KR100894089B1 - 아미노기 함유 실록산의 연속 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
일반식 (IV)의 오르가노실록산을 일반식 (V)의 환형 실라잔과 반응시켜 일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산의 연속 제조 방법으로서,
(Si04 /2)k(R1SiO3 /2)m(R1 2SiO2 /2)p(R1 3SiO1 /2)q[O1 /2SiR1 2-R-NH2]s[O1 /2H]t (III),
(Si04 /2)k(R1SiO3 /2)m(R1 2SiO2 /2)p(R1 3SiO1 /2)q[O1 /2H]r (IV)
(상기 식에서, R, Rx, R1, R2, e, s, t, r, k, m, p 및 q는 청구항 1에 정의된 의미를 가짐),
일반식 (V)의 실라잔과 일반식 (IV)의 오르가노실록산을 반응기에 연속적으로 공급하여 서로 혼합하여 반응시킨 다음, 반응기로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법에 관한 것이다.
오르가노실록산, 환형 실라잔, 아미노기 함유 실록산, 실리콘 오일
Description
본 발명은 환형 실라잔(cyclic silazane)을 사용하여 아미노기 함유 실록산을 연속적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
아미노알킬폴리실록산 및 아미노알킬실리콘 수지는 폴리아미드 및 폴리에테르이미드의 제조를 포함하는 많은 응용 분야에서 사용될 수 있다. 그러나, 이들 화합물은 그 제조 공정에 비교적 많은 비용이 들기 때문에 상업적으로 대규모로 사용되지 못한다.
특허 문헌 US-A-3146250 및 DE 10051886 A는 실리콘 성분의 HO-Si기와 반응할 수 있는 하기 일반식 (I)로 나타내어지는 특수한 환형 실라잔을 출발 물질로 하는 방법을 개시한다.
상기 식에서, R'은 탄소 원자가 3개 이상 6개 미만인 탄소 사슬이고, R''은 탄화수소 라디칼이고, N에 결합된 라디칼 R은 수소, 탄화수소 라디칼 또는 일반식 (아민-R1-)Y2Si-(여기서, Y 및 R1은 탄화수소 라디칼임)의 오르가노실릴 라디칼이 다. 라디칼 R이 수소인 경우에는, 하이드록시 말단 실라놀의 작용성 부여(functionalizing)에 이용할 수 있는 비치환 환형 실라잔이 얻어진다. 이들 환형 실라잔의 반응이 갖는 이점은, 그들 고리의 장력으로 인해 가열된 온도에서 Si-OH기와 급속하게 정량적 반응을 한다는 점이다. 상기 반응 시간은 경우에 따라서는 10분 미만이다.
그러나, 예를 들면 선형 알파-, 또는 오메가-치환된 실리콘 오일에 관해 현재까지 알려져 있는 배치식(batchwise) 제조 방법의 단점은 짧은 반응 시간을 달성하기 위해서 상기 실리콘 오일을 약 60∼140℃의 온도까지 가열해야 한다는 점이다. 이것은 특히 아미노기의 비율이 매우 작은 실리콘 오일의 경우에 그러한데, 이 경우에는 실온에서 반응물의 낮은 반응성으로 인해 반응이 매우 느리게 일어나기 때문이다. 그러나, 여기에는 기술적인 문제점으로서, 가열된 온도에서의 실제 반응 시간은 매우 짧지만, 반응 혼합물을 가열하거나 생성물의 혼합체를 냉각하는 데 걸리는 시간이, 특히 산업적 규모의 경우, 매우 길기 때문에 환형 실라잔의 반응성이 갖는 이점이 상쇄될 수 있다는 단점이 있다. 따라서, Si-OH 작용기를 가진 환형 실라잔을 아미노기 함유 실록산으로 매우 신속하게 변환시킬 수 있는 방법이 필요했다.
본 발명은, 하기 일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산의 연속 제조 방법으로서, 하기 일반식 (V)의 실라잔과 하기 일반식 (IV)의 오르가노실록산을 반응기에 연속적으로 공급하여 서로 혼합하여 반응시킨 다음, 상기 반응기로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법에 관한 것이다:
(Si04 /2)k(R1SiO3 /2)m(R1 2SiO2 /2)p(R1 3SiO1 /2)q[O1 /2SiR1 2-R-NH2]s[O1 /2H]t (III),
(Si04 /2)k(R1SiO3 /2)m(R1 2SiO2 /2)p(R1 3SiO1 /2)q[O1 /2H]r (IV)
(상기 식에서,
R은 2가의 Si-C- 및 Si-N-결합된, 선택적으로 시아노 또는 할로겐 치환된 C3-C15 탄화수소 라디칼이고, 여기서 하나 이상의 인접하지 않은 메틸렌 단위는 -O-, -CO-, -COO-, -OCO- 또는 -OCOO-, -S- 또는 -NRx-기로 대체될 수 있으며, 하나 이상의 인접하지 않은 메틴 단위는 -N=, -N=N- 또는 -P=기로 대체될 수 있고, 상기 고리의 실리콘 원자와 질소 원자 사이에 3개 내지 6개의 원자가 배열되어 있고,
Rx는 수소 또는 선택적으로 -CN 또는 할로겐으로 치환된 C1-C10 탄화수소 라디칼이고,
R1은 수소 원자 또는 선택적으로 -CN, -NCO, -NRx 2, -COOH, -COORx, -할로겐, -아크릴오일, -에폭시, -SH, -OH 또는 0CONRx 2로 치환된, 1가의 Si-C 결합된 C1-C20 탄화수소 라디칼 또는 C1-C15 하이드로카르본옥시 라디칼이고, 각각의 경우에 하나 이상의 인접하지 않은 메틸렌 단위는 -O-, -CO-, -COO-, -OCO- 또는 -OCOO-, -S- 또는 -NRx-기로 대체될 수 있으며, 하나 이상의 인접하지 않은 메틴 단위는 -N=, -N=N- 또는 -P=기로 대체될 수 있고,
R2는 수소 또는 선택적으로 -CN 또는 할로겐으로 치환된 C1-C10 탄화수소 라디칼, 또는 하기 일반식 (VIII)의 라디칼일 수 있고,
(상기 식에서, R3는 수소 또는 선택적으로 -CN, -NRx 또는 할로겐으로 치환된 C1-C10 탄화수소 라디칼임),
e는 0 이상의 값을 가지고,
s는 1 이상의 값을 가지고,
r은 1 이상의 값을 가지고,
s + t는 r의 값을 가지고,
k + m + p + q는 2 이상의 값을 가짐).
이 방법에 의하면, 필요한 성분을 원하는 반응 온도까지 매우 짧은 시간에 가열할 수 있으며, 그와 동시에 혼합이 일어난다. 반응기에서 발생되는 생성물은 그 체적이 작기 때문에, 후속하여 신속하고도 효과적으로 냉각시킬 수 있다. 필요한 반응기의 체적은 체류 시간이 짧기 때문에 매우 작게 유지할 수 있는 동시에, 제조 가능한 양을 크게 할 수 있다. 동시에, 진공과 병행하여 가열된 온도의 작용에 의해, 반응물의 불필요한 불순물을 반응기 공간에서 목표로 하는 방식으로 제거할 수 있다. 이러한 불순물 제거는 제2 반응물을 첨가한 후 또는 첨가하기 전에 이루어질 수 있다.
또 다른 이점은, 연속적으로 가동되는 반응기에서의 표면적/체적 비가 높기 때문에, 생성물은 예를 들면 질소로 동시에 블랭킷(blanket) 또는 포화될 수 있고, 그 결과 출발 물질에 존재하는 산소가 대체된다. 이렇게 해서 형성된 아민은 황변 현상을 일으킬 가능성이 적어진다.
사용되는 일반식 (V)의 환형 실라잔은 용이하게 높은 수율로 제조될 수 있다. 상기 실라잔은 또한 부산물을 형성하지 않으며, 특수한 촉매가 사용되지 않고도 일반식 (IV)의 하이드록시 작용기를 가진 실록산과 반응한다.
일반식 (V)의 환형 실라잔에서, R은 지방족 형태로 포화되거나 불포화될 수 있고, 방향족, 직쇄형 또는 분지형일 수 있다. R은 할로겐 원자, 특히 플루오르 및 염소로 치환될 수 있는, 직쇄형 C1-C6 알킬렌 라디칼인 것이 바람직하다. 바람직하게는, 상기 고리의 실리콘 원자와 질소 원자 사이에 3개의 원자가 배열된다.
C1-C20 탄화수소 라디칼 및 C1-C20 하이드로카르본옥시 라디칼 R1은 지방족 형태로 포화되거나 불포화될 수 있고, 방향족, 직쇄형 또는 분지형일 수 있다. R1은 바람직하게는 1∼12개의 원자, 특히 1∼6개의 원자, 또는 바람직하게는 탄소 원자만을 가지거나, 알콕시 산소 원자 및 그 외에는 탄소 원자만을 가진다. R1은 직쇄형 또는 분지형 C1-C6 알킬 라디칼인 것이 바람직하다. 메틸, 에틸, 페닐, 비닐 및 트리플루오로프로필 라디칼이 특히 바람직하다. 라디칼 R2는 수소 또는 C1-C3 탄화수소 라디칼 또는 일반식 (VIII)의 라디칼인 것이 바람직하다. 라디칼 R3로서는 아미노알킬 라디칼이 바람직하다. R2 라디칼로서는 수소, 메틸 라디칼 또는 일반식 (VIII)의 라디칼이 특별히 바람직하다. e는 0 또는 1이고, 특히 바람직하게는 0이다.
일반식 (III)의 화합물로서, R이 프로필렌 라디칼이고 R1이 메틸, 에틸, 페닐, 비닐 또는 트리플루오로프로필인 것이 바람직하게 제조된다.
일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산은 선형, 환형 또는 분지형일 수 있다. k, m, p, q, s 및 t의 합은 2 내지 20,000, 특히 8 내지 1,000의 수인 것이 바람직하다. 일반식 (IV)의 오르가노실록산과 실라잔의 반응이 이루어질 수 있으려면, r은 >0이어야 한다. 즉, 일반식 (IV)의 오르가노실록산은 하이드록시기를 함유해야 한다.
일반식 (III)의 분지형 오르가노실록산의 바람직한 변형은 오르가노실리콘 수지이다. 이것은 일반식 (III)에 표시되어 있는 바와 같이, 복수의 단위로 이루어질 수 있고, 존재하는 상기 단위의 몰%는 계수 k, m, p, q, r, s 및 t로 표시된다. k, m, p, q 및 r의 합을 기준으로 단위 r의 값이 0.1∼20%인 것이 바람직하다. 그러나, 동시에 k + m은 >0이어야 한다. 일반식 (III)의 오르가노실록산 수지에서, s는 >0 이어야 하고, s + t는 r과 동일해야 한다.
여기서 바람직한 수지는, k, m, p, q, r, s 및 t의 합을 기준으로 5%<k + m<90%이고 t는 0인 것이다. 특히 바람직한 경우에, 라디칼 R은 프로필 라디칼이고, R1은 메틸 라디칼이다.
여기서, 한정된 아민 함량만을 가진 수지를 제조하고자 하는 경우에, 수지와 환형 실라잔 사이의 화학양론적 비는, 원하는 아민 함량이 얻어지도록 선택된다. 나머지 Si-OH기는 선택적으로 생성물 중에 잔류할 수 있다.
일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산의 또 다른 바람직한 변형은, 상기 일반식 (V)의 환형 실라잔과 하기 일반식 (VII)의 오르가노실록산으로부터 제조되는 하기 일반식 (VI)의 선형 오르가노실록산이다:
[H]u[H2N-R-SiR1 2]vO(SiR1 2O)nSiR1 2-R-NH2 (VI)
HO(R1 2SiO)nR1 2SiOH (VII)
상기 식에서,
u는 0 또는 1의 값을 가지고, v는 1-u의 값을 가지며, n은 1 내지 20,000의 수이다.
u는 0의 값을 갖는 것이 바람직하다.
n은 바람직하게는 1 내지 20,000의 값, 특히 바람직하게는 8 내지 2,000의 값을 가진다.
일반식 (VII)의 화합물의 혼합물이 출발 물질로 사용될 경우, n 값은 존재하는 일반식 (VII)의 실라놀의 평균 중합도이다.
이 방식으로 제조되는 일반식 (VI)의 선형 오르가노실록산의 특징은 하기 세 가지 상이한 파라미터에 의해 실질적으로 나타낼 수 있다:
- 점도(또는 분자량)
- 아민 함량
- 말단기의 아미노 작용성(amino-functionality)의 정도.
그러나, 일반식 (VI)의 선형 오르가노실록산의 경우에, 상기 파라미터 중 오직 두 가지만 서로 독립적으로 변동된다. 즉, 점도와 작용성이 고정되면 아민 함량이 고정된다. 아민 함량과 점도가 고정될 경우에는 작용성이 고정되며, 아민 함량과 작용성이 고정될 경우에는 점도가 고정된다.
작용성의 정도가 아무 역할을 하지 못하는, 일반식 (VI)의 선형 오르가노실록산만을 제조하고자 하는 경우, 즉 실리콘 오일의 경우에는, 이들은 작용성 2를 갖지 않아도 되고 아민의 총함량 및 점도에 의해서만 표시되며, 최종 생성물에 원하는 점도를 부여하는 데 적합한 일반식 (VII)의 오르가노실록산이 실리콘 성분으로서 사용되고, 작용성 부여(functionalization)를 위해서는 일반식 (V)의 환형 실라잔이 사용되며, 특히 그 사용량은 최종 생성물의 아민 함량에 대응한다.
일반식 (VI)의 화합물은 또한, u>0일 경우에, 마찬가지로 일반식 (VI)의 화합물을 제조하되 분자량이 더 큰 화합물, 즉 n의 수치가 증가되는 화합물을 제조하기 위해서는, 자체적으로 또는 일반식 (VII)의 화합물과 함께, 선택적으로는 촉매에 의한 작용 하에 축합될 수 있다. 특히 바람직한 경우에, n은 상기 축합 전에는 15 내지 50이고, 축합 후에는 50 내지 2,000이다.
일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산을 제조하는 방법에서, 사용되는 일반식 (V)의 실라잔의 양은 작용성 부여할 실라놀기의 양에 의존한다. 그러나, OH기의 완전한 작용성 부여를 달성하고자 하는 경우에, 실라잔은 적어도 동일한 몰량으로 첨가되어야 한다. 환형 실라잔이 초과량으로 사용되면, 미반응 실라잔은 후속 단계에서 증류되거나 가수분해되고, 경우에 따라서는 제거될 수 있다.
상기 방법은 바람직하게는 0∼100℃, 특히 바람직하게는 10∼40℃에서 수행된다. 상기 방법의 공정은 선택적으로 진공 중 또는 대기압은 넘는 압력 또는 대기압(0.1 MPa) 하에서 이루어진다.
바람직한 실시예에서, 상기 공정은 질소 또는 아르곤과 같은 불활성 가스를 사용하여 이루어진다.
바람직한 반응기로는, 공통 회전(co-rotating) 또는 역회전(counter-rotating)되도록 설계된 연속식 니더(kneader), 압출기, 단축 압출기, 쌍축 압출기, 또는 다축 압출기, 및 글라스 반응기 또는 스태틱(static) 또는 다이나믹(dynamic) 믹서를 들 수 있다. 쌍축 니더(또는 쌍축 압출기) 및 정지형 믹서가 특히 바람직하다.
상기 방법은 용매를 사용하거나 사용하지 않고 수행될 수 있다. 용매를 사용할 경우, 불활성 용매, 특히 지방족 탄화수소, 예를 들면 헵탄 또는 데칸, 및 방향족 탄화수소, 예를 들면 톨루엔 또는 크실렌과 같은 중성(aprotic) 용매가 바람직하다. THF, 디에틸에테르 또는 MTBE와 같은 에테르를 사용할 수도 있다.
용매의 양은 반응 혼합물의 균질화를 보장하기에 충분한 양이어야 한다. 0.1 MPa에서 120℃ 이하의 비등점 또는 비등 범위를 가진 용매 또는 용매 혼합물이 바람직하다.
일반식 (VI)의 실라잔을 화학양론적 양보다 적은 양으로 일반식 (IV)의 오르가노실록산에 첨가하면, 일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산에 미반응 Si-OH기가 잔존할 수 있고, 또는 하기 일반식 (VIII)의 다른 실라잔과 반응하여 하기 일반식 (IX)의 아미노기 함유 오르가노실록산을 형성할 수 있다:
(Si04 /2)k(R1SiO3 /2)m(R1 2SiO2 /2)p(R1 3SiO1 /2)q[O1 /2SiR1 2-R-NH2]s[O1 /2H]t(O1 /2SiR1 3)w (IX)
상기 식에서, R, R1, k, m, p, q 및 s는 앞에서 정의된 바와 같다. t는 0 이상이고, w는 0보다 크고, s + t + w = r이고, r은 상기 일반식 V에서 정의되어 있다.
일반식 (VIII)의 실라잔은 일반식 (V)의 환형 실라잔과 동시에 사용되거나, 일반식 (V)의 실라잔의 반응 후에 사용될 수 있다.
예를 들어, 고점도 아미노 실리콘에서 아민수(amine number)를 증가시키기 위해서, 일반식 (VIII)의 실라잔과 일반식 (V)의 환형 실라잔을 사용하여 제조된, 일반식 (IX)의 아미노기 함유 오르가노실록산을 이용할 수 있다. 그 결과, 이러한 아미노실리콘과 아미노실리콘 수지의 혼합물을 사용하여 높은 아민수와 높은 점도를 겸비한 혼합물이 틀림없이 얻어진다. 이것은 2작용성 아미노실리콘을 사용해서는 이 방식으로 얻을 수 없는 특성의 조합이다.
상기 일반식 (VII)의 선형 오르가노실록산이 일반식 (V)의 실라잔 및 일반식 (VIII)의 실라잔 모두와 반응하면, 하기 일반식 (X)의 화합물이 얻어진다:
[R1 3Si]u[H2N-R-SiR1 2]vO(SiR1 2O)nSiR1 2-R-NH2 X
상기 식에서, R1, R 및 n은 앞에서 정의된 바와 같고, 평균적으로 u>0, v<1 및 u + v = 1이다.
그러나, 이러한 이중 말단화는 선택적으로 생략될 수도 있지만, 고온에서는 Si-OH기가 축합을 일으키기 쉽고 그에 따라 얻어지는 용액의 점도가 증가될 수 있으므로, 고온에서의 재료의 안정성과 관련하여 실질적인 이점을 가진다.
일반식 (V)의 실라잔은 하기 일반식 (XI)에 따른 할로알킬디알킬디클로로실란 또는 하기 일반식 (XII)의 비스할로알킬테트라알킬디실라잔 또는 일반식 (XI)와 (XII)의 화합물의 혼합물을, 바람직하게는 가압 상태에서 암모니아와 반응시키는 방법에 의해 제조될 수 있다:
상기 식에서,
X는 F, Cl, Br 또는 I이고, R2는 R1과 동일하고, R1 및 R은 앞에서 정의된 바와 같다.
상기 일반식들의 모든 부호는 서로 독립적으로 각각의 의미를 가진다.
이하의 실시예에서, 각각의 경우에 달리 언급하지 않는 한, 모든 양과 퍼센트 데이터는 중량 기준이며, 모든 압력은 0.01 MPa(절대압)이고 모든 온도는 20℃이다.
실시예
1:
독일 에버스베르크 소재 Collin사 제품인, 6개의 가열 구역을 가진 쌍축 니더에서, OH 함량이 1.21%이고 점도가 50 mPaㆍs인 Si-OH 말단 폴리디메틸실록산을 질소 분위기 하에서 제1 가열 구역 내에 14.0 g/분(169.4 mg OH/분 또는 9.96 mmol/분에 해당)의 속도로 정량 공급했다. 제2 가열 구역에서, N-((3-아미노프로필)디메틸실릴)-2,2-디메틸-1-아자-2-실아시클로펜탄(M = 230 g/mol, 강도 97%)을 1.15 g/분의 속도로 정량 공급했다. 가열 구역들의 온도 프로파일은 다음과 같이 프로그램했다: 구역 1은 50℃, 구역 2는 100℃, 구역 3은 120℃, 구역 4는 120℃, 구역 5는 120℃, 구역 6은 120℃. 속도는 50 rpm이었다. 무색의 비스아미노프로필폴리디메틸실록산을 압출기 다이에서 연속적으로 인출할 수 있었고, 이를 냉각하고 Si-NMR에 의한 분석 결과, Si-OH 함량이 <30 ppm이었다.
실시예
2:
독일 에버스베르크 소재 Collin사 제품인, 6개의 가열 구역을 가진 쌍축 니더에서, OH 함량이 3.62%이고 점도가 12 mPaㆍs인 Si-OH 말단 폴리디메틸실록산을 질소 분위기 하에서 제1 가열 구역 내에 10.0 g/분(362 mg OH/분 또는 21.3 mmol/분에 해당)의 속도로 정량 공급했다. 제2 가열 구역에서, N-((3-아미노프로필)디메틸실릴)-2,2-디메틸-1-아자-2-실아시클로펜탄(M = 230 g/mol, 강도 97%)을 2.45 g/분의 속도로 정량 공급했다. 가열 구역들의 온도 프로파일은 다음과 같이 프로그램했다: 구역 1은 50℃, 구역 2는 100℃, 구역 3은 120℃, 구역 4는 120℃, 구역 5는 120℃, 구역 6은 120℃. 속도는 50 rpm이었다. 무색의 비스아미노프로필폴리디메틸실록산을 압출기 다이에서 연속적으로 인출할 수 있었고, 이를 냉각하고 Si-NMR에 의한 분석 결과, Si-OH 함량이 <50 ppm이었다.
실시예
3:
독일 에버스베르크 소재 Collin사 제품인, 6개의 가열 구역을 가진 쌍축 니더에서, OH 함량이 0.34%이고 점도가 450 mPaㆍs인 Si-OH 말단 폴리디메틸실록산을 질소 분위기 하에서 제1 가열 구역 내에 10.0 g/분(34 mg OH/분 또는 2.0 mmol/분 에 해당)의 속도로 정량 공급했다. 제2 가열 구역에서, N-((3-아미노프로필)디메틸실릴)-2,2-디메틸-1-아자-2-실아시클로펜탄(M = 230 g/mol, 강도 97%)을 0.238 g/분의 속도로 정량 공급했다. 가열 구역들의 온도 프로파일은 다음과 같이 프로그램했다: 구역 1은 50℃, 구역 2는 100℃, 구역 3은 120℃, 구역 4는 120℃, 구역 5는 120℃, 구역 6은 120℃. 속도는 50 rpm이었다. 무색의 비스아미노프로필폴리디메틸실록산을 압출기 다이에서 연속적으로 인출할 수 있었고, 이를 냉각하고 Si-NMR에 의한 분석 결과, Si-OH 함량이 <28 ppm이었다.
Claims (11)
- 하기 일반식 (III)의 아미노기 함유 오르가노실록산의 연속 제조 방법으로서,N-((3-아미노프로필)디메틸실릴)-2,2-디메틸-1-아자-2-실아시클로펜탄과 하기 일반식 (IV)의 오르가노실록산을 반응기에 연속적으로 공급하여 서로 혼합하여 반응시킨 다음, 상기 반응기로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법:(Si04/2)k(R1SiO3/2)m(R1 2SiO2/2)p(R1 3SiO1/2)q[O1/2Si(CH3)2-CH2-CH2-CH2-NH2]s[O1/2H]t (III),(Si04/2)k(R1SiO3/2)m(R1 2SiO2/2)p(R1 3SiO1/2)q[O1/2H]r (IV)(상기 식에서,R1은 수소 원자 또는 1가의 Si-C 결합된 C1-C20 탄화수소 라디칼 또는 C1-C15 하이드로카르본옥시 라디칼이고,s는 1 이상의 값을 가지고,r은 1 이상의 값을 가지고,s + t는 r의 값을 가지고,k + m + p + q는 2 이상의 값을 가짐).
- 제1항에 있어서,상기 반응기는, 연속식 니더, 압출기, 글라스 반응기, 스태틱 믹서 및 다이나믹 믹서로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,R1이, 메틸, 에틸, 페닐, 비닐 또는 트리플루오로프로필인 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,k, m, p, q, s 및 t의 합이 2 내지 20,000의 수인 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,k, m, p, q, r, s 및 t의 합을 기준으로 5% <k + m< 90%인 수지가 제조되는 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항 있어서,하기 일반식 (VI)의 선형 오르가노실록산이 하기 일반식 (VII)의 오르가노실록산과 N-((3-아미노프로필)디메틸실릴)-2,2-디메틸-1-아자-2-실아시클로펜탄으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 오르가노실록산의 연속 제조 방법:[H]u[H2N-CH2-CH2-CH2-Si(CH3)2]vO(SiR1 2O)nSi(CH3)2-CH2-CH2-CH2-NH2 (VI),HO(R1 2SiO)nR1 2SiOH (VII)(상기 식에서,u는 0 또는 1의 값을 가지고, v는 1-u의 값을 가지며, n은 1 내지 20,000의 수임).
- 삭제
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- 삭제
- 삭제
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