공정에 노출될 때 급격히 기화되어 부피 팽창을 함으로써 응력(stress)을 유발하고 패키지가 이를 견디지 못하는 경우 패키지 크랙으로 귀결된다.The semiconductor is mounted on a board through a soldering process using lead. The semiconductor absorbs moisture in the air and has a constant moisture. The moisture absorbed is rapidly vaporized when the semiconductor is exposed to the soldering process to be mounted on the board, causing volume expansion and causing stress, and the package withstands it. Failure to do so results in a package crack.
반도체의 솔더링 공정에서 발생하는 응력은 반도체의 흡습량에 비례하며 또한 솔더링 온도에 비례하여 상승한다.The stress generated in the soldering process of the semiconductor increases in proportion to the moisture absorption of the semiconductor and increases in proportion to the soldering temperature.
최근 유럽을 중심으로 하는 환경유해 물질의 규제 동향에 따라 반도체 업체는 환경에 유해한 납을 사용하지 않는 Pb-프리 솔더링(free soldering) 공정을 개발하고 있으며 Pb-프리 솔더링 공정 온도는 납을 사용한 솔더링 공정 온도보다 약 20℃정도 높은 260℃ 정도로 예상된다.Recently, according to the regulatory trend of environmentally harmful substances in Europe, semiconductor companies are developing Pb-free soldering process that does not use environmentally harmful lead, and Pb-free soldering process temperature is leaded soldering process. It is expected to be about 260 ° C, about 20 ° C above the temperature.
이러한 Pb-프리 솔더링 경향에 따라 반도체 봉지재에는 높은 신뢰성이 요구되어지며 이를 위해서는 우선 봉지재의 저흡습성 확보가 중요한 과제이다.According to the Pb-free soldering trend, high reliability is required for the semiconductor encapsulant. For this purpose, securing low hygroscopicity of the encapsulant is an important task.
종래의 대표적인 반도체 봉지재용 에폭시 수지와 경화제, 예를 들어 하기 화학식 2로 표시되는 바이페닐형 에폭시 수지, 하기 화학식 3으로 표시되는 자일록형 경화제 및 하기 화학식 4로 표시되는 페놀 노볼락형 경화제를 적용할 경우 친수성기인 하이드록시기로 인해 저흡습성을 갖는데는 한계가 있었다.Conventional representative epoxy resins for semiconductor encapsulants and hardeners, for example, biphenyl type epoxy resins represented by the following general formula (2), xylloc type hardeners represented by the following general formula (3), and phenol novolac type hardeners represented by the following general formula (4): In the case of having a low hygroscopicity due to the hydroxyl group is a hydrophilic group was limited.
여기서, m은 0 내지 10의 정수이다.Here m is an integer of 0-10.
여기서, ℓ은 0 내지 10의 정수이다.Here, l is an integer of 0-10.
이에 본 발명자들은 상기 종래 문제점을 해결하고 흡습성이 낮아져 내크랙성을 갖는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물을 연구검토하였다.Accordingly, the present inventors have solved the above-mentioned conventional problems and researched and studied the epoxy resin composition for sealing a semiconductor device having low hygroscopicity and crack resistance.
따라서 본 발명의 목적은 특정 구조를 갖는 페놀 수지를 단독 또는 혼합하여 사용함으로써 전기적 특성이 우수하며 저흡습성을 갖고 내크랙성이 우수한 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device having excellent electrical properties, low hygroscopicity and excellent crack resistance by using phenol resin having a specific structure alone or in combination.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 저흡습 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 오르소 크레졸 노볼락형, 바이페닐형, 비스페놀 A형, 다관능형, 나프탈렌형, 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 에폭시 수지 5∼15중량%; 하기 화학식 1로 표시되는 수지, 또는 하기 화학식 1로 표시되는 수지와 함께 노볼락형, 자일록형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 페놀 수지와 혼합하여 사용하는 경화제 3∼15중량%; 및 천연 실리카, 합성 실리카, 용융 실리카 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택되는 무기 충진재 80∼90중량%를 필수적으로 포함하며, 브롬으로 치환된 에폭시 수지의 난연제 0.5 내지 3중량% 및 삼산화안티몬 또는 오산화안티몬의 무기 난연제 1 내지 3중량%를 더욱 포함할 수 있다.The epoxy resin composition for encapsulating a low moisture absorption semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is an ortho cresol novolac type, biphenyl type, bisphenol A type, polyfunctional type, naphthalene type, and dicyclopentadiene type epoxy resin. 5 to 15% by weight of at least one epoxy resin selected from the group consisting of; A phenol resin selected from the group consisting of novolak, xylox, polyfunctional, naphthalene and dicyclopentadiene type phenol resins together with a resin represented by the following general formula (1) or a resin represented by the following general formula (1); 3 to 15 wt% of a curing agent used by mixing; And 80 to 90% by weight of an inorganic filler selected from the group consisting of natural silica, synthetic silica, fused silica and alumina, and 0.5 to 3% by weight of flame retardant of epoxy resin substituted with bromine and antimony trioxide or antimony pentoxide It may further comprise 1 to 3% by weight of the inorganic flame retardant.
화학식 1Formula 1
상기 식에서, R은 CH2, C2H4 또는 C3H6이며, n은 1 내지 5의 정수이다.Wherein R is CH 2 , C 2 H 4 or C 3 H 6 , and n is an integer from 1 to 5.
이하 본 발명을 좀더 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
전술한 바와 같이, 본 발명은 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충진제를 필수적으로 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 경화제 성분으로서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독 또는 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 한다.As described above, the present invention is characterized in that in the epoxy resin composition essentially comprising an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler, the compound represented by the formula (1) is used alone or in combination as the curing agent component.
본 발명에서 사용할 수 있는 에폭시 수지는 오르소 크레졸 노볼락형, 바이페닐형, 비스페놀 A형, 다관능형, 나프탈렌형, 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되며, 특히 하기 화학식 2로 표시되는 바이페닐형 에폭시 수지 또는 하기 화학식 5로 표시되는 OCN(오르소 크레졸 노볼락)형 에폭시 수지가 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 사용량은 5 내지 15중량%가 바람직하다. 사용되는 에폭시 수지의 함량이 5중량% 미만이면 성형성을 달성할 수 없게 되고, 15중량%를 초과하면 첨가량에 따른 상승적 효과를 기대하기 어렵기 때문에, 상기의 본 발명의 범위가 가장 바람직하다.The epoxy resin that can be used in the present invention is at least one selected from the group consisting of ortho cresol novolak type, biphenyl type, bisphenol A type, polyfunctional type, naphthalene type, and dicyclopentadiene type epoxy resin, in particular, The biphenyl type epoxy resin represented by General formula (2) or the OCN (ortho cresol novolak) type epoxy resin represented by following General formula (5) is preferable. As for the usage-amount of the said epoxy resin, 5-15 weight% is preferable. When the content of the epoxy resin used is less than 5% by weight, moldability cannot be achieved, and when the content of the epoxy resin is more than 15% by weight, it is difficult to expect a synergistic effect depending on the amount of addition.
화학식 2Formula 2
상기 식에서, a는 0 내지 10의 정수이다.Wherein a is an integer from 0 to 10.
또한, 본 발명에서 사용되는 경화제는, 하기 화학식 1로 표시되는 아세틸계 변성 페놀수지, 또는 하기 화학식 1로 표시되는 수지와 함께 노볼락형, 자일록형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 페놀 수지와 혼합하여 사용한다. 특히, 하기 화학식 1로 표시되는 수지는, 하기 화학식 3으로 표시되는 자일록형 페놀수지 또는 하기 화학 식 4로 표시되는 페놀 노볼락형 경화제와 혼용하여 사용하는 것이 바람직하며, 이 때는 하기 화학식 1로 표시되는 아세틸계 변성 페놀수지를 당량비 기준으로 적어도 30%이상으로 혼용하는 것이 바람직하다. 또한, 전체 에폭시 수지 조성물에 있어서, 경화제 사용량은 3 내지 15중량%가 바람직하다. 상기 경화제의 함량이 3중량% 미만이면 성형성을 달성할 수 없게 되고, 하기 화학식 1로 표시되는 경화제를 당량비 기준으로 30% 미만으로 혼용하거나 경화제의 함량이 15중량%를 초과하는 경우에는 첨가량에 따른 상승 효과를 기대하기 어렵기 때문에, 상기의 본 발명의 범위가 가장 바람직하다.In addition, the curing agent used in the present invention, in combination with the acetyl-based modified phenol resin represented by the following formula (1), or the resin represented by the following formula (1) novolak-type, xylox-type, polyfunctional type, naphthalene type and dicyclopentadiene type It is used by mixing with at least one phenol resin selected from the group consisting of phenol resins. In particular, the resin represented by the following general formula (1) is preferably used in combination with a xylock type phenol resin represented by the following general formula (3) or a phenol novolak type curing agent represented by the following general formula (4), in which case it is represented by the following general formula (1). It is preferable to mix at least 30% or more of the acetyl-based modified phenol resin based on the equivalent ratio. In addition, in the total epoxy resin composition, the amount of the curing agent used is preferably 3 to 15% by weight. When the content of the curing agent is less than 3% by weight, moldability cannot be achieved, and when the amount of the curing agent is mixed in an amount of less than 30% based on an equivalent ratio, or when the content of the curing agent exceeds 15% by weight, Since it is difficult to expect the synergistic effect, the above-mentioned range of the present invention is most preferable.
본 발명에서 사용되는 무기 충진제로는 고순도의 천연실리카, 합성실리카, 용융실리카, 알루미나 등을 사용할 수 있으며, 전체 에폭시 수지 조성물에 있어서, 무기 충진제의 사용량은 80∼90중량%가 바람직하다. 특히, 상기 용융실리카가 전체 무기 충진재의 적어도 80중량% 이상으로 이루어진 것이 바람직하다. 이 때, 용융실리카가 80중량% 미만으로 첨가되면 본 발명에서 목적하는 성형성을 달성할 수 없게 된다.As the inorganic filler used in the present invention, high purity natural silica, synthetic silica, fused silica, alumina, and the like can be used. In the total epoxy resin composition, the amount of the inorganic filler used is preferably 80 to 90% by weight. In particular, the molten silica is preferably made of at least 80% by weight or more of the total inorganic filler. At this time, if the molten silica is added in less than 80% by weight it is impossible to achieve the moldability desired in the present invention.
본 발명에서 사용할 수 있는 수지 난연제로는 브롬으로 치환된 에폭시 수지를 들 수 있고, 무기 난연제로는 삼산화 안티몬(Sb2O3) 또는 오산화안티몬(Sb2 O5) 등을 사용할 수 있다. 상기 수지 난연제의 함량은 0.5 내지 3중량%이며, 무기 난연제의 함량은 1 내지 3중량%이다. 이들 난연제의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 흐름성이나 열안정성이 떨어지는 문제가 있다. Examples of the resin flame retardant that can be used in the present invention include an epoxy resin substituted with bromine, and an inorganic flame retardant may include antimony trioxide (Sb 2 O 3 ) or antimony pentoxide (Sb 2 O 5 ). The content of the resin flame retardant is 0.5 to 3% by weight, the content of the inorganic flame retardant is 1 to 3% by weight. If the content of these flame retardants is out of the above range there is a problem of poor flowability or thermal stability.
그 밖에도 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 일반적으로 적용되는 1.0중량% 이내의 착색제, 및 이형제, 커플링제 및 개질제와 같은 기타 첨가제 1 내지 5중량%, 0.1 내지 1.0중량%의 경화촉진제를 더욱 첨가할 수 있다.In addition, it is possible to further add 1 to 5% by weight, 0.1 to 1.0% by weight of the curing accelerator, and other additives such as release agents, coupling agents and modifiers, which are generally applied within 1.0% by weight, without departing from the scope of the present invention. Can be.
본 발명의 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 각 원료들을 믹싱한 후 용융 혼합기(Kneader)를 이용하여 100℃ 내지 130℃의 온도에서 용융 혼합하여 상온으로 냉각시키고 분말상태로 분쇄한 후 블렌딩 공정을 거치는 일반적인 제조방법에 의하여 제조한다.The epoxy resin composition for encapsulation of the semiconductor device of the present invention is mixed with each raw material as described above and then melt mixed at a temperature of 100 ℃ to 130 ℃ using a melt mixer (Kneader) to cool to room temperature and pulverized into a powder state and blended It manufactures by the general manufacturing method which processes.
하기 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.
실시예 1∼2Examples 1-2
에폭시 수지로는 상기 화학식 2로 표시되는 수지(에폭시 당량=193g/eq.)를 사용하고, 경화제로는 상기 화학식 1로 표시되는 수지(활성기 당량=149g/eq.) 및 상기 화학식 3으로 표시되는 수지(수산화기 당량=175g/eq.)를 하기 표 1과 같이 계량하여 기타의 구성 원료들과 함께 믹싱한 후 용융 혼합, 냉각, 분쇄, 블렌딩 공정을 거치고 일정크기로 타정하였다.As the epoxy resin, a resin represented by the formula (2) (epoxy equivalent = 193 g / eq.) Is used, and the curing agent represented by the formula (1) (active group equivalent = 149 g / eq.) And the formula (3) The resin (hydroxyl equivalent = 175 g / eq.) Was weighed as shown in Table 1 and mixed with the other raw materials and then subjected to melt mixing, cooling, grinding, blending process and compressed to a certain size.
상기와 같이 제조된 에폭시 수지 조성물을 이용하여 가열이송성형기(압력=70kg/㎠, 온도=175℃, 경화시간=120초)에서 유동성(spiral flow)을 측정하고, 흡습 측정용 시편을 제작한 다음 175℃에서 4시간동안 후경화시키고 흡습율을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.Using the epoxy resin composition prepared as described above to measure the flow (spiral flow) in a heat transfer molding machine (pressure = 70kg / ㎠, temperature = 175 ℃, curing time = 120 seconds), and then prepare a specimen for moisture absorption measurement After curing for 4 hours at 175 ℃ and measured the moisture absorption is shown in Table 1 below.
비교예 1∼2 Comparative Examples 1 and 2
각 성분들을 하기 표 1과 같이 계량하여 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하였다.Each component was weighed as in Table 1, and the same method as in Example 1 was performed.
a: 상기 화학식 1로 표시되는 아세틸계 변성 페놀 수지(Shanghai Specbiochem Co., Ltd, 활성기 당량=149 g/eq.)
b: 상기 화학식 2로 표시되는 바이페닐형 에폭시 수지(Japan Epoxy Resin Co., Ltd. 에폭시 당량=193 g/eq.)
c: 상기 화학식 3로 표시되는 자일록 형 페놀 수지(Meiwa Plastic Industries, Ltd. 수산화기 당량=175g/eq.)
실시예 3∼4
a: Acetyl-modified phenolic resin represented by Formula 1 (Shanghai Specbiochem Co., Ltd, active group equivalent = 149 g / eq.)
b: Biphenyl type epoxy resin represented by Chemical Formula 2 (Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Epoxy equivalent = 193 g / eq.)
c: Xylox type phenol resin represented by Formula 3 (Meiwa Plastic Industries, Ltd. hydroxyl equivalent = 175 g / eq.)
Examples 3-4
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에폭시 수지로는 상기 화학식 5로 표시되는 수지(에폭시 당량=199g/eq.)를 사용하고, 경화제로는 상기 화학식 1로 표시되는 수지 및 상기 화학식 4로 표시되는 수지(수산화기 당량=107g/eq.)를 사용하여, 조성비율을 하기 표 2와 같이 계량하여, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.As the epoxy resin, a resin represented by the formula (5) (epoxy equivalent = 199 g / eq.) Was used, and as a curing agent, a resin represented by the formula (1) and a resin represented by the formula (4) (hydroxyl equivalent = 107 g / eq. ), The composition ratio was measured as in Table 2, and was carried out in the same manner as in Example 1.
비교예 3∼4Comparative Examples 3 to 4
각 성분들을 하기 표 2와 같이 계량하여 상기 실시예 3과 동일한 방법을 실시하였다. Each component was weighed as in Table 2, and the same method as in Example 3 was performed.
d: 상기 화학식 4로 표시되는 페놀 노볼락형 수지(Meiwa Plastic Industries, Ltd. 수산화기 당량=107 g/eq.)
e: 상기 화학식 5로 표시되는 오르소 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(Nippon Kayaku Co., Ltd. 에폭시 당량=199g/eq.)
각 물성별 측정 방법은 다음과 같다.
d: Phenol novolak-type resin represented by the formula (4) (Meiwa Plastic Industries, Ltd. hydroxyl equivalent = 107 g / eq.)
e: Ortho cresol novolac-type epoxy resin represented by Formula 5 (Nippon Kayaku Co., Ltd. epoxy equivalent = 199 g / eq.)
The measuring method for each property is as follows.
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* 유동성(spiral flow) 측정* Spiral flow measurement
EMMI-I-66 규격의 유동성 몰드를 이용하여 가열이송성형기(압력=70kg/㎠, 온도=175℃, 경화시간=120초)로 측정한다.Using a flowable mold of the EMMI-I-66 standard, it is measured by a heat transfer molding machine (pressure = 70kg / cm 2, temperature = 175 ° C, curing time = 120 seconds).
* 겔화시간(Gelation Time)(G/T) 측정* Measurement of gelation time (G / T)
입자 크기가 3mm이하 정도의 분말가루를 175℃의 핫플레이트(hot plate) 위에 스페츌라를 이용하여 1∼3g의 시료를 놓은 즉시 초시계를 작동시키고, 표면에 얇게 피막을 만든다. 황동제 핀으로 피막을 그어 시료가 경화되면서 부서지기 시작하는 점을 종결점으로 하여 초시계를 신속히 멈추고 그때의 시간을 측정한다.A stopwatch is started immediately after placing a sample of 1 to 3 g of powder powder having a particle size of 3 mm or less on a hot plate at 175 ° C using a spatula, and a thin film is formed on the surface. The stopwatch is quickly stopped and the time is measured by drawing the film with brass pins and ending the point where the sample starts to harden as the sample hardens.
* 유리전이온도(Tg) 측정* Glass transition temperature (Tg) measurement
Tg 측정용 시편제작 몰드(폭=35mm, 길이=5mm, 두께=3mm)를 이용하여 가열이송성형기(압력=70kg/㎠, 온도=175℃, 경화시간=120초)에서 몰딩한 후 175℃의 오븐 에서 4시간동안 후경화시킨 다음 시편을 절단(폭=5mm, 길이=5mm, 두께=3mm)하여 TMA(Thermo-Mechanical Analyzer)로 측정한다.175 ℃ after molding in a heat transfer molding machine (pressure = 70kg / ㎠, temperature = 175 ℃, curing time = 120 seconds) using a specimen manufacturing mold (width = 35mm, length = 5mm, thickness = 3mm) for measuring Tg After curing in the oven for 4 hours, the specimens were cut (width = 5 mm, length = 5 mm, thickness = 3 mm) and measured by TMA (Thermo-Mechanical Analyzer).
* 흡습성 평가* Hygroscopicity evaluation
흡습 측정용 디스크 시편제작 몰드(직경=33mm, 두께=3.1mm)를 이용하여 가열이송성형기(압력=70kg/㎠, 온도=175℃, 경화시간=120초)에서 몰딩한 후 175℃의 오븐에서 4시간동안 후경화시킨 다음 시편을 121℃, 2기압, 100RH% PCT(Pressure Cooler Test) 조건하에서 24시간 흡습시키고 흡습 전,후의 무게를 측정하여 흡습율을 측정한다.Molded in a heat transfer molding machine (pressure = 70kg / cm 2, temperature = 175 ° C, curing time = 120 seconds) using a disc specimen manufacturing mold (diameter = 33mm, thickness = 3.1mm) for moisture absorption measurement, and then in an oven at 175 ° C. After post-curing for 4 hours, the specimen was absorbed for 24 hours under 121 ° C, 2 atmospheres, and 100 RH% PCT (Pressure Cooler Test) conditions.
* 내크랙성 평가* Crack resistance evaluation
LQFP 24mm×24mm 리드프레임에 몰딩한 후 175℃의 오븐에서 4시간동안 후경화시킨 다음 시편을 85℃, 85RH% 조건의 항온 항습기에서 12, 24, 48시간동안 흡습시키고 260℃의 IR-리플로우(reflow)기에 3회 흘린 다음, SAM(Scanning Acoustic Microscope)으로 관찰하여 크랙수를 측정한다.After molding into a LQFP 24mm × 24mm leadframe, postcure for 4 hours in an oven at 175 ° C, and then absorb the specimens for 12, 24, and 48 hours in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C and 85RH%, and IR-Reflow at 260 ° C. (3) After flowing three times in the reflow period, and observed with a SAM (Scanning Acoustic Microscope) to measure the number of cracks.
상기 실시예 및 비교예를 통해 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 에폭시 수지 봉지용 조성물로 반도체소자를 봉지할 경우 흐름성이 우수하고 저흡습성을 확보할 수 있게 되어 내크랙성이 증대된다. 또한, 반도체 소자 봉지재로서 이 조성물을 이용하여 우수한 신뢰성을 갖는 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다.As can be seen from the above examples and comparative examples, when encapsulating a semiconductor device with the epoxy resin encapsulation composition according to the present invention, it is possible to secure excellent hygroscopicity and low hygroscopicity, thereby increasing crack resistance. Moreover, it is possible to obtain the semiconductor device which has the outstanding reliability using this composition as a semiconductor element sealing material.
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| JPH08283387A (en) * | 1995-04-20 | 1996-10-29 | Yuka Shell Epoxy Kk | Liquid epoxy resin composition |
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| JP3369323B2 (en) | 1994-09-13 | 2003-01-20 | ジャパンエポキシレジン株式会社 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
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2003
- 2003-02-06 KR KR1020030007527A patent/KR100947144B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725962A (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | New aryl-esterified phenol novolak resin |
| JP3369323B2 (en) | 1994-09-13 | 2003-01-20 | ジャパンエポキシレジン株式会社 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
| JPH08283387A (en) * | 1995-04-20 | 1996-10-29 | Yuka Shell Epoxy Kk | Liquid epoxy resin composition |
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