KR100927081B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

2층 구조의 버스 전극을 일괄해서 노광(露光) 및 현상(現像)해서 전극 패턴을 형성할 때에, 전극 폭 방향 단부(端部)의 돌출을 억제하여, 절연 내압 불량을 발생시키지 않는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다. 마스크를 이용한 포토리소그래피(photolithography)법으로, 2층 구조의 전극 패턴을 형성할 경우, 전극 패턴을 형성하는 전극 재료의 페이스트(paste) 막(膜) 부분의 표면의 일부를 차광(遮光)하면서, 광(光)을 조사(照射)해서 노광함으로써, 현상 후의 전극 표면에 오목부를 형성하고, 상기 오목부에 의하여, 전극 폭 방향 중앙부의 열(熱) 수축과, 단부의 열 수축을 분리해서 억제한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전면판(前面板)의 전극 표면 형상에 특징을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, "PDP"라고 한다)은, 대향 배치한 전면판 및 배면판(背面板)의 주변부를 밀봉해 접착한 구조를 갖고, 전면판과 배면판 사이에 형성된 방전 공간에는, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 등의 방전 가스가 봉입(封入)되어 있다.
전면판은, 유리 기판의 한쪽 면에 스트라이프(stripe) 모양으로 형성된 주사 전극과 유지 전극으로서 이루어지는 복수의 표시 전극과, 이들 표시 전극을 둘러싼 유전체층 및 보호층을 구비하고 있다. 표시 전극은, 각각 투명 전극과, 그 투명 전극 위에 형성한 금속 재료로서 이루어지는 버스 전극에 의해서 구성되어 있다.
배면판은, 유리 기판의 한쪽 면에 표시 전극과 직교하는 방향에 스트라이프 모양으로 형성된 복수의 어드레스 전극과, 이들 어드레스 전극을 둘러싼 밑바탕(backing) 유전체층과, 방전 공간을 어드레스 전극마다 구획하는 스트라이프 모양의 격벽(隔壁)과, 격벽 간의 홈에 순차적으로 도포된 적색, 녹색 및 청색의 형광체층을 구비하고 있다.
표시 전극과 어드레스 전극은 서로 직교하고 있고, 그 교차부가 방전 셀(cell)이 된다. 이들의 방전 셀은 매트릭스 상태로 배열되어, 표시 전극 방향에 나란히 서는 적색, 녹색 및 청색의 형광체층을 갖는 3개의 셀이, 컬러 표시를 위한 화소(畵素)로 된다. PDP는, 순차적으로, 주사 전극-어드레스 전극 간과, 주사 전극-유지 전극 간에 소정의 전압을 인가해서 가스 방전을 발생시키고, 그 가스 방전으로 생기는 자외선으로 형광체층을 여기(勵起)해서, 발광시킴으로써 컬러 화상을 표시한다.
여기서, 버스 전극으로서, 알루미늄(Al) 전극이나 크롬(Cr)/동(Cu)/크롬(Cr) 전극이 사용되는 경우는, 반도체 프로세스를 기초로 하여, 성막(成膜) 및 패터닝(patterning)을 실행하여 형성된다. 그러므로, 이 버스 전극은 고정밀도로 형성되지만, 성막에 스퍼터링법 등의 진공 장치가 필요하게 되어, 그것에 의해, 장치 비용이 높아지는 단점이 있다. 그래서, 예를 들면, 은(Ag) 분말을 이용한 전극 페이스트를, 인쇄법 또는 롤 코팅법(roll coat method) 등의, 특별한 진공 장치가 불필요한 방법으로 도포해서, 은(Ag) 전극의 버스 전극을 형성하는 경우도 많다.
은(Ag) 분말을 이용한 전극 페이스트에는, 고형 성분으로서 도전제(導電劑)인 은(Ag) 분말이나, 접착을 위한 유리 프릿(glass frit), 매체 성분으로서 셀룰로 오스(cellulose) 수지(樹脂) 등의 수지 및 테르펜(terpene)계 용제 등의 용제가 포함되어 있다.
또한, 최근, 화면의 콘트라스트(contrast) 향상을 위해, 버스 전극을, 표시 측이 되는 흑층(黑層)(투명 전극과 접촉하는 층)과, 그 위에 배치되는 백층(白層)의 2층 구성으로 하는 것이 실행되고 있다. 흑층은, 흑색의 전극 페이스트를 도포해서 형성하고, 백층은, 그 위에 도전성의 전극 페이스트를 도포해서 형성한다. 이 경우, 흑색의 전극 페이스트로서는, 구리-철(Cu-Fe)계, 구리-크롬(Cu-Cr)계 등의 흑색 복합 산화물을 배합한 수지 조성물이 이용되고 있다.
이들 전극 페이스트로부터 형성하는 버스 전극은, 구체적으로는, 각각의 층마다 도포, 패터닝(노광 및 현상) 및 그 후의 소성(燒成)을 행하여 형성할 수 있다. 또한, 더욱 적은 공정으로 PDP를 제조하기 위해서, 2층 구조의 버스 전극을 구성하는 양쪽 층 및 블랙 매트릭스를 일괄해서 현상하는 방법과, 흑층과 백층을 일괄해서 노광 현상하는 방법이 나타나 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 특허 문헌 1에 나타나 있는 방법은, 효율적인 전극 형성을 가능하게 한다고 생각된다.
(특허 문헌 1)
일본국 특개 2004-63247호 공보
본 발명자들이 검토한 바, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 흑층과 백층을 일괄해서 노광 현상할 경우에는, 광(光)이 하층(下層)까지 충분히 도달하지 않고, 하층의 경화(硬化)가 불충분하게 되는 것을 알게 되었다. 그 결과, 경화가 불충분한 하층은 상층에 비하여 현상 시에 제거되는 양이 많아지게 되고, 현상 후의 상태에서, 상층의 폭에 대하여 하층의 폭이 작아지게 된다. 그와 같은 버스 전극의 현상 후의 단면 모식도를 도 3에 나타낸다.
이와 같은 전극을 소성하면, 열 수축에 의해, 도 4에 나타내는 바와 같이, 백층 및 흑층에 있어서, 각각 수축하려고 하는 힘이 작용하여, 도 5에 나타내는 바와 같은 합력(合力)이 생긴다. 여기서, 현상 후에 흑층이 남아있는 영역(4)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 소성 시에 백층과 흑층의 계면(界面)의 힘이 상쇄(相殺)된다. 그러므로, 합력으로서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 백층 표면부에서, 유리 기판을 향하는 방향의 큰 힘(7)이 작용한다. 또한, 현상 시에 흑층의 깎여진 영역(5)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 흑층에 구속되는 일이 없으며, 백층 내부를 향해서 수축하는 힘(8)이 생긴다.
이들 힘이 작용하는 결과, 도 5에 나타내는 바와 같이, 상기 백층 표면에 작용하는, 유리 기판을 향하는 큰 합력(7)과, 상기 백층 내부를 향해서 수축하는 힘(8)과의 합력에 의해, 백층 표면부에 있어서, 그 단부를 폭 방향 중앙부로 당기는 힘(9)이 작용한다. 이 힘(9)이 작용하면, 백층에 큰 휨이 생기는 동시에, 전극 폭 방향 단부가 말려 올라가고, 상방으로 크게 돌출해버린다. 이와 같이, 전극이 돌출한 상태로 PDP를 제조하면, 돌출 부분의 유전체가 얇아지고, 또한 전극에 전압을 인가하였을 때, 돌출 부분에 국소적으로 전하(電荷)가 집중한다. 그 결과, 절연 내압 불량이 생기기 쉽게 되어, 제조 수율이 저하하고, 제조 비용이 대폭적으로 증대한다는 문제가 있었다.
또한, 최근, 한층 더 고정밀화와 저가격화에 대한 요구가 더욱더 강해지고 있고, 그 실현에는, 더욱 많은 전극을 배치하는 경우에서도, 절연 내압 불량을 생기게 하지 않고, 수율이 좋으며, 안정적이고 저비용으로 PDP를 제조하는 것이 필수가 된다. 그래서, 더욱 적은 공정으로 제조할 수 있는 버스 전극을 2층 일괄해서 노광 및 현상하면서, 절연 내압 불량을 생기게 하지 않는 제조 방법이 아직까지 실현되지 않는 것이 과제가 되고 있었다.
본 발명은, 상기의 과제를 해결하는 것으로서, 2층 구조의 전극 패턴의 표면 형상을, 전극 폭 방향 단부의 돌출이 억제되어, 높은 절연 내압 성능을 나타내게 하는, PDP 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 유리 기판 위에, 하층의 전극으로 되는 제1재료를 도포해서 제1층을 형성하고, 상기 제1층의 표면에 상층의 전극으로 되는 제2재료를 도포해서 제2층을 형성하고,
전극을 형성하는 부분에, 상기 전극을 형성하는 부분의 표면의 일부를 차광해서 광을 조사함으로써 노광하고, 현상해서 전극을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,
상기 전극을 형성하는 부분의 표면의 일부를 차광하는 차광 부재는, 전극의 폭 방향과 평행한 방향의 치수(이하, "폭"이라 할 때가 있다) T가 2㎛≤T≤10㎛이고,
노광 후에 형성되는 전극의 폭 방향 단부와 상기 차광 부재의 폭 방향 단부와의 간격 L이 1㎛≤L≤10㎛인 PDP의 제조 방법을 제공한다.
여기서, "유리 기판 위"라는 것은, 유리 기판의 표면에 제1층을 직접 형성하는 것과, 유리 기판의 표면에 형성된 다른 층의 표면에 제1층을 형성하는 것의 둘 모두를 포함한다. 또한, "전극의 폭 방향"이라는 것은, 2차원적으로 전극을 본 경우(즉, 전극의 두께를 무시할 경우) 전극이 길게 연장되어 있는 방향과 직교해서 짧게 연장되어 있는 방향을 가리킨다. 전극이 길게 연장되어 있는 방향은 "전극의 길이 방향"이라고 지칭한다.
이와 같은 방법으로 2층을 갖는 전극을 형성하면, 현상 후의 전극 표면에 오목부를 만들 수 있고, 소성 중에 생기는 전극 폭 방향 중앙부와 단부의 열 수축을 분리해서 제어하는 것이 가능해진다고 생각된다. 그 결과, 상층의 휨과 전극 폭 방향 단부의 돌출을 억제한 전극을 형성할 수 있어, 높은 절연 내압 성능을 갖는 PDP를 제공할 수 있다. 이 제조 방법은, 백층과 흑층으로서 이루어지는 버스 전극을 형성할 때, 바람직하게 적용된다.
상기 노광에 있어서, 차광 부재의 폭 T는 2㎛≤T≤10㎛인 것이 바람직하고, 또한, 이와 같은 폭을 갖는 차광 부재는, 노광 후에 형성되는 전극의 폭 방향 단부 와 차광 부재의 폭 방향 단부와의 간격 L이 1㎛≤L≤10㎛가 되도록, 전극을 형성하는 부분의 표면을 덮는 것이 바람직하다. 이와 같은 차광 부재의 위치 및 폭을 채택하면, 전극의 결함 및 전극 성능의 저하를 초래할 정도의 큰 오목부를 생기게 하는 일 없이, 전극 폭 방향 중앙부와 단부의 소성 시의 열 수축을 분리해서 제어하여, 이것으로 백층의 휨과 전극 폭 방향 단부의 돌출을 유효하게 제어할 수 있다.
상기 노광에 있어서, 전극을 형성하는 부분의 표면(즉, 제2층의 일부 표면)의 일부를 차광하는 차광 부재는, 전극 길이 방향과 평행한 방향으로 연장되는 것이 바람직하다. 차광 부재를, 전극의 길이 방향과 평행한 방향으로 연장되는 형상 및 치수로 함으로써, 전극에서 생기는 전극의 폭 방향 중앙부와 단부의 소성 시의 열 수축을, 유리 기판면 내에서, 불규칙하게 되는 것을 더욱 적게 하고, 더욱 안정적으로, 분리해서 제어할 수 있게 된다. 그 결과, 백층의 휨과 전극 폭 방향 단부의 돌출이 제어된 전극을, 유리 기판면 내에서, 불규칙하게 되는 것을 더욱 적게 해서, 더욱 안정적으로 형성할 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 전극은, 전면판을 구성하는 표시 전극에 포함되는 버스 전극으로서, 하측에 위치하는 흑층과 상측에 위치하는 백층의 2층으로 구성되어 있는 버스 전극인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 PDP의 제조 방법에 있어서는, 전극의 한쪽 층이, 도전성 미립자로서, 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 팔라듐(Pd)으로부터 선택되는 금속 또는 이것들의 합금으로서 이루어지는 입자를 적어도 1종 포함하는, 전극 재료로서 이루어지는 것으로 해도 좋다. 이와 같은 도전성 미립자를 포함하는 전극 재료로서 이루어지는 전극은 양호한 도전성을 갖는다.
또한, 본 발명의 PDP의 제조 방법에 있어서는, 전극의 한쪽 층(한쪽 층을 상기 도전성 미립자를 포함하는 층으로 할 경우에는, 다른 쪽 층)이, 흑색 성분으로서, 사산화삼코발트(Co3O4) 미립자를 포함하는 전극 재료로 형성되어도 좋다. 이와 같은 흑색 성분을 포함하는 전극 재료로서 이루어지는 소성 피막을, 전극, 특히, 버스 전극의 흑층으로서 형성하면, 건조, 노광, 현상 및 소성의 각각의 공정에서 기판에 대한 우수한 밀착성, 해상(解像) 성능 및 소성 성능을 손상시키는 일 없이, 소성 후에 있어서 충분한 층간 도전성(예를 들면, 버스 전극의 경우, 투명 전극과 백층과의 층간 도통(導通))과, 충분한 흑도(blackness)를 동시에 만족할 수 있다.
또한, 발명의 PDP의 제조 방법에 있어서는, 상기 다른 쪽 층은, 흑색 성분으로서, 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 철(Fe), 망간(Mn) 및 루테늄(Ru)으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물을 포함하는 재료로 형성되어도 좋다. 이와 같은 흑색 성분을 포함하는 전극 재료로서 이루어지는 소성 피막을, 전극, 특히, 흑층으로서 형성하면, 건조, 노광, 현상 및 소성의 각각의 공정에 있어서, 기판에 대한 우수한 밀착성, 해상 성능 및 소성 성능을 손상시키는 일 없이, 소성 후에 있어서 충분한 층간 도전성(투명 전극과 백층과의 층간 도통)과, 충분한 흑도를 동시에 만족할 수 있다.
본 발명은 또한, 본 발명의 제조 방법을 따라 제조되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다. 즉, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은,
방전 공간을 사이에 두는 1쌍의 전면판 및 배면판을 갖추고,
전면판의 기판 내면 위에 서로 평행한, 주사 전극과 유지 전극으로서 이루어지는 복수의 표시 전극을 갖추고,
배면판의 기판 내면 위에, 상기 표시 전극과 교차하는 방향에 배치된 복수의 어드레스 전극과, 상기 방전 공간을 단위 발광 영역마다 구획하는 격벽과, 방전에 의해 발광하는 형광체를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널로서,
상기 표시 전극은, 투명 전극과, 상기 투명 전극 위에 형성한 버스 전극으로 구성되어 있으며, 상기 버스 전극이, 하측에 위치하는 흑층과 상측에 위치하는 백층의 2층을 갖추고,
상기 버스 전극의 폭 방향 단부의 돌출 높이(양쪽 단부의 높이가 다를 때는, 높은 쪽 단부의 높이) Te와, 상기 버스 전극의 백층의 폭을 3등분 해서 3개의 영역으로 나누었을 때의, 제일 가운데의 영역에 있어서의 버스 전극의 평균 높이 Tc와의 차(差)를 돌출량 Ec로 하였을 때, Ec가 2.0㎛ 미만인 플라즈마 디스플레이 패널이다.
이 디스플레이 패널에 있어서는, 2개의 층을 갖는 구조의 버스 전극의 양쪽 단부의 돌출량이 작은, 즉, 백층의 휨이 작은 것이다. 따라서, 이 디스플레이 패널은, 수율이 좋고, 안정적으로 제조할 수 있다. 또한, 이 디스플레이 패널에 있어서는, 이것을 덮는 유전체층의 두께가 국소적으로 작아지는 일이 없어지거나 또는 완화되어서, 절연 내압 불량은 잘 생기지 않는다.
본 발명의 제조 방법에 의하면, 전극 패턴을 구성해야할 부분의 표면의 일부를 차광하면서 광을 조사해서 노광하고, 현상해서 전극 패턴을 형성함으로써, 현상 후의 전극 표면에 오목부를 형성할 수 있다. 그 결과, 전극 폭 방향 중앙부와 단부의 소성 시의 열 수축을 분리해서 제어하는 것이 가능하게 되어, 백층의 휨과 전극 폭 방향 단부의 돌출을 억제한 전극을 형성할 수 있다. 따라서, 이 제조 방법에 의하면, 높은 절연 내압 성능을 갖는 PDP를 제공할 수 있다.
이하에, 본 발명의 실시형태에 따른 PDP의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 PDP의 구성을 도면을 이용해서 설명한다.
우선, 본 발명의 실시형태의 PDP 제조 방법에 의해 제조되는 PDP의 구조를 도 1 및 도 2를 이용해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 PDP의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 PDP의 전면판의 구조를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1 및 도 2는 모두 PDP의 일부를 나타내고 있다는 것에 유의하기 바란다.
도 1에 나타내는 바와 같이, PDP(100)는, 제1기판인 전면판(12)과, 제2기판인 배면판(20)이 대향해서 배치되고, 그 외주부(外周部)를 유리 프릿(glass frit) 등으로서 이루어진 봉착(封着) 부재(도시하지 않음)에 의해 기밀(氣密)로 봉해져 있다. 봉해진 PDP(100) 내부의 방전 공간(26)에는, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 등의 방전 가스가 53,200Pa∼79,800Pa의 압력으로 봉입되어 있다.
전면판(12)을 구성하는 전면 유리 기판(13)의 한쪽 표면에는, 주사 전극(14) 및 유지 전극(15)으로서 이루어지는, 제1도전막인 1쌍의 띠 모양의 표시 전극(16)과, 블랙 스트라이프(차광층)(17)가 서로 평행으로, 각각 복수 열(列) 배치되어 있다. 전면 유리 기판(13)의, 표시 전극(16)과 블랙 스트라이프(17)가 형성된 표면에는, 이것들을 덮도록 콘덴서로서의 작용을 하는 유전체층(18)이 형성되어 있다. 또한, 유전체층(18)의 표면에 산화 마그네슘(MgO) 등으로서 이루어지는, 전극 보호를 위한 보호층(19)이 형성되어 있다.
배면판(20)을 구성하는 배면 유리 기판(21) 위에는, 전면판(12)의 주사 전극(14) 및 유지 전극(15)과 직교하는 방향에, 제2도전막인 복수의 띠 모양의 어드레스 전극(22)이 서로 평행으로 배치되어 있다. 이 어드레스 전극(22)은 밑바탕 유전체층(23)으로 피복되어 있다.
또한, 어드레스 전극(22) 간의 밑바탕 유전체층(23)의 표면에는, 방전 공간(26)을 구분하는 소정의 높이의 격벽(24)이 형성되어 있다. 격벽(24) 간의 홈에는, 어드레스 전극(22)마다 자외선에 의해 적색, 청색 및 녹색으로 각각 발광하는 형광체층(25)이, 순차적으로 도포해서 형성되어 있다. 주사 전극(14) 및 유지 전극(15)과, 어드레스 전극(22)이 교차하는 위치에 방전 셀이 형성되고, 표시 전극(16) 방향에 늘어선 적색, 청색, 녹색의 형광체층(25)을 갖는 방전 셀이, 컬러 표시를 위한 화소가 된다.
도 2에, 도 1의 전면판(12)을 상하 반전시켜서, 전면판(12)의 구성을 단면도로 더욱 상세하게 나타낸다. 전면 유리 기판(13)은, 플로트 법(float process method) 등에 의해 제조된다. 주사 전극(14) 및 유지 전극(15)으로 이루어지는 표시 전극(16) 및 블랙 스트라이프(17)는, 패턴으로 형성되어 있다.
주사 전극(14)과 유지 전극(15)은, 각각 산화 인듐(ITO) 또는 산화 주석(SnO2) 등으로서 이루어지는 투명 도전막인 투명 전극(14a, 15a)과, 투명 전극(14a, 15a) 위에 형성된 버스 전극(14b, 15b)에 의해서 구성되어 있다. 버스 전극(14b, 15b)은, 투명 전극(14a, 15a)의 길이 방향에 도전성을 부여하는 목적으로 형성된다. 버스 전극은, 도시한 형태에서는, 2층 구조의 것이며, 각 층의 재료에 대해서는 후술한다.
유전체층(18)은, 전면 유리 기판(13)의 표면에 형성된 이들 투명 전극(14a, 15a), 버스 전극(14b, 15b) 및 블랙 스트라이프(17)를 덮도록 해서 설치된다. 또한, 유전체층(18) 위에 보호층(19)이 형성된다.
이어서, PDP(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
우선, 전면 유리 기판(13) 위에, 주사 전극(14) 및 유지 전극(15)을 구성하는 투명 전극(14a, 15a)이 형성된다. 투명 전극(14a, 15a)은, 포토리소그래피법 등을 이용해서 소정의 패턴을 갖도록 형성한다. 이어서, 블랙 스트라이프(17)를, 소정의 패턴을 갖도록, 포토리소그래피법을 이용해서 형성한다. 블랙 스트라이프의 재료는, 흑색 안료(顔料)를 포함하는 페이스트이다.
또한, 투명 전극(14a, 15a) 위에, 버스 전극(14b, 15b)을 구성하는 층을, 전 극 재료 페이스트를 이용해서 도포하고, 포토리소그래피법을 이용해서 패턴을 갖게 하고, 또한, 소성함으로써, 버스 전극(14b, 15b)을 형성한다. 여기서, 버스 전극(14b, 15b)의 재료는, 도전 입자, 또는 은(Ag) 재료를 포함하는 전극 재료 페이스트이다. 본 발명의 제조 방법은, 이 버스 전극을, 도 2에 나타내는 바와 같이, 2층 구조의 것으로 하는 경우에, 특히 바람직하게 적용된다. 2층 구조의 버스 전극 형성 방법의 상세한 내용은 후술한다.
이어서, 주사 전극(14), 유지 전극(15) 및 블랙 스트라이프(17)를 덮도록, 전면 유리 기판(13) 위에, 유전체 유리 페이스트를 다이 코팅법(die coating method) 등에 의해 도포하고, 또한, 소성해서 5㎛∼50㎛ 두께의 유전체층(18)을 형성한다. 여기서, 유전체 유리 페이스트는, 분말의 유전체 유리 프릿, 바인더(binder) 및 용제를 포함하는 도료이다. 또한, 유전체층(18) 위에 산화 마그네슘(MgO)으로서 이루어지는 보호층(19)을 진공 증착법에 의해 0.3㎛∼1㎛의 두께가 되도록 형성한다. 이상의 공정에 의해, 전면 유리 기판(13)의 표면에 소정의 구성 부재가 배치되어서 전면판(12)이 완성된다.
배면판(20)은, 다음과 같이 해서 형성된다. 우선, 배면 유리 기판(21) 위에, 은(Ag) 재료를 포함하는 페이스트를 이용해서, 어드레스 전극(22)을 구성하기 위한 재료의 층을, 소정의 패턴을 갖도록 형성한다. 패턴은, 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법이나, 페이스트를 유리 기판의 전체 면에 도포한 후, 포토리소그래피법을 이용해서 패턴을 갖게 하는 방법 등에 의해 형성된다. 그리고 나서, 그 층을 원하는 온도로 소성해서 어드레스 전극(22)을 형성한다.
이어서, 어드레스 전극(22)이 형성된 배면 유리 기판(21)의 표면에, 다이 코팅법 등에 의해 어드레스 전극(22)을 덮도록 유전체 유리 페이스트를 도포해서, 유전체 페이스트층을 형성한다. 그 후, 유전체 페이스트층을 소성함으로써, 밑바탕 유전체층(23)을 형성한다. 유전체 유리 페이스트는, 분말의 유전체 유리 프릿, 바인더 및 용제를 포함한 도료이다.
이어서, 밑바탕 유전체층(23)의 표면에 격벽 재료를 포함하는 격벽 형성용 페이스트를 도포하여, 소정의 형상으로 패턴을 갖게 해서 격벽 재료층을 형성하고, 그 후에, 소성함으로써, 격벽(24)을 형성한다. 여기서, 밑바탕 유전체층(23) 위에 도포한 격벽용 페이스트를 패턴을 갖게 하는 방법으로서는, 포토리소그래피법 또는 샌드블라스트(sandblast)법을 이용할 수 있다.
이어서, 인접하는 격벽(24) 간의 밑바탕 유전체(23)의 표면 및 격벽(24)의 측면에, 형광체 재료를 포함하는 형광체 페이스트를 도포하고, 그 후에, 소성함으로써, 형광체층(25)을 형성한다. 이상의 공정에 의해, 배면 유리 기판(21) 위에 소정의 구성 부재가 형성되어서, 배면판(20)이 완성된다.
이와 같이 해서, 소정의 구성 부재를 구비한 전면판(12)과 배면판(20)을 표시 전극(16)과 어드레스 전극(22)이 직교하도록 대향 배치해서, 그 주위를 봉착 부재로 봉한다. 또한, 방전 공간(26)에, 네온(Ne) 및 크세논(Xe) 등을 포함하는 방전 가스를 봉입함으로써, PDP(100)가 완성된다.
이상에서, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법의 개략을 설명하였다. 이어서, 버스 전극(14b, 15b)의 형성 방법에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 이 실 시형태에 있어서, 버스 전극은, 백층과 흑층의 2층 구조로서 이루어진다. 도 6은, 이와 같은 버스 전극을 형성하기 위한 공정 흐름도이다.
우선, 단계 S1에 있어서, 흑층 및 백층의 전극 재료 페이스트를 도포하여, 건조시켜서, 전극 페이스트의 막을 형성한다. 더욱 구체적으로는, 흑층을 도포하여 건조시키고 나서, 그 표면에 백층을 도포하여 건조시킨다. 이어서, 단계 S2에 있어서, 단계 S1에서 형성한 전극 페이스트 막의 표면을 패턴에 따라 마스크로 차광하는 동시에, 패턴을 형성해야할 부분의 표면의 일부(즉, 백층의 전극을 구성하는 부분의 표면의 일부)를 차광하면서, 광을 조사해서 노광한다. 단계 S3은, 단계 S2에서 노광된 전극 페이스트의 막을 현상한 후, 소성하는 단계이고, 이 단계가 종료되면, 버스 전극이 형성된다.
도 7은, 도 6에 대응하는 공정 단면도로서, 도 7(a)는 단계 S1, 도 7(b)는 단계 S2, 도 7(c), 도 7(d) 및 도 7(e)는 단계 S3을 각각 나타내는 공정 단면도이다.
도 7(a)는, 전면 유리 기판(13)의 표면에 형성된 투명 전극(14a)(혹은, 15a) 위에 각각 백층(14c)(혹은, 15d) 및 흑층(14d)(혹은, 15d)으로 되는 전극 페이스트를 도포해서, 100℃에서 건조한 상태의 전극 페이스트의 막을 나타낸다. 전극 페이스트는 모두, 감광성 페이스트이다. 백층(14c)(혹은, 15d)을 구성하는 전극 페이스트는, 소성 후에, 3∼50㎛의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하고, 흑층(14d)(혹은, 15d)을 구성하는 전극 페이스트는, 소성 후에, 0.5∼5㎛의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
전극 재료 페이스트에는, 도전성 입자, 유리 프릿, 흑색 무기(無機) 미립자, 감광성 수지 및 유기(有機) 바인더 등의 유기물 수지, 중합 개시제(重合 開始劑), 모노머(monomer) 및 유기 용제 등이 포함되어 있다. 도전성 입자는 주로 백층에 포함되고, 흑색 무기 미립자는 주로 흑층에 포함된다. 경우에 따라, 백층 및 흑층은, 그 기능에 영향을 끼치지 않는 한에서, 흑색 무기 미립자 및 도전성 입자를 각각 포함해도 좋다. 이 전극 재료 페이스트를, 롤 코터(roll coater) 등에 의해 도포한 후, 건조함으로써, 대부분의 유기 용제를 증발시킨다. 따라서, 건조 후의 전극 페이스트의 막은, 증발한 유기 용제를 제외한 도전성 미립자, 유리 프릿, 감광성 수지, 유기 바인더 등의 유기물 수지(모노머가 중합된 것을 포함) 및 모노머 등으로 구성되어 있다.
전극 재료 페이스트를 도포하는 방법으로서는, 롤 코팅법(roll coating method), 다이 코팅(die coating), 스핀 코팅(spin coating) 및 블레이드 코팅(blade coating) 등을 이용할 수 있다.
상기한 바와 같이, 전극 재료 페이스트로서는, 은(Ag) 입자 등의 도전성 미립자와, 산화비스무트(Bi2O3), 산화붕소(B2O3), 및/또는 산화규소(SiO2) 등을 주성분으로 하는 유리 프릿과, 흑색 무기 미립자(흑층만)와, 중합 개시제, 감광성 수지 및 유기 바인더 등의 유기물 수지, 모노머 및 유기 용제를 각각 소정의 비율로 혼합한 것을 이용한다. 이하에, 각각의 성분을 설명한다.
도전성 미립자로서는, 입자 지름 0.1㎛∼50㎛의 은(Ag) 입자를 이용하는 것이 적절하다. 은 입자의 입자 지름이 0.1㎛ 미만이면, 은(Ag) 입자끼리 응집하기 쉽게 되고, 버스 전극(14b)(혹은, 15b)의 저항치가 일정하게 되지 않는다. 또한, 은(Ag) 입자의 입자 지름이 50㎛를 초과하면, 버스 전극(14b)(혹은, 15b)의 높이를, 은(Ag) 입자가 상회(上廻)하게 되어, 일정하고 또한 균일한 패턴을 갖는 버스 전극(14b)(혹은, 15b)을 형성할 수 없다. 은 입자 이외에, 도전성이 양호한 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 팔라듐(Pd)으로부터 선택되는 금속으로 이루어지는 입자, 또는 그것들의 합금으로 이루어지는 입자를, 전극 재료용의 도전성 미립자로서 이용할 수 있다. 이것들의 도전성 미립자는, 본 발명의 실시형태에 있어서, 바람직하게는 백층에 포함된다. 혹은, 이것들의 도전성 미립자는 흑층에 포함되어도 좋다.
유리 프릿으로서는, 산화비스무트(Bi2O3), 산화붕소(B2O3), 및/또는 산화규소(SiO2) 등을 주성분으로 하는 저융점(低融點) 유리 프릿이 바람직하게 이용된다. 다만, 원하는 전극 형상을 형성할 수 있는 유리 재료라면, 이것들을 주성분으로 하는 유리에 한정되지 않고, 다른 유리 프릿을 이용해도 좋다.
이어서, 흑색 무기 미립자에 대하여 설명한다. 흑색 무기 미립자는, 주로 흑층에 포함된다. 혹은, 흑색 무기 미립자는, 백층에 포함되어도 좋다. 흑색 무기 미립자로서는, 사산화삼코발트(Co3O4)의 입자를 이용하는 것이 적절하다. 흑색 무기 미립자로서 사산화삼코발트(Co3O4)의 입자를 첨가한 경우, 소량의 첨가라도 충분한 흑색도(黑色度)를 갖는, 치밀한 소성 피막이 얻어지므로, 얇은 막 두께로 충분한 콘트라스트를 달성할 수 있다. 그 결과, 특히, 흑층에 있어서, 건조, 노광, 현상 및 소성의 각각의 공정에 있어서, 기판에 대한 우수한 밀착성, 해상 성능 및 소성 성능을 손상시키는 일 없이, 소성 후에 있어서 충분한 층간 도전성(투명 전극과 백층과의 층간 도통) 및 흑도를 동시에 만족할 수 있는, 소성 피막을 형성할 수 있다. 또한, 사산화삼코발트(Co3O4)는, 중합 개시제, 감광성 수지 및 유기 성분이나 유기 용제 등과의 친화성이 높으므로, 사산화삼코발트(Co3O4)와 이것들의 유기 성분 및 유기 용제를 조합해서 사용함으로써, 보존 안정성이 우수한 전극 재료 페이스트를 얻을 수 있다.
사산화삼코발트(Co3O4)의 입자로서, 입자 지름이 5㎛ 이하, 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 5㎛ 이하의 미립자를 이용하는 것이 바람직하다. 입자 지름을 5㎛ 이하로 함으로써, 소량의 첨가에도 밀착성을 손상시키는 일 없이, 치밀한 소성 피막을 형성할 수 있기 때문에, 특히 흑층의 경우, 충분한 층간 도전성(투명 전극과 백층과의 층간 도통) 및 흑도를 동시에 만족시킬 수 있다.
또한, 사산화삼코발트(Co3O4)의 입자로서, 비표면적(比表面積)이 1.0∼20㎡/g의 범위에 있는 입자를 이용하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 그 비표면적이 1.0㎡/g 미만에서는, 노광에 의한 패턴 형성의 정밀도가 저하한다. 즉, 라인 에지(line edge)의 직선성이 악화하고, 또한 충분한 흑도의 소성 피막이 얻어지기 어렵게 되기 때문이다. 한편, 20㎡/g를 초과하는 것은, 입자의 표면적이 지나치게 커지게 되어, 현상을 할 때, 깎는 양이 커져 버린다.
흑색 무기 미립자로서, 사산화삼코발트((Co3O4)와 함께, 또는 이것을 대신하여, 내열성 흑색 안료를 배합할 수 있다. 내열성 흑색 안료는, 내열성이 우수한 무기 안료라면, 특별히 한정되지는 않는다. 일반적으로는, 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 철(Fe), 망간(Mn) 및 루테늄(Ru)으로부터 선택되는 금속 산화물 및 복합 산화물이, 내열성 흑색 안료에 상당하며, 이것들을 단독 또는 2종류 이상 조합해서 이용해도 좋다.
감광성 수지는, 광을 조사하면, 가교(架橋)해서 부용화(不溶化)하는 성질을 갖는 수지이고, 예를 들면, 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 카르복시기 함유 감광성 수지이다. 감광성 수지는, 구체적으로는, 불포화 카르복시산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체(共重合體)에 에틸렌성 불포화기를 펜던트로 해서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지, 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 불포화 카르복시산을 반응시켜 생성한 2급의 수산기에 다(多)염기산 무수물(無水物)을 반응시켜서 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지, 불포화 이중 결합을 갖는 산무수물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지, 에폭시 화합물과 불포화 모노카르복시산을 반응시켜 생성한 2급의 수산기에 다염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지 및 수산기 함유 폴리머(polymer)에 다염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 카르복시기 함유 수지에 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 추가로 반응시켜서 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지 등이라도 좋지만, 이것들에 한정되지는 않는다. 이러한 감광성 수지는, 단독 또는 혼합해서 이용해도 좋다.
또한, 유기 바인더로서 기능을 하는 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 부틸알, 메타크릴산 에스테르 중합체, 아크릴산 에스테르 중합체, 아크릴산 에스테르-메타크릴산 에스테르 공중합체, α-메틸스티렌 중합체, 부틸메타크릴레이트 수지 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지는 않는다. 이러한 유기 바인더는, 단독 또는 혼합해서 이용해도 좋다.
중합 개시제는, 후술하는 모노머를 중합시키기 위해 이용된다. 중합 개시제는, 특별히 한정되지는 않지만, 벤조인, 벤조인메틸 에테르, 벤조인에틸 에테르, 벤조인이소프로필 에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬 에테르류, 아세토페논, 2,2-디메톡시(dimethoxy)-2-페닐 아세토페논, 1,1-디클로로 아세토페논 등의 아세토페논류, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노 프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-몰포리노 페닐)-부탄온-1 등의 아미노 아세토페논류, 2-메틸 안트라퀴논, 2-에틸 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 1-클로로 안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2,4-디메틸 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤 등의 티오크산톤류, 아세토페논 디메틸 케탈, 벤질 디메틸 케탈 등의 케탈류, 벤조페논 등의 벤조페논류, 또는 크산톤류, (2,6-디메톡시 벤조일)-2,4,4-펜틸 포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸 벤조일)-페닐 포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸 벤조일 디페닐 포스핀옥시드, 에틸-2,4,6-트리메틸 벤조일 페닐 포스피네이트 등의 포스핀옥시드류, 각종 과산화물류 등이라도 좋다.
모노머로서는, 예를 들면, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리우레탄 디아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 에틸렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 프로필렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 반응하는 각 메타크릴레이트류 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지는 않는다. 모노머는 단독으로 이용해서, 모노폴리머를 생성해도 좋고, 혹은 복수의 모노머를 선택해서, 코폴리머(copolymer)를 생성해도 좋다.
유기 용제로서는, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화 수소류, 셀로솔브, 메틸 셀로솔브, 카비톨, 메틸 카비톨, 부틸 카비톨, 플로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디플로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르 등의 글리콜 에테르류, 초산 에틸, 초산 부틸, 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 카비톨 아세테이트, 부틸카비톨 아세테이트, 플로필렌글리콜 모노메틸 에테르아세테이트 등의 초산 에스테르류, 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 플로필렌글리콜, 테르피네올 등의 알코올류, 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소, 석유 에테르, 석유 나프타, 솔벤트 나프타 등의 석유계 용제를 들 수 있고, 이것들을 단독 또는 2종류 이상을 조합해 서 이용할 수 있다.
전극 재료 페이스트에 있어서, 각 성분의 비율은 적절하게 선택된다. 예를 들면, 백층을 형성하는 페이스트에 있어서는, 도전성 미립자 100질량부에 대하여 유리 프릿은 0.5∼200질량부, 감광성 수지 및 유기 바인더 등의 유기물의 수지 성분은, 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 10∼80질량부, 중합 개시제는 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 1∼30질량부, 모노머는 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 20∼100중량부, 용제는 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 1∼30질량부의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 흑층을 형성하는 페이스트에 있어서는, 흑색 무기 미립자 100질량부에 대하여 유리 프릿은 0.5∼200질량부, 감광성 수지 및 유기 바인더 등의 유기물의 수지 성분은, 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 10∼80질량부, 중합 개시제는 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 1∼30질량부, 모노머는 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 20∼100질량부, 용제는 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 1∼40질량부의 비율로 포함되는 것이 바람직하다.
이어서, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 도 7(a)의 건조 상태의 전극 페이스트의 막의 표면에 노광 마스크(31)를 배치하는 동시에, 전극 패턴을 구성해야할 부분의 표면에 차광 부재(32)를 배치해서, 전극 표면으로 되는 표면을 부분적으로 차광하면서, 광을 조사해서 노광한다. 그 결과, 마스크(31)가 배치된 부분뿐만 아니 라, 전극 패턴 표면에 있어서도 미(未) 노광 부분이 생긴다. 이와 같은 상태의 전극 페이스트의 막을, 노광 마스크(31) 및 차광 부재(32)를 벗긴 후, 알칼리 수용액에 의해 현상해서, 미 노광 부분을 제거하면, 현상 후에는 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 마스크(31)로 덮어져 있던 부분에 대응하는 백층 및 흑층이 제거되어, 전극 패턴이 형성되는 동시에, 차광 부재(32)에 대응하는 부분이 오목부로 된 전극을 형성할 수 있다.
이 실시형태에 있어서는, 차광 부재(32)는 2개 배치되어, 각각 전극의 길이 방향(도면을 그린 지면의 앞에서 뒤로 꿰뚫고 나가는 방향)과 평행한 방향으로 연장되는 것과 같이 설치되어 있다. 따라서, 차광 부재(32)에 대응해서 형성되는 오목부는, 전극의 길이 방향을 따라 연장되는 홈부가 된다.
도 7(b)에 있어서, 오목부는, 백층(14c)(혹은 15c)에만 형성되어 있다. 다른 형태에 있어서, 오목부는, 백층(14c)(혹은 15c)을 관통해서, 흑층(14d)(혹은 15d)까지 이르는 깊이를 가지고 있어도 좋다. 다만, 오목부는, 흑층(14)을 관통해서, 기판에 이르는 것과 같은 깊이를 가지면 안 된다. 오목부의 깊이는, 백층 및 흑층의 두께에도 따르지만, 백층과 흑층을 합친 높이의 10%∼80%인 것이 바람직하고, 15%∼50%인 것이 더 바람직하다. 예를 들면, 오목부는, 바람직하게는 1∼8㎛의 깊이를 갖고, 더욱 바람직하게는 1.5∼5㎛의 깊이를 갖는다. 오목부가 얇으면, 전극 폭 방향 중앙부의 열 수축과, 전극 단부의 소성 시의 열 수축을 분리할 수 없고, 백층 표면부에서 백층 폭 방향 중앙부로 백층을 끌어당기는 힘이 발생하여, 전극 폭 방향 단부의 돌출이 생긴다. 또한, 오목부가 깊으면, 전극이 쉽게 흠(chip)이 지어, 전극 결함 불량이 쉽게 다발(多發)한다. 또한, 오목부의 깊이라는 것은, 백층의 표면(백층의 표면이 평탄하지 않을 때는 가장 높은 곳)과 오목부의 가장 깊은 곳과의 사이의, 두께 방향의 거리를 가리킨다.
이와 같은 깊이의 오목부를 얻기 위해서는, 차광부(32)는, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 전극의 폭 방향 단부와 차광 부재의 폭 방향의 단부와의 간격 L, 즉, 전극 패턴 폭 방향 단부로부터 차광 부재의 폭 방향 단부까지의 전극 폭 방향에 있어서의 거리 L이 1㎛≤L≤10㎛가 되도록 배치되는 것과, 차광 부재의 전극 폭 방향의 폭 T가 2㎛＜T＜10㎛인 것이 바람직하다. 간격 L은, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 통상적으로, 노광 마스크의 단부(전극의 단부에 일치함)와, 차광 부재의 단부와의 사이의, 전극 폭 방향에 평행한 방향에 있어서의 거리이다. 이와 같이, 차광 부재의 위치 및 폭을 선택함으로써, 전극의 결함 및 전극 성능을 손상할 정도의 큰 오목부를 생기게 하는 일 없이, 전극 폭 방향 중앙부와 단부의 소성 시의 열 수축을 분리해서 제어하는 것이 가능한, 적당한 깊이의 오목부를 형성할 수 있다.
도면에 있어서는, L 및 T가 상기 범위를 만족시키는 차광 부재(32)를 2개 설치해서, 전극의 길이 방향으로 평행하게 연장되는 오목부(홈부)를, 하나의 전극에 있어서 2개 설치하고 있다. 차광 부재의 수(즉, 오목부의 수)는, 2개로 한정되지 않고, 1개라도 좋고, 또는 3개 이상이라도 좋다. 차폐 부재(32)는, 노광 마스크(31)와 동일한 재료로 형성해서, 마스크의 일부로서 형성해도 좋다. 차폐 부재(32)는, 전극 페이스트에 접촉시켜도 좋고, 또는 접촉시키지 않아도 좋다.
노광 공정에 있어서는, 소정의 전극 패턴을 갖는 노광 마스크(네거티브 마스크)(31)를 이용한, 접촉 노광 및 비접촉 노광을 실시하는 것이 가능하다. 노광 광원(光源)으로서는, 할로겐 램프, 고압 수은등, 로저광, 메탈핼라이드 램프, 블랙 램프, 또는 무전극 램프 등을 이용할 수 있다. 노광량은, 50∼1000mJ/㎠ 정도가 바람직하다. 현상은, 탄산나트륨, 수산화나트륨, 수산화칼슘 수용액 등과 같은 금속 알칼리 수용액을 이용해서 스프레이법 또는 침지(浸漬)법으로 실시된다.
현상 후의 전극 상태를, 도 7(c)에 폭을 따라 절단한 단면도에 나타낸다. 전극의 높이 H는 1㎛∼50㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 전극의 폭 W는 10㎛∼500㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 전극의 높이 H가 1㎛ 미만, 또는 전극의 폭 W가 10㎛ 미만일 경우, 소성 후의 전기 저항이 높아지고, 버스 전극으로서 충분한 도전성을 얻을 수 없다. 또한, 폭 W가 10㎛ 미만이라면, 오목부를 형성하였을 경우에 전극이 쉽게 흠이 지게 되어, 전극 결함 불량이 쉽게 다발한다. 또한, 전극의 높이 H가 50㎛를 초과하거나, 또는 폭 W가 500㎛를 초과하면, 소성 후, 버스 전극(14b)(혹은 15b)과 전면 유리 기판(13)으로 형성되는 요철(오목)의 고저 차가 너무 커져 버려, 유전체 재료 페이스트를 균일한 두께로 도포하는 것이 곤란하게 된다.
이어서, 도 7(d) 및 도 7(e)은, 현상 후의 전극을, 예를 들면 400℃∼600℃ 정도에서 소성하는 경우에 생기는 열 수축의 상태를 나타낸다. 도 7(d)에 나타내는 전극은, 전극 표면에 오목부가 형성되어 있기 때문에, 전극 폭 방향 중앙부의 열 수축과, 전극 단부의 소성 시의 열 수축을 분리해서 제어하는 것이 가능하게 된다. 현상 후에 흑층이 남아있는 영역(4)에 있어서는, 백층과 흑층의 계면(界面)의 힘이 상쇄(相殺)되어, 백층 표면부에 유리 기판 방향의 합력(7)이 작용하지만, 오목부가 존재함으로써, 현상 시에 흑층이 깎여진 영역(5)의 전극 폭 방향 단부에 생기는 백층 내부를 향해서 수축하는 힘과의 합력으로는 되지 않는다. 따라서, 종래 방법으로 형성한 전극과 같이, 백층 표면부에서, 백층 폭 방향 중앙부로 백층을 끌어당기는 힘은 생기지 않는다. 그 결과, 전극 폭 방향 단부에서는, 위로 말리는 것이 발생하지 않고 백층 내부를 향하여 수축하기 때문에, 전극 폭 방향 단부의 돌출은 생기지 않거나, 또는 생긴다고 해도 조금뿐이다.
현상 시에 형성된 오목부는, 도전성 입자끼리 결착할 때에, 유리 프릿이 용융한 용융 유리에 의해, 서서히 메워진다. 오목부는, 최종적인 소성 완료 시에는, 거의 메워져서, 평탄한 전극 표면을 형성하거나, 또는 전극 표면에 얼마 안 되는 오목부를 부여한다(도 7(e)에 있어서의 부호 33).
이와 같이, 전극 패턴을 구성하는 전극 재료 페이스트의 표면을 부분적으로 차광하면서, 광을 조사해서 노광하고, 현상해서 전극 패턴을 형성함으로써, 현상 후에 전극 표면에 오목부를 만들 수 있다. 그 결과, 전극 폭 방향 중앙부와 전극 단부의 소성 시의 열 수축을 분리해서 제어하는 것이 가능하게 되어, 백층의 휨과 전극 폭 방향 단부의 돌출을 제어한 전극을 형성할 수 있는 동시에, 높은 절연 내압 성능을 갖는 PDP를 제공할 수 있다.
이어서, 실시예를 설명한다. 각각의 실시예 및 비교예에서는, 이하의 공통 조건 하에서, 샘플을 각각 100장씩 제작하였다. 공통 조건은 다음과 같다.
1) 버스 전극(14b, 15b)의 형상을, 도 7(c)에 나타내는 것과 같은 것으로 하여, 소성 후의 높이 H를 10㎛로 하고, 흑층의 두께를 2㎛로 하였다.
2) 백층의 전극 재료 페이스트는, 입자 지름 200nm∼1㎛의 은(Ag)의 도전성 입자, 유리 프릿, 감광성 수지 및 유기 바인더를 포함하는 수지 성분, 중합 개시제, 모노머 및 유기 용제를 혼합해서 조정하였다. 조성은 이하와 같이 하였다.
도전성 입자: 100질량부,
유리 프릿: 도전성 미립자 100질량부에 대하여 5질량부
감광성 수지 및 유기 바인더를 포함하는 수지 성분: 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 15질량부
중합 개시제: 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 2질량부
모노머: 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 35질량부
용제: 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 10질량부
3) 흑층의 전극 재료 페이스트는, 입자 지름 200nm∼300nm(0.2㎛∼0.3㎛)로, 비표면적이 4∼16㎡/g의 범위 내에 있는 사산화삼코발트(Co3O4) 흑색 무기 미립자, 유리 프릿, 감광성 수지 및 유기 바인더를 포함하는 수지 성분, 중합 개시제, 모노머 및 유기 용제를 혼합해서 조정하였다.
조성은 이하와 같이 하였다.
흑색 무기 미립자: 100질량부,
유리 프릿: 흑색 무기 미립자 100질량부에 대하여 50질량부
감광성 수지 및 유기 바인더를 포함하는 수지 성분: 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 30질량부
중합 개시제: 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 2질량부
모노머: 수지 성분의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 35질량부
용제: 페이스트 전체의 질량을 100질량부로 하였을 때, 이것에 대하여 10질량부
4) 유리 프릿으로서, 산화비스무트(Bi2O3), 산화붕소(B2O3), 산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 조성의 것을 사용하였다.
5) 감광성 수지로서, 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 카르복시기 함유 감광성 수지(불포화 카르복시산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 에틸렌성 불포화기를 펜던트로 하여 부가시킴으로써 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지)를 사용하였다.
6) 유기 바인더로서, 폴리비닐 알코올을 사용하였다.
7) 중합 개시제로서, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노 페닐)부탄-1-온 을 사용하였다.
8) 모노머로서, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트를 사용하였다.
9) 유기 용제로서, 디플로필렌글리콜 모노메틸 에테르를 사용하였다.
10) 차광 부재(32)는, 도 8에 나타내는 것과 같은, 전극 길이 방향과 평행한 방향으로 연속해서 연장되어 있는 부재로 하였다. 도 8에 있어서, 부호 31로 나타내는 요소는, 노광 마스크이다.
11) 노광 광원으로서, 메탈핼라이드 램프를 사용하고, 노광량은 200mJ/㎠로 하였다.
제1실시예 및 제2실시예에 있어서, 샘플은 버스 전극(14b, 15b)의 노광 시에, 차광 부재(32)와 전극 패턴 폭 방향 단부와의 전극 폭 방향의 간격 L과 차광 부재(32)의 전극 폭 방향의 폭을 각각 변화시켜서 제작하였다. 비교예에 있어서, 샘플은 차광 부재를 배치하지 않고 제작하였다.
(제1실시예)
제1실시예에서는, 도 7(c)에 나타내는 전극의 폭 W를 120㎛로 하였다. 차광 부재의 전극 패턴 폭 방향 단부로부터의 거리 L과 차광 부재의 전극 폭 방향의 폭 T를, L에 대해서는 0.5㎛∼18㎛, T에 대해서는 1㎛∼14㎛의 범위에서 변화시켜서 노광하여, 현상한 후, 600℃에서 소성해서, 버스 전극(14b, 15b)을 형성하였다. 샘플은 T 및 L의 1쌍의 조합마다 100장씩으로 하였다.
이어서, 버스 전극(14b, 15b)을 덮도록 유전체 재료 페이스트를 다이 코팅법으로 도포하여, 100℃에서 건조한 후, 600℃에서 소성하여, 50㎛ 두께의 유전체층을 형성하였다. 유전체 페이스트는, 산화비스무트(Bi2O3), 산화붕소(B2O3) 및 산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 유리 프릿과, 바인더 성분인 에틸 셀룰로오스와, 유기 용제인 부틸 카비톨 아세테이트를 배합하여 혼합한 것이다. 각 성분의 배합 비율은 다음과 같다.
유리 프릿: 60질량부
에틸 셀룰로오스: 10질량부
유기 용제: 30질량부
(제2실시예)
도 7(c)에 나타내는 전극의 폭 W를 40㎛로 하여, 제1실시예와 동일하게 해서 제작하였다.
(비교예)
전극 패턴을 구성하는 전극 재료 페이스트의 표면을 부분적으로 차광하는 일 없이, 광을 조사해서 노광하여, 제1실시예, 제2실시예와 동일하게 하여 제작하였다.
여기서, 도 9에 나타내는 소성 후의 전극 폭 방향 단부의 돌출 높이(양단(兩端)의 높이가 다를 경우에는 높은 쪽 단부의 높이) Te와, 전극의 폭 Wf를 3등분 해서 3개의 영역으로 나눴을 때의, 제일 가운데의 영역(폭 Wf/3)에서의 평균 높이 Tc와의 차를 돌출량 Ec로 정의하여, 제1실시예∼제2실시예 및 비교예에 의해 제작된 각각의 샘플의 돌출량을 측정하였다. 돌출량은, L 및 T의 조합마다, 10장을 임의로 선택하여, 그 중에서 최대치의 것으로 하였다. 제1실시예의 측정 결과를 표 1에, 제2실시예의 측정 결과를 표 2에, 비교예의 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
(표 1)
L(㎛)
0.5 1 2 4 6 8 10 12 14 16 18
T (㎛) 1 3.6 3.6 3.6 3.7 3.6 3.7 3.7 3.7 3.6 3.7 3.7
2 흠짐 1.5 1.6 1.8 1.9 2.0 2.0 2.5 2.8 3.5 3.6
4 흠짐 1.4 1.5 1.7 1.8 1.9 2.0 2.5 2.8 3.5 3.7
6 흠짐 1.3 1.3 1.5 1.8 1.9 2.0 2.4 2.7 3.5 3.7
8 흠짐 1.2 1.2 1.4 1.7 1.8 1.9 2.3 2.7 3.4 3.6
10 흠짐 1.1 1.1 1.3 1.6 1.8 1.8 2.2 2.7 3.4 3.7
12 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
14 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
(표 2)
L(㎛)
0.5 1 2 4 6 8 10 12 14 16 18
T (㎛) 1 3.6 3.6 3.6 3.7 3.7 3.7 3.7 3.7 3.7 3.7 3.7
2 흠짐 1.5 1.5 1.8 1.9 2.0 2.0 2.5 2.8 3.5 3.7
4 흠짐 1.4 1.4 1.6 1.9 1.9 2.0 2.5 2.8 3.5 3.7
6 흠짐 1.3 1.3 1.5 1.8 1.9 1.9 2.3 2.7 3.4 3.7
8 흠짐 1.2 1.2 1.4 1.7 1.8 1.9 2.3 2.7 3.4 3.7
10 흠짐 1.1 1.1 1.3 1.6 1.8 1.8 2.2 2.7 3.4 3.7
12 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
14 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
(표 3)
L(㎛)
O(차광부 없음)
T (㎛) O (차광부 없음) 3.7
표 1 및 표 2에서, "흠짐(chipped)"은 유전체층의 형성 중에 버스 전극이 흠이 생긴 것을 나타내고, "오목 대(大)"는, 소성 후의 버스 전극에 있어서, 차광 부재에 상당하는 오목부가 유리 프릿의 용융에 의해 충분히 메워지지 못하여, 전극 표면에 큰 오목부가 남아있었던 것을 나타낸다.
표 1∼표 3에 의해, 본 발명의 방법에 의하면, 노광 시의 부분적인 차광에 의해 형성하는 오목부의 효과에 의해서, 종래의 제조 방법으로 제조한 비교예보다 돌출량을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 특히, 전극 패턴 폭 방향 단부와 차광 부재의 폭 방향 단부와의 간격 L이 1㎛≤L≤10㎛이고, 차광 부재의 전극 폭 방향의 폭 T가 2㎛≤T≤10㎛의 범위에서, 돌출량이 2㎛ 이하라고 하는 양호한 효과를 얻을 수 있었다.
이어서, 제1실시예∼제2실시예 및 비교예의 샘플에 있어서, 실제의 점등(點燈)을 상정(想定)해서 평균 전류 50mA의 전류를 투입하는 점등 테스트를 실시하고, 그 때에 발생하는 스파크 불량의 발생률에 대해서 비교한 결과를 표 4에 나타낸다.
(표 4)
샘플 Ec(㎛) 스파크 불량률(%)
(비교예) 3.7 1.70
제1실시예 ∼제2실시예 3.5 1.65
3.4 1.60
2.5 1.21
2.2 1.15
1.9 0.80
1.5 0.60
1.1 0.50
표 4에 있어서, Ec=3.5의 샘플은, 제1실시예에 있어서의 L=16㎛, T=6㎛인 것 에 해당하고, Ec=3.4의 샘플은, 제1실시예에 있어서의 L=16㎛, T=10㎛인 것에 해당하고, Ec=2.5의 샘플은, 제1실시예에 있어서의 L=12㎛, T=4㎛인 것에 해당하고, Ec=2.2의 샘플은, 제1실시예에 있어서의 L=12㎛, T=10㎛인 것에 해당하고, Ec=1.9의 샘플은, 제1실시예에 있어서의 L=10㎛, T=8㎛인 것에 해당하고, Ec=1.5의 샘플은, 제1실시예에 있어서의 L=4㎛, T=6㎛인 것에 해당하고, Ec=1.1의 것은, 제1실시예에 있어서의 L=1㎛, T=10㎛인 것에 해당한다.
표 4에서, 본 발명의 방법에 의하면, 노광 시의 부분적인 차광에 의해 형성하는 오목부의 효과에 의해서, 돌출량을 저감할 수 있고, 그 결과, 스파크 불량을 저감할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 특히, 간격 L을 1㎛≤L≤10㎛로 하고, 폭 T를 2㎛≤T≤10㎛의 범위로 해서 제작한, 돌출량이 2㎛ 이하인 샘플에 대해서는, 스파크 불량률이 1% 이하라고 하는 결과를 얻었다. 이것은, 스파크 불량률 1.7%라고 하는 비교예에 비하여, 매우 양호한 결과를 나타내고 있다. 또한, 돌출량과 스파크 불량률의 관계를 나타내는 그래프를, 도 10으로 해서 나타낸다.
실시예 및 비교예의 각각의 샘플에 대하여, 도 9에 나타내는 소성 후의 전극 폭 방향 단부의 돌출의 가장 높은 위치(양쪽 단부 중 높은 쪽)로부터 전극 폭 방향으로 10㎛ 안쪽 위치에서의 높이 Ts를 측정하였다. 이 Ts와 Tc와의 차를 Tg로 하여, 제1실시예∼제2실시예 및 비교예에서 제작한 각각의 샘플의 Tg를 측정하였다. Tg는, L 및 T의 조합마다, 10장을 임의로 선택하여, 그 중에서 최대치의 것으로 하였다. 제1실시예의 측정 결과를 표 5에, 제2실시예의 측정 결과를 표 6에, 비교예의 측정 결과를 표 7에 나타낸다.
(표 5)
L(㎛)
0.5 1 2 4 6 8 10 12 14 16 18
T (㎛) 1 3.1 3.1 3.1 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2
2 흠짐 1.2 1.2 1.2 1.2 1.4 1.4 2.1 2.2 3.0 3.2
4 흠짐 0.6 0.6 0.6 0.6 0.7 0.8 2.1 2.2 3.0 3.2
6 흠짐 0.0 0.0 0.0 0.0 0.1 0.2 2.0 2.1 2.9 3.2
8 흠짐 -1.4 -1.4 -1.4 -1.4 -1.3 -1.2 2.0 2.1 2.9 3.2
10 흠짐 -0.2 -0.2 -0.2 -0.2 -0.3 -0.4 2.0 2.1 2.9 3.2
12 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
14 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
(표 6)
L
0.5 1 2 4 6 8 10 12 14 16 18
T (㎛) 1 3.1 3.1 3.1 3.1 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2
2 흠짐 1.2 1.2 1.2 1.2 1.3 1.4 2.1 2.2 3.0 3.2
4 흠짐 0.6 0.6 0.6 0.7 0.7 0.9 2.1 2.1 3.0 3.2
6 흠짐 0.0 0.0 0.0 0.1 0.1 0.2 2.1 2.1 3.0 3.2
8 흠짐 -1.4 -1.4 -1.4 -1.3 -1.3 -1.1 2.0 2.1 2.9 3.2
10 흠짐 -0.2 -0.2 -0.2 -0.3 -0.3 -0.4 2.0 2.1 2.9 3.2
12 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
14 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 흠짐 오목대 오목대 오목대
(표 7)
L(㎛)
O(차광부 없음)
T (㎛) O (차광부 없음) 3.2
표 5∼7에서, 본 발명의 방법에 의하면, 노광 시의 부분적인 차광에 의해 형성하는 오목부의 효과에 의해서, 종래 방법에 비하여 Tg를 작게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 이 Tg를 작게 할 수 있다는 것은, 전극 폭 방향 중앙부로부터 전극 폭 방향 단부까지의 전극 높이를 균일하게 할 수 있다는 것으로 된다. 돌출부가 커서 전극 폭 방향 중앙부로부터 전극 폭 방향 단부를 향해서의 전극 높이의 증가가 큰 비교예 샘플에 대하여, 본 발명의 방법에 의하면, 노광 시의 부분적인 차광에 의해 형성하는 오목부의 효과에 의해서, 전극 폭 방향 단부에 더욱 가까운 부분의 전극 높이를, 전극 폭 방향 중앙부의 전극 높이에 더욱 가깝게 하는 것이 가능해진다. 이와 같이 전극 폭 방향에서의 전극 높이가 더욱 일정한 전극을 형성함으로써, 방전면이 균일화 되게 되어, 더욱 안정된 방전 특성을 실현할 수 있게 된다.
또한, 전극 패턴 폭 방향 단부와 차광 부재의 폭 방향 단부와의 간격 L이, 1㎛≤L≤10㎛이고, 차광 부재의 전극 폭 방향의 폭 T가, 2㎛≤T≤10㎛를 만족시키도록 제작한 샘플에서는, Tg를 매우 작게(2㎛ 이하) 하는 것이 가능해져, 더욱 전극 폭 방향에서의 높이 변동이 작은 전극이 형성되어 있는 것을 알 수 있다.
본 발명의 PDP 제조 방법은, 2층 구조의 전극을 일괄해서 노광 및 현상하면서, 노광 시의 부분적 차광에 의해 전극에 형성하는 오목부에 의해서, 전극 폭 방향 단부의 돌출량을 저감할 수 있다. 이것에 의하여, 스파크 불량을 저감할 수 있으므로, 높은 절연 내압 성능을 갖는 PDP를 높은 수율로 제조할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제조 방법에 의해 제공되는 PDP는, 더한층 고정밀화와 저가격화에로의 대응이 가능한 PDP로서 유용하다.
도 1은 본 발명의 실시형태의 PDP의 구조를 나타내는 사시도.
도 2는 도 1의 PDP의 전면판의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 종래 방법에 의해 노광 및 현상해서 형성한 전극 단면을 나타내는 모식도.
도 4는 종래 방법에 의해 노광 및 현상해서 형성한 전극의 소성 시에 작용하는 힘의 모식도.
도 5는 종래 방법에 의해 노광 및 현상해서 형성한 전극의 소성 시에 작용하는 합력의 모식도.
도 6은 본 발명의 실시형태의 PDP의 제조 방법에 의한, 버스 전극의 형성 공정 흐름도.
도 7(a)는 도 6의 단계 S1의 공정 단면도.
도 7(b)는 도 6의 단계 S2의 공정 단면도.
도 7(c)는 도 6의 단계 S3의 공정 단면도.
도 7(d)는 도 6의 단계 S3의 공정 단면도.
도 7(e)는 도 6의 단계 S3의 공정 단면도.
도 8은 실시예에서 시용한 차광 부재를 나타내는 평면도.
도 9는 돌출량을 계측 방법을 설명하는 단면도.
도 10은 돌출량과 스파크 불량률의 관계를 나타내는 그래프.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
4: 현상 후의 흑층
5: 현상 시에 흑층이 깎여져 있는 영역
6: 상쇄되는 백층-흑층 간의 힘
7: 유리 기판 방향의 합력
8: 백층 내부를 향해서 수축하는 힘
9: 백층 표면부를 백층 폭 방향 중앙부에 끌어당기는 힘
12: 전면판 13: 전면 유리 기판
14: 주사 전극 14a, 15a: 투명 전극
14b, 15b: 버스 전극 14c, 15c: 백층
14d, 15d: 흑층 15: 유지 전극
16: 표시 전극 17: 블랙 스트라이프(차광층)
18: 유전체층 19: 보호층
20: 배면판 21: 배면 유리 기판
22: 어드레스 전극 23: 밑바탕 유전체층
24: 격벽 25: 형광체층
26: 방전 공간 31: 노광 마스크
32: 차광 부재 33: 오목부가 메워진 부분
100: 플라즈마 디스플레이 패널

Claims (7)

  1. 유리 기판 위에, 하층의 전극으로 되는 제1재료를 도포해서 제1층을 형성하여, 상기 제1층의 표면에 상층의 전극으로 되는 제2재료를 도포해서 제2층을 형성하고,
    전극을 형성하는 부분에, 상기 전극을 형성하는 부분의 표면의 일부를 차광(遮光)해서 광(光)을 조사(照射)함으로써 노광(露光)하고, 현상해서 전극을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,
    상기 전극을 형성하는 부분의 표면의 일부를 차광하는 차광 부재는, 전극의 폭 방향과 평행한 방향의 치수 T가 2㎛≤T≤10㎛이고,
    노광 후에 형성되는 전극의 상층 표면의 폭 방향 단부로부터 상기 차광 부재의 폭 방향 단부까지의 전극 폭 방향에서의 거리 L이 1㎛≤L≤10㎛이고,
    현상한 후의 전극 표면에, 상기 차광 부재에 대응하여 오목부가 형성된,
    플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차광 부재는, 전극 길이 방향과 평행한 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극은, 하측(下側)에 위치하는 흑층(黑層)과 상측(上側)에 위치하는 백층(白層)의 2층을 갖는, 전면판(前面板)을 구성하는 표시 전극에 포함되는 버스 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    전극의 한쪽 층을, 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 팔라듐(Pd)으로부터 선택되는 금속 또는 이들의 합금으로서 이루어지는 입자를, 도전성 미립자로서 적어도 1종 포함하는 전극 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    전극의 한쪽 층을, 사산화삼코발트(Co3O4) 미립자를 흑색 성분으로서 포함하는 전극 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    전극의 한쪽 층을, 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 철(Fe), 망간(Mn) 및 루테늄(Ru)으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속의 산화물을, 흑색 성분으로서 포함하는 전극 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 삭제
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781326B1 (ko) * 2006-11-24 2007-11-30 제일모직주식회사 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
JP4591478B2 (ja) * 2007-05-28 2010-12-01 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP5243469B2 (ja) * 2010-02-15 2013-07-24 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR20130019379A (ko) * 2010-03-31 2013-02-26 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 광경화성 조성물

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150856A (ja) 2000-11-07 2002-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極の製造方法
JP2003187709A (ja) 2001-12-14 2003-07-04 Nec Corp プラズマディスプレイパネル用バス電極の構造および形成方法
KR20050023839A (ko) * 2003-09-03 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 Ｐｄｐ용 버스 전극 및 그 형성방법
JP2005150109A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイパネルと、その製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3594392B2 (ja) * 1995-12-09 2004-11-24 東京応化工業株式会社 遮光膜形成用感光性樹脂組成物、これを用いたブラックマトリックス及びその製造方法
TW394915B (en) * 1998-07-13 2000-06-21 Acer Display Tech Inc A manufacturing method of front plate of plasma display panel
WO2001029859A1 (fr) * 1999-10-19 2001-04-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de realisation d'une electrode metallique
KR100891240B1 (ko) * 2000-08-30 2009-04-01 파나소닉 주식회사 플라즈마 디스플레이 표시장치 및 그 제조방법
US6670213B2 (en) * 2001-10-10 2003-12-30 Cambridge Display Technology Limited Method of preparing photoresponsive devices, and devices made thereby
KR100472375B1 (ko) * 2002-05-20 2005-02-21 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 광중합형 감광성 전극페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 제조방법
JP2004063247A (ja) 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2004143398A (ja) * 2002-08-29 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc ケイ酸亜鉛系蛍光体、ケイ酸亜鉛系蛍光体の製造方法およびプラズマディスプレイパネル
WO2004077484A1 (ja) * 2003-02-28 2004-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネル
KR100524302B1 (ko) * 2003-04-25 2005-10-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP2005026138A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルの製造方法
US7238463B2 (en) * 2005-04-18 2007-07-03 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Method for manufacturing electrodes of a plasma display panel
US7812538B2 (en) * 2005-07-08 2010-10-12 Lg Electronics Inc. Dielectric sheet, plasma display panel using the same, and manufacturing method therefor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150856A (ja) 2000-11-07 2002-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極の製造方法
JP2003187709A (ja) 2001-12-14 2003-07-04 Nec Corp プラズマディスプレイパネル用バス電極の構造および形成方法
KR20050023839A (ko) * 2003-09-03 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 Ｐｄｐ용 버스 전극 및 그 형성방법
JP2005150109A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Samsung Sdi Co Ltd プラズマディスプレイパネルと、その製造方法

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