KR100912280B1 - Substrate processing system - Google Patents

Substrate processing system Download PDF

Info

Publication number
KR100912280B1
KR100912280B1 KR1020020075426A KR20020075426A KR100912280B1 KR 100912280 B1 KR100912280 B1 KR 100912280B1 KR 1020020075426 A KR1020020075426 A KR 1020020075426A KR 20020075426 A KR20020075426 A KR 20020075426A KR 100912280 B1 KR100912280 B1 KR 100912280B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
substrate
pass
processing
units
Prior art date
Application number
KR1020020075426A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20030044881A (en
Inventor
타노우에신야
하야시마코토
사카타토미히로
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20030044881A publication Critical patent/KR20030044881A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100912280B1 publication Critical patent/KR100912280B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

카세트스테이션에서 외부의 노광장치까지의 사이를 왕복하는 패스라인에 따라 복수의 기판을 순차적으로 반송하여 처리하는 기판처리시스템에 있어서, 상기 패스라인에 따라 상류측에 설치된 제 1 처리부 및 하류측에 설치된 제 2 처리부를 갖는 복수의 처리유니트군과, 상기 패스라인에 따라 반송되는 기판을 상기 제 1 처리부에서 받아들이는 제 1 패스유니트과, 제 1 패스유니트보다도 하류측에 배치되고, 상기 제 1 패스유니트을 통과한 기판을 상기 제 2 처리부로 내보내는 제 2 패스유니트과, 상기 제 1 및 제 2 패스유니트중에 적어도 한쪽의 상방에 설치된 열처리부와, 상기 제 1 및 제 2 패스유니트중 적어도 한쪽의 하방에 설치되고, 상기 패스라인상에서의 기판끼리의 충돌을 회피하기 위해, 기판을 일시적으로 체류하게 하는 적어도 하나의 버퍼유니트과, 상기 제 1 및 제 2 패스유니트과 상기 버퍼유니트간에 기판을 반송하는 수수 아암기구를 구비한다.A substrate processing system for sequentially conveying and processing a plurality of substrates along a pass line reciprocating from a cassette station to an external exposure apparatus, the first processing portion provided upstream and downstream provided along the pass line. A plurality of processing unit groups having a second processing unit, a first pass unit that receives the substrate conveyed along the pass line, and a first pass unit that receives the first pass unit, are disposed downstream from the first pass unit, and pass through the first pass unit. A second pass unit for sending a substrate to the second processing unit, a heat treatment unit disposed above at least one of the first and second pass units, and at least one of the first and second pass units below; At least one buffer oil to temporarily hold the substrate to avoid collision between the substrates on the pass line And a transfer arm mechanism for transferring the substrate between the nits and the first and second pass units and the buffer unit.

Description

기판처리시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate Processing System {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

도 1 은 본발명의 실시형태에 관한 기판처리시스템을 보여주는 개략평면도이다.1 is a schematic plan view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2 는 제 1의 열처리부와 기판반송기구를 보여주는 측면도이다.2 is a side view showing a first heat treatment part and a substrate transport mechanism.

도 3 은 제 2의 열처리부와 기판반송기구를 보여주는 측면도이다.3 is a side view showing a second heat treatment part and a substrate transport mechanism.

도 4 는 제 3의 열처리부와 기판반송기구를 보여주는 측면도이다.4 is a side view showing a third heat treatment part and a substrate transport mechanism.

도 5 는 기판처리시스템의 제어계통을 보여주는 블럭도이다.5 is a block diagram illustrating a control system of a substrate processing system.

도 6 은 기판처리시스템에 있어서의 정상시의 처리의 순서를 나타내는 플로차트이다.6 is a flowchart showing a procedure of normal processing in the substrate processing system.

본발명은 LCD기판과 같은 피처리기판상에 포토리소그래피에 의해 회로패턴을 형성하는 기판처리시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system for forming a circuit pattern by photolithography on a substrate to be processed, such as an LCD substrate.

최근, LCD(액정표시디스플레이)는 대형화가 현저하고, 제조라인이 장대화함에 따라, 유리기판의 반송이나 핸드링이 더욱 더 어려워지고 있다. 이러한 LCD기판의 대형화에 대응하기 위해, LCD제조에 사용되는 도포현상처리시스템에서는, 기판 을 통과시키는 패스라인(반송로)에 테이블롤러를 나란히 깔아놓고, 테이블롤러로 기판을 차례대로 수평방향으로 반송하면서, 패스라인에 따라 배치한 처리장치에 의해 기판을 순차적으로 처리하는 방식(이하 '평류방식'이라 함)을 채용하고 있다. 이 평류방식에서는 다수의 처리장치를 포토리소그래피 프로세스의 흐름의 순서(이하, "프로세스 플로"라고 한다)에 따라 패스라인에 따라 직렬로 배치되고 있다.In recent years, LCDs (liquid crystal display displays) are remarkably large in size, and as the production line is enlarged, conveyance and handing of glass substrates becomes more difficult. In order to cope with such an increase in size of LCD substrates, in a coating and developing processing system used for LCD manufacturing, table rollers are placed side by side on a pass line (transport path) through which the substrate passes, and the substrate rollers are conveyed in a horizontal direction in turn. In addition, a method of sequentially processing substrates (hereinafter, referred to as a "flow method") is adopted by a processing apparatus arranged along a pass line. In this planar flow method, a plurality of processing apparatuses are arranged in series along a pass line according to the order of flow of the photolithography process (hereinafter referred to as "process flow").

이러한 직렬라인형의 시스템에서는, 어느 쪽이든 한 개소에서 고장이 생겼을 때나 보수점검상의 필요성에서 시스템전체의 처리를 정지시키거나, 또는 처리를 슬로다운시키게 된다. 또, 처리가 정지하는 것은 아니지만, 처리가 정체한 경우라도 프로세스 플로의 상류측에 위치하는 모든 처리부가 영향을 받고, 각각의 처리를 정지하거나, 또는 슬로우다운 하지 않을 수 없게 된다.In such a series-line system, either the system stops processing or slows down processing when either one fails or needs maintenance. In addition, although the processing is not stopped, even if the processing is stalled, all processing units located upstream of the process flow are affected, and each processing must be stopped or slowed down.

이 경우, 평류방식의 처리부에 있어서는, 수평반송로에 따라 배치한 각종의 툴(tool)이 옆을 통과하는 기판에 일련의 처리를 일정한 타이밍으로 순차적으로 실시하는 것을 정상동작으로 하기 위해, 하류측의 처리부에서 처리공정이 정체한 것의 영향으로 상기 수평반송로상의 기판을 체류 시켰다면, 처리내용 내지 처리결과가 설정대로는 되지 않게 되고, 가동했을 때의 원료에 대한 제품의 비율이 저하되는 문제점이 있다.In this case, in the processing unit of the flat flow method, in order to make it normal operation to sequentially perform a series of processes at a constant timing on a substrate passing along sideways by various tools arranged along the horizontal transport path, If the substrate in the horizontal conveying path is held by the processing unit in the processing section of the processing unit, the processing contents or the processing result may not be as set, and there is a problem in that the ratio of the product to the raw material when operating is lowered. .

본 발명의 목적은 시스템내의 일부에서 프로세스플로가 정체해도 상류측의 처리부 아니면 피처리기판이 받는 영향을 최소한으로 막게 한 기판처리시스템을 제공하는 것에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing system which minimizes the influence of an upstream processing unit or a substrate to be processed even when a process flow is stagnant in a part of the system.                         

본 발명의 기판처리시스템은 카세트스테이션에서 외부의 노광장치 간을 왕복하는 패스라인에 따라 복수의 기판을 순차적으로 반송하고 처리하는 기판처리시스템이고, 상기 패스라인에 따라 상류측에 설치된 제 1의 처리부 및 하류측에 설치된 제 2의 처리부를 갖는 복수의 처리유니트군과, 상기 패스라인에 따라 반송되는 기판을 상기 제 1의 처리부에서 받아들인 제 1의 패스유니트과, 상기 제 1의 패스유니트보다도 하류측에 배치되어, 상기 제 1의 패스유니트을 통과한 기판을 상기 제 2의 처리부에 내보내는 제 2의 패스유니트과, 상기 제 1 및 제 2의 패스유니트중 적어도 한쪽의 상방에 설치된 열처리부와, 상기 제 1 및 제 2의 패스유니트중 적어도 한쪽의 하방에 설치되고, 상기 패스라인상에서의 기판끼리의 충돌을 회피하기 위해, 기판을 일시적으로 체류시켜두는 적어도 하나의 버퍼유니트과, 상기 제 1 및 제 2의 패스유니트과 상기 버퍼유니트간에 기판을 반송하는 인수 인도 아암기구를 구비하는 것을 특징으로 한다. The substrate processing system of the present invention is a substrate processing system for sequentially conveying and processing a plurality of substrates in accordance with a pass line reciprocating between external exposure apparatuses in a cassette station, and a first processing portion provided upstream along the pass line. And a plurality of processing unit groups having a second processing unit provided on the downstream side, a first pass unit that receives the substrate conveyed along the pass line in the first processing unit, and a downstream side of the first pass unit. A second pass unit disposed in the first pass unit and passing the substrate passing through the first pass unit to the second processing unit, a heat treatment unit disposed above at least one of the first and second pass units, and the first pass unit; And a substrate provided below at least one of the second pass units to temporarily prevent the substrates from colliding on the pass lines. At least one buffer yuniteugwa, the first and the argument for transferring the substrate between passes yuniteugwa the buffer unit of the second place to stay characterized in that it includes a delivery arm mechanism.

본 발명의 시스템에서는, 패스유니트을 끼워 하측의 버퍼유니트이 상측의 열처리부의 열처리유니트에서 거의 완전하게 격리된다. 이것으로 인하여 버퍼유니트에 보관되는 기판이 열처리유니트에서 어떠한 영향, 특히 열처리유니트의 경우는 열의 의한 영향을 받는 것을 회피할 수 있다. 또, 버퍼유니트이 미사용중에, 반송수단은 버퍼유니트에 억세스할 필요가 없는 것은 물론이고 그 옆을 통과할 필요도 없고, 처리유니트이 집약 배치되어 있는 구역내에서 반송스케줄을 효율적으로 처리할 수 있다.In the system of the present invention, a pass unit is fitted, and the lower buffer unit is almost completely isolated from the heat treatment unit of the upper heat treatment unit. As a result, the substrate stored in the buffer unit can be prevented from being affected by any heat in the heat treatment unit, particularly in the case of the heat treatment unit. In addition, when the buffer unit is not in use, the conveying means does not need to access the buffer unit, nor does it need to pass through it, and the conveyance schedule can be efficiently processed in the area where the processing units are arranged.

본 발명 시스템의 전형적인 하나의 형태로는, 열처리부 및 제 2의 처리부중 어떤 것도 기판의 반입이 불가하다고 제어수단이 판단했을 때, 제 1 패스유니트에서 받아들인 기판을 인수인도 아암기구에 의하여 버퍼유니트중 한군데에 격납시킨다. 이 경우에, 반입불가가 된 열처리부 또는 제 2 처리부에서 행해야 할 처리의 하나전 또는 복수전의 공정의 처리까지 마치고 나서 기판을 버퍼유니트에 격납하는 것으로, 프로세스플로의 정체 및 처리량의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.In one typical form of the system of the present invention, when the control means determines that neither the heat treatment unit nor the second processing unit is capable of carrying in the substrate, the substrate may be buffered by the take-in arm mechanism. Store in one of the units. In this case, the substrate is stored in the buffer unit after the processing of one or more processes before the processing to be carried out in the heat-treatment unit or the second processing unit which cannot be carried in, and thus the process flow is minimized and the decrease in throughput is minimized. It can be suppressed.

인수 인도 아암기구의 바람직한 형태는, 수직방향으로 승강가능한 승강반송체와, 이 승강반송체상에서 수직축의 주위에 선회가능한 선회반송체와, 이 선회반송체상에서 기판을 지지하면서 수평면내에서 전후방향으로 신축가능한 반송아암홀더를 갖는다. 인수 인도 아암기구는, 좌우 한쌍의 다단유니트부에 속하는 유니트군에 대하여 자유자재로 억세스하며, 이것들에 기판을 반입반출할 수 있다. A preferred form of the take-up guide arm mechanism is a lifting carrier which can be lifted in the vertical direction, a pivoting carrier that can pivot about a vertical axis on the lifting carrier, and a substrate on the pivoting carrier while supporting the substrate in the horizontal direction in the front and rear directions. It has an elastic carrier arm holder. The delivery arm mechanism can freely access a group of units belonging to a pair of left and right multi-stage unit parts, and can carry in and out boards.

복수의 버퍼유니트이 제 1 및 제 2의 패스유니트의 하방에 다단으로 적층되고, 이것들 버퍼유니트의 각각에 기판을 한장씩 수용할 수 있다. 이 경우에, 버퍼유니트내에 불활성가스의 분위기을 형성하기 위한 수단을 더 갖는 것이 바람직하다. A plurality of buffer units are stacked in multiple stages below the first and second pass units, and one substrate can be accommodated in each of these buffer units. In this case, it is preferable to further have means for forming an atmosphere of inert gas in the buffer unit.

제 1 처리부는 패스라인의 일부를 이루고, 기판을 실질적으로 수평한 자세로 수평방향으로 반송하기 위한 반송로와, 상기 반송로상에 반송되는 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리수단을 가질 수 있다. 이것에 의해 버퍼유니트의 유익성이 특히 높고, 제 1의 처리부에 있어서의 수평으로 흘리는 처리의 원하지 않는 중단을 회피할 수 있다.The first processing unit may have a conveying path for forming a part of the pass line, and conveying the substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture, and processing means for performing a predetermined process on the substrate conveyed on the conveying path. . As a result, the benefit of the buffer unit is particularly high, and unwanted interruption of the horizontally flowing process in the first processing unit can be avoided.

열처리부는 기판에 대하여 제 1 또는 제 2의 처리부의 처리에 부수하는 열적 인 처리를 실시하기 위해, 상하 다단으로 쌓아 올린 복수의 열처리유니트을 가질 수 있다. 이 경우는 열처리유니트는 가열유니트, 냉각유니트, 부착유니트로부터 되는 군에서 선택되는 1 또는 2이상을 포함할 수 있다.The heat treatment unit may have a plurality of heat treatment units stacked in multiple stages up and down in order to perform a thermal treatment accompanying the processing of the first or second treatment unit with respect to the substrate. In this case, the heat treatment unit may include one or two or more selected from the group consisting of a heating unit, a cooling unit, and an attachment unit.

또한, 복수의 처리유니트 및 인수 인도 아암기구를 분담해서 제어하는 복수의 블럭콘트롤러와, 블럭콘트롤러의 각각이 병렬로 접속되어, 패스라인상에서 후속의 기판이 선행의 기판에 충돌하지 않도록 상기 복수의 블럭콘트롤러를 통괄적으로 제어하는 주콘트롤러를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우는 주콘트롤러는 시스템내에서 시시각각 변화하는 모든 기판의 현재위치를 파악하고, 그 파악한 기판의 현재위치를 기초하여 상기 복수의 블럭콘트롤러의 각각을 시간제어할 수 있다.Further, a plurality of block controllers which share and control a plurality of processing units and take-up guide arm mechanisms, and each of the block controllers are connected in parallel, so that the plurality of blocks do not collide with a preceding substrate on a pass line so that the subsequent substrates do not collide. It is desirable to have a main controller that collectively controls the controller. In this case, the main controller can grasp the current positions of all the substrates that are changed from time to time in the system, and can time-control each of the plurality of block controllers based on the identified current positions of the substrates.

이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 관해서 설명한다. 본 실시형태에서는 피처리기판으로서의 LCD기판을 일련의 포토리소그래피 프로세스에 따라 처리하는 도포현상처리시스템을 예로 들어 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing. In this embodiment, an application processing system for processing an LCD substrate as a substrate to be processed by a series of photolithography processes will be described as an example.

도 1에 도시하는 것과 같이, 도포현상처리시스템(10)은 클린 룸내에 있어서 노광장치(12)에 인접해서 설치되어 있다. 도포현상처리시스템(10)의 중앙부에는 X축방향으로 연장되는 프로세스스테이션(P/S)(16)가 배치되어 있다. 프로세스스테이션(P/S)(16)의 한쪽 단부측은 카세트스테이션(C/S)(14)에 연결되고, 다른쪽 단부측은 인터페이스스테이션(I/F)(18)에 연결되어 있다.As shown in FIG. 1, the coating and developing processing system 10 is provided adjacent to the exposure apparatus 12 in a clean room. At the center of the coating and developing processing system 10, a process station (P / S) 16 extending in the X-axis direction is disposed. One end side of the process station (P / S) 16 is connected to the cassette station (C / S) 14, and the other end side is connected to the interface station (I / F) 18.

카세트스테이션(C/S)(14)은 카세트스테이지(20) 및 서브아암기구(22)를 구비하고, 시스템(10)에 카세트(C)를 출납하는 반입출포트로서 기능한다. 카세트스테이 지(20)상에는 4개의 카세트(C)가 Y축방향에 직렬로 줄서 재치된다. 카세트(C)내에는 복수장의 LCD기판(G)이 수평으로 수납되어 있다.The cassette station (C / S) 14 is provided with a cassette stage 20 and a subarm mechanism 22, and functions as a carrying in / out port for putting the cassette C in and out of the system 10. On the cassette stage 20, four cassettes C are placed in series in the Y-axis direction. In the cassette C, a plurality of LCD substrates G are stored horizontally.

서브아암기구(22)는 기판(G)을 유지하는 반송아암홀더(22a), 및 반송아암홀더(22a)를 X, Y, Z, θ의 4축에 동작시키는 구동기구(미도시)를 구비하고 있다. 이 서브아암기구(22)는, 인접하는 프로세스스테이션(P/S)(16)의 패스라인(A)의 롤러데이블상에 기판(G)을 놓고, 패스라인(B)의 롤러데이블상에서 기판(G)을 채택한다. 또, 서브아암기구(22)는 프로세스스테이션(P/S)(16)측의 셔틀(40)과의 사이에서 기판(G)을 직접 인수 인도할 수도 있다.The sub arm mechanism 22 is provided with the conveyance arm holder 22a which hold | maintains the board | substrate G, and the drive mechanism (not shown) which operates the conveyance arm holder 22a to four axes of X, Y, Z, and (theta). Doing. The sub-arm mechanism 22 places the substrate G on the roller table of the pass line A of the adjacent process station (P / S) 16, and the substrate (on the roller table of the pass line B). Adopt G). The sub-arm mechanism 22 can also take over the substrate G directly with the shuttle 40 on the process station (P / S) 16 side.

프로세스스테이션(P/S)(16)은, 시스템 길이방향(X축방향)으로 연장되는 왕복의 패스라인A, B에 따라 각처리부를 프로세스플러 또는 공정의 순서로 배치되고 있다. 즉, 카세트스테이션(C/S)(14)측에서 인터페이스스테이션(I/F)(18)측에 향하는 왕로의 패스라인(A)에는 세정프로세스부(24), 제 1의 열처리부(26), 도포프로세스부(28), 제 2의 열처리부(30)이 이 순서로 직렬적으로 배치되어 있다. The process station (P / S) 16 is arranged in the order of a process plug or a process in accordance with the pass lines A and B of the reciprocation extending in the system longitudinal direction (X-axis direction). That is, the cleaning process part 24 and the first heat treatment part 26 are provided in the pass line A of the path from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side. The coating process part 28 and the 2nd heat processing part 30 are arrange | positioned in this order in series.

한편, 인터페이스스테이션(I/F)(18)측에서 카세트스테이션(C/S)(14)측에 향하는 복로의 패스라인(B)에는, 제 2의 열처리부(30)와, 현상프로세스부(32), 탈색프로세스부(34), 제 3의 열처리부(36)가 이 순서로 직렬적으로 배치되어 있다. 이 라인형태에서는, 제 2의 열처리부(30)는, 왕로의 패스라인(A)의 가장 뒤에 위치하는 것과 동시에, 복로의 패스라인(B)의 선두에 위치하여, 양쪽 패스라인A, B간에 걸쳐 있다.On the other hand, the second heat treatment unit 30 and the developing process unit (B) are provided in the path line B of the return path from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side. 32, the discoloration process part 34 and the 3rd heat processing part 36 are arrange | positioned in this order in series. In this line form, the second heat treatment unit 30 is located at the rear of the path line A of the return path, and is located at the head of the path line B of the return path. On.

양쪽 패스라인A, B간에는 보조반송공간(38)이 설치되어 있고, 기판(G)을 1장 단위로 수평으로 재치가능한 셔틀(40)이 도시하지 않는 구동기구에 의해 패스라인방향(X축방향)에서 양방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. Auxiliary transport space 38 is provided between both passlines A and B, and a shuttle mechanism in which a shuttle 40 capable of horizontally placing the substrate G horizontally in units of one sheet is not shown in the passline direction (X-axis direction). ) Can move in both directions.

상류부의 패스라인(A)에 있어서, 세정프로세스부(24)는, 스크래버 세정유니트(SCR)(42)을 포함하고 있고, 이 스크래버 세정유니트(SCR)(42)내의 카세트스테이션(C/S)(10)과 인접하는 자리에 엑시머UV조사유니트(e-UV)(41)을 배치하고 있다. 스크래버 세정유니트(SCR)(42)내의 세정부는, LCD기판(G)을 롤러반송 또는 벨트반송에 의해 수평자세로 패스라인(A)방향으로 반송하면서 기판(G)에 브러싱세정이나 블로우세정을 실시하도록 되어 있다. In the pass line A of the upstream portion, the cleaning process section 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and the cassette station (C /) in the scrubber cleaning unit (SCR) 42. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is disposed at a position adjacent to S) 10. The cleaning unit in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs brushing cleaning or blow cleaning on the substrate G while conveying the LCD substrate G in the horizontal direction in the pass line A direction by roller conveyance or belt conveyance. It is supposed to be done.

세정프로세스부(24)의 하류측에 인접하는 제 1의 열처리부(26)는, 패스라인(A)에 따라 중심부에 세로형태의 인수인도 아암기구(46)를 설치하고, 그 전후양측에 복수의 유니트을 다단으로 적층배치하고 있다. The first heat treatment part 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process part 24 is provided with a vertical delivery guide arm mechanism 46 at its center in the center along the pass line A, and on both front and rear sides thereof. Units are stacked in multiple stages.

구체적으로는, 도 2에 도시하는 것과 같이, 상류측의 다단유니트부(TB)(44)에서는, 기판 인수인도용 패스유니트(PASS)(50)의 위에, 탈수베이크용의 가열유니트(DHP)(521, 522) 및 어드히전(adhesion)유니트(AD)(561)이 다단으로 쌓인다. 여기서, 패스유니트(PASS)(50)은 스크래버 세정유니트(SCR)(42)에서 세정처리를 마친 기판(G)을 받기 위한 스페이스를 제공한다.Specifically, as shown in FIG. 2, in the upstream multi-stage unit (TB) 44, a heating unit (DHP) for dewatering bake is placed on the substrate-passing delivery pass unit (PASS) 50. 521, 522 and Adhesion Unit (AD) 561 are stacked in multiple stages. Here, the pass unit (PASS) 50 provides a space for receiving the substrate (G) after the cleaning process in the scrubber cleaning unit (SCR) 42.

또, 하류측의 다단유니트부(TB)(48)에는, 기판 인수인도용의 패스유니트(PASS)(50)의 위에, 냉각유니트(CL)(621, 622) 및 부착유니트(AD)(562)이 다단으로 쌓인다. 여기서, 패스유니트(PASS)(60)은 도포프로세스부(28)측에 레지스트도포처리를 받아야 할 기판(G)을 건네주기 위한 스페이스를 제공한다. In addition, the downstream multistage unit (TB) 48 has a cooling unit (CL) 621 and 622 and an attachment unit (AD) 562 on the pass unit (PASS) 50 for substrate transfer. Stacked in this multistage. Here, the pass unit (PASS) 60 provides a space for passing the substrate G to be subjected to the resist coating process to the application process portion 28 side.                     

상류측의 패스유니트(PASS)(50)의 실내에는, 스크래버 세정유니트(SCR)(42)의 수평반송로(미도시)가 인입되어 있다. 이러한 수평반송로는 패스라인의 일부를 구성하는 것이다. 또한, 반송로상에 기판을 수평자세로 들기 위한 승강가능한 리프트핀(미도시)을 설치해도 괜찮다.A horizontal conveyance path (not shown) of the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is led in the interior of the upstream pass unit PASS 50. These horizontal carriers constitute part of the pass line. Moreover, you may provide the liftable lift pin (not shown) for lifting a board | substrate horizontally on a conveyance path.

각 열처리계유니트((DHP:521, 522), (AD:561, 562), (CL:621, 622))의 실내에는 기판(G)을 수평으로 재치하여 가열하는 열판(미도시)이나 상기 열판상에서 기판(G)의 인수인도를 행하기 위한 승강가능한 리프트핀(미도시)등이 설치되어 있다. 하류측의 패스유니트(PASS)(60)의 실내에는, 근처의 도포프로세스부(28)측에서 억세스가능 즉 기판반출가능하게 구성된 기판지지부 예를들면, 복수개의 지지핀(미도시)설치되어 있다.In the interior of each heat treatment system unit ((DHP: 521, 522), (AD: 561, 562), (CL: 621, 622)), a hot plate (not shown) for placing and heating the substrate G horizontally. A lift pin (not shown) or the like that is capable of taking over the substrate G on the hot plate is provided. In the interior of the downstream pass unit (PASS) 60, a substrate support part configured to be accessible from the adjacent coating process part 28 side, i.e., capable of carrying out the substrate, for example, a plurality of support pins (not shown) are provided. .

본 실시의 형태에서는, 상류측 및 하류측의 양다단유니트부(TB)(44, 48)에 각각 1개 또는 복수개의 버퍼(BUF)가 설치되어 있다. 즉, 도 2에 나타나도록, 상류측 패스유니트(PASS)(50)의 하방에 3개의 버퍼유니트(BUF)(671, 672, 673)이 다단으로 쌓이는 것과 동시에, 하류측 패스유니트(PASS)(60)의 하방에도 3개의 버퍼유니트(BAF)(674, 675, 676)이 다단으로 쌓여 있다. 버퍼유니트(BUF)(671~676)의 실내에는 복수개의 지지핀(미도시)이 설치되어, 인수인도 아암기구(46)에서 기판(G)을 인수인도할 수 있도록 되어 있다. In this embodiment, one or more buffers BUF are provided in the upstream and downstream multistage unit units TB, 44 and 48, respectively. That is, as shown in FIG. 2, three buffer units BUF 671, 672, and 673 are stacked in multiple stages below the upstream pass unit PASS 50, and at the same time, the downstream pass unit PASS ( Below the 60, three buffer units (BAF) 674, 675, 676 are stacked in multiple stages. A plurality of support pins (not shown) are provided inside the buffer units BUFs 671 to 676 so that the substrate G can be taken over by the take-in arm mechanism 46.

이러한 버퍼유니트(BUF)(671~676)은 열처리부에 속하는 유니트의 여유 공간이 없고, 패스라인(A, B)상에서 기판(G)끼리 충돌하는 것을 회피하기 위해, 기판을 일시적으로 체류(대기)시켜 두는 퇴피장소로서 이용된다. These buffer units (BUFs) 671 to 676 have no free space in units belonging to the heat treatment portion, and temporarily stay in the substrate to avoid collision between the substrates G on the pass lines A and B. It is used as a evacuation site.                     

도 2에 있어서, 인수인도 아암기구(46)는, 연직방향으로 연재하는 가이드레일(68)에 따라 승강이동가능한 승강반송체(70)와, 이 승강반송체(70)상에서 θ방향으로 회전 또는 선회가능한 선회반송체(72)와, 이 선회반송체(72)상에서 기판(G)을 지지하면서 전후방향으로 진퇴 또는 신축가능한 아암홀더 또는 핀세트(74)를 갖고 있다. 승강반송체(70)를 승강구동하기 위한 구동부(76)가 수직가이드레일(68)의 기단측에 설치되고, 선회반송체(72)를 선회구동하기 위한 구동부(78)가 승강반송체(70)에 장착되고, 반송아암홀더(74)를 진퇴구동하기 위한 구동부(80)가 회전반송체(72)에 장착되어 있다. 각 구동부(76, 78, 80)는 예를들면, 전기모터 등으로 구성되어도 좋다.In FIG. 2, the take-in arm mechanism 46 is a lifting carrier 70 which is capable of lifting and lowering according to a guide rail 68 extending in the vertical direction, and rotates or rotates on the lifting carrier 70 in the θ direction. The pivoting carrier 72 and the arm holder or tweezers 74 which can move forward and backward or stretch in the front-rear direction while supporting the substrate G on the pivoting carrier 72 are provided. A drive unit 76 for lifting and lowering the lifting carrier 70 is provided at the proximal end of the vertical guide rail 68, and the driving unit 78 for pivoting the swing carrier 72 is a lifting carrier 70. ), A drive unit 80 for advancing and driving the carrier arm holder 74 is mounted to the rotary carrier 72. Each drive part 76, 78, 80 may be comprised, for example with an electric motor.

인수인도 아암기구(46)는 블럭콘트롤러(205)의 제어하에서, 고속으로 승강 혹은 선회운동을 해서 양쪽의 다단유니트부(TB)(44, 48)중에서 선택되는 임의의 유니트에 억세스하고, 기판(G)을 반입반출할 수 있다. 또, 인수인도 아암기구(46)는 보조반송공간(38)측의 셔틀(40)까지 기판(G)을 직접적으로 인수인도할 수 있게 되어 있다. Under the control of the block controller 205, the take-up arm mechanism 46 moves up or down at high speed to access any unit selected from the multi-stage unit units (TB) 44, 48, and the substrate ( You can import and export G). The delivery arm mechanism 46 can take over the substrate G directly to the shuttle 40 on the side of the auxiliary transport space 38.

도 1에 도시하는 것과 같이, 도포프로세스부(28)는 제 1의 열처리부(26)의 하류측에 인접하여 설치되어 있다. 도포프로세스부(28)에는, 레지스트 도포유니트(CT)(82), 감압건조유니트(VD)(84) 및 엣지리무버, 유니트(ER)(86)이 왕로패스라인(A)에 따라 일렬로 줄지어 있다. 도시를 생략하지만, 도포프로세스부(28)내에는, 이것들 3개의 유니트((CT:82), (VD:84), (ER:86))에 기판(G)을 공정순으로 1장씩 반입, 반출하기 위한 내부반송장치(미도시)가 설치되어 있고, 각 유니트((CT:82), (VD:84), (ER:86))내에서는 기판 1장단위로 각 처리가 행하도록 되어 있다. 또한, 내부반송장치(미도시)는, 제 1의 열처리부(26)의 하류측의 패스유니트(PASS)(60)에도 억세스 가능하게 되어 있다.As shown in FIG. 1, the coating process part 28 is provided adjacent to the downstream side of the 1st heat processing part 26. As shown in FIG. In the coating process unit 28, a resist coating unit (CT) 82, a reduced pressure drying unit (VD) 84, and an edge remover and a unit (ER) 86 are lined up in a line along the route pass line A. Built. Although not shown in the drawing, the coating process unit 28 loads and unloads the substrate G into each of these three units (CT: 82), (VD: 84), and (ER: 86) one by one in the process order. An internal conveying apparatus (not shown) is provided, and in each unit (CT: 82), (VD: 84), (ER: 86), each processing is performed in units of one substrate. The internal conveying apparatus (not shown) is also accessible to a pass unit (PASS) 60 on the downstream side of the first heat treatment unit 26.

도 3에 도시하는 것과 같이, 제 2의 열처리부(30)는, 상기 제 1의 열처리부(26)와 실질적으로 동일한 구성이고, 왕로패스라인(A)과 복로패스라인(B)간에 배치되어 있다. 즉, 제 2의 열처리부(30)는, 왕로패스라인A측(제일 뒤)에 한쪽의 다단유니트부(TB)(88)를 가지고, 복로패스라인B측(선두)에 다른 쪽의 다단유니트부(TB)(92)를 가지고 있다. 제 2의 열처리부(30)에 있어서는, 상류측의 다단유니트부(TB)(88)와 하류측의 다단유니트부(TB)(92)간에 인수인도 아암기구(90)가 설치되고, 상류측의 다단유니트부(TB)(88)는 제 1의 패스유니트(50)을 구비한다. 제 1의 패스유니트(50)은 엣지리무버(86)에서 기판(G)이 인수인도되도록 되어 있다. As shown in FIG. 3, the 2nd heat processing part 30 is substantially the same structure as the said 1st heat processing part 26, and is arrange | positioned between the return path line A and the return path line B. As shown in FIG. have. That is, the second heat treatment unit 30 has one multi-stage unit (TB) 88 on the path path A side (first back), and the other multi-stage unit on the return path line B side (head). It has a portion (TB) 92. In the second heat treatment unit 30, a delivery guide arm mechanism 90 is provided between the upstream side stage unit section (TB) 88 and the downstream side stage stage unit section (TB) 92, and the upstream side. The multi-stage unit (TB) 88 has a first pass unit 50. In the first pass unit 50, the substrate G is taken over by the edge remover 86.

왕로측의 패스유니트(PASS)(50)의 윗쪽에는 프리베이크용의 2개의 가열유니트(DHP)(521, 522) 및 1개의 냉각유니트(COL)(621)이 쌓여 있다. 또한, 패스유니트(PASS)(50)의 아래쪽에는 3단의 버퍼유니트(BUF)(671, 672, 673)이 설치되어 있다. Two heating units (DHP) 521 and 522 for prebaking and one cooling unit (COL) 621 are stacked on the upper side of the pass unit PASS 50. Further, three stage buffer units (BUFs) 671, 672, and 673 are provided below the pass unit PASS.

한편, 복로측의 다단유니트부(TB)(92)에는, 현상프로세스부(32)에 기판(G)을 건네주기 위한 패스유니트(PASS)(60)이 설치되어 있다. 이 패스유니트(PASS)(60)의 위쪽에도 프리베이크용의 2개의 가열유니트(DEP)(523, 524) 및 1개의 냉각유니트(COL)(622)이 쌓여 있다. 또한, 패스유니트(PASS)(60)의 아래쪽에도 3단의 버퍼유니트(BUF)(674, 675, 676)이 설치되어 있다. On the other hand, a pass unit (PASS) 60 for passing the substrate G to the developing process part 32 is provided in the multi-stage unit part TB on the return side. Two heating units (DEP) 523 and 524 for prebaking and one cooling unit (COL) 622 are stacked above the pass unit PASS 60. In addition, a three-stage buffer unit (BUF) 674, 675, 676 is provided below the pass unit PASS 60.                     

인수인도 아암기구(90)는 블럭컴퓨터(B/C)(205)의 제어하에서, 고속으로 승강 혹은 선회운동을 하고 양쪽의 다단유니트부(TB)(88, 92)중에서 선택되는 임의의 유니트으로 억세스히여 기판(G)의 반입출을 행하는 것이 가능하고, 양패스유니트(PASS)(50, 60)을 통해서 도포프로세스부(28) 및 현상프로세스부(32)와 기판(G)을 1장단위로 인수인도할 수 있다. 또, 인수인도 아암기구(90)는 보조반송공간(38)내의 셔틀(40)이나 후술할 인터페이스스테이션(I/F)(18)도 기판(G)을 1장단위로 인수인도할 수 있게 되어 있다. The take-up arm mechanism 90 moves up or down at high speed under the control of a block computer (B / C) 205 and is an arbitrary unit selected from both multi-stage unit units (TB) 88, 92. It is possible to access and carry out the substrate G, and the coating process unit 28, the developing process unit 32, and the substrate G are formed in units of one through the two pass units PASS 50 and 60. You can take over. In addition, the transfer arm mechanism 90 is capable of taking over the board | substrate G also by the shuttle 40 in the auxiliary conveyance space 38, and the interface station (I / F) 18 which are mentioned later. .

복로패스라인(B)에 있어서, 현상프로세스(32)는, 기판(G)을 수평자세로 반송하면서, 일련의 현상처리공정을 행하는 이른바 평류방식의 현상유니트(DEV)(94)을 포함하고 있다. 이 현상프로세스부(32)내에는 예를들면 사이즈1000~1200mm의 LCD기판(G)이 최대 8매까지 일렬로 세울 수가 있다.In the return path line B, the developing process 32 includes a so-called flat flow developing unit DEV 94 for carrying out a series of developing treatment steps while conveying the substrate G in a horizontal posture. . In the developing process section 32, for example, the LCD substrate G having a size of 1000 to 1200 mm can be lined up to eight sheets.

현상프로세스부(32)의 하류측에는 탈색프로세스부(34)를 끼워 제 3의 열처리부(36)가 배치된다. 탈색프로세스부(34)는 기판(G)의 피처리면에 i선(파장365nm)을 조사하고 탈색처리를 행하기 위한 i선UV조사유니트(i-UV)(96)을 구비하고 있다.On the downstream side of the developing process portion 32, a third heat treatment portion 36 is disposed with a discoloration process portion 34 interposed therebetween. The decolorization process part 34 is provided with the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 for irradiating i line | wire (wavelength 365nm) to the to-be-processed surface of the board | substrate G, and performing a decolorization process.

도 4에 도시하는 것과 같이, 제 3의 열처리부(36)는 상기 제 2의 열처리부(30)와 실질적으로 동일한 구성이고, 복로패스라인(B)의 i선UV조사유니트(i-UV)(96)과 카세트스테이션(20)간에 배치되어 있다. 즉, 제 3의 열처리부(36)는 살류측에 한쪽의 다단유니트부(TB)(98)를 갖고, 하류측에 다른 쪽에 다단유니트부(TB)(102)를 가지고 있다. 제 3의 열처리부(36)에 있어서는 상류측의 다단유니트부(TB)(98)와 하류측의 다단유니트부(TB)(102)간에 인수인도 아암기 구(100)가 설치되고, 상류측의 다단유니트부(TB)(98)는 제 1의 패스유니트(50)을 구비하고 있다. 제 1의 패스유니트(50)은 i선UV조사유니트(i-UV)(96)으로부터 기판(G)을 인수인도될 수 있도록 되어 있다. As shown in FIG. 4, the third heat treatment unit 36 has a configuration substantially the same as that of the second heat treatment unit 30, and the i-ray UV irradiation unit (i-UV) of the return path line (B). It is arranged between 96 and the cassette station 20. That is, the third heat treatment unit 36 has one multi-stage unit (TB) 98 on the side of the stream and a multi-stage unit (TB) 102 on the other side of the downstream side. In the third heat treatment part 36, the delivery lead arm opening sphere 100 is provided between the upstream multistage unit part (TB) 98 and the downstream multistage unit part (TB) 102, and the upstream side. The multi-stage unit (TB) 98 has a first pass unit 50. The first pass unit 50 is capable of taking over the substrate G from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96.

상류측의 패스유니트(PASS)(50)의 위쪽에는 포스트베이크용의 2개의 가열유니트(DHP)(521, 522) 및 1개의 냉각유니트(COL)(621)이 쌓여 있다. 또한, 패스유니트(PASS)(50)의 아래쪽에는 3단의 버퍼유니트(BUF)(671, 672, 673)이 설치되어 있다. Two heating units (DHP) 521 and 522 for post-baking and one cooling unit (COL) 621 are stacked above the upstream pass unit PASS 50. Further, three stage buffer units (BUFs) 671, 672, and 673 are provided below the pass unit PASS.

한편, 복로패스라인(B)측의 다단유니트(TB)(102)에는 카세트스테이션(C/S)(20)에 기판(G)을 건네주기 위한 패스유니트(PASS)(60)이 설치되어 있다. 이 패스유니트(PASS)(60)의 위쪽에도 포스트베이크용의 2개의 가열유니트(DHP)(523, 524) 및 1개의 냉각유니트(COL)(622)이 쌓여 있다. 또한, 패스유니트(PASS)(60)의 아래쪽에도 3단의 버퍼유니트(BUF)(674, 675, 676)이 설치되어 있다.On the other hand, the multi-stage unit (TB) 102 on the return path line B side is provided with a pass unit PASS 60 for passing the substrate G to the cassette station C / S 20. . Above the pass unit PASS 60, two heating units (DHP) 523 and 524 for post-baking and one cooling unit (COL) 622 are stacked. In addition, a three-stage buffer unit (BUF) 674, 675, 676 is provided below the pass unit PASS 60.

제 3의 열처리부(36)는 상기 제 1의 열처리부(26)나 제 2의 열처리부(30)와 동일한 구성을 가지고 있고, 패스라인(B)에 따라 세로형태의 인수인도 아암기구(100)와 그 전후양측에 한쌍의 다단유니트부(TB)(98, 102)를 설치하고 있다. The third heat treatment part 36 has the same configuration as the first heat treatment part 26 or the second heat treatment part 30, and has a vertical delivery guide arm mechanism 100 along the pass line B. FIG. ) And a pair of multi-stage unit (TB) 98, 102 are provided on both sides.

인수인도 아암기구(100)는 블럭콘트롤러(205)의 제어하에서 고속으로 승강 내지 선회운동을 하여 양쪽의 다단유니트부(TB)(98, 102)중의 임의의 유니트에 억세스가 가능하고, 양다단유니트부(TB)(98, 102)의 패스유니트(PASS) 및 패스, 쿨링 유니트(PASSㆍCOL)을 통해서 각각 i선UV조사유니트(i-UV)(96) 및 카세트스테이션(C/S)(14)과 기판(G)을 1장단위로 인수인도할 수 있다. 또, 인수인도 아암기구(100)는 보조반송공간(38)내의 셔틀(40)도 기판(G)을 1장단위로 인수인도할 수 있도록 되어 있다. The take-up arm mechanism 100 is capable of gaining access to any unit of the multi-stage unit units (TB) 98, 102 by lifting and turning at high speed under the control of the block controller 205, and the two-stage unit. I-UV irradiation unit (i-UV) 96 and cassette station (C / S) (through pass units (PASS), paths and cooling units (PASS and COL) of TB (98, 102) ( 14) and the board | substrate G can be acquired by one sheet. In addition, the transfer arm mechanism 100 is capable of taking over the substrate G by one piece of the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38.

인터페이스스테이션(I/F)(18)은 노광장치(12)간에서 기판(G)을 인수인도하기 위한 반송장치(104)를 가진다. 반송장치(104)의 주위에는 버퍼스테이지(BUFS)(106), 익스텐션 쿨링 스테이지(EXTㆍCOL)(108) 및 주변장치(110)가 배치되어 있다. 버퍼스테이지(BUFS)(106)에는 정치형의 버퍼카세트(미도시)가 놓여진다. 익스텐션 쿨링 스테이지(EXTㆍCOL)(108)는 냉각기능을 구비한 기판인수인도용의 스테이지이고, 프로세스스테이션(P/S)(16)측과 기판을 인수인도할 경우에 사용된다. 주변장치(110)는 예를들면 타이틀러(TITLER)와 주변노광장치(EE)를 상하로 쌓여진 구성이라도 좋다. 반송장치(104)는 서브아암기구(104a)를 갖고, 노광장치(12)나 각 유니트(BUFS)(105), (EXTㆍCOL)(106), (TITLER/EE)(110)과 가판(G)의 인수인도를 행할 수 있도록 되어 있다. The interface station (I / F) 18 has a conveying apparatus 104 for taking over the substrate G between the exposure apparatuses 12. A buffer stage (BUFS) 106, an extension cooling stage (EXT COL) 108, and a peripheral device 110 are arranged around the conveyer 104. The buffer stage (BUFS) 106 is placed with a standing buffer cassette (not shown). The extension cooling stage (EXT / COL) 108 is a stage for taking over the substrate with a cooling function, and is used when taking over the process station (P / S) 16 side and the substrate. The peripheral device 110 may be, for example, a configuration in which a titler TITLER and a peripheral exposure device EE are stacked up and down. The conveying apparatus 104 has the sub-arm mechanism 104a, and the exposure apparatus 12, each unit (BUFS) 105, (EXT * COL) 106, (TITLER / EE) 110, and the substrate ( The acquisition of G) can be performed.

도 5에 도시하는 것과 같이, 주콘트롤러(M/C)(200)는 복수의 블럭콘트롤러(B/C)(201~207)에 병렬로 접속되고, B/C(201~207)의 각각에 지령을 보내고 시스템전체를 통괄제어하는 것이다. 각 B/C(201~207)는 시스템내의 기기나 유니트을 분담해서 받아놓고, 받아놓은 범윙의 기기나 유니트의 동작을 각각 제어하는 것이다. As shown in FIG. 5, the main controller (M / C) 200 is connected in parallel to a plurality of block controllers (B / C) 201 to 207, and is connected to each of the B / Cs 201 to 207. It is to send a command and to control the whole system. Each of the B / Cs 201 to 207 shares the devices and units in the system and controls the operation of the devices and units of the received bumping.

제 1에서 제 5까지의 B/C(201~205)는 프로세스스테이션(P/S)(24)의 각부의 제어를 분담한다. 예를 들면, 제 1의 B/C(201)는 엑시머UV조사유니트(e-UV)(41), 스크래버세정유니트(SCR)(42), 제 1의 열처리부(26)의 다단유니트부(TB)(44, 48)의 제어를 담당한다. 제 2의 B/C(202)는 도포유니트(CT)(82), 감압건조유니트(VD)(84), 엣지리무버(ER)(86)의 제어를 담당한다. 제 3의 B/C(203)는 현상유니트(DEV)(94), 제 2의 열처리부의 다단유니트(88, 92)(TB)의 제어를 담당한다. 제 4의 B/C(204)는 현상유니트(DEV)(94), i선UV조사유니트(i-UV)(96), 제 3의 열처리부의 다단유니트(98, 102)(TB)의 제어를 담당한다. 제 5의 B/C(205)는 제 1 ~ 제 3의 인수인도 아암기구(46, 90, 100) 및 셔틀(40)의 제어를 담당한다.The first to fifth B / Cs 201 to 205 share the control of each part of the process station (P / S) 24. For example, the first B / C 201 is an excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and a multi-stage unit part of the first heat treatment unit 26. (TB) 44, 48 is responsible for the control. The second B / C 202 is in charge of controlling the coating unit (CT) 82, the reduced pressure drying unit (VD) 84, and the edge remover (ER) 86. The third B / C 203 is responsible for controlling the developing unit (DEV) 94 and the multi-stage units 88 and 92 (TB) of the second heat treatment unit. The fourth B / C 204 controls the development unit (DEV) 94, the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96, and the multi-stage units 98, 102 (TB) of the third heat treatment unit. In charge of. The fifth B / C 205 is responsible for controlling the first to third takeover arm mechanisms 46, 90, 100 and the shuttle 40.

제 6의 B/C(206)는 카세트스테이션(C/S)(14)의 각부의 제어를 분담한고, 예를 들면 서브아암기구(22) 및 공기조절용FFU(미도시)의 제어를 담당한다.The sixth B / C 206 shares the control of each part of the cassette station (C / S) 14 and, for example, is responsible for the control of the subarm mechanism 22 and the air conditioning FFU (not shown). .

제 7의 B/C(207)는 인터페이스스테이션(I/F)(18)의 각부의 제어를 분담하고, 에를들면 서브아암기구(104), 버퍼스테이지(106), 익스텐션 쿨링 스테이지(EXTㆍCOL)(108), 타이틀러(TITLER)/주변노광장치(EE)(110)의 제어를 담당한다.The 7th B / C 207 shares control of each part of the interface station (I / F) 18, for example, the subarm mechanism 104, the buffer stage 106, and the extension cooling stage (EXT / COL). 108), and is responsible for the control of the TITLER / peripheral exposure apparatus (EE) (110).

도 6은 기판처리시스템에 있어서의 정상시의 처리의 순서를 보여주는 플로차트이다. 우선, 카세트스테이션(C/S)(14)에 있어서, 서브아암기구(22)가 스테이지(20)상의 소정의 카세트(C)중에서 1개의 기판(G)을 꺼내서, 프로세스스테이션(P/S)(16)의 세정프로세스부(24)의 엑시머UV조사유니트(e-UV)(41)에 반입한다(공정S1).6 is a flowchart showing the procedure of normal processing in the substrate processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the sub-arm mechanism 22 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 20, and the process station P / S. It carries in to the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 of the washing | cleaning process part 24 of (16) (step S1).

엑시머UV조사유니트(e-UV)(41)내에서 기판(G)은 자외선조사에 의한 건식세정이 실시된다(공정S2). 이 자외선세정에서는 주로 기판표면의 유기물이 제거된다. 자외선세정의 종료후에, 기판(G)은 카세트스테이션(C/S)(14)의 서브아암기구(22)에 의해 세정프로세스부(24)의 스크래버세정유니트(SCR)(42)에 옮겨진다.In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the substrate G is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation (step S2). Ultraviolet cleaning mainly removes organic matter from the substrate surface. After the end of the UV cleaning, the substrate G is transferred to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process part 24 by the subarm mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14. .

스크래버세정유니트(SCR)(42)에서는, 상기한 바와 같이 기판(G)을 롤러반송 또는 벨트반송에 의해 수평자세로 패스라인(A)방향으로 평류방법으로 반송하면서 기판(G)표면에 브러싱세정이나 블로세정을 실시함으로써, 기판표면에서 입자형태의 더러움을 제거한다(공정S3). 그리고, 세정후도 기판(G)을 평류방법으로 반송하면서 린스처리를 실시하고, 마지막에 에어나이프등을 사용해서 기판(G)을 건조시킨다.In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the substrate G is brushed on the surface of the substrate G while conveying the substrate G in the horizontal direction in the pass line A direction by roller conveyance or belt conveyance as described above. By washing or blow-cleaning, particle-shaped dirt is removed from the substrate surface (step S3). Then, even after washing, the substrate G is rinsed while being conveyed by the flow current method, and finally, the substrate G is dried using an air knife or the like.

스크래버세정유니트(SCR)(42)내에서 세정처리을 마친 기판(G)은 제 1열처리부(26)의 상류측 다단유니트부(TB)(44)내의 패스유니트(PASS)(50)으로 반입된다. 이 후, 기판(G)은 하류측 다단유니트부(TB)(48)의 패스유니트(60)을 통해서 롤러테이블상에 반송되거나, 또는 버퍼유니트(671~676)중 어느 하나에 반입되고, 체류해제시간이 될 때까지 대기한다. 체류해제시간이 되면, 인수인도 아암기구(46)는 기판(G)을 버퍼유니트에서 꺼내서, 패스유니트(PASS)(60)에 반송하고, 하류측의 롤러테이블에 놓는다.The substrate G, which has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42, is loaded into the pass unit PASS 50 in the upstream side multi-stage unit section TB 44 of the first heat treatment section 26. do. Subsequently, the substrate G is conveyed onto the roller table through the pass unit 60 of the downstream multi-stage unit (TB) 48, or is carried in one of the buffer units 671 to 676, and is retained. Wait for the release time. When the retention time is reached, the delivery arm mechanism 46 takes the substrate G out of the buffer unit, conveys it to the pass unit PASS 60, and puts it on the downstream roller table.

기판(G)이 상기 어느 코스를 선택해서 반송될까에 대해서는 M/C(200)가 판단한다. M/C(200)는 시스템내에서 시시각각 변화하는 모든 기판의 현재위치를 파악하고, 그 파악한 기판의 현재위치를 기초하여 B/C(201~207)의 각각을 시간제어하고 있다. 우선, M/C(200)는 패널등록테이블을 기초하여 예측타이밍시간을 구하고, 패스라인(A)의 롤러테이블상에서 후속기판(G)이 선행 기판(G)에 충돌하는지의 여부를 판단한다. The M / C 200 determines whether or not the substrate G is selected and conveyed. The M / C 200 grasps the current positions of all the substrates that change every moment in the system, and controls each of the B / Cs 201 to 207 based on the current positions of the identified substrates. First, the M / C 200 obtains the predictive timing time based on the panel registration table, and determines whether or not the subsequent substrate G collides with the preceding substrate G on the roller table of the pass line A. FIG.                     

판정결과가 YES일 때는, M/C(200)는 B/C(205)에 신호를 보내고, 또한 B/C(205)는 인수인도 아암기구(46)에 신호를 보내고, 인수인도 아암기구(46)에 기판(G)을 예를들면 제 3의 버퍼유니트(673)에 반입시킨다(공정S4).When the determination result is YES, the M / C 200 sends a signal to the B / C 205, and the B / C 205 sends a signal to the take over arm mechanism 46, and the take over arm mechanism ( The substrate G is loaded into the third buffer unit 673, for example (step S4).

한편, 판정결과가 NO일 때는, M/C(200)는 B/C(205)에 신호를 보내고, 또한 B/C(205)는 인수인도 아암기구(46)에 신호를 보내고, 인수인도 아암기구(46)에 기판(G)을 제 2의 패스유니트(60)에 반입시킨다(공정S5). 이 NO 판정결과일 때는 공정(S4)를 넘어서 공정(S3)에서 공정(S5)로 나아간다. On the other hand, when the determination result is NO, the M / C 200 sends a signal to the B / C 205, and the B / C 205 sends a signal to the takeover arm mechanism 46, and takes over the takeover arm. The board | substrate G is carried in to the 2nd pass unit 60 by the mechanism 46 (step S5). When it is this NO determination result, it progresses beyond process S4 to process S3 from process S3.

이하, 본실시형태의 기판처리 프로그램에 관련된 몇개의 소프트웨어용어를 아래와 같이 각각 정의한다. Hereinafter, some software terms related to the substrate processing program of the present embodiment are defined as follows, respectively.

① "유니트패널처리시간(unit panel processing time)"은 1장의 패널(기판)이 있는 유니트에 들어갔을 때부터, 처리가 완료되어 상기 유니트에서 나올 때까지의 시간을 말한다.① "Unit panel processing time" refers to the time from when the unit enters a unit with one panel (substrate) until the processing is completed and the unit exits.

② "유니트택트(unit tact time)"는 반송아암홀더기구가 유니트에 연속해서 패널(기판)을 반송할 수 있는 상태로, 선행 팬널이 유니트을 나와서, 다음의 패널이 상기 유니트을 나갈 때까지의 시간을 말한다. 통상, 복수장의 패널이 들어가는 유니트에서는, "유니트패널처리시간"을 한번에 처리하는 패널 매수로 나누면 "유니트택트"가 구해진다.(2) "Unit tact time" is a state in which the carrier arm holder mechanism can convey the panel (substrate) continuously to the unit, and the time until the preceding panel exits the unit and the next panel exits the unit. Say. Normally, in a unit containing a plurality of panels, "unit touch" is obtained by dividing the "unit panel processing time" by the number of panels processed at one time.

③ "플로택트(flow tact time)"는 어떤 패널이 지정된 플로로 통과하는 유니트중에서, 지정된 레시피(recipe)처리를 한 경우에, 제일 늦은 패널에 맞춘 최대의 스텝택트를 말한다. (3) "Flow tact time" means the maximum step tact for the latest panel when a specified recipe processing is performed among units that a panel passes through the designated flow.                     

④ "로트 콘트롤 타스크(lot control task)"라는 것은, 장치내의 로트가 한번이라도 통과하는 모든 유니트중에서, 처리시간이 가장 길어지는 택트에 맞추어, 평평하게 흘리는 유니트 및 레지스트 도포계유니트에의 패널을 송출하도록 제어하는 것을 말한다.(4) The "lot control task" refers to a panel that flows flatly in the unit and resist coating system unit in accordance with the tact with the longest processing time among all units through which the lot in the device passes at least once. To control.

처리유니트에 있어서의 각각의 처리시간은 패널플로를 등록할 때에 B/C에 레시피전송하고, 프로세스처리에 걸리는 종처리시간과 택트를 선출해서 응답을 받는다.Each processing time in the processing unit transmits a recipe to the B / C at the time of registering the panel flow, selects the end processing time and the tact for processing, and receives a response.

⑤ "패널등록테이블(panel registration table)"이라는 것은, 기판처리시스템내에 존재하는 모든 처리유니트의 유니트패널처리시간을 등록한 데이터베이스를 말한다.(5) The "panel registration table" refers to a database in which unit panel processing times of all processing units existing in the substrate processing system are registered.

M/C는 패널등록테이블을 사용해서, 후속기판이 선행기판에 충돌할 타이밍시간을 예측하고, B/C를 통해서 인수인도 아암기구에 지령신호를 보낸다. 인수인도 아암기구는 지령신호를 수신한면, 예측타이밍시간까지 시간이 맞도록 패스라인에서 기판(G)을 채택한다.The M / C uses the panel registration table to predict the timing time at which the subsequent board will collide with the preceding board, and sends a command signal to the takeover arm mechanism via the B / C. The receiving arm mechanism adopts the substrate G in the pass line so as to time the predicted timing time when the command signal is received.

또한, 패널처리경과시간은 유니트에 패널이 송출되었을 때 자동해제된다. 이 후, 패널처리경과시간은 로트 콘트롤 타스크에 의해 1초마다 인크리멘트된다. 또한, M/C는 로트 콘트롤 타스크의 값을 기초하여 패스라인상에서의 기판의 정체를 판단한다.In addition, the panel processing elapsed time is automatically released when the panel is sent to the unit. Thereafter, the panel processing elapsed time is incremented every second by the lot control task. The M / C also determines the identity of the substrate on the passline based on the value of the lot control task.

⑥ "패널 플로 테이블(panel flow table)"이라는 것을 프로세스처리시간과 택트타임을 등록한 데이터베이스를 말한다. 여기서, "프로세스처리시간(processing time)"라는 것은 패널플로 전개시에 M/C가 B/C에 문의를 하고, 유니트패널처리시간을 설정한 시간을 말한다. 이 프로세스처리시간의 값을 기초로하여, M/C는 로트택트로 가동시킬 때에, 처리유니트내에 남은 기판의 매수를 구한다.(6) The "panel flow table" refers to a database in which process processing time and tact time are registered. Here, " processing time " means a time at which M / C inquires B / C and sets a unit panel processing time at the time of panel flow development. Based on the value of this process processing time, the M / C calculates the number of sheets remaining in the processing unit when operating with lottact.

⑦ "로트관리테이블(lot control table)"이라는 것은 로트택트를 등록한 데이터베이스를 말한다. 여기서 "로트택트(lot tact time)"라는 것은, 카세트에서 1장째의 기판을 꺼낼 때, 패널 플로 테이블에 세트되어 있는 택트타임의 최대치를 말한다.⑦ "lot control table" means a database in which lot contact is registered. Here, "lot tact time" means the maximum value of the tact time set in the panel flow table when taking out the first board | substrate from a cassette.

제 1의 열처리부(26)에 있어서, 기판(G)은 인수인도 아암기구(46)에 의해 소정의 시퀀스로 열처리계의 유니트을 돌린다. 예를 들면, 기판(G)은 처음 패스유니트(PASS)(50)에서 가열유니트(DHP)(521, 522)의 하나에 옮겨져, 거기서 탈수처리를 받는다(공정S5).In the first heat treatment unit 26, the substrate G is rotated by the take-in arm mechanism 46 to turn the unit of the heat treatment system in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first moved from the pass unit PASS 50 to one of the heating units DHP 521 and 522, where it is subjected to dehydration (step S5).

다음에, 기판(G)은 냉각유니트(COL)(621, 622)의 하나에 옮겨져, 거기서 일정한 기판온도까지 냉각된다(공정S6). 그 후에, 기판(G)은 어드히전유니트(AD)(561, 562)의 하나에 옮겨져, 거기서 소수화처리를 받는다(공정S7). 이 소수화처리의 종료후에 기판(G)은 냉각유니트(COL)(621, 622)의 하나에서 일정한 기판온도까지 냉각된다(공정S8). 마지막에, 기판(G)은 하류측 다단유니트부(TB)(48)에 속하는 패스유니트(PASS)(60)에 옮겨진다.Subsequently, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 621 and 622, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S6). Subsequently, the substrate G is transferred to one of the AD units 561 and 562 and subjected to hydrophobic treatment therein (step S7). After completion of this hydrophobization treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature in one of the cooling units (COL) 621 and 622 (step S8). Finally, the substrate G is transferred to a pass unit (PASS) 60 belonging to the downstream multi-stage unit (TB) 48.

이와 같이, 제 1의 열처리부(26)내에서는, 기판(G)이 인수인도 아암기구(46)를 통해서 상류측의 다단유니트부(TB)(44)와 하류측의 다단유니트부(TB)(48)간에 임의로 왕래 할 수 있도록 되어 있다. 또한, 제 2 및 제 3의 열처리부(30, 36)에서 도 동일한 기판반송동작을 행할 수 있도록 되어 있다. Thus, in the 1st heat processing part 26, the board | substrate G is the upstream multistage unit part TB (TB) 44 and the downstream multistage unit part TB through the take-in arm mechanism 46. As shown in FIG. You can come and go arbitrarily between (48). The same substrate transfer operation can also be performed in the second and third heat treatment units 30 and 36.

제 1의 열처리부(26)에서 상기와 같은 일련의 열적 또는 열계의 처리를 받은 기판(G)은 하류측 다단유니트부(TB)(48)내의 패스유니트(PASS)(60)에서 하류측 근처의 도포프로세스부(28)의 레지스트 도포유니트(CT)(82)에 옮겨진다.The substrate G subjected to the above-described series of thermal or thermal treatments in the first heat treatment part 26 is near the downstream side in the pass unit PASS 60 in the downstream multistage unit part TB 48. Is transferred to a resist coating unit (CT) 82 of the coating process section 28 of FIG.

기판(G)은 레지스트 도포유니트(CT)(82)에서 예를들면 스핀코트법에 의해 기판상면(피처리면)에 레지스트액을 도포하어, 직후에 하류측 근처의 감압건조유니트(VD)(84)으로 감압에 의한 건조처리를 받고, 이어서 하류측 근처의 엣지리무버, 유니트(ER)(86)에서 기판주연부의 여분(불필요)의 레지스트가 제거된다(공정S9).The substrate G is coated with a resist liquid on the upper surface (to-be-processed surface) of the resist coating unit (CT) 82, for example, by a spin coating method, and immediately after the reduced pressure drying unit (VD) 84 near the downstream side. ), And the excess (unnecessary) resist at the periphery of the substrate is removed from the edge remover and the unit (ER) 86 near the downstream side (step S9).

상기와 같은 레지스트 도포처리를 받은 기판(G)은 감압전조유니트(VD)에서 근처의 제 2의 열처리부(30)의 상류측 다단유니트부(TB)(88)에 속하는 패스유니트(PASS)에 인수인도된다. The substrate G subjected to the resist coating process as described above is transferred to the pass unit PASS belonging to the upstream side multi-stage unit part TB of the second heat treatment part 30 in the reduced pressure precursor unit VD. Take over the argument.

제 2의 열처리부(30)내에서, 기판(G)는 인수인도 아암기구(90)에 의해 소정의 시퀀스로 열처리유니트을 돌린다. 예를 들면, 기판(G)은 처음 상기 패스유니트(PASS)에서 가열유니트(PREBAKE)의 하나에 옮겨져, 거기서 레지스트 도포후의 베이킹을 받는다(공정S10).In the second heat treatment unit 30, the substrate G is turned by the take-in arm mechanism 90 to turn the heat treatment unit in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first moved from the pass unit PASS to one of the heating units PREBAKE, and thereafter, the substrate G is subjected to baking after applying the resist (step S10).

다음, 기판(G)은 냉각유니트(COL)의 하나에 옮겨져, 거기서 일정한 기판온도까지 냉각된다(공정S11). 그 후, 기판(G)은 하류측 다단유니트부(TB)(92)측의 패스유니트(PASS)을 경유하고, 혹은 경유하지 않고 인터페이스스테이션(I/F)(18)측의 익스텐션, 쿨링스테이지(EXTㆍCOL)(106)에 인수인도된다. Subsequently, the substrate G is transferred to one of the cooling units COL, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S11). Subsequently, the substrate G extends and cools on the interface station (I / F) 18 side via or without a pass unit PASS on the downstream multi-stage unit (TB) 92 side. It is passed over to (EXT COL) 106.                     

인터페이스스테이션(I/F)(18)에 있어서, 기판(G)은 익스텐션, 쿨링스테이지(EXTㆍCOL)(106)에서 주변장치(110)의 주변노광장치(EE)에 반입되고, 거기서 기판(G)의 주변부에 부착하는 레지스트를 현상시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에, 근처의 노광장치(12)에 보낸다(공정S12).In the interface station (I / F) 18, the substrate G is carried in the peripheral exposure apparatus EE of the peripheral device 110 in the extension and cooling stage (EXT COL) 106, where the substrate ( After the exposure to remove the resist attached to the periphery of G) at the time of development, it is sent to a nearby exposure apparatus 12 (step S12).

노광장치(12)에서는 기판(G)상의 레지스트에 소정의 회로패턴이 노광된다. 그리고 패턴노광을 마친 기판(G)은 노광장치(12)에서 인터페이스스테이션(I/F)(18)에 돌려주면(공정S11), 우선 주변장치(110)의 타이틀러(TITLRER)에 반입되어, 거기서 기판상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기재된다(스텝S12). 그 후, 기판(G)은 익스텐션 쿨링 스테이지(EXTㆍCOL)(106)에 돌려진다. 인터페이스스테이션(I/F)(18)에 있어서의 기판(G)의 반송 및 노광장치(12)와의 기판(G)의 교환은 반송장치(104)에 의해 행해진다.In the exposure apparatus 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. The substrate G after the pattern exposure is returned to the interface station (I / F) 18 by the exposure apparatus 12 (step S11), and is first loaded into the titler TITLRER of the peripheral apparatus 110. There, predetermined information is described in the predetermined part on a board | substrate (step S12). Subsequently, the substrate G is turned to the extension cooling stage (EXT COL) 106. The conveyance of the board | substrate G in the interface station (I / F) 18, and the exchange of the board | substrate G with the exposure apparatus 12 are performed by the conveyance apparatus 104. FIG.

프로세스스테이션(P/S)(16)에서는, 제 2의 열처리부(30)에 있어서 인수인도 아암기구(90)가 익스텐션 쿨링 스테이지(EXTㆍCOL)(106)에서 노광을 마친 기판(G)을 받고, 패스라인(B)측의 다단유니트부(TB)(92)내의 패스유니트(PASS)을 통해서 현상프로세스부(32)에 인수인도하거나, 또는 버퍼유니트(671~676)중 어느 하나에 반입한다.In the process station (P / S) 16, in the second heat treatment unit 30, the take-in arm mechanism 90 receives the substrate G that has been exposed at the extension cooling stage (EXT COL) 106. And pass to the developing process unit 32 via the pass unit PASS in the multi-stage unit section TB 92 on the pass line B side, or carry it into one of the buffer units 671 to 676. do.

M/C(200)는 패널등록테이블을 기초하여 예측타이밍시간을 구하고, 패스라인(A)의 롤러테이블상에서 후속 기판(G)이 선행기판(G)에 충돌할지의 여부를 판정한다. 판정결과가 YES일 때, M/C(200)는 B/C(205)에 신호를 보내고, 또한, B/C(205)는 인수인도 아암기구(90)에 신호를 보내고, 인수인도 아암기구(90)에 기 판(G)을 예를들면 제 2의 버퍼유니트(672)에 반입시킨다(공정S14).The M / C 200 obtains the prediction timing time based on the panel registration table, and determines whether or not the subsequent substrate G collides with the preceding substrate G on the roller table of the pass line A. FIG. When the determination result is YES, the M / C 200 sends a signal to the B / C 205, and the B / C 205 sends a signal to the takeover arm mechanism 90, and the takeover arm mechanism. In step 90, the substrate G is loaded into, for example, the second buffer unit 672 (step S14).

한편, 판정결과가 NO일 때는, M/C(200)는 B/C(205)에 신호를 보내고, 또한, B/C(205)는 인수인도 아암기구(90)에 신호를 보내고, 인수인도 아암기구(90)에 기판(G)을 제 2의 패스유니트(60)에 반입시킨다. 이 NO판정결과일 때는 공정(S14)을 넘어서 공정(S13)에서 공정(S15)로 나아간다.On the other hand, when the determination result is NO, the M / C 200 sends a signal to the B / C 205, and the B / C 205 sends a signal to the takeover arm mechanism 90 and takes over. The substrate G is loaded into the second pass unit 60 by the arm mechanism 90. When the result of the NO determination is reached, the process goes to step S14 and the process proceeds from step S13 to step S15.

현상프로세스부(32)에서는, 상기 다단유니트부(TB)(92)내의 패스유니트(PASS)에서 받은 기판(G)을 현상유니트(DEV)(94)에 반입한다.In the developing process section 32, the substrate G received from the pass unit PASS in the multi-stage unit section TB 92 is loaded into the developing unit DEV 94.

현상유니트(DEV)(94)에 있어서 기판(G)은 패스라인(B)의 하류로 향해 평류방식으로 반송되어, 그 반송중에 현상린스, 건조의 일련의 현상처리공정을 행한다(공정S15). In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is conveyed in a flat flow manner downstream of the pass line B, and a series of development treatment steps of developing rinsing and drying are performed during the conveyance (step S15).

현상프로세스부(32)에서 현상처리를 받은 기판(G)은 하류측 근처의 탈색 프로세스부(34)에 반입되어, 거기서 i선조사에 의한 탈색처리를 받는다(공정S16). 탈색처리를 마친 기판(G)은 제 3의 열처리부(36)의 상류측 다단유니트부(TB)(98)내의 패스유니트(PASS)에 인수인도된다.The substrate G subjected to the developing process in the developing process part 32 is carried into the decolorizing process part 34 near the downstream side and is subjected to the decolorizing process by i-ray irradiation therein (step S16). The substrate G after the decolorization treatment is transferred to the pass unit PASS in the upstream side multi-stage unit part TB 98 of the third heat treatment part 36.

제 3의 열처리부(TB)(98)에 있어서, 기판(G)은 최초 상기 패스유니트(PASS)에서 가열유니트(POBAKE)의 하나에 옮겨지고, 거기서 포스트베이킹을 받는다(공정S17).In the third heat treatment unit (TB) 98, the substrate G is first transferred from the pass unit PASS to one of the heating units POBAKE and subjected to postbaking therein (step S17).

M/C(200)는 패널등록테이블에 기초하여 예측타이밍시간을 구하고, 패스라인(B)의 롤러테이블상에서 후속기판(G)이 선행기판(G)에 충돌할지의 여부를 판정한다. 판정결과가 YES일 때는, M/C(200)는 B/C(205)에 신호를 보내고, 또한 B/C(205)는 인수인도 아암기구(90)에 신호를 보내고, 인수인도 아암기구(100)에 기판(G)을 예를들면 제 5의 버퍼유니트(675)에 반입시킨다(공정S18).The M / C 200 obtains the predictive timing time based on the panel registration table, and determines whether or not the subsequent substrate G collides with the preceding substrate G on the roller table of the pass line B. FIG. When the determination result is YES, the M / C 200 sends a signal to the B / C 205, and the B / C 205 sends a signal to the take over arm mechanism 90, and the take over arm mechanism ( The substrate G is loaded into the fifth buffer unit 675, for example (step S18).

한편, 판정결과가 NO일 때는, M/C(200)는 B/C(205)에 신호를 보내고, 또한, B/C(205)는 인수인도 아암기구(100)에 신호를 보내고, 인수인도 아암기구(100)에 기판(G)을 제 2의 패스유니트(60)에 반입시킨다. 이 NO판정결과일 때는 공정(S18)을 넘어서 공정(S17)에서 공정(S19)로 나아간다.On the other hand, when the determination result is NO, the M / C 200 sends a signal to the B / C 205, and the B / C 205 sends a signal to the argument delivery arm mechanism 100, The substrate G is loaded into the second pass unit 60 by the arm mechanism 100. When the result of the NO determination is reached, the process proceeds from step S18 to step S19.

다음, 기판(G)은 하류측 다단유니트부(TB)(102)내의 패스쿨링, 유니트(PASSㆍCOL)에 옮겨지고, 거기서 소정의 기판온도로 냉각된다(공정S19). 제 3의 열처리부(36)에 있어서의 기판(G)의 반송은 인수인도 아암기구(100)에 의해 행해진다.Subsequently, the substrate G is transferred to the pass cooling in the downstream multi-stage unit (TB) 102 and the unit (PASS COL), where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S19). The conveyance of the board | substrate G in the 3rd heat processing part 36 is performed by the delivery guide mechanism 100. As shown in FIG.

카세트스테이션(C/S)(14)측에서는, 서브아암기구(22)가 제 3의 열처리부(36)의 패스쿨링, 유니트(PASSㆍCOL)에서 도포현상처리의 모든 공정을 마친 기판(G)을 받고, 받은 기판(G)을 어느 하나의 카세트(C)에 수용한다(공정S1).On the cassette station (C / S) 14 side, the sub-arm mechanism 22 has completed the pass-cooling of the third heat treatment unit 36, and the substrate (G) having completed all of the coating and developing processes in the unit PASS / COL. Is received, and the received board | substrate G is accommodated in either cassette C (process S1).

상기와 같이, 이 도포현상처리시스템에서는, 각부(특히 처리계의 각부)가 정상적으로 동작하고 있는 한, 카세트스테이션(C/S)(14)에서 프로세스(15/21)스테이션(P/S)(18)측에 건네받은 기판(G)이 패스라인(A, B)에 따라 시스템내의 각부를 이송 또는 전송되면서 소용의 각처리(공정S2~S19)를 순차적으로 받고, 일정시간내에 카세트스테이션(C/S)(14)에 회송되게 되어 있다.As described above, in this coating and developing processing system, as long as each part (particularly, each part of the processing system) is operating normally, the cassette station (C / S) 14 to the process (15/21) station (P / S) ( The substrate G handed to the side 18 receives the necessary processing (steps S2 to S19) sequentially while transferring or transferring each part in the system along the pass lines A and B, and the cassette station C within a predetermined time. / S) 14 is to be returned.

그렇지만, 시스템내의 어디선가, 특히 처리부에서 고장 그외의 장해가 발생했을 때는 프로세스플로의 상류측에서 그 장해의 발생한 처리부에 기판(G)을 전송 또는 반입할 수 없게 된다. 무엇보다, 하류측에서는 라인상의 기판(G)에 대해 나머 지 모든 처리를 완수할 수 있다.However, when a failure or other failure occurs somewhere in the system, particularly in the processing section, the substrate G cannot be transferred or carried to the processing section where the failure occurred upstream of the process flow. Above all, on the downstream side, all the other processing can be completed for the substrate G on the line.

그렇게 시스템내의 어디선가 프로세스플로가 정지하고, 또는 막힐 경우, 이 실시형태에서는 장해발생개소보다도 상류측에 배치되어 있는 버퍼실(BUF)이 기판(G)의 일시적인 유치 내지 보관에 이용된다.When the process flow is stopped or blocked somewhere in the system as described above, in this embodiment, the buffer chamber BUF disposed upstream of the occurrence point of the obstacle is used for temporary placement or storage of the substrate G.

예를 들면, 도포프로세스부(28)내에서 장해가 발생해서 상기 프로세스부(28)에의 기판반입을 할 수 없게 될 경우를 예로 취한다.For example, the case where an obstacle occurs in the coating process part 28 and the board | substrate carrying into the said process part 28 becomes impossible is taken as an example.

이 경우, 제 1의 열처리부(26)에 배치되어 있는 버퍼유니트(BUF)(671~676)이 기판(G)의 유치에 이용된다.In this case, buffer units (BUFs) 671 to 676 disposed in the first heat treatment unit 26 are used to attract the substrate G.

즉, 도포프로세스부(28)내에서 장해가 발생하면, 카세트스테이션(C/S)(14)에서 세정프로세스부(24)에 대해, 특히 스크래버세정유니트(SCR)(42)에 대하여 기판(G)의 신규반입이 정지된다. 이 때, 스크래버세정유니트(SCR)(42)에서는 수평반송로상에서 복수매 예를들면 5장의 기판(G)을 소정간격으로 일렬로 반송하면서 평류방식의 기판세정처리를 행하고 있고, 평평하게 흐르는 반송을 정지시키면 그 때부터의 기판(G)을 세정불량품으로 취급해 버린다.In other words, when a failure occurs in the coating process section 28, the cassette station (C / S) 14 is used to clean the substrate (with respect to the cleaning process section 24, particularly with respect to the scrubber cleaning unit (SCR) 42). New import of G) is stopped. At this time, the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs a flat-flow substrate cleaning process while conveying a plurality of substrates G, for example, five substrates G, in a row at a predetermined interval on a horizontal transport path, and flowing flat. When conveyance is stopped, the board | substrate G from that time will be treated as a defective washing product.

이 실시형태에서는 그러한 세정불량품을 만들지 않도록, 스크래버 세정유니트(SCR)(42)에 있어서는 평평하게 흐르는 반송중의 기판(G)에 대한 세정처리를 완수시킨다. 따라서, 스크래버세정유니트(SCR)(42)에서 제 1의 열처리부(26)에 대해서는 정상시와 동일한 사이클 내지 타이밍으로 세정을 마친 기판(G)이 차례차례로 반입된다.In this embodiment, in the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the cleaning process with respect to the board | substrate G in a flat flow is completed so that such a cleaning defective product may not be produced. Therefore, in the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the substrate G, which has been cleaned at the same cycle or timing as in the normal state, is sequentially loaded into the first heat treatment unit 26.

제 1의 열처리부(26)에 있어서, 각 기판(G)은 가능한 한 평상시와 동일한 시 퀀스로 열처리를 받고나서 버퍼유니트(BUF)(671~676)의 어느 하나에 격납된다. In the first heat treatment unit 26, each substrate G is subjected to heat treatment in the same sequence as usual, and then stored in any one of the buffer units (BUFs) 671 to 676. As shown in FIG.

보다 상세하게는, 스크래버세정유니트(SCR)(42)보다 상류측의 패스유니트(PASS)(50)에 반입된 각 기판(G)은 가열유니트(DHP)(521, 522)의 하나에서 탈수처리를 받고나서(공정S5), 냉각유니트(COL)(621, 622)의 하나에서 일정한 기판온도까지 냉각되어(공정S6), 그 후에 어드히전유니트(AD)(561, 562)의 하나에서 소수화처리를 받는다(공정S7). 여기까지의 일련의 열처리공정 S6 →S7 →S8의 흐름은 평상시와 다르지 않다.More specifically, each substrate G carried into the pass unit PASS 50 upstream from the scrubber cleaning unit SCR 42 is dewatered by one of the heating units DHP 521 and 522. After being treated (step S5), one of the cooling units (COL) 621 and 622 is cooled down to a constant substrate temperature (step S6), and then hydrophobized in one of the adhering units (AD) 561 and 562. The process is received (step S7). The flow of a series of heat treatment steps S6? S7? S8 so far is not different from usual.

그러나, 소수화처리 후, 기판(G)은 평상시라면 냉각유니트(COL)(621, 622)의 하나에서 기판온도의 일정화 열처리(공정S8)를 받고, 다음 하류측의 패스유니트(PASS)(60)에 보내야 할 것을, 이 비상사태의 경우에는 냉각유니트(COL)(621, 622)이나 패스유니트(PASS)(60)에의 전송을 취소해서 버퍼유니트(BUF)(671~676)의 어느 하나에 전송된다.However, after the hydrophobization treatment, the substrate G is subjected to a constant heat treatment (step S8) of the substrate temperature in one of the cooling units (COL) 621 and 622 as usual, and then the pass unit PASS 60 on the next downstream side. In this emergency, the transmission to the cooling unit (COL) (621, 622) or the pass unit (PASS) 60 is canceled and sent to either of the buffer units (BUF) (671 to 676). Is sent.

여기서, 기판온도의 일정화 열처리(공정S8)를 생략하는 이유는 이 열처리가 그 직후에 도포프로세스부(28)에 있어서 레지스트도포처리가 실행되는 것을 전제로 한 전처리인 것으로, 인수인도 아암기구(46)의 처리량(throughput) 내지 각부간의 택트조정상의 이유때문이다.Here, the reason why the constant heat treatment of the substrate temperature (step S8) is omitted is pretreatment on the premise that the resist coating treatment is performed in the coating process section 28 immediately after this heat treatment. This is because of the throughput of the control and the tact adjustment between the parts.

이런 종류의 도포현상시스템에서는, 일반적으로 동일기능의 열처리유니트을 복수(N개)설치하고, 그 N개의 열처리유니트으로 동일한 사이클타임의 열처리를 일정한 시간을 비켜 놓아 병행하여 행함으로써, 열처리부 전체의 택트를 1/N로 단축하고, 전공정 및 후공정의 처리타이틀에 맞추도록 하고 있는, 예를들면, 이 실시형 태에 있어서, 스크래버세정유니트(SCR)(42)에 있어서의 세정처리택트가 60초인 것을, 제 1의 열처리부(26)에 있어서의 각 열처리유니트(AD),(DHP),(COL)의 사이클타임이 100초전후인 경우는, 도 2와 같이 각 열처리유니트(AD), (DHP),(COL)을 각각 2대 설치하고 50초전후의 시간차로 병렬가동시킴으로써, 열처리전체 내지 각부 택트를 세정처리택트에 맞출 수 있다.In this type of coating and developing system, in general, a plurality of heat treatment units having the same function are provided (N), and the heat treatment units having the same cycle time are performed in parallel with the N heat treatment units at a constant time apart, so that the entire heat treatment unit is applied. Is reduced to 1 / N, and, for example, in this embodiment, the cleaning treatment tact in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is applied. When the cycle time of each of the heat treatment units AD, DHP, and COL in the first heat treatment unit 26 is about 100 seconds, the heat treatment unit AD is 60 seconds. By installing two (DHP) and two (COL), and operating in parallel at a time difference of about 50 seconds, the entire heat treatment to each butt can be matched to the cleaning treatment tact.

이러한 멀티유니트방식의 열처리부(26)에 있어서, 인수인도 아암기구(46)는 대부분 간단 없게 각 열처리유니트을 일정한 사이클로 순회하도록 최선의 스케줄로 바쁘게 동작하고 있어, 비상사태라고 해서 평상시의 순회동작 사이에 기판(G)을 버퍼유니트(BUF)에 전송하는 동작을 끼어들게 할 정도의 여유가 없는 것이 보통이다. 이 실시형태에서는, 상기와 같이 마지막 단의 열처리공정인 기판온도 일정화의 열처리(공정S8)를 취소함으로써, 반송처리량(throughput)상 또는 택트상의 지장을 초래하는 일 없이 버퍼유니트(BUF)에의 기판격납동작을 실현하고 있다.In such a multi-unit heat treatment unit 26, the take-in arm mechanism 46 is busy on the best schedule to circulate each heat treatment unit in a constant cycle, most simply, and it is called between emergency and normal circulation operations. It is common that there is no margin enough to interrupt the operation of transferring the substrate G to the buffer unit BUF. In this embodiment, by canceling the heat treatment (step S8) of the substrate temperature constant which is the heat treatment step of the last stage as described above, the substrate to the buffer unit BUF without causing any disturbance in throughput or tact. The storage operation is realized.

상기와 같이, 장해발생시에 스크래버 세정유니트(SCR)(42)내에서 세정처리를 받고 있던 기판(G)의 전부(예를들면 5장)가 어떤 막히는 일 없이 정상적으로 평평하게 흘리는 세정처리가 실시되고, 또한 다음 단의 제 1의 열처리부(26)에 있어서도 실질적으로 평상시와 다르지 않는 일련의 열처리를 받고나서 버퍼유니트(BUF)(671~676)에 1장 단위로 격납된다. As described above, a cleaning treatment is performed in which all of the substrates G (for example, five sheets) that have been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 at the time of the occurrence of a failure flow normally flat without any clogging. Further, the first heat treatment unit 26 in the next stage is also stored in the buffer units (BUF) 671 to 676 in units of one after receiving a series of heat treatments which are substantially different from the usual.

이 실시형태에서는 버퍼유니트(BUF)(671~676)이 패스유니트(PASS)(50, 60)의 아래에 다단 배치되어, 패스유니트(50, 60)의 위에 다단 배치되는 열처리계유니트(AD)(561, 562), (DHP)(521, 522), (COL)(621,622)에서 거의 완전하 게 격리되어 있다. 이로 인하여, 온도조정기능을 갖지 않는 버퍼유니트(BUF)(671~676)에 기판(G)을 보증해도 그 것들의 기판(G)이 열처리계유니트측에서 열적인 영향을 받을 우려는 없다.In this embodiment, the heat treatment system unit (AD) in which the buffer units (BUFs) 671 to 676 are arranged in multiple stages under the pass units (PASS) 50 and 60 and arranged in multiple stages above the pass units (50 and 60). It is almost completely isolated from (561, 562), (DHP) (521, 522), and (COL) (621,622). For this reason, even if the board | substrate G is guaranteed to the buffer units (BUF) 671-676 which do not have a temperature adjustment function, those board | substrates G do not have a possibility of being thermally affected by the heat processing system unit side.

또, 이 실시형태에서는, 비상시, 특히 본예와 같이 프로세스플로의 하류측에의 기판전송을 정지할 때는, 상기와 같이 마지막 단의 열처리공정인 기판온도 일정화의 열처리(공정S8)와 패스유니트(PASS)(60)에의 전송을 취소하므로, 버퍼유니트(BUF)(671~676)에 기판(G)을 격납하는 반송공정을 늘려도, 인수인도 아암기구(46)의 부담은 무거워지지 않는다. 오히려 인수인도 아암기구(46)는 상기와 같이 정상시 쪽이, 최성의 스케줄로 각 열처리유니트을 바쁘게 순회하며 동작한다.In this embodiment, in case of emergency, in particular, when the substrate transfer to the downstream side of the process flow is stopped as in the present example, the heat treatment (step S8) and the pass unit of the substrate temperature constant which is the heat treatment step of the last stage as described above. Since the transfer to the PASS) 60 is canceled, even if the conveyance step of storing the substrate G in the buffer units (BUFs) 671 to 676 is increased, the burden on the delivery arm mechanism 46 is not heavy. Rather, the takeover arm mechanism 46 operates while the normal time is busy, circulating each heat treatment unit on the best schedule as described above.

이 점, 본 실시형태에서는 모든 버퍼유니트(BUF)(671~676)이 패스유니트(PASS)(50, 60)의 아래에 다단겹침으로 배치되고, 모든 열처리계유니트(AD)(561, 562), (DHP)(521, 522), (COL)(621,622)이 패스유니트(PASS)(50, 60)의 위에 다단 겹침으로 배치되어 있다. 이로 인하여, 버퍼유니트(BUF)(671~676)에 억세스할 필요가 없는 정상시에 있어서, 인수인도 아암기구(46)는, 패스유니트(PASS)(50, 60)의 위에 집약배치된 열처리계유니트(AD)(561, 562), (DHP)(521, 522), (COL)(621,622)을 최소한의 이동범위로 순회하여 소요의 반송스케줄을 효율적으로 처리할 수 있다. In this regard, in this embodiment, all the buffer units (BUFs) 671 to 676 are arranged under the pass units PASS 50 and 60 in a multi-stage stack, and all the heat treatment system units AD and 562 are 562. , (DHP) 521, 522, and (COL) 621, 622 are arranged on the pass units PASS 50, 60 in multiple stages of overlap. For this reason, in the normal time in which it is not necessary to access the buffer units (BUFs) 671 to 676, the take-in arm mechanism 46 is a heat treatment system intensively arranged on the pass units PASS 50 and 60. The unit (AD) 561, 562, the DHPs 521, 522, and the COLs 621, 622 can be traversed to a minimum moving range to efficiently process the required return schedule.

또, 이 실시형태에서는, 상류측에 접속하는 패스유니트(PASS)(50, 60)과 하류측에 접속하는 패스유니트(PASS)(60)이 인수인도 아암기구(46)를 끼워서 상호 독립하고 있고, 상류측의 패스유니트(PASS)(50) 내지 반송로와 하류측의 패스유니트(PASS)(60) 내지 반송로를 동일한 높이로 설정하는 것도 다른 높이로 설정하는 것도 자유롭게 할 수 있다.In this embodiment, the pass units (PASS) 50 and 60 connected to the upstream side and the pass units (PASS) 60 connected to the downstream side are independent of each other by fitting the take-in arm mechanism 46. It is possible to freely set the upstream pass units PASS 50 to the conveyance path and the downstream pass units PASS 60 to the conveyance path to the same height or to different heights.

그런데, 제 1의 열처리부(26)내에서도 어디선가 고장 그외의 장해가 발생하는 경우가 있다. 예를 들면, 어드히전유니트(AD)(561, 562)에서 열판이 고장나서 사용불능이 되는 경우를 예로 취한다.By the way, even in the 1st heat processing part 26, a fault and other trouble may arise somewhere. For example, the case where the hot plate breaks down and becomes unusable in the AD units 561 and 562 is taken as an example.

이 경우, 다른쪽의 어드히전유니트(AD)(562)의 단독 또는 한쪽 운전으로 바뀌는 것으로, 택트시간이 길게(늦게)되지만 시스템의 계속운전은 가능하다. 그러나, 제 1의 열처리부(26)에 있어서 택트를 바꾼 직후에도, 상류측의 스크래버 세정유니트(SCR)(42)에서는 장해 발생시에 평평하게 흘린 반송중의 기판(G)의 전부를 일소할 때까지 통상택트로 세정 마친 기판(G)이 반입되어 온다. 이 경우도, 제 1의 열처리부(26)에서는, 스크래버 세정유니트(SCR)(42)에서 받은 기판(G)을 열처리의 전 또는 사이에 버퍼유니트(BUF)(671~676)에 일시적으로 유치하는 것으로, 택트의 보상 또는 조정을 행할 수 있다.In this case, by changing the other Advance Unit (AD) 562 to single or one operation, the tact time is long (late), but the system can continue to operate. However, immediately after the tact is changed in the first heat treatment part 26, the upstream side scrubber cleaning unit (SCR) 42 may erase all of the substrate G in the conveyance which flowed flat at the time of failure. The board | substrate G wash | cleaned with the normal tact is carried in until it carries. Also in this case, in the first heat treatment unit 26, the substrate G received from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is temporarily placed in the buffer units BUF 671 to 676 before or during the heat treatment. By attracting, tact can be compensated or adjusted.

제 2 및 제 3의 열처리부(30, 36)에서도 제 1의 열처리부(26)와 동일한 기능 및 작용을 얻을 수 있다. 이 것들의 열처리부(26, 30, 36)간에서 상기와 같은 기판의 유치를 제휴시키는 것도 독립시키는 것도 가능하다. 버퍼유니트(BUF)은 상기와 같이 시스템장해가 발생한 경우에 한정되지 않고, 필요에 따라 여러 경우에서 활용되어도 좋다.In the second and third heat treatment units 30 and 36, the same functions and actions as those of the first heat treatment unit 26 can be obtained. It is possible to make the above-mentioned substrate placement or cooperation between these heat treatment parts 26, 30, 36 independent. The buffer unit BUF is not limited to the case where a system failure occurs as described above, but may be utilized in various cases as necessary.

이 실시의 형태에 있어서, 버퍼유니트(BUF)은 정면의 개구한 통체로 구성할 수 있으나, 개폐문 또는 셔터를 설치하는 것도 가능하다. 또, 실내에 불활성가스 예를들면 질소가스의 풍위기를 형성하는 것도 가능하다. 그 경우, 예를 들면 유니트통체의 뒤쪽으로부터 질소가스를 도입하고, 다공판을 통해서 질소가스의 균일한 흐름과 분위기를 형성해도 좋다. 또, 상기한 실시의 형태에서는, 하나의 버퍼유니트(BUF)에 기판(G)을 1매 격납했지만, 복수매 격납가능한 유니트구성으로 하는 것도 가능하다.In this embodiment, although the buffer unit BUF can be comprised with the front opening cylinder, it is also possible to provide an opening door or a shutter. It is also possible to form an air atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas in the room. In this case, for example, nitrogen gas may be introduced from the rear of the unit cylinder, and a uniform flow and atmosphere of nitrogen gas may be formed through the porous plate. In the above-described embodiment, one substrate G is stored in one buffer unit BUF, but it is also possible to have a unit structure capable of storing a plurality of sheets.

본 발명의 처리시스템은 상기한 바와 같은 도포현상처리시스템에 적용하는데 매우 적합하지만, 시스템구성이나 시스템요소에 있어서 각종 변형이 가능하고, 예를 들면 성막장치나 엣징장치 등을 포함한 인라인형 시스템에도 적용이 가능하다. 본 발명에 있어서, 피처리기판은 LCD기판에 한정되는 것이 아니고, 칼라필터나 반도체웨이퍼 등의 각종의 피처리기판이 포함된다.Although the treatment system of the present invention is very suitable for application to the coating and developing treatment system as described above, various modifications can be made in the system configuration and system elements, and it is also applicable to an inline type system including, for example, a film forming apparatus or an etching apparatus. This is possible. In the present invention, the substrate to be processed is not limited to the LCD substrate, and various substrates such as color filters and semiconductor wafers are included.

이상에서 설명한바와 같이, 본 발명의 처리시스템에 있어서는, 시스템내의 일부에서 프로세스플로가 막혀도 상류측의 처리부 혹은 피처리기판이 받는 영향을 최소한으로 막는 것이 가능하고, 처리효율 및 품질의 향상을 도모할 수 있다.As described above, in the processing system of the present invention, even if a process flow is blocked in a part of the system, it is possible to minimize the influence of the processing section or the substrate to be processed upstream and to improve the processing efficiency and quality. can do.

Claims (12)

카세트스테이션에서 외부의 노광장치까지의 사이를 왕복하는 패스라인에 따라 복수의 기판을 순차적으로 반송하여 처리하는 기판처리시스템에 있어서, A substrate processing system for sequentially conveying and processing a plurality of substrates along a pass line reciprocating between a cassette station and an external exposure apparatus. 상기 패스라인에 따라 상류측에 설치된 제 1 처리부 및 하류측에 설치된 제 2 처리부를 갖는 복수의 처리유니트군과,A plurality of processing unit groups having a first processing portion provided upstream and a second processing portion provided downstream, along the pass line; 상기 패스라인에 따라 반송되는 기판을 상기 제 1 처리부에서 받아들이는 제 1 패스유니트과, A first pass unit receiving the substrate conveyed along the pass line in the first processing unit; 상기 제 1 패스유니트보다도 하류측에 배치되고, 상기 제 1 패스유니트을 통과한 기판을 상기 제 2 처리부에 송출하는 제 2 패스유니트과,A second pass unit disposed downstream of the first pass unit and sending the substrate passing through the first pass unit to the second processing unit; 상기 제 1 및 제 2 패스유니트중 적어도 한쪽의 상방에 설치된 열적처리부와,A thermal processing unit provided above at least one of the first and second pass units; 상기 제 1 처리부에서 처리가 끝난 기판을 가열처리하기 위해 상기 열적처리부에 설치된 가열유니트와, A heating unit installed in the thermal processing unit to heat-process the substrate processed in the first processing unit; 상기 가열처리가 끝난 기판을 냉각처리하기 위해 상기 열적처리부에 설치된 냉각유니트와,A cooling unit installed in the thermal processing unit to cool the heat treated substrate; 상기 제 1 및 제 2 패스유니트중 적어도 한쪽의 하방에 설치되고, 상기 패스라인상에서의 기판끼리의 충돌을 회피하기 위해, 기판을 일시적으로 체류하게 하는 적어도 하나의 버퍼유니트과,At least one buffer unit which is provided below at least one of the first and second pass units, and temporarily holds the substrate to avoid collision between the substrates on the pass line; 상기 제 1 및 제 2 패스유니트과, 상기 버퍼유니트과의 사이에서 기판을 반송하는 인수 인도 아암기구를 구비하고,And a delivery guide arm mechanism for transferring a substrate between the first and second pass units and the buffer unit, 상기 제 2 처리부 또는 상기 열적처리부에 장해가 발생할 때에, 상기 제 1 처리부에서의 처리는 완수시키고, 상기 제 1 처리부에서의 처리가 끝난 기판을 상기 버퍼유니트에 일시적으로 체류시켜 두고, 상기 제 2 처리부에 있어서 장해가 발생할 때는, 상기 가열유니트에 의한 가열처리가 끝난 기판에 대해서 상기 냉각유니트로로의 전송을 취소하여 상기 버퍼 유니트로 전송이 행해지는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.When a failure occurs in the second processing unit or the thermal processing unit, the processing in the first processing unit is completed, and the substrate processed in the first processing unit is temporarily left in the buffer unit, and the second processing unit The substrate processing system according to claim 1, wherein when an obstacle occurs, transfer to the buffer unit is canceled for transfer to the cooling unit from the substrate subjected to the heat treatment by the heating unit. 삭제delete 삭제delete 카세트스테이션에서 외부의 노광장치까지의 사이를 왕복하는 패스라인에 따라 기판을 순차적으로 반송하여 처리하는 기판처리시스템에 있어서, A substrate processing system for sequentially conveying and processing a substrate along a pass line reciprocating from a cassette station to an external exposure apparatus, 상기 패스라인에 따라 상류측에 설치된 제 1 처리부 및 하류측에 설치된 제 2 처리부를 갖는 복수의 처리유니트군과,A plurality of processing unit groups having a first processing portion provided upstream and a second processing portion provided downstream, along the pass line; 상기 패스라인에 따라 반송되는 기판을 상기 제 1 처리부에서 받아들이는 제 1 패스유니트와, A first pass unit which receives the substrate conveyed along the pass line in the first processing unit; 상기 제 1 패스유니트보다도 하류측에 배치되고, 상기 제 1 패스유니트를 통과한 기판을 상기 제 2 처리부에 송출하는 제 2 패스유니트와,A second pass unit disposed downstream of the first pass unit and sending the substrate passing through the first pass unit to the second processing unit; 상기 제 1 및 제 2 패스유니트 중 적어도 한쪽의 윗쪽에 설치된 열적 처리부와,A thermal processing unit provided on at least one of the first and second pass units; 상기 제 1 및 제 2 패스유니트 중 적어도 한쪽의 아래쪽에 설치되고 상기 패스라인상에서의 기판끼리의 충돌을 회피하기 위해 기판을 일시적으로 체류시켜 두는 적어도 하나의 버퍼유니트와,At least one buffer unit disposed below at least one of the first and second pass units and temporarily holding the substrate to avoid collision between the substrates on the pass line; 상기 제 1 및 제 2 패스유니트와 상기 버퍼유니트와의 사이에서 기판을 반송하는 인수 인도 아암기구를 구비하고,And a delivery guide arm mechanism for transferring a substrate between the first and second pass units and the buffer unit, 상기 기판의 상기 열적처리부 또는 상기 제 2 처리부로의 반입이 불가할 때에, 반입 불가로 된 상기 열적처리부 또는 상기 제 2 처리부에서 행해져야 할 처리의 1 또는 2 이상 전의 공정의 처리를 미리 마친 후에, 상기 인수 인도 아암 기구가 상기 제 1 패스유니트에서 수취한 기판을 상기 버퍼 유니트의 1개에 격납하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.When carrying in the said thermal processing part or the 2nd processing part of the said board | substrate is impossible to carry in to the said thermal processing part or the 2nd processing part, after completing the process of 1 or 2 or more steps of the process which should be performed in the said thermal processing part or the 2nd processing part which cannot be carried out previously, The substrate processing system, wherein the transfer guide arm mechanism stores the substrate received in the first pass unit in one of the buffer units. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 인수인도 아암기구는 수직방향으로 승강 가능한 승강반송체와, The take over arm mechanism includes a lifting carrier capable of lifting in a vertical direction; 상기 승강반송체로 수직축의 주위로 선회 가능한 선회반송체와, A pivoting carrier which is pivotable about a vertical axis by the lifting carrier; 상기 선회반송체상에서 상기 기판을 지지하면서 수평면내에서 전후방향으로 신축 가능한 반송아암홀더를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.And a carrier arm holder capable of stretching in the front and rear direction in a horizontal plane while supporting the substrate on the pivotal carrier. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 제 1 및 제 2 패스유니트의 하방에 각각 복수의 상기 버퍼유니트가 상하 다단으로 적층되고, 상기 버퍼유니트의 각각에 기판이 1매씩 수용되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.And a plurality of the buffer units are stacked in multiple stages above and below the first and second pass units, and one substrate is accommodated in each of the buffer units. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 버퍼유니트내에 불활성가스의 분위기를 형성하기 위한 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.And means for forming an atmosphere of inert gas in the buffer unit. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 제 1 처리부는 상기 패스라인의 일부를 이루고, 기판을 실질적으로 수평한 자세로 수평방향으로 반송하기 위한 반송로와, 상기 판송로상을 반송되는 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.The first processing unit forms a part of the pass line, and has a conveying path for conveying the substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture, and processing means for performing a predetermined process on the substrate conveyed on the sheet conveying path. Substrate processing system, characterized in that. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 열처리부는 기판에 대해 상기 제 1 또는 제 2 처리부의 처리에 부수하는 열적인 처리를 실시하기 위해 상하 다단으로 쌓아올린 복수의 열처리유니트를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.And the heat treatment part has a plurality of heat treatment units stacked in multiple stages up and down in order to perform thermal treatment on the substrate to accompany the processing of the first or second treatment part. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 열처리유니트은 가열유니트, 냉각유니트, 어드히전유니트으로 이루는 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.The heat treatment unit is a substrate processing system, characterized in that it comprises one or more selected from the group consisting of heating unit, cooling unit, adjunction unit. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 복수의 처리유니트 및 상기 인수 인도 아암기구를 분담하여 제어하는 복수의 블럭콘트롤러와,A plurality of block controllers which share and control the plurality of processing units and the argument delivery arm mechanism; 상기 블럭콘트롤러의 각각이 병렬로 접속되고 상기 패스라인상에서 후속의 기판이 선행의 기판에 충돌하지 않도록 상기 복수의 블럭콘트롤러를 통괄적으로 제어하는 주콘트롤러를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.And a main controller for collectively controlling the plurality of block controllers such that each of the block controllers is connected in parallel and a subsequent substrate does not collide with a preceding substrate on the pass line. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 주콘트롤러는 시스템내에서 시시각각 변화하는 모든 기판의 현재위치를 파악하고, 그 파악한 기판의 현재위치에 기초하여 상기 복수의 블럭콘트롤러의 각각을 시간 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.And the main controller grasps the current positions of all the substrates that change every time in the system, and controls each of the plurality of block controllers based on the current positions of the identified substrates.
KR1020020075426A 2001-11-30 2002-11-29 Substrate processing system KR100912280B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00367010 2001-11-30
JP2001367010A JP3911624B2 (en) 2001-11-30 2001-11-30 Processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030044881A KR20030044881A (en) 2003-06-09
KR100912280B1 true KR100912280B1 (en) 2009-08-17

Family

ID=19176824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020075426A KR100912280B1 (en) 2001-11-30 2002-11-29 Substrate processing system

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3911624B2 (en)
KR (1) KR100912280B1 (en)
CN (1) CN1249776C (en)
TW (1) TWI248657B (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101074388B1 (en) 2004-12-22 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 manufacturing device for manufacturing of liquid crystal display device
KR101079487B1 (en) * 2005-01-28 2011-11-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Method and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
JP4745040B2 (en) * 2005-12-05 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 Substrate transport apparatus and substrate processing apparatus
US7690881B2 (en) * 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
JP4560022B2 (en) * 2006-09-12 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 Coating, developing device, coating and developing device control method, and storage medium
JP6339057B2 (en) * 2015-09-29 2018-06-06 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
CN106044229A (en) * 2016-07-22 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 Mask plate haulage equipment and exposure unit system
JP6601360B2 (en) * 2016-09-30 2019-11-06 株式会社ダイフク Goods transport equipment
CN110140092B (en) * 2017-01-13 2022-05-13 株式会社富士 Production management device
JP6655689B1 (en) * 2018-09-21 2020-02-26 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7142566B2 (en) * 2018-12-27 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297258A (en) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd Carrying equipment of plate body
JPH11260883A (en) * 1998-03-09 1999-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus
JPH11274265A (en) * 1998-03-26 1999-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP2001117064A (en) * 1999-10-19 2001-04-27 Tokyo Electron Ltd Alignment mechanism and alignment method for transporting device as well as substrate treating device
KR20010084137A (en) * 2000-02-24 2001-09-06 구본준, 론 위라하디락사 Apparatus of Inspecting Liquid Crystal Display Device in In-line
JP2001291664A (en) * 2000-02-01 2001-10-19 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297258A (en) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd Carrying equipment of plate body
JPH11260883A (en) * 1998-03-09 1999-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus
JPH11274265A (en) * 1998-03-26 1999-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP2001117064A (en) * 1999-10-19 2001-04-27 Tokyo Electron Ltd Alignment mechanism and alignment method for transporting device as well as substrate treating device
JP2001291664A (en) * 2000-02-01 2001-10-19 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus
KR20010084137A (en) * 2000-02-24 2001-09-06 구본준, 론 위라하디락사 Apparatus of Inspecting Liquid Crystal Display Device in In-line

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003168713A (en) 2003-06-13
JP3911624B2 (en) 2007-05-09
TW200302540A (en) 2003-08-01
CN1249776C (en) 2006-04-05
CN1426087A (en) 2003-06-25
TWI248657B (en) 2006-02-01
KR20030044881A (en) 2003-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101018512B1 (en) Substrate recovery method and substrate processing apparatus
KR100575320B1 (en) Substrate Processing Equipment
KR100618108B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101010086B1 (en) Substrate treating apparatus
US7403260B2 (en) Coating and developing system
US7899568B2 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable storage medium
KR101035465B1 (en) Developing method and developing apparatus
TWI538090B (en) Substrate treating apparatus
KR100912280B1 (en) Substrate processing system
KR20100027039A (en) Processing system
US7789577B2 (en) Coating and developing system, coating and developing method and storage medium
KR20150100532A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101136158B1 (en) Developing method and developing apparatus
JP3928902B2 (en) Substrate manufacturing line and substrate manufacturing method
KR100439608B1 (en) Resist coating-developing system
KR100935971B1 (en) Processing method and processing apparatus
JP2004304003A (en) Processing system
KR20090002933A (en) Apparatus for processing a substrate having an air conditioning system
KR101052946B1 (en) Processing system
JPH09162263A (en) Substrate processing device and substrate transfer device used therefor
KR100542630B1 (en) Semiconductor device fabrication installation
KR100821411B1 (en) Processing Apparatus
JP2001274082A (en) Developing treatment method and developing treatment equipment
KR100666354B1 (en) Semiconductor apparatus performing a photo lithographic process
JPH11238456A (en) Manufacture of board and manufacturing line

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee