JP2013162007A - Production method of fine wiring pattern - Google Patents

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脩治 木内
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To propose a process suitable for production of a fine wiring pattern, by solving the problem of thinning due to undesired removal of a wiring part, in the production process of a fine wiring pattern using a semi-additive method.SOLUTION: When removing a metal film exposed to a non-wiring part on an insulation substrate after removing a resist coat formed at a part where formation of wiring is not required, a step for supplying an etching liquid (or a process liquid used before etching and accelerating the etching, a process liquid for removing the residue of an electroless copper plating layer, or the like) by ink jet system is employed.

Description

本発明は、プリント配線板の微細配線パターンを好適に製造する方法に関する。 The present invention relates to a method for suitably manufacturing a fine wiring pattern of a printed wiring board.

プリント配線板は、電子部品や半導体素子等を実装するために広く用いられている。そして、近年の電子機器の小型化、高機能化の要求に伴い、プリント配線板には、回路の高密度化や薄型化が望まれている。 Printed wiring boards are widely used for mounting electronic components, semiconductor elements, and the like. With recent demands for downsizing and higher functionality of electronic devices, printed wiring boards are desired to have higher circuit density and thickness.

この高密度なプリント配線板を製造する方法として、セミアディティブ法と呼ばれる方法が採用されている。従来のセミアディティブ法を用いたプリント配線板の例を図3に従って説明する。 As a method for producing this high-density printed wiring board, a method called a semi-additive method is employed. An example of a printed wiring board using a conventional semi-additive method will be described with reference to FIG.

図2(a)のような、絶縁基板1を用いる。そして、図2(b)のように絶縁基板1の表面にパラジウム化合物等のメッキ触媒2を付与した後、そのメッキ触媒2を核として無電解メッキを行い、図2(c)のように、絶縁基板1の表面全体に、厚みの薄い第一金属皮膜3を形成する。 An insulating substrate 1 as shown in FIG. Then, after applying a plating catalyst 2 such as a palladium compound to the surface of the insulating substrate 1 as shown in FIG. 2 (b), electroless plating is performed using the plating catalyst 2 as a core, as shown in FIG. 2 (c). A thin first metal film 3 is formed on the entire surface of the insulating substrate 1.

次に、図2(d)のように、第一金属皮膜3の表面のうち、回路の形成を予定する部分を除く部分にレジスト被膜4を形成した後、電気メッキを行って、第一金属皮膜3が露出する部分の表面に、図2(e)のように、第二金属皮膜5を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (d), after the resist film 4 is formed on the surface of the first metal film 3 except for the part where the circuit is to be formed, electroplating is performed, and the first metal is formed. A second metal film 5 is formed on the surface of the portion where the film 3 is exposed, as shown in FIG.

次に、図2(f)のように、レジスト被膜4を除去した後、図2(g)のように、不要な第一金属皮膜3をエッチング除去する。この際に、第二金属皮膜5の表面も、第一金属皮膜3の厚み程度エッチングされて、厚みが薄くなる。
次に、必要に応じて、第二金属皮膜5の表面にニッケルメッキや金メッキを行なって、プリント配線板は製造されている。
このようにセミアディティブ法では、エッチング工程にて除去される部分は薄い金属皮膜(第一金属皮膜3)であり、第一金属皮膜3よりも厚い金属箔をエッチングして回路を形成するサブトラクティブ法と呼ばれる方法と比較して、微細な回路を精度良く形成することが可能となっている。
Next, after removing the resist film 4 as shown in FIG. 2F, the unnecessary first metal film 3 is removed by etching as shown in FIG. At this time, the surface of the second metal film 5 is also etched by about the thickness of the first metal film 3 to reduce the thickness.
Next, the printed wiring board is manufactured by performing nickel plating or gold plating on the surface of the second metal film 5 as necessary.
Thus, in the semi-additive method, the portion removed in the etching step is a thin metal film (first metal film 3), and a subtractive that forms a circuit by etching a metal foil thicker than the first metal film 3 Compared with a method called a method, it is possible to form a fine circuit with high accuracy.

なお、特許文献1によれば、図2(e)の段階で、第二金属皮膜5の表面に銅とは異なる金属又はこれらの金属の1種以上を含有する合金めっき層を形成し、次にエッチングバリアメッキ層の表面に電解銅メッキを施して無電解銅めっき層、エッチングバリア金属めっき層及び電解銅めっき層を含む導体層を備えた配線を形成し、レジストパターンの除去後、表面に露出した不要の無電解銅メッキ層をエッチング除去して配線パターンを形成する方法が提案されている。
この方法では、工程数が増えて効率的ではなく、エッチングバリア層は第二金属皮膜5の表面のみのために表面以外でのエッチングバリア層としての効果は期待できない。
According to Patent Document 1, an alloy plating layer containing a metal different from copper or one or more of these metals is formed on the surface of the second metal film 5 at the stage of FIG. Electrolytic copper plating is applied to the surface of the etching barrier plating layer to form a wiring having a conductive layer including an electroless copper plating layer, an etching barrier metal plating layer, and an electrolytic copper plating layer. A method of forming a wiring pattern by etching away an exposed unnecessary electroless copper plating layer has been proposed.
In this method, the number of steps increases and the method is not efficient, and since the etching barrier layer is only the surface of the second metal film 5, an effect as an etching barrier layer other than the surface cannot be expected.

特開2006−024902号公報JP 2006-024902 A

セミアディティブ法で製造する場合、第一金属皮膜3をエッチング除去しても、図2(g)のように、絶縁基板1の表面にメッキ触媒2が残留しやすく、得られるプリント配線板の絶縁性が低下しやすいという問題があった。そのため、エッチング能力の高いエッチング液を用いて第一金属皮膜3をエッチング除去することにより、絶縁基板1の表面のメッキ触媒2をも同時に除去することが行なわれている。 When manufacturing by the semi-additive method, even if the first metal film 3 is removed by etching, the plating catalyst 2 tends to remain on the surface of the insulating substrate 1 as shown in FIG. There was a problem that the property was easily lowered. Therefore, the plating catalyst 2 on the surface of the insulating substrate 1 is also removed at the same time by etching and removing the first metal film 3 using an etching solution having a high etching ability.

しかし、このエッチング能力の高いエッチング液を用いて第一金属皮膜3をエッチング除去した場合、絶縁基板1の面内位置による第二金属皮膜5の表面および側面がエッチングされてしまい、回路が細るというサイドエッチングの問題があった。この問題によって、電気特性の低下と共に、回路の表面および側面にエッチングのイオン残渣による信頼性低下を引き起こす。 However, when the first metal film 3 is removed by etching using this etching solution having a high etching ability, the surface and side surfaces of the second metal film 5 due to the in-plane position of the insulating substrate 1 are etched, and the circuit is thinned. There was a problem of side etching. This problem causes a decrease in reliability due to etching ion residues on the surface and side surfaces of the circuit as well as deterioration in electrical characteristics.

本発明は、上記の問題に鑑み、第一金属皮膜3,メッキ触媒2の除去工程に伴う、配線(第二金属皮膜5)の望まれない除去による細りの問題を解消し、微細な配線パターンを製造する上で好適なプロセスを提案するものである。 In view of the above problems, the present invention eliminates the problem of thinning due to undesired removal of the wiring (second metal film 5) in the removal process of the first metal film 3 and the plating catalyst 2, and provides a fine wiring pattern. The present invention proposes a process suitable for manufacturing the above.

本発明では、セミアディティブ法を用いた微細配線パターンの製造方法において、
配線形成が不要な箇所に形成したレジスト被膜の除去後、絶縁基板上の非配線部に露出する金属皮膜を除去するにあたり、インクジェット方式によりエッチング液(または、エッチングに先駆けて、後工程でのエッチングを助長・補助する液体)を供給する工程を具備することを特徴とする。
In the present invention, in a method for manufacturing a fine wiring pattern using a semi-additive method,
After removing the resist film formed at the place where wiring formation is not necessary, in removing the metal film exposed to the non-wiring part on the insulating substrate, etching is performed by an inkjet method (or etching in a later process prior to etching). A liquid for promoting / assisting the liquid).

不要な金属皮膜の除去工程で、不要でない配線部までもが一部除去されることを招いてしまうことが、セミアディティブ法を採用する微細配線パターンの製造では、完全に課題を解消することが困難とされていたが、本発明により、微細配線の望まれない除去による細りの問題が低減される。   In the process of removing unnecessary metal films, part of even unnecessary wiring parts may be removed, which can completely eliminate the problem in the production of fine wiring patterns using the semi-additive method. Although considered difficult, the present invention reduces the problem of thinning due to unwanted removal of fine wiring.

本発明に関するプリント配線板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board regarding this invention. 従来のプリント配線板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of the conventional printed wiring board.

本発明に関するプリント配線板の製造方法を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明に関するプリント配線板の製造方法を工程順に示す説明図である。
A method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is an explanatory view showing a printed wiring board manufacturing method according to the present invention in the order of steps.

本発明に用いる絶縁基板1としては、絶縁性の板であれば特に限定するものではない。
例えば、エポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂系等の熱硬化性樹脂がある。
また、これらの熱硬化性樹脂に無機充填材等を配合したものの板や、ガラス等の無機質繊維やポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のクロス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等で接着した板や、セラミックの板等が挙げられる。
なお、この絶縁基板1の内部には、導体回路や、スルホール等を有していても良い。
The insulating substrate 1 used in the present invention is not particularly limited as long as it is an insulating plate.
For example, there are thermosetting resins such as epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, and polyphenylene ether resin.
In addition, the above-mentioned thermosetting resin is used for a plate made of these thermosetting resins containing inorganic fillers, inorganic fibers such as glass, cloths made of organic fibers such as polyester, polyamide, and cotton, and base materials such as paper. For example, a plate adhered with a ceramic plate, a ceramic plate, or the like.
The insulating substrate 1 may have a conductor circuit, a through hole, or the like.

メッキ触媒2は、銅やニッケル等の無電解メッキの触媒として働くものであれば、特に限定するものではない。
メッキ触媒2の周囲に金属を析出することによりメッキ触媒2間を接続して絶縁部に金属皮膜を形成するものや、絶縁部に沈着することにより絶縁部に導電性を与え、その導電性を用いて絶縁部に金属皮膜を形成する、一般にダイレクトプレーティング(直接メッキ)と呼ばれる方法に用いられる導電性を有するものが挙げられる。例えばパラジウムを含有するものや、パラジウム及びスズを含有するものや、カーボン、グラファイト等の炭素を含有するものや、銅の錯体を含有するものや、導電性ポリマーを含有するもの等が挙げられる。
The plating catalyst 2 is not particularly limited as long as it functions as a catalyst for electroless plating such as copper or nickel.
By depositing metal around the plating catalyst 2 to connect the plating catalysts 2 to form a metal film on the insulating portion, or by depositing on the insulating portion, the insulating portion is made conductive and the conductivity is increased. Examples thereof include those having conductivity that are used in a method generally used for direct plating (direct plating) to form a metal film on an insulating portion. Examples include those containing palladium, those containing palladium and tin, those containing carbon such as carbon and graphite, those containing a copper complex, and those containing a conductive polymer.

図1(c)のように、絶縁基板1の表面全体に、厚みの薄い第一金属皮膜3を形成する。例えば、第一金属皮膜3の形成方法は、無電解メッキ、スパッタ法等が挙げられる。この第一金属皮膜3としては、後の工程でのエッチングの容易性および導電性が優れる必要があるために銅が好ましい。 As shown in FIG. 1C, a thin first metal film 3 is formed on the entire surface of the insulating substrate 1. For example, examples of the method for forming the first metal film 3 include electroless plating and sputtering. As this 1st metal membrane | film | coat 3, since it is necessary to be excellent in the ease of an etching and electroconductivity at a next process, copper is preferable.

次に、図1(d)のように、第一金属皮膜3の表面のうち、回路の形成を予定する部分を除く部分にレジスト被膜4を形成した後、第一金属皮膜3が露出する部分の表面に、図1(e)のように、第二金属皮膜5を形成する。例えば、第二金属皮膜5の形成方法は、電解メッキ、無電界メッキ等が挙げられる。なお、このとき形成する第二金属皮膜5の厚みは、レジスト被膜4の厚みより薄くする必要がある。これは、図1(f)のようにレジスト被膜4を除去する際に、第二金属皮膜5の厚みよりレジスト被膜4の厚みが厚いとレジスト被膜4が除去されにくいためである。 Next, as shown in FIG. 1 (d), after the resist film 4 is formed on the surface of the first metal film 3 except the part where the circuit is to be formed, the first metal film 3 is exposed. A second metal film 5 is formed on the surface as shown in FIG. For example, the method for forming the second metal film 5 includes electrolytic plating, electroless plating, and the like. In addition, the thickness of the second metal film 5 formed at this time needs to be thinner than the thickness of the resist film 4. This is because when the resist film 4 is removed as shown in FIG. 1 (f), the resist film 4 is difficult to be removed if the resist film 4 is thicker than the second metal film 5.

本発明に用いるレジスト被膜4としては、第二金属皮膜5を形成するメッキ液に耐え、このメッキを行ったときに、その表面に第二金属皮膜5が形成されにくいものであれば特に限定するものではなく、例えば、液状の感光性樹脂又はシート状の感光性フィルムを第一金属皮膜3の表面全体に形成した後、回路形状に露光し、次に回路の形成を予定する部分の感光性樹脂や感光性フィルムを除去して形成したもの等が挙げられる。 The resist film 4 used in the present invention is particularly limited as long as it resists the plating solution for forming the second metal film 5 and is difficult to form the second metal film 5 on the surface when this plating is performed. For example, a liquid photosensitive resin or a sheet-like photosensitive film is formed on the entire surface of the first metal film 3, and then exposed to a circuit shape. Examples include those formed by removing a resin or a photosensitive film.

次に、図1(f)のように、レジスト被膜4を除去する。例えば、レジスト被膜4を除去する除去液(剥離液)は、アルカリ又は溶剤型の剥離液等が挙げられる。 Next, the resist film 4 is removed as shown in FIG. For example, examples of the removing liquid (stripping liquid) for removing the resist film 4 include alkali or solvent-type stripping liquid.

次に、図1(g)のように、第一金属皮膜3の不要部をエッチング除去する。
例えば、第一金属皮膜3の不要部を除去する除去液(エッチング液)としてアルカリエッチング液(非塩化物系/塩化物を問わない)等が挙げられる。
従来技術では、非配線部に露出する第一金属皮膜3をエッチング除去する際、配線部を含めたプリント配線板の全面に均一に除去液(エッチング液)が供給されるため、除去を要さない第二金属皮膜5の表面および側面もエッチングされ、配線の細りを招いてしまう。
本発明では、図1(f)→図1(g)に至る過程で、エッチングの必要な箇所の除去が選択的・優先的に促進される様、微細な領域での除去液(エッチング液)の供給にあたり、インクジェット方式による噴霧を採用する。
Next, as shown in FIG. 1G, unnecessary portions of the first metal film 3 are removed by etching.
For example, as a removing solution (etching solution) for removing an unnecessary portion of the first metal film 3, an alkaline etching solution (non-chloride / no matter whether it is chloride) or the like can be given.
In the prior art, when the first metal film 3 exposed in the non-wiring portion is removed by etching, the removing solution (etching solution) is uniformly supplied to the entire surface of the printed wiring board including the wiring portion, and thus the removal is required. The surface and side surface of the second metal film 5 that is not present are also etched, leading to thinning of the wiring.
In the present invention, in the process from FIG. 1 (f) to FIG. 1 (g), the removal liquid (etching liquid) in a fine region is selectively and preferentially promoted to remove the portion requiring etching. In order to supply the above, spraying by an ink jet method is adopted.

あるいは、インクジェット方式を採用しない既存方式(スプレーや浸漬など)によるエッチングを行なうに先駆けて、エッチングが助長される処理液を、予めエッチングの必要な箇所にインクジェット方式で噴霧しておく手法を採用する。
エッチング液や前記処理液を非配線部(第二金属皮膜5の隙間)に精度良く集中的に噴霧する上では、微細な液滴をノズル制御により微小範囲で噴霧領域を制御可能なインクジェット方式が好適である。
Alternatively, prior to performing etching by an existing method (spraying, dipping, etc.) that does not employ an ink jet method, a method of spraying a treatment liquid that promotes etching in advance on the portion that needs to be etched by an ink jet method is employed. .
In order to spray the etching liquid and the processing liquid on the non-wiring portion (the gap between the second metal coatings 5) accurately and intensively, there is an ink jet system capable of controlling the spray area in a minute range by nozzle control. Is preferred.

次に、図1(h)に示すように、絶縁基板1の表面に残留するメッキ触媒2を除去する。
このように絶縁基板1の表面に残留するメッキ触媒2を除去すると、回路間の絶縁性が向上するため、特に信頼性が優れたプリント配線板となり好ましい。
Next, as shown in FIG. 1H, the plating catalyst 2 remaining on the surface of the insulating substrate 1 is removed.
If the plating catalyst 2 remaining on the surface of the insulating substrate 1 is removed in this manner, the insulation between the circuits is improved, so that a printed wiring board having particularly high reliability is preferable.

この絶縁基板1の表面に残留するメッキ触媒2を除去する方法としては、メッキ触媒2を溶解可能な溶液に浸漬して除去する方法等が挙げられる。
例えば、スプレーや浸漬をして、過マンガン酸カリウム溶液または過マンガン酸ナトリウム溶液を、絶縁基板1に接触させる方法が挙げられる。
この過マンガン酸カリウム溶液または過マンガン酸ナトリウム溶液は、プリント配線板の加工工程におけるスルホール形成後のスミア除去工程で一般的に使用されている。
Examples of a method for removing the plating catalyst 2 remaining on the surface of the insulating substrate 1 include a method of removing the plating catalyst 2 by immersing it in a solution that can be dissolved.
For example, a method of bringing the potassium permanganate solution or the sodium permanganate solution into contact with the insulating substrate 1 by spraying or dipping may be mentioned.
This potassium permanganate solution or sodium permanganate solution is generally used in a smear removing step after through-hole formation in a printed wiring board processing step.

尚、図1(h)での残留メッキ触媒2の除去工程においても、インクジェット方式による処理液の噴霧を採用することが、配線部への悪影響を回避する上で好適である。 In addition, also in the removal process of the residual plating catalyst 2 in FIG.1 (h), it is suitable in order to avoid the bad influence to a wiring part to employ | adopt the spray of the process liquid by an inkjet system.

図1(c)に示すように、エポキシ絶縁樹脂基板1の表面に無電解銅メッキにて無電解銅メッキ層3を1.0μmの厚さに形成した。
次に、図1(d)に示すように、無電解銅メッキ層3の表面に25um厚のドライフイルムレジストを被覆し、露光、 現像により、ライン/スペースが10/10μmのメッキレジストパターン4を形成した。
次に、図1(e)に示すように、硫酸銅浴を用いて電解銅メッキを施し、厚さが15μmの電解銅メッキ層5を形成して配線パターンを形成した。
次に、図1(f)に示すように、過酸化水素/硫酸系エッチング液を用いたスプレー法によりエッチングメッキレジストパターン4を除去した。
As shown in FIG.1 (c), the electroless copper plating layer 3 was formed in the thickness of 1.0 micrometer by the electroless copper plating on the surface of the epoxy insulation resin board | substrate 1. As shown in FIG.
Next, as shown in FIG. 1 (d), a surface of the electroless copper plating layer 3 is coated with a 25 μm thick dry resist, and a plating resist pattern 4 having a line / space of 10/10 μm is formed by exposure and development. Formed.
Next, as shown in FIG. 1E, electrolytic copper plating was performed using a copper sulfate bath to form an electrolytic copper plating layer 5 having a thickness of 15 μm to form a wiring pattern.
Next, as shown in FIG. 1F, the etching plating resist pattern 4 was removed by a spray method using a hydrogen peroxide / sulfuric acid based etching solution.

図1(f)の工程まで行なった後、過酸化水素/硫酸系エッチング液をインクジェット装置によって塗布し、配線部間に露出する無電解銅メッキ層2を除去して図1(g)に示す状態とした。 After performing the process up to the step shown in FIG. 1 (f), a hydrogen peroxide / sulfuric acid-based etching solution is applied by an ink jet apparatus to remove the electroless copper plating layer 2 exposed between the wiring portions, and shown in FIG. 1 (g). It was in a state.

次に、図1(g)の状態から、過マンガン酸カリウム溶液をインクジェット装置によって塗布し、絶縁基板1表面で配線部間に露出する不要な無電解銅メッキ層2を除去して図1(h)に示す状態とした。 Next, from the state of FIG. 1 (g), a potassium permanganate solution is applied by an ink jet device, and unnecessary electroless copper plating layer 2 exposed between the wiring portions on the surface of the insulating substrate 1 is removed to remove FIG. h).

インクジェット装置によるエッチング液(あるいは、エッチング前に施しておくエッチングを助長する処理液,無電解銅メッキ層の残渣の除去のための処理液などを総称する)の噴霧にあたっては、配線部にはエッチング液が付着せず、配線間に選択的に供給される様に、インク吐出ノズル(インクジェットヘッド)を駆動操作し、L/S=50μm/50μm(あるいは、それ以下の10μm/10μm程度)の微細な配線間の中央部分に線を引くようにエッチング液を吐出する。
インク吐出ノズル(インクジェットヘッド)からの吐出可能な粘度(約20mPa・s以下)の処理液が適用可能であり、無電解銅メッキ層の除去に限らず、絶縁基板表面あるいは配線部表面の洗浄を目的とする処理液を採用しても良い。
また、処理液の供給領域が微細幅であるほど、選択的な領域への処理液の付着が実現されるというインクジェット装置によるエッチング液の噴霧の効果が向上する。
When spraying an etching solution (or a treatment solution for promoting etching performed before etching, a treatment solution for removing the residue of the electroless copper plating layer, etc.) by an inkjet apparatus, the wiring portion is etched. Drive the ink discharge nozzle (inkjet head) so that the liquid does not adhere and is selectively supplied between the wires, and L / S = 50μm / 50μm (or less than 10μm / 10μm) Etching solution is discharged so as to draw a line in the central portion between the wirings.
A treatment liquid having a viscosity (about 20 mPa · s or less) that can be discharged from an ink discharge nozzle (inkjet head) is applicable, and not only the removal of the electroless copper plating layer, but also the cleaning of the surface of the insulating substrate or the wiring portion. You may employ | adopt the target process liquid.
In addition, as the processing liquid supply area is finer, the effect of spraying the etching liquid by the ink jet apparatus is improved.

1・・・絶縁基板
2・・・メッキ触媒
3・・・第一金属皮膜
4・・・レジスト被膜
5・・・第二金属皮膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate 2 ... Plating catalyst 3 ... 1st metal film 4 ... Resist film 5 ... 2nd metal film

Claims (3)

セミアディティブ法を用いた微細配線パターンの製造方法において、
配線形成が不要な箇所に形成したレジスト被膜の除去後、絶縁基板上の非配線部に露出する金属皮膜を除去するにあたり、インクジェット方式によりエッチング液を供給する工程を具備することを特徴とする微細配線パターンの製造方法。
In the method of manufacturing a fine wiring pattern using the semi-additive method,
After removing the resist film formed at a place where wiring formation is unnecessary, the method includes a step of supplying an etching solution by an ink jet method when removing the metal film exposed to the non-wiring portion on the insulating substrate. A method of manufacturing a wiring pattern.
セミアディティブ法を用いた微細配線パターンの製造方法において、
配線形成が不要な箇所に形成したレジスト被膜の除去後、絶縁基板上の非配線部に露出する金属皮膜を湿式エッチングにて除去するにあたり、前記エッチングに先駆けて、インクジェット方式によりエッチングを助長する液体を供給する工程を具備することを特徴とする微細配線パターンの製造方法。
In the method of manufacturing a fine wiring pattern using the semi-additive method,
Before removing the metal film exposed on the non-wiring portion on the insulating substrate by wet etching after removing the resist film formed at a place where wiring formation is unnecessary, a liquid that promotes etching by an ink jet method prior to the etching. A method for producing a fine wiring pattern comprising the step of supplying
セミアディティブ法を用いた微細配線パターンの製造方法において、
配線形成が不要な箇所に形成したレジスト被膜の除去後、絶縁基板上の非配線部に露出する金属皮膜を除去した後、前記金属皮膜を無電解メッキにより形成する際に触媒として予め付与された、絶縁基板表面に残存するメッキ触媒を除去するにあたり、インクジェット方式により過マンガン酸カリウム溶液または過マンガン酸ナトリウム溶液からなる処理液を供給する工程を具備することを特徴とする微細配線パターンの製造方法。
In the method of manufacturing a fine wiring pattern using the semi-additive method,
After removing the resist film formed at the place where wiring formation is unnecessary, after removing the metal film exposed to the non-wiring part on the insulating substrate, it was given in advance as a catalyst when forming the metal film by electroless plating And a method of producing a fine wiring pattern comprising a step of supplying a treatment liquid comprising a potassium permanganate solution or a sodium permanganate solution by an ink jet method when removing the plating catalyst remaining on the surface of the insulating substrate. .
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