JP3275784B2 - Method of forming blind via hole in TAB tape, TAB tape, film and flexible substrate formed by the method - Google Patents

Method of forming blind via hole in TAB tape, TAB tape, film and flexible substrate formed by the method

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JP3275784B2
JP3275784B2 JP19105497A JP19105497A JP3275784B2 JP 3275784 B2 JP3275784 B2 JP 3275784B2 JP 19105497 A JP19105497 A JP 19105497A JP 19105497 A JP19105497 A JP 19105497A JP 3275784 B2 JP3275784 B2 JP 3275784B2
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blind via
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tab tape
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Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、TABテープにブ
ラインドビアホールを形成する方法、その方法によって
形成されたTABテープ、フィルム及びフレキシブル基
板に関する。
The present invention relates to a method for forming blind via holes in a TAB tape, and a TAB tape, a film and a flexible substrate formed by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近時、高度且つ高速な演算処理を必要と
する大型コンピュータ、或いはワークステーション等を
対象とした、例えばピン数が400〜700本で、動作
周波数が150MHz以上の高速動作用のパッケージ用
テープとして、低価格化及び小形化の要望に答え、TA
B(Tape Automated Bonding)テープが用いられるよう
になった。
2. Description of the Related Art Recently, high-speed operation of, for example, 400 to 700 pins and an operating frequency of 150 MHz or more is intended for large computers or workstations that require advanced and high-speed arithmetic processing. In response to demands for lower price and smaller size as packaging tape, TA
B (Tape Automated Bonding) tape has come to be used.

【0003】高速動作用のパッケージ用テープは、電気
ノイズの低減が重要な課題である。
[0003] In a packaging tape for high-speed operation, reduction of electrical noise is an important issue.

【0004】TABテープには、デバイスホールに納め
られるICチップの配線に対応したグランドライン、電
源ライン、及び信号ラインの3種類の配線が必要とされ
る。
[0004] A TAB tape requires three types of wirings, that is, a ground line, a power supply line, and a signal line corresponding to the wiring of an IC chip housed in a device hole.

【0005】これら3配線は、互いに電気的に干渉し、
電気ノイズを発生しICチップを誤動作させてしまうこ
とがある。
[0005] These three wirings electrically interfere with each other,
Electric noise may be generated, causing the IC chip to malfunction.

【0006】電気ノイズの発生の原因は、各配線間の誘
電率が小さいこと及び配線間距離が小さいことにある。
多ピン化による狭ピッチ化が進むと電気ノイズの発生
は、増大する。
[0006] The cause of the electrical noise is that the dielectric constant between the wirings is small and the distance between the wirings is small.
As the pitch becomes narrower by increasing the number of pins, the generation of electrical noise increases.

【0007】このため、グランドラインと信号ラインと
の間に絶縁フィルム、例えばポリイミドを介在させ、各
配線間の高誘電率化及び配線間距離の増加を図ったTA
B−BGA(Ball Grid Array)構成のIC実装用のテー
プキャリアが普及してきている。
For this reason, an insulating film, for example, polyimide is interposed between the ground line and the signal line to increase the dielectric constant between wirings and to increase the distance between wirings.
2. Description of the Related Art Tape carriers for mounting ICs having a B-BGA (Ball Grid Array) configuration have become widespread.

【0008】このTAB−BGA構成によれば、ICチ
ップに接続されたインナーリードの内、グランドライン
は、ポリイミドに設けられたブラインドビアホールを介
して一旦テープの裏側に導かれ、グランドプレーンを引
き回された後、再び他のブラインドビアホールを介して
外部との接続用端子であるハンダボールへ接続される。
According to this TAB-BGA configuration, of the inner leads connected to the IC chip, the ground line is once guided to the back side of the tape through the blind via hole provided in the polyimide, and is routed to the ground plane. After that, it is again connected to a solder ball which is a terminal for connection with the outside via another blind via hole.

【0009】このように各配線間の高誘電率化及び配線
間距離の増加を図り、電気ノイズを低減しようとする構
成におけるブラインドビアホール形成工程は、重要であ
る。
As described above, the blind via hole forming step in the configuration for increasing the dielectric constant between the wirings and increasing the distance between the wirings and reducing the electric noise is important.

【0010】図2に従来の2層TABテープの構造を断
面して示し、ブラインドビアホール及びその形成工程
を、接着剤を使用しない2層TABテープを例に挙げて
図3を参照して説明する。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the structure of a conventional two-layer TAB tape, and the blind via hole and the process of forming the same will be described with reference to FIG. 3 taking a two-layer TAB tape without using an adhesive as an example. .

【0011】図2に示すように、2層TABテープにお
いて、ブラインドビアホール4は、有機絶縁材料、例え
ばポリイミド2を介してその両面の銅箔1、1を銅メッ
キ層3によって電気的に接続する役目を果たしている。
As shown in FIG. 2, in the two-layer TAB tape, the blind via holes 4 electrically connect the copper foils 1, 1 on both surfaces thereof with a copper plating layer 3 via an organic insulating material, for example, polyimide 2. Plays a role.

【0012】ブラインドビアホール4の形成工程は、図
3(A)に示すように、ポリイミド2の一方の表面の銅
箔1の面にエッチング液、例えば塩化第2鉄溶液を用い
て所定の大きさ及び位置に真円形状のパターン9を形成
する。
As shown in FIG. 3A, the blind via hole 4 is formed in a predetermined size by using an etching solution, for example, a ferric chloride solution on the copper foil 1 on one surface of the polyimide 2. Then, a perfect circular pattern 9 is formed at the position.

【0013】次に、図3(B)に示すように、パターン
9に対応する部分のポリイミド2を除去し、ブラインド
ビアホール4を形成する。ポリイミド2の除去には、炭
酸ガスレーザ或いはエキシマレーザによる除去、化学的
エッチングによる除去などが用いられる。
Next, as shown in FIG. 3B, a portion of the polyimide 2 corresponding to the pattern 9 is removed, and a blind via hole 4 is formed. For removal of the polyimide 2, removal by a carbon dioxide laser or an excimer laser, removal by a chemical etching, or the like is used.

【0014】炭酸ガスレーザを用いた場合には、ホール
底部に残存するポリイミド膜を過マンガン酸等の酸化剤
の溶液にて溶解除去する。
When a carbon dioxide laser is used, the polyimide film remaining at the bottom of the hole is dissolved and removed with a solution of an oxidizing agent such as permanganic acid.

【0015】エキシマレーザを用いた場合には、カーボ
ンが残存、或いは付着しているので、これも同様に除去
する、いわゆるデスミア工程を経る必要がある。
In the case where an excimer laser is used, since carbon remains or adheres, it is necessary to go through a so-called desmear process for removing carbon as well.

【0016】ブラインドビアホール4の形成後は、図3
(C)に示すように、一方の銅箔1上及びブラインドビ
アホール4の全面に導電化処理を施し、導電化被膜5を
形成する。
After the formation of the blind via hole 4, FIG.
As shown in FIG. 1C, a conductive treatment is performed on one copper foil 1 and the entire surface of the blind via hole 4 to form a conductive film 5.

【0017】導電化処理には、カーボンを用いる処理、
錫−パラジウムコロイドを用いる処理、或いは導電性ポ
リマを用いる処理がある。
The conductive treatment is a treatment using carbon,
There is a treatment using a tin-palladium colloid or a treatment using a conductive polymer.

【0018】次いで、図3(D)に示すように、硫酸銅
めっき浴などの銅めっき浴に浸漬し、電流密度2〜5A
/dm2 程度の電流を通電し、銅めっき層3をビアホール
全面に析出させる。
Next, as shown in FIG. 3 (D), the substrate is immersed in a copper plating bath such as a copper sulfate plating bath, and the current density is 2 to 5 A.
A current of about / dm 2 is applied to deposit the copper plating layer 3 on the entire surface of the via hole.

【0019】上述した従来のブラインドビアホール4の
形成工程において、通常ポリイミドとの密着性を向上さ
せること等を目的として、ポリイミドと接する銅箔裏面
には、粗化処理及びその上にニッケルやモリブデンによ
る裏面処理皮膜処理が施される。
In the above-described conventional process of forming the blind via hole 4, for the purpose of, for example, improving the adhesion to the polyimide, the back surface of the copper foil in contact with the polyimide is subjected to a roughening treatment and a nickel or molybdenum coating thereon. A back surface treatment film treatment is performed.

【0020】粗化処理部分は、図4に部分的に抽出して
拡大して示したように数μmの凹凸部6があり、凹部分
に微量なポリイミドやカーボン7が堆積することがあ
る。
As shown in FIG. 4, the roughened portion has an uneven portion 6 having a thickness of several μm, and a trace amount of polyimide or carbon 7 may be deposited on the concave portion.

【0021】凹部分に微量なポリイミドやカーボン7が
残存していると、銅めっきとの密着性を確保できず、界
面剥離や、導通抵抗の低下の原因となってしまう。
If a small amount of polyimide or carbon 7 remains in the concave portion, adhesion to copper plating cannot be ensured, causing interface peeling and reduction in conduction resistance.

【0022】この凹部分に残存するポリイミドやカーボ
ン7を完全に取り除こうとするとデスミア工程での処理
時間を長く、或いは液温度を高くすることが必要であ
る。
In order to completely remove the polyimide and carbon 7 remaining in the concave portion, it is necessary to lengthen the processing time in the desmear process or increase the liquid temperature.

【0023】しかしながら、デスミア工程に長い時間を
取ったり、酸化剤の溶液の液温度を高くしたりするとブ
ラインドビアホール壁面のポリイミド2を余分に溶解
し、極端には図5に示すようにエッチバックされた形状
8を呈する場合がある。
However, if the desmearing process takes a long time or the temperature of the oxidizing agent solution is increased, the polyimide 2 on the wall of the blind via hole is excessively dissolved, and extremely etched back as shown in FIG. In some cases.

【0024】裏面処理被膜についても同様であり、この
被膜を完全に除去しないと銅メッキ膜との密着不良によ
る界面剥離が発生しやすい。
The same applies to the backside treated film. Unless this film is completely removed, interface peeling due to poor adhesion to the copper plating film is likely to occur.

【0025】しかしながら、裏面処理被膜を完全に除去
されたか否かの確認するために、従来、SEM(Scannin
g Electron Microscopy)観察やオージェ(Auger)分析が
行われていたが、1パターンに数百個存在するブライン
ドビアホールの全てを観察することは時間的にも、価格
的にも非現実的であり、TABテープに高い信頼性をも
ってブラインドビアホールを形成することができる方法
の実現が望まれていた。
However, in order to confirm whether or not the back surface treatment film has been completely removed, a conventional SEM (Scannin
g Electron Microscopy) and Auger analysis were performed, but observing all of the hundreds of blind via holes in one pattern is impractical in terms of time and cost. It has been desired to realize a method capable of forming a blind via hole with high reliability in a TAB tape.

【0026】このため発明者は、さきにデスミア工程と
銅箔面エッチング工程とを組み合わせ信頼性の高いブラ
インドビアホールを得るよう改良したTABテープにブ
ラインドビアホールを形成する方法及びその方法を用い
て形成されたTABテープを出願した(特願平8−25
1548号)。
For this reason, the inventor of the present invention has developed a method of forming blind via holes in a TAB tape, which has been improved so as to obtain a highly reliable blind via hole by combining a desmear process and a copper foil surface etching process, and a method of forming the same using the method. Filed a TAB tape (Japanese Patent Application No. 8-25)
No. 1548).

【0027】[0027]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、応用分
野の拡大に伴い、より信頼性の高いブラインドビアホー
ルが得られるよう望まれるようになった。
However, with the expansion of application fields, it has been desired to obtain a more reliable blind via hole.

【0028】この発明は、上記事情に鑑み、特別な手法
を用いてブラインドビアホールの底部を観察したり、分
析したりすることなく、より信頼性の高いブラインドビ
アホールが得られるよう改良したTABテープにブライ
ンドビアホールを形成する方法及びその方法を用いて形
成されたTABテープを提供することを目的とする。
In view of the above circumstances, the present invention provides a TAB tape improved so that a more reliable blind via hole can be obtained without observing or analyzing the bottom of the blind via hole using a special method. An object of the present invention is to provide a method of forming a blind via hole and a TAB tape formed by using the method.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】本発明のTABテープに
ブラインドビアホールを形成する方法は、2層CCL
(Copper Clad Laminate)テープを構成する、銅箔/有
機絶縁材/銅箔構成の一方の銅箔に、フォトレジストコ
ーティング後、ブラインドビアホールパターンを形成す
る工程と、レーザの走査により前記有機絶縁材を除去
し、前記ブラインドビアホールパターンに対応して、ブ
ラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインド
ビアホールの底部に堆積する有機絶縁材を除去する工程
と、前記有機絶縁材を除去後に前記ブラインドビアホー
ルの底部に露出した他方の銅箔面をエッチング除去する
工程と、更に前記ブラインドビアホールの底部に堆積す
る有機絶縁材の残量が無くなるまで、前記有機絶縁材を
除去する工程と前記ブラインドビアホールの底部に露出
した他方の銅箔面をエッチング除去する工程とを繰り返
す工程と、より構成される。
According to the present invention, a method of forming a blind via hole in a TAB tape according to the present invention comprises a two-layer CCL.
(Copper Clad Laminate) A step of forming a blind via hole pattern after photoresist coating on one of the copper foils of the copper foil / organic insulating material / copper foil constituting the tape, and scanning the laser with the organic insulating material. Removing, forming a blind via hole corresponding to the blind via hole pattern, removing the organic insulating material deposited on the bottom of the blind via hole, and removing the organic insulating material on the bottom of the blind via hole. A step of etching and removing the other exposed copper foil surface, and a step of removing the organic insulating material until the remaining amount of the organic insulating material deposited on the bottom of the blind via hole is exhausted, and a step of removing the organic insulating material exposed at the bottom of the blind via hole. Repeating the step of etching and removing the other copper foil surface, and

【0030】又、この発明のTABテープは、上述した
製造工程によって形成されたブラインドビアホールを有
するテープである。
Further, the TAB tape of the present invention is a tape having blind via holes formed by the above-described manufacturing process.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、この発明の
実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0032】図1(A)は、2層CCL(Copper Clad
Laminate)テープとして新日鐵化学製テープを示し、材
料構成は、厚さ18μmの日本電解製SLP箔である銅
箔1/厚さ50μmのポリイミド2/厚さ18μmの日
本電解製SLP箔である銅箔1の構成である。
FIG. 1A shows a two-layer CCL (Copper Clad).
Laminate tape is a tape manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. The material composition is 18 μm thick Nippon Electrolytic SLP foil, copper foil 1/50 μm thick polyimide 2/18 μm thick Nippon Electrolytic SLP foil. This is a configuration of the copper foil 1.

【0033】ポリイミド2の一方の表面の銅箔1にフォ
トレジストコーティング、露光、現像、及び塩化第2鉄
溶液を用いて直径80μmの真円形状のパターン9を5
00個、形成した(以下1ピースと呼ぶ)。
On the copper foil 1 on one surface of the polyimide 2, a completely circular pattern 9 having a diameter of 80 μm is formed by photoresist coating, exposure, development, and a ferric chloride solution.
00 pieces were formed (hereinafter, referred to as one piece).

【0034】次に、炭酸ガスレーザをパターン9上に走
査させ、図1(B)に示すように、パターン9に対応す
る部分のポリイミド2を除去し、ブラインドビアホール
4を形成する。
Next, the carbon dioxide laser is scanned over the pattern 9 to remove the polyimide 2 at the portion corresponding to the pattern 9 to form a blind via hole 4 as shown in FIG.

【0035】次に、図1(C)に示すように、過マンガ
ン酸カリウムと水酸化ナトリウムを3対2の割合で蒸留
水中に溶解させ、約50℃に加熱する。この混合液中に
前記テープを浸漬させ、ブラインドビアホール4の底部
に堆積しているポリイミド膜を除去する、いわゆるデス
ミア工程を行った。
Next, as shown in FIG. 1 (C), potassium permanganate and sodium hydroxide are dissolved in distilled water at a ratio of 3: 2, and heated to about 50 ° C. A so-called desmear process was performed in which the tape was immersed in the mixed solution to remove the polyimide film deposited on the bottom of the blind via hole 4.

【0036】次いで、このテープを過硫酸アンモニウム
溶液に浸漬させ、ブラインドビアホール4の底部の銅を
約3μmのエッチング処理する。このエッチング処理に
際して、ポリイミド2と接する銅箔面に施される粗化処
理部分の凹凸に微量なポリイミドが残っていると、この
微量なポリイミドが、ブラインドビアホール4の底部の
表面に現れる。
Next, this tape is immersed in an ammonium persulfate solution, and the copper at the bottom of the blind via hole 4 is etched by about 3 μm. If a small amount of polyimide remains on the surface of the copper foil surface in contact with the polyimide 2 in the roughening process during this etching process, this small amount of polyimide appears on the surface of the bottom of the blind via hole 4.

【0037】そこで再び、先の条件と同様にして、デス
ミア工程を行い残存している微量なポリイミドを除去で
きる。
Then, a desmearing step can be performed again under the same conditions as above to remove the remaining trace amount of polyimide.

【0038】このようなデスミア工程とエッチング処理
とを複数回繰り返すことにより、ブラインドビアホール
4の底部に残存するポリイミドを完全に除去できた。
又、ニッケルやモリブデンによる裏面処理被膜までも完
全に除去できた。
By repeating such a desmear process and the etching process a plurality of times, the polyimide remaining at the bottom of the blind via hole 4 could be completely removed.
In addition, it was possible to completely remove even the back surface treatment film made of nickel or molybdenum.

【0039】上述した工程を経てパターン数に対応する
50ピース作製した。
Through the above-described steps, 50 pieces corresponding to the number of patterns were manufactured.

【0040】一方、上述したと同様なテープに対してデ
スミア工程を経ない、パターン数に対応する50ピース
も作製した。
On the other hand, 50 pieces corresponding to the number of patterns were produced without passing through the desmear process for the same tape as described above.

【0041】これら各ピースに対し図1(D)に示すよ
うに、錫−パラジウム系の導電化処理を施し導電化被膜
5を形成する。
As shown in FIG. 1 (D), each of these pieces is subjected to a tin-palladium conductive treatment to form a conductive coating 5.

【0042】次いで、図1(E)に示すように、硫酸銅
めっき浴中にて温度約25℃、電流密度約2A/dm2
条件で約50分間銅めっきを行い、銅めっき層3を形成
した。
Then, as shown in FIG. 1 (E), copper plating was performed in a copper sulfate plating bath at a temperature of about 25 ° C. and a current density of about 2 A / dm 2 for about 50 minutes to form a copper plating layer 3. Formed.

【0043】上述したような製造工程を経て得られた本
発明の各ピースと、本発明の製造工程を経ていない各ピ
ースとの信頼性の比較をするため、はんだ耐熱試験、高
温放置試験、温度サイクル試験を行い、外観観察、ビア
ホール部分の断面観察を行った。尚、外観観察は、全て
のビアホールについて行い、断面観察は、各ピースにつ
いて100個抽出して行った。以下にその条件及びその
信頼性の評価結果を示す。
In order to compare the reliability of each piece of the present invention obtained through the above-described manufacturing process with each piece not subjected to the manufacturing process of the present invention, a solder heat resistance test, a high-temperature storage test, and a temperature test were performed. A cycle test was performed, and the appearance and the cross section of the via hole were observed. The external appearance was observed for all via holes, and the cross-sectional observation was performed by extracting 100 pieces for each piece. The conditions and the evaluation results of the reliability are shown below.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】表1における数値は分母の数値は、評価し
たビアホール数を示し、分子の数値は不具合のあったビ
アホール数を示す。
In Table 1, the values of the denominator indicate the number of via holes evaluated, and the values of the numerator indicate the number of defective via holes.

【0046】表1から明らかなように、本発明を適用し
たピースについては、膨れ、銅箔と銅めっき間の界面剥
離という不具合は認められなかったが、本発明を適用し
なかったピースについては、膨れ、銅箔と銅めっき間の
界面剥離という不具合が認められた。
As is evident from Table 1, the pieces to which the present invention was applied did not have the problem of swelling and peeling of the interface between the copper foil and the copper plating. However, the pieces to which the present invention was not applied were found. , Swelling, and peeling of the interface between the copper foil and the copper plating were observed.

【0047】上述した実施の形態はTABテープにブラ
インドビアホールを形成する例について説明したが、T
ABテープに限らずその他のテープ、フィルム、フレキ
シブル基板などに必要に応じてブラインドビアホールを
形成する場合に、同様に適応できる。
In the above embodiment, an example in which blind via holes are formed in a TAB tape has been described.
The present invention can be similarly applied to a case where blind via holes are formed in other tapes, films, flexible substrates, and the like as necessary, in addition to the AB tape.

【0048】又、本発明の製造方法によって形成された
ブラインドビアホールを有するTABテープに限らず当
該ブラインドビアホールを有するその他のテープ、フィ
ルム、フレキシブル基板などにも権利が及ぶことは言う
までもない。
Further, it goes without saying that the present invention is not limited to the TAB tape having the blind via holes formed by the manufacturing method of the present invention, but extends to other tapes, films, flexible substrates and the like having the blind via holes.

【0049】上述した図1に示す製造工程を経て得られ
たブラインドビアホールの底部には堆積ポリイミドや堆
積カーボンはなく、銅めっき膜を形成する際の接着は、
良好であり、界面剥離や、導通抵抗の低下は生じない。
There is no deposited polyimide or deposited carbon at the bottom of the blind via hole obtained through the above-described manufacturing process shown in FIG. 1, and the adhesion at the time of forming the copper plating film is as follows.
Good, no interfacial peeling and no reduction in conduction resistance.

【0050】従って、このようにして形成されたブライ
ンドビアホールを介してポリイミドの表面及び裏面に配
された各ライン間は、高誘電率化及び配線間距離の増加
を図ることができ、電気ノイズを低減しようとする要望
に応えることができる。
Therefore, between the lines arranged on the front and back surfaces of the polyimide via the blind via holes thus formed, it is possible to increase the dielectric constant and increase the distance between the wirings, thereby reducing electric noise. It is possible to meet the demand for reduction.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明のTABテープにブラインドビア
ホールを形成する方法は、デスミア工程とエッチング処
理とを複数回繰り返すことにより、ブラインドビアホー
ル4の底部に残存するポリイミドを完全に除去できた。
従って、銅めっき膜を形成する際の接着は、良好であ
り、界面剥離や、導通抵抗の低下は生じない。従って、
製品の歩留まりも改善された。
According to the method for forming a blind via hole in a TAB tape of the present invention, the polyimide remaining at the bottom of the blind via hole 4 can be completely removed by repeating the desmear process and the etching process a plurality of times.
Therefore, the adhesion at the time of forming the copper plating film is good, and there is no occurrence of interface peeling or reduction in conduction resistance. Therefore,
Product yields have also improved.

【0052】このようにして形成されたブラインドビア
ホールを介してポリイミドの表面及び裏面に配された各
ライン間は、高誘電率化及び配線間距離の増加を図るこ
とができ、電気ノイズを低減しようとする要望に応える
ことができるので、本発明の方法で形成されたブライン
ドビアホールを有するTABテープは、電気的特性に難
はない。
Between the lines arranged on the front and back surfaces of the polyimide via the blind via holes formed in this way, it is possible to increase the dielectric constant and increase the distance between the wirings, thereby reducing the electric noise. Therefore, the TAB tape having the blind via holes formed by the method of the present invention has no problem in electrical characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態を示すTABテープにブ
ラインドビアホールを形成する製造工程を示す図。
FIG. 1 is a view showing a manufacturing process for forming a blind via hole in a TAB tape according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の2層TABテープの構造を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a conventional two-layer TAB tape.

【図3】従来の2層TABテープのブラインドビアホー
ル及びその形成工程を示す図。
FIG. 3 is a view showing a conventional blind via hole of a two-layer TAB tape and a process of forming the same.

【図4】従来の2層TABテープのブラインドビアホー
ルの製造工程において、粗化処理によって、銅箔面に凹
凸部が生じることを示す図。
FIG. 4 is a view showing that a roughening process causes an uneven portion on a copper foil surface in a conventional process of manufacturing a blind via hole of a two-layer TAB tape.

【図5】従来の2層TABテープのブラインドビアホー
ルの製造工程において、ブラインドビアホール壁面にエ
ッチバックされた形状を呈する場合があることを示す
図。
FIG. 5 is a view showing that in a conventional manufacturing process of a blind via hole of a two-layer TAB tape, the blind via hole may have a shape etched back on a wall surface of the blind via hole.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 銅箔 2 ポリイミド 3 銅めっき層 4 ブラインドビアホール 5 導電化被膜 Reference Signs List 1 copper foil 2 polyimide 3 copper plating layer 4 blind via hole 5 conductive coating

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多賀 勝俊 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 審査官 守安 太郎 (56)参考文献 特開 平3−237736(JP,A) 特開 平3−263340(JP,A) 特開 平4−239739(JP,A) 特開 平5−6924(JP,A) 特開 平6−252219(JP,A) 特開 平6−333992(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Katsutoshi Taga 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Pref. Inspector, System Materials Research Laboratory, Hitachi Cable, Ltd. Taro Moriyasu (56) References JP-A-3-237736 (JP, A) JP-A-3-263340 (JP, A) JP-A-4-239739 (JP, A) JP-A-5-6924 (JP, A) JP-A-6-252219 (JP, A) JP-A-6 −333992 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/60

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】2層CCL(Copper Clad Laminate)テー
プを構成する銅箔/有機絶縁材/銅箔構成の一方の銅箔
に、フォトレジストコーティング後、ブラインドビアホ
ールパターンを形成する工程と、レーザの走査により前
記有機絶縁材を除去し、前記ブラインドビアホールパタ
ーンに対応して、ブラインドビアホールを形成する工程
と、前記ブラインドビアホールの底部に堆積する有機絶
縁材を除去する工程と、前記有機絶縁材を除去後に前記
ブラインドビアホールの底部に露出した他方の銅箔面を
エッチング除去する工程と、更に前記ブラインドビアホ
ールの底部に堆積する有機絶縁材の残量が無くなるま
で、前記有機絶縁材を除去する工程と前記有機絶縁材を
除去後に前記ブラインドビアホールの底部に露出した他
方の銅箔面をエッチング除去する工程とを繰り返す工程
と、より成ることを特徴とするTABテープにブライン
ドビアホールを形成する方法。
1. A step of forming a blind via hole pattern after coating a photoresist on one copper foil of a copper foil / organic insulating material / copper foil structure constituting a two-layer CCL (Copper Clad Laminate) tape; Removing the organic insulating material by scanning, forming a blind via hole corresponding to the blind via hole pattern, removing the organic insulating material deposited on the bottom of the blind via hole, and removing the organic insulating material A step of etching and removing the other copper foil surface exposed at the bottom of the blind via hole, and a step of removing the organic insulating material until there is no remaining organic insulating material deposited on the bottom of the blind via hole. After removing the organic insulating material, the other copper foil surface exposed at the bottom of the blind via hole is removed by etching. A method of forming a blind via hole in a TAB tape to a step repeating a step, characterized in that more made to.
【請求項2】前記有機絶縁材は、ポリイミドであり、前
記ブラインドビアホールの底部に堆積するポリイミドを
除去する工程は、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリ
ウム或いは、過マンガン酸ナトリウムと水酸化ナトリウ
ムの混合液中に前記テープを浸漬させて除去することを
特徴とする請求項1記載のTABテープにブラインドビ
アホールを形成する方法。
2. The method according to claim 1, wherein the organic insulating material is polyimide, and the step of removing the polyimide deposited on the bottom of the blind via hole comprises mixing potassium permanganate and sodium hydroxide or mixing sodium permanganate and sodium hydroxide. 2. The method for forming a blind via hole in a TAB tape according to claim 1, wherein the tape is immersed and removed in a liquid.
【請求項3】前記有機絶縁材を除去後に、更に前記ブラ
インドビアホールの底部に堆積する有機絶縁材の残量が
無くなるまで繰り返される前記ブラインドビアホールの
底部に露出した他方の銅箔面をエッチング除去する工程
は、過硫酸アンモニウム溶液、塩化第2鉄溶液、或いは
塩化第2銅溶液より成るエッチング液を用いることを特
徴とする請求項1または2に記載のTABテープにブラ
インドビアホールを形成する方法。
3. After the organic insulating material is removed, the other copper foil surface exposed at the bottom of the blind via hole is removed by etching until the remaining amount of the organic insulating material deposited on the bottom of the blind via hole is exhausted. 3. The method for forming a blind via hole in a TAB tape according to claim 1, wherein the step uses an etching solution comprising an ammonium persulfate solution, a ferric chloride solution, or a cupric chloride solution.
【請求項4】前記請求項1ないし3のいずれかに記載の
方法によって形成されたブラインドビアホールを有する
TABテープ。
4. A TAB tape having a blind via hole formed by the method according to claim 1.
【請求項5】前記請求項1ないし4のいずれかに記載の
方法によって形成されたブラインドビアホールを有する
フィルム。
5. A film having a blind via hole formed by the method according to claim 1.
【請求項6】前記請求項1ないし5のいずれかに記載の
方法によって形成されたブラインドビアホールを有する
フレキシブル基板。
6. A flexible substrate having a blind via hole formed by the method according to claim 1.
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