KR100877663B1 - 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (A) 산불안정기로 보호된 산성 관능기를 갖는 알칼리 불용성 또는 난용성의 고분자 화합물로서 상기 산불안정기가 이탈했을 때 알칼리 가용성이 되는 고분자 화합물,
(B) 산발생제, 및
(C) 퍼플루오로알킬기 함유 실록산 결합과 폴리옥시에틸렌형폴리에테르 결합만을 갖는 비이온성 불소 함유 오르가노실록산계 화합물 중에서 선택된 1종 이상 비이온성 불소계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 파장 150 nm 이상의 자외선을 노광 광원으로 하는 레지스트 재료에 관한 것이다.
본 발명의 레지스트 재료에 따르면 파장 150 nm 이상의 자외선 노광에 의해 스컴이 생기지 않은 패턴을 형성할 수가 있다.
레지스트 재료, 산불안정기로 보호된 산성 관능기, 알칼리 불용성 또는 난용성 고분자 화합물, 비이온성 불소계 화합물

Description

레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 {Resist Composition and Patterning Process}
본 발명은 파장 150 nm 이상 (근자외 및 원자외 영역)의 자외선 노광에 의해, 스컴이라 불리는 레지스트 잔사를 생성하지 않은 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로에 사용되는 레지스트 재료에 요망되는 성능의 하나로서 스컴이라 불리는 레지스트 잔사가 발생하지 않은 것이 요망되고 있다. 스컴이란 노광 후의 알칼리 현상 공정에서 형성되는 불용화된 레지스트 성분을 말한다. 현상 후에 이러한 스컴이 존재하고 있으면 그 후의 공정인 에칭이나 전해 도금 등을 행하였을 때, 에칭 불량이나 도금 불량이 발생하고 원하는 마무리 형상을 얻을 수 없게 된다는 치명적인 결점이 발생한다. 특히 최근 현저히 선폭의 미세화가 진행되기 때문에 근소한 스컴의 존재이어도 커다란 문제가 되고 있다. 이것을 개선하는 시도로서는 널리 사용되고 있는 유기 염기로 이루어지는 수용액 (예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드) 중에 어떤 특정한 계면 활성제를 첨가한다는 방법이 보고되고 있다 (예를 들면 일본 특허 공개 (평)6-118660호 공보, 동 11-352700호 공보 등).
한편, 레지스트 재료의 개량도 여러가지가 행하여지고, 화학 증폭형의 레지스트 재료로서는 일본 특허 공개 (평)11-030856호 공보, 동 11-030865호 공보, 동 11-109629호 공보 등에 특정한 수지나 산발생제를 사용하는 것이 제안되고 있다. 그러나 상기 방법은 수지ㆍ산발생제 등에 의한 스컴의 개선이기 때문에 레지스트 재료에 요구되는 각종 성능의 일부에 제한을 가하게 된다. 그 때문에 수지 및 산발생제의 재료 선택성이 넓은 스컴의 개선 방법이 요망되고 있다. 하기 특허 문헌을 참조하기 바란다.
<특허 문헌 1>
일본 특허 공개 (평)6-118660호 공보
<특허 문헌 2>
일본 특허 공개 (평)11-352700호 공보
<특허 문헌 3>
일본 특허 공개 (평)11-30856호 공보
<특허 문헌 4>
일본 특허 공개 (평)11-30865호 공보
<특허 문헌 5>
일본 특허 공개 (평)11-109629호 공보
<특허 문헌 6>
일본 특허 공개 2002-6503호 공보
<특허 문헌 7>
일본 특허 공개 평3-47190호 공보
본 발명은 상기 요망에 대응한 것으로 스컴을 형성하지 않은 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 여러가지 검토를 행한 결과, (A) 산불안정기로 보호된 산성 관능기를 갖는 알칼리 불용성 또는 난용성의 고분자 화합물로서 상기 산불안정기가 이탈하였을 때 알칼리 가용성이 되는 고분자 화합물,
(B) 산발생제, 필요에 따라 (D) 염기성 화합물을 함유하는 레지스트 조성물에, (C) 퍼플루오로알킬기 함유 실록산 결합과 폴리옥시에틸렌형 폴리에테르 결합만을 갖는 비이온성 불소 함유 오르가노실록산계 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 비이온성 불소계 화합물을 소량 첨가함으로써 자외선 노광에 의해, 스컴이 발생하지 않게 되는 것을 발견하여 본 발명을 하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 [I] (A) 산불안정기로 보호된 산성 관능기를 갖는 알칼리불용성 또는 난용성의 고분자 화합물로서 상기 산불안정기가 이탈했을 때 알칼리 가용성이 되는 고분자 화합물,
(B) 산발생제, 및
(C) 퍼플루오로알킬기 함유 실록산 결합과 폴리옥시에틸렌형폴리에테르 결합만을 갖는 비이온성 불소 함유 오르가노실록산계 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 비이온성 불소계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 파장 150 nm 이상의 자외선을 노광 광원으로 하는 레지스트 재료를 제공한다.
[Ⅱ] 상기 [I]에 있어서, (C) 성분의 비이온성 불소 화합물이 하기 화학식 4로 표시되는 레지스트 재료를 제공한다.
Figure 112002042938316-pat00001
식 중, Rt은 탄소수 4 내지 10의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 5 내지 14의 퍼플루오로폴리에테르기를 나타내고, Q는 폴리에틸렌글리콜쇄 및(또는) 폴리프로필렌글리콜쇄를 포함하는 폴리에테르기를 나타내고, R은 수소 원자, 알릴기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 3의 아실기를 나타내고, k 및 m은 각각 0 또는 1, n은 1 내지 3의 정수이다.
[Ⅲ] 상기 [Ⅰ] 또는 [II]에 있어서, (C) 성분의 비이온성 불소계 화합물의 함유량이 조성물의 고형분에 대하여 100 내지 8000 ppm인 레지스트 재료를 제공한다.
[Ⅳ] 상기 [I], [Ⅱ] 또는 [III]에 있어서, (D) 염기성 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료를 제공한다.
[V] (ⅰ) 상기 [I] 내지 [Ⅳ] 중 어느 하나에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정,
(ii) 계속해서 가열 처리 후 포토 마스크를 통해 파장 150 nm 이상의 자외선으로 노광하는 공정, 및
(iii) 필요에 따라서 가열 처리한 후 현상액을 사용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법을 제공하다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
(A) 성분의 고분자 화합물은 산불안정기로 보호된 산성 관능기를 갖는 알칼리 불용성 또는 난용성의 고분자 화합물로서, 상기 산불안정기가 이탈하였을 때 알칼리 가용성이 되는 고분자 화합물이고, 예를 들면 하기 화학식 1에서 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 페놀성 수산기의 일부의 수소 원자가 1종 또는 2종 이상의 산불안정기에 의해 부분 치환되고, 산불안정기가 하기 화학식 1의 페놀성 수산기의 수소 원자 전체의 평균 0 몰％를 초과하여, 80 몰％ 이하의 비율, 바람직하게는 7 내지 50 몰％의 비율인 중량 평균 분자량 3000 내지 300000의 고분자 화합물을 들 수 있다. 특히 폴리히드록시스티렌 및 그 유도체의 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기로 부분적으로 치환한 단분산 (분자량 분포: 1.0 내지 2.5, 바람직하게는 1.0 내지 1.5)의 것이 적합하다.
Figure 112002042938316-pat00002
식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 내지 8의 직 쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, x는 0 또는 양의 정수, y는 양의 정수이고, x+y≤5를 만족하는 수이다.
산불안정기로서는 여러가지 선정되지만 특히 하기 화학식 2, 3으로 표시되는 기, tert-알킬기, 트리알킬실릴기, 케토알킬기 등인 것이 바람직하다.
Figure 112002042938316-pat00003
Figure 112002042938316-pat00004
식 중, R3, R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기를 나타내고, R5는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기이거나, 또는 R3과 R4, R3과 R5 또는 R4 와 R5는 이들이 결합하여 환을 형성할 수 있고, 환을 형성할 경우 R3, R4, R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타낸다.
구체적으로는 상기 화학식 2의 기로서, 1-에톡시에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-이소프로폭시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-sec-부톡시에틸기, 1-tert-부톡시에틸기, 1-tert-아밀옥시에틸기, 1-에톡시-n-프로필기, 1-시 클로헥실옥시에틸기 등의 직쇄상 또는 분지상의 아세탈기, 테트라히드로푸라닐기 등의 환상의 아세탈기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 1-에톡시에틸기, 1-에톡시-n-프로필기를 들 수 있다.
상기 화학식 3에 있어서, R6은 탄소수 4 내지 12, 바람직하게는 4 내지 8, 더욱 바람직하게는 4 내지 6의 3급 알킬기를 나타내고, a는 0 내지 6의 정수이다.
구체적으로는 상기 화학식 3의 기로서 tert-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐메틸기, tert-아밀옥시카르보닐기, tert-아밀옥시카르보닐메틸기 등을 들 수 있다.
또한 상기 tert-알킬기로서는 tert-부틸기, tert-아밀기, 1-메틸시클로헥실기 등을 들 수 있다.
트리알킬실릴기로서는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 디메틸-tert-부틸실릴기 등의 각 알킬기의 탄소수가 1 내지 6인 것이, 케토알킬기로서는 3-옥소시클로헥실기이거나 화학식
Figure 112002042938316-pat00005
으로 표시되는 기 등을 들 수 있다.
다음으로, (B) 성분의 산 발생제로서는 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, β-케토술폰 유도체, 디아조메탄 유도체, 디술폰 유도체, 술폰산에스테르 유도체, 이미드-일-술포네이트 유도체 등을 들 수 있다.
구체적으로는 옥심술포네이트 화합물로서 α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(p-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(4-니 트로벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(4-니트로-2-트리플루오로메틸벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,4-디클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,6-디클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(2-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2-티에닐페닐아세토니트릴, α-(4-도데실벤젠술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(4-도데실벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-3-티에닐아세토니트릴 등을 들 수 있다.
오늄염으로서는 트리플루오로메탄술폰산디페닐요오도늄, 트리플루오로메탄술폰산(p-tert-부톡시페닐)요오도늄, p-톨루엔술폰산디페닐요오도늄, p-톨루엔술폰산(p-tert-부톡시페닐)요오도늄, 트리플루오로메탄술폰산트리페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산비스(p-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산트리스(p-tert-부톡시페닐)술포늄, p-톨루엔술폰산트리페닐술포늄, p-톨루엔술폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, p-톨루엔술폰산비스(p-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, p-톨루엔술폰산트리스(p-tert-부톡시페닐)술포늄, 노나플루오로부탄술폰산트리페닐술포늄, 부탄술폰산트리페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산트리메틸술포늄, p-톨루엔술폰산트리메틸술포늄, 트리플루오로메탄술폰산시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)술포늄, p-톨루엔술폰산시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)술포늄, 트리플루오로메탄술폰산 디메틸페닐술포늄, p-톨루엔술폰산디메틸페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산디시클로헥실페닐술포늄, p-톨루엔술폰산디시클로헥실페닐술포늄 등을 들 수 있다.
β-케토술폰 유도체로서는 2-시클로헥실카르보닐-2-(p-톨루엔술포닐)프로판, 2-이소프로필카르보닐-2-(p-톨루엔술포닐)프로판 등을 들 수 있다.
디아조메탄 유도체로서는 비스(벤젠술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.
디술폰 유도체로서는 디페닐디술폰, 디시클로헥실디술폰 등이 술폰산에스테르 유도체로서는 1,2,3-트리스(메탄술포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(트리플루오로메탄술포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(p-톨루엔술포닐옥시)벤젠 등이, 이미드-일-술포네이트 유도체로서는 프탈이미드-트리플레이트, 프탈이미드-일-토실레이트, 5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드-일-트리플레이트, 5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드-일-토실레이트, 5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드-일-n-부틸술포네이트 등을 들 수 있다.
산발생제의 첨가량은, (A) 성분의 고분자 화합물 80 부 (중량부, 이하 동일)에 대하여 0.5 내지 15 부, 바람직하게는 1 내지 8 부이다. 0.5 부보다 적으면 감도가 나쁜 경우가 있고, 15 부보다 많으면 레지스트 재료의 해상성이 저하되는 경우가 있고 단량체 성분이 과잉이 되기 때문에 내열성이 저하되는 경우가 있다.
본 발명 조성물에 있어서, (C) 성분의 퍼플루오로알킬기 함유 실록산 결합과 폴리옥시에틸렌형 폴리에테르 결합만을 갖는 비이온성 불소 함유 오르가노실록산계 화합물은 퍼플루오로알킬기를 갖는 실록산기와 폴리옥시에틸렌형폴리에테르기를 결 합시킨 화합물이면 어느 쪽이어도 좋지만 특히 하기 화학식 4로 표시되는 것이 바람직하다.
<화학식 4>
Figure 112002042938316-pat00006
식 중, Rf는 탄소수 4 내지 10의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 5 내지 14의 퍼플루오로폴리에테르기를 나타내고, Q는 폴리에틸렌글리콜쇄 및(또는) 폴리프로필렌글리콜쇄를 포함하는 폴리에테르기를 나타내고, R는 수소 원자, 알릴기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 3의 아실기를 나타내고, k 및 m은 각각 0 또는 1, n은 1 내지 3의 정수이다.
여기서, Rf의 퍼플루오로알킬기로서는 CpF2p+1- (단, p는 4 내지 1O의 정수이다)로 표시되는 것으로, 퍼플루오로폴리에테르기로서는
Figure 112002042938316-pat00007
(단, q는 1 내지 4의 정수이다) 로 표시되는 것을 들 수 있다.
또한, Q의 폴리에테르기로서는 -(C2H4O)r(C3H6O) s- (단, r은 0 내지 50, 특히 2 내지 40의 정수, s는 0 내지 50의 정수, r+s는 0내지 100의 정수이다)로 표시되는 것을 들 수 있다.
이러한 상기 화학식 4의 화합물로서는 예를 들면 일본 특허 공개 (평)3-47190호 공보에 기재된 것을 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서는, (C) 성분의 비이온성 불소계 화합물은 1종을 사용할 수도 2종 이상을 조합할 수도 있다. 그 배합량은 고형분에 대하여 통상 100 내지 8000 ppm, 바람직하게는 100 내지 6000 ppm의 범위에서 선택된다. 이 배합량이 1OO ppm미만이면 스트리에이션으로 불리는 도포 얼룩이 생기고, 8000 ppm을 초과하면 조성물의 연화 온도가 저하되기 때문에 바람직하지 않다.
(D) 성분의 염기성 화합물로서는 산발생제에서 발생하는 산이 레지스트막 중에 확산할 때의 확산 속도를 억제할 수 있는 화합물이 적합하고, 이러한 염기성 화합물의 배합에 의해 레지스트막 중에서의 산의 확산 속도가 억제되어 해상도가 향상하고, 노광 후의 감도 변화를 억제하거나 기판이나 환경 의존성을 적게 하여 노광 여유도나 패턴 프로파일 등을 향상할 수 있다.
이러한 염기성 화합물로서는 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물, 아미드 유도체, 이미드 유도체 등을 들 수 있다.
구체적으로는 제1급의 지방족 아민류로서 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민 등이 제2급의 지방족 아민으로서 디메틸아민, 디에틸아민, 디- n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디- n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디- sec-부틸아민 등이, 제3급의 지방족 아민으로서 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아 민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민 등을 들 수 있다.
혼성 아민류로서는 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 벤질아민, 페네틸아민, 벤질디메틸아민 등이, 방향족 아민류 및 복소환 아민류로서는 아닐린, N,N-디메틸아닐린, 피리딘, 퀴놀린, 1,8-디아자비시클로운데센 등을 들 수 있다.
카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물로서는 아미노벤조산, 인돌카르복실산, 니코틴산, 알라닌 등이, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물로서는 3-피리딘술폰산, p-톨루엔술폰산피리디늄 등을 들 수 있다.
히드록시기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물로서는 2-히드록시피리딘, 아미노크레졸, 2,4-퀴놀린디올, 3-인돌메탄올히드레이트, 트리에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, 피페리딘에탄올 등을 들 수 있다.
아미드 유도체로서는 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드 등이, 이미드 유도체로서는 프탈이미드, 숙신이미드, 말레이미드 등을 들 수 있다.
상기 염기성 화합물은 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있고, 그 배합량은 (A) 성분의 고분자 화합물 80 부에 대하여 0 내지 2 부, 특히 0.01 내지 1 부를 혼합한 것이 적합하다. 배합량이 2 부를 초과하면 감도가 지나치게 저하될 경우가 있다.
유기 용제로서는 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논 등의 케톤류, 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜-tert-부틸에테르메틸에테르(1-tert-부톡시-2-메톡시에탄), 에틸렌글리콜-tert-부틸에테르에틸에테르(1-tert-부톡시-2-에톡시에탄)등의 에테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 아세트산tert-부틸, 프로피온산tert-부틸, β-메톡시이소부티르산메틸 등의 에스테르류 등을 들 수 있다. 이 중에서는 레지스트 성분의 용해성이 우수한 1-에톡시-2-프로판올, 또는 레지스트 성분의 용해성, 안전성이 우수한 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(α형, β형)이 바람직하게 사용된다. 또한 상기 유기 용제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
유기 용제의 첨가량은 (A) 성분의 고분자 화합물 80 부에 대하여 90 내지 600 부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 내지 500 부이다.
본 발명의 레지스트 재료에는, 상기 성분 이외에 임의의 성분으로서 기판으로부터의 난반사를 적게 하기 위한 흡광성 재료, 또한 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기를 분자 중에 갖는 화합물, 용해 촉진제 등을 첨가할 수 있다. 또한, 임의 성분의 첨가량은 본 발명의 효과를 방해하지 않은 범위에서 통상량으로 할 수 있다.
흡광성 재료로서는 2-벤젠아조-4-메틸페놀, 4-히드록시-4'-디메틸아미노아조 벤젠 등의 아조 화합물이나 쿠르쿠민 등을 들 수 있다.
1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기를 분자 중에 갖는 화합물로서는 하기 화학식 5 또는 6으로 표시되는 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기를 분자 중에 갖는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112002042938316-pat00008
Figure 112002042938316-pat00009
구체적으로는 상기 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기가 도입되는 화합물로서 트리 또는 테트라히드록시벤조페논, 페놀성 수산기를 갖는 하기 화학식 7로 표시되는 바라스트 분자 또는 화학식 12로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 2,000 내지 20,000, 바람직하게 3,000 내지 10,000의 범위인 노볼락 수지가 적합하게 사용된다.
Figure 112002042938316-pat00010
식 중, R7 내지 R12는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 하기 화학식 8로 표시되는 기 또는 하기 화학식 9로 표시되는 기이고, m은 0 내지 2의 정수, n은 0 내지 2의 정수이고, n이 0인 경우, m은 1 또는 2이고, A는 n이 0이고 또한 m이 1인 경우, 수소 원자, 메틸기 또는 하기 화학식 8로 표시되는 기이고, n이 0이고 또한 m이 2인 경우, 한쪽이 메틸렌기 또는 하기 화학식 10으로 표시되는 기이고 다른 쪽이 수소 원자, 메틸기 또는 하기 화학식 8로 표시되는 기, n이 1인 경우, 메틸렌기 또는 하기 화학식 10으로 표시되는 기이고, n이 2인 경우, m이 1일 때는 A는 메틴기 또는 하기 화학식 11로 표시되는 기, m이 2인 경우는 A의 한쪽이 메틸렌기 또는 하기 화학식 10으로 표시되는 기로 다른 쪽이 메틴기 또는 하기 화학식 11로 표시되는 기이다.
Figure 112002042938316-pat00011
Figure 112002042938316-pat00012
Figure 112002042938316-pat00013
Figure 112002042938316-pat00014
식 중, p, q, r, s, t, u, v는 각각 0 내지 3의 정수이되, p+q≤5, r+s≤4, u+v≤3이다.
이 경우, 상기 화학식 7의 저핵체 (발라스트 분자)는 벤젠환의 수가 2 내지 20 개, 보다 바람직하게는 2 내지 10 개, 더욱 바람직하게는 3 내지 6 개이고, 또한 페놀성 수산기의 수와 벤젠환의 수의 비율이 0.5 내지 2.5, 보다 바람직하게는 0.7 내지 2.0, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.5인 것이 적합하다.
Figure 112002042938316-pat00015
식 중, m은 0 내지 3의 정수이다.
상기 화학식 12의 노볼락 수지는, 하기 화학식 13으로 표시되는 페놀류, 구체적으로는 o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 3,5-크실레놀 등의 1종 이상의 페놀류와 알데히드류를 통상의 방법으로 공급시키는 것에 의해 합성할 수 있다.
Figure 112002042938316-pat00016
식 중, m은 0 내지 3의 정수이다.
이 경우, 알데히드류로서는 예를 들면 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드 등을 들 수 있지만 포름알테히드가 적합하다.
또한 상기 화학식 13의 페놀류와 알데히드류와의 비율은 몰비로 0.2 내지 2, 특히 0.3 내지 2의 비율이 바람직하다.
상기 1.2-나프토퀴논디아지드술포닐기가 도입되는 화합물로의 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기의 도입 방법으로서는 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐클로라이드와 페놀성 수산기의 염기 촉매에 의한 탈염산 축합 반응을 사용하는 것이 바람직하다. 화학식 2의 발라스트 분자, 트리 또는 테트라히드록시벤조페논인 경우에는 페 놀성수산기의 수소 원자를 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기로 치환하는 비율은 10 내지 100 몰％, 바람직하게는 50내지 100 몰％이고, 화학식 11의 노볼락 수지인 경우에는, 페놀성 수산기의 수소 원자를 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기로 치환하는 비율은 2 내지 50 몰％, 바람직하게는 3 내지 27 몰％이 바람직하다.
1,2-나프토퀴논디아지드술포닐기를 분자 중에 갖는 화합물의 첨가량은 (A) 성분의 고분자 화합물 80 부에 대하여 0.1 내지 15 부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10 부인 것이 바람직하다. 0.1 부보다 적으면 레지스트 재료의 해상성이 저하하는 경우가 있고, 15 부 보다 많으면 감도가 나쁜 경우가 있다.
또한, 용해 촉진제로서는 페놀성 수산기를 갖고, 또한 벤젠환의 수가 2 내지 20 개, 보다 바람직하게는 2 내지 10 개, 더욱 바람직하게는 3 내지 6 개이고, 또한 페놀성 수산기의 수와 벤젠환의 수의 비율이 0.5 내지 2.5, 보다 바람직하게는 0.7 내지 2.0, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.5인 것이 상술한 화학식 7로 표시되는 저핵체 들 수 있다.
이러한 저핵체로서 구체적으로는 하기의 것을 들 수 있다.
Figure 112002042938316-pat00017
Figure 112002042938316-pat00018
Figure 112002042938316-pat00019
Figure 112002042938316-pat00020
Figure 112002042938316-pat00021
Figure 112002042938316-pat00022
Figure 112002042938316-pat00023
용해 촉진제는 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있고, 그 배합량은 (A) 성분의 고분자 화합물 80 부에 대하여 0 내지 10 부, 특히 0.05 내지 5부를 혼합한 것이 적합하다. 10 부보다 많으면 해상성 및 내열성이 저하되는 경우가 있다.
상기 레지스트 재료를 사용하여 패턴을 형성하는 방법으로서는 통상법에 따라 레지스트 재료를 기판 상에 도포한다. 이 경우, 기판의 종류에 특별한 제한은 없지만 Si, Ni, Fe, Zn, Mg, Co, Al, Pt, Pd, Ta, Au, Cu, Ti, Cr, NiFe, SiON. 알루미나, 그 밖의 산화막, 질화막 기판 등을 들 수 있다. 또한, 레지스트막의 두께로서는 특히 제한되지 않지만 O.01 내지 100 ㎛, 바람직하게는 2 내지 50 ㎛이다. 계속해서 바람직하게는 90 내지 130 ℃, 1 내지 15 분간 가열한 후, 포토마스크를 통해 노광하되, 본 발명에 있어서 노광은 파장 150 nm 이상, 바람직하게는 193 nm 이상, 더욱 바람직하게는 248 nm 이상의 자외선을 사용하는 것으로 i선, h선, g선 등을 사용할 수 있다. 그 후, 필요에 따라 바람직하게는 70 내지 130 ℃, 1 내지 5 분간의 가열 처리를 행하여, 계속해서 현상액을 사용하고 현상을 행한다. 이 경우, 현상액으로서는 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 등의 유기계 알칼리 수용액이나 수산화나트륨, 수산화칼륨, 붕산칼륨 등의 무기계 알칼리 수용액 등을 사용할 수 있다. 이렇게 하여, 포지티브형 패턴을 얻을 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것이 아니다. 또한 각 예에 있어서 부는 모두 중량 부이다.
<실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 4>
하기 반복 단위 (Polym-1)를 갖는 기재 수지 80 부, 하기 화학식 (PAG-1)로 표시되는 산발생제 2 부, 염기성 화합물로서 트리에탄올아민 0.1 부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해하고, 표 1에 나타내는 비이온성 불소계 화합물을 표 1에 나타내는 배합량으로 첨가하고, 레지스트 용액을 제조한 후, 0.2 ㎛의 맴브레인 필터로 여과하였다. 얻어진 레지스트 용액을 Si, NiFe 기판 상에 스핀 코팅하고, 핫 플레이트 상에서 120 ℃에서 120 초간의 소프트 베이크를 하고, 두께 2.00 ㎛의 레지스트막을 형성하였다. 다음으로 레티클을 통해 i선용 스테퍼 (니콘사, NSR-1755i7A, NA=0.50)를 사용하여 노광하고, 80 ℃에서 120 초간의 PEB를 행한 후, 2.38 중량％의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 100 초간의 현상을 행하여 계속해서 순수한 물로 헹구고, 건조하였다.
Si 기판 상의 평가에 대해서는, 1.5 ㎛의 라인 앤드 스페이스가 1:1로 해상하는 노광량을 주사형 전자 현미경을 사용하여 관찰한 패턴 형상에 문제가 없고, 스페이스 부분에 레지스트 잔사가 확인되지 않은 것을 "스컴 없음"이라 판단하고 (표 2 중에서 ○), 스컴의 존재가 확인된 것 및 패턴 형상이 좋지 않은 것을 표 2 중에서는 ×로 표시하였다. 또한 NiFe 기판 상의 평가에 대해서는 0.60 ㎛의 고립 마스크를 사용하였을 때, 실제의 치수가 0.60±0.02 ㎛ 이내에 들어가는 노광량으로 관찰을 행하여, Si 기판 상에서의 평가와 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
<중합체-1>
Figure 112002042938316-pat00024
(x/(x+y)=0.20, 중량평균분자량: 15,000, 분자량 분포: 1.3)
<PAG-1>
Figure 112002042938316-pat00025
실시예 및 비교예 비이온성 불소계 화합물
종류 첨가량 (ppm)
실시예 1 화학식 14 100
실시예 2 화학식 14 2000
실시예 3 화학식 14 8000
비교예 1 FC-430* 500
비교예 2 FC-430 5000
비교예 3 F-815** 800
비교예 4 S-141*** 1000
Figure 112002042938316-pat00026
* 스미또모 쓰리엠 (주) 제품: 비이온성 불소계 화합물
** 다이닛뽄 잉크 고교 (주) 제품: 비이온성 불소계 화합물
*** 아사히가라스 (주) 제품: 비이온성 불소계 화합물
실시예 및 비교예 Si 기판 NiFe 기판
실시예 1 ○ ○
실시예 2 ○ ○
실시예 3 ○ ○
비교예 1 ○ X
비교예 2 X X
비교예 3 ○ X
비교예 4 X X
<실시예 4, 5, 비교예 5, 6>
상기 반복 단위 (Polym-1)를 갖는 베이스 수지 80 부, 하기 화학식 (PAG-2)로 표시되는 산발생제 3부, 염기성 화합물로서 트리에탄올아민 0.1 부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해하고, 표 3에 나타내는 비이온성 불소계 화합물을 표 3에 나타내는 배합량으로 첨가하고, 레지스트 용액을 제조한 후, 0.2 ㎛의 맴브레인 필터로 여과하였다. 얻어진 레지스트 용액을 Si, NiFe 기판 상에 스핀 코팅하여, 핫 플레이트 상에서 120 ℃에서 120 초간의 소프트베이크를 하고, 두께 2.00 ㎛의 레지스트막을 형성하였다. 다음으로 레티클을 통해 엑시머 레이저 스테퍼 (니콘사, NSR-2005 EX, NA=0.50)를 사용하여 노광하고, 100 ℃에서 120 초간의 PEB를 행한 후, 2.38 중량％의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 100 초간의 현상을 하고, 계속해서 순수한 물로 헹구고, 건조하였다.
Si 기판 상의 평가에 대해서는 O.60 ㎛의 라인 앤드 스페이스가 1:1이 되도록 해상하는 노광량을 주사형 전자 현미경을 사용하여 관찰한 패턴 형상에 문제가 없고, 스페이스 부분에 레지스트 잔사가 확인되지 않은 것을 "스컴 없음"이라 판단하여 (표 4 중에서 ○), 스컴의 존재가 확인된 것 및 패턴 형상이 좋지 않은 것을 표 4 중에서는 ×로 나타냈다. 또한, NiFe 기판 상의 평가에 대해서는 0.30 ㎛의 고립 마스크를 사용하였을 때, 실제 치수가 0.30±0.01 ㎛ 이내에 속하는 노광량으로 관찰을 행하고, Si 기판 상에서의 평가와 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
<PAG-2>
Figure 112002042938316-pat00027
실시예 및 비교예 비이온성 불소계 화합물
종류 첨가량 (ppm)
실시예 4 화학식 14 100
실시예 5 화학식 14 8000
비교예 5 FC-430 500
비교예 6 S-141 1000
실시예 및 비교예 Si 기판 NiFe 기판
실시예 4 ○ ○
실시예 5 ○ ○
비교예 5 ○ X
비교예 6 X X
본 발명의 레지스트 재료에 의하면 파장 150 nm 이상의 자외선 노광에 의해 스컴이 발생하지 않은 패턴을 형성할 수가 있다.

Claims (5)

  1. (A) 산불안정기로 보호된 산성 관능기를 갖는 알칼리 불용성 또는 난용성의 고분자 화합물로서 상기 산불안정기가 이탈했을 때에 알칼리 가용성이 되는 고분자 화합물,
    (B) 산발생제, 및
    (C) 하기 화학식 4로 표시되는 1종 이상의 비이온성 불소계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 파장 150 nm 이상의 자외선을 노광 광원으로 하는 레지스트 재료.
    <화학식 4>
    Figure 112008055352899-pat00029
    식 중, Rf는 탄소수 4 내지 10의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 5 내지 14의 퍼플루오로폴리에테르기를 나타내고, Q는 폴리에틸렌글리콜쇄 및(또는) 폴리프로필렌글리콜쇄를 포함하는 폴리에테르기를 나타내고, R은 수소 원자, 알릴기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 3의 아실기를 나타내고, k 및 m은 각각 0 또는 1, n은 1 내지 3의 정수이다.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, (C) 성분의 비이온성 불소계 화합물의 함유량이 조성물의 고형분에 대하여 100 내지 8000 ppm인 레지스트 재료.
  4. 제1항에 있어서, (D) 염기성 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
  5. (i) 제1항에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정,
    (ii) 계속해서 가열 처리 후 포토마스크를 통해 파장 150 nm 이상의 자외선으로 노광하는 공정, 및
    (iii) 필요에 따라 가열 처리한 후 현상액을 사용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4691442B2 (ja) 2005-12-09 2011-06-01 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4553140B2 (ja) * 2005-12-13 2010-09-29 信越化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP5729312B2 (ja) * 2011-01-19 2015-06-03 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
CN104067171A (zh) * 2012-01-27 2014-09-24 旭化成电子材料株式会社 微细凹凸结构体、干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0347190A (ja) * 1989-04-25 1991-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 含フッ素界面活性剤及びその製造方法
JPH11327145A (ja) 1998-05-14 1999-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JP2000010287A (ja) * 1998-04-22 2000-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JP2000267268A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成材料

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5124467A (en) * 1990-07-20 1992-06-23 Ciba-Geigy Corporation Perfluoroalkypolyoxyalkylpolysiloxane surfactants
JP3104939B2 (ja) 1992-10-01 2000-10-30 東京応化工業株式会社 半導体デバイス製造用レジスト現像液組成物
TW546540B (en) * 1997-04-30 2003-08-11 Wako Pure Chem Ind Ltd An agent for reducing the substrate dependence of resist and a resist composition
EP0887707B1 (en) 1997-06-24 2003-09-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
JPH11109629A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP3702590B2 (ja) 1997-07-11 2005-10-05 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3632383B2 (ja) 1997-07-11 2005-03-23 Ｊｓｒ株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト用感放射線性樹脂組成物
JPH11352700A (ja) 1998-06-04 1999-12-24 Nippon Hyomen Kagaku Kk ホトレジスト用アルカリ性現像液
US6479211B1 (en) * 1999-05-26 2002-11-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition for far ultraviolet exposure
JP3890380B2 (ja) * 1999-05-28 2007-03-07 富士フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
TW552475B (en) * 1999-06-09 2003-09-11 Wako Pure Chem Ind Ltd A resist composition
US6579658B2 (en) * 2000-02-17 2003-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0347190A (ja) * 1989-04-25 1991-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 含フッ素界面活性剤及びその製造方法
JP2000010287A (ja) * 1998-04-22 2000-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPH11327145A (ja) 1998-05-14 1999-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JP2000267268A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成材料

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