KR100934106B1 - Complete Addition Method for Fabrication of Fine Pitch Printed Circuit Boards - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인쇄회로기판에 동박 회로의 피치를 수십 마이크로미터 수준으로 만들기 위한 완전 부가 공법(FAP)에 관한 것으로, 본원 발명은 기존의 세미 부가 공법(SAP)이 지닌 플래시 에칭 시에 발생하는 화학동의 언더컷 문제를 해결한 인쇄회로기판 제조 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a complete addition process (FAP) for making the pitch of copper foil circuits to a few tens of micrometers on a printed circuit board. The present invention relates to a printed circuit board manufacturing technology that solves the undercut problem.

본 발명은 절연층 기판에 층간 접속을 위한 홀을 가공한 후에 드라이 필름 을 피복하고 회로 패턴에 따라 이미지 공정을 선행한 후에 화학동 도금을 함으로써, 종래의 세미 부가 공법과 달리 추가의 전기동 도금 과정도 필요 없고 플래시 에칭 공정 과정도 생략할 수 있다. 그 결과, 종래 기술과 달리 배선 동박의 폭이 좁아지는 문제 또는 화학동의 언더컷 문제를 해결하게 된다. According to the present invention, an electrophoretic plating process is performed, unlike conventional semi-addition method, by chemically plating the dry film after processing a hole for interlayer connection to the insulating layer substrate and performing an image process according to a circuit pattern. It is not necessary and the flash etching process can be omitted. As a result, unlike the prior art, the problem of narrowing the width of the wiring copper foil or the undercut problem of chemical copper is solved.

인쇄회로기판, PCB, 세미 부가 공법, SAP, FAP, 화학동, 미세 패턴. Printed Circuit Board, PCB, Semi Additive Process, SAP, FAP, Chemical Copper, Fine Pattern.

Description

미세 피치의 인쇄회로기판 제조를 위한 완전 부가 공법{FULL-ADDITIVE PROCESS FOR A FINE-PITCH PRINTED CIRCUIT BOARD}FULL-ADDITIVE PROCESS FOR A FINE-PITCH PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 인쇄회로기판에 동박 회로의 피치를 수십 마이크로미터 수준으로 만들기 위한 완전 부가 공법(FAP; full-additive process)에 관한 것으로, 본원 발명은 기존의 세미 부가 공법(SAP; semi-additive process)이 지닌 플래시 에칭 시에 발생하는 화학동의 언더컷(undercut) 문제 또는 배선 폭이 좁아지는 문제, 배선 소밀부에서 에칭이 불균일하게 발생하는 현상 등을 해결한 인쇄회로기판 제조 기술에 관한 것이다. 부언하여 설명하면, 본 발명은 인쇄회로기판 제조를 위한 기존의 세미 부가 공법이 지니는 문제를 해결한 공법으로서, 특히 수십 마이크로미터 수준의 미세 피치 길이의 패턴 형성을 가능하게 하는 인쇄회로기판 제조 기술에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a full-additive process (FAP) for making a pitch of copper foil circuits on a printed circuit board to a level of tens of micrometers. The present invention relates to a conventional semi-additive process (SAP). The present invention relates to a printed circuit board manufacturing technology which has solved the problem of undercut of copper copper generated during flash etching, narrowing of wiring width, and uneven etching of wiring roughness. In other words, the present invention is a method that solves the problem of the conventional semi-addition method for manufacturing a printed circuit board, in particular a printed circuit board manufacturing technology that enables the formation of a pattern of fine pitch length of several tens of micrometers level. It is about.

최근 들어 노트북 컴퓨터의 두께가 수 밀리미터 수준으로 얇아지는 등, 전자 기기가 소형화되고 슬림화되어 감에 따라, 인쇄회로기판의 동박 회로 패턴을 미세화하는 기술이 도입되고 있다. In recent years, as the size of a notebook computer becomes thinner, such as a few millimeters, as electronic devices become smaller and slimmer, a technology for miniaturizing a copper foil circuit pattern of a printed circuit board has been introduced.

일반적으로 인쇄회로기판에 동박 회로를 형성하는 과정은 다음과 같다. 즉, 절연층 위에 피복된 동박 위에 드라이 필름(D/F)을 밀착 피복하고, 드라이 필름을 회로도에 따라 선택적으로 제거함으로써 부식 제거할 동박 부위와 남겨둘 동박 부위를 드라이 필름으로 선택적으로 정의한다. 이어서, 드라이 필름이 선택적으로 피복되어 있는 기판을 염화동과 같은 부식액으로 처리하여 노출되어 있는 동박을 식각 제거함으로써 회로를 형성한다. 그런데 미세 회로 패턴을 형성하기 위해서는 드라이 필름으로 마스크하고 있는 회로 선과 인접 회로선 사이의 피치 길이를, 예를 들어 수 마이크로미터 내지 수십 마이크로미터 수준으로 미세화할 수 있어야 한다. 그런데 동박을 염화동과 같은 식각액을 이용하여 습식 에칭을 진행하면 습식 식각의 등방성 식각 특성에 의하여 식각된 동박의 단면이 수직 형상을 지니지 못하고 경사진 단면을 갖는 현상이 종종 발생한다.In general, a process of forming a copper foil circuit on a printed circuit board is as follows. That is, the dry film (D / F) is tightly coated on the copper foil coated on the insulating layer, and the dry film is selectively defined as a dry film by selectively removing the dry film according to the circuit diagram and the copper foil part to be removed and the copper foil part to be left. Subsequently, a circuit is formed by treating the substrate on which the dry film is selectively coated with a corrosion solution such as copper chloride to etch away the exposed copper foil. However, in order to form a fine circuit pattern, the pitch length between a circuit line masked with a dry film and an adjacent circuit line should be able to be refined to, for example, several micrometers to several tens of micrometers. However, when the copper foil is wet etched using an etchant such as copper chloride, a phenomenon in which the cross section of the copper foil etched by the isotropic etching characteristic of the wet etching does not have a vertical shape but has an inclined cross section often occurs.

이와 같은 경사진 단면은 선폭 피치가 비교적 큰 경우에는 문제가 발생하지 않으나, 동박의 두께에 회로 피치가 근접하게 되면 (예를 들어 수십 마이크로미터 피치), 회로 사이에 단락의 위험성이 발생하게 된다. Such an inclined cross section does not cause a problem when the line width pitch is relatively large, but when the circuit pitch approaches the thickness of the copper foil (for example, several tens of micrometers pitch), there is a risk of short circuit between the circuits.

도1은 종래 기술에 따라 절연 수지 위에 피복된 동박 위에 드라이 필름으로 패턴을 형성한 후 식각 공정을 진행한 경우 식각된 동박의 단면 프로파일을 나타낸 도면이다. 도1을 참조하면, 동박(15) 위에 패턴 형성된 드라이 필름(50)을 두고 염화동 용액으로 습식 식각을 진행하면, 등방성 식각(isotropic etching) 성질로 인하여 식각된 동박의 단면이 경사지게 됨을 관측할 수 있다. 즉, 도1에 도시한 대로 드라이 필름(50)으로 재단된 피치 길이는 L 이지만, 실제로 식각된 동박 회로의 피치 길이는 L'로 축소되어, 미세 회로 패턴을 형성하고자 할 경우 주어진 동박 두께에 비해 피치 길이가 축소되면, 등방성 식각 특성으로 인하여 회로가 단락될 수 있다.1 is a view showing a cross-sectional profile of an etched copper foil when the etching process is performed after forming a pattern with a dry film on the copper foil coated on the insulating resin according to the prior art. Referring to FIG. 1, when wet etching is performed using a copper chloride solution having a patterned dry film 50 on the copper foil 15, it may be observed that the cross-section of the etched copper foil is inclined due to the isotropic etching property. . That is, as shown in FIG. 1, the pitch length cut by the dry film 50 is L, but the pitch length of the etched copper foil circuit is reduced to L ', compared with the given copper foil thickness to form a fine circuit pattern. If the pitch length is reduced, the circuit may be shorted due to the isotropic etching characteristic.

이와 같은 식각 용액의 등방성 식각 특성 문제로 인한 동박 단면의 경사 문제를 해결하고, 동박 회로 피치를 미세화하기 위하여 세미 부가 공법(SAP)이 제안되어 사용되고 있다. 당업계의 SAP 공법은 동박을 식각하는 대신에 단차가 거의 수직 형상을 지니는 드라이 필름 패턴을 먼저 형성하고, 이어서 드라이 필름 패턴이 형성된 기판에 전기 동도금을 수행함으로써 비교적 수직 단차의 동박 회로를 형성하는 것을 기술의 요지로 하고 있으며, 세미 부가 공법을 적용하는 경우 기존의 식각 공정에서 겪었던 회로 밀접성 및 미세화의 한계를 어느 정도 극복할 수 있으며, 회로 형상화 특성이 개선되는 효과가 있다. A semi addition method (SAP) has been proposed and used to solve the problem of inclination of the copper foil cross section due to the isotropic etching characteristic problem of the etching solution and to refine the copper foil circuit pitch. In the SAP process of the art, instead of etching copper foil, it is possible to form a copper foil circuit having a relatively vertical step by first forming a dry film pattern having a substantially vertical shape, and then performing electrocopper plating on the substrate on which the dry film pattern is formed. When the semi-addition method is applied, it is possible to overcome some of the limitations of circuit tightness and miniaturization experienced in the conventional etching process, and the circuit shaping characteristics can be improved.

도2a 내지 도2h는 종래 기술에 따른 세미 부가 공법을 나타낸 도면이다. 앞서 언급한 대로, 기존의 동박 회로 형성 방법은 도금을 한 원판에 이미지 형성한 후에 식각 작업을 진행하여 동(Cu)을 깎아 회로를 형성하는 반면에, SAP 공법은 원판 상에 드라이 필름 현상 작업을 진행하여 이미지를 형성하고 패턴 도금하여 회로를 형성하고 있다.2a to 2h is a view showing a semi addition method according to the prior art. As mentioned above, the conventional copper foil circuit forming method forms an image on a plated plate by etching and then cuts copper (Cu) to form a circuit, whereas the SAP method performs a dry film developing process on a plate. Proceeding to form an image and pattern plating to form a circuit.

기존의 세미 부가 공법의 요지는 드라이 필름으로 패턴을 형성하는 과정에서는 단차가 수직인 드라이 필름 패턴 형성은 비교적 쉽게 실현 가능하므로, 우선 수직 단차의 드라이 필름 패턴을 형성하고 난 후에 동도금을 실시함으로써 드라이 필름 형상에 좇아 수직 단차의 동박을 얻고자 함에 있다. The point of the conventional semi-addition method is that dry film pattern formation with a vertical step is relatively easy to realize in the process of forming a pattern with a dry film. Therefore, dry film is formed by first copper plating after forming a dry film pattern with a vertical step. It is to obtain copper of vertical step according to shape.

이하에서는 도2a 내지 도2h를 참조하여 종래 기술에 따른 세미 부가 공법을 상세히 설명하고, 그 문제점을 지적하기로 한다. 도2a를 참조하면, 우선 프리프레그(PREPREG)와 같은 절연층(10)에 상층과 하층 사이에 층간 접속을 위한 층간 접속 홀을 형성하기 위해 드릴링을 진행하여 홀(30)을 형성한다(도2b). Hereinafter, the semi-addition method according to the prior art will be described in detail with reference to FIGS. 2A to 2H, and a problem thereof will be pointed out. Referring to FIG. 2A, first, a hole is formed by drilling to form an interlayer connection hole for interlayer connection between an upper layer and a lower layer in an insulating layer 10 such as a prepreg (FIG. 2B). ).

도2b와 같이 홀(30)을 형성하는 것은 상층 동박 회로와 하층 동박 회로를 서로 전기적으로 접속하기 위함이며, 홀 가공을 하고 난 후에는 후속하는 도금 공정이 원활히 이루어지도록 디스미어 공정을 진행한다. As shown in FIG. 2B, the hole 30 is formed to electrically connect the upper copper foil circuit and the lower copper foil circuit to each other. After the hole processing, the desmear process is performed to smoothly perform the subsequent plating process.

여기서, 디스미어 공정은 홀 형성을 위하여 드릴링을 진행한 경우 드릴링 과정에서 발생하는 잔사 등을 제거하고, 후속 도금 공정 진행 시에 도금이 원활하게 진행되도록 하기 위하여 홀 내벽 표면에 거칠기, 즉 조도(roughness)를 제공하는 프로세스인데, 홀 가공 및 디스미어 공정에 관한 기술은 본원 출원인의 선행 기술 자료인 대한민국 특허공개 제10-2004-0062723호에 상술되어 있다.Here, the desmear process removes residues generated during the drilling process when drilling is performed to form holes, and roughness, that is, roughness (surface roughness) on the surface of the inner wall of the hole so that the plating proceeds smoothly during the subsequent plating process. A process for providing a hole processing and a desmear process is described in Korean Patent Publication No. 10-2004-0062723, which is the prior art document of the applicant.

다시 도2c를 참조하면, 무전해 동도금을 진행해서 기판의 표면 및 노출된 홀(30) 내벽 표면에 화학동(40)을 피복 한다. 이어서, 기판 표면에 드라이 필름(D/F; 50)을 밀착 피복하고, 후속 전기 도금 공정에서 동도금을 형성할 부분과 그렇지 않을 부위를 선택적으로 마스크 하기 위하여 드라이 필름(50)을 선택적으로 식각하여 패턴 형성한다(도2d). Referring again to FIG. 2C, electroless copper plating is performed to coat the chemical copper 40 on the surface of the substrate and the inner wall surface of the exposed hole 30. Subsequently, the dry film (D / F) 50 is closely coated on the surface of the substrate, and the dry film 50 is selectively etched in order to selectively mask portions to be copper plated and portions not to be formed in a subsequent electroplating process. To form (FIG. 2D).

그리고 나면, 도2e에서와 같이 전기 동도금을 수행하면, 드라이 필름(50)이 남아 있는 곳에는 전기동이 형성되지 아니하고, 나머지 전기가 흐르는 부위, 즉 화학동(40) 위에만 전기동(60)이 형성된다. 여기서, 화학동(40)과 전기동(60) 모두 동(Cu)임에는 차이가 없지만, 후속하는 플래시 에칭 공정 과정에서 식각 특성을 달 리하므로 구별하여 도시하였음에 주의한다. Then, when the copper copper plating is performed as shown in FIG. 2E, the electrolytic copper is not formed where the dry film 50 remains, and the electrolytic copper 60 is formed only on the portion where the remaining electricity flows, that is, the chemical copper 40. do. Here, it is noted that both the chemical copper 40 and the copper copper 60 are copper (Cu), but are shown separately because the etching characteristics are different in the subsequent flash etching process.

이어서, 도2f와 같이 드라이 필름(50)을 박리하고 나면, 상층과 하층에는 비교적 단차가 수직 형태인 동박 회로가 형성된다. 도2f를 참조하면, 박리 된 드라이 필름(50) 자리(점선 원으로 표시하였음)에는 화학동(40)이 남아있으며, 화학동(40)을 제거하여야만 단락되었던 부분이 해소되어 좌측 동박과 우측 동박이 분리되어, 비로소 동박 회로가 형성된다. Subsequently, after peeling off the dry film 50 as shown in FIG. 2F, a copper foil circuit having a relatively vertical step is formed in the upper layer and the lower layer. Referring to FIG. 2F, the chemical copper 40 remains on the peeled dry film 50 spot (indicated by the dashed circle), and the portion that has been shorted only after the chemical copper 40 is removed is removed to the left copper foil and the right copper foil. This is separated and a copper foil circuit is finally formed.

이를 위하여, 기존의 세미 부가 공법(SAP)에서는 도2g와 같이 플래시 에칭(flash etching)을 진행하여, 즉 식각액에 기판을 살짝 담가서 화학동(40)을 전면 식각하는 방법을 사용하고 있다. 도2g에는 플래시 에칭 결과 기판 표면에 노출되어 있던 화학동(40)을 식각 제거한 모습이 나타나 있으며, 식각 동박의 단면의 단차가 비교적 수직 단면을 이루고 있다.To this end, in the conventional semi-addition process (SAP), as shown in Figure 2g by performing a flash etching (flash etching), that is, using a method of etching the entire surface of the chemical copper 40 by slightly immersing the substrate in the etchant. FIG. 2G shows the state in which the chemical copper 40 exposed to the surface of the substrate is etched away as a result of flash etching, and the step of the cross section of the etched copper foil has a relatively vertical cross section.

그런데 기존의 세미 부가 공법을 플래시 에칭을 진행하는 과정 중에 배선 폭이 좁아지는 현상이 발생한다. 즉, 도2g 및 도2h에 도시한 대로 배선의 폭이 L에서 L - △L로 감소하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 무전해 동도금과 전해 동도금 사이의 습식 식각액에서의 식각률의 차이로 인하여(일반적으로 무전해 동도금, 즉 화학동의 식각률이 전기동의 식각률보다 더 크다), 도2h에 도시한 바와 같이 무전해 동도금층, 즉 화학동에 언더컷(undercut; 80)이 발생하여 △L' 만큼 화학동의 길이가 좁아지는 문제가 발생할 수 있다. 그 결과, 플래시 에칭에 의해 배선 폭이 좁아지게 되고, 배선 소밀부에서 에칭이 불균일하게 진행되는 등의 기술적 문제점이 발생하게 된다. However, a phenomenon in which the wiring width becomes narrow during the flash etching process of the conventional semi addition method occurs. That is, as shown in Figs. 2G and 2H, a problem may occur in which the width of the wiring decreases from L to L-? L. In addition, due to the difference in the etching rate in the wet etching solution between the electroless copper plating and the electrolytic copper plating (generally, the electroless copper plating, that is, the etching rate of the chemical copper is larger than the etching rate of the copper copper), as shown in FIG. 2H That is, an undercut (80) occurs in the chemical copper, which may cause a problem that the length of the chemical copper is narrowed by ΔL '. As a result, the wiring width becomes narrow due to flash etching, and technical problems such as uneven progress of the etching in the wiring rough portion occur.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 동박 회로의 피치 길이를 수십 마이크로미터 수준의 미세 패턴으로 정의할 수 있는 인쇄회로기판 제조 공법을 제공하는 데 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a printed circuit board manufacturing method which can define a pitch length of a copper foil circuit into a fine pattern on the order of tens of micrometers.

본 발명의 제2 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 기존의 세미 부가 공법(SAP)에서 실시하는 플래시 에칭 공정을 생략하여 전술한 문제점을 해결한 새로운 인쇄회로기판 제조 공법을 제공하는 데 있다. It is a second object of the present invention to provide a novel printed circuit board manufacturing method which solves the above-mentioned problems by omitting the flash etching process performed in the existing semi addition method (SAP) in addition to the first object.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 홀 가공 후에 홀 내벽 표면을 도금하기 위하여 화학동을 실시하는 대신에, 선행하여 드라이 필름으로 회로 패턴을 이미지 형성하는 것을 특징으로 하고 있으며, 패턴 이미지를 형성한 후에 이어서 화학동을 실시하여 층간 접속된 동박 회로를 형성하고, 드라이 필름을 박리 제거하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that instead of performing a chemical copper to plate the surface of the inner wall of the hole after the hole processing, to form a circuit pattern with a dry film in advance, forming a pattern image Subsequently, chemical copper is performed subsequently, the copper foil circuit connected between layers is formed, and a dry film is peeled off. It is characterized by the above-mentioned.

본 발명은 세미 부가 공법(SAP)이 반드시 진행하여야 했던 플래시 에칭 공정을 생략할 수 있도록 하므로, 회로 패턴을 40 μm 정도로 미세화하는데 유리하고, 배선 폭이 좁아지는 문제점이 전혀 없다. 더욱이, 플래시 에칭 작업으로 인한 데이터 회로 보강 작업을 줄일 수 있으므로 작업 효율성을 제고하고 비용 절감 효과를 기대할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 무전해 동도금을 통해 제품 형상을 만들게 되므로 고가의 전기동 설비 투자가 필요하지 않은 장점을 기대할 수 있으며, 도금 편차를 줄여 수율 향상을 기대할 수 있다. Since the present invention can omit the flash etching process that the semi-addition method (SAP) must proceed, it is advantageous for miniaturizing the circuit pattern to about 40 μm, and there is no problem of narrowing the wiring width. In addition, data circuit reinforcement due to flash etching can be reduced, thereby increasing work efficiency and reducing costs. In addition, according to the present invention, since the product shape is made through electroless copper plating, it is possible to expect an advantage of not requiring expensive electrophoretic equipment investment, and to improve yield by reducing plating variation.

본 발명은 인쇄회로기판을 제조하는 방법에 있어서, (a) 절연층 기판에 선정된 위치를 드릴 가공하여 층간 접속을 위한 홀을 형성하는 단계; (b) 상기 홀 가공된 기판의 전면 상기 홀의 내벽 표면에 무전해 동도금을 위한 촉매를 형성하는 단계; (c) 표면에 상기 촉매가 형성된 기판 위에 드라이 필름을 밀착 피복하고 주어진 회로 패턴에 따라 상기 드라이 필름을 선택적으로 제거하여 상기 촉매가 도포된 기판을 상기 회로 패턴에 따라 선택적으로 노출하는 단계; (d) 무전해 동도금을 수행하여 상기 드라이 필름이 마스크 하지 않는 노출된 기판 표면에만 화학동을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 드라이 필름 박리 제거하여 상층과 하층이 층간 접속 홀에 의해 통전된 동박 회로를 형성하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed circuit board, the method comprising: (a) forming a hole for interlayer connection by drilling a predetermined position on an insulating layer substrate; (b) forming a catalyst for electroless copper plating on the inner wall surface of the hole in front of the holed substrate; (c) tightly coating a dry film on a substrate having the catalyst formed thereon and selectively removing the dry film according to a given circuit pattern to selectively expose the catalyst-coated substrate according to the circuit pattern; (d) performing electroless copper plating to form chemical copper only on the exposed substrate surface not masked by the dry film; And (e) removing the dry film to form a copper foil circuit having an upper layer and a lower layer energized by an interlayer connection hole.

이하에서는 첨부 도면 도3 및 도4를 참조하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판 제조 방법의 양호한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도3a를 참조하면, 본 발명은 프리프레그(PREPREG)와 같은 절연층(10)에서 시작한다. 도3b와 같이, 절연층(10)에 층간 접속을 위하여 원하는 위치에 드릴(drill) 공정을 수행하여 층간 전기 접속을 위한 홀(30)을 형성한다(도3b). Referring to FIG. 3A, the present invention begins with an insulating layer 10, such as a prepreg. As shown in FIG. 3B, a drill process is performed at a desired position for interlayer connection to the insulating layer 10 to form a hole 30 for interlayer electrical connection (FIG. 3B).

이어서, 기존의 방법대로 층간 접속을 위한 홀의 내벽 벽면에 남아 있는 잔사를 제거하고 표면 조도 처리를 위해 디스미어 공정을 진행한다. 즉, 홀 가공 후 에 남아 있는 잔사 등을 탈지하기 위한 세정 공정과, 표면에 거칠기, 즉 조도를 주기 위하여 소프트 에칭 공정을 진행할 수 있다. 이어서, 수분 제거 및 분위기 조성을 위한 프리 딥(pre-dip) 공정을 진행하고, 주석-팔라듐(Sn-Pd) 콜로이드 용액 또는 착화액 등에 의한 표면 처리를 통해 화학동을 위한 촉매를 기판 전면에 형성하고, 주석(Sn)을 제거하는 산활성 처리 등의 표면 처리 공정이 진행된다. 탈지 공정 내지 산활성 처리 등에 대한 내용은 도4를 참조하여 후술하기로 한다.Subsequently, the residue remaining on the inner wall surface of the hole for the interlayer connection is removed according to the conventional method, and the desmear process is performed for the surface roughness treatment. That is, the cleaning process for degreasing the residues and the like remaining after the hole processing and the soft etching process may be performed to give the surface a roughness, that is, roughness. Subsequently, a pre-dip process for water removal and atmosphere composition is carried out, and a catalyst for chemical copper is formed on the entire surface of the substrate through surface treatment with a tin-palladium (Sn-Pd) colloid solution or a complexing liquid. And surface treatment steps such as acid activation treatment for removing tin (Sn) are performed. Details of the degreasing process to the acid activity treatment will be described later with reference to FIG. 4.

도3c는 전술한 탈지 공정 내지 산활성 처리 공정 등을 거쳐 홀 가공된 기판 위에 화학동을 위한 촉매(45)가 형성된 모습을 나타낸 도면이다. 도3c를 참조하면, 홀(30)이 드릴 형성된 절연층 기판 표면 및 홀 내벽 표면에 촉매가 도포 되어 있다. 이어서, 본 발명은 도3d에서와 같이 드라이 필름(50)을 밀착하고 현상하여 드라이 필름을 회로도에 따라 선택적으로 제거하여 패턴 형성한다. 본 발명은 종래의 세미 부가 공법과 달리, 회로 패턴 이미지 작업을 화학동 공정을 진행하기 전 단계에 수행하고, 화학동을 후속 전기동을 위한 보조 단계로 실시하는 것이 아니라, 화학동만으로 층간 접속 동박 회로를 형성하는 데 기술적 특징이 있다.FIG. 3C is a view showing a catalyst 45 for chemical copper formed on a hole processed substrate through the above-described degreasing process or acid activation treatment process. Referring to FIG. 3C, a catalyst is applied to the surface of the insulating layer substrate on which the hole 30 is drilled and the surface of the inner wall of the hole. Next, in the present invention, the dry film 50 is brought into close contact with and developed as shown in FIG. 3D to selectively remove the dry film according to the circuit diagram to form a pattern. According to the present invention, unlike the conventional semi-addition method, the circuit pattern image work is performed before the chemical copper process, and the chemical copper is not used as an auxiliary step for subsequent electrophoresis, but only by copper copper. There are technical features to form.

그리고 나면, 도3e에서와 같이 무전해 동도금을 실시하여, 드라이 필름(50)으로 피복하고 있지 않은 기판 표면 전체에 화학동(40)을 형성한다. 여기서, 드라이 필름(50)이 덮여 있는 부위는, 드라이 필름(50)이 촉매를 마스크하고 있게 되므로 무전해 동도금을 진행하여도 드라이 필름(50) 위에는 화학동이 형성되지 않는다. 여기서, 종래 기술에 따른 세미 부가 공법(SAP)과는 달리 화학동이 층간 접속 동박 역할을 하게 되므로 화학동의 피복층 두께가 충분히 두꺼워지도록 무전해 동 도금 시간은 길어지게 된다. 마지막으로, 도3f를 참조하면, 드라이 필름(50)을 박리 제거함으로써 간단하게 층간 접속이 완료된 동박 회로가 형성되며, 인접하고 있는 회로의 배선을 분리하기 위하여 추가의 플래시 에칭 공정을 필요로 하지 않는다.Then, electroless copper plating is performed as shown in FIG. 3E to form chemical copper 40 on the entire surface of the substrate not covered with the dry film 50. Here, since the dry film 50 masks the catalyst in the part where the dry film 50 is covered, no chemical copper is formed on the dry film 50 even when electroless copper plating is performed. Here, unlike the semi-addition method (SAP) according to the prior art, the electrolytic copper plating time is long so that the chemical copper serves as an interlayer connection copper foil so that the thickness of the chemical copper coating layer is sufficiently thick. Finally, referring to FIG. 3F, a copper foil circuit having a complete interlayer connection is formed simply by peeling off the dry film 50, and no additional flash etching process is required to separate wiring of adjacent circuits. .

도4는 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 상세히 설명하는 일처리 흐름도이다. 도4를 참조하면, 우선 절연층 기판에 홀가공을 수행하고(단계 S400), 세정 및 탈지 공정(Clean and Condition)을 수행하여 홀 내벽에 남아 있는 잔사를 제거한다(단계 S410). 이어서, 소프트 에칭(soft etching) 공정을 수행하여 표면에 거칠기(roughness)를 제공한다(단계 S420). 한편, 기판 표면에 붙어 있는 이물질 또는 습기는 후속 단계의 촉매 처리 벤치를 오염시킬 수 있으므로, 단계 S430에서 프리 딥(pre-dip) 처리를 실시한다. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention in detail. Referring to FIG. 4, first, hole processing is performed on the insulating layer substrate (step S400), and a cleaning and degreasing process is performed to remove residues remaining on the inner wall of the hole (step S410). Then, a soft etching process is performed to provide roughness on the surface (step S420). On the other hand, foreign matter or moisture adhering to the substrate surface may contaminate the catalytic treatment bench in the subsequent step, so that the pre-dip treatment is performed in step S430.

이어서, 주석-팔라듐(Sn-Pd) 콜로이드 용액 또는 착화액 등에 의한 표면 처리를 통해 화학동을 위한 촉매를 기판 전면에 형성한다(단계 S440). 이어서, 가속 공정 처리(accelerator)는 주석(Sn)을 1/2 내지 1/3 정도 제거하여 무전해 도금 시에 밀착성을 더욱 개선하도록 한다(단계 S450).Subsequently, a catalyst for chemical copper is formed on the entire surface of the substrate through surface treatment with a tin-palladium (Sn-Pd) colloidal solution or a complexing liquid (step S440). Subsequently, the accelerated process accelerator removes the tin Sn by about 1/2 to 1/3 so as to further improve the adhesion during the electroless plating (step S450).

그리고 나면, 주어진 회로 패턴에 따라 드라이 필름에 대한 이미지 작업(단계 S460)을 진행하게 되고, 화학동을 진행하여(단계 S470) 층간 접속 동(Cu)을 형성한다. 마지막으로, 임무를 완수한 드라이 필름을 박리 제거한다(단계 S480). Then, the image operation (step S460) for the dry film is performed according to the given circuit pattern, and the chemical copper is performed (step S470) to form the interlayer connection copper (Cu). Finally, the dry film which completed the mission is peeled off (step S480).

전술한 내용은 후술할 발명의 특허 청구 범위를 더욱 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 개선하였다. 본 발명의 특허 청구 범위를 구성하는 부가적인 특징과 장점들이 이하에서 상술될 것이다. 개시된 본 발명의 개념과 특정 실시예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 구조의 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다. The foregoing has somewhat broadly improved the features and technical advantages of the present invention to better understand the claims that follow. Additional features and advantages that make up the claims of the present invention will be described below. It should be appreciated by those skilled in the art that the conception and specific embodiments of the invention disclosed may be readily used as a basis for designing or modifying other structures for carrying out similar purposes to the invention.

또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용될 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 진화, 치환 및 변경이 가능하다. In addition, the inventive concepts and embodiments disclosed herein may be used by those skilled in the art as a basis for modifying or designing other structures for carrying out the same purposes of the present invention. In addition, such modifications or altered equivalent structures by those skilled in the art may be variously evolved, substituted and changed without departing from the spirit or scope of the invention described in the claims.

본 발명은 홀 가공 후에 홀 내벽 표면을 도금하기 위하여 화학동을 실시하는 대신에, 선행하여 드라이 필름으로 회로 패턴을 이미지 형성하는 것을 특징으로 하고 있으며, 패턴 이미지를 형성한 후에 이어서 화학동을 실시하여 층간 접속된 동박 회로를 형성하고, 드라이 필름을 박리 제거하는 것을 특징으로 한다. 그 결과, 종래의 세미 부가 공법에서 필요하였던 플래시 에칭 단계를 생략할 수 있으며, 그 결과 플래시 에칭 과정에서 발생하는 제반 전술한 문제를 해결하게 된다. The present invention is characterized in that instead of performing chemical copper to plate the surface of the inner wall of the hole after the hole processing, the circuit pattern is imaged with a dry film in advance. It forms a copper foil circuit connected between layers, and peels and removes a dry film, It is characterized by the above-mentioned. As a result, the flash etching step required in the conventional semi addition method can be omitted, and as a result, the above-mentioned problems occurring in the flash etching process are solved.

도1은 종래 기술에 따라 동박 회로를 형성한 도면. 1 is a view of forming a copper foil circuit according to the prior art.

도2a 내지 도2h는 종래 기술에 따른 세미 부가 공법(SAP)을 나타낸 도면.2a to 2h show a semi addition process (SAP) according to the prior art;

도3a 내지 도3f는 본 발명에 따른 인쇄회로기판 제조 방법을 상세히 설명한 도면.3a to 3f are detailed views of a method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention.

도4는 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조 방법을 상세히 설명하는 일처리 흐름도를 나타낸 도면.4 is a flowchart showing a detailed process for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 절연층10: insulation layer

30: 홀30: hall

40: 화학동40: chemical copper

45: 촉매45: catalyst

50: 드라이 필름50: dry film

80: 언더컷80: undercut

Claims (1)

인쇄회로기판을 제조하는 방법에 있어서, In the method of manufacturing a printed circuit board, (a) 절연층 기판에 선정된 위치를 드릴 가공하여 층간 접속을 위한 홀을 형성하는 단계;(a) drilling a predetermined position on the insulating layer substrate to form holes for interlayer connection; (b) 상기 홀 가공된 기판의 전면 상기 홀의 내벽 표면에 무전해 동도금을 위한 촉매를 형성하는 단계;(b) forming a catalyst for electroless copper plating on the inner wall surface of the hole in front of the holed substrate; (c) 표면에 상기 촉매가 형성된 기판 위에 드라이 필름을 밀착 피복하고 주어진 회로 패턴에 따라 상기 드라이 필름을 선택적으로 제거하여 상기 촉매가 도포된 기판을 상기 회로 패턴에 따라 선택적으로 노출하는 단계; (c) tightly coating a dry film on a substrate having the catalyst formed thereon and selectively removing the dry film according to a given circuit pattern to selectively expose the catalyst-coated substrate according to the circuit pattern; (d) 무전해 동도금을 수행하여 상기 드라이 필름에 의해 선택적으로 노출된 기판 표면에만 화학동을 형성하는 단계; 및(d) performing electroless copper plating to form chemical copper only on the surface of the substrate selectively exposed by the dry film; And (e) 상기 드라이 필름 박리 제거하여 상층과 하층이 층간 접속 홀에 의해 통전된 동박 회로를 형성하는 단계(e) removing the dry film to form a copper foil circuit in which an upper layer and a lower layer are energized by an interlayer connection hole; 를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법.Printed circuit board manufacturing method comprising a.
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