KR100903602B1 - 실리콘 웨이퍼 제조 방법 - Google Patents
실리콘 웨이퍼 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 실리콘 웨이퍼 제조 방법은, 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이싱하여 슬라이스 웨이퍼를 얻는 단계와, 상기 웨이퍼의 일측면만을 편면 연삭하는 단계와,상기 웨이퍼의 타측면의 표면 형상에 따라 식각액의 적용을 제어함으로써 상기 웨이퍼의 타측면을 평활화하는 단계를 포함한다. 본 발명의 방법에 의해, 높은 평탄도를 가지며, 기계 가공 데미지를 제거하고, 모따기부 형상의 변화를 최소한으로 억제할 수 있는 실리콘 웨이퍼가 제조된다.
실리콘 웨이퍼, 단결정, 잉곳, 슬라이싱, 편면 연삭, 양면 연삭, 평활, 연마, 평탄도, 모따기
Description
본 발명은 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 실리콘 웨이퍼의 제조 프로세스에서는, 일례로서, 도 10에 도시한 바와 같이, 먼저 육성된 실리콘 단결정 잉곳의 선단부 및 종단부를 절단하여 블록 형태로 만들고, 잉곳의 직경을 균일하게 하기 위하여 잉곳의 외경을 연삭하여 블록체로 만들고, 특정한 결정 방위를 나타내기 위하여 이 블록체에 오리엔테이션 플랫이나 오리엔테이션 노치를 만든 후, 블록체를 봉축 방향에 대하여 소정 각도로 슬라이싱한다(공정 1). 슬라이싱된 웨이퍼는 웨이퍼의 주변부의 크래킹이나 치핑을 방지하기 위하여 웨이퍼 주변에 모따기 가공을 실시한다(공정 2). 이어서, 평탄화 공정으로서 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭을 실시한다(공정 3). 계속하여, 웨이퍼의 표면과 이면을 한쪽면씩 연삭하는 편면 연삭을 각각 수행한다(공정 4a 및 공정 4b). 다음, 웨이퍼의 표면과 이면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시한다(공정 5). 나아가, 웨이퍼의 표면만을 연마하는 편면 연마를 실시한다(공정 6). 이에 따라 원하는 실리콘 웨이퍼가 얻어진다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 제3664593호 공보(도 11)
그러나, 상기 종래의 제조 프로세스에서는 웨이퍼의 표면과 이면에 연삭 등의 기계 가공을 행하기 때문에 형상 정밀도는 얻기 쉬우나 가공 데미지가 잔류하게 된다는 문제가 있었다.
또한, 종래로부터 제조 프로세스의 한 공정으로 사용되던 화학 가공인 딥방식의 식각(dip etching)은 기계 가공 데미지 제거에 효과적이지만, 형상 정밀도를 유지하기가 어려운 문제가 있었다. 한편, 매엽식 스핀 식각(single disk wafer spin etching)은 완전히 화학 가공이기 때문에 기계 가공 데미지 제거에 효과적이며, 게다가 레시피 설정 자유도가 높기 때문에 형상 정밀도를 유지하는 것이 가능하다. 그러나, 매엽 스핀 식각은 원칙적으로는 "정량 가공" 기술이며, 투입 재료의 두께에 불균일이 있는 경우, 프로세스 후의 두께를 균일하게 하려면 웨이퍼 한 장마다 두께의 이전 측정 결과를 가공 레시피에 반영시키는 등의 기술이 필요하였다. 더욱이, 매엽 스핀 식각에 의한 가공에서는 웨이퍼 제거량에 따라 모따기부 형상이 변화되는 것을 피하기가 어려웠다.
본 발명의 목적은, 높은 평탄도를 가지며, 기계 가공 데미지를 제거하고, 모따기부 형상의 변화를 최소한으로 억제할 수 있는 실리콘 웨이퍼 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 양태는, 도 1에 도시한 바와 같이, 실리콘 단결정 잉곳을 슬 라이싱하여 슬라이스 웨이퍼를 얻는 공정(11)과, 웨이퍼의 일측면만을 편면 연삭하는 공정(14)과, 웨이퍼의 타측면의 표면 상태에 따라 식각액의 적용을 제어함으로써 상기 웨이퍼의 타측면을 평활화하는 평활화 공정(15)을 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법이다.
본 발명의 제1 양태에 의하면, 슬라이스 웨이퍼의 일측면에 대해서는 편면 연삭 공정(14)에 의해 정촌 가공(sizing work)을 실시하고, 슬라이스 웨이퍼의 타측면에 대해서는 평활화 공정(15)에 의해 가공 데미지를 제거한다. 편면 연삭하는 공정(14)과 평활화 공정(15)의 조합에 의해 웨이퍼를 가공함으로써 편면 연삭하는 공정(14)에서는 웨이퍼의 평탄도를 높은 형상 정밀도로 유지할 수 있고, 만일 투입 재료에 두께의 불균일이 있는 경우라 하더라도 편면 연삭하는 공정(14)에 의해 투입 재료의 두께를 균일하게 제어할 수 있다. 평활화 공정(15)에서는, 웨이퍼의 타측면에 존재하는 기계 가공 데미지의 제거에 효과적이며, 게다가 높은 레시피 설정 자유도에 의해 형상 정밀도를 유지하는 것도 가능하다. 또한, 이와 같이 편면 연삭하는 공정(14)과 평활화 공정(15)을 조합함으로써, 모따기 공정(12)에서 얻어진 웨이퍼의 모따기부의 형상이 이들 가공으로 인해 변화하는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
본 발명의 제2 양태는, 제1 양태에 따른 발명으로서, 편면 연삭하는 공정과 평활화 공정이 순서대로 수행되는 제조 방법이다.
본 발명의 제3 양태는, 제1 양태에 따른 발명으로서, 평활화 공정과 편면 연삭하는 공정이 순서대로 수행되는 제조 방법이다.
본 발명의 제4 양태는, 제1 내지 제3 중 어느 한 항의 관점에 따른 발명으로서, 편면 연삭하는 공정전 또는 평활화 공정전에 웨이퍼의 일측면의 주변부 및 타측면의 주변부를 모따기하는 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제5 양태는, 제1 내지 제3 중 어느 한 양태에 따른 발명으로서, 편면 연삭하는 공정 및 평활화 공정전에 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 연삭 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제6 양태는, 제1 내지 제3 중 어느 한 양태에 따른 발명으로서, 편면 연삭하는 공정 및 평활화 공정전에 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 래핑(lapping)하는 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제7 양태는, 제1 양태에 따른 발명으로서, 편면 연삭하는 공정 또는 평활화 공정을 마친 후에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제8 양태는, 제2 양태에 따른 발명으로서, 평활화 공정을 마친 후에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제9 양태는, 제3 양태에 따른 발명으로서, 편면 연삭하는 공정을 마친 후에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제10 양태는, 제7 내지 제9 중 어느 한 양태에 따른 발명으로서, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 공정에서의 연마 제거량이 양면 합 계로 12㎛ 이하인 제조 방법이다.
본 발명의 제11 양태는, 제7 내지 제9 중 어느 한 양태에 따른 발명으로서, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 공정을 마친 후에, 웨이퍼의 타측면을 편면 연마하는 공정을 더 포함하는 제조 방법이다.
본 발명의 제12 양태는, 제1 내지 제11 중 어느 한 양태에 따른 발명으로서, 웨이퍼의 일측면이 웨이퍼의 이면측이고, 웨이퍼의 타측면이 웨이퍼의 표면측인 제조 방법이다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 따르면, 슬라이스 웨이퍼의 일측면에 대해서는 편면 연삭하는 공정에 의해 정촌 가공을 실시하고, 슬라이스 웨이퍼의 타측면에 대해서는 식각에 의한 평활화 공정에 의해 가공 데미지를 제거할 수 있다. 편면 연삭하는 공정과 평활화 공정의 조합에 의해 웨이퍼를 가공함으로써, 편면 연삭하는 공정에서는 웨이퍼의 평탄도를 높은 형상 정밀도로 유지할 수 있고, 만일 투입 재료에 두께의 불균일이 있는 경우라 하더라도 편면 연삭하는 공정에 의해 투입 재료의 두께를 균일하게 제어할 수 있다. 평활화 공정에서는 웨이퍼의 타측면에 존재하는 기계 가공 데미지가 효과적으로 제거되고, 게다가 높은 레시피 설정 자유도에 의해 형상 정밀도를 유지하는 것도 가능하다. 또한 이와 같이 편면 연삭하는 공정과 평활화 공정을 조합함으로써 모따기 공정에서 얻어진 웨이퍼의 모따기부의 형상이 이들 가공으로 인해 변화하는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
다음, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
육성된 실리콘 단결정 잉곳은, 먼저 비저항과 결정성 검사를 행한 후, 선단부 및 종단부를 절단하고, 일정한 범위의 비저항을 갖는 블록으로 절단한다. 그리고, 육성된 상태의 잉곳은 완전한 원통형을 이루지 않고 또한 직경도 균일하지 않으므로, 각 블록체를 직경이 균일해지도록 외주 연삭한다. 특정한 결정 방위를 나타내기 위하여, 외경 연삭된 블록체에 오리엔테이션 플랫이나 오리엔테이션 노치를 실시한다.
이 프로세스 이후, 도 1에 도시한 바와 같이, 블록체는 봉축 방향에 대하여 소정 각도로 슬라이싱된다(공정 11).
슬라이스 웨이퍼는 웨이퍼의 주변부의 크래킹이나 치핑을 방지하기 위하여 웨이퍼의 일측면의 주변부 및 타측면의 주변부에 모따기 가공이 실시된다(공정 12). 이 공정(12)에서 웨이퍼의 일측면의 주변부 및 타측면의 주변부에 모따기를 실시함으로써, 예컨대 모따기되지 않은 실리콘 웨이퍼 표면 상에 에피택셜 성장할 때 주변부에 이상 성장이 일어나 환상으로 솟아오르는 크라운 현상을 억제할 수 있다. 이 모따기 공정(12)은 편면 연삭하는 공정전 또는 평활화 공정전에 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 후속하는 편면 연삭 공정에서의 일측면의 제거량과 평활화 공정에서의 타측면의 제거량이 서로 다른 경우에는, 편면 연삭 공정 후의 일측면의 주변부 형상과 평활화 공정 후의 타측면의 주변부 형상이 대칭에 가까워지도록, 편면 연삭 공정에서의 제거량과 평활화 공정에서의 제거량을 고려하여 모따기 가공후의 웨이퍼 주변부의 형상을 일측면과 타측면에서 비대칭이 되도록 가공하는 것이 바람직하다.
이어서, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭이 실시된다(공정 13). 또한, 이 공정(13)은 편면 연삭 공정 및 평활화 공정 전에 실시하며, 모따기 공정전에 수행할 수도 있고 모따기 공정을 마친 후에 수행할 수도 있다. 또한, 이 양면 동시 연삭 대신 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 래핑하는 공정을 수행할 수도 있다. 이 양면 동시 연삭이나 래핑 단계에서는 슬라이스 등의 공정에서 발생한 웨이퍼 양면의 요철층을 평탄화하여 웨이퍼 양면의 평탄도와 웨이퍼의 평행도를 높일 수 있다.
이 공정(13)까지의 기계 가공 프로세스를 거친 실리콘 웨이퍼는 양면에 데미지층 즉 가공 변질층이 형성되어 있다. 가공 변질층은 디바이스 제조 프로세스에 있어서 슬립 전위 등의 결정 결함을 유발하거나, 웨이퍼의 기계적 강도를 저하시키며, 또한 전기적 특성에 악영향을 미치므로 완전히 제거하여야 한다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼 제조 방법은, 웨이퍼의 일측면만을 편면 연삭하는 공정(14)과, 웨이퍼의 타측면의 표면 형상에 따라 식각액의 적용을 제어함으로써 웨이퍼의 타측면을 평활화하는 평활화 공정(15)을 포함한다.
일측면에 대해서는 편면 연삭 공정(14)에 의해 정촌 가공을 실시한다. 이 편면 연삭 공정(14)에서는 웨이퍼의 평탄도를 높은 형상 정밀도로 유지할 수 있다. 또한, 만일 투입 재료에 두께의 불균일이 있는 경우라 하더라도, 편면 연삭하는 공정(14)에 의해 투입 재료의 두께를 균일하게 제어할 수 있다. 또한, 타측면에 대해서는 평활화 공정(15)에 의해 가공 데미지를 제거한다. 이 평활화 공정(15)은 웨이퍼의 타측면에 존재하는 기계 가공 데미지의 제거에 효과적이며, 게다가 높은 레시피 설정 자유도에 의해 형상 정밀도를 유지하는 것도 가능하다. 또한, 이와 같이 편면 연삭하는 공정(14)과 평활화 공정(15)을 조합함으로써 모따기 공정(12)에서 얻어진 웨이퍼의 모따기부의 형상이 이들 가공으로 인해 변화하는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법에서 수행되는 편면 연삭하는 공정(14)과 평활화 공정(15)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 편면 연삭 공정(14), 평활화 공정(15)의 순서로 수행할 수도 있고, 도 2에 도시한 바와 같이, 평활화 공정(15), 편면 연삭 공정(14)의 순서로 수행할 수도 있다.
웨이퍼의 일측면만을 편면 연삭하는 공정(14)에 대하여 설명한다.
이 편면 연삭 공정(14)에서는, 슬라이스 등의 공정에서 발생한 웨이퍼의 일측면의 요철층을 연삭에 의해 평탄화하여 웨이퍼의 일측면의 평탄도와 웨이퍼의 평행도를 높인다. 또한, 블록 절단, 외경 연삭, 슬라이스 공정(11)과 같은 기계 가공 프로세스에 의해 웨이퍼의 일측면에 도입된 가공 변질층의 대부분을 제거한다.
이 공정(14)은, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같은 편면 연삭 장치(20)에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(21)를 올려놓기 위한 피처리체 지지부인 턴테이블(22)이 도시하지 않은 구동 기구에 의해 수직축 주위에 회전 가능하게 구성된다. 또한 턴테이블(22)의 상방측에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 척(22a)을 사이에 두고 턴테이블(22)에 흡착되어 올려진 웨이퍼(21)에 대하여 연삭용 디스크(23)의 연삭면을 누르도록 하여 연삭용 디스크(23)를 지지하 기 위한 디스크 지지 수단(24)이 설치된다. 이 디스크 지지 수단(24)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해 연삭용 디스크(23)를 수직축 주위로 회전시킬수 있도록 구성된다. 또한 웨이퍼 상방에는 연삭시에 웨이퍼(21)의 표면에 연삭수를 공급하기 위한 급수 노즐(26)이 설치된다.
이러한 편면 연삭 장치(20)에서는, 먼저, 일측면이 상방이 되도록 웨이퍼(21)를 턴테이블(22)에 흡착하여 올려놓고, 각 구동 기구에 의해 연삭용 디스크(23)와 웨이퍼(21)를 상대적으로 회전시키고, 또한 웨이퍼(21)의 일측면에서 연삭용 디스크(23)와의 접촉 부위에서 벗어난 부위에 급수 노즐(26)로부터 연삭수를 공급하고, 웨이퍼(21)의 일측면을 세정하면서 연삭용 디스크(23)를 웨이퍼(21)의 일측면에 눌러 연삭한다.
이와 같이 하여 공정(14)을 마친 웨이퍼는 웨이퍼의 일측면의 평탄도와 평행도가 높여지고, 세정 공정에서 세정되어 다음 공정으로 보내진다.
다음, 웨이퍼의 타측면의 표면 형상에 따라 식각액의 적용을 제어함으로써 웨이퍼의 타측면을 평활화하는 평활화 공정(15)에 대하여 설명한다.
평활화 공정(15)에서는, 슬라이스 등의 공정에서 발생한 웨이퍼의 타측면의 요철층을 식각에 의해 평탄화하여 웨이퍼의 타측면의 평탄도와 평행도를 높인다. 또한, 웨이퍼의 타측면에 블록 절단, 외경 연삭, 슬라이스 공정(11)과 같은 기계 가공 프로세스에 의해 도입된 가공 변질층을 완전히 제거한다. 또한, 평활화에 사용되는 식각액으로서 산 식각액을 사용함으로써 웨이퍼의 표면 거칠기를 제어한다.
이 평활화 공정(15)은, 도 5에 도시한 바와 같은 식각 장치(30)에 의해 수행 된다.
도 5에 도시한 매엽 식각 장치(30)는, 웨이퍼(21)를 지지하는 스테이지(32)와, 이 스테이지(32)에 회전축(33)에 의해 접속되고 스테이지(32)를 회전축(33)을 통하여 회전시키는 모터 등의 회전 구동원(34)을 가지고 있으며, 이들은 웨이퍼 회전 수단(35)을 구성한다.
또한 매엽 식각 장치(30)는, 식각액을 공급하는 식각액 공급 수단(36)과, 이 식각액 공급 수단(36)으로부터 식각액을 공급받아 웨이퍼(21)의 타측면에 식각액을 분출하는 노즐(37)과, 이 노즐(37)을 이동 가능하게 지지하기 위한 노즐 베이스(38) 및 노즐 베이스(38)의 위치 및 이동을 규제하기 위한 가이드부(39)를 가지고 있으며, 이들은 노즐 위치 제어 수단(40)을 구성한다. 노즐 베이스(38)에는 노즐 베이스(38)에 대하여 노즐(37)의 각도를 조절하는 기구, 노즐(37) 선단부의 웨이퍼(21)로부터의 높이 위치를 조절하는 기구 및 노즐(37)로부터의 식각액 분출·비분출 전환 기구가 설치되며, 이들은 분사 상태 제어 수단(41)을 구성한다.
더욱이, 매엽 식각 장치(30)는, 회전 구동원(34)의 회전수를 조절하여 웨이퍼 회전수를 설정함과 아울러, 식각액 공급 수단(36)을 조절하여 식각액의 공급 상태를 제어하고, 노즐 위치 제어 수단(40), 분사 상태 제어 수단(41)을 조절하여 노즐(37)의 상태 및 위치를 제어하는 제어 수단(42)을 갖는다. 이 제어 수단(42)은 CPU 등의 연산부(43)와 복수의 메모리(44, 45··)를 포함한다. 부호 46은 웨이퍼의 타측면의 표면 형상 검출 수단으로서, 레이저 반사 방식에 의해 웨이퍼의 타측면의 레이저 반사를 이용하여 웨이퍼의 타측면의 요철을 측정하는 것이다. 검출 수단(46)은 매엽 식각 장치(30) 내에 설치하지 않고, 독립 장치로 하여 웨이퍼의 타측면의 요철을 측정하도록 할 수도 있다.
식각액 공급 수단(36)은 산 식각액을 노즐(37)에 공급하는 것이다. 식각액 공급 수단(36)은, 산을 미리 소정의 혼합비로 혼합하여 산 식각액을 조제한 후에 노즐(37)에 공급할 수도 있고, 따로따로 노즐(37)에 공급하여 노즐(37) 부근에서 각각이 혼합되도록 할 수도 있다.
노즐 위치 제어 수단(40)에서는, 노즐 베이스(38)의 이동을 조절하는 가이드부(39)가 웨이퍼(21)의 회전 중심을 지나 웨이퍼(21) 반경 방향으로 노즐(37)을 이동 가능하도록 노즐 베이스(38)를 지지하고 있다. 가이드부(39)는 노즐 베이스(38)가 그 길이 방향으로 이동 가능한 구성으로 할 수도 있다. 웨이퍼(21) 회전 중심에 대한 노즐(37)의 위치는 가이드부(39)의 길이 방향으로 노즐 베이스(38)의 위치를 이동함으로써 설정 가능하게 되어 있다. 노즐 베이스(38)는 가이드부(39)에 대하여 그 길이 방향으로 이동하는 기구를 갖는 것으로 되어 있다.
또한, 가이드부(39)가 웨이퍼(21) 회전 중심을 지나도록 일단이 설치되고 타단이 수평 방향으로 회전 가능하게 지지되어 있으며, 가이드부(39)를 수평 방향으로 회동함으로써 이동하고 있는 노즐(37)이 웨이퍼(21) 면에 평행한 방향으로 이동 가능해지는 구성으로 할 수도 있다.
분사 상태 제어 수단(41)은 노즐 베이스(38)에 설치되며, 노즐 베이스(38)에 대하여 노즐(37)의 각도를 조절하는 각도 조절 수단과, 노즐(37) 선단부의 웨이퍼(21)로부터의 높이 위치를 조절하는 높이 조절 수단과, 노즐(37)로부터의 식각액 분출·비분출을 전환하는 밸브체를 갖는다. 또한, 밸브체를 설치하지 않고 식각액 공급 수단(36)으로부터의 공급을 전환하도록 하는 것도 가능하다.
제어 수단(42)은, 처리전의 웨이퍼(21)의 타측면의 요철 형상, 노즐(37) 위치와 식각 상태, 식각액의 분출량과 식각 상태 및 처리후에 기준이 되는 웨이퍼(21) 타측면의 형상을 기억하는 메모리(44, 45··)를 포함하며, 이러한 데이터들을 연산하여 노즐(37)의 이동 및 식각액의 분사 상태를 계산하는 연산부(43)를 포함한다. 또한, 메모리(44, 45··)는, 검출 수단(46)에 의해 검출된 처리전 웨이퍼(21)의 타측면의 표면 상황 데이터를 보관한다. 이 메모리 데이터는 처리하는 각 웨이퍼마다 검출 수단을 이용하여 그 표면 상황을 검출하여 그 데이터를 보관할 수도 있고, 또는 어떤 임의의 수의 웨이퍼마다 대표적으로 표면 형상 검출 수단을 이용하여 검출하여 보관할 수도 있고, 나아가 잉곳마다 특정 웨이퍼의 볼록부를 검출할 수도 있고, 또한 웨이퍼의 품종마다 정해진 데이터를 사용할 수도 있다.
본 실시 형태의 매엽 식각 장치(30)에 있어서 웨이퍼(21)의 타측면의 평활화 처리(15)를 수행하려면, 먼저, 웨이퍼(21)를 검출 수단(46)을 이용하여 그 웨이퍼(21)의 타측면을 복수의 영역으로 나누어 면상의 요철을 측정하고, 이 검출 데이터를 웨이퍼(21) 형상 제어 수단(42)에 입력하고, 메모리(44, 45··)에 이 검출 데이터를 저장시킨다.
이어서, 웨이퍼(21)를 타측면이 상방에 위치하도록 스테이지(32)에 의해 지지하고, 제어 수단(42)에 의해 제어된 상태에서 회전 구동원(34)에 의해 이 스테이지(32)를 회전 구동한다.
더욱이, 제어 수단(42)에 의해 식각액 공급 수단(36)으로부터 소정의 조성을 갖는 식각액을 노즐(37)에 공급함과 아울러, 노즐 위치 제어 수단(40), 분사 상태 제어 수단(41)을 제어하여 노즐(37)의 상태, 위치 및 분출 시간을 제어한 상태에서 웨이퍼(21)의 타측면에 식각액을 분출한다.
노즐(37)의 수평 이동은 대략 0.1∼20mm/초의 속도로 가이드 단부를 지점으로 하여 선회하는 가이드 상을 웨이퍼 중심에서 웨이퍼 주변까지 수평 구동에 의해 이동하거나, 또는 웨이퍼 중심으로부터 웨이퍼의 반경 방향으로 왕복 이동함으로써 행해진다. 웨이퍼(21)의 타측면 상에 공급된 식각액은 웨이퍼 회전의 원심력에 의해 웨이퍼 중심측에서 웨이퍼 외주 영역으로 웨이퍼의 타측면의 가공 변질층을 식각하면서 서서히 이동하고, 웨이퍼의 외주 영역으로부터 액적이 되어 비산한다.
평활화 공정(15)에서 사용하는 식각액은 불산, 질산 및 인산을 각각 함유한 수용액이 바람직하다. 또한 수용액 중에 포함되는 불산, 질산 및 인산의 혼합 비율은 중량%로 불산:질산:인산=0.5∼40%:5∼50%:5∼70%가 되도록 조제되는 것이 바람직하다. 상기 혼합 비율로 함으로써 식각액의 점성도가 2∼40mPa·sec, 식각액의 표면 장력이 50∼70dyne/cm가 되기 때문에 웨이퍼의 타측면의 평탄도와 평행도를 높이는 데 바람직하다. 점성도가 하한값 미만이면 액의 점성이 지나치게 낮아 웨이퍼의 타측면 상에 적하한 식각액이 원심력에 의해 웨이퍼의 면 상으로부터 곧바로 날아가 버려, 웨이퍼의 타측면에 균일하게 그리고 충분히 접촉할 수 없기 때문에 충분한 식각 제거량을 확보하는데도 시간이 걸리고, 생산성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 점성도가 상한값을 초과하면 웨이퍼의 타측면에 적하한 식각액이 웨이퍼면 상에 필요 이상으로 장시간 머무르게 되기 때문에 웨이퍼의 면내 및 외주 형상을 컨트롤할 수 없어 웨이퍼 평탄도가 악화되는 경향이 있다. 표면 장력이 하한값 미만이면 웨이퍼의 타측면 상에 적하한 식각액이 원심력에 의해 웨이퍼의 면 상으로부터 곧바로 날아가 버려, 웨이퍼의 타측면에 균일하게 그리고 충분히 접촉할 수 없기 때문에 충분한 식각 제거량을 확보하는데 시간이 걸리고, 생산성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 표면 장력이 상한값을 초과하면 웨이퍼의 타측면에 적하한 식각액이 웨이퍼면 상에 필요 이상으로 장시간 머무르게 되기 때문에 웨이퍼의 면내 및 외주 형상을 컨트롤할 수 없어 웨이퍼 평탄도가 악화되는 문제를 발생시키는 경향이 있다. 식각액에 포함되는 불산, 질산, 인산 및 물의 또다른 바람직한 혼합 비율은 5∼20%:20∼40%:20∼40%:20∼40% 이다. 이 혼합 비율로 함으로써 식각액의 점성도는 10∼25mPa·sec, 식각액의 표면 장력은 55∼60dyne/cm가 된다. 노즐(27)로부터 공급되는 식각액의 양은 2∼30리터/분이 바람직하다. 실리콘 웨이퍼의 직경이 φ300mm일 때에는 산 식각액의 공급량은 5∼30리터/분이, 실리콘 웨이퍼의 직경이 φ200mm일 때에는 산 식각액의 공급량은 3∼20리터/분이 각각 바람직하다.
평활화 공정(15)에서의 웨이퍼(21)의 회전 속도는 대략 100∼2000rpm의 범위 내에서 행해진다. 최적의 회전 속도는 웨이퍼(21)의 직경이나 식각액의 점성도, 노즐(37)의 수평 이동에 의한 식각액의 공급 위치, 공급하는 식각액의 공급 유량에 의해서도 다소 달라진다. 회전 속도가 하한값 미만이면 웨이퍼의 면내 및 외주 형상을 컨트롤할 수 없어 웨이퍼 평탄도가 악화되는 경향이 있고, 회전 속도가 상한 값을 초과하면 웨이퍼의 타측면에 적하한 식각액이 원심력에 의해 웨이퍼면 상으로부터 곧바로 날아가 버려 웨이퍼의 타측면에 균일하게 그리고 충분히 접촉할 수 없기 때문에 충분한 식각 제거량을 확보하는데 시간이 걸리고, 생산성이 저하하는 경향이 있다. 실리콘 웨이퍼의 직경이 φ300mm일 때 회전 속도는 200∼1500rpm이 바람직하고, 600rpm이 더욱 바람직하다. 또한 실리콘 웨이퍼의 직경이 φ200mm일 때 회전 속도는 300∼2000rpm이 바람직하고, 800rpm이 더욱 바람직하다.
웨이퍼(21)의 한쪽 면을 식각 처리한 후에는, 도시하지 않은 린스액 공급 노즐에 의해 순수 등의 린스액을 웨이퍼(21)의 타측면 상에 공급하면서 웨이퍼(21)를 스핀시킴으로써 웨이퍼(21)의 타측면에 잔류하는 식각액을 세정한다. 세정후에는 린스액의 공급을 정지한 상태에서 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하면서 웨이퍼(21)를 스핀시켜 웨이퍼(21)를 건조시킨다.
이 평활화 공정(15)에 있어서 식각 제거량은 8∼75μm가 바람직하다. 식각 제거량을 상기 범위로 함으로써 웨이퍼의 타측면의 평탄도와 평행도를 높일 수 있다. 또한, 이 평활화 공정(15) 이후의 공정에서 타측면을 경면으로 연마하는 경우에는, 이 연마 공정에서의 연마량을 종래의 웨이퍼 제조 공정에 비하여 크게 줄일 수 있다. 식각 제거량이 하한값 미만에서는 제품으로서 필요한 웨이퍼의 타측면의 평탄도와 평행도를 얻을 수 없고, 웨이퍼 표면 거칠기가 충분히 저감되지 않으며, 상한값을 초과하면 웨이퍼 평탄도가 손상되어 웨이퍼 제조에서의 생산성이 악화되는 경향이 있다.
다음, 도 1로 돌아가, 편면 연삭하는 공정(14) 및 평활화 공정(15)을 마친 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시한다(공정 16).
이 양면 동시 연마 공정(16)에서 사용되는 양면 동시 연마 장치는 종래로부터 시판되고 있는 장치를 사용할 수 있다. 이 양면 동시 연마 공정(16)에서의 연마 제거량은 양면 합계로 12μm 이하인 것이 바람직하고, 양면 합계로 4∼10μm인 것이 특히 바람직하다.
전술한 편면 연삭 공정(14) 및 평활화 공정(15)을 실시한 웨이퍼는, 양면 동시 연삭과 같은 평탄화 공정을 마쳤을 때의 웨이퍼 평탄도를 가짐과 아울러, 원하는 웨이퍼 표면 거칠기를 가지고 있기 때문에, 양면 동시 연마 공정(16)에서는 웨이퍼의 일측면 및 타측면에서의 연마량을 종래 프로세스에서보다 줄일 수 있다. 따라서 제조 비용을 억제할 수 있음과 아울러, 평탄화 공정을 마쳤을 때의 웨이퍼 평탄도의 유지 및 웨이퍼 표면 거칠기의 저감을 모두 달성할 수 있다.
양면 동시 연마 공정(16)을 마친 후에는, 웨이퍼의 타측면을 편면 연마한다(공정 17). 이 편면 연마 공정(17)에서 사용되는 편면 연마 장치는 종래로부터 시판되고 있는 장치를 사용할 수 있다. 이 웨이퍼의 타측면을 편면 연마하는 공정(17)에서의 연마 제거량은, 타측면 0.1∼1μm가 되도록 연마하는 것이 바람직하다.
이상의 공정을 거침으로써 높은 평탄도를 가지며, 기계 가공 데미지를 제거하고, 모따기부 형상의 변화를 최소한으로 억제한 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 웨이퍼의 일측면이 웨이퍼의 이면측이고, 웨 이퍼의 타측면이 웨이퍼의 표면측인 것이 바람직하다.
또한, 각 공정의 형상 형성 능력과, 그 이전의 공정의 기계적 데미지를 고려하면, 양면 동시 연삭 공정(13), 편면 연삭하는 공정(14) 및 양면 동시 연마 공정(16)에 의한 합계 제거량을 100%라 하였을 때, 양면 동시 연삭 공정이 40∼60%, 편면 연삭하는 공정이 25∼40% 및 양면 동시 연마 공정이 10∼25%의 비율이 되도록 각 공정의 제거량을 제어하는 것이 바람직하다. 이 중, 양면 동시 연삭 공정이 50%, 편면 연삭하는 공정이 30% 및 양면 동시 연마 공정이 20%의 비율이 되도록 각 공정의 제거량을 제어하는 것이 특히 바람직하다.
<실시예>
다음 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 상세하게 설명한다.
<실시예 1>
먼저, 직경이 φ300mm인 실리콘 단결정 잉곳을 준비하고, 이 잉곳을 슬라이싱하여 복수장의 슬라이스 웨이퍼를 얻었다. 이어서, 슬라이스 웨이퍼 주변부에 모따기 가공을 실시하였다. 다음, 도시하지 않은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭을 실시하였다. 이 양면 동시 연삭에서의 일측면의 제거량을 15μm, 타측면의 제거량을 15μm, 양면 합계의 제거량을 30μm로 하였다. 계속하여, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면에만 편면 연삭을 실시하였다. 이 편면 연삭에서의 일측면의 제거량을 10μm로 하였다.
계속하여, 도 5에 도시한 매엽식 식각 장치를 이용하여 웨이퍼의 타측면에 매엽식 식각을 실시하였다. 식각액에는 불산, 질산, 인산 및 물의 혼합 비율이 중량%로 불산:질산:인산:물=10%:30%:30%:30%로 한 산 식각액을 사용하였다. 또한 식각에서의 웨이퍼 회전 속도를 600rpm, 공급하는 식각액의 유량을 5리터/분으로 각각 제어하고, 20초간 식각을 행하였다. 매엽식 식각에서의 식각 제거량은 10μm로 하였다. 식각한 후에는 웨이퍼를 스핀하면서 웨이퍼 표면에 순수를 공급하여 세정하고, 질소를 웨이퍼 표면에 내뿜어 웨이퍼 표면을 건조시켰다.
다음, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시하였다. 이 양면 동시 연마에 의한 양면 합계의 제거량을 4∼15μm로 각각 변화시켰다. 더욱이, 웨이퍼의 타측면만을 연마하는 편면 연마를 실시하였다. 이 편면 연마에서의 타측면의 제거량을 0.5μm로 하였다. 이상의 공정을 거침으로써 복수장의 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
<비교예 1>
먼저, 직경이 φ300mm인 실리콘 단결정 잉곳을 준비하고, 이 잉곳을 슬라이싱하여 복수장의 슬라이스 웨이퍼를 얻었다. 이어서, 슬라이스 웨이퍼 주변부에 모따기 가공을 실시하였다. 다음, 도시하지 않은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭을 실시하였다. 이 양면 동시 연삭에서의 일측면의 제거량을 15μm, 타측면의 제거량을 15μm, 양면 합계의 제거량을 30μm로 하였다. 계속하여, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면에 대하여 한쪽 면씩 편면 연삭을 실시하였다. 이 편면 연삭에서의 일측면의 제거량을 10μm, 타측면의 제거량을 10μm, 양면 합 계의 제거량을 20μm로 하였다.
다음, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시하였다. 이 양면 동시 연마에 의한 양면 합계의 제거량을 4∼15μm로 각각 변화시켰다. 더욱이, 웨이퍼의 타측면만을 연마하는 편면 연마를 실시하였다. 이 편면 연마에서의 타측면의 제거량을 0.5μm로 하였다. 이상의 공정을 거침으로써 복수장의 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
<비교 시험 1>
실시예 1 및 비교예 1에서 각각 얻어진 복수장의 웨이퍼에 대하여 웨이퍼 표면에 존재하는 50nm 이상의 파티클을 파티클 측정 장치(KLA-Tencor사 제조 SP1)에 의해 측정하였다. 크기가 50nm 이상인 LPD(Light Point Defect) 카운트수와 양면 연마 공정에서의 양면 합계 제거량과의 관계를 도 6에 나타내었다.
도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 양면 합계 제거량이 14μm 전후에서는 실시예 1 및 비교예 1 모두 LPD 카운트수가 거의 존재하지 않는 상태로 되었으나, 양면 합계 제거량이 12μm 미만인 경우에는 실시예 1의 LPD 카운트수는 비교예 1의 LPD 카운트수에 비하여 양면 연마 공정에서의 양면 합계 제거량이 더 작더라도 LPD 카운트수가 더 적게 나타남이 확인되었다.
<실시예 2>
먼저, 직경이 φ300mm인 실리콘 단결정 잉곳을 준비하고, 이 잉곳을 슬라이싱하여 슬라이스 웨이퍼를 얻었다. 이어서, 슬라이스 웨이퍼 주변부에 모따기 가공을 실시하였다. 다음, 도시하지 않은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭을 실시하였다. 이 양면 동시 연삭에서의 일측면의 제거량을 15μm, 타측면의 제거량을 15μm, 양면 합계의 제거량을 30μm로 하였다. 계속하여, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면에만 편면 연삭을 실시하였다. 이 편면 연삭에서의 일측면의 제거량을 10μm로 하였다.
계속하여, 평활화 공정으로서, 도 5에 도시한 매엽식 식각 장치를 이용하여 웨이퍼의 타측면에 매엽식 식각을 실시하였다. 식각액에는 불산, 질산, 인산 및 물의 혼합 비율이 중량%로 불산:질산:인산:물=10%:30%:30%:30%로 한 산 식각액을 사용하였다. 또한 식각에서의 웨이퍼 회전 속도를 600rpm, 공급하는 식각액의 유량을 5리터/분으로 각각 제어하고, 20초간 식각을 행하였다. 매엽식 식각에서의 식각 제거량은 10μm로 하였다. 식각한 후에는 웨이퍼를 스핀하면서 웨이퍼 표면에 순수를 공급하여 세정하고, 질소를 웨이퍼 표면에 내뿜어 웨이퍼 표면을 건조시켰다.
다음, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시하였다. 이 양면 동시 연마에 의한 양면 합계의 제거량을 12μm로 하였다. 이어서, 웨이퍼의 타측면만을 연마하는 편면 연마를 실시하였다. 이 편면 연마에서의 타측면의 제거량을 0.5μm로 하였다. 이상의 공정을 거침으로써 복수의 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
<비교예 2>
먼저, 직경이 φ300mm인 실리콘 단결정 잉곳을 준비하고, 이 잉곳을 슬라이 싱하여 슬라이스 웨이퍼를 얻었다. 이어서, 슬라이스 웨이퍼 주변부에 모따기 가공을 실시하였다. 다음, 도시하지 않은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭을 실시하였다. 이 양면 동시 연삭에서의 일측면의 제거량을 15μm, 타측면의 제거량을 15μm, 양면 합계의 제거량을 30μm로 하였다. 계속하여, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면에 대하여 한쪽 면씩 편면 연삭을 실시하였다. 이 편면 연삭에서의 일측면의 제거량을 10μm, 타측면의 제거량을 10μm, 양면 합계의 제거량을 20μm로 하였다.
다음, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시하였다. 이 양면 동시 연마에 의한 양면 합계의 제거량을 12μm로 하였다. 이어서, 웨이퍼의 타측면만을 연마하는 편면 연마를 실시하였다. 이 편면 연마에서의 타측면의 제거량을 0.5μm로 하였다. 이상의 공정을 거침으로써 복수의 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
<비교예 3>
먼저, 직경이 φ300mm인 실리콘 단결정 잉곳을 준비하고, 이 잉곳을 슬라이싱하여 슬라이스 웨이퍼를 얻었다. 이어서, 슬라이스 웨이퍼 주변부에 모따기 가공을 실시하였다. 다음, 도시하지 않은 연삭 장치를 이용하여 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 동시 연삭을 실시하였다. 이 양면 동시 연삭에서의 일측면의 제거량을 15μm, 타측면의 제거량을 15μm, 양면 합계의 제거량을 30μm로 하였다.
계속하여, 평활화 공정으로서, 도 5에 도시한 매엽식 식각 장치를 이용하여 웨이퍼의 타측면에 매엽식 식각을 실시하였다. 식각액에는 불산, 질산, 인산 및 물의 혼합 비율이 중량%로 불산:질산:인산:물=10%:30%:30%:30%로 한 산 식각액을 사용하였다. 또한 식각에서의 웨이퍼 회전 속도를 600rpm, 공급하는 식각액의 유량을 5리터/분으로 각각 제어하고, 20초간 식각을 행하였다. 매엽식 식각에서의 일측면의 식각 제거량은 10μm로 하였다. 식각한 후에는 웨이퍼를 스핀하면서 웨이퍼 표면에 순수를 공급하여 세정하고, 질소를 웨이퍼 표면에 내뿜어 웨이퍼 표면을 건조시켰다. 이어서 웨이퍼를 뒤집고 웨이퍼의 타측면에 대하여 타측면의 식각 제거량을 10μm로 하여, 동일한 조건으로 매엽식 식각을 실시하였다.
다음, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 양면 동시 연마를 실시하였다. 이 양면 동시 연마에 의한 양면 합계의 제거량을 12μm로 하였다. 더욱이, 웨이퍼의 타측면만을 연마하는 편면 연마를 실시하였다. 이 편면 연마에서의 타측면의 제거량을 0.5μm로 하였다. 이상의 공정을 거침으로써 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
<비교 시험 2>
실시예 2 및 비교예 2, 3에서 각각 얻어진 웨이퍼의 모따기부를 모따기부 형상 측정 장치(코벨코 가켄사(Kobelco Kaken Co.) 제조: Edge Profiler)에 의해 측정하였다. 그 측정 결과를 도 7에, 측정 결과에서의 모따기부 BC 치수를 도 8에 도시하였다.
도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 2 및 비교예 2, 3의 모든 웨이퍼의 모따기부에서 커다란 형상 붕괴는 발생하지 않았다. 실시예 2의 모따기부 형상은 비교예 2의 모따기부 형상과 큰 차이가 없으며, 종래 프로세스와 동등한 결과가 얻어졌다. 한편, 비교예 3의 모따기부 형상은 BC 치수가 다른 웨이퍼에 비하여 짧아졌다. 비교예 3에서, BC 치수가 저하한 요인으로는, 일측면 및 타측면에서 각각 수행한 매엽 식각 공정에서 식각액이 모따기부로 돌아들어오는 빈도가 높았던 것으로 생각된다.
<비교 시험 3>
실시예 2 및 비교예 2, 3에서 각각 얻어진 웨이퍼의 평탄도(SFQR)를 평탄도 측정 장치(도이 세이미쓰 랩(Doi Seimitsu-Rap Co.)사 제조: Wafercom)에 의해 측정하였다. 그 측정 결과를 도 9에 도시하였다.
도 9에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 2 및 비교예 2는 SFQR이 30∼40nm 범위에서 유지되고, 실시예 2의 방법은 종래 프로세스와 동등한 평탄도가 얻어지는 것이 확인되었다. 한편, 비교예 3에서는 SFQR이 50∼90nm 전후로 전반적으로 높은 수치를 나타낸다. 이는 비교예 3이 양면을 식각에 의해 가공하였기 때문으로 사료된다. 예컨대, 투입 재료에 두께 불균일이 있는 경우에는, 비교예 3의 방법을 이용하려면 웨이퍼 한 장마다 두께의 이전 측정 결과를 가공 방법에 반영시키는 등의 기술이 필요해지기 때문에 공정이 번잡해질 우려가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 실리콘 웨이퍼 제조 방법을 도시한 순서도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 실리콘 웨이퍼 제조 방법을 도시한 순서도.
도 3은 편면 연삭 장치의 평면도.
도 4는 편면 연삭 장치의 종단면도.
도 5는 매엽식 식각 장치를 도시한 개략도.
도 6은 실시예 1 및 비교예 1의 양면 연마 공정의 양면 합계 제거량과 LPD (Light Point Defect) 카운트수의 관계를 보인 도면.
도 7의 (a)는 실시예 2의 모따기부 형상을 도시한 도면.
(b)는 비교예 2의 모따기부 형상을 도시한 도면.
(c)는 비교예 3의 모따기부 형상을 도시한 도면.
도 8은 실시예 2 및 비교예 2, 3의 모따기부 BC 치수를 도시한 도면.
도 9는 실시예 2 및 비교예 2, 3의 SFQR을 도시한 도면.
도 10은 종래의 실리콘 웨이퍼 제조 방법을 도시한 순서도.
Claims (12)
- 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이싱하여 슬라이스 웨이퍼를 얻는 단계,상기 웨이퍼의 일측면만을 편면 연삭하는 단계,상기 웨이퍼의 타측면의 표면 형상에 따라 식각액의 적용을 제어함으로써 상기 웨이퍼의 타측면을 평활화하는 단계를 포함하고,상기 평활화 공정에서 사용하는 식각액의 점성도가 2∼40mPa·sec, 식각액의 표면 장력이 50∼70dyne/cm이고, 상기 평활 공정의 식각 제거량은 8∼75μm인 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 편면 연삭하는 단계와 평활화하는 단계를 순서대로 수행하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 평활화하는 단계와 편면 연삭하는 단계를 순서대로 수행하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 편면 연삭하는 단계 또는 평활화하는 단계 전에, 웨이퍼의 일측면의 주변부 및 타측면의 주변부를 모따기하는 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 편면 연삭하는 단계 및 평활화하는 단계 전에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연삭하는 양면 연삭 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 편면 연삭하는 단계 및 평활화하는 단계 전에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 래핑하는 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 편면 연삭하는 단계 또는 평활화하는 단계 이후에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 평활화하는 단계 이후에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 편면 연삭하는 공정 이후에, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 웨이퍼의 일측면 및 타측면을 동시에 연마하는 단계에서의 연마 제거량이 양면 합계로 12μm 이하인 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 웨이퍼의 일측면 및 타측면 을 동시에 연마하는 단계 이후에, 웨이퍼의 타측면을 편면 연마하는 단계를 더 포함하는 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 웨이퍼의 일측면이 웨이퍼의 이면측이고, 웨이퍼의 타측면이 웨이퍼의 표면측인 실리콘 웨이퍼 제조 방법.
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