KR100945543B1

KR100945543B1 - 금속 전극의 제조방법

Info

Publication number: KR100945543B1
Application number: KR1020060038641A
Authority: KR
Inventors: 세 형 박; 병 기 김; 병 일 이; 종 민 박; 석 정 송
Original assignee: 주식회사 코오롱
Priority date: 2006-04-28
Filing date: 2006-04-28
Publication date: 2010-03-08
Also published as: KR20070106129A

Abstract

본 발명은 금속 전극의 제조방법에 관한 것으로서, (ⅰ) 절연성을 가진 기재의 전면(全面)에 포토레지스트층을 형성한 후 예비열처리(Pre-bake), 노광, 현상 및 후 열처리(Post-bake) 공정을 통해 금속 전극이 형성될 부분 외에 포토레지스트층을 형성하는 공정과, (ⅱ) 패턴이 형성된 상기 기재를 에칭(Etching)하는 공정과, (ⅲ) 에칭된 상기 기재를 커플링제 용액에 디핑(Dipping) 하는 공정과, (ⅳ) 커플링제 용액에 디핑처리된 상기 기재를 다시 도금촉매 용액에 디핑(Dipping) 하는 공정과, (ⅴ) 도금촉매 용액에 디핑처리된 상기 기재를 무전해 금속 도금하는 공정과, (ⅵ) 무전해 금속 도금된 상기 기재로부터 포토레지스트층을 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 내열성 및 밀착력이 우수한 포토레지스트 조성물을 이용하여 기재에 직접 전극패턴을 구성함으로써, 금속의 손실량을 줄이면서 고온처리공정이 생략되어 기재나 패턴의 변형이 줄어들게 된다. 또한, 본 발명은 도금촉매의 증착 공정을 생략할 수 있고, 선택적 도금이 가능하면서도 금속 전극 패턴을 보다 견고하게 형성할 수 있다.

감광성 수지, 포토레지스트, 포지티브형, 알칼리 가용성 수지.

Description

금속 전극의 제조방법 {Method of manufacturing metal electrode}

도 1은 본 발명에서 사용하는 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 단면도.

본 발명은 금속 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는, 평판디스플레이패널 분야에서 절연성을 지닌 기재 상에 은(Ag) 전극 등과 같은 금속 전극 패턴을 금속의 손실량을 줄이면서 기재나 전극 패턴의 변형없이 직접 형성하는 방법에 관한 것이다.

통상적으로 도금의 용도는 금속이나 비금속의 표면에 다른 금속을 사용하여 피막을 형성시킴으로써 부식을 방지하거나 금속 자체의 내마모성, 내열성, 광택 등을 향상시킬 목적으로 행하여진다.

이 가운데 일반적인 금도금 공정은 기재 표면의 불순물을 세척한 후 기판 표면을 양이온으로 활성화시킨 다음, 팔라듐(Pd)을 활성화된 기재 표면에 부착시킨 다음, 기재 표면에 묻은 팔라듐(Pd)과 산화된 금속이온을 제거한 다음, 이를 니켈(Ni) 이온이 포함된 용액조에 담구어 니켈(Ni)을 기재 표면에 전착시킨 다음, 이 를 다시 금(Au) 이온이 포함된 용액조에 담구어 기재 표면에 금(Au)을 전착시키는 방법으로 실시된다. 이때, 금(Au)은 환원력이 니켈(Ni)보다 크므로 니켈 내부전자를 금 이온이 빼앗아 니켈은 산화이온이 되고 금은 니켈로부터 전자를 받아서 전착된다.

이와 같은 금도금은 회로를 보호하기 위해 납땜 페이스트(Solder paste)를 부착하기 위해 처리하는 공정으로서, 기재 또한 전도성을 지닌 구리를 사용한 경우가 대부분이다.

도체상에 무전해 금도금을 하는 일례를 살펴보면 다음과 같다.

PCB(Printed Circuit Board,인쇄회로기판)에서 일반적으로 사용되는 기재는 에폭시(부도체)위에 구리층(동박, 도체)을 30∼40um두께로 입힌 구조로써, 이에 상기 설명한 도금방법을 통해 니켈 3∼5um, 금 0.1um 두께이하를 입히는 공정을 수행한다. 금도금을 끝낸 PCB에는 납땜페이스트(Solder paste)를 바르고 그 위에 필요부품을 장착한 뒤 오븐을 통과시켜 건조한다. 이렇게 처리된 PCB기재는 표면의 산화가 방지되며 외부환경에 대한 회로의 안정성이 유지된다.

상기와 같은 도금법은 회로형성의 한 방법으로도 개발되고 있는데, 고온의 소결공정이 필요한 실버페이스트법과 비교하여 에칭공정이 이를 대신함으로써 기재 및 패턴의 변형이 없으며 포토레지스트층 내부에 전극패턴을 형성할 수 있어 언더컷(undercut)을 방지하는 장점이 있지만 도금공정과정에서 일부 포토레지스트층이 견디지 못하고 기재에서 이탈되는 문제점도 발생한다.

전극을 형성하기 위한 전도성물질로는 은, 금, 금속촉매물질 등이 사용되며, 이 가운데 전도성이 뛰어나면서 산소와의 친화력이 적은 은이 가장 널리 쓰이고 있다.

기재 상에 금속 전극 패턴을 형성하는 종래 방법으로는 실버페이스트법, 금속증착법 및 도금법이 있다.

실버페이스트를 이용한 금속 전극 형성법은 절연체 기재위에 스크린마스크를 실장하고 그 위에 실버페이스트를 도포한 후, 500℃이상의 온도에서 페이스트를 소성하여 전극을 형성한다. 이 방법은 생산공정이 단축되는 장점이 있는 반면에 고온소성으로 인해 실버페이스트 패턴의 수축이 심하고 페이스트 형성 및 기재와의 밀착성을 향상시키기 위해 첨가된 첨가제에 의해 그 비저항이 높아지고 실버페이스트가 고가인 문제점이 있다.

금속증착법은 기재위에 금속시드층을 증착하여 기재표면과 금속전극의 밀착성을 높이고, 그 위에 다시 증착법으로 금속전극층을 증착한다. 상기 기재 위에 포토레지스트층을 도포하고 노광 및 현상하여 패턴을 형성하고 에칭액을 이용해 전극패턴외의 금속전극층과 금속시트층을 제거하고 박리를 통해 포토레지스트층을 제거함으로써 전극을 형성한다. 이 방법은 고해상도의 미세패턴을 구현할 수 있는 장점이 있는 반면에 금속전극층과 금속시드층의 증착작업이 반복되어 공정진행이 더디고 에칭을 통한 원료손실이 크다.

도금법은 기재위에 전극 위에 금속시드층을 증착하는데 기재와의 밀착성을 위하여 니켈이나 크롬의 합금 산화물로 일부 형성되며 전극의 전도율을 개선하기 위해 전도성 금속재료를 통해 일부 금속시드층이 형성되기도 한다. 상기 기재위에 포토레지스트층을 도포하고 노광 및 현상으로 금속 전극패턴을 형성한다. 전기도금을 통해 전극패턴을 도금하고 포토레지스트층을 박리하고 금속시드층을 에칭하여 마무리한다.

도금법 가운데 무전해도금은 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않고 금속염 수용액 중의 금속이온을 환원제에 의해 자동촉매로 환원시켜 기재표면 위에 금속을 석출시키는 방법이다. 전해도금에 비해 도금층이 치밀하고 두께가 균일하며 도체뿐만 아니라 플라스틱이나 유기체와 같은 기판에도 적용할 수 있는 것이 장점이다. 또한 내식성 및 내마모성이 우수한 특징이 있다.

포토레지스트(photoresist) 및 포토레지스트 필름은 집적회로(IC), 인쇄회로기판(PCB) 및 전자표시 장치인 브라운관(Cathode Ray Tubes: CRT)과 액정 디스플레이(LCD) 및 유기 전계발광 디스플레이(EL 또는 ELD) 등의 고집적 반도체 제조에 이용된다. 이들 소자의 제조 방법에서는 포토리소그라피(photolithography) 및 광가공(photo-fabrication) 기술이 사용된다. 포토레지스트 필름은 매우 가는 선과 7㎛ 이하의 작은 공간 넓이를 가지는 패턴을 형성할 수 있을 정도의 해상도가 요구된다.

포토레지스트 수지 또는 포토레지스트의 분자 구조의 화학적 변화를 통해 특정 용제에 대한 용해도 변화, 착색, 경화 등과 같이 포토레지스트의 물성이 변화할 수 있다.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점들을 해소하기 위해서, 절연성을 지닌 기재 상에 금속 전극의 패턴을 보다 견고하게 직접 형성하는 방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명은 도금촉매의 증착공정 없이도 절연성을 지닌 기재 상에 금속 전극을 보다 견고하게 직접 형성하는 방법을 제공하고자 한다. 또한, 본 발명은 금속의 손실량을 줄이면서 고온처리공정이 생략되어 기재나 금속 전극 패턴의 변형이 현저하게 감소하는 금속 전극의 제조방법을 제공하고자 한다.

또한, 본 발명에서는 내열성, 밀착성 및 도금내성이 우수한 포토레지스트층을 형성하는 방법을 제공한다.

이와 같은 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 (ⅰ) 절연성을 가진 기재의 전면(全面)에 포토레지스트층을 형성한 후 예비열처리(Pre-bake), 노광, 현상 및 후 열처리(Post-bake) 공정을 통해 금속 전극이 형성될 부분 외에 포토레지스트층을 형성하는 공정과, (ⅱ) 패턴이 형성된 상기 기재를 에칭(Etching)하는 공정과, (ⅲ) 에칭된 상기 기재를 커플링제 용액에 디핑(Dipping) 하는 공정과, (ⅳ) 커플링제 용액에 디핑처리된 상기 기재를 다시 도금촉매 용액에 디핑(Dipping) 하는 공정과, (ⅴ) 도금촉매 용액에 디핑처리된 상기 기재를 무전해 금속 도금하는 공정과, (ⅵ) 무전해 금속 도금된 상기 기재로부터 포토레지스트층을 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상술한 일반적인 설명 및 후술의 상세한 설명은 모두 예시적인 것으로서, 특허 청구되는 본 발명에 관하여 상세히 기술한다

본 발명의 목적 및 기타의 측면은 첨부된 도면과 함께 후술하는 구체예의 상세한 설명에서 더욱 명확해진다. 그러나, 상세한 설명 및 구체예는 본 발명의 바람직한 구현을 나타내는 것으로 예시를 위한 것이므로 당해 분야의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양한 변화 및 수정이 가능함을 이해할 것이다.

이하, 첨부한 도면 등을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다.

먼저, 본 발명에서는 절연성을 가진 기재의 전면(全面)에 코팅 또는 라미네이팅 방식으로 포토레지스트층을 형성한 후 예비열처리, 노광 및 현상을 실시하여 금속 전극이 형성될 부분 외에 포토레지스트층을 형성시킨다. 이때, 현상후 후 열처리하여 포토레지스트층내 열경화수지를 가교화반응 시키는 것이 바람직하다.

상기 기재는 유리기판, 세라믹 등이다.

상기 포토레지스트층을 형성하는 방법으로는, 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 열경화성 수지, 감도증진제 및 용매를 포함하는 포지티브형 포토레지스트용 조성물을 상기 기재 전면에 코팅하는 방식과, 지지체 필름상에 상기 조성물로 이루어진 포토레지스트층이 형성된 포지티브형 포토레지스트 필름을 상기 기재의 전면에 라미네이팅 하는 방식 등이 채택된다.

상기 포토레지스트층에는 이형제가 더 포함될 수도 있다.

상기의 알칼리 가용성 수지는 특별히 한정되지는 않지만 페놀과 알데히드의 축합 생성물인 열경화성 노볼락 수지를 포함하며, 가장 바람직하게는 크레졸 노볼 락 수지를 포함한다.

노볼락 수지는 페놀 단독 또는 알데히드 및 산성 촉매와의 조합물을 중축합 반응하여 얻는다.

페놀류로서는 특별히 한정되지 않지만, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-키시레놀, 2,5-키시레놀, 3,4-키시레놀, 3,5-키시레놀, 2,3,5-트리메틸페놀-키시레놀, 4-t-부틸 페놀, 2-t-부틸 페놀, 3-t-부틸 페놀, 4-메틸-2-t-부틸 페놀 등 1가 페놀류; 및 2-나프톨, 1,3-디히드록시 나프탈렌, 1,7-디히드록시 나프탈렌, 1,5-디히드록시 나프탈렌, 레조르시놀, 피로카테콜, 히드로퀴논, 비스페놀 A, 플로로글루시놀, 피로갈롤 등 다가 페놀류 등을 들 수 있으며, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 특히 m-크레졸, p-크레졸의 조합이 바람직하다.

알데히드류로서는 특별히 한정되지 않지만, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, α- 또는 β-페닐 프로필알데히드, o-, m- 또는 p-히드록시벤즈알데히드, 글루타르알데히드, 테레프탈알데히드 등을 들 수 있으며, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

본 발명에 사용되는 상기 크레졸 노볼락 수지는 중량평균 분자량(GPC 기준)이 2,000 내지 30,000 인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 사용되는 상기 크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량비에 따라 감광속도와 잔막률 등의 물성이 달라지게 되므로, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다.

상기 크레졸 노볼락 수지 중의 메타 크레졸의 함량이 상기 범위를 초과하면 감광속도가 빨라지면서 잔막률이 급격히 낮아지며, 파라 크레졸의 함량이 상기 범위를 초과하면 감광속도가 느려지는 단점이 있다.

상기 크레졸 노볼락 수지는 상기와 같이 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4인 크레졸 노볼락 수지를 단독으로 사용할 수 있으나, 더욱 바람직하게는 분자량이 서로 다른 수지를 혼합사용할 수 있다. 이 경우, 상기 크레졸 노볼락 수지를 (ⅰ) 중량평균 분자량(GPC 기준)이 8,000∼30,000인 크레졸 노볼락 수지와 (ⅱ) 중량평균 분자량(GPC 기준)이 2,000∼8,000인 크레졸 노볼락 수지를 7:3 내지 9:1의 비율로 혼합사용하는 것이 바람직하다.

여기에서, 용어 '중량평균 분자량'은 겔투과크로마토그래피(GPC)에 의하여 결정되는, 폴리스티렌 당량의 환산치로 정의한다. 본 발명에서 노볼락 수지의 중량평균 분자량이 2,000 미만이면 포토레지스트 수지 필름은 현상 후 비노광부에서 큰 두께감소를 가져오고, 반면 30,000을 초과하면 현상속도가 낮아져 감도가 저하된다. 본 발명의 노볼락 수지는 반응산물로부터 저분자량 성분을 제거한 후 얻은 수지가 상기한 범위의 중량평균 분자량(2,000 내지 30,000)을 가질 때 가장 바람직한 효과를 달성할 수 있다. 노볼락 수지로부터 저분자량 성분을 제거함에 있어서, 분별침전, 분별용해, 관크로마토그래피 등을 포함하는 기술들을 이용하면 편리하다. 이로써 포토레지스트 수지 필름의 성능을 개선할 수 있고, 특히 스커밍(scumming), 내열성 등을 개선할 수 있다.

상기 알칼리 가용성 수지로서 노볼락 수지는 알칼리 수용액 내에서 부피 증 가없이 용해가능하고, 에칭시 마스크로 사용될 때 프라즈마 에칭에 대하여 고내성을 제공할 수 있는 영상을 제공한다.

한편, 상기의 감광성 화합물은 디아지드계 감광성 화합물로서 노볼락 수지의 알칼리에 대한 용해도를 감소시키는 용해억제제(dissolution inhibitor)로서도 작용하게 된다. 그러나 이 화합물은 광이 조사되면 알칼리 가용성 물질로 바뀌어 노볼락 수지의 알칼리 용해도를 증가시키는 역할을 하게 된다.

상기 디아지드계 감광성 화합물은 폴리히드록시 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합물과의 에스테르화 반응에 의해 합성할 수가 있다. 감광성 화합물을 얻기 위한 에스테르화 반응은 상기 폴리히드록시 화합물과 상기 퀴논디아지드 술폰산 화합물을 디옥산, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, N-메틸피롤리딘, 클로로포름, 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌 또는 디클로로에탄 같은 용매에 용해시키고, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 트리에틸아민, N-메틸모르폴린, N-메틸피페라진 또는 4-디메틸아미노피리딘 같은 염기성 촉매를 적하하여 축합시킨 후, 얻어진 생성물을 세정, 정제, 건조시켜 행한다. 특정 이성체만을 선택적으로 에스테르화하는 것이 가능하며 에스테르화 비율(평균 에스테르화율)은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 폴리히드록시 화합물의 OH기에 대한 디아지드 술폰산 화합물이 20∼100%, 바람직하게는 60∼90%의 범위이다. 에스테르화 비율이 너무 낮으면 패턴 형상이나 해상성의 열화를 초래하고, 너무 높으면 감도의 열화를 초래한다.

퀴논디아지드 술폰산 화합물로서는 예컨대, 1,2-벤조퀴논 디아지드-4-술폰산, 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산, 1,2-벤조퀴논 디아지드-5-술폰산 및 1,2- 나프토퀴논 디아지드-5-술폰산 등의 o-퀴논 디아지드 술폰산 화합물, 및 그 외의 퀴논 디아지드 술폰산 유도체 등을 들 수 있다. 디아지드계 감광성 화합물은 바람직하게는 1,2-벤조퀴논 디아지드-4-술폰산 클로라이드, 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산 클로라이드 및 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-술폰산 클로라이드 중 1종 이상이다.

퀴논디아지드 술폰산 화합물들은 스스로 알칼리 중에서 노볼락 수지의 용해도를 낮게 하는 용해 저지제로서의 기능을 가진다. 그러나 노광시 알칼리 가용성 수지를 생산하기 위해 분해하고, 그로 인해 오히려 알칼리에서 노볼락 수지의 용해를 촉진시키는 특성을 갖는다.

폴리히드록시 화합물로서는 2,3,4-트리히드록시 벤조페논, 2,2',3-트리히드록시 벤조페논, 2,3,4'-트리히드록시 벤조페논 등의 트리히드록시 벤조페논류; 2,3,4,4-테트라히드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,5-테트라히드록시벤조페논 등 테트라히드록시벤조페논류; 2,2',3,4,4'-펜타히드록시벤조페논, 2,2',3,4,5-펜타히드록시벤조페논 등 펜타히드록시벤조페논류; 2,3,3',4,4',5'-헥사히드록시벤조페논, 2,2,3,3',4,5'-헥사히드록시벤조페논 등 헥사히드록시벤조페논류; 갈산알킬에스테르; 옥시플라반류 등을 예로 들 수 있다.

본 발명에서 사용되는 디아지드계 감광성 화합물은 바람직하게는 2,3,4,4-테트라하이드록 시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-술포네이트, 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포네이트 및 (1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포네이 트 중에서 선택된 1종 이상이다. 또한, 폴리히드록시 벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지드, 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산 등의 디아지드계 화합물을 반응시켜 제조한 디아지드계 감광성 화합물을 사용할 수도 있다.

이러한 디아지드계 감광성 화합물에 관하여는 Light Sensitive Systems, Kosar, J.; John Wiley & Sons, New York, 1965, 제 7장에 상세히 공지되어 있다.

상기의 감광성 화합물(감광제)은 포지티브형 포토레지스트 수지 조성물로서 일반적으로 적용되고 있는 치환된 나프토퀴논 디아지드계 감광제들에서 선택되어지는 것이며, 이러한 감광성 화합물들은 예컨대 미국특허 제 2,797,213; 제 3,106,465; 제 3,148,983; 제 3,201,329; 제 3,785,825 및 제 3,802,885 등에 게재되어 있다.

상기 디아지드계 감광성 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 30 내지 80 중량부를 단독 또는 2 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 30 중량부 이상일 경우 현상액에 더욱 현상이 잘되고 포토레지스트 필름의 잔존비율이 상당히 높아지며, 80 중량부를 초과할 경우에는 고가이므로 경제적이지 못하고 용매 중의 용해도가 낮아진다.

상기 디아지드계 감광성 화합물을 이용하여 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 감광속도를 조절할 수 있으며, 예를 들면, 감광성 화합물의 양을 조절하는 방법과 2,3,4-트리히드록시벤조페논과 같은 폴리히드록시 화합물과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산과 같은 퀴논디아지드 술폰산 화합물과의 에스테르 반응도를 조절하는 방법이 있다.

상기 디아지드계 감광성 화합물은 노광 전에는 알칼리 가용성 수지의 알칼리 수용액 현상액에 대한 용해성을 약 100배 저하시키지만 노광 후에는 카르복실산 형태로 변하여 알칼리 수용액에 가용성이 되면서 비노광된 포지티브형 포토레지스트조성물에 비해 용해도가 약 1000∼1500배 증가하게 된다. LCD, 유기 EL등의 미세회로 패턴의 형성은 포토레지스트의 이러한 성질을 이용한 것이다. 더 구체적으로, 실리콘 웨이퍼나 유리기판 위에 코팅된 포토레지스트에 회로 모양의 반도체 마스크를 통해 자외선을 쬔 후 현상액으로 처리하면 실리콘 웨이퍼나 유리기판 상에는 원하는 회로의 패턴만이 남게 된다.

상기의 열경화성 수지는 메톡시메틸멜라민(Methoxymethymelamine)계 수지 등으로서 함량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 10∼30 중량부인 것이 바람직하다. 10 중량부 이상인 경우에는 본 발명의 내알칼리성 및 도금내성이 우수해지고 30 중량부 이하인 경우에 현상공정이 쉬워진다.

또한, 상기 메톡시메틸멜라민계 수지는 헥사메톡시메틸멜라민(Hexamethoxy melamine)수지가 더욱 바람직하다.

상기 포토레지스트층은 열경화성 수지를 포함하기 때문에 금속 전극을 제조하는 열처리 공정 중에 상기 열경화성 수지의 가교(Cross-linking) 반응이 일어나 내알칼리성 및 도금내성이 크게 향상된다.

상기의 감도증진제는 상기 포토레지스트층의 감도를 향상시키기 위하여 사용된다. 상기 감도 증진제는 2 내지 7개의 페놀계 히드록시 그룹을 가지고, 폴리스티렌 대비 중량평균분자량이 1,000 미만인 폴리히드록시 화합물이다. 바람직한 예를 들면, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라히드록시벤조페논, 1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.

상기 감도 증진제로 사용되는 폴리히드록시 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 3 내지 15 중량부를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 감도 증진제가 3 중량부 미만인 경우 감광 효과가 미미하여 해상도, 감도 등이 미흡하고, 15 중량부를 초과할 경우에는 고감도가 되어 공정상 윈도우 공정 마진이 좁아지는 문제가 있다.

상기의 용매는 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 및 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트,아세톤, 메틸에틸 케톤, 에틸 알코올, 메틸 알코올, 프로필 알코올, 이소프로필 알코올, 벤젠, 톨루엔, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 에틸렌글리콜, 크실렌, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 및 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 한다.

상기 용매의 함량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 약 190 내지 250 중량부가 바람직하다. 약 190 중량부 미만이면 포토레지스트 수지층의 필름 형성성 및 적층성이 덜 개선된다. 상기 범위 내에서 본 발명의 코팅성이 우수해진다.

상기 포지티브형 포토레지스트 조성물 내에서 포토레지스트층과 증착된 도금촉매와의 밀착성을 향상시키기 위해, 이소시아네이트(isocyanate) 화합물이나 커플링제(coupling agent) 등의 첨가제를 사용할 수 있다.

이소시아네이트는 반응성이 매우 크고 특히 활성 수소를 가지고 있는 화합물들과는 쉽게 반응한다. 자체반응 뿐만 아니라 alcohol, amine, water, carboxylic acid, epoxide 등과 쉽게 반응한다.

커플링제 중에서 특히, 실란계 커플링제는 상온에서 물에 의해 축합반응을 일으켜 고분자화된다. 한쪽 말단에는 유기작용기가 달려있고 다른 한쪽에는 메톡시기나 에톡시기가 달려있는데, 보통 말단의 에톡시기가 물에 의해 가수분해되어 에탄올이 떨어지고 Si-OH기가 된다. 이 Si-OH기가 불안정하여 실록산(Siloxane) 결합인 Si-O-Si로 결합을 하게 되어 실란이 가교되어 겔화된다.

첨가제의 함량은 바람직하게는, 알칼리 가용성수지 100 중량부를 기준으로 약 0.1 내지 2 중량부의 범위이다.

또한, 상기 포토레지스트층 및 이의 제조에 사용되는 조성물은 상술한 성분들 외에도 적층후 지지체 필름의 이형성을 향상시키기 위해 이형제를 더 포함할 수 있다. 상기 이형제의 바람직한 예를 들면, 실리콘 수지, 불소 수지, 올레핀 수지, 왁스 등이 있다. 이들 중에서 특히 바람직한 것은 약 1,000 내지 10,000 cps 범위의 점도를 갖는 불소 수지이다.

이형제의 함량은 바람직하게는, 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 약 0.5 내지 4 중량부의 범위이다.

상기 포지티브형 포토레지스트 필름의 지지체 필름(10)이 연신 폴리프로필렌(OPP)필름인 경우에는 상기 연신 폴리프로필렌(OPP)필름은 자체의 소수성으로 인해 우수한 이형성을 갖기 때문에 포토레지스트층에 이형제를 첨가하지 않아도 된 다.

그러나, 지지체 필름(10)이 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)필름인 경우에는 상기 PET필름은 자체의 친수성으로 인해 이형성이 나쁘기 때문에 포토레지스트층에 이형제를 첨가하는 것이 좋다.

상술한 구성 성분의 조성 이외에도, 상기의 포토레지스트층은 종래의 포토레지스트 수지 조성물에 사용되는 통상의 공지된 성분들 예를 들어, 레벨링제, 충진제, 안료, 염료, 계면활성제 등의 기타 성분이나 첨가제를 포함할 수 있다.

도 1에 표시된 바와 같이, 본 발명에서 사용하는 포토레지스트 필름은 지지체 필름(10) 및 상기 지지체 필름(10) 상에 적층 형성된 포토레지스트층(20)을 포함한다. 경우에 따라서는, 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 필름의 보관 안전성 및 운반성을 개선하기 위해 상기 포토레지스트층(20) 위에 보호층 (도시하지 않음)을 더 포함할 수도 있다. 포토레지스트층(20)은 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물, 열경화성 수지 및 감도증진제를 포함한다.

상기 지지체 필름(10)은 포지티브형 포토레지스트 필름에 적합한 물성을 가져야 한다. 적절한 지지체 필름 재료의 비제한적인 예를 들면, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 연신 폴리프로필렌(OPP) 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 필름, 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 필름, 폴리비닐 필름, 기타 적절한 폴리올레핀 필름, 에폭시 필름 등을 포함한다. 특히 바람직한 폴리올레핀 필름은 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 에틸렌비닐 아세테이트(EVA) 필름 등이다. 바람직한 폴 리비닐 필름은 폴리 염화비닐(PVC) 필름, 폴리 아세트산비닐(PVA) 필름, 폴리비닐 알코올(PVOH) 필름 등이다. 특히 바람직한 폴리스티렌 필름은 폴리스티렌(PS) 필름, 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌(ABS) 필름 등이다. 특히, 지지체 필름은 빛이 지지체 필름을 통과하여 포토레지스트 수지층을 조사할 수 있을 정도로 투명한 것이 바람직하다.

지지체 필름(10)은 바람직하게는 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 형상 지지를 위한 골격 역할을 하기 위해 약 10 내지 50㎛ 범위의 두께를 가지며 바람직하게는 약 15 내지 50㎛, 더욱 바람직하게는 약 15 내지 25㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.

상기 지지체 필름 상에 상기 포지티브형 포토레지스트층을 형성시키는 방법은 일반적으로 사용되고 있는 롤러, 롤코터, 메이어 로드(meyer rod), 그라비어, 스프레이 등의 도장법에 의하여 상기 용제와 혼합된 조성물을 상기 지지체 필름 상에 도장하고 건조를 행해 조성물 중의 용제를 휘발시킴으로써 행해진다. 필요에 따라서는 도포된 조성물을 가열 경화해도 좋다.

한편, 본 발명에 사용되는 포토레지스트 필름은 포토레지스트층의 상부에 추가로 보호층을 더 포함하는 것이 가능한 바, 이러한 보호층은 공기 차단 및 이물 등으로 부터 포토레지스트층을 보호하는 역할을 수행하는 것으로서, 폴리에틸렌 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 등으로 형성된 것이 바람직하며, 그 두께는 15 내지 30㎛인 것이 더욱 바람직하다.

다음으로는, 패턴이 형성된 상기 기재를 에칭액으로 처리하여 포토레지스트 층이 형성되지 않은 기재부분(이후 무전해 금속 도금이 될 부분)에 에칭하는 공정을 거친다. 상기 에칭액으로는 불산(Hydrofluoric acid), 염산, 질산 등이 사용된다.

다음으로는, 에칭된 상기 기재를 커플링제 용액에 디핑(Dipping)시켜 에칭된 부분에 커플링제를 도포해 주는 공정을 거친다.

상기 커플링제는 실란계 화합물 등이다.

다음으로는, 커플링제 용액에 디핑처리된 상기 기재를 다시 도금촉매 용액에 디핑시켜 에칭된 부분에 도금촉매를 도포해 주는 공정을 거친다.

상기 도금 촉매로는 팔라듐(Pd), 플래티나(Pt) 등이 사용된다.

다음으로는, 도금촉매 용액에 디핑처리된 상기 기재를 무전해 금속 도금 시키는 공정을 거친다.

상기 무전해 금속 도금은 무전해 금도금, 무전해 은도금, 무전해 주석도금 무전해 구리도금 등이다.

다음으로는, 무전해 금속 도금된 상기 기재로부터 포토레지스트층을 박리하여 절연성을 가진 기재 상에 직접 금속 전극을 형성한다.

본 발명은 종래방법과 비교시 도금촉매를 증착방식 대신에 디핑방식으로 무전해 금속 도금될 기재 부분에만 도포해 주는 것을 특징으로 한다.

이로 인해 본 발명에서는 비교적 복잡한 도금 촉매의 증착 공정을 생략할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 무전해 금속 도금 전에 금속 도금될 기재부분을 식각해 주기 때문에 도금될 부분의 표면적이 넓어져 금속 전극과 기재간의 밀착성이 크게 향상되는 효과가 있다.

상술한 바와 같은 본 발명의 특징 및 기타 장점들은 후술되는 비한정적인 실시예의 기재로부터 보다 명백해질 것이다. 그러나, 이하의 실시예는 단지 본 발명의 구체적 구현예로서 예시하는 것일 뿐이므로 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어서는 안 될 것이다.

실시예 1

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지; 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 클로라이드; 열경화성 수지로서 15 중량부의 헥사메톡시메틸멜라민; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤과 55중량부의 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트; 및 이형제로서 0.5중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포지티브형 포토레지스트 필름을 제조하였다. 상기와 같이 제조된 포지티브형 포토레지스트 필름을 유리기판상에 라미네이팅한 다음, 차례로 예비 열처리(Pre-bake), 노광, 현상, 후 열처리(Post-bake) 공정을 거쳐 금속전극이 형성될 부분을 제외한 나머지 부분에 포토레지스트층을 형성시킨 다음, 이를 불산으로 에칭한 다음, 실란계 화합물 용액과 도금촉매인 팔라듐(Pd) 용액에 차례로 디핑시킨 다음, 무전해 은(Ag) 도금 공정을 실시하여 포토레지스트층이 형성되지 않은 유리기판 부분에 은(Ag) 전극을 형성한 다음, 이로부터 포토레지스트층을 박리하여 PDP용 은(Ag) 전극을 제조하였다. 이때, 후 열처리(Post-bake)공정은 130℃에서 10분간 실시하였고, 은(Ag) 도금 공정은 pH 12의 강알칼리 조건하에서 실시하였다. 제조된 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 각종 물성을 평가한 결과는 표 2와 같다.

실시예 2 ∼ 실시예 4 및 비교실시예 1

열경화성 수지인 헥사메톡시메틸멜라민의 함량, 후 열처리(Post-bake)의 온도 및 시간, 은(Ag) 도금 공정의 pH 조건을 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 수지 필름과 Ag(은) 전극을 제조하였다. 제조된 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 각종 물성을 평가한 결과는 표 2와 같다.

제조 조건

구분	헥사메톡시메틸멜라민 함량(중량부)	후 열처리 조건		은(Ag) 도금시 pH
구분	헥사메톡시메틸멜라민 함량(중량부)	온도(℃)	시간(분)	은(Ag) 도금시 pH
실시예 1	15	130	10	12
실시예 2	10	125	15	11
실시예 3	20	140	10	11
실시예 4	30	150	3	11
비교실시예 1	0	150	10	12

물성 결과

구분	은(Ag) 전극 생산가능성 여부	포토레지스트수지 필름의 물성
구분	은(Ag) 전극 생산가능성 여부	감도(mJ/㎤)	해상도(㎛)
실시예 1	가능	120	4.5
실시예 2	가능	120	5.0
실시예 3	가능	120	5.0
실시예 4	가능	120	5.0
비교실시예 1	불가능	120	5.0

* 비교실시예 1의 경우에는 은(Ag) 도금 공정 중에 포지티브형 포토레지스트 부분이 박리되어 은(Ag) 전극 생산이 사실상 불가능하였다.

표 2의 물성들은 아래 방법으로 평가하였다.

[감도 평가]

상기 라미네이션한 기재를 노광량별로 노광한 후, 상온에서 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고 30초간 수세하여 건조시킨 뒤 광학현미경을 통해 노광량을 측정하였다.

[해상도 평가]

상기 제조된 필름을 라미네이션 속도 2.0m/min, 온도 110℃, 가열롤 압력 10∼90psi에서 라미네이션한 후 포토마스크를 이용하여 자외선에 조사한 다음 지지체 필름인 PET 필름을 벗겨서 2.38% TMAH 알칼리 현상액에 현상하여, 미노광 부분은 남게 되어 회로를 형성되는데 이때의 해상도를 전자현미경으로 관찰하였다.

실시예 5

알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지; 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 클로라이드; 열경화성 수지로서 15 중량부의 헥사메톡시메틸멜라민; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 용매로서 219 중량부의 메틸에틸 케톤을 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 유리기판상에 3㎛의 두께로 코팅하여 포지티브형 포토레지스트층을 형성한 다음, 차례로 예비 열처리(Pre-bake), 노광, 현상, 후 열처리(Post-bake) 공정을 거쳐 금속전극이 형성될 부위를 제외한 나머지 부분에 포토레지스트층을 형성시킨 다음, 이를 불산으로 에칭한 다음, 실란계 화합물 용액과 도금촉매인 팔라듐(Pd) 용액에 차례로 디핑시킨 다음, 무전해 은(Ag) 도금 공정을 실시하여 포토레지스트층이 형성안된 유리기판 부분에 은(Ag) 전극을 형성한 다음, 이로부터 포토레지스트층을 박리하여 PDP용 은(Ag) 전극을 제조하였다. 이때, 후 열처리(Post-bake)공정은 130℃에서 10분간 실시하였고, 은(Ag) 도금 공정은 pH 12의 강알칼리 조건하에서 실시하였다. 제조된 포지티브형 포토레지스트 수지 층의 각종 물성을 평가한 결과는 표 4와 같다.

실시예 6 ∼ 실시예 8 및 비교실시예 2

열경화성 수지인 헥사메톡시메틸멜라민의 함량, 후 열처리(Post-bake)의 온도 및 시간, 은(Ag) 도금 공정의 pH 조건을 표 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 수지 층과 Ag(은) 전극을 제조하였다. 제조된 포지티브형 포토레지스트 수지 층의 각종 물성을 평가한 결과는 표 4와 같다.

제조조건

구분	헥사메톡시메틸멜라민 함량(중량부)	후 열처리 조건		은(Ag) 도금시 pH
구분	헥사메톡시메틸멜라민 함량(중량부)	온도(℃)	시간(분)
실시예 5	15	130	10	12
실시예 6	10	125	15	11
실시예 7	20	140	10	11
실시예 8	30	150	3	11
비교실시예 2	0	150	10	12

물성결과

구분	은(Ag) 전극 생산가능성 여부	포토레지스트수지 필름의 물성
구분	은(Ag) 전극 생산가능성 여부	감도(mJ/㎤)	해상도(㎛)
실시예 5	가능	120	4.5
실시예 6	가능	120	5.0
실시예 7	가능	120	5.0
실시예 8	가능	120	5.0
비교실시예 2	불가능	120	5.0

* 비교실시예 2의 경우에는 은(Ag) 도금 공정 중에 포지티브형 포토레지스트 부분이 박리되어 은(Ag) 전극 생산이 사실상 불가능하였다.

표 4의 물성들은 아래 방법으로 평가하였다.

[감도 평가]

상기와 같이 3㎛의 두께로 코팅된 포토레지스트층을 기재를 노광량별로 노광한 후, 상온에서 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고 30초간 수세하여 건조시킨 뒤 광학현미경을 통해 노광량을 측정하였다.

[해상도 평가]

상기와 같이 제조된 조성물(용액)을 3㎛의 두께로 코팅한 후 포토마스크를 이용하여 자외선에 조사한 다음 2.38질량% TMAH 알칼리 현상액에 현상하여, 미노광 부분은 남게 되어 회로를 형성하는데 이때의 해상도를 전자현미경으로 관찰하였다.

본 발명은 작업 공정이 단축되고, 도금촉매의 증착공정을 생략할 수 있고, 금속 전극 제조시 사용되는 금속의 손실량을 크게 줄일 수 있어, 금속 전극의 제조원가를 절감할 수 있다.

또한 본 발명에 사용되는 포토레지스트층은 감광속도, 현상 콘트라스트, 감도 및 해상도가 뛰어나 보다 정밀하게 금속 전극을 제조할 수 있다.

또한, 본 발명은 고온처리공정이 생략되어 기재나 패턴의 변형이 감소된다.

또한, 본 발명은 유리기판상에 금속전극을 보다 견고하게 형성할 수 있다.

Claims

(ⅰ) 절연성을 가진 기재의 전면(全面)에 포토레지스트층을 형성한 후 예비열처리(Pre-bake), 노광, 현상 및 후 열처리(Post-bake) 공정을 통해 금속 전극이 형성될 부분 외에 포토레지스트층을 형성하는 공정과, (ⅱ) 패턴이 형성된 상기 기재를 에칭(Etching)하는 공정과, (ⅲ) 에칭된 상기 기재를 커플링제 용액에 디핑(Dipping) 하는 공정과, (ⅳ) 커플링제 용액에 디핑처리된 상기 기재를 다시 도금촉매 용액에 디핑(Dipping) 하는 공정과, (ⅴ) 도금촉매 용액에 디핑처리된 상기 기재를 무전해 금속 도금하는 공정과, (ⅵ) 무전해 금속 도금된 상기 기재로부터 포토레지스트층을 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 1항에 있어서, 후 열처리(Post-bake)를 120∼150℃의 온도에서 3∼20분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 1항에 있어서, 금속 도금을 pH 11∼12의 강알칼리 조건하에서 실시하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 1항에 있어서, 절연성을 가진 기재는 유기기판인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 1항에 있어서, 무전해 금속 도금이 무전해 금도금, 무전해 은도금, 무전해 주석도금 및 무전해 구리도금 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 열경화성 수지, 감도증진제 및 용매를 포함하는 포지티브형 포토레지스트용 조성물을 절연성을 지닌 기재 전면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 6항에 있어서, 상기 포지티브형 포토레지스트용 조성물은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 30∼80 중량부의 감광성 화합물, 3∼15 중량부의 감도증진제, 10∼30 중량부의 열경화성 수지 및 190∼250 중량부의 상기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 1항에 있어서, 지지체 필름상에 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 열경화성 수지 및 감도증진제를 포함하는 포토레지스트층이 형성된 포지티브형 포토레지스트 필름을 절연성을 지닌 기재의 전면에 라미네이팅하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 8항에 있어서, 상기 포토레지스트층은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 상기 감광성 화합물 30∼80 중량부, 상기 열경화성 수지 10∼30 중량부 및 상기 감도 증진제 3∼15 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 크레졸 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 10항에 있어서, 상기 크레졸 노볼락 수지는 중량평균분자량(GPC 기준)이 2,000 내지 30,000인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 10항에 있어서, 상기 크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4 인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 10항에 있어서, 상기 크레졸 노볼락 수지는 (ⅰ) 중량평균 분자량(GPC 기준)이 8,000∼30,000인 크레졸 노볼락 수지와 (ⅱ) 중량평균 분자량(GPC 기준)이 2,000∼8,000인 크레졸 노볼락 수지가 7:3 내지 9:1의 비율로 혼합된 수지인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-설포네이트, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논- 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 (1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 감도 증진제는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논 및 1-[1-(4-하이드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-하이드록시페닐)에틸]벤젠 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 열경화성수지는 메톡시메틸멜라민(Metoxymethylmelamine)계 수지인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 16항에 있어서, 상기 메톡시메틸멜라민계 수지는 헥사메톡시메틸멜라민 수지인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.
제 6항에 있어서, 상기 용매는 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 아세톤, 메틸에틸 케톤, 에틸 알코올, 메틸 알코올, 프로필 알코올, 이소프로필 알코올, 벤젠, 톨루엔, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 에틸렌글리콜, 크실렌, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 및 디에틸렌글리 콜 모노에틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 전극의 제조방법.