JP2000042903A - ラップ加工方法 - Google Patents
ラップ加工方法Info
- Publication number
- JP2000042903A JP2000042903A JP21383498A JP21383498A JP2000042903A JP 2000042903 A JP2000042903 A JP 2000042903A JP 21383498 A JP21383498 A JP 21383498A JP 21383498 A JP21383498 A JP 21383498A JP 2000042903 A JP2000042903 A JP 2000042903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle diameter
- point
- abrasive
- lapping
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ラップ加工の生産性をあまり低下させることな
く、ピットの深さを浅くでき、後工程の研磨における取
代を低減することが可能となり、研磨工程及びウェーハ
加工工程全体としての生産性を向上させることができ、
その上、エッチング代や研磨取代を低減することによ
り、平坦度の向上をも図ることができるようにしたラッ
プ加工方法を提供する。 【解決手段】砥粒を含有する砥粒液を用いるワークのラ
ップ加工方法であり、ワークを第１砥粒液を用いてラッ
プ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小さ
い砥粒を含有する第２砥粒液を用いて該ワークをラップ
加工するようにした。
く、ピットの深さを浅くでき、後工程の研磨における取
代を低減することが可能となり、研磨工程及びウェーハ
加工工程全体としての生産性を向上させることができ、
その上、エッチング代や研磨取代を低減することによ
り、平坦度の向上をも図ることができるようにしたラッ
プ加工方法を提供する。 【解決手段】砥粒を含有する砥粒液を用いるワークのラ
ップ加工方法であり、ワークを第１砥粒液を用いてラッ
プ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小さ
い砥粒を含有する第２砥粒液を用いて該ワークをラップ
加工するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワーク、例えば、
半導体シリコン単結晶ウェーハ（以下、単にウェーハと
いうことがある）等のラップ加工方法に関する。
半導体シリコン単結晶ウェーハ（以下、単にウェーハと
いうことがある）等のラップ加工方法に関する。
【０００２】
【関連技術】ワーク、例えば、半導体シリコン単結晶ウ
ェーハの加工工程においては、単結晶インゴットからス
ライスされたウェーハの外周部を面取りした後、ラップ
加工することによって、その形状や加工歪層のバラツキ
を矯正し、面取りやラップ加工において、結晶に残留す
る加工歪層を除去するためエッチングを行い、最後に、
研磨によってウェーハの表面を鏡面に仕上げるというこ
とを行っている。
ェーハの加工工程においては、単結晶インゴットからス
ライスされたウェーハの外周部を面取りした後、ラップ
加工することによって、その形状や加工歪層のバラツキ
を矯正し、面取りやラップ加工において、結晶に残留す
る加工歪層を除去するためエッチングを行い、最後に、
研磨によってウェーハの表面を鏡面に仕上げるというこ
とを行っている。
【０００３】ここで、ラップ工程においては、通常、ウ
ェーハをラップ定盤上で、粒径が１０μｍ前後のＡｌ2
Ｏ3 （コランダム）やＳｉＣ（カーボランダム）、ある
いはコランダムの結晶に非常に微細なマグネタイト結晶
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）が均一に分散したエメリー等からなる砥
粒が、適当な量の水でウェーハの両面に運ばれてラップ
加工される。
ェーハをラップ定盤上で、粒径が１０μｍ前後のＡｌ2
Ｏ3 （コランダム）やＳｉＣ（カーボランダム）、ある
いはコランダムの結晶に非常に微細なマグネタイト結晶
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）が均一に分散したエメリー等からなる砥
粒が、適当な量の水でウェーハの両面に運ばれてラップ
加工される。
【０００４】また、これらの砥粒のなかでも、エメリー
は粒子の表面が小さい凸凹に富み、その成分であるとこ
ろの酸化鉄の存在により親水性がよく、また、粒子が均
一に粒状に破砕されやすく、扁平粒や針状粒が少ないた
め、深いキズをつけることがなく、ラップ性能が特にす
ぐれている。
は粒子の表面が小さい凸凹に富み、その成分であるとこ
ろの酸化鉄の存在により親水性がよく、また、粒子が均
一に粒状に破砕されやすく、扁平粒や針状粒が少ないた
め、深いキズをつけることがなく、ラップ性能が特にす
ぐれている。
【０００５】したがって、半導体シリコン単結晶ウェー
ハのラップ加工には、通常、ＦＯ＃１２００（株式会社
フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大粒径２３
μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以下、累積
高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累積高さ９
４％点の粒子径４．０μｍ以上）が用いられている。
ハのラップ加工には、通常、ＦＯ＃１２００（株式会社
フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大粒径２３
μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以下、累積
高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累積高さ９
４％点の粒子径４．０μｍ以上）が用いられている。
【０００６】しかし、このように性能のすぐれたエメリ
ーを用いても、ラップ加工時に、ラップの砥粒がウェー
ハ表面に突き刺さり、局所的にピット（微小陥没）が発
生するという問題がある。
ーを用いても、ラップ加工時に、ラップの砥粒がウェー
ハ表面に突き刺さり、局所的にピット（微小陥没）が発
生するという問題がある。
【０００７】ＦＯ＃１２００、ＦＯ＃１５００（株式会
社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大径１９
μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ以下、累積
高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、累積高さ９
４％点の粒子径３．０μｍ以上）及びＦＯ＃２０００
（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最
大径１５μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１４μｍ以
下、累積高さ５０％点の粒子径４．５±０．４μｍ、累
積高さ９４％点の粒子径２．０μｍ以上）のラップ砥粒
を含有する砥粒液を使い、約１００μｍラップした後の
ピット深さと、それを２０μｍエッチング（ＮａＯＨ５
０ｗｔ％溶液）した後のピット深さとをそれぞれ測定
し、図６に示した。ピット深さはレーザ顕微鏡を用いて
測定した。
社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大径１９
μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ以下、累積
高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、累積高さ９
４％点の粒子径３．０μｍ以上）及びＦＯ＃２０００
（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最
大径１５μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１４μｍ以
下、累積高さ５０％点の粒子径４．５±０．４μｍ、累
積高さ９４％点の粒子径２．０μｍ以上）のラップ砥粒
を含有する砥粒液を使い、約１００μｍラップした後の
ピット深さと、それを２０μｍエッチング（ＮａＯＨ５
０ｗｔ％溶液）した後のピット深さとをそれぞれ測定
し、図６に示した。ピット深さはレーザ顕微鏡を用いて
測定した。
【０００８】図６に示されるように、ピット深さはラッ
プ砥粒の粒径に依存し、ＦＯ＃１２００においては８μ
ｍ程度である。このピットはエッチング工程でも除去で
きず、その後工程である研磨における加工取代の増大に
つながっていた。
プ砥粒の粒径に依存し、ＦＯ＃１２００においては８μ
ｍ程度である。このピットはエッチング工程でも除去で
きず、その後工程である研磨における加工取代の増大に
つながっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、ラップ加工の生産性をあま
り低下させることなく、ピットの深さを浅くでき、後工
程の研磨における取代を低減することが可能となり、研
磨工程及びウェーハ加工工程全体としての生産性を向上
させることができ、その上、エッチング代や研磨取代を
低減することにより平坦度の向上をも図ることができる
ようにしたラップ加工方法を提供することを目的とす
る。
題点に鑑みなされたもので、ラップ加工の生産性をあま
り低下させることなく、ピットの深さを浅くでき、後工
程の研磨における取代を低減することが可能となり、研
磨工程及びウェーハ加工工程全体としての生産性を向上
させることができ、その上、エッチング代や研磨取代を
低減することにより平坦度の向上をも図ることができる
ようにしたラップ加工方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、砥粒を含有する砥粒液を用いるワークの
ラップ加工方法であり、ワークを第１砥粒液を用いてラ
ップ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小
さい砥粒を含有する第２砥粒液を用いて、該ワークをラ
ップ加工することを特徴とする。
に、本発明は、砥粒を含有する砥粒液を用いるワークの
ラップ加工方法であり、ワークを第１砥粒液を用いてラ
ップ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小
さい砥粒を含有する第２砥粒液を用いて、該ワークをラ
ップ加工することを特徴とする。
【００１１】前記第１砥粒液としては、累積高さ５０％
点の粒子径が６〜１２μｍで最大粒径がその４倍以下、
累積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ
９４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する
砥粒液を用い、前記第２砥粒液としては、累積高さ５０
％点の粒子径が４〜６μｍで最大粒径がその４倍以下、
累積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ
９４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する
砥粒液を用いることができる。
点の粒子径が６〜１２μｍで最大粒径がその４倍以下、
累積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ
９４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する
砥粒液を用い、前記第２砥粒液としては、累積高さ５０
％点の粒子径が４〜６μｍで最大粒径がその４倍以下、
累積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ
９４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する
砥粒液を用いることができる。
【００１２】前記第１砥粒液としては、累積高さ５０％
点の粒子径が６〜８μｍで最大粒径がその４倍以下、累
積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ９
４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する砥
粒液を用い、前記第２砥粒液としては、累積高さ５０％
点の粒子径が５〜６μｍで最大粒径がその４倍以下、累
積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ９
４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する砥
粒液を用いることもできる。
点の粒子径が６〜８μｍで最大粒径がその４倍以下、累
積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ９
４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する砥
粒液を用い、前記第２砥粒液としては、累積高さ５０％
点の粒子径が５〜６μｍで最大粒径がその４倍以下、累
積高さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ９
４％点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有する砥
粒液を用いることもできる。
【００１３】上記した第１砥粒液に用いられる砥粒の累
積高さ５０％点の粒子径が６μｍに満たないと第１砥粒
液によるラップの生産性が低下し、１２μｍを越える
と、ピットが深くなりすぎて第２砥粒液によるラップ時
間がそれだけ長くなり、したがって、上限値としては、
できれば８μｍまでとするのが好ましい。
積高さ５０％点の粒子径が６μｍに満たないと第１砥粒
液によるラップの生産性が低下し、１２μｍを越える
と、ピットが深くなりすぎて第２砥粒液によるラップ時
間がそれだけ長くなり、したがって、上限値としては、
できれば８μｍまでとするのが好ましい。
【００１４】上記した第２砥粒液に用いられる砥粒の累
積高さ５０％点の粒子径が４μｍに満たないと第１砥粒
液によるラップの生産性が低下するので、できれば５μ
ｍ以上が好ましい。第２砥粒液の累積高さ５０％点の粒
子径が６μｍを越えると、ピットが深くなり、研磨工程
の生産性が低下するとともに平坦度も低下する。
積高さ５０％点の粒子径が４μｍに満たないと第１砥粒
液によるラップの生産性が低下するので、できれば５μ
ｍ以上が好ましい。第２砥粒液の累積高さ５０％点の粒
子径が６μｍを越えると、ピットが深くなり、研磨工程
の生産性が低下するとともに平坦度も低下する。
【００１５】上記した砥粒の粒子径は、ＪＩＳＲ６００
２に則って表示した。
２に則って表示した。
【００１６】本発明の第１砥粒液及び第２砥粒液に含ま
れる砥粒としては、エメリーが最も好適であるが、コラ
ンダムやカーボランダム等のその他の砥粒を使用するこ
とができることはいうまでもない。
れる砥粒としては、エメリーが最も好適であるが、コラ
ンダムやカーボランダム等のその他の砥粒を使用するこ
とができることはいうまでもない。
【００１７】上記第１砥粒液を用いたラップ加工の取代
は、上記第２砥粒液を用いたラップ加工と併せてスライ
ス工程の加工歪層を除去できる厚さになるように設定す
ればよいが、例えば２０〜１００μｍ程度である。ラッ
プ加工の取代は、両面の取代の合計をいうもので、例え
ば取代１００μｍは片面５０μｍ、両面１００μｍを意
味する。
は、上記第２砥粒液を用いたラップ加工と併せてスライ
ス工程の加工歪層を除去できる厚さになるように設定す
ればよいが、例えば２０〜１００μｍ程度である。ラッ
プ加工の取代は、両面の取代の合計をいうもので、例え
ば取代１００μｍは片面５０μｍ、両面１００μｍを意
味する。
【００１８】上記第２砥粒液を用いたラップ加工の取代
は、６〜５０μｍとするのが好適である。取代が６μｍ
に満たないと、ＦＯ＃１５００によるピットより深いＦ
Ｏ＃１２００によるピットが残ってしまい、５０μｍを
越えると、生産性が極めて悪くなるという問題がある。
は、６〜５０μｍとするのが好適である。取代が６μｍ
に満たないと、ＦＯ＃１５００によるピットより深いＦ
Ｏ＃１２００によるピットが残ってしまい、５０μｍを
越えると、生産性が極めて悪くなるという問題がある。
【００１９】上記ワークとしては、半導体シリコン単結
晶ウェーハをあげることができる。
晶ウェーハをあげることができる。
【００２０】本発明によれば、ワークのラップ加工にお
いて、最初に粒径の大きな砥粒を用いてラップを行った
後に、粒径の小さな砥粒によりラップを行うようにした
ため、ラップの生産性をそれほど低下させることなく、
ピットの深さを浅くでき、後工程の研磨における取代を
低減することが可能となり、研磨工程およびウェーハ加
工工程全体としての生産性を向上させることができる。
いて、最初に粒径の大きな砥粒を用いてラップを行った
後に、粒径の小さな砥粒によりラップを行うようにした
ため、ラップの生産性をそれほど低下させることなく、
ピットの深さを浅くでき、後工程の研磨における取代を
低減することが可能となり、研磨工程およびウェーハ加
工工程全体としての生産性を向上させることができる。
【００２１】また、ウェーハの品質において、その平坦
度は重要な項目であるが、ウェーハ加工工程のなかで
は、ラップ工程で最も平坦度が高くなるが、続くエッチ
ング工程では平坦度が低下し、研磨工程では研磨代が少
ない領域（〜７μｍ）では改善されるものの、研磨代が
多くなると平坦度は低下する。
度は重要な項目であるが、ウェーハ加工工程のなかで
は、ラップ工程で最も平坦度が高くなるが、続くエッチ
ング工程では平坦度が低下し、研磨工程では研磨代が少
ない領域（〜７μｍ）では改善されるものの、研磨代が
多くなると平坦度は低下する。
【００２２】図７に研磨代と平坦度（ＴＴＶ：Total Th
ickness Variation）の関係を示すが、研磨代が多くな
るほど平坦度が悪化するのが判る。したがって、平坦度
に関しては、エッチング代や研磨取代は出来る限り少な
い方が望ましい。本発明によれば、このエッチング代や
研磨取代を低減できる為、従来に比較して平坦度も向上
できる。
ickness Variation）の関係を示すが、研磨代が多くな
るほど平坦度が悪化するのが判る。したがって、平坦度
に関しては、エッチング代や研磨取代は出来る限り少な
い方が望ましい。本発明によれば、このエッチング代や
研磨取代を低減できる為、従来に比較して平坦度も向上
できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のラップ加工方法
の一つの実施の形態を添付図面にもとづいて説明する。
これらの実施の形態は例示的に示されるもので限定的に
解釈すべきものでないことはいうまでもない。
の一つの実施の形態を添付図面にもとづいて説明する。
これらの実施の形態は例示的に示されるもので限定的に
解釈すべきものでないことはいうまでもない。
【００２４】図１は本発明方法を実施するために用いら
れる第１砥粒液供給と第２砥粒液供給との切り替え機構
の１例を示す概略説明図、図２は本発明方法を実施する
ために用いられるラップ加工装置本体の１例を示す断面
的説明図及び図３は図２のラップ加工装置本体の上定盤
を取り外した状態を示す概略説明図である。
れる第１砥粒液供給と第２砥粒液供給との切り替え機構
の１例を示す概略説明図、図２は本発明方法を実施する
ために用いられるラップ加工装置本体の１例を示す断面
的説明図及び図３は図２のラップ加工装置本体の上定盤
を取り外した状態を示す概略説明図である。
【００２５】図１において、２は本発明を実施するラッ
プ加工装置を構成する第１砥粒液２ａの供給ラインであ
り、４は第２砥粒液４ａの供給ラインである。
プ加工装置を構成する第１砥粒液２ａの供給ラインであ
り、４は第２砥粒液４ａの供給ラインである。
【００２６】６はラップ加工装置本体２２へ砥粒液を供
給するための主供給ラインである。該主供給ライン６の
基端部は二叉状に分岐し、基端支ライン６ａ、６ｂとな
っている。該基端支ライン６ａ、６ｂは切替えバルブＶ
1 、Ｖ2 を介して上記第１砥粒液供給ライン２及び第２
砥粒液供給ライン４に接続されている。
給するための主供給ラインである。該主供給ライン６の
基端部は二叉状に分岐し、基端支ライン６ａ、６ｂとな
っている。該基端支ライン６ａ、６ｂは切替えバルブＶ
1 、Ｖ2 を介して上記第１砥粒液供給ライン２及び第２
砥粒液供給ライン４に接続されている。
【００２７】８は該主供給ライン６の中間部に配置され
た定量ポンプである。１０は該主供給ライン６の先端部
に設けられた貯留タンクで、該貯留タンク１０の下端に
は先端二叉状に分岐された先端支ライン６ｃ、６ｄが連
通されている。該貯留タンク１０から排出された砥粒液
は、該先端支ライン６ｃ、６ｄを介してラップ装置本体
２２へ供給される。
た定量ポンプである。１０は該主供給ライン６の先端部
に設けられた貯留タンクで、該貯留タンク１０の下端に
は先端二叉状に分岐された先端支ライン６ｃ、６ｄが連
通されている。該貯留タンク１０から排出された砥粒液
は、該先端支ライン６ｃ、６ｄを介してラップ装置本体
２２へ供給される。
【００２８】上記切替えバルブＶ1 、Ｖ2 は、ワークＷ
のラップ装置本体２２のワークの厚さ測定器Ｄにコンピ
ュータＣを介して電気的に接続されている（図２）。
のラップ装置本体２２のワークの厚さ測定器Ｄにコンピ
ュータＣを介して電気的に接続されている（図２）。
【００２９】第１砥粒液２ａを用いるラップ加工の開始
時のワークＷの厚さと、所定時間ラップ加工後のワーク
Ｗの厚さを該厚さ測定器Ｄによってそれぞれ測定し、両
者の厚さの差に基づいてワーク除去量が所定量に達した
ことが、コンピュータＣによって検知されると、該コン
ピュータＣからの命令により、該切替えバルブＶ1 、Ｖ
2 の開閉、即ちバルブＶ1 は開から閉、バルブＶ2 は閉
から開への切替えが行なわれる。
時のワークＷの厚さと、所定時間ラップ加工後のワーク
Ｗの厚さを該厚さ測定器Ｄによってそれぞれ測定し、両
者の厚さの差に基づいてワーク除去量が所定量に達した
ことが、コンピュータＣによって検知されると、該コン
ピュータＣからの命令により、該切替えバルブＶ1 、Ｖ
2 の開閉、即ちバルブＶ1 は開から閉、バルブＶ2 は閉
から開への切替えが行なわれる。
【００３０】図２において、ラップ装置本体２２は、上
下方向に相対向して設けられた下定盤２４及び上定盤２
６を有している。該下定盤２４及び上定盤２６は、不図
示の駆動手段によって互いに逆方向に回転せしめられ
る。
下方向に相対向して設けられた下定盤２４及び上定盤２
６を有している。該下定盤２４及び上定盤２６は、不図
示の駆動手段によって互いに逆方向に回転せしめられ
る。
【００３１】該下定盤２４は、その中心部上面に中心ギ
ア２８を有し、その周辺部には環状のインターナルギア
３０が隣接して設けられている。
ア２８を有し、その周辺部には環状のインターナルギア
３０が隣接して設けられている。
【００３２】３２は円板状のキャリアで、該下定盤２４
の上面と該上定盤２６の下面との間に挟持され、該中心
ギア２８及びインターナルギア３０の作用により、自転
及び公転しつつ下定盤２４の上面と該上定盤２６の下面
との間を摺動する。
の上面と該上定盤２６の下面との間に挟持され、該中心
ギア２８及びインターナルギア３０の作用により、自転
及び公転しつつ下定盤２４の上面と該上定盤２６の下面
との間を摺動する。
【００３３】該キャリア３２には複数個のウェーハホー
ル３４が穿設されている。ラップすべきワーク、例え
ば、ウェーハＷは該ウェーハホール３４内に配置され
る。該ウェーハＷをラップする場合には、砥粒液は上記
先端支ライン６ｃ、６ｄに接続されるノズル３６から、
上定盤２６に設けられた貫通孔３８を介して、ウェーハ
Ｗと該下定盤２４と上定盤２６の間に供給され、該キャ
リア３２の自転及び公転とともに、該ウェーハＷは自転
及び公転して該下定盤２４の上面との間を摺動し、ウェ
ーハＷがラップされる。
ル３４が穿設されている。ラップすべきワーク、例え
ば、ウェーハＷは該ウェーハホール３４内に配置され
る。該ウェーハＷをラップする場合には、砥粒液は上記
先端支ライン６ｃ、６ｄに接続されるノズル３６から、
上定盤２６に設けられた貫通孔３８を介して、ウェーハ
Ｗと該下定盤２４と上定盤２６の間に供給され、該キャ
リア３２の自転及び公転とともに、該ウェーハＷは自転
及び公転して該下定盤２４の上面との間を摺動し、ウェ
ーハＷがラップされる。
【００３４】図２において、Ｄは該上定盤２６に設けら
れた厚さ測定器である。Ｃはコンピュータで、該厚さ測
定器Ｄ及び前記切替えバルブＶ1 、Ｖ2 に電気的に接続
されている。該コンピュータＣは、該厚さ測定器Ｄから
の厚さ測定信号から、ラップ加工によるワーク除去量を
検知し、該ワーク除去量が所定量に達すると、該切替え
バルブＶ1 、Ｖ2 に切替え命令信号を送り、その切替え
を行うように作用する。
れた厚さ測定器である。Ｃはコンピュータで、該厚さ測
定器Ｄ及び前記切替えバルブＶ1 、Ｖ2 に電気的に接続
されている。該コンピュータＣは、該厚さ測定器Ｄから
の厚さ測定信号から、ラップ加工によるワーク除去量を
検知し、該ワーク除去量が所定量に達すると、該切替え
バルブＶ1 、Ｖ2 に切替え命令信号を送り、その切替え
を行うように作用する。
【００３５】上記ラップ加工装置本体２２によってラッ
プ加工されるワークＷとしては、シリコン単結晶ウェー
ハ、ガリウム・ヒ素ウェーハ等の半導体ウェーハ又は石
英ウェーハ等をあげることができる。
プ加工されるワークＷとしては、シリコン単結晶ウェー
ハ、ガリウム・ヒ素ウェーハ等の半導体ウェーハ又は石
英ウェーハ等をあげることができる。
【００３６】
【実施例】以下に、本発明の実施例をあげて説明する
が、本発明は、かかる実施例に限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において種々の変形が可
能であることは言うまでもない。
が、本発明は、かかる実施例に限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において種々の変形が可
能であることは言うまでもない。
【００３７】実施例１ 図１〜図３に示したラップ加工装置を用い、直径５″の
シリコンインゴットからスライスされた７４５μｍのウ
ェーハ１００枚について、前段階でＦＯ＃１２００（株
式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大粒
径２３μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以
下、累積高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累
積高さ９４％点の粒子径４．０μｍ以上）で５０μｍの
ラップ加工を行った後、砥粒液を切替えてＦＯ＃１５０
０（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：
最大径１９μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ
以下、累積高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、
累積高さ９４％点の粒子径３．０μｍ以上）とし、更に
３０μｍのラップ加工を行った。
シリコンインゴットからスライスされた７４５μｍのウ
ェーハ１００枚について、前段階でＦＯ＃１２００（株
式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大粒
径２３μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以
下、累積高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累
積高さ９４％点の粒子径４．０μｍ以上）で５０μｍの
ラップ加工を行った後、砥粒液を切替えてＦＯ＃１５０
０（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：
最大径１９μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ
以下、累積高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、
累積高さ９４％点の粒子径３．０μｍ以上）とし、更に
３０μｍのラップ加工を行った。
【００３８】その後、これらのウェーハをエッチング
（ＮａＯＨ５０ｗｔ％溶液）することにより、ウェーハ
表面から２０μｍを除去した。これら１００枚のウェー
ハを２０枚ずつに分けそれぞれ５μｍ、６μｍ、７μ
ｍ、８μｍ、９μｍの取代で研磨を行ない、それぞれの
研磨代におけるピットの発生率を調べた。ピットの発生
率はＳＥＭ(Scanning Electron Microscopy、走査型電
子顕微鏡）を用いて測定した。
（ＮａＯＨ５０ｗｔ％溶液）することにより、ウェーハ
表面から２０μｍを除去した。これら１００枚のウェー
ハを２０枚ずつに分けそれぞれ５μｍ、６μｍ、７μ
ｍ、８μｍ、９μｍの取代で研磨を行ない、それぞれの
研磨代におけるピットの発生率を調べた。ピットの発生
率はＳＥＭ(Scanning Electron Microscopy、走査型電
子顕微鏡）を用いて測定した。
【００３９】その結果を図４に示した。同図から明らか
なように、６μｍの研磨代でピットを完全に除去するこ
とができた。
なように、６μｍの研磨代でピットを完全に除去するこ
とができた。
【００４０】比較例１ また、比較の為、従来法（ＦＯ＃１２００で８０μｍの
ラップをする以外は同じ条件）により同様な実験を行な
った結果を図５に示した。同図から明らかなように、ピ
ットを完全に除去する為には、９μｍの研磨が必要であ
った。
ラップをする以外は同じ条件）により同様な実験を行な
った結果を図５に示した。同図から明らかなように、ピ
ットを完全に除去する為には、９μｍの研磨が必要であ
った。
【００４１】したがって、本発明によれば、従来に比べ
３μｍ程度研磨代を少なくすることが可能であることが
確認できた。
３μｍ程度研磨代を少なくすることが可能であることが
確認できた。
【００４２】なお、上記実施例では、一台のラップ加工
装置で砥粒液を切替えるようにしているが、２台のラッ
プ加工装置を用いて第１のラップ加工装置で第１砥粒液
でラップを行なった後、ウェーハを第２のラップ加工装
置に移動し、第２砥粒液でラップを行うようにしてもよ
いことはもちろんである。
装置で砥粒液を切替えるようにしているが、２台のラッ
プ加工装置を用いて第１のラップ加工装置で第１砥粒液
でラップを行なった後、ウェーハを第２のラップ加工装
置に移動し、第２砥粒液でラップを行うようにしてもよ
いことはもちろんである。
【００４３】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ワーク
をラップ加工する際に、最初に粒径の比較的大きな砥粒
液を使う事で効率よくワークを平坦化することができ、
次にそれより粒径の小さい砥粒液を使う事でピットの深
さを低減することができる。このため、ラップ加工の生
産性をそれほど低下させずに、後工程の研磨における取
代を低減することが可能となり、研磨工程及び加工工程
全体としての生産性を向上させることができ、その上、
エッチング代や研磨取代を低減することにより、平坦度
の向上をも図ることができるという効果を達成すること
ができる。
をラップ加工する際に、最初に粒径の比較的大きな砥粒
液を使う事で効率よくワークを平坦化することができ、
次にそれより粒径の小さい砥粒液を使う事でピットの深
さを低減することができる。このため、ラップ加工の生
産性をそれほど低下させずに、後工程の研磨における取
代を低減することが可能となり、研磨工程及び加工工程
全体としての生産性を向上させることができ、その上、
エッチング代や研磨取代を低減することにより、平坦度
の向上をも図ることができるという効果を達成すること
ができる。
【図１】本発明方法を実施するために用いられる第１砥
粒液供給と第２砥粒液供給との切り替え機構の１例を示
す概略説明図である。
粒液供給と第２砥粒液供給との切り替え機構の１例を示
す概略説明図である。
【図２】本発明方法を実施するために用いられるラップ
加工装置本体の１例を示す断面的説明図である。
加工装置本体の１例を示す断面的説明図である。
【図３】図２のラップ加工装置本体の上定盤を取り外し
た状態を示す概略説明図である。
た状態を示す概略説明図である。
【図４】実施例１における研磨代によるピットの発生率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】比較例１における研磨代によるピットの発生率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】ラップ加工におけるラップ砥粒とピット深さの
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図７】研磨工程における研磨代と平坦度（ＴＴＶ）の
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
２：第１砥粒液供給ライン、２ａ：第１砥粒液、４：第
２砥粒液供給ライン、４ａ：第２砥粒液、６：主供給ラ
イン、６ａ、６ｂ：基端支ライン、６ｃ、６ｄ：先端支
ライン、８：定量ポンプ、１０：貯留タンク、２２：ラ
ップ加工装置本体、２４：下定盤、２６：上定盤、２
８：中心ギア、３０：インターナルギア、３２：円板状
のキャリア、３４：ウェーハホール、３６：ノズル、３
８：貫通孔、Ｃ：コンピュータ、Ｄ：測定器、Ｖ1 、Ｖ
2 ：切替えバルブ、Ｗ：ワーク、ウェーハ。
２砥粒液供給ライン、４ａ：第２砥粒液、６：主供給ラ
イン、６ａ、６ｂ：基端支ライン、６ｃ、６ｄ：先端支
ライン、８：定量ポンプ、１０：貯留タンク、２２：ラ
ップ加工装置本体、２４：下定盤、２６：上定盤、２
８：中心ギア、３０：インターナルギア、３２：円板状
のキャリア、３４：ウェーハホール、３６：ノズル、３
８：貫通孔、Ｃ：コンピュータ、Ｄ：測定器、Ｖ1 、Ｖ
2 ：切替えバルブ、Ｗ：ワーク、ウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 誠一 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (72)発明者 吉田 正彦 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (72)発明者 林 伸之 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (72)発明者 春日 将人 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AC04 CB01 CB03 CB10 DA02 DA17
Claims (5)
- 【請求項１】 砥粒を含有する砥粒液を用いるワークの
ラップ加工方法であり、ワークを第１砥粒液を用いてラ
ップ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小
さい砥粒を含有する第２砥粒液を用いて、該ワークをラ
ップ加工することを特徴とするワークのラップ加工方
法。 - 【請求項２】 前記第１砥粒液は累積高さ５０％点の粒
子径が６〜１２μｍで最大粒径がその４倍以下、累積高
さ３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ９４％
点の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有し、前記第
２砥粒液は累積高さ５０％点の粒子径が４〜６μｍで最
大粒径がその４倍以下、累積高さ３％点の粒子径がその
３．５倍以下、累積高さ９４％点の粒子径がその０．４
倍以上の砥粒を含有することを特徴とする請求項１記載
のワークのラップ加工方法。 - 【請求項３】 前記第１砥粒液は累積高さ５０％点の粒
子径が６〜８μｍで最大粒径がその４倍以下、累積高さ
３％点の粒子径がその３．５倍以下、累積高さ９４％点
の粒子径がその０．４倍以上の砥粒を含有し、前記第２
砥粒液は累積高さ５０％点の粒子径が５〜６μｍで最大
粒径がその４倍以下、累積高さ３％点の粒子径がその
３．５倍以下、累積高さ９４％点の粒子径がその０．４
倍以上の砥粒を含有することを特徴とする請求項１記載
のワークのラップ加工方法。 - 【請求項４】 前記第２砥粒液を用いたラップ加工の取
代を６〜５０μｍとすることを特徴とする請求項１〜３
のいずれか１項記載のワークのラップ加工方法。 - 【請求項５】 前記ワークが半導体シリコン単結晶ウェ
ーハであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１
項記載のワークのラップ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21383498A JP2000042903A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | ラップ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21383498A JP2000042903A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | ラップ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000042903A true JP2000042903A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16645807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21383498A Pending JP2000042903A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | ラップ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000042903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012232383A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Olympus Corp | 光学素子製造装置及び光学素子製造方法 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21383498A patent/JP2000042903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012232383A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Olympus Corp | 光学素子製造装置及び光学素子製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6093087A (en) | Wafer processing machine and a processing method thereby | |
| EP0366027B1 (en) | Wafer flood polishing | |
| EP0874390B1 (en) | Polishing method | |
| US7867059B2 (en) | Semiconductor wafer, apparatus and process for producing the semiconductor wafer | |
| JP3247301B2 (ja) | 再生半導体ウェハとその再生方法 | |
| EP0907460B1 (en) | Method for chemical-mechanical planarization of stop-on-feature semiconductor wafers | |
| EP1755156B1 (en) | Process for producing silicon wafers | |
| KR101002250B1 (ko) | 에피택셜 웨이퍼 제조 방법 | |
| KR101139054B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 양면 폴리싱 가공 방법 | |
| US6214704B1 (en) | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | |
| KR20020001839A (ko) | 웨이퍼 외주 챔퍼부의 연마방법 및 연마장치 | |
| EP1261020A1 (en) | Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer | |
| JPH1158217A (ja) | 化学的／機械的な研磨装置のための研磨布コンディショナ、化学的／機械的な研磨装置のための研磨布をコンディショニングするための方法および半導体ウェーハを研磨するための改良された化学的／機械的な研磨装置 | |
| JP2018060873A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JPH10180624A (ja) | ラッピング装置及び方法 | |
| WO2002011947A2 (en) | Method for processing a semiconductor wafer using double-side polishing | |
| TWI427690B (zh) | 雙面化學研磨半導體晶圓的方法 | |
| US6478977B1 (en) | Polishing method and apparatus | |
| US6969302B1 (en) | Semiconductor wafer grinding method | |
| JP2000042903A (ja) | ラップ加工方法 | |
| WO2000047369A1 (en) | Method of polishing semiconductor wafers | |
| JPS63150158A (ja) | 端面研削盤切込み装置 | |
| JP2018056500A (ja) | 板状物の加工方法 | |
| WO2001063656A1 (en) | Method for wafer processing | |
| EP0769350A1 (en) | Method and apparatus for dressing polishing cloth |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040726 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040922 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041201 |