KR100923302B1 - 자기 메모리 소자 - Google Patents
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Abstract
메탈라인(metal line)을 이용하여 정보의 쓰기와 읽기 기능을 구현한 자기 메모리 소자가 개시된다. 개시된 자기 메모리 소자는, 기판 상에서 자화방향이 스위칭되는 연속된 마그네틱 도메인이 형성되며, 나란하게 배치된 복수의 제1메탈라인과, 상기 제1메탈라인과 직교하게 배치되며, 상기 제1메탈라인을 감싸는 터널을 형성하는 복수의 제2메탈라인과, 상기 제1메탈라인에 연결되어 상기 마그네틱 도메인을 드래깅하는 전류를 공급하는 제1입력부와, 상기 제2메탈라인에 연결되어 상기 터널 내의 상기 마그네틱 도메인의 자화방향을 스위칭하는 전류를 인가하는 제2입력부와, 상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널을 통과하는 마그네틱 도메인 월에 의한 기전력을 센싱하는 센싱부를 구비한다. 이러한 자기 메모리 소자는, 기판 위에 메탈라인을 교차시킨 간단한 구조로서 제조가 간단하며, 유도 기전력의 발생 유무를 가지고 비트 정보를 인식하므로 정보의 기록과 재생의 정확도를 높일 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 자기 메모리 소자의 일부를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 두 개의 메모리 영역을 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 메모리에 기록된 마그네틱 도메인 드래깅이 제어되는 것을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 자기 메모리 소자의 일 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100,101,102: 제1메탈라인 110: 노치
200,201,202: 제2메탈라인 300,301,302: 플라스틱 기판
400,401,402: 절연층 500: 제1입력부
600: 제2입력부 700: 센싱부
본 발명은 자기 메모리 소자에 관한 것으로서, 특히 교차점을 형성하는 메탈라인(metal line)들을 이용하여 정보의 쓰기와 읽기 기능을 구현한 자기 메모리 소 자에 관한 것이다.
최근의 자기 메모리 소자는, MTJ(magnetic tunneling junction) 셀의 저항 변화 특성을 이용하여 정보를 기록하고 읽어내는 방식이 주류를 이루고 있다. 이것은 매우 얇은 절연층을 사이에 둔 두 자성막 간의 자기 분극 방향이 서로 같거나 다름에 따라 저항값이 달라지는 특성을 한다.
MTJ셀을 적층할 때 얇은 절연층이 아주 깨끗하게 만들어지지 않으면, "1"과 "0" 상태를 구분하기 위한 저항값의 차이, 즉 상,하부자성막의 자기 분극 방향에 따른 저항 차이가 별로 나지 않을 수 있다. 이것은 원래 MTJ셀 자체가 "0" 상태일 때와 "1" 상태일 때의 저항값 변화율이 40% 수준으로 밖에 만들어지지 않는 한계가 있으며, 절연층의 상태마저 좋지 않으면 저항값 변화율의 차이가 20~30% 정도로 줄어버리기 때문이다. 이렇게 되면 정보를 정확하게 읽어낼 수 없게 되며, 이 점이 MTJ셀을 이용한 소자의 상용화를 가로막는 결정적인 단점이 되고 있다.
또한 종래의 자성 메모리 소자는 하나의 메모리 영역에 1 비트 정보 만을 저장하므로 대용량의 자성 메모리 소자의 제조가 어렵다.
따라서, 이러한 단점들을 해소할 수 있는 새로운 방식의 자기 메모리 소자가 요구되고 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 간소화된 구조를 가지면서도, 정확한 정보의 기록과 재생을 보장할 수 있으며, 멀티 비트 정보를 저장하는 새로운 방식의 자기 메모리 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 실시예에 따른 자기 메모리 소자는:
기판 상에서 자화방향이 스위칭되는 연속된 마그네틱 도메인이 형성되며, 나란하게 배치된 복수의 제1메탈라인;
상기 기판 상에서 상기 제1메탈라인과 직교하게 배치되며, 상기 제1메탈라인을 감싸는 터널을 형성하는 복수의 제2메탈라인;
상기 제1메탈라인에 연결되어서 상기 마그네틱 도메인을 드래깅하는 전류를 공급하는 제1입력부;
상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널 내의 상기 마그네틱 도메인의 자화방향을 스위칭하는 전류를 인가하는 제2입력부; 및
상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널을 통과하는 마그네틱 도메인 월에 의한 기전력을 센싱하는 센싱부;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 기판은 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 제1메탈라인과 제2메탈라인 사이에는 절연층이 개재된 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 제1메탈라인은 핀(fin) 형상의 강자성체이다.
본 발명에 따르면,
상기 제1메탈라인에서 상기 하나의 터널로부터 다른 터널 사이의 영역은 하나의 메모리 영역이며,
상기 각 메모리 영역에는 n개의 마그네틱 도메인이 형성된다.
상기 각 메모리 영역은 상기 터널 하부에 위치하면서, 기준되는 자화방향을 가진 제1 마그네틱 도메인을 포함하며,
제 i+1 마그네틱 도메인은 제 i 마그네틱 도메인과의 자화방향이 동일한 지 또는 반대인 지에 따라 "0" 또는 "1" 정보가 기록될 수 있다.
또한, 상기 제1메탈라인의 단에는 상기 메모리 영역의 마그네틱 도메인의 드래깅을 제어하도록 상기 메모리 영역에 대응되는 n개의 마그네틱 도메인과 상기 n 개의 마그네틱 도메인들 사이에 각각 마그네틱 도메인 월이 형성되며,
상기 제1메탈라인의 단에는 상기 마그네틱 도메인 월을 정지시키는 마그네틱 도메인 월 스토퍼가 형성되는 것이 바람직하다
상기 마그네틱 도메인 월 스토퍼는 마그네틱 도메인들 사이에 형성된 노치일 수 있다.
상기 제1 마그네틱 도메인은 상기 터널 하부에 형성될 수 있다.
상기 제1메탈라인에는 다른 제1메탈라인에 정보를 기록시 임시로 자화방향을 변경하는 더미 마그네틱 도메인이 형성될 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 실시예에 따른 자기 메모리 소자는:
복수의 기판이 적층되어 있으며,
각 기판 상에는 자기 메모리 소자가 형성되며, 각 자기 메모리 소자는:
자화방향이 스위칭되는 연속된 마그네틱 도메인이 형성되며, 나란하게 배치된 복수의 제1메탈라인;
상기 제1메탈라인과 직교하게 배치되며, 상기 제1메탈라인을 감싸는 터널을 형성하는 복수의 제2메탈라인;
상기 제1메탈라인에 연결되어서 상기 마그네틱 도메인을 드래깅하는 전류를 공급하는 제1입력부;
상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널 내의 상기 마그네틱 도메인의 자화방향을 스위칭하는 전류를 인가하는 제2입력부; 및
상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널을 통과하는 마그네틱 도메인 월에 의한 기전력을 센싱하는 센싱부;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 안 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 자기 메모리 소자의 일부를 도시한 사시도이다. 도 1 을 참조하면 본 발명의 자기 메모리 소자는, 플라스틱 기판(300) 위에 서로 교차하도록 배열된 다수의 제1,2메탈라인(100)(200)을 구비하고 있다. 이들의 교차점(cross point)은, 제2메탈라인(200)이 터널처럼 융기되어 있고, 제1메탈라인(100)이 그 융기된 터널 속을 통과하는 모양으로 형성되어 있다. 본 소자는, 바로 이 교차점에서의 자속 변화를 감지함으로써 정보를 읽어내는 것을 기본 원리로 한다. 이것은 마치 원형 코일 속을 자석이 들락날락할 경우 자속의 변화에 따라 기전력이 유도되는 현상을 응용한 것으로, 여기서는 제1메탈라인(100)이 자석의 역할을, 제2메탈라인(200)이 코일의 역할을 하는 셈이 된다.
제1메탈라인(100)은 자석의 역할을 하기 때문에 기본적으로 CoFe나 NiFe와 같은 강자성체가 채용되며, 마그네틱 도메인(magnetic domain)의 형성과 이동(dragging)이 용이하도록 얇은 핀(fin) 형상으로 구성되는 것이 바람직하다.
그리고, 제2메탈라인(200)은 일반적인 도체인 금속 재료가 사용될 수 있으며, 제1,2메탈라인(100)(200) 사이에는 제1메탈라인(100)으로 인가된 펄스 전압이나 전류가 제2메탈라인(200)으로 빠지지 않도록 절연시켜주는 절연층(400)이 형성되어 있다.
도 2는 두 개의 메모리 영역을 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 제1메모리 영역(M1)에는 4개의 마그네틱 도메인(D1~D4)이 형성되어 있으며, 제2메모리 영역(M2)에는 4개의 마그네틱 도메인(D5~D8)이 형성되어 있다. D1 및 D5는 기준 마그네틱 도메인이다. 제2메탈라인의 폭(W)은 기준 마그네틱 도메인의 길이(L) 보다 짧게 형성되어 있다. 기준 마그네틱 도메인은 터널 하부(내부)에 배치된다.
각 기준 마그네틱 도메인의 자화방향은 동일한 것이 바람직하다. 제1메모리 영역(M1)에는 자화방향이 다른 도메인 D1 및 D2 사이에 마그네틱 도메인 월(DW)이 형성되어 있으며, 제2메모리 영역(M2)에는 D5 및 D6, D7 및 D8 사이에 각각 마그네틱 도메인 월(DW)이 형성되어 있다.
참조번호 500은 제1메탈라인(100)에 마그네틱 도메인 전류를 공급하는 제1공급부이며, 참조번호 600은 제2메탈라인(200)에 상기 터널 내의 마그네틱 도메인의 자화방향을 스위칭하는 전류를 인가하는 제2입력부이며, 참조번호 700은 제2메탈라인(300)에 연결되어서 상기 터널을 통과하는 마그네틱 도메인 월(DW)에 의한 기전력을 센싱하는 센싱부, 예컨대 전압계이다.
제1공급부(500)를 통해서 제1메탈라인(100)에 포지티브 드래깅 펄스 전류를 인가하면, 마그네틱 도메인들은 화살표 A 방향으로 이동하며, 이 때 제2메탈라인(200)에는 마그네틱 도메인 월(DW)이 들어올 때 생기는 자속의 변화로 기전력이 발생된다.
D2 영역의 자화방향이 기준영역(D1)의 자화방향과 다른 경우, M1 메모리 영역에서는 자속이 변하며, 이러한 자속의 변화는 M1 메모리 영역과 연결된 제2메탈라인(200)에 연결된 전압계(700)에 기전력을 일으키며, 이러한 기전력 변화로 정보 "1"을 읽을 수 있게 된다. 다시 한번, 포지티브 전류가 제1메탈라인에 인가되면, 새로운 기준 자화방향이 되는 D2와 비교하여 D3 의 자화방향은 동일하므로 기전력이 발생되지 않으며 따라서 정보 "0"으로 읽힐 수 있다.
도 3은 본 발명의 메모리에 기록된 마그네틱 도메인 드래깅이 제어되는 것을 설명하는 도면이다.
상기 제1메탈라인(100)의 일단에는 하나의 메모리 영역에 해당하는 영역에 저장되는 정보의 수와 같은 수의 마그네틱 도메인 월(DW)이 형성되어 있다. 예컨대 도 2에는 하나의 메모리 영역에 4개의 마그네틱 도메인이 형성되어 있으며, 실제로 정보가 저장되는 영역은 3개의 마그네틱 도메인이다. 따라서, 도 3에는 3개의 마그네틱 도메인 월(DW)이 형성되어 있다.
상기 각 마그네틱 도메인 월(DW)에는 마그네틱 도메인 월(DW)을 정지시키는 마그네틱 도메인 월 스토퍼가 형성되어 있다. 도 3에서는 마주보는 한 쌍의 노치(110)가 마그네틱 도메인 월 스토퍼이다. 제1공급부(500)를 통해서 상기 제1메탈라인(100)에 소정의 임계전류 이상으로 드래깅 펄스 전류가 흐를 때 마그네틱 도메인 월(DW)이 상기 노치(110)를 통과하여 이어지는 마그네틱 도메인 월(DW)에서 정지한다. 이러한 노치(110)는 하나의 마그네틱 도메인에 해당되는 거리 만큼만 드래깅될 수 있게 한다.
기록 모드에서는 제1메탈라인(100)에 포지티브 또는 네거티브 드래깅 전류를 인가하여 메모리 영역의 마그네틱 도메인이 제2메탈라인(200)의 하부에 오도록 정한다. 이어서, 제2메탈라인(200)에 전류를 인가하여 마그네틱 도메인의 자화방향을 반전시킨다. 하나의 메모리 영역의 어드레싱은 드래깅 전류가 인가된 제1메탈라인(100)과, 쓰기용 전류가 인가되는 제2메탈라인(200)이 교차되는 메모리 영역이 어드레싱되며, 상기 쓰기 전류가 인가된 제2메탈라인(200)이 지나가는 다른 제1메탈라인(100)의 마그네틱 도메인의 영역의 자화방향은 바뀌지 않도록 각 제1메탈라인(100)의 더미 마그네틱 도메인(미도시)을 형성할 수 도 있다. 이러한 더미 마그네 틱 영역은 다른 마그네틱 도메인에 영향을 주지 않도록 제1메탈라인(100)의 단에 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 메모리 구조는 플라스틱 기판(300) 위에 반도체 제조공정과 같이 메탈라인(100)(200)의 패턴을 노광, 식각 등의 포토-리소그래피(photo-lithography) 과정을 통해 제조될 수 있다.
본 발명에서는 기존의 MTJ셀을 이용하는 것처럼 상대적으로 전압이 클 때와 작을 때의 미소한 차이로 정보를 인식하는 것이 아니라, 극명한 기전력의 유무 차이를 가지고 정보를 인식하는 것이기 때문에, 정보의 기록과 재생의 정확도가 상당히 높아질 수 있다.
또한, 하나의 메모리 영역에 형성되는 데이터 저장을 위한 마그네틱 도메인의 수 만큼의 비트 정보를 저장할 수 있으므로, 멀티비트 메모리 소자의 구현이 가능해진다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 자기 메모리 소자의 일 단면도이며, 제1 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 제1기판(301) 상에 제1메탈라인(101) 및 제2메탈라인(201)이 형성되어 있으며, 제1메탈라인(101) 및 제2메탈라인(201) 사이에는 절연층(401)이 형성되어 있다. 그리고, 제2메탈라인(201) 상에는 제2기판(302)이 형성되어 있다. 제2기판(302) 상에는 제1메탈라인(102) 및 제2메탈라인(202) 사이에는 절연층(402)이 형성되어 있다. 상기 제1기판(301) 및 제2기판(302)은 플라스틱 기판일 수 있다.
종래의 실리콘 기판을 이용하는 의 MTJ셀 구조에 비해 본 발명의 메모리 소자는 단위면적당 메모리 용량을 늘일 수 있는 특징이 된다. 즉, 종래의 실리콘 기판을 이용하는 경우에는, 실리콘 기판을 단결정으로 성장시켜야 하는데, 일단 한 층으로 만들어진 단위 소자 위에서는 여러 불순물의 영향을 받기 때문에 다시 실리콘 기판을 단결정으로 성장시키기가 어렵다. 반면에 본 발명에서는 일반 플라스틱 기판 위에 메탈라인을 형성한 것이기 때문에, 기판의 조건에 제약이 거의 없어서 적층구조의 메모리 소자를 용이하게 제조할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 자기 메모리 소자는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 플라스틱 기판 위에 메탈라인을 교차시킨 간단한 구조로서, 제조가 간단하며, 특히 적층구조를 형성함으로써 단위면적당 메모리 용량을 증가시킬 수 있다.
둘째, 유도 기전력의 발생 유무를 가지고 비트 정보를 인식하므로, 정보의 재생의 정확도를 높일 수 있다.
셋째, 하나의 메모리 영역에 멀티 비트 정보를 저장할 수 있으므로, 기존에 비해 저장용량이 크게 증가된다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
Claims (20)
- 기판 상에서 자화방향이 스위칭되는 연속된 마그네틱 도메인이 형성되며, 나란하게 배치된 복수의 제1메탈라인;상기 기판 상에서 상기 제1메탈라인과 직교하게 배치되며, 상기 제1메탈라인을 감싸는 터널을 형성하는 복수의 제2메탈라인;상기 제1메탈라인에 연결되어서 상기 마그네틱 도메인을 드래깅하는 전류를 공급하는 제1입력부;상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널 내의 상기 마그네틱 도메인의 자화방향을 스위칭하는 전류를 인가하는 제2입력부;상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널을 통과하는 마그네틱 도메인 월에 의한 기전력을 센싱하는 센싱부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1메탈라인과 제2메탈라인 사이에는 절연층이 개재된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1메탈라인은 핀(fin) 형상의 강자성체인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1메탈라인에서 상기 하나의 터널로부터 다른 터널 사이의 영역은 하나의 메모리 영역이며,상기 각 메모리 영역에는 n개의 마그네틱 도메인이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 각 메모리영역에는 상기 터널 하부에 위치하면서, 기준되는 자화방향을 가진 제1 마그네틱 도메인을 포함하며,제 i+1 마그네틱 도메인은 제 i 마그네틱 도메인과의 자화방향이 동일한 지 또는 반대인 지에 따라 "0" 또는 "1" 정보가 기록되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1메탈라인의 단에는 상기 메모리 영역의 마그네틱 도메인의 드래깅을 제어하도록 상기 메모리 영역에 대응되는 n 개의 마그네틱 도메인과 상기 n 개의 마그네틱 도메인들 사이에 각각 마그네틱 도메인 월이 형성되며,상기 제1메탈라인에는 상기 마그네틱 도메인 월을 정지시키는 마그네틱 도메인 월 스토퍼가 형성된 것을 특징으로 자기 메모리 소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 마그네틱 도메인 월 스토퍼는 마그네틱 도메인들 사이에 형성된 노치인 것을 특징으로 자기 메모리 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1마그네틱 도메인은 상기 터널 하부에 형성된 것을 특징으로 자기 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1메탈라인에는 다른 제1메탈라인에 정보를 기록시 임시로 자화방향을 변경하는 더미 마그네틱 도메인이 형성된 것을 특징으로 자기 메모리 소자.
- 복수의 기판이 적층되어 있으며,각 기판 상에는 자기 메모리 소자가 형성되며, 각 자기 메모리 소자는:자화방향이 스위칭되는 연속된 마그네틱 도메인이 형성되며, 나란하게 배치된 복수의 제1메탈라인;상기 제1메탈라인과 직교하게 배치되며, 상기 제1메탈라인을 감싸는 터널을 형성하는 복수의 제2메탈라인;상기 제1메탈라인에 연결되어서 상기 마그네틱 도메인을 드래깅하는 전류를 공급하는 제1입력부;상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널 내의 상기 마그네틱 도메인의 자화방향을 스위칭하는 전류를 인가하는 제2입력부; 및상기 제2메탈라인에 연결되어서 상기 터널을 통과하는 마그네틱 도메인 월에 의한 기전력을 센싱하는 센싱부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제1메탈라인과 제2메탈라인 사이에는 절연층이 개재된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제1메탈라인은 핀(fin) 형상의 강자성체인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제1메탈라인에서 상기 하나의 터널로부터 다른 터널 사이의 영역은 하나의 메모리 영역이며,상기 각 메모리 영역에는 n개의 마그네틱 도메인이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 각 메모리 영역에는 상기 터널 하부에 위치하면서, 기준되는 자화방향을 가진 제1 마그네틱 도메인을 포함하며,제 i+1 마그네틱 도메인은 제 i 마그네틱 도메인과의 자화방향이 동일한 지 또는 반대인 지에 따라 "0" 또는 "1" 정보가 기록되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 제1메탈라인의 단에는 상기 메모리 영역의 마그네틱 도메인의 드래깅을 제어하도록 상기 메모리 영역에 대응되는 n 개의 마그네틱 도메인과 상기 n 개의 마그네틱 도메인들 사이에 각각 마그네틱 도메인 월이 형성되며,상기 제1메탈라인의 단에는 상기 마그네틱 도메인 월을 정지시키는 마그네틱 도메인 월 스토퍼가 형성된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 마그네틱 도메인 월 스토퍼는 마그네틱 도메인들 사이에 형성된 노치인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 제1마그네틱 도메인은 상기 터널 하부에 형성된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제1메탈라인에는 다른 제1메탈라인에 정보를 기록시 임시로 자화방향을 변경하는 더미 마그네틱 도메인이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자.
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