KR100900456B1 - 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅성형품 및 이를 갖는 표시장치 - Google Patents

다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅성형품 및 이를 갖는 표시장치 Download PDF

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Abstract

다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅 성형품 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 다이캐스팅 소재를 성형하고, 상기 다이캐스팅 소재를 내외부에 형성되어 있는 기공을 제거하기 위한 진공함침 공정에 의해 표면처리한다. 따라서, 환경오염 및 인체 유해성을 감소시킬 수 있다.

Description

다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅 성형품 및 이를 갖는 표시장치{SURFACE TREATMENT METHOD OF DIE CASTING PREFORM, DIE CASTING PRODUCT BY USING THE SAME AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅 성형품 및 이를 갖는 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 진공함침 공정을 이용한 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅 성형품 및 이를 갖는 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로, 다이캐스팅 성형품은 기계적 특성이 우수하고 경량화, 슬림화에 용이하여 항공기, 자동차 등의 부품이나 전기, 전자 분야의 내외장재 부품으로 널리 사용되고 있다.
또한, 최근에는 휴대폰, 카메라, 노트북 컴퓨터 등의 모바일 전자기기 등의 발전이 급속도로 이루어지면서, 기계적 특성이 우수하고 경량화, 슬림화를 만족하는 다이캐스팅 성형품이 이들 제품에 많이 사용되고 있다.
상기 다이캐스팅 성형품을 제조하기 위해서, 경량화, 슬림화에 유리한 마그네슘(Mg) 합금, 알루미늄(Al) 합금, 아연(Zn) 합금 등의 소재가 많이 이용되고 있 다. 그러나, 상기 소재들은 내식성에 취약한 단점을 가지며, 소재 내부 및 표면에 수많은 미세 기공이 존재하여, 여러 가지 표면처리 방법에 의해서 이러한 단점을 극복하기 위한 연구가 계속되고 있다.
종래의 표면처리 방법으로, 화성처리 공정과 양극산화 공정이 주로 이용되고 있는데, 상기 화성처리 공정과 양극산화 공정은 합금소재의 종류에 따라 공정 조건의 설정이 어려우며, 공정 중 사용되는 크롬산, 질산, 황산 등의 각종 산을 이용하므로 환경오염 및 인체유해성 등의 심각한 문제를 가지고 있다.
그 외의 다양한 표면처리 방법도 시도되고 있으나, 상용화 되고 있는 거의 모든 기술은 강산성 용액과 같은 환경오염과 인체에 유해한 약품을 사용하는 문제점을 갖는다.
본 발명의 일 목적은 환경오염 및 인체 유해성을 감소시킬 수 있는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법을 이용한 다이캐스팅 성형품을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 다이캐스팅 성형품을 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법은 다음과 같이 수행될 수 있다. 먼저, 다이캐스팅(die casting) 소재를 성형한다. 이어서, 상기 다이캐스팅 소재를 내외부에 형성되어 있는 기공을 제거하기 위한 진공함침 공정에 의해 표면처리한다.
일 실시예로, 상기 진공함침 공정은 다음과 같이 수행될 수 있다. 먼저 상기 다이캐스팅 소재를 챔버 내에 장입한다. 이어서, 상기 다이캐스팅 소재가 장입된 챔버 내의 압력을 대기압보다 낮은 제1 기압 이하로 조절한다. 다음으로, 상기 챔버 내에 함침용액을 투입한다. 이어서, 상기 함침용액이 투입된 챔버 내의 압력을 상기 제1 기압보다 큰 제2 기압 이상으로 가압한다. 이 때, 상기 제2 기압은 2atm일 수 있다. 다음으로, 상기 함침용액을 상기 챔버로부터 회수한다.
상기 진공함침 공정은, 상기 다이캐스팅 소재를 상기 챔버 내에 장입하는 단 계 이전에, 상기 다이캐스팅 소재의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 함침용액은 에폭시 계열의 물질, 페놀 계열의 물질, 아크릴 계열의 물질, 우레탄 계열의 물질 및 폴리에스테르 계열의 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 함침용액은 실리카 졸(sol) 및 알루미나 졸 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 진공함침 공정은, 상기 함침용액을 상기 챔버로부터 회수하는 단계 이후에, 상기 다이캐스팅 소재를 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 진공함침 공정은, 상기 다이캐스팅 소재를 세척하는 단계 이후에, 상기 세척된 다이케스팅 소재를 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 다이케스팅 소재는 90℃ 이상의 온도로 가열함으로써 경화될 수 있다.
선택적으로, 상기 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법은 상기 다이캐스팅 소재를 상기 진공함침 공정에 의해 표면처리하는 단계 이전에, 상기 다이캐스팅 소재의 표면을 균일하게 하기 위해서, 상기 다이캐스팅 소재의 표면을 가공하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 다이캐스팅 소재를 상기 진공함침 공정에 의해 표면처리하는 단계 이후에, 상기 표면처리된 다이캐스팅 소재의 표면을 평탄화하도록 상기 다이캐스팅 소재의 적어도 일면에 평탄화층을 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 다이캐스팅 소재의 적어도 일면에 평탄화층을 코팅하는 단계 이후에, 상기 평탄화층이 형성된 다이캐스팅 소재를 도장 또는 진공증착하여 소정의 색상을 갖는 색상층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 다른 실시예에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법은 다음과 같이 수행될 수 있다. 먼저 다이캐스팅 소재를 성형한다. 이어서, 상기 다이캐스팅 소재의 내부에 포함된 수분 또는 가스(gas)를 제거한다. 다음으로, 상기 다이캐스팅 소재의 내부 및 표면의 기공을 제거하기 위하여 함침용액을 충진하는 함침 공정을 수행한다.
선택적으로, 상기 함침 공정을 수행하는 단계 이후에, 상기 다이캐스팅 소재에 함침된 함침용액을 경화하는 경화 공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 경화 공정은 90℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 또한, 상기 함침 공정 및 상기 경화 공정 사이에, 상기 다이캐스팅 소재를 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 다이캐스팅 소재의 내부에 포함된 수분 또는 가스를 제거하는 단계는 1atm 미만에서 수행될 수 있으며, 상기 함침 공정은 2atm 이상에서 수행될 수 있다.
선택적으로, 상기 다이캐스팅 소재의 내부에 포함된 수분 또는 가스를 제거하는 단계 이전에, 상기 다이캐스팅 소재의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 함침 공정 이후에, 상기 다이캐스팅 소재의 표면을 상기 다이캐스팅 소재의 표면을 평탄화하도록 상기 다이캐스팅 소재의 적어도 일면에 평탄화층을 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 평탄화층은 상기 함침용액과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 다이캐스팅 소재는 마그네슘(Mg) 함금, 알루미늄(Al) 합금, 아연(Zn) 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 다이캐스팅 성형품은 다이캐스팅 소재, 함침 수지층 및 평탄화층을 포함한다. 상기 함침 수지층은 상기 다이캐스팅 성형품의 적어도 일면 상에 형성된다. 상기 평탄화층은 상기 함침 수지층 상에 형성된다.
일 실시예로, 상기 평탄화층은 상기 함침 수지층과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
선택적으로, 상기 다이캐스팅 성형품은 상기 평탄화층 상에 형성되며, 소정의 색상을 갖는 색상층 및 상기 색상층 상에 형성되며 상기 다이캐스팅 소재의 표면 특성을 향상시키는 클리어층을 더 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 함침 수지층, 상기 평탄화층, 상기 색상층 및 상기 클리어층의 두께는 20㎛ 내지 30㎛ 일 수 있다.
상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널 및 케이스를 포함한다. 상기 표시패널은 영상을 표시하며, 상기 케이스는 상기 표시패널을 수납한다. 상기 케이스는 다이캐스팅 소재, 함침 수지층 및 평탄화층을 포함하는 다이캐스팅 성형품을 포함한다. 상기 함침 수지층은 상기 다이캐스팅 성형품의 적어도 일면 상에 형성된다. 상기 평탄화층은 상기 함침 수지층 상에 형성된다.
본 발명에 따르면, 다이캐스팅 소재를 표면처리하는 공정을 수행하는 동안 환경오염 및 인체 유해성을 감소시킬 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 진공함침 공정을 이용하여 다이캐스팅 소재를 표면처리한다.
따라서, 종래의 화성처리 및/또는 양극산화 공정을 생략하고 진공함침 공정을 이용함으로써, 공정이 단순화될 수 있다.
또한, 크롬산, 질산, 황산 등의 각종 산을 이용하지 않게 되어 환경오염 및 인체 유해성을 감소시킬 수 있다.
더욱이, 종래에 비해서 표면처리된 다이캐스팅 소재의 성능은 감소됨이 없이 다이캐스팅 성형품의 두께를 감소시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법, 이를 이용한 다이캐스팅 성형품 및 이를 갖는 표시장치에 대하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 하나의 구성 요소가 다른 구성 요소 “위에(상에)” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 “바로 위에” 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이캐스팅(die casting) 성형품을 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이다. 도 2 내지 도 6은 다이캐스팅 성형품을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 다이캐스팅 성형품을 제조하기 위하여, 먼저 다이캐스팅 소재(110)를 성형한다(S100).
상기 다이캐스팅 소재(110)는, 예를 들면, 마그네슘(Mg) 함금, 알루미늄(Al) 합금, 아연(Zn) 합금 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 다이캐스팅 소재(110)는 내부 및 표면에 다수의 미세 기공(112)이 존재할 수 있다.
이어서, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면을 균일하게 하기 위해서, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면을 가공한다(S110). 이는 다이캐스팅 소재(110)의 1차 가공에 해당하며, 상기 다이캐스팅 소재(110)를 성형하는 단계(S100)에 의해서 발생될 수 있는 버(bur) 등을 제거하기 위한 과정이다. 예를 들면, 상기 표면을 가공하는 단계는 트리밍(trimming) 또는 연마에 의해서 이루어질 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 다음으로, 상기 다이캐스팅 소재(110)를 내외부에 형성되어 있는 기공을 제거하기 위한 진공함침 공정에 의해 표면처리한다(S120).
이로써, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 내부에 형성된 상기 기공(112)에는 함침용액이 충진되며, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면에는 함침 수지층(120)이 형성된다. 이 공정에 대한 상세한 설명은 후술한다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 이어서, 상기 표면처리된 다이캐스팅 소재(110)의 표면을 평탄화하도록 상기 다이캐스팅 소재(110)의 적어도 일면에 평탄화층(130)을 코팅한다(S130).
상기 표면처리 단계(S120)를 수행한 후에, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면에는 요철이 생성될 수 있다. 따라서, 상기 요철에 의한 거친 표면을 평탄화하기 위해서 평탄화층(130)을 코팅할 수 있다. 구체적으로, 상기 평탄화층(130)은 상기 함침 수지층(120)이 형성된 상기 다이캐스팅 소재(110) 상에 형성되어, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면을 평탄화하며, 상기 평탄화층(130)은 하도(프라이머; primer) 코팅에 해당한다.
도 4에서, 상기 평탄화층(130)은 상기 다이캐스팅 소재(110)의 일면(114) 상에 코팅되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 상기 평탄화층(130)은 상기 다이캐스팅 소재(110)의 양면(114)이나 전면(whole surface)에 코팅될 수 있음은 물론이다.
상기 평탄화층(130)은, 예를 들면, 아크릴계, 우레탄계, 폴리에스테르계 등의 열경화성 수지 또는 UV 경화성 수지를 사용할 수 있다. 또한, 상기 평탄화층(130)은 상기 표면처리 공정(S120)에서 사용되는 함침용 수지와 동일한 계열의 수지를 사용할 수 있다. 이 경우, 상기 평탄화층(130)은 상기 함침 수지층(120)과 동일한 물질로 이루어지므로, 상기 평탄화층(130)은 상기 함침 수지층(120)에 보다 용이하게 접착될 수 있다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 다음으로, 상기 평탄화층(130)이 형성된 다이캐스팅 소재(110)를 도장하거나(S140) 진공증착하여(S150) 소정의 색상을 갖는 색상층(140)을 형성할 수 있다.
따라서, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 외관을 원하는 색상으로 형성할 수 있 으며, 금속 질감의 색상을 구현할 수도 있다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 이어서, 상기 색상층(140)이 형성된 상기 다이캐스팅 소재(110)에 클리어층(150)을 형성한다(S160).
상기 클리어층(150)은 상도 코팅에 해당하며, 표면 특성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 공정에 의해서, 다이캐스팅 성형품(100)이 완성된다. 상기 다이캐스팅 성형품(100)은, 예를 들면, 대략 20㎛ 내지 대략 30㎛의 코팅 두께를 가질 수 있다. 즉, 상기 다이캐스팅 소재(110) 상에 순차적으로 적층된 상기 함침 수지층(120), 상기 평탄화층(130), 상기 색상층(140) 및 상기 클리어층(150)의 두께는 20㎛ 내지 30㎛ 일 수 있다. 따라서, 상기 다이캐스팅 성형품(100)은 상기 화성처리 또는 아노다이징에 의해서 표면처리를 수행하던 종래의 다이캐스팅 성형품의 제품 두께보다 얇은 장점을 가질 수 있다.
일 실시예로, 상기와 같은 다이캐스팅 성형품(100)은 표시장치의 케이스로 채용될 수 있다. 즉, 표시장치는 영상을 표시하는 표시패널 및 상기 표시패널을 수납하는 케이스를 포함할 수 있으며, 상기 케이스는 상기 다이캐스팅 성형품(100)을 포함한다.
이하, 도 7을 참조하여 도 1의 다이캐스팅 소재(110)를 표면처리하는 단계(S120)를 보다 상세하게 설명한다.
도 7은 도 1의 다이캐스팅 소재를 표면처리하는 단계를 나타낸 흐름도이다.
도 2, 도 3 및 도 7을 참조하면, 상기 다이캐스팅 소재(110)를 표면처리하기 위해서, 먼저 표면 가공된 다이캐스팅 소재(110)의 표면에 부착된 불순물을 제거한다(S200).
상기 불순물을 제거하는 공정은 진공함침 공정의 전처리 공정에 해당한다. 상기 불순물은, 예를 들면, 유기물일 수 있다.
이어서, 불순물이 제거된 상기 다이캐스팅 소재(110)를 챔버 내에 장입한다(S210).
다음으로, 상기 다이캐스팅 소재(110)가 장입된 챔버 내의 압력을 대기압보다 낮은 제1 기압 이하로 조절하여(S220), 상기 챔버 내의 압력을 진공 상태로 만든다.
이로써, 상기 챔버 내의 압력이 상기 다이캐스팅 소재(110) 내의 압력보다 낮아지므로, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 내부에 포함된 수분 또는 가스(gas) 등을 제거할 수 있다.
이어서, 상기 챔버 내에 함침용액을 투입한다(S230). 상기 함침용액이 상기 챔버 내에 투입함으로써, 상기 함침용액이 상기 다이캐스팅 소재(110)의 내부 및 표면의 기공에 함침되도록 한다. 따라서, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 내부 및 표면의 기공이 함침용액으로 충진됨으로써, 상기 기공이 제거될 수 있으며, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면에는 함침 수지층(120)이 형성될 수 있다.
상기 함침용액의 일 예로서 열경화성 용액을 들 수 있다. 상기 함침용액은, 예를 들면, 에폭시 계열의 물질, 페놀 계열의 물질, 아크릴 계열의 물질, 우레탄 계열의 물질 및 폴리에스테르 계열의 물질 등이 단일 또는 복합으로 이루어진 용액 상태의 열경화성 유기 용액을 포함할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 함침용액은 실리카 졸(sol) 및 알루미나 졸 등의 열경화성 무기 용액을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 함침용액이 투입된 챔버 내의 압력을 상기 제1 기압보다 큰 제2 기압 이상으로 가압한다(S240).
여기서, 상기 제2 기압은, 예를 들면, 대략 2atm일 수 있다. 상기 챔버 내의 압력이 대략 2atm 이상이 되면, 상기 함침용액이 상기 다이캐스팅 소재(110)의 내부 및 표면의 기공에 보다 용이하게 함침될 수 있다.
이어서, 상기 함침용액을 상기 챔버로부터 회수하고(S250), 다음으로, 상기 다이캐스팅 소재(110)를 세척한다(S260).
상기 다이캐스팅 소재(110)의 세척은, 예를 들면, 초음파 세척에 의해 수행될 수 있다.
이어서, 상기 세척된 다이케스팅 소재를 경화한다(S270).
예를 들면, 상기 다이케스팅 소재는 90℃ 이상의 온도로 가열함으로써 경화될 수 있다. 구체적으로, 상기 경화 공정(S270)에 의해서, 상기 다이캐스팅 소재(110)의 기공에 충진된 함침용액 및 상기 다이캐스팅 소재(110)의 표면에 형성된 함침 수지층(120)이 경화될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 전의 표면 형상을 나타낸 사진이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 후의 표면 형상을 나타낸 사진이다. 도 8 및 도 9의 사진들은 10000배로 확대되어 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 다이캐스팅 소재의 표면처리 전에는 표면이 균일하지 못한 점을 관찰할 수 있는 반면, 표면처리 후에는 비교적 균일해진 표면을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 마그네슘 다이캐스팅 성형품의 공정별 부식 테스트에서, 5%의 염화나트륨(NaCl)을 포함하는 35℃의 염수 분무 시험기를 이용한 테스트와 pH 4.6의 내완충액 테스트에서 모두 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이캐스팅(die casting) 성형품을 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2 내지 도 6은 도 1의 다이캐스팅 성형품을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 도 1의 다이캐스팅 소재를 표면처리하는 단계를 나타낸 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 전의 표면 형상을 나타낸 사진이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이캐스팅 소재의 표면처리 후의 표면 형상을 나타낸 사진이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 다이캐스팅 성형품 110 : 다이캐스팅 소재
112 : 기공 120 : 함침 수지층
130 : 평탄화층 140 : 색상층
150 : 클리어층

Claims (27)

  1. 다이캐스팅(die casting) 소재를 성형하는 단계; 및
    상기 다이캐스팅 소재를 내외부에 형성되어 있는 기공을 제거하기 위한 진공함침 공정에 의해 표면처리하는 단계를 포함하고, 상기 진공함침 공정은,
    상기 다이캐스팅 소재를 챔버 내에 장입하는 단계;
    상기 다이캐스팅 소재가 장입된 챔버 내의 압력을 대기압보다 낮은 제1 기압 이하로 조절하는 단계;
    상기 챔버 내에 함침용액을 투입하는 단계;
    상기 함침용액이 투입된 챔버 내의 압력을 상기 제1 기압보다 큰 제2 기압 이상으로 가압하는 단계; 및
    상기 함침용액을 상기 챔버로부터 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 진공함침 공정은,
    상기 다이캐스팅 소재를 상기 챔버 내에 장입하는 단계 이전에, 상기 다이캐스팅 소재의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 함침용액은 에폭시 계열의 물질, 페놀 계열의 물질, 아크릴 계열의 물질, 우레탄 계열의 물질 및 폴리에스테르 계열의 물질 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 함침용액은 실리카 졸(sol) 및 알루미나 졸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 기압은 2atm인 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 진공함침 공정은,
    상기 함침용액을 상기 챔버로부터 회수하는 단계 이후에, 상기 다이캐스팅 소재를 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 진공함침 공정은,
    상기 다이캐스팅 소재를 세척하는 단계 이후에, 상기 세척된 다이케스팅 소재를 경화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처 리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 다이케스팅 소재는 90℃ 이상의 온도로 가열함으로써 경화되는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 다이캐스팅 소재를 상기 진공함침 공정에 의해 표면처리하는 단계 이전에,
    상기 다이캐스팅 소재의 표면을 균일하게 하기 위해서, 상기 다이캐스팅 소재의 표면을 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 다이캐스팅 소재를 상기 진공함침 공정에 의해 표면처리하는 단계 이후에,
    상기 표면처리된 다이캐스팅 소재의 표면을 평탄화하도록 상기 다이캐스팅 소재의 적어도 일면에 평탄화층을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 다이캐스팅 소재의 적어도 일면에 평탄화층을 코팅하는 단계 이후에,
    상기 평탄화층이 형성된 다이캐스팅 소재를 도장 또는 진공증착하여 소정의 색상을 갖는 색상층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 소재의 표면처리 방법.
  13. 삭제
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