KR100922475B1 - 압전 박막 공진기 및 필터 - Google Patents
압전 박막 공진기 및 필터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100922475B1 KR100922475B1 KR20070131456A KR20070131456A KR100922475B1 KR 100922475 B1 KR100922475 B1 KR 100922475B1 KR 20070131456 A KR20070131456 A KR 20070131456A KR 20070131456 A KR20070131456 A KR 20070131456A KR 100922475 B1 KR100922475 B1 KR 100922475B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lower electrode
- region
- piezoelectric film
- film
- piezoelectric
- Prior art date
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
스퓨리어스를 억제하는 것이 가능한 압전 박막 공진기 및 필터를 제공한다. 본 발명은, 기판(41)의 공극(46) 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극(43)과, 하부 전극 상에 형성된 압전막(44)과, 압전막을 사이에 두고 하부 전극과 대향하는 공진 영역(50)을 갖도록 압전막 상에 형성된 상부 전극(45)과, 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고 파동이 통과하는 지지 영역(52)과, 지지 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동을 차단하는 주변 영역(54)을 구비하는 압전 박막 공진기 및 필터이다.
공극, 파동, 압전막, 기판, 질량 부가막, 스퓨리어스
Description
본 발명은, 압전 박막 공진기 및 필터에 관한 것으로, 특히, 압전막을 사이에 두고 상부 전극과 하부 전극이 대향하는 공진 영역 하에 공극을 갖는 압전 박막 공진기 및 필터에 관한 것이다.
휴대 전화에 대표되는 무선 기기의 급속한 보급에 의해, 소형이며 경량의 공진기 및 이를 조합하여 구성한 필터의 수요가 증대하고 있다. 지금까지는 주로 유전체와 표면 탄성파(SAW) 필터가 사용되어 왔지만, 최근에는, 특히 고주파에서의 특성이 양호하며, 또한 소형화와 모노리식화가 가능한 소자인 압전 박막 공진기 및 이를 이용하여 구성된 필터가 주목받고 있다.
이러한 압전 박막 공진기의 하나로서, FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)타입의 공진기가 알려져 있다. FBAR은, 기판 상에, 상부 전극과 압전막과 하부 전극과의 적층 구조체를 갖고, 상부 전극과 하부 전극이 대향하는 부분의 하부 전극 하에는 진동 에너지의 기판에의 산일을 방지하기 위해서 비어 홀 혹은 캐비티(공극)를 갖고 있다. 또한, 하부 전극 하에 유전체막을 개재하여 공극이 형성되는 경우도 있다. 비어 홀은 소자 기판으로서 이용되는 예를 들면 Si 기판을 이면으로부 터 에칭함으로써 형성되고, 캐비티는 기판 표면의 희생층 패턴 상에 복합막 등의 공진자를 형성하고, 마지막으로 희생층을 제거함으로써 형성된다. 공극으로서 비어 홀 및 캐비티를 갖는 압전 박막 공진기를 이하에서는 각각 비어홀 타입 및 캐비티 타입이라고 부른다.
상부 전극과 하부 전극 사이에 고주파의 전기 신호를 인가하면, 상부 전극과 하부 전극 사이에 두어진 압전막 내부에, 역압전 효과에 의해 여진되는 탄성파나 압전 효과에 기인하는 왜곡에 의해 생기는 탄성파가 발생한다. 그리고, 이들 탄성파가 전기 신호로 변환된다. 이러한 탄성파는, 상부 전극 및 하부 전극이 각각 공기에 접하고 있는 면에서 전반사되기 때문에, 두께 방향으로 주변위를 갖는 두께 세로 진동파로 된다. 이 소자 구조에서는, 공극 상에 형성된 상부 전극, 압전막 및 하부 전극으로 이루어지는 적층 구조체의 합계 막 두께 H가, 탄성파의 1/2파장의 정수배(n배)로 되는 주파수에서 공진이 일어난다. 탄성파의 전반 속도 V는 재료에 의해 정해져, 공진 주파수 F는 F=nV/2H로 공급된다. 이러한 공진 현상을 이용하면 막 두께를 파라미터로 하여 공진 주파수를 제어하는 것이 가능하며, 원하는 주파수 특성을 갖는 공진기나 필터를 제작할 수 있다.
상부 전극 및 하부 전극으로서는, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티탄(Ti) 등의 금속 재료 혹은 이들 금속을 조합한 적층 재료를 이용할 수 있다. 또한, 압전막으로서는, 질화 알루미늄(AlN), 산화 아연(ZnO), 티탄산 지르콘산 납(PZT), 티탄산납(PbTiO3) 등을 이용할 수 있다. 특히, 성막 시에 (002) 방향으로 배향축을 갖는 질화 알루미늄(AlN) 및 산화 아연(ZnO)은 압전막에 바람직하다. 기판으로서는, 실리콘(Si), 글래스, 비소화 갈륨(GaAs) 등을 이용할 수 있다.
도 1은, 비특허 문헌1에 개시되어 있는 비어홀 타입의 압전 박막 공진기를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하여, 열산화막(SiO2)(12)을 갖는 (100) Si 기판(11) 상에, 하부 전극(13)로서 Au-Cr막, 압전막(14)으로서 ZnO막 및 상부 전극(15)으로서 Al막이 적층 구조체를 형성하고 있다. 적층 구조체의 하방에는 공극(비어 홀)(16)이 형성되어 있다. 공극(16)은, (100) Si 기판(11)의 이면측으로부터, KOH 수용액 혹은 EDP 수용액(에틸렌 디아민과 피로카테콜과 물의 혼합액)을 이용한 이방성 에칭을 이용하여 형성되어 있다.
도 2는, 특허 문헌1에 개시되어 있는 캐비티 타입의 압전 박막 공진기를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2를 참조하여, 열산화막(SiO2)(22)을 갖는 기판(21) 상에, 하부 전극(23), 압전막(24) 및 상부 전극(25)이 형성되는 적층 구조체가 형성되어 있다. 적층 구조체의 하방에는 공극(캐비티)(26)이 형성되어 있다. 공극(26)은, 기판(21) 상에, 미리 아일런드(섬) 형상의 ZnO의 희생층 패턴을 형성해 두고, 희생층 패턴 상에 적층 구조체를 형성하고, 적층 구조체의 하방에 있는 희생층을 예를 들면 산 등의 에칭액에 의해 제거함으로써 형성된다.
이들 압전 박막 공진기에서, 압전막(14, 24)을 사이에 두고 하부 전극(13, 23)과 상부 전극(15, 25)이 대향하는 영역이 공진 영역이다. 진동 에너지를 공진 영역 내에 가두어 둠으로써, 높은 퀄리티 팩터 Q가 실현된다. 예를 들면 특허 문헌2에는, 가로 방향으로 전반하는 탄성파에 의한 에너지 손실을 저감하여 퀄리티 팩터 Q를 향상시키는 기술이 개시되어 있다. 도 3은 특허 문헌2에 기재된 압전 박막 공진기의 단면을 도시하는 도면이다. 기판(31) 상에 공극(36)을 개재하여 하부 전극(33)이 형성되어 있다. 하부 전극(33) 상에 압전막(34)이 형성되어 있다. 압전막(34) 상에 상부 전극(35)이 형성되어 있다. 압전막(34)을 사이에 두고 하부 전극(33)과 상부 전극(35)이 대향하는 영역이 공진 영역(50)이다. 공진 영역(50)의 주변에는 지지 영역(52), 지지 영역(52)의 주변에는 주변 영역(54)이 형성되어 있다. 지지 영역(52)은 공극(36)에 하부 전극(33)과 압전막(34)으로 구성되어 있다. 주변 영역(54)은 기판(31), 하부 전극(33) 및 압전막(34)으로 구성되어 있다. 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)의 폭 L을, 가로 방향으로 통과하는 탄성파의 파장의 1/4로 한다. 이에 의해, 공진 영역(50)에 가로 방향의 탄성파를 공진 영역(50)에 가두어 두고, 퀄리티 팩터 Q를 향상시킬 수 있다.
[특허 문헌1] 일본 특개소 60-189307호 공보
[특허 문헌2] 일본 특개 2002-223144호 공보
[비특허 문헌1] Electron.Lett., 1981년, 17권, 507-509 페이지
그러나, 특허 문헌2에 따른 공진기에서는, 공진 주파수보다 낮은 주파수에서, 스퓨리어스(불필요 응답)가 생긴다. 도 4는 스퓨리어스가 생긴 공진기의 스미 스차트를 도시하는 도면이다. 공진점보다 주파수가 낮은 영역에서 스퓨리어스가 생기고 있다. 스퓨리어스가 생긴 공진기를 도 5의 래더형 필터에 이용한 경우에 대해 설명한다. 도 5를 참조하여, 입력 단자 In과 출력 단자 Out 사이에, 직렬로 직렬 공진기 S1부터 Sn이 접속되고, 그라운드와의 사이에 병렬로 병렬 공진기 P1로부터 Pn이 접속되어 있다. 도 6은 스퓨리어스가 생긴 공진기를 래더형 필터에 이용한 경우의 주파수에 대한 감쇠량을 도시한 도면이다. 통과 특성의 저주파수측 A에 스퓨리어스에 기인한 특성 열화가 나타난다. 이와 같이, 공진기에서는 스퓨리어스를 억제하는 것이 중요하다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 스퓨리어스를 억제하는 것이 가능한 압전 박막 공진기 및 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과, 상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고 상기 파동이 통과하는 지지 영역과, 상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 파동을 차단하는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기이다. 본 발명에 따르면, 지지 영역이 가로 방향으로 전반하는 파동이 통과하는 영역이며 또한 지지 영역의 폭이 상기 파동의 파장의 1/2 부근이기 때문에, 공진 영역의 끝부의 진동이 억제되지 않는다. 이에 의해, 열적인 에너지의 손실이 억제되어, 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과, 상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고, 상기 공극 상의 상기 하부 전극과 상기 압전막으로 이루어지는 지지 영역과, 상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 기판과 상기 하부 전극과 상기 압전막으로 이루어지는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기이다. 본 발명에 따르면, 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과, 상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 상부 전극으로 이루어지는 지지 영역과, 상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 기판과 상기 압전막과 상기 상부 전극으로 이루어지는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기이다. 본 발명에 따르면, 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전 극과, 상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 어느 한쪽으로 이루어지는 지지 영역과, 상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막으로 이루어지는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기이다. 본 발명에 따르면, 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과, 상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 어느 한쪽으로 이루어지는 지지 영역과, 상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 상기 한쪽과 질량 부가막으로 이루어지는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기이다. 본 발명에 따르면, 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 지지 영역의 폭은, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 이상 또한 0.65배 이하인 구성으로 할 수 있다. 또한, 상기 구성에서, 상기 질량 부가막은 금속막 또는 절연막인 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에서, 상기 지지 영역의 폭은, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.5배인 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 따르면, 공진 영역의 끝부의 진동 을 한층 억제하여, 스퓨리어스를 한층 억제할 수 있다.
본 발명은 상기 압전 박막 공진기를 갖는 필터이다. 본 발명에 따르면, 필터를 구성하는 공진기의 스퓨리어스를 억제할 수 있기 때문에, 통과 특성 등의 필터의 특성을 개선할 수 있다.
본 발명에 따르면, 지지 영역이 가로 방향으로 전반하는 파동이 통과하는 영역이며 또한 지지 영역의 폭이 상기 파동의 파장의 1/2 부근이기 때문에, 공진 영역의 끝부의 진동이 억제되지 않는다. 이에 의해, 열적인 에너지의 손실이 억제되어, 스퓨리어스를 억제할 수 있다.
우선, 본 발명의 원리에 대해서 설명한다. 도 7은, 도 3의 공진기에서의 탄성파의 진동 모드의 분산 특성을 도시하는 모식도이다. 종축은 여진 주파수, 횡축은 각 진동 모드의 가로 방향으로의 탄성파의 진동의 전반 상수를 파수 k로 나타내고 있다. AlN(질화 알루미늄)과 같이 푸아송비가 1/3 이하인 재료를 압전막으로서 이용한 경우, 주모드로 되는 두께 세로 진동은 TE1 모드이며, TE1 모드의 분산 곡선을 실선으로 나타내고 있다. TE1 모드의 분산 곡선이 주파수축과 교차하는 점은 차단 주파수이며, 공진자의 공진 주파수와 거의 일치한다. 그 외의 진동 모드 TE0, TS0, TS1 및 TS2 모드는 파선으로 나타내고 있다.
도 8은 도 7의 TE1 모드의 분산 곡선의 차단 주파수 근방을 확대한 것이다. 공진 영역(50)의 폭을 d로 하면, 파수 k가 2π/d, 2π/(d/2), 2π/(d/3), …, 2π /(d/n)(n은 정수)으로 되는 k1, k2, k3에서의 주파수 ω1, ω2, ω3, …, ωn으로 공진기를 여진하면, 공진 영역(50)에는 각각 1차, 2차, 3차, …, n차의 정재파(51)가 발생한다. 이들 정재파(51)은 공진 영역(50)의 끝부에서 변위를 갖지 않고, 지지 영역(52)의 폭에 상관없이 손실이 적은 진동을 실현할 수 있다. 그러나, 파수 k1, k2, k3, … 사이의 파수 k1', k2', k3', …에서는, 공진 영역(50)의 끝부에서 변위를 갖는다. 예를 들면, 지지 영역(52)의 폭 L을 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 1/4에 일치시켰던 경우, 지지 영역(52)에서 가로 방향으로 전반하는 파동은 억제된다. 이에 의해, 공진 영역(50)의 끝부에서의 파동의 진폭은 강제적으로 억제되게 된다. 이에 의해, 파수 k1', k2', k3', …에 대응하는 탄성파는 공진 영역(50)의 끝부에서 열적인 손실을 발생한다. 이 열적으로 생긴 손실에 기인하여, 파수 k1', k2', k3', …에 대응하는 주파수역에 스퓨리어스가 생긴다.
도 3에서, 지지 영역(52)의 폭 L을 가로 방향으로 전반하는 탄성파의 파장의 1/2로 하면, 지지 영역(52)에서의 탄성파의 진폭은 강하게 여진되는 공진 상태로 된다. 이 경우, 공진 영역(50)의 끝부에서 진폭을 갖는 파동(도 8의 k1', k2', k3', …의 탄성파)의 진동은 억제되는 경우는 없다. 이에 의해, 열적인 손실이 억제되어, 스퓨리어스의 발생이 억제된다. 이와 같이, 지지 영역(52)의 폭 L을 측방으로 전반하는 파동의 파장 λ의 1/2 정도로 함으로써, 스퓨리어스를 억제할 수 있다. 이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
[실시예 1]
도 9의 (a)는 실시예 1에 따른 공진기의 평면도, 도 9의 (b)는 A-A 단면도, 도 9의 (c)는 B-B 단면도이다. Si(실리콘) 기판(41)에 공극(46)(비어 홀)이 형성되어 있다. 기판(41)의 공극(46) 상 및 기판(41) 상에 하부 전극(43)이 형성되어 있다. 하부 전극(43) 상에 AlN으로 이루어지는 압전막(44)이 형성되어 있다. 압전막(44) 상에 상부 전극(45)이 형성되어 있다. 압전막(44)을 사이에 두고 하부 전극(43)과 상부 전극(45)이 대향하는 영역이 공진 영역(50)이다. 공진 영역(50)의 주변에는, 상부 전극(45)을 인출하는 배선 부분(56) 및 그 근방을 제외하고, 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지는 지지 영역(52)이 형성되어 있다. 지지 영역(52)의 주변에는, 상부 전극(45)을 인출하는 배선 부분(56) 및 그 근방을 제외하고, 기판(21)과 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지는 주변 영역(54)이 형성되어 있다. 공진 영역(50) 및 공극(46) 상으로부터 본 형상은 모두 타원 형상이고, 양자는 상사형이며, 공진 영역(50)은 공극(46)에 포함되어 있다. 압전막(44)에는, 하부 전극(43)으로부터 전기 신호를 취출하기 위한 개구부(47)가 형성되어 있다.
실시예 1에 따른 공진기의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 10의 (a) 내지 도 11의 (c)는, 실시예 1에 따른 공진기의 제조 공정을 도시하는 도 9의 (a)의 A-A 단면에 상당하는 단면 모식도이다. 도 10의 (a)를 참조하여, (100) 컷트의 Si로 이루어지는 기판(41)을 준비한다. 도 10의 (b)를 참조하여, 기판(41) 상에, Ru로 이루어지고 막 두께가 약 250㎚인 하부 전극(43)을 0.6∼1.2㎩의 Ar 가스 분위기 속의 스퍼터링으로 형성한다. 도 10의 (c)를 참조하여, 노광 기술과 에칭 기술을 이용하여, 하부 전극(43)을 소정의 형상으로 한다. 도 10의 (d)를 참조하여, 하부 전극(43) 및 기판(41) 상에, (002) 방향을 주축으로 하는 AlN막으로 이루어지고 막 두께가 약 1㎛인 압전막(44)을, 약 0.3㎩의 압력의 Ar/N2 혼합 가스 분위기 속의 스퍼터링으로 형성한다.
도 11의 (a)를 참조하여, 압전막(44) 상에, Ru로 이루어지고 막 두께가 약 250㎚인 상부 전극(45)을 0.6∼1.2㎩의 Ar 가스 분위기 속의 스퍼터링으로 형성한다. 도 11의 (b)를 참조하여, 노광 기술과 에칭 기술을 이용하여, 상부 전극(45)을 소정의 형상으로 한다. 노광 기술과 에칭 기술을 이용하여 압전막(44)을 소정의 형상으로 한다. 이에 의해, 개구부(47)가 형성된다. 압전막(44)을 사이에 두고 하부 전극(43)과 상부 전극(45)이 겹치는 영역이 공진 영역(50)이다. 도 11의 (c)를 참조하여, 기판(41)을 배면으로부터 드라이 에칭하고, 공진 영역(50)을 포함하도록 기판(41)에 공극(46)을 형성한다. 이상에 의해, 실시예 1에 따른 공진기가 완성된다.
도 10의 (a)에서, 기판(41)은, 실시예 1에서 이용한 Si 기판 이외에도 예를 들면 석영 기판, 글래스 기판, GaAs 기판 등을 이용할 수 있다. 도 10의 (b) 및 도 11의 (a)에서, 하부 전극(43) 및 상부 전극(45)으로서는, 실시예 1에서 이용한 Ru 이외에도 배경 기술에서 예시한 금속을 이용할 수 있다.
실시예 1에 따른 공진기의 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역의 탄성파의 진동 모드의 분산 특성을, The Journal of The Acoustical Society of America, Vol.35, No.2, pp.235-239에 기초하여 계산한다. 도 12는, 하부 전 극(43)이 층(43a, 43b, …43M)으로 이루어지는 다층막, 상부 전극(45)이 층(45a, 45b, …45N)으로 이루어지는 다층막으로 한 경우의 공진 영역(50)의 적층을 도시하는 도면이다. 가로 방향(각층의 수평 방법)의 좌표를 x3, 세로 방향(각 층의 적층 방향)을 x1로 한다. x1 방향의 파수를 α, x3 방향의 파수를 k, 여진 각주파수를 ω로 하면, 압전막(44) 내의 x1 방향으로의 변위 u1 및 x3 방향으로의 변위 u3, 전위 φ은 수학식 1 내지 3의 파동해로서 나타낼 수 있다.
여기서, A1, A3, Ae, C, D는 임의 상수이다.
수학식 1 내지 3을 운동 방정식 및 전하 방정식에 대입하면, 수학식 4의 연립 방정식을 얻는다.
여기에서, 압전 재료는 육방정계 6㎜를 가정하고 있고, ρ는 압전막(44)의 밀도이다. 또한, c11, c13, c33, c44는 압전막(44)의 스티프니스, e15, e31, e33은 압전막(44)의 압전 계수, ε11, ε33은 유전률, S는 왜곡, E은 전계이다.
수학식 4가 자명해 이외의 해를 얻기 위해서는 수학식 4의 계수 행렬의 행렬식이 0이어야만 한다. ω 및 k가 공급되어 있는 것으로 하면, 수학식은 α2의 3차 방정식이다. 이로부터, 수학식 4로부터, 3개의 기본해가 얻어져, 파동해 수학식 1, 수학식 2 및 수학식 3은, 수학식 5, 수학식 6 및 수학식 7과 같이 3개의 해의 선형합으로서 나타낼 수 있다.
마찬가지로 하여, 상부 전극(45)의 제n층(45n) 중의 파동을 수학식 8 및 수학식 9로 나타낸다.
여기서, A1un, A3un, Cun, Dun은 임의의 상수이다.
수학식 8 및 수학식 9를 운동 방정식에 대입하면, 수학식 10의 연립 방정식을 얻는다.
여기서는 상부 전극(45)의 재료는 등방성 재료로 가정하고 있고, λun 및 μun은 각각 상부 전극(45)의 제n층(45n)에 이용한 재료의 라메의 상수이다. 또한, ρun은 상부 전극(45)의 제n층(45n)에 이용한 재료의 밀도이다.
수학식 10으로부터, 자명해 이외의 해를 얻기 위해서는 수학식 10의 계수 행렬의 행렬식이 0이어야만 한다. 이에 의해, 수학식 10으로부터 α2의 2차 방정식이 얻어져, 2개의 기본해를 얻을 수 있다. 따라서, 파동해인 수학식 8 및 수학식 9는 수학식 11 및 수학식 12로 나타낼 수 있다.
하부 전극(43)의 제m층(43m)에서의 파동해도 상부 전극(45)와 마찬가지로 하여 구할 수 있다. 따라서, 파동해는 수학식 13 및 수학식 14로 나타낼 수 있다.
여기서, A1bm, A3bm, Cbm, Dbm은 임의의 상수이다.
경계 조건을 이하로 한다. 각 층간에서 가로 변위 및 세로 변위, 수직 응력 및 전단 응력은 연속이다. 압전막(44)과 상부 전극(45) 및 하부 전극(43)의 계면 에서 전위가 0이다. 상부 전극(45) 및 하부 전극(43)의 표면에서의 수직 응력 및 전단 응력은 0이다. 이상의 경계 조건에 수학식 5, 수학식 6, 수학식 7, 수학식 11, 수학식 12, 수학식 13 및 수학식 14의 파동해를 대입하면, (4N+4M+6)차의 연립 방정식을 얻는다. 또한, 압전막(44)의 표면이 상부 전극(45) 또는 하부 전극(43)에 덮여져 있지 않은 경계를 갖는 경우(즉 N=0 또는 M=0인 경우)에는 압전막(44)과 상부 전극(45) 또는 하부 전극(43)의 계면(즉 상부 전극(45) 또는 하부 전극(43)이 형성되지 않은 표면)에 수직인 방향의 전기 변위의 연속 및 계면에 병행한 방향의 전계의 연속을 경계 조건으로 한다. 이에 의해, 연립 방정식은 (4N+4M+8)차로 되고, 수학식 15로 된다.
임의의 ω와 k가 분산 곡선 상의 점이면, 수학식 15의 계수 행렬 B의 행렬 식 |B|는 0으로 된다. 따라서, 이하의 계산에서는, |B|=0을 판별식으로 하여 분산 곡선 상의 점(ω, k)를 수치적으로 추출하였다.
도 13은 실시예 1에 따른 공진기의 분산 특성을 계산한 구조의 모식도이며, 도 9의 (c)에 상당하는 도면이다. 공진 영역(50)에서는, 압전막(44)을 사이에 두고 하부 전극(43)과 상부 전극(45)이 대향하고 있다. 지지 영역(52)은, 공진 영역(50)의 주변에 형성되고, 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어진다. 주변 영역(54)은, 지지 영역(52)의 주변에 형성되고, 기판(41)과 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어진다. 공진 영역(50)의 가로 방향의 폭을 d, 지지 영역(52)의 가로 방향의 폭을 L로 한다.
도 14의 (a) 내지 도 14의 (c)는 각각 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)에서의 탄성파의 진동 모드의 분산 특성을 계산한 결과이며, 각각 탄성파의 진동 모드의 분산 특성을 나타내고 있다. 종축은 여진 주파수, 횡축은 각 진동 모드의 가로 방향으로의 진동의 전반 상수를 파수 k로 나타내고 있다. 횡축은 2개의 상한을 나타내고 있으며, 우측이 실수역, 좌측이 허수역을 나타내고 있다. 주파수 ω0은 공진 주파수를 나타내고 있다. 진동 모드의 전반 상수가 실수역에 있는 주파수의 탄성파는 전반 또는 산일하는 것을 나타내고, 허수역에 있는 주파수의 탄성파는 반사하여 전반 또는 산일하지 않는 것을 나타내고 있다. 도 14의 (b)로부터 지지 영역(52)에서의 가로 방향으로 전반하는 파동은, 공진 주파수 ω0의 파수 kL이다. 따라서, 지지 영역(52)에서의 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장은, 1/kL로 된다.
도 15의 (a) 내지 도 15의 (c)는 각각 도 14의 (a) 내지 도 14의 (c)의 분산 특성의 계산 결과를 모식적으로 도시한 도면이다. 도 15의 (a)를 참조하여, 공진 영역(50)에서, 주모드로 되는 두께 세로 진동의 TE1 모드의 분산 곡선을 실선으로 나타내고 있다. 파선은 그 외의 모드의 분산 곡선을 나타내고 있다. TE1 모드의 분산 곡선이 주파수축과 교차하는 점 A의 주파수가 거의 공진 주파수 ω0이다. 공진 주파수 ω0과 TE1 모드의 분산 곡선의 극소점 B의 주파수 ω'0과의 사이의 주파수가 스퓨리어스가 발생하는 주파수 대역이다. 도 15의 (b)를 참조하여, 지지 영역(52)에서는, 주파수 ω0 및 ω'0에서의 TE1 모드의 분산 곡선의 점 A' 및 B'는 모두 실수역에 있다. 따라서, 공진 영역(50)에서 공진한 주파수 ω0과 ω'0 사이의 탄성파는 지지 영역(52)을 통과한다. 도 15의 (c)를 참조하여, 주변 영역(54)에서는, 주파수 ω0 및 ω'0에서의 TE1 모드의 분산 곡선의 점 A" 및 B"는 모두 허수역에 있다. 따라서, 지지 영역(52)을 통과한 탄성파는 주변 영역(54)에서는 차단되고, 반사된다. 이와 같이, 실시예 1에서는, 지지 영역(52)에서 가로 방향으로 전반하는 탄성파는 통과하고, 주변 영역(54)에 있어서 가로 방향으로 전반하는 탄성파는 차단된다.
도 16의 (a) 및 도 16의 (b)는 비교예와 실시예 1의 S11의 스미스차트이다. 도 16의 (b)는 도 16의 (a)를 확대한 도면이다. 파선은 비교예, 실선은 실시예 1을 나타내고 있다. 비교예는 지지 영역(52)의 폭 L이 가로 방향의 파동(주파수 ω0의 파동)의 파장 λ의 1/4이며, 실시예 1은 지지 영역(52)의 폭 L이 파장 λ의 1/2이다. 공진점 ω0으로부터 저주파측에 복수의 스퓨리어스 SP1 내지 SP5가 관측된다. 비교예에 대하여 실시예 1에서는 스퓨리어스가 억제되어 있다. 이와 같이, 지지 영역(52)의 폭 d를 1/2λ로 함으로써 스퓨리어스가 억제된다.
도 17의 (a) 내지 도 20의 (b)는 지지 영역(52)의 폭 d를 0.25λ부터 0.75λ까지, 0.05λ 스텝으로 변화시켰을 때의 공진기의 S11의 스미스차트이다. 도 17의 (a)의 L=0.25λ에서는 SP2 내지 SP5에서는 S11이 루프 형상으로 되어 있다. 도 17의 (c)의 L=0.35λ부터 도 19의 (c)의 L=0.65λ까지는, SP2의 S11의 루프 형상의 스퓨리어스는 거의 보이지 않는다. 또한, 도 18의 (a)의 L=0.40λ 내지 도 19의 (b)의 L=0.60λ에서는, SP3 내지 SP5의 루프 형상의 스퓨리어스가 도 17의 (a)의 L=0.25λ에 비해 작아져 있다. 또한, 도 18의 (b)의 L=0.45λ 내지 도 19의 (a)의 L=0.55λ에서는 루프 형상의 스퓨리어스는 거의 보이지 않는다.
이상과 같이, 스퓨리어스를 억제하기 위해서는, 지지 영역(52)의 폭 L은 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장 λ의 0.35배 이상 또한 0.65배 이하가 바람직하며, 0.4배 이상 또한 0.60배 이하가 보다 바람직하다. 또한, 0.45배 또한 0.55배 이하가 한층 바람직하다.
실시예 1은, 지지 영역(52)이 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지고, 주변 영역(54)이 기판(41) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지는 예이었다. 지지 영역(52)은 공진 영역(50)의 주변에 형성되며, 도 15의 (b)와 같이 가로 방향의 파동이 통과하는 영역이면 된다. 또한, 주변 영역(54)은 지지 영역(52)의 주변에 형성되며, 도 15의 (c)와 같이 가로 방향으로 전반하는 파동을 차단하는 영역이면 된다. 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)의 다른 예에 대해 이하의 실시예에서 설명한다.
[실시예 2]
도 21은 실시예 2에 따른 공진기의 단면 모식도이다. 도 21을 참조하여, 지지 영역(52)은 공극(46) 상의 압전막(44)과 상부 전극(45)으로 이루어지고, 주변 영역(54)은 기판(41), 압전막(44) 및 상부 전극(45)으로 이루어진다. 이와 같이, 공극(46)은 공진 영역(50)과 지지 영역(52)에 형성되며, 하부 전극(43)은 공진 영역(50)에 형성되고, 압전막(44) 및 상부 전극(45)은 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)에 형성되어 있다. 그 외의 구성은 실시예 1의 도 13와 동일하여 설명을 생략한다.
도 22의 (a) 내지 도 22의 (c)는 실시예 2에 따른 공진기에서, 계산한 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)의 분산 특성의 모식도이다. 도 22의 (a)는 도 15의 (a)와 동일하다. 도 22의 (b)를 참조하여, 지지 영역(52)에서는, 스퓨리어스가 발생하는 주파수 대역인 ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 실수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 지지 영역(52)을 통과한다. 도 22의 (c)를 참조하여, 주변 영역(54)에서는, ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 허수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 주변 영역(54)에서 반사된다.
실시예 2의 구조에서도, 지지 영역(52)의 폭 L을 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장 λ의 0.35배 이상 또한 0.65배 이하로 함으로써, 스퓨리어스가 억제된다.
[실시예 3]
도 23은 실시예 3에 따른 공진기의 단면 모식도이다. 도 23을 참조하여 지지 영역(52)은 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지고, 주변 영역(54)은 공극(46) 상의 압전막(44)으로 이루어진다. 이와 같이, 공극(46) 및 압전막(44)은 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역에 형성되고, 하부 전극(43)은 공진 영역(50)과 지지 영역(52)에 형성되고, 상부 전극(45)은 공진 영역(50)에 형성되어 있다. 그 외의 구성은 실시예 1의 도 13과 동일하여 설명을 생략한다.
도 24의 (a) 내지 도 24의 (c)는 실시예 3에 따른 공진기에서, 계산한 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)의 분산 특성의 모식도이다. 도 24의 (a)는 도 15의 (a)와 동일하다. 도 24의 (b)를 참조하여, 지지 영역(52)에서는, 스퓨리어스가 발생하는 주파수 대역인 ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 실수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 지지 영역(52)을 통과한다. 도 24의 (c)를 참조하여, 주변 영역(54)에서는, ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 허수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 주변 영역(54)에서 반사된다.
실시예 3의 구조에서도, 지지 영역(52)의 폭 L을 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장 λ의 0.35배 이상 또한 0.65배 이하로 함으로써, 스퓨리어스가 억제된다.
실시예 3은 지지 영역(52)이 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지고, 주변 영역(54)이 공극(46) 상의 압전막(44)으로 이루어지는 예이었지 만, 지지 영역(52)이 공극(46) 상의 상부 전극(45)과 압전막(44)으로 이루어지고, 주변 영역(54)이 공극(46) 상의 압전막(44)으로 이루어져 있어도 된다. 즉, 지지 영역(52)은, 공극(46) 상의 압전막(44)과 하부 전극(43) 및 상부 전극(45) 중 어느 한쪽으로 이루어져 있어도 된다.
[실시예 4]
도 25는 실시예 4에 따른 공진기의 단면 모식도이다. 도 25를 참조하여 지지 영역(52)은 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)으로 이루어지고, 주변 영역(54)은 공극(46) 상의 하부 전극(43)과 압전막(44)과 질량 부가막(48)으로 이루어진다. 이와 같이, 공극(46), 하부 전극(43) 및 압전막(44)은 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)에 형성되고, 상부 전극(45)은 공진 영역(50)에 형성되고, 질량 부가막(48)은 주변 영역에 형성되어 있다. 질량 부가막(48)은 막 두께가 255㎚의 Ru이다. 그 밖의 구성은 실시예 1의 도 13과 동일하여 설명을 생략한다.
도 26의 (a) 내지 도 26의 (c)는 실시예 4에 따른 공진기에서, 계산한 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)의 분산 특성의 모식도이다. 도 26의 (a)는 도 15의 (a)와 동일하다. 도 26의 (b)를 참조하여, 지지 영역(52)에서는, 스퓨리어스가 발생하는 주파수 대역인 ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 실수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 지지 영역(52)을 통과한다. 도 26의 (c)를 참조하여, 주변 영역(54)에서는, ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 허수역에 있다. 따라서, 가로 방향으 로 전반하는 파동은 주변 영역(54)에서 반사된다.
[실시예 5]
도 27은 실시예 5에 따른 공진기의 단면 모식도이다. 도 27을 참조하여 지지 영역(52)은 공극(46) 상의 압전막(44)과 상부 전극(45)으로 이루어지고, 주변 영역(54)은 공극(46) 상의 질량 부가막(49)과 압전막(44)과 상부 전극(45)으로 이루어진다. 이와 같이, 공극(46), 압전막(44) 및 상부 전극(45)은 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)에 형성되고, 하부 전극(43)은 공진 영역(50)에 형성되고, 질량 부가막(49)은 주변 영역(54)에 형성되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 4의 도 15와 동일하여 설명을 생략한다.
도 28의 (a) 내지 도 28의 (c)는 실시예 5에 따른 공진기에서, 계산한 공진 영역(50), 지지 영역(52) 및 주변 영역(54)의 분산 특성의 모식도이다. 도 28의 (a)는 도 15의 (a)와 동일하다. 도 28의 (b)를 참조하여, 지지 영역(52)에서는, 스퓨리어스가 발생하는 주파수 대역인 ω0과 ω'0 사이의 주파수에서 TE1 모드의 분산 곡선은 실수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 지지 영역(52)을 통과한다. 도 28의 (c)를 참조하여, 주변 영역(54)에서는, ω0과 ω'0 사이의 주파수이며 TE1 모드의 분산 곡선은 허수역에 있다. 따라서, 가로 방향으로 전반하는 파동은 주변 영역(54)에서 반사된다.
실시예 4 및 실시예 5와 같이, 지지 영역(52)은 공극(46) 상의 압전막(44)과 하부 전극(43) 및 상부 전극(45) 중 어느 한쪽으로 이루어지고, 주변 영역(54)은 공극(46) 상의 압전막(44)과 하부 전극(43) 및 상부 전극(45) 중 한쪽과 질량 부가 막(48 또는 49)으로 이루어지는 구성에서도, 스퓨리어스가 억제된다. 또한 질량 부가막(48 및 49)으로서는, Ru, Mo, Al, Ti, Cr 혹은 Au 등의 금속막 또는 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄 혹은 질화 알루미늄 등의 절연막 또는 상기 금속막과 상기 절연막의 적층막을 이용할 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 3과 마찬가지로, 지지 영역(52)의 폭 L을 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장 λ의 0.35배 이상 또한 0.65배 이하로 함으로써, 스퓨리어스를 보다 억제할 수 있다.
[실시예 6]
도 29를 참조하여, 실시예 6에 따른 압전 박막 공진기에서는, 실시예 1 내지 실시예 5와 같이 기판(41)에는 공극은 형성되어 있지 않고, 하부 전극(43)은 기판(41)과의 사이에 공극(46a)(캐비티)이 형성되도록 형성되어 있다. 공극(46a)은 돔 상에 형성되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 1의 도 13과 동일하여 설명을 생략한다. 실시예 6에서도, 실시예 1과 마찬가지로 스퓨리어스를 억제할 수 있다. 또한, 실시예 2 내지 실시예 5의 공극(46)을 실시예 6과 같이, 기판(41)과 하부 전극(43) 사이에 형성된 공극(46a)으로 할 수 있다. 이와 같이, 압전 박막 공진기는 비어홀 타입이어도 캐비티 타입이어도 된다.
[실시예 7]
실시예 7은, 실시예 1 내지 실시예 6에 따른 압전 박막 공진기가 복수 조합하여 구성한 필터의 예이다. 실시예 7에서는, 실시예 1 내지 실시예 6 중 어느 한쪽에 따른 공진기를 도 3에 도시한 래더형 필터로서 이용하고 있다. 실시예 1 내 지 실시예 6에 따른 공진기는 스퓨리어스가 억제되어 있다. 따라서, 실시예 7에 따른 필터의 통과 특성을 개선할 수 있다.
필터의 적어도 하나의 공진기에 실시예 1 내지 실시예 6 중 어느 한쪽의 압전 박막 공진기를 이용함으로써 스퓨리어스를 억제할 수 있지만, 모든 공진기를 실시예 1 내지 실시예 6 중 어느 하나의 압전 박막 공진기로 하는 것이 바람직하다. 또한, 래더형 필터 이외의 필터에 실시예 1 내지 실시예 6에 따른 압전 박막 공진기를 이용할 수도 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 상세히 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 여러 변형·변경이 가능하다.
도 1은 종래예 1에 따른 압전 박막 공진기의 단면도.
도 2는 종래예 2에 따른 압전 박막 공진기의 단면도.
도 3은 종래예 3에 따른 압전 박막 공진기의 단면도.
도 4는 스퓨리어스를 갖는 압전 박막 공진기의 S11을 나타내는 스미스차트.
도 5는 래더형 필터의 회로도.
도 6은 스퓨리어스를 갖는 압전 박막 공진기를 이용한 필터의 통과 특성을 도시하는 도면.
도 7은 파동 모드의 분산 특성을 도시하는 도면.
도 8은 도 7의 TE1 모드의 확대도.
도 9의 (a)는 실시예 1에 따른 압전 박막 공진기의 평면도, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 A-A 단면도, 도 9의 (c)는 도 9의 (a)의 B-B 단면도.
도 10의 (a) 내지 도 10의 (d)는 실시예 1에 따른 압전 박막 공진기의 제조 공정을 나타내는 단면 모식도(그 1).
도 11의 (a) 내지 도 11의 (c)는 실시예 1에 따른 압전 박막 공진기의 제조 공정을 나타내는 단면 모식도(그 2).
도 12는 공진 영역의 하부 전극, 압전막 및 상부 전극을 도시하는 도면.
도 13은 실시예 1에 따른 압전 박막 공진기의 단면 모식도.
도 14의 (a) 내지 도 14의 (c)는 실시예 1에 따른 압전 박막 공진기의 분산 특성의 계산 결과를 도시하는 도면.
도 15의 (a) 내지 도 15의 (c)는 실시예 1에 따른 압전 박막 공진기의 분산 특성의 모식도.
도 16의 (a)는 실시예 1 및 비교예의 S11의 스미스차트, 도 16의 (b)는 도 16의 (a)의 확대도.
도 17의 (a) 내지 도 17의 (c)는 지지 영역의 폭을 바꾸었을 때의 S11의 스미스차트(그 1).
도 18의 (a) 내지 도 18의 (c)는 지지 영역의 폭을 바꾸었을 때의 S11의 스미스차트(그 2).
도 19의 (a) 내지 도 19의 (c)는 지지 영역의 폭을 바꾸었을 때의 S11의 스미스차트(그 3).
도 20의 (a) 및 도 20의 (b)는 지지 영역의 폭을 바꾸었을 때의 S11의 스미스차트(그 4).
도 21은 실시예 2에 따른 압전 박막 공진기의 단면 모식도.
도 22의 (a) 내지 도 22의 (c)는 실시예 2에 따른 압전 박막 공진기의 분산 특성의 모식도.
도 23은 실시예 3에 따른 압전 박막 공진기의 단면 모식도.
도 24의 (a) 내지 도 24의 (c)는 실시예 3에 따른 압전 박막 공진기의 분산 특성의 모식도.
도 25는 실시예 4에 따른 압전 박막 공진기의 단면 모식도.
도 26의 (a) 내지 도 26의 (c)는 실시예 4에 따른 압전 박막 공진기의 분산 특성의 모식도.
도 27은 실시예 5에 따른 압전 박막 공진기의 단면 모식도.
도 28의 (a) 내지 도 28의 (c)는 실시예 5에 따른 압전 박막 공진기의 분산 특성의 모식도.
도 29는 실시예 6에 따른 압전 박막 공진기의 단면 모식도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11, 21, 31, 41 : 기판
13, 23, 33, 43 : 하부 전극
14, 24, 34, 44 : 압전 박막
15, 25, 35, 45 : 상부 전극
16, 26, 36, 46 : 공극
48 : 질량 부가막
50 : 공진 영역
52 : 지지 영역
54 : 주변 영역
Claims (9)
- 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과,상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과,상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고, 상기 공극 상의 상기 하부 전극과 상기 압전막으로 이루어지는 지지 영역과,상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 기판과 상기 하부 전극과 상기 압전막으로 이루어지는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과,상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과,상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 상부 전극으로 이루어지는 지지 영역과,상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 기판과 상기 압전막과 상기 상부 전극으로 이루어지는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과,상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과,상기 공진 영역은, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극과 상기 상부 전극으로 이루어지고,상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 내지 0.65배의 폭을 갖고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극의 어느 한쪽으로 이루어지는 지지 영역과,상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막으로 이루어지며, 주변단(周邊端)에서 상기 압전막이 상기 기판에 지지되는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과,상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과,상기 공진 영역은, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극과 상기 상부 전극으로 이루어지고,상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극으로 이루어지는 지지 영역과,상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극과 상기 압전막의 상기 하부 전극과 반대의 면에 형성된 질량 부가막으로 이루어지며, 주변단에서 상기 하부 전극이 상기 기판에 지지되는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 기판의 공극 상 또는 기판과의 사이에 공극이 형성되도록 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 압전막과,상기 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 공진 영역을 갖도록 상기 압전막 상에 형성된 상부 전극과,상기 공진 영역은, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 하부 전극과 상기 상부 전극으로 이루어지고,상기 공진 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 상부 전극으로 이루어지는 지지 영역과,상기 지지 영역의 주변에 형성되고, 상기 공극 상의 상기 압전막과 상기 상부 전극과 상기 압전막의 상기 상부 전극과 반대의 면에 형성된 질량 부가막으로 이루어지며, 주변단에서 상기 질량 부가막이 상기 기판에 지지되는 주변 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 지지 영역의 폭은, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.35배 이상 또한 0.65배 이하인 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 질량 부가막은 금속막 또는 절연막인 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 영역의 폭은, 가로 방향으로 전반하는 파동의 파장의 0.5배인 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진기.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 압전 박막 공진기를 갖는 필터.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006337711A JP4870541B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
| JPJP-P-2006-00337711 | 2006-12-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080055740A KR20080055740A (ko) | 2008-06-19 |
| KR100922475B1 true KR100922475B1 (ko) | 2009-10-21 |
Family
ID=39541952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20070131456A KR100922475B1 (ko) | 2006-12-15 | 2007-12-14 | 압전 박막 공진기 및 필터 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7816998B2 (ko) |
| JP (1) | JP4870541B2 (ko) |
| KR (1) | KR100922475B1 (ko) |
| CN (1) | CN101207370B (ko) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090053401A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoelectric deposition for BAW resonators |
| US8512800B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-08-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters |
| JP5191762B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-05-08 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、および通信装置 |
| WO2009133511A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Nxp B.V. | Bulk acoustic wave resonator |
| US7768364B2 (en) * | 2008-06-09 | 2010-08-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bulk acoustic resonators with multi-layer electrodes |
| CN101692602B (zh) * | 2009-09-28 | 2012-09-05 | 清华大学 | 单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法 |
| CN102122939B (zh) * | 2010-11-01 | 2013-12-04 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 预设空腔型soi基片薄膜体声波滤波器及制作方法 |
| JP5588889B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2014-09-10 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| JP2012244616A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振子、フィルタおよびモジュール |
| CN102664602A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-09-12 | 浙江大学 | 一种基于嵌入式电极侧向场激励的fbar及其制作方法 |
| KR101928359B1 (ko) | 2012-09-11 | 2018-12-12 | 삼성전자주식회사 | 전도성 물질을 이용하여 전기적 손실을 처리하는 공진 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107025321B (zh) * | 2016-12-12 | 2021-02-09 | 佛山市艾佛光通科技有限公司 | 空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法 |
| JP6556173B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2019-08-07 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| DE102017105432B3 (de) * | 2017-03-14 | 2018-08-23 | Friedrich-Alexander-Universtität Erlangen-Nürnberg | Resonator und Verfahren zum Bereitstellen eines Resonators |
| US10214415B1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-02-26 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Hybrid CMOS-MEMS devices adapted for high-temperature operation and method for their manufacture |
| CN109309483B (zh) * | 2018-10-10 | 2022-03-25 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN111786654B (zh) * | 2019-04-04 | 2023-01-06 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| CN111786644B (zh) * | 2019-04-04 | 2023-01-06 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| CN110380702B (zh) * | 2019-07-25 | 2020-04-10 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 | 集成器件制造方法及相关产品 |
| CN110931433B (zh) * | 2019-10-22 | 2022-06-28 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 | 集成器件制造方法及相关产品 |
| CN111010135A (zh) * | 2019-10-26 | 2020-04-14 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN113300683B (zh) * | 2021-05-25 | 2023-03-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN116470878B (zh) * | 2023-04-03 | 2024-03-19 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 横向激励薄膜体声波谐振器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076823A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子および圧電フィルタ |
| JP2002223144A (ja) | 2000-12-21 | 2002-08-09 | Agilent Technol Inc | バルク弾性共振器周辺反射システム |
| KR20050037966A (ko) * | 2003-10-20 | 2005-04-25 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 |
| KR20050109870A (ko) * | 2004-05-17 | 2005-11-22 | 삼성전자주식회사 | 에어갭형 박막벌크음향공진기 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189307A (ja) | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
| JP3903848B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 |
| JP3954395B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、および圧電薄膜共振子の製造方法 |
| JP3879643B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 |
| JP4373949B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
| US7161448B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-01-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancements using recessed region |
| US7280007B2 (en) * | 2004-11-15 | 2007-10-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter |
| DE102005004435B4 (de) * | 2005-01-31 | 2006-10-19 | Infineon Technologies Ag | Baw-resonator |
| JP4963193B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-06-27 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
| US7893793B2 (en) * | 2006-08-25 | 2011-02-22 | Panasonic Corporation | Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
| JP4838093B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2011-12-14 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006337711A patent/JP4870541B2/ja active Active
-
2007
- 2007-12-14 US US12/000,654 patent/US7816998B2/en active Active
- 2007-12-14 KR KR20070131456A patent/KR100922475B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-14 CN CN200710198855XA patent/CN101207370B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076823A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子および圧電フィルタ |
| JP2002223144A (ja) | 2000-12-21 | 2002-08-09 | Agilent Technol Inc | バルク弾性共振器周辺反射システム |
| KR20050037966A (ko) * | 2003-10-20 | 2005-04-25 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 |
| KR20050109870A (ko) * | 2004-05-17 | 2005-11-22 | 삼성전자주식회사 | 에어갭형 박막벌크음향공진기 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008153797A (ja) | 2008-07-03 |
| US7816998B2 (en) | 2010-10-19 |
| US20080150653A1 (en) | 2008-06-26 |
| KR20080055740A (ko) | 2008-06-19 |
| CN101207370A (zh) | 2008-06-25 |
| CN101207370B (zh) | 2012-04-18 |
| JP4870541B2 (ja) | 2012-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100922475B1 (ko) | 압전 박막 공진기 및 필터 | |
| KR100900128B1 (ko) | 압전 박막 공진기 및 필터 | |
| JP4149444B2 (ja) | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ | |
| KR100771345B1 (ko) | 압전 박막 공진자 및 필터 | |
| JP4024741B2 (ja) | 圧電薄膜共振子及びフィルタ | |
| KR100819669B1 (ko) | 압전 박막 공진기 및 필터 | |
| KR100950391B1 (ko) | 압전 박막 공진기 및 필터 | |
| KR100906551B1 (ko) | 래더형 필터의 제조 방법 | |
| JP4550658B2 (ja) | 圧電薄膜共振器およびフィルタ | |
| US20120299444A1 (en) | Piezoelectric thin-film resonator, communication module and communication device | |
| WO2010061479A1 (ja) | 弾性波デバイス、およびその製造方法 | |
| JP2005073175A (ja) | 圧電薄膜共振子及びその製造方法 | |
| JP2005244184A (ja) | 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法 | |
| JP7269719B2 (ja) | 圧電膜およびその製造方法、圧電デバイス、共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
| JP4917481B2 (ja) | フィルタ | |
| TW202310460A (zh) | 體聲波共振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121005 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131004 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140923 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150917 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160921 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170920 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180920 Year of fee payment: 10 |